DE19918370A1 - LED-Weißlichtquelle mit Linse - Google Patents
LED-Weißlichtquelle mit LinseInfo
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Abstract
In einer erfindungsgemäßen Weißlichtquelle ist eine vorzugsweise in Oberflächenmontagetechnik gefertigte LED (2) in eine transparente Materialführung (3) eingebettet, in welcher eine Konvertersubstanz zur mindestens teilweisen Wellenlängenkonversion des von der LED emittierten Lichts enthalten ist, und auf die transparente Materialfüllung ist eine Linse (4) aufgeklebt, wobei die Materialfüllung eine konvexe Oberfläche (3A) aufweist und die Linse (4) eine mit der konvexen Oberfläche der Materialfüllung formschlüssige konkave Unterseite (4A) aufweist.
Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Weißlichtquelle nach dem
Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
In jüngster Zeit sind LEDs auf der Basis von GaN entwickelt
worden, mit denen blaues oder ultraviolettes Licht erzeugt
werden kann. Mithilfe dieser LEDs können Weißlichtquellen auf
der Grundlage der Wellenlängenkonversion hergestellt werden.
Ein bereits realisiertes Konzept sieht vor, daß ein Teil des
von der LED emittierten blauen Lichts durch ein geeignetes
Konvertermaterial in gelbes Licht umgewandelt wird, so daß
infolge der entstehenden Farbmischung des originären blauen
Lichts mit dem konvertierten gelben Licht Weißlicht erzeugt
wird. In einem zweiten Konzept wird vorgeschlagen, ultravio
lettes Licht einer geeigneten LED in den sichtbaren Spektral
bereich zu konvertieren.
Das Konvertermaterial kann bei beiden Konzepten entweder in
dem Halbleitermaterial der LED oder in einem die LED umgeben
den Einbettungsmaterial aus Harz oder dergleichen enthalten
sein.
Um die Strahlungsintensität des Bauelements in Abstrahlrich
tung zu erhöhen, können die LED-Bauelemente mit einer opti
schen Linse versehen werden, durch welche das Licht fokus
siert und gerichtet abgestrahlt wird.
Ein Beispiel für eine derartige Bauform ist in Fig. 1 darge
stellt. In dieser wird eine LED-Bauform verwendet, wie sie
beispielsweise in dem Artikel "SIEMENS SMT-TOPLED für die
Oberflächenmontage" von F. Möllmer und G. Waitl in der Zeit
schrift Siemens Components 29 (1991), Heft 4, S. 147 im Zu
sammenhang mit Bild 1 beschrieben ist. Diese Form der LED ist
äußerst kompakt und erlaubt gegebenenfalls die Anordnung ei
ner Vielzahl von derartigen LEDs in einer Reihen- oder Ma
trixanordnung.
Bei einer SMT-TOPLED gemäß der Anordnung der Fig. 1 ist eine
LED 2 mit einer ihrer elektrischen Kontaktflächen auf einem
Leiterband 5 montiert, das mit einem Pol einer Spannungs
quelle verbunden ist, während ein gegenüberliegendes, mit dem
anderen Pol der Spannungsquelle verbundenes Leiterband 5
durch einen Bonddraht 6 mit der anderen elektrischen Kontakt
fläche der LED 2 verbunden ist. Die beiden Leiterbänder 5
sind mit einem hochtemperaturfesten Thermoplast umspritzt.
Dadurch wird ein Grundkörper 1 im Spritzguß geformt, in dem
sich eine Ausnehmung 1A befindet, in die die LED 2 innensei
tig hineinragt. Der Thermoplast weist vorzugsweise einen ho
hen diffusen Reflexionsgrad von etwa 90% auf, so daß das von
der LED 2 emittierte Licht zusätzlich an den schräggestellten
Seitenwänden der Ausnehmung 1A in Richtung auf die Aus
gangsöffnung reflektiert werden kann. Die Ausnehmung 1A wird
mit einem transparenten Harzmaterial 3 wie einem Epoxidharz
gefüllt, welches ein Konvertermaterial, beispielsweise einen
geeigneten Farbstoff enthält. Das Harzmaterial und der Ther
moplast sind sorgfältig aufeinander abgestimmt, damit auch
thermische Spitzenbelastungen nicht zu mechanischen Störungen
führen.
Im Betrieb wird durch die LED 2, die beispielsweise auf GaN-
Basis oder auch auf Basis von II-VI-Verbindungen hergestellt
sein kann, blaues oder ultraviolettes Licht emittiert. Auf
ihrem Weg von der LED 2 zu der Linse 4 wird die relativ kurz
wellige emittierte Lichtstrahlung in der das Konvertermateri
al enthaltenden Harzfüllung 3 partiell in langwellige Licht
strahlung umgewandelt. Insbesondere kann bei Verwendung einer
blauen LED ein solches Konvertermaterial verwendet werden,
durch welches die blaue Lichtstrahlung mindestens partiell in
gelbe Lichtstrahlung umgewandelt wird. Ein Problem dieser
Bauform sind jedoch die unterschiedlichen Weglängen der
Lichtstrahlen in der mit dem Konvertermaterial gefüllten
Harzfüllung 3 von der LED 2 bis zu der Linse 4. Diese führen
dazu, daß im Randbereich des Bauelements der gelbe Anteil in
der Lichtstrahlung überwiegt, während im Gegensatz dazu in
der Mitte der blaue Anteil in der Lichtstrahlung überwiegt.
Dieser Effekt führt somit zu einem mit der Abstrahlrichtung
oder Betrachtungsrichtung variierenden Farbort der emittier
ten Lichtstrahlung.
Der vorliegenden Erfindung liegt somit die Aufgabe zugrunde,
eine LED-Weißlichtquelle anzugeben, bei der der Farbort un
abhängig von der Abstrahlrichtung ist und die Lichtstrahlung
in gebündelter Form abgestrahlt werden kann.
Diese Aufgabe wird mit den kennzeichnenden Merkmalen des Pa
tentanspruchs 1 gelöst.
Die Erfindung wird im folgenden anhand von Ausführungsbei
spielen in den Zeichnungen näher beschrieben. In den Zeich
nungen zeigen:
Fig. 1 ein vertikaler Schnitt durch ein Ausführungsbeispiel
für eine LED-Weißlichtquelle mit aufgeklebter Linse;
Fig. 2 ein vertikaler Schnitt durch eine Ausführungsform einer
erfindungsgemäßen LED-Weißlichtquelle.
Eine Ausführungsform gemäß der vorliegenden Erfindung ist in
Fig. 2 dargestellt, in der die gleichen Bezugszeichen für
gleiche und funktionsgleiche Elemente wie bei der Weißlicht
quelle der Fig. 1 vergeben sind. Alle in bezug auf die Bauform
der Fig. 1 genannten vorteilhaften Merkmale sind auch bei der
erfindungsgemäßen Bauform der Fig. 2 verwendbar.
Die erfindungsgemäße Weißlichtquelle der Fig. 2 löst das ge
nannte Problem dadurch, daß die Weglänge der Lichtstrahlung
in der Harzfüllung 3 vereinheitlicht wird. Um dieses zu er
reichen, wird die Harzfüllung 3 mit einer konvexen Oberfläche
3A hergestellt, die an jedem Punkt im wesentlichen den glei
chen Abstand von der LED 2 aufweist. Der Volumenanteil des in
der Harzfüllung enthaltenen Konvertermaterials wird so einge
stellt, daß entlang dieser vereinheitlichten Weglänge von der
LED 2 bis zu der konvexen Oberfläche 3A der Harzfüllung 3 ein
genügend großer Anteil der blauen Lichtstrahlung in gelbe
Lichtstrahlung umgewandelt wird, so daß die Strahlung für das
menschliche Auge als Weißlichtstrahlung wahrgenommen wird.
Somit tritt an jedem Punkt der konvexen Oberfläche 3A auf
grund der anteilsgleichen blau-gelben Farbmischung weißes
Licht in die darüber befindliche Linse 4 ein.
Die beispielsweise aus Polycarbonat gefertigte Linse 4 weist
demgegenüber eine konkave Oberfläche 4A auf, die mit der kon
vexen Oberfläche 3A der Harzfüllung 3 formschlüssig ist.
Die erfindungsgemäße Weißlichtquelle gemäß Fig. 2 kann auf
folgende Weise hergestellt werden.
Eine LED 2 wird in der bereits beschriebenen Weise mit Lei
terbändern 5 elektrisch verbunden und die Leiterbänder 5 wer
den durch ein thermoplastisches Material derart umspritzt,
daß ein Grundkörper 1 gebildet wird und die LED 2 sich in ei
ner Ausnehmung 1A des Grundkörpers 1 befindet. Insoweit ist
das Verfahren bereits in dem genannten Artikel von Möllmer
und Waitl beschrieben. Dann wird jedoch das Harzmaterial 3
nicht bis zum Rand der Ausnehmung 1A in diese eingefüllt son
dern nur bis zu einer genau festgelegten Füllhöhe darunter.
Dann wird eine vorgefertigte Linse 4, die die in Fig. 2 darge
stellte Form mit der konkaven Unterseite 4A aufweist, in das
noch flüssige Harzmaterial 3 eingesetzt, wobei sich die Ober
fläche der Harzfüllung an die konkave Unterseite 4A der Linse
4 anlegt, so daß dadurch die konvexe Oberfläche 3A der Harz
füllung 3 erzeugt wird. Nach dem Einsetzen der Linsen 4 wird
die Harzfüllung ausgehärtet.
Die Füllmenge des in die Ausnehmung 1A eingefüllten Harzmate
rials 3 muß möglichst genau so eingestellt werden, daß das
bis zum Rand der Ausnehmung 1A fehlende Volumen dem Verdrän
gungsvolumen des die konkave Unterseite 4A bildenden Ab
schnitts der Linse 4 entspricht.
Die Form der konvexen Oberfläche 3A der Harzfüllung 3 und der
konkaven Unterseite 4A der Linse 4 wird bereits bei der Fer
tigung der Linse 4 festgelegt. Die Bedingung für diese Form
ist, daß der Abstand der eigentlichen Lichtquelle, also der
aktiven strahlenden Fläche der LED von diesen Oberflächen
konstant ist. Zu diesem Zweck kann die aktive strahlende Flä
che der LED als punktförmig angenommen und in den Mittelpunkt
der aktiven strahlenden Fläche gelegt werden.
Die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht auf die in Fig. 2
dargestellte SMT-Bauform beschränkt. Beispielsweise kann der
Grundkörper auch durch einen metallischen Block wie einen
Kupferblock gebildet sein, der eine Ausnehmung aufweist, auf
deren Bodenfläche die LED mit einer ihrer elektrischen Kon
taktierungsflächen montiert ist, so daß der Kupferblock
gleichzeitig Wärmesenke und elektrischer Anschluß ist. Der
andere elektrische Anschluß könnte dann auf einer äußeren
Oberfläche des Kupferblocks mit einer dazwischenliegenden
Isolatorschicht geformt sein, wobei dieser elektrische An
schluß mit der anderen Kontaktierungsfläche der LED durch ei
nen Bonddraht vor der Harzverfüllung verbunden wird.
1
Grundkörper
1
A Ausnehmung
2
LED
3
Harzmaterial
3
A konvexe Oberfläche
4
Linse
4
A konkave Unterseite
5
Leiterbänder
6
Bonddraht
Claims (10)
1. Weißlichtquelle, mit
- - mindestens einer LED (2),
- - einen Grundkörper (1) mit einer Ausnehmung (1A), in der die LED (2) angeordnet ist,
- - eine die LED (2) einbettende Füllung (3) aus einem trans parenten Material, in welchem eine Konvertersubstanz zur mindestens teilweisen Wellenlängenkonversion des von der LED (2) emittierten Lichts enthalten ist,
- - eine auf die transparente Materialfüllung (3) aufgebrachte Linse (4), wobei
- - die Materialfüllung (3) eine konvexe Oberfläche (3A) auf weist und die Linse (4) eine mit der konvexen Oberfläche (3A) der Materialfüllung (3) formschlüssige konkave Unter seite (4A) aufweist.
2. Weißlichtquelle nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
- - die konvexe Oberfläche (3A) der Materialfüllung (3) und die Unterseite (4A) der Linse (4) derart geformt sind, daß sie einen im wesentlichen gleichbleibenden Abstand von der LED (2), insbesondere von dem geometrischen Mittelpunkt ihrer aktiven strahlenden Fläche aufweisen.
3. Weißlichtquelle nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
- - die LED (2) eine blau oder UV emittierende LED auf GaN-Ba sis ist und die Konvertersubstanz für die Konversion von Lichtstrahlung im blauen Spektralbereich in Lichtstrahlung im gelben Spektralbereich ausgelegt ist.
4. Weißlichtquelle nach Anspruch 2 und 3,
dadurch gekennzeichnet, daß
- - der Abstand der konvexen Oberfläche (3A) von der LED (2), insbesondere von dem geometrischen Mittelpunkt ihrer akti ven strahlenden Fläche derart gewählt ist, daß entlang der optischen Weglänge der Lichtstrahlung der Konversionsgrad im wesentlichen 50% beträgt.
5. Weißlichtquelle nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
- - die Weißlichtquelle in Oberflächenmontagetechnik herge stellt ist.
6. Weißlichtquelle nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
- - die Materialfüllung (3) ein Harzmaterial, insbesondere ein Epoxidharz enthält.
7. Weißlichtquelle nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
- - der Grundkörper (1) ein thermoplastisches Material ent hält.
8. Weißlichtquelle nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
- - die LED (2) mit einer ihrer elektrischen Kontaktierungs flächen auf einer ersten Leiterbahn (5) montiert ist,
- - und ihre andere elektrische Kontaktierungsfläche durch ei nen Bonddraht (6) mit einer zweiten Leiterbahn (5) verbun den ist, und
- - der Grundkörper (1) durch Spritzguß um die Leiterbänder (5) hergestellt ist.
9. Weißlichtquelle nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
- - die Seitenwände der Ausnehmung (1A) schräggestellt und re flektierend sind.
10. Verfahren zur Herstellung einer Weißlichtquelle nach ei
nem der vorhergehenden Ansprüche, mit den Verfahrensschritten
- - Formen einer Ausnehmung mit ebener Bodenfläche in einen metallischen Grundkörper,
- - Montieren einer LED auf der Bodenfläche,
- - Einfüllen einer definierten Menge eines ein Konvertermate rial enthaltenden transparenten Materials, wie eines Harz materials in die Ausnehmung,
- - Bereitstellen einer Linse, die mit einer konvexen Obersei te und einer konkaven Unterseite vorgefertigt wurde,
- - Einsetzen der Linse mit ihrer konkaven Unterseite in das noch flüssige transparente Material, und
- - Aushärten des transparenten Materials.
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US10/007,398 US6759803B2 (en) | 1999-04-22 | 2001-10-22 | LED light source with lens and corresponding production method |
US10/454,919 US6746295B2 (en) | 1999-04-22 | 2003-06-05 | Method of producing an LED light source with lens |
US10/854,098 US7126273B2 (en) | 1999-04-22 | 2004-05-25 | LED light source with lens |
US11/520,104 US7594840B2 (en) | 1999-04-22 | 2006-09-13 | Method of encapsulating LED light source with embedded lens component |
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DE (1) | DE19918370B4 (de) |
TW (1) | TW575966B (de) |
WO (1) | WO2000065664A1 (de) |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001086730A2 (de) * | 2000-05-12 | 2001-11-15 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung |
DE10142009A1 (de) * | 2001-08-28 | 2003-03-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | LED - Lichtquelle |
DE10159695A1 (de) * | 2001-09-27 | 2003-06-26 | United Epitaxy Co | Einen hohen Lichtstrom emittierende Diode mit einer Licht emittierenden Diode vom Flip-Chip-Typ mit einem transparenten Substrat |
US6900511B2 (en) | 2002-06-28 | 2005-05-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component and method for producing it |
EP1568076A2 (de) * | 2002-12-06 | 2005-08-31 | Cree, Inc. | Led-kapselung mit zusammengesetztem anschlusskamm und herstellungsverfahren dafür |
EP1693904A2 (de) * | 2005-02-18 | 2006-08-23 | Nichia Corporation | Llichtemittierende Vorrichtung versehen mit Linse für Lichtstärkeverteilungskontrolle |
WO2007009449A1 (de) * | 2005-07-21 | 2007-01-25 | Litec-Lll Gmbh | Lichtemittierende halbleiterdiode hoher lichtleistung |
US7256428B2 (en) | 2001-06-20 | 2007-08-14 | Osram Opto Semicondutors Gmbh | Optoelectronic component and method for the production thereof |
DE102006056272A1 (de) * | 2006-11-27 | 2008-05-29 | Bernd Kussmaul Gmbh | Beleuchtbarer Körper und Verfahren zu seiner Herstellung |
WO2008089740A1 (de) * | 2007-01-25 | 2008-07-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Anordnung zur erzeugung von mischlicht und verfahren zur herstellung einer solchen anordnung |
DE102007004807A1 (de) * | 2007-01-31 | 2008-08-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Licht emittierende Einrichtung mit optischem Körper |
WO2008145096A1 (de) | 2007-05-30 | 2008-12-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lumineszenzdiodenchip mit winkelfilterelement |
US8227821B2 (en) | 2004-09-22 | 2012-07-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Housing for an optoelectronic component, optoelectronic component and method for the production of an optoelectronic component |
US8932886B2 (en) | 2004-06-04 | 2015-01-13 | Cree, Inc. | Power light emitting die package with reflecting lens and the method of making the same |
DE102009046872B4 (de) | 2009-11-19 | 2018-06-21 | Ifm Electronic Gmbh | Berührungslos arbeitendes elektronisches Schaltgerät mit einer optischen Schaltzustandsanzeige |
WO2019057426A1 (de) * | 2017-09-21 | 2019-03-28 | Heraeus Noblelight Gmbh | Breitbandige halbleiterbasierte uv-lichtquelle für eine spektralanalysevorrichtung |
DE102010016721B4 (de) * | 2009-05-01 | 2020-02-20 | Abl Ip Holding Llc | Elektronische Baueinheit |
Families Citing this family (159)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19918370B4 (de) * | 1999-04-22 | 2006-06-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | LED-Weißlichtquelle mit Linse |
DE10020465A1 (de) * | 2000-04-26 | 2001-11-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement |
JP3956647B2 (ja) | 2001-05-25 | 2007-08-08 | セイコーエプソン株式会社 | 面発光レ−ザの製造方法 |
US7186005B2 (en) * | 2001-10-18 | 2007-03-06 | Ilight Technologies, Inc. | Color-changing illumination device |
CN1653297B (zh) | 2002-05-08 | 2010-09-29 | 佛森技术公司 | 高效固态光源及其使用和制造方法 |
DE10228634A1 (de) * | 2002-06-26 | 2004-01-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Oberflächenmontierbare Miniatur-Lumineszenz-und/oder Photo-Diode und Verfahren zu deren Herstellung |
US7775685B2 (en) * | 2003-05-27 | 2010-08-17 | Cree, Inc. | Power surface mount light emitting die package |
US7244965B2 (en) * | 2002-09-04 | 2007-07-17 | Cree Inc, | Power surface mount light emitting die package |
JP4074498B2 (ja) * | 2002-09-25 | 2008-04-09 | セイコーエプソン株式会社 | 面発光型発光素子、光モジュールおよび光伝達装置 |
JP4143732B2 (ja) * | 2002-10-16 | 2008-09-03 | スタンレー電気株式会社 | 車載用波長変換素子 |
JP2004158635A (ja) * | 2002-11-06 | 2004-06-03 | Stanley Electric Co Ltd | 表面実装型チップled及びその製造方法 |
US20040183081A1 (en) * | 2003-03-20 | 2004-09-23 | Alexander Shishov | Light emitting diode package with self dosing feature and methods of forming same |
DE10315131A1 (de) * | 2003-04-03 | 2004-10-14 | Hella Kg Hueck & Co. | Scheinwerfer für Fahrzeuge |
US7318659B2 (en) * | 2004-03-03 | 2008-01-15 | S. C. Johnson & Son, Inc. | Combination white light and colored LED light device with active ingredient emission |
DE102004001312B4 (de) * | 2003-07-25 | 2010-09-30 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Chip-Leuchtdiode und Verfahren zu ihrer Herstellung |
US7488973B2 (en) * | 2003-07-30 | 2009-02-10 | The Kansai Electric Power Co., Inc. | High-heat-resistant semiconductor device |
US7915085B2 (en) | 2003-09-18 | 2011-03-29 | Cree, Inc. | Molded chip fabrication method |
EP1521031A3 (de) | 2003-09-30 | 2008-02-27 | Toshiba Lighting & Technology Corporation | Beleuchtungsvorrichtung mit Leuchtdioden und Notlicht mit einer Solchen |
US6942360B2 (en) * | 2003-10-01 | 2005-09-13 | Enertron, Inc. | Methods and apparatus for an LED light engine |
DE10346452A1 (de) * | 2003-10-03 | 2005-04-28 | Schefenacker Vision Systems | Leuchtelement mit Einlegelichtleitkörper |
US7819550B2 (en) * | 2003-10-31 | 2010-10-26 | Phoseon Technology, Inc. | Collection optics for led array with offset hemispherical or faceted surfaces |
DE602004024710D1 (de) * | 2003-12-10 | 2010-01-28 | Okaya Electric Industry Co | Anzeigelampe |
DE10361650A1 (de) * | 2003-12-30 | 2005-08-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Modul und Verfahren zu dessen Herstellung |
CN100341160C (zh) * | 2004-02-27 | 2007-10-03 | 沈育浓 | 发光二极管晶片封装体及其封装方法 |
WO2005091392A1 (en) | 2004-03-18 | 2005-09-29 | Phoseon Technology, Inc. | Micro-reflectors on a substrate for high-density led array |
TWI257184B (en) * | 2004-03-24 | 2006-06-21 | Toshiba Lighting & Technology | Lighting apparatus |
US7279346B2 (en) * | 2004-03-31 | 2007-10-09 | Cree, Inc. | Method for packaging a light emitting device by one dispense then cure step followed by another |
US7326583B2 (en) * | 2004-03-31 | 2008-02-05 | Cree, Inc. | Methods for packaging of a semiconductor light emitting device |
US7517728B2 (en) * | 2004-03-31 | 2009-04-14 | Cree, Inc. | Semiconductor light emitting devices including a luminescent conversion element |
US7781789B2 (en) * | 2006-11-15 | 2010-08-24 | The Regents Of The University Of California | Transparent mirrorless light emitting diode |
US7768023B2 (en) * | 2005-10-14 | 2010-08-03 | The Regents Of The University Of California | Photonic structures for efficient light extraction and conversion in multi-color light emitting devices |
US7956371B2 (en) * | 2005-12-08 | 2011-06-07 | The Regents Of The University Of California | High efficiency light emitting diode (LED) |
US8227820B2 (en) * | 2005-02-09 | 2012-07-24 | The Regents Of The University Of California | Semiconductor light-emitting device |
US7994527B2 (en) * | 2005-11-04 | 2011-08-09 | The Regents Of The University Of California | High light extraction efficiency light emitting diode (LED) |
US7280288B2 (en) * | 2004-06-04 | 2007-10-09 | Cree, Inc. | Composite optical lens with an integrated reflector |
US7534633B2 (en) | 2004-07-02 | 2009-05-19 | Cree, Inc. | LED with substrate modifications for enhanced light extraction and method of making same |
US7878232B2 (en) * | 2004-07-09 | 2011-02-01 | GE Lighting Solutions, LLC | Light emitting chip apparatuses with a thermally superconducting heat transfer medium for thermal management |
US7233106B2 (en) * | 2004-07-14 | 2007-06-19 | Taiwan Oasis Technology Co., Ltd. | LED chip capping construction |
EP1622237A1 (de) * | 2004-07-28 | 2006-02-01 | Infineon Technologies Fiber Optics GmbH | Optisches oder elektronisches Modul und Verfahren zu dessen Herstellung |
JP4659414B2 (ja) * | 2004-09-01 | 2011-03-30 | アバゴ・テクノロジーズ・イーシービーユー・アイピー(シンガポール)プライベート・リミテッド | 発光ダイオード及びそれを用いる発光制御システム |
DE102004050371A1 (de) | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement mit einer drahtlosen Kontaktierung |
CN100449801C (zh) * | 2004-09-30 | 2009-01-07 | 晶元光电股份有限公司 | 半导体发光元件组成 |
TWI277222B (en) * | 2004-10-29 | 2007-03-21 | Lighthouse Technology Co Ltd | LED module and method of packing the same |
KR100628001B1 (ko) | 2004-11-12 | 2006-09-26 | 주식회사 메디아나전자 | 2개의 형광체를 이용하는 파스텔 칼라 발광 다이오드 소자및 그 제조방법 |
KR100580753B1 (ko) | 2004-12-17 | 2006-05-15 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 |
CN100388514C (zh) * | 2005-01-20 | 2008-05-14 | 财团法人工业技术研究院 | 一种镜体及应用镜体的均匀发光的发光二极管 |
US7939842B2 (en) * | 2005-01-27 | 2011-05-10 | Cree, Inc. | Light emitting device packages, light emitting diode (LED) packages and related methods |
KR101136344B1 (ko) * | 2005-04-06 | 2012-04-18 | 삼성전자주식회사 | 광학 렌즈, 이를 갖는 광학 모듈, 이를 갖는 백라이트어셈블리 및 이를 갖는 표시 장치 |
DE102005036520A1 (de) * | 2005-04-26 | 2006-11-09 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optisches Bauteil, optoelektronisches Bauelement mit dem Bauteil und dessen Herstellung |
US7980743B2 (en) | 2005-06-14 | 2011-07-19 | Cree, Inc. | LED backlighting for displays |
JP5043835B2 (ja) * | 2005-06-17 | 2012-10-10 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア | 光電子応用のための(Al,Ga,In)NとZnOの直接ウェーハ・ボンディング構造とその作製方法 |
US7748872B2 (en) * | 2005-07-22 | 2010-07-06 | Cooper Technologies Company | Light-conducting pedestal configuration for an LED apparatus which collects almost all and distributes substantially all of the light from the LED |
KR20080059418A (ko) * | 2005-09-30 | 2008-06-27 | 더 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 | 고상 조명용 질화 및 산질화 세륨계 형광물질들 |
US20070102718A1 (en) * | 2005-11-07 | 2007-05-10 | Akira Takekuma | Lens in light emitting device |
KR20080106402A (ko) | 2006-01-05 | 2008-12-05 | 일루미텍스, 인크. | Led로부터 광을 유도하기 위한 개별 광학 디바이스 |
US7182627B1 (en) * | 2006-01-06 | 2007-02-27 | Advanced Thermal Devices, Inc. | High illumosity lighting assembly |
US8044412B2 (en) | 2006-01-20 | 2011-10-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd | Package for a light emitting element |
EP1816688B1 (de) * | 2006-02-02 | 2016-11-02 | LG Electronics Inc. | Gehäuse für eine Leuchtdiode |
US7737634B2 (en) * | 2006-03-06 | 2010-06-15 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | LED devices having improved containment for liquid encapsulant |
US7808004B2 (en) * | 2006-03-17 | 2010-10-05 | Edison Opto Corporation | Light emitting diode package structure and method of manufacturing the same |
WO2007111355A1 (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-04 | Kyocera Corporation | 発光装置 |
US8969908B2 (en) | 2006-04-04 | 2015-03-03 | Cree, Inc. | Uniform emission LED package |
JP2007311707A (ja) * | 2006-05-22 | 2007-11-29 | Ushio Inc | 紫外線発光素子パッケージ |
EP2372797A3 (de) * | 2006-07-31 | 2017-01-18 | 3M Innovative Properties Co. | Leuchtdiode-Quelle mit konkaver Sammellinse |
JP5330993B2 (ja) | 2006-07-31 | 2013-10-30 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 光学投影サブシステム |
US7943952B2 (en) * | 2006-07-31 | 2011-05-17 | Cree, Inc. | Method of uniform phosphor chip coating and LED package fabricated using method |
WO2008082703A2 (en) * | 2006-07-31 | 2008-07-10 | 3M Innovative Properties Company | Combination camera/projector system |
US7804147B2 (en) * | 2006-07-31 | 2010-09-28 | Cree, Inc. | Light emitting diode package element with internal meniscus for bubble free lens placement |
US8075140B2 (en) * | 2006-07-31 | 2011-12-13 | 3M Innovative Properties Company | LED illumination system with polarization recycling |
US20080029774A1 (en) * | 2006-08-04 | 2008-02-07 | Acol Technologies S.A. | Semiconductor light source packages with broadband and angular uniformity support |
TWI418054B (zh) * | 2006-08-08 | 2013-12-01 | Lg Electronics Inc | 發光裝置封裝與製造此封裝之方法 |
US20080064131A1 (en) * | 2006-09-12 | 2008-03-13 | Mutual-Tek Industries Co., Ltd. | Light emitting apparatus and method for the same |
DE102006046301A1 (de) * | 2006-09-29 | 2008-04-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optisches Element, strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optischen Elements |
US20090275157A1 (en) * | 2006-10-02 | 2009-11-05 | Illumitex, Inc. | Optical device shaping |
EP2070123A2 (de) | 2006-10-02 | 2009-06-17 | Illumitex, Inc. | Led-system und -verfahren |
US7808013B2 (en) * | 2006-10-31 | 2010-10-05 | Cree, Inc. | Integrated heat spreaders for light emitting devices (LEDs) and related assemblies |
US10295147B2 (en) | 2006-11-09 | 2019-05-21 | Cree, Inc. | LED array and method for fabricating same |
WO2008060586A2 (en) * | 2006-11-15 | 2008-05-22 | The Regents Of The University Of California | Textured phosphor conversion layer light emitting diode |
JP5372766B2 (ja) * | 2006-11-15 | 2013-12-18 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア | 光取り出し効率の高い球形led |
TWI518941B (zh) | 2006-11-15 | 2016-01-21 | 美國加利福尼亞大學董事會 | 豎立式透明無鏡發光二極體 |
WO2008060601A2 (en) * | 2006-11-15 | 2008-05-22 | The Regents Of The University Of California | High efficiency, white, single or multi-color light emitting diodes (leds) by index matching structures |
US20090121250A1 (en) * | 2006-11-15 | 2009-05-14 | Denbaars Steven P | High light extraction efficiency light emitting diode (led) using glass packaging |
US7769066B2 (en) | 2006-11-15 | 2010-08-03 | Cree, Inc. | Laser diode and method for fabricating same |
US7889421B2 (en) | 2006-11-17 | 2011-02-15 | Rensselaer Polytechnic Institute | High-power white LEDs and manufacturing method thereof |
JP2010512662A (ja) | 2006-12-11 | 2010-04-22 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア | 透明発光ダイオード |
DE102006059994A1 (de) * | 2006-12-19 | 2008-06-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauelement |
KR100851183B1 (ko) * | 2006-12-27 | 2008-08-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 패키지 |
US7834367B2 (en) | 2007-01-19 | 2010-11-16 | Cree, Inc. | Low voltage diode with reduced parasitic resistance and method for fabricating |
US8232564B2 (en) | 2007-01-22 | 2012-07-31 | Cree, Inc. | Wafer level phosphor coating technique for warm light emitting diodes |
US9024349B2 (en) | 2007-01-22 | 2015-05-05 | Cree, Inc. | Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method |
US7915061B2 (en) * | 2007-05-31 | 2011-03-29 | GE Lighting Solutions, LLC | Environmentally robust lighting devices and methods of manufacturing same |
CN101315484B (zh) * | 2007-06-01 | 2011-09-28 | 富士迈半导体精密工业(上海)有限公司 | 光源组件及包括光源组件的背光模组 |
KR100801621B1 (ko) * | 2007-06-05 | 2008-02-11 | 서울반도체 주식회사 | Led 패키지 |
US7911059B2 (en) * | 2007-06-08 | 2011-03-22 | SeniLEDS Optoelectronics Co., Ltd | High thermal conductivity substrate for a semiconductor device |
JP2010532104A (ja) | 2007-06-27 | 2010-09-30 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア | 高効率白色発光ダイオードのための光学設計 |
KR100880638B1 (ko) | 2007-07-06 | 2009-01-30 | 엘지전자 주식회사 | 발광 소자 패키지 |
US10505083B2 (en) * | 2007-07-11 | 2019-12-10 | Cree, Inc. | Coating method utilizing phosphor containment structure and devices fabricated using same |
US9401461B2 (en) * | 2007-07-11 | 2016-07-26 | Cree, Inc. | LED chip design for white conversion |
TWI347687B (en) * | 2007-07-13 | 2011-08-21 | Lite On Technology Corp | Light-emitting device with open-loop control |
JP4888280B2 (ja) * | 2007-08-28 | 2012-02-29 | パナソニック電工株式会社 | 発光装置 |
US20090065792A1 (en) * | 2007-09-07 | 2009-03-12 | 3M Innovative Properties Company | Method of making an led device having a dome lens |
US8519437B2 (en) | 2007-09-14 | 2013-08-27 | Cree, Inc. | Polarization doping in nitride based diodes |
US8444299B2 (en) | 2007-09-25 | 2013-05-21 | Enertron, Inc. | Dimmable LED bulb with heatsink having perforated ridges |
US9012937B2 (en) | 2007-10-10 | 2015-04-21 | Cree, Inc. | Multiple conversion material light emitting diode package and method of fabricating same |
TWI360238B (en) * | 2007-10-29 | 2012-03-11 | Epistar Corp | Photoelectric device |
JP5212777B2 (ja) * | 2007-11-28 | 2013-06-19 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置及び照明装置 |
US9041285B2 (en) | 2007-12-14 | 2015-05-26 | Cree, Inc. | Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force |
US8167674B2 (en) | 2007-12-14 | 2012-05-01 | Cree, Inc. | Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force |
EP2240968A1 (de) | 2008-02-08 | 2010-10-20 | Illumitex, Inc. | System und verfahren zur bildung einer emitterschicht |
US8637883B2 (en) | 2008-03-19 | 2014-01-28 | Cree, Inc. | Low index spacer layer in LED devices |
JP5216384B2 (ja) * | 2008-03-19 | 2013-06-19 | 株式会社東芝 | 発光装置 |
US8877524B2 (en) | 2008-03-31 | 2014-11-04 | Cree, Inc. | Emission tuning methods and devices fabricated utilizing methods |
CN101626054B (zh) * | 2008-07-10 | 2011-05-18 | 一品光学工业股份有限公司 | 非球面宽照角光学镜片及其所构成的发光二极管组件 |
TWI363907B (en) * | 2008-08-05 | 2012-05-11 | Au Optronics Corp | Backlight module and light emitting diode thereof |
JP5284006B2 (ja) * | 2008-08-25 | 2013-09-11 | シチズン電子株式会社 | 発光装置 |
US7932529B2 (en) | 2008-08-28 | 2011-04-26 | Visera Technologies Company Limited | Light-emitting diode device and method for fabricating the same |
TW201034256A (en) | 2008-12-11 | 2010-09-16 | Illumitex Inc | Systems and methods for packaging light-emitting diode devices |
TWI463708B (zh) * | 2009-02-24 | 2014-12-01 | Advanced Optoelectronic Tech | 側面出光型發光元件封裝結構及其製造方法 |
KR101041381B1 (ko) * | 2009-03-20 | 2011-06-15 | (주)레인보우옵틱코리아 | 띠무늬 제거기능을 가지는 led 조명장치 |
WO2010132517A2 (en) * | 2009-05-12 | 2010-11-18 | David Gershaw | Led retrofit for miniature bulbs |
KR101058718B1 (ko) * | 2009-06-19 | 2011-08-22 | 삼성전기주식회사 | 노광 장치 |
CN101936500A (zh) * | 2009-06-30 | 2011-01-05 | 富准精密工业(深圳)有限公司 | 发光二极管模组 |
US8449128B2 (en) | 2009-08-20 | 2013-05-28 | Illumitex, Inc. | System and method for a lens and phosphor layer |
US8585253B2 (en) | 2009-08-20 | 2013-11-19 | Illumitex, Inc. | System and method for color mixing lens array |
CN102003676B (zh) * | 2009-08-28 | 2012-10-10 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 透镜 |
CN101672437A (zh) * | 2009-09-18 | 2010-03-17 | 深圳市华海诚信电子显示技术有限公司 | 一种led模块和一种led屏 |
KR100986468B1 (ko) * | 2009-11-19 | 2010-10-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 렌즈 및 렌즈를 갖는 발광 장치 |
JP2011142268A (ja) * | 2010-01-08 | 2011-07-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光モジュールおよびその製造方法 |
US8646949B2 (en) * | 2010-03-03 | 2014-02-11 | LumenFlow Corp. | Constrained folded path resonant white light scintillator |
WO2011140157A1 (en) * | 2010-05-03 | 2011-11-10 | Osram Sylvania Inc. | Thermosyphon light engine and luminaire including same |
JP2012019062A (ja) * | 2010-07-08 | 2012-01-26 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 発光半導体装置、実装基板及びそれらの製造方法 |
US10546846B2 (en) | 2010-07-23 | 2020-01-28 | Cree, Inc. | Light transmission control for masking appearance of solid state light sources |
DE102010045316A1 (de) | 2010-09-14 | 2012-03-15 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes Bauelement |
DE102010045403A1 (de) | 2010-09-15 | 2012-03-15 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
US9166126B2 (en) | 2011-01-31 | 2015-10-20 | Cree, Inc. | Conformally coated light emitting devices and methods for providing the same |
KR20120093679A (ko) * | 2011-02-15 | 2012-08-23 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 패키지 및 그 제조방법 |
FI122809B (fi) * | 2011-02-15 | 2012-07-13 | Marimils Oy | Valolähde ja valolähdenauha |
US9004724B2 (en) | 2011-03-21 | 2015-04-14 | GE Lighting Solutions, LLC | Reflector (optics) used in LED deco lamp |
DE102011105010A1 (de) * | 2011-06-20 | 2012-12-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
US8558252B2 (en) | 2011-08-26 | 2013-10-15 | Cree, Inc. | White LEDs with emission wavelength correction |
KR101817807B1 (ko) | 2011-09-20 | 2018-01-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 조명시스템 |
US8500300B2 (en) * | 2011-10-03 | 2013-08-06 | National Applied Research Laboratories | Optical lens, light-emitting diode optical component and light-emitting diode road lamp |
US9046241B2 (en) | 2011-11-12 | 2015-06-02 | Jingqun Xi | High efficiency directional light source using lens optics |
US8564004B2 (en) * | 2011-11-29 | 2013-10-22 | Cree, Inc. | Complex primary optics with intermediate elements |
US9450152B2 (en) | 2012-05-29 | 2016-09-20 | Micron Technology, Inc. | Solid state transducer dies having reflective features over contacts and associated systems and methods |
CN103515511B (zh) * | 2012-06-29 | 2016-08-03 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构及其封装方法 |
WO2014007240A1 (ja) * | 2012-07-06 | 2014-01-09 | シャープ株式会社 | 発光装置および発光装置の製造方法 |
KR20140044103A (ko) * | 2012-10-04 | 2014-04-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
JP5904671B2 (ja) * | 2013-03-19 | 2016-04-20 | 京セラコネクタプロダクツ株式会社 | 半導体発光素子を備える照明器具 |
US9041286B2 (en) * | 2013-05-29 | 2015-05-26 | Venntis Technologies LLC | Volumetric light emitting device |
DE102013213073A1 (de) * | 2013-07-04 | 2015-01-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes |
FR3016023A1 (fr) * | 2013-12-26 | 2015-07-03 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif d'eclairage de forme spherique |
WO2015187388A1 (en) | 2014-06-02 | 2015-12-10 | 3M Innovative Properties Company | Led with remote phosphor and shell reflector |
US10622522B2 (en) * | 2014-09-05 | 2020-04-14 | Theodore Lowes | LED packages with chips having insulated surfaces |
DE102016104659A1 (de) * | 2016-03-14 | 2017-09-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches bauteil |
US11592166B2 (en) | 2020-05-12 | 2023-02-28 | Feit Electric Company, Inc. | Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility |
US11876042B2 (en) | 2020-08-03 | 2024-01-16 | Feit Electric Company, Inc. | Omnidirectional flexible light emitting device |
CN114420827A (zh) * | 2021-12-22 | 2022-04-29 | 华南理工大学 | 一种高对比度显示屏led器件及其制造方法 |
WO2023229405A1 (ko) * | 2022-05-25 | 2023-11-30 | 서울반도체 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0230336A1 (de) * | 1986-01-24 | 1987-07-29 | Philips Composants | Optoelektronische Vorrichtung zum oberflächigen Einbau |
DE19638667A1 (de) * | 1996-09-20 | 1998-04-02 | Siemens Ag | Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3593055A (en) * | 1969-04-16 | 1971-07-13 | Bell Telephone Labor Inc | Electro-luminescent device |
JPS48102585A (de) * | 1972-04-04 | 1973-12-22 | ||
JPS5680181A (en) * | 1979-12-05 | 1981-07-01 | Toshiba Corp | Semiconductor luminous device |
DE3128187A1 (de) * | 1981-07-16 | 1983-02-03 | Joachim 8068 Pfaffenhofen Sieg | Opto-elektronisches bauelement |
JPS62196878A (ja) | 1986-02-25 | 1987-08-31 | Koito Mfg Co Ltd | 照明装置 |
US5043716A (en) * | 1988-07-14 | 1991-08-27 | Adaptive Micro Systems, Inc. | Electronic display with lens matrix |
JPH0927642A (ja) * | 1995-07-13 | 1997-01-28 | Clarion Co Ltd | 照明装置 |
JPH0983018A (ja) * | 1995-09-11 | 1997-03-28 | Nippon Denyo Kk | 発光ダイオードユニット |
JP3065258B2 (ja) * | 1996-09-30 | 2000-07-17 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びそれを用いた表示装置 |
JP4024892B2 (ja) | 1996-12-24 | 2007-12-19 | 化成オプトニクス株式会社 | 蓄光性発光素子 |
US6274890B1 (en) * | 1997-01-15 | 2001-08-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device and its manufacturing method |
JP2998696B2 (ja) | 1997-05-17 | 2000-01-11 | 日亜化学工業株式会社 | 発光ダイオード |
JPH1117229A (ja) * | 1997-06-27 | 1999-01-22 | Iwasaki Electric Co Ltd | 反射型発光ダイオード及びその実装方法 |
US5847507A (en) * | 1997-07-14 | 1998-12-08 | Hewlett-Packard Company | Fluorescent dye added to epoxy of light emitting diode lens |
JPH1187778A (ja) * | 1997-09-02 | 1999-03-30 | Toshiba Corp | 半導体発光素子、半導体発光装置およびその製造方法 |
DE19755734A1 (de) | 1997-12-15 | 1999-06-24 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelementes |
US6155699A (en) * | 1999-03-15 | 2000-12-05 | Agilent Technologies, Inc. | Efficient phosphor-conversion led structure |
DE19918370B4 (de) * | 1999-04-22 | 2006-06-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | LED-Weißlichtquelle mit Linse |
JP3948650B2 (ja) * | 2001-10-09 | 2007-07-25 | アバゴ・テクノロジーズ・イーシービーユー・アイピー(シンガポール)プライベート・リミテッド | 発光ダイオード及びその製造方法 |
-
1999
- 1999-04-22 DE DE19918370A patent/DE19918370B4/de not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-04-07 JP JP2000614512A patent/JP5100926B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2000-04-07 CN CN200510009164.1A patent/CN100555681C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2000-04-07 CN CNB2006101011954A patent/CN100452462C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2000-04-07 CN CN00806593.4A patent/CN1196204C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2000-04-07 WO PCT/DE2000/001079 patent/WO2000065664A1/de active Application Filing
- 2000-04-07 CN CNB200610101194XA patent/CN100452461C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2000-04-19 TW TW89107343A patent/TW575966B/zh not_active IP Right Cessation
-
2001
- 2001-10-22 US US10/007,398 patent/US6759803B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-06-05 US US10/454,919 patent/US6746295B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-05-25 US US10/854,098 patent/US7126273B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2006
- 2006-09-13 US US11/520,104 patent/US7594840B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0230336A1 (de) * | 1986-01-24 | 1987-07-29 | Philips Composants | Optoelektronische Vorrichtung zum oberflächigen Einbau |
DE19638667A1 (de) * | 1996-09-20 | 1998-04-02 | Siemens Ag | Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement |
Non-Patent Citations (5)
Title |
---|
DE-Z.: MÖLLMER, F., WAITL, G.: "SIEMENS SMT- TOPLED für die Oberflächenmontage", Siemens Components 29 (1991), Heft 5, S. 193-196 * |
DE-Z.: REISEN, W.: "Lumineszenz-Dioden - die Leuchtmittel von morgen?", Licht 4/98, S. 302-304 * |
Patent Abstracts of Japan & JP 10065221 A, 1998, JPO * |
Patent Abstracts of Japan & JP 10188649 A, 1998, JPO * |
Patents Abstracts of Japan & JP 62196878 A, E-582, 1988, Vol. 12/No. 49 * |
Cited By (43)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001086730A2 (de) * | 2000-05-12 | 2001-11-15 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung |
DE10023353A1 (de) * | 2000-05-12 | 2001-11-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung |
WO2001086730A3 (de) * | 2000-05-12 | 2002-06-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung |
US7455461B2 (en) | 2000-05-12 | 2008-11-25 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component and method for the production thereof |
DE10129785B4 (de) * | 2001-06-20 | 2010-03-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung |
US7256428B2 (en) | 2001-06-20 | 2007-08-14 | Osram Opto Semicondutors Gmbh | Optoelectronic component and method for the production thereof |
DE10142009A1 (de) * | 2001-08-28 | 2003-03-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | LED - Lichtquelle |
DE10142009B4 (de) * | 2001-08-28 | 2010-04-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | LED - Lichtquelle mit einem Konversionsmittel und mit einer UV-absorbierenden Schicht |
DE10159695A1 (de) * | 2001-09-27 | 2003-06-26 | United Epitaxy Co | Einen hohen Lichtstrom emittierende Diode mit einer Licht emittierenden Diode vom Flip-Chip-Typ mit einem transparenten Substrat |
DE10159695B4 (de) * | 2001-09-27 | 2006-03-30 | Epistar Corp. | Einen hohen Lichtstrom emittierende Diode mit einer Licht emittierenden Diode vom Flip-Chip-Typ mit einem transparenten Substrat |
US7948046B2 (en) | 2002-06-28 | 2011-05-24 | Osram Opto Semiconductor Gmbh | Optoelectronic component |
US7795633B2 (en) | 2002-06-28 | 2010-09-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component |
DE10229067B4 (de) * | 2002-06-28 | 2007-08-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
US7429758B2 (en) | 2002-06-28 | 2008-09-30 | Osram Opto Semiconductor Gmbh | Optoelectronic component and method for producing it |
US8314441B2 (en) | 2002-06-28 | 2012-11-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component |
US7514279B2 (en) | 2002-06-28 | 2009-04-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component and method for producing it |
US6900511B2 (en) | 2002-06-28 | 2005-05-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component and method for producing it |
EP1568076A4 (de) * | 2002-12-06 | 2007-06-06 | Cree Inc | Led-kapselung mit zusammengesetztem anschlusskamm und herstellungsverfahren dafür |
EP2270889A3 (de) * | 2002-12-06 | 2011-02-02 | Cree, Inc. | LED-Baugruppe mit Leiterrahmen und zweiteiligem Kühlkörper |
EP1568076A2 (de) * | 2002-12-06 | 2005-08-31 | Cree, Inc. | Led-kapselung mit zusammengesetztem anschlusskamm und herstellungsverfahren dafür |
EP2284914A1 (de) * | 2002-12-06 | 2011-02-16 | Cree, Inc. | LED-Baugruppe mit Leiterrahmen und zweiteiligem Kühlkörper |
US7692206B2 (en) | 2002-12-06 | 2010-04-06 | Cree, Inc. | Composite leadframe LED package and method of making the same |
US8932886B2 (en) | 2004-06-04 | 2015-01-13 | Cree, Inc. | Power light emitting die package with reflecting lens and the method of making the same |
US8227821B2 (en) | 2004-09-22 | 2012-07-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Housing for an optoelectronic component, optoelectronic component and method for the production of an optoelectronic component |
US8558446B2 (en) | 2005-02-18 | 2013-10-15 | Nichia Corporation | Light emitting device provided with lens for controlling light distribution characteristic |
US8836210B2 (en) | 2005-02-18 | 2014-09-16 | Nichia Corporation | Light emitting device provided with lens for controlling light distribution characteristic |
EP1693904A3 (de) * | 2005-02-18 | 2010-05-05 | Nichia Corporation | Llichtemittierende Vorrichtung versehen mit Linse für Lichtstärkeverteilungskontrolle |
US9093619B2 (en) | 2005-02-18 | 2015-07-28 | Nichia Corporation | Light emitting device provided with lens for controlling light distribution characteristic |
US7710016B2 (en) | 2005-02-18 | 2010-05-04 | Nichia Corporation | Light emitting device provided with lens for controlling light distribution characteristic |
EP1693904A2 (de) * | 2005-02-18 | 2006-08-23 | Nichia Corporation | Llichtemittierende Vorrichtung versehen mit Linse für Lichtstärkeverteilungskontrolle |
WO2007009449A1 (de) * | 2005-07-21 | 2007-01-25 | Litec-Lll Gmbh | Lichtemittierende halbleiterdiode hoher lichtleistung |
WO2008064801A1 (de) | 2006-11-27 | 2008-06-05 | Bernd Kussmaul Gmbh | Beleuchtbarer körper und verfahren zu seiner herstellung |
EP2102842B1 (de) * | 2006-11-27 | 2013-02-20 | Bernd Kussmaul Gmbh | Verfahren zur herstellung eines beleuchtbaren körpers |
DE102006056272A1 (de) * | 2006-11-27 | 2008-05-29 | Bernd Kussmaul Gmbh | Beleuchtbarer Körper und Verfahren zu seiner Herstellung |
US8368101B2 (en) | 2007-01-25 | 2013-02-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Arrangement for generating mixed light and method for producing such an arrangement |
WO2008089740A1 (de) * | 2007-01-25 | 2008-07-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Anordnung zur erzeugung von mischlicht und verfahren zur herstellung einer solchen anordnung |
DE102007004807A1 (de) * | 2007-01-31 | 2008-08-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Licht emittierende Einrichtung mit optischem Körper |
DE102007025092A1 (de) | 2007-05-30 | 2008-12-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lumineszenzdiodenchip |
US8405104B2 (en) | 2007-05-30 | 2013-03-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Luminescent diode chip with luminescence conversion element and angular filter element |
WO2008145096A1 (de) | 2007-05-30 | 2008-12-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lumineszenzdiodenchip mit winkelfilterelement |
DE102010016721B4 (de) * | 2009-05-01 | 2020-02-20 | Abl Ip Holding Llc | Elektronische Baueinheit |
DE102009046872B4 (de) | 2009-11-19 | 2018-06-21 | Ifm Electronic Gmbh | Berührungslos arbeitendes elektronisches Schaltgerät mit einer optischen Schaltzustandsanzeige |
WO2019057426A1 (de) * | 2017-09-21 | 2019-03-28 | Heraeus Noblelight Gmbh | Breitbandige halbleiterbasierte uv-lichtquelle für eine spektralanalysevorrichtung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20030211804A1 (en) | 2003-11-13 |
CN1881636A (zh) | 2006-12-20 |
US6746295B2 (en) | 2004-06-08 |
WO2000065664A1 (de) | 2000-11-02 |
US20040232825A1 (en) | 2004-11-25 |
JP2002543594A (ja) | 2002-12-17 |
CN1881635A (zh) | 2006-12-20 |
US20070010157A1 (en) | 2007-01-11 |
US7126273B2 (en) | 2006-10-24 |
US20020057057A1 (en) | 2002-05-16 |
CN100452462C (zh) | 2009-01-14 |
US7594840B2 (en) | 2009-09-29 |
CN1348608A (zh) | 2002-05-08 |
CN100452461C (zh) | 2009-01-14 |
CN1645638A (zh) | 2005-07-27 |
CN100555681C (zh) | 2009-10-28 |
US6759803B2 (en) | 2004-07-06 |
TW575966B (en) | 2004-02-11 |
CN1196204C (zh) | 2005-04-06 |
DE19918370B4 (de) | 2006-06-08 |
JP5100926B2 (ja) | 2012-12-19 |
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Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE19918370A1 (de) | LED-Weißlichtquelle mit Linse | |
DE19549818B4 (de) | Optoelektronisches Halbleiter-Bauelement | |
DE102005046418B4 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterleuchtvorrichtung | |
DE102016119002B4 (de) | Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements | |
DE69838597T2 (de) | Lichtemittierende Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren | |
DE102005014472A1 (de) | Halbleiterlichtemittiervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung | |
DE202008018130U1 (de) | Baugruppe mit einer lichtemittierenden Vorrichtung | |
DE102005061798A1 (de) | Beleuchtungsanordnung | |
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EP2062301A2 (de) | Gehäuse für optoelektronisches bauelement und anordnung eines optoelektronischen bauelementes in einem gehäuse | |
WO2011157515A1 (de) | Optoelektronisches bauteil | |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
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Owner name: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH, 93049 REGENSBURG, |
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R071 | Expiry of right |