DE19925430A1 - Verfahren zum Wachsenlassen von Dünnfilm-Elektrolumineszenz-Strukturen - Google Patents

Verfahren zum Wachsenlassen von Dünnfilm-Elektrolumineszenz-Strukturen

Info

Publication number
DE19925430A1
DE19925430A1 DE19925430A DE19925430A DE19925430A1 DE 19925430 A1 DE19925430 A1 DE 19925430A1 DE 19925430 A DE19925430 A DE 19925430A DE 19925430 A DE19925430 A DE 19925430A DE 19925430 A1 DE19925430 A1 DE 19925430A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
cerium
layer
phosphor layer
srs
precursor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19925430A
Other languages
English (en)
Inventor
Gitte Haerkoenen
Tomi Kervinen
Erkki Soininen
Runar Toernqvist
Kirsi Vasama
Mario Glanz
Herbert Schumann
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Planar Systems Oy
Original Assignee
Planar Systems Oy
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Planar Systems Oy filed Critical Planar Systems Oy
Publication of DE19925430A1 publication Critical patent/DE19925430A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7715—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing cerium
    • C09K11/7716—Chalcogenides
    • C09K11/7718—Chalcogenides with alkaline earth metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/46—Sulfur-, selenium- or tellurium-containing compounds

Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Wachsenlassen einer Cer-dotierten SrS-Leuchtstoffschicht mittels Atomschicht-Epitaxie-Verfahren. Gemäß der Erfindung wird eine metallorganische Cer-Verbindung, die mindestens einen Liganden vom Cyclopentadienyl-Typ enthält, als eine Vorstufe für das Dotierungsmittel Cer verwendet. Die Cer-Verbindungen vom Cyclopentadienyl-Typ können als ALE-Vorstufen bei Substrattemperaturen von etwa 400 DEG C verwendet werden, ohne daß während der Verarbeitung eine thermische Zersetzung beobachtbar ist.

Description

Hintergrund der Erfindung Gebiet der Erfindung
Die Erfindung betrifft licht-emittierende Leuchtstoffilme mit gleichförmiger und heller Emission. Insbesondere betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Herstellen von Cer-dotierten SrS-Leuchtstoffschichten für Dünnfilm-Elektrolumineszenz- Vorrichtungen.
Beschreibung des Standes der Technik
Flache Dünnfilm-Elektrolumineszenz-(TFEL)-Anzeigeetafeln bzw. Displays werden in Anwendungen eingesetzt, bei denen ein wei­ ter Sichtwinkel, ein breiter Temperaturbereich und eine zer­ klüftete Struktur von Bedeutung sind. Sämtliche gelb­ emittierenden monochromen und rot- und grün-emittierenden mehrfarbigen TFEL-Displays, die heutzutage auf dem Markt sind, basieren auf dem licht-emittierenden Leuchtstoff ZnS:Mn.
Große Anstrengungen wurden und werden noch unternommen, um ei­ nen blau-emittierenden TFEL-Leuchtstoff zu entwickeln, der notwendig ist, um ein Vollfarben-TFEL-Display zu realisieren. Der am vielversprechendste Leuchtstoff für diesen Zweck ist SrS:Ce (R. C. Törnqvist, TFEL "Color by White", SID 1997 DIGEST, S. 855), der ein breites Emissionsspektrum aufweist, das von der blauen Spektralregion bis zur roten mit einem Maximum nahe 500 nm reicht.
Die Struktur des Vollfarben-TFEL-Displays enthält die ZnS:Mn- und SrS:Ce-Leuchtstoffe aufeinander geschichtet. Die Primär­ farben werden erhalten, indem in der Vorderseite Farbfilter verwendet werden. Dieses sog. "Color-by-White"-TFEL-Konzept wird sowohl in Direktsicht-Displays (direct view display) als auch in Vollfarben-TFEL-Displays mit aktiver Matrix (active matrix full color TFEL display), die in der Entwicklung sind, verwendet.
SrS:Ce-Dünnfilme sind hergestellt worden durch physikalische Gasphasenabscheidungstechniken wie beispielsweise thermisches Verdampfen (unter Bedingungen der Molekülstrahl-Epitaxie oder der sog. Hot-Wall-Deposition), Elektronenstrahl-Verdampfung und Sputtern, durch chemische Gasphasenabscheidungstechniken wie metallorganische CVD (chemical vapor deposition) und Atom­ schicht-Epitaxie (im folgenden als "ALE", atomic layer epita­ xy, abgekürzt), und durch Mischtechniken wie Epitaxie mittels chemischer Strahlen und reaktive Verdampfung. Beste Ergebnisse im Sinne von Punktluminanz und Punktlichtleistungseffizienz sind mittels Molekülstrahl-Epitaxie (MBE) erreicht worden (K. O. Velthaus, B. Huttl, U. Troppenz, R. Herrman und R. Mauch, New deposition process for very blue and bright SrS:Ce,Cl TFEL- devices, SID 1997 DIGEST, S. 411). In diesen Vorrichtungen wird eine zusätzliche Co-Dotierung durchgeführt mit Chlor, Mangan und Silber, mit dem Ziel, die Stöchiometrie und Kri­ stallinität der SrS-Matrix zu verbessern und auch um eine La­ dungskompensation für die Ce3+-Dotierung (mittels Ag⁺) zu er­ reichen. Ausgangsmaterialien sind Sr, S, CeCl3, Mn und Ag. Die Möglichkeiten, den Produktionsmaßstab dieses Verfahren zu ver­ größern, sind nicht bekannt. Ziemlich gute Ergebnisse sind mit gesputtertem und mit mittels Elektronenverdampfung abgeschie­ denem SrS:Ce erreicht worden. Bei MOCVD sind Sr(thd)2 und Ce(thd)4 (wobei die Abkürzung thd für 2,2,6,6-Tetramethyl-3,5- heptandionat steht) zum Wachsenlassen von SrS:Ce-EL-Filmen verwendet worden (R. Hiskes, S.A. DiCarolis, R. Müller-Mach V. Mazzi, K. Nauka und G. O. Müller, A Novel deposition Method for Thin Film Electroluminescent Devices, Extended Abstracts, 1st Int. Conference on the Science and Technology of Display Phosphors, San Diego, 1995, S. 137), es sind jedoch keine be­ merkenswerten Ergebnisse berichtet worden. Eine verbesserte SrS:Ce-TFEL-Leistung ist postuliert worden, wenn Bis(cyclopentadienyl)-Strontium, Sr(Cp)21 und Ce(thd)4 anstel­ le von Sr(thd)2 und Ce(thd)4 verwendet worden sind, und zwar aufgrund des höheren Dampfdruckes und einer besseren Kontrol­ lierbarkeit von Sr(Cp)2 (US-Patent Nr. 5,496,582, Mizutani K. et al.). Im Stand der Technik sind lediglich qualitative Er­ gebnisse angegeben.
Bislang sind die besten SrS:Ce-Elektrolumineszenz-Dünnfilme mittels dem ALE-Verfahren unter Verwendung von Sr(thd)2, Ce(thd)4 und Schwefelwasserstoff als Vorstufen hergestellt worden (E. Soininen, M. Leppänen, und A. Pakkala, Bright and stable electroluminescent device based on SrS:Ce, 13th Inter­ national Display Research Conference 1993, S. 233). Dieses Verfahren ist zur Herstellung von Mehrfarben-Dünnfilm- Elek­ trolumineszenz-Displays verwendet worden (M. Leppänen, G. Här­ könen, A. Pakkala, E. Soininen und R. Törnqvist, Broadband double layer phosphor for an inverted filtered PGB electrolu­ minescent display, 13th International Display Research Confe­ rence 1993, S. 229, Haaranen et al., 521(x3) × 256 RGB multi­ color TFEL display based on "Color by white", STD 1997 Digest S. 883, und Harju et al., Bright 320(x3) × 240 RGB TFEL dis­ play based on "Color by white", SID 1997 Digest S. 859). Beim Wachsen des Leuchtstofffilms wird die Oberfläche sequentiell Sr(thd)2-Dampf und Schwefelwasserstoff ausgesetzt, wobei zu­ erst der Sr-Reaktant auf der Oberfläche adsorbiert wird und nachfolgend mit H2S reagiert, wobei das Wirtsmaterial, SrS, wächst. Das Dotierungsmittel wird zu der Struktur zugegeben, indem die SrS-Oberfläche sequentiell Ce(thd)4 und Schwefelwas­ serstoff periodisch ausgesetzt wird.
Bei der Herstellung von EL-Anzeigetafeln ist eine gute Gleich­ förmigkeit des abgeschiedenen Dünnfilms wesentlich, und zwar sowohl vom Gesichtspunkt der Herstellungskosten als auch der Leistung bzw. Qualität der Anzeigetafel. Das Hauptproblem bei TFEL-Farbanzeigetafeln, die mittels ALE hergestellt wurden, war das starke Luminanzprofil des SrS:Ce-Filmes, wenn z. B. Ce(thd)4 zum Dotieren mit Cer verwendet wird, insbesondere aufgrund einer reduzierten Luminanz im Gaseinlaßteil des Sub­ strates. Es wird angenommen, daß dies an den Hafteigenschaften und den thermischen Zersetzungseigenschaften der Vorstufe liegt, wenn sie das Substrat erreicht, oder an der Inkorpora­ tion schädlicher Additive, die mittels der Vorstufe zur Ober­ fläche transportiert werden. Dem nicht-idealen Verhalten von SrS:Ce bezüglich der Gleichförmigkeit ist nachgegangen worden, und es wurde gefunden, daß dieses hauptsächlich auf der ver­ wendeten Ce-Vorstufe beruht.
Ein zweites Problem ist, daß typische bislang verwendete Cer-Vorstufen bei der Temperatur und dem Druck, die für eine ge­ eignete Flüchtigkeit benötigt werden, sämtlich einen festen Zustand aufwiesen, was vom Gesichtspunkt des Herstellungsver­ fahrens wenig erwünscht ist. Um eine mögliche Partikel- Kontaminierung zu vermindern und auch um die Arbeitskosten zum minimieren, wären flüssige und gasförmige Quellen bevorzugt.
ALE ist ein wirkungsvolles Abscheidungsverfahren, um das Ver­ hältnis Dotierungsmittel/Wirt in den Filmen bzw. Schichten ge­ nau abzustimmen, da eine Molekülschicht-Genauigkeit erreicht werden kann, indem das Dotierungsmittel in eine gewünschte Po­ sition im Inneren des Wirtsmaterials gebracht werden kann, und zwar in Wachstumsrichtung senkrecht zur Substratoberfläche. Dies ist verwendet worden, um die Kristallinität des Wirtsma­ terials durch planares Dotieren zu verbessern (Härkönen G. et al., Green emitting thin film electroluminescent device grown by Atomic Layer Epitaxy, SID 1990 Digest S. 232). Es ist schwieriger, die Konzentration des Dotierungsmittels in der Dotierungsebene parallel zur Substratoberfläche zu kontrollie­ ren, da in einem solchen Fall die Oberflächenkonzentration von der Adsorption/Desorptions-Kinetik der Vorstufe, dem Anhaften an der Oberfläche, der Reaktivität und der thermischen Stabi­ lität abhängt. Im Falle von Ce ist weniger als die Adsorption einer Monoschicht erwünscht. Falls Wechselwirkung zwischen be­ nachbarten Ce-Ionen stattfindet, verschiebt sich die Farbe in Richtung höherer Wellenlängen. Ce diffundiert bei den verwen­ deten Temperaturen (< 520°C) nicht thermisch in den SrS-Wirt und somit sollte der Überschuß der Vorstufe von der Oberfläche entfernt werden oder es sollte mit einem schwachen Material­ puls begonnen werden. Eine gute Gleichförmigkeit kann mit ei­ ner thd-Vorstufe nicht erreicht werden.
Flüchtige, thermisch stabile, andererseits jedoch ausreichend reaktive Vorstufen für Ce sind nicht im Übermaß vorhanden. Verschiedene β-Diketonate und Amidkomplexe, die getestet wur­ den, haben keine ausreichende Luminanz erzeugt, ganz zu schweigen von einer akzeptablen Luminanzgleichförmigkeit, in den mittels ALE gezüchteten SrS:Ce. Mit anderen Verfahren (R. H. Mauch, K. O. Velthaus, G. Bilger und H. W. Schock, High ef­ ficiency SrS, SrCe:CeCl3 based thin film electroluminescent devices, J. Cryst. Growth 117 (1992) 964-968) ist gezeigt wor­ den,daß durch Herabsetzen des Ce-Gehaltes die Blaukomponente verstärkt werden kann. Es war nicht möglich, dies mit der Ce(thd)4-Vorstufe zu realisieren.
Zusammenfassung der Erfindung
Es ist ein Ziel der vorliegenden Erfindung, die Leistung, ins­ besondere die Luminanz-Gleichförmigkeit von SrS:Ce-Filmen, die mittels Atomschicht-Epitaxie (ALE) gezüchtet bzw. wachsenge­ lassen wurden, zu verbessern, indem Cer-Verbindungen verwendet werden, die bislang nicht verwendet worden sind.
Ein anderes Ziel der Erfindung ist es, ein neues Verfahren zum Herstellen lichtemittierender Leuchtstoffilme bereitzustel­ len.
Ein drittes Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, eine neue Verwendung von Cyclopentadienyl-Verbindungen bereitzustellen.
Diese und andere Ziele werden, zusammen mit deren Vorteilen aus bekannten Verfahren, die aus der folgenden Beschreibung ersichtlich werden, durch die im folgenden beschriebene und beanspruchte Erfindung erreicht.
Die folgende Erfindung basiert auf der Verwendung einer me­ tallorganischen Cer-Verbindung, die mindestens einen Liganden vom Cyclopentadienyl-Typ als eine Vorstufe für Cer enthält, das als ein Dotierungsmittel für SrS-Leuchtstoffschichten ver­ wendet wird, die mittels Atomschicht-Epitaxie-Verfahren wach­ sen gelassen werden. Überraschenderweise wurde gefunden, daß Cyclopentadienyl-Vorstufen für Ce ein Adsorptions-Desorp­ tions-Verhalten zeigen, das für gute ALE-Dotierungsmittel- Vorstufen an der Substratoberfläche erwünscht ist, wobei die Menge an Ce auf der Substratoberfläche kontrolliert werden kann. Durch die Verwendung von Cyclopentadienyl-Verbindungen für Ce können die zuvor genannten Nachteile des Standes der Technik überwunden werden; die Dotierung ist kontrollierter und die Leistung des SrS:Ce-Filmes ist verbessert.
Spezifischer wird die vorliegende Erfindung durch die kenn­ zeichnenden Teile der Ansprüche 1 und 5 gekennzeichnet.
Mit der vorliegenden Erfindung werden beträchtliche Vorteile erreicht. So wurden während des Testens verschiedener Vorstu­ fen und der Analyse der Ergebnisse der Filme realisiert, daß Cer-Verbindungen vom Cyclopentadienyl-Typ als ALE-Vorstufen bei Substrattemperaturen von etwa 400°C ohne beobachtbare thermische Zersetzung während der Verarbeitung verwendet wer­ den können. Dies wurde durch Messen der Kohlenstoff- und Was­ serstoff-Konzentrationen in den gewachsenen SrS:Ce-Filmen mit­ tels Sekundärionen-Massenspektroskopie (SIMS) gemessen, wobei erwiesen wurde, daß die Konzentration dieser Verunreinigungen nicht höher war als in Bezugsbeispielen ohne Cer-Dotierung. Ein weiterer Beweis, der die gute thermische Stabilität unter­ stützt, ist die gleichformige Cer-Konzentration über der Sub­ stratfläche, die man erhält, wenn diese Cerverbindungen ver­ wendet werden (s. Beispiel 3).
Das Luminanzniveau wird erhöht und die Luminanzgleichförmig­ keit wird wesentlich verbessert. Der Farbton kann kontrollier­ bar geändert werden und das Verfahren ist robust.
Es wurde auch gefunden, daß trotz der Tatsache, daß die Cer-Verbindungen von Cyclopentadienyl-Typ sehr empfindlich auf Sauerstoff und Feuchtigkeit reagieren, es möglich ist, sie in ALE-Produktionseinrichtungen zu verwenden. Ein vorteilhaft einfaches und kostengünstiges inertes Ladesystem ist entwic­ kelt worden und an der ALE-Produktionseinrichtung befestigt (s. Fig. 2).
Darüber hinaus liegen einige der Cer-Verbindungen vom Cyclo­ pentadienyl-Typ bei ihren Verdampfungstemperaturen vorteilhaf­ terweise in flüssigem Zustand vor, was potentielle partikelin­ duzierte Verluste bei der Produktausbeute minimiert.
Als nächstes wird die Erfindung mit Hilfe einer ausführlichen Beschreibung und unter Bezugnahme auf eine Reihe von Arbeits­ beispielen näher beschrieben.
Kurze Beschreibung der Zeichnungen
In den beigefügten Zeichnungen ist Fig. 1 eine Querschnittsan­ sicht der Dünnfilm-Elektrolumineszenz-Vorrichtung, die die Schichtstruktur Leuchtstoff/Dielektrikum/Elektrode gemäß einer erfindungsgemäßen Ausführungsform zeigt;
Fig. 2 eine schematische Darstellung, die angibt, wie eine inerte Ladeausführungsform zusammen mit einem ALE-Reaktor ver­ wendet wird, um die Handhabung von luftempfindlichen Vorstufen beim Aufwachsenlassen des in den Beispielen beschriebenen EL-Films zu ermöglichen;
Fig. 3 zeigt den Luminanzlevel und die Luminanzgleichförmig­ keit über das Substrat, wobei Ce(thd)4- und Ce(tmCp)3- Vorstufen auf eine in Beispiel 1 beschriebene Weise verwendet werden;
Fig. 4 zeigt die CIE 1931 Farbkoordinaten und Luminanzen von SrS:Ce-EL-Vorrichtungen zeigt, die wie in Beispielen 2 und 3 beschrieben hergestellt wurden; und
Fig. 5 zeigt die Variation der Ce-Konzentration in den SrS:Ce- Dünnfilmen über das Substratglas vom Einlaßteil ("Quelle" bzw. "Source") zum Auslaßteil ("saugen" bzw. "Suktion")
Ausführliche Beschreibung der Erfindung
Die vorliegende Erfindung beschreibt ein Verfahren zum Wach­ senlassen elektrolumineszenter SrS:Ce-Dünnfilme bzw. -schichten. Die Einzelheiten des neuen Verfahrens werden wie folgt beschrieben:
Das Wachsenlassen des SrS:Ce-Dünnfilmes wird mittels des ALE-Verfahrens durchgeführt, d. h. es wird eine gepulste Zufuhr der ursprünglichen Anion- und Kation-Reaktanten in einer al­ ternierenden Sequenz verwendet, um zu verhindern, daß die Oberfläche des in der Reaktionskammer befindlichen Substrates gleichzeitig beiden ursprünglichen Reaktanten ausgesetzt wird. Der Dünnfilm-Wachstumsprozeß umfaßt Wachstumsstufen von Stron­ tiumsulfid-Schichten, gefolgt von einer Cer-Dotierungsstufe, wobei sämtliche Stufen in alternierenden Sequenzen wiederholt werden, bis die gewünschte Schicht- bzw. Filmdicke erhalten wurde. Details des ALE-Verfahrens sind in den US-Patenten Nr. 4,058,430 und 4,389,973 beschrieben, die hiermit unter Bezug­ nahme aufgenommen werden.
Die Temperatur bei den Züchtungsverfahren ist kontrolliert und hoch genug eingestellt, um zu verhindern, daß die Vorstufe auf der Substratoberfläche kondensiert, ist jedoch gleichzeitig ausreichend niedrig, um eine thermische Zersetzung im wesent­ lichen zu verhindern. Die Substrattemperatur beträgt für SrS:Ce-Züchtungsverfahren typischerweise zwischen 250 und 450°C. Die Oberflächenreaktionen finden bei einem niedrigen Druck im Bereich von 0,1 bis 10 torr statt.
Eine flüchtige Sr-Verbindung wird zusammen mit H2S als eine Sr-Vorstufe verwendet, um SrS zu bilden und eine Ce-Vorstufe vom Cyclopentadienyl-Typ wird verwendet, um den SrS-Wirt zu dotieren. Die Ce-Vorstufe weist im allgemeinen die Formel (I)
CeCpnR3-n (I)
auf, in der R für einen Kohlenwasserstoffrest steht,
n eine ganze Zahl von 1 bis 3 ist und
Cp für einen Rest der Formel (II)
C5R1 xR2 yH5-z (II)
steht, in der
x und y jeweils unabhängig voneinander für eine ganze Zahl von 1 bis 5 stehen,
x+y=z und z≦5 und
R1 und R2 jeweils unabhängig voneinander für eine niedrige Alkylgruppe stehen, zweckmäßigerweise eine C1-C7- Alkylgruppe, vorzugsweise C1-C6-, insbesondere C1-C5, wobei C1-C4- bzw. C1-C3 ganz besonders bevorzugt ist.
Die vorliegende Erfindung umfaßt somit eine Cer-Vorstufe des Cyclopentadienyl-Typs einschließlich MonoCp-, DiCp- und TriCp-Verbindungen von Cer. Vorzugsweise ist die Ce-Vorstufe eine Verbindung ausgewählt aus der Gruppe aus Tricyclopentadienyl- und alkyl-substituierten Tricyclopentadienyl-Derivaten von Cer. Beispiele sind Tetramethyl- und Isopropyl-substituierte Ce-tricyclopentadienyl-Verbindungen.
Die Einleitung luftempfindlicher Vorstufen in die ALE-Produktionseinrichtung (Reaktor) wird inert durchgeführt, in­ dem ein inertes Ladesystem verwendet wird, das aus einer N2-Kabine und einem flexiblen Befestigungsschlauch am Quellenende des ALE-Reaktors, die speziell für diesen Zweck modifiziert worden sind, besteht.
Mit der vorliegenden Erfindung kann eine Dünnfilm- Elektrolumineszenz-Komponente hergestellt werden, die ein Sub­ strat umfaßt, das Glas, ein keramisches Material, z. B. Al2O3 oder Silizium, sein kann, und zwar mit oder ohne einer Diffu­ sionsbarriereschicht, je nach Wahl des Substrates. Der erste und zweite ausgerichtete bzw. abgeglichene Satz von gemuster­ ten Elektroden (patterned) wird aus einem leitenden Material hergestellt, z. B. Indiumzinnoxid, dotiertem Zinkoxid, Al, W oder Mo. Die isolierenden Schichten zwischen den Elektroden und der licht-emittierenden Schicht bestehen aus einem Metal­ loxid oder verschiedenen Metalloxiden oder einer Kompo­ sitstruktur von Metalloxiden, z. B. Aluminiumoxid-Titanoxid- Mehrschicht-Strukturen, AlxTiyOz, Tantaloxid und Strontiumti­ tanoxid. Die SrS:Ce-Schicht wird mittels der zuvor beschriebe­ nen Technik abgeschieden. Andere licht-emittierende Schichten, z. B. ZnS:Mn können unter und/oder über der SrS:Ce-Schicht zu­ gefügt werden, um zusammen eine mehrschichtige licht­ emittierende Leuchtstoffschicht zu bilden, wobei zwischen den Leuchtstoffschichten ggfs. eine Isolatorschicht verwendet wird. Vorzugsweise wird eine zusätzliche Isolatorschicht z. B. der zuvor verwendeten Zusammensetzung zwischen der Cer-dotierten Leuchtstoffschicht und der zusätzlichen Leuchtstoff­ schicht abgeschieden. Die zusätzliche Leuchtstoffschicht kann ausgewählt sein aus der Gruppe bestehend aus SrS:Ce; SrS:X; SrS:Ce,X, wobei X eines oder mehrere zusätzliche Dotierungs­ mittel sind; und ZnS:Mn.
Die erste Leuchtstoffschicht kann ein Co-Dotierungsmittel Z enthalten. Das Co-Dotierungsmittel Z kann ausgewählt sein aus der Gruppe bestehend aus Na, K, F, Cl, Ga und Ag.
Zusammenfassend umfaßt eine bevorzugte Ausführungsform des Verfahrens zum Wachsenlassen einer licht-emittierenden Dünn­ film-Elektrolumineszenz-Komponente mit einer Cer-dotierten Leuchtstoffschicht auf einem Substrat mittels Atomschicht- Epitaxie-Verfahren unter Verwendung flüchtiger Verbindungen als Vorstufen für die Cer-dotierte Leuchtstoffschicht, die folgenden Schritte:
  • - Bereitstellen eines Substrates;
  • - Bilden eines ersten Satzes von Elektroden auf dem Substrat;
  • - Bilden einer ersten Isolatorschicht auf den Elektroden;
  • - Wachsenlassen einer Leuchtstoffschicht auf der ersten Isola­ torschicht;
  • - Dotieren der Leuchtstoffschicht mit Cer unter Verwendung einer metallorganischen Cerverbindung, die mindestens einen Liganden vom Cyclopentadienyl-Typ umfaßt;
  • - Bilden einer zweiten Isolatorschicht auf der Leuchtstoff­ schicht; und
  • - Bilden eines zweiten Satzes von Elektroden auf der zweiten Isolatorschicht.
Die folgenden, nichteinschränkenden Beispiele veranschaulichen die Erfindung:
Beispiel 1 Vergleich zwischen mittels ALE gezüchteten SrS:Ce-TFEL- Vorrichtungen, wobei entweder ein β-Diketonato-Komplex oder eine Cyclopentadienyl-Verbindung als Cer-Vorstufe verwendet wurden
Die SrS:Ce-TFEL-Vorrichtungen wurden gemäß Fig. 1 hergestellt durch Abscheiden einer Al2O3-Ionen-Diffusionsbarriere 2 auf einem Natronkalk-Substrat 1. Ein transparenter ITO-Leiter 3 wird oben auf der Barriereschicht abgeschieden und mittels ei­ nes lithographischen Verfahrens mit einem Muster versehen. Eine dielektrische Kompositschicht 4 aus AlxTiyOz wird mittels ALE auf der ITO-Elektrode wachsen gelassen. Die licht­ emittierende SrS:Ce-Leuchtstoffschicht 5 wird mittels ALE bei 400°C und bei einem Druck von 1,0 torr im Falle A aus Sr(thd)2, Ce(thd)4 und H2S und im Falle B aus Sr(thd)2, Ce(tmCp)3 und H2S oben auf der unteren dielektrischen Schicht wachsen gelassen. Die Wachstumssequenz für die Leuchtstoff­ schicht ist, daß N Zyklen von Sr(thd)2 und H2S sequentiell auf die Substratoberfläche unter Bildung von SrS gepulst werden und danach M Zyklen des Pulses der Ce-Vorstufen gefolgt von einem H2S-Puls auf die Oberfläche geleitet werden. Diese Se­ quenzen werden L mal wiederholt, um die gewünschte Leucht­ stoffilmdicke zu erhalten. Oben auf der Leuchtstoffschicht wird mittels ALE eine dünne Al2O3-Schicht 6 wachsen gelassen, auf der eine ähnliche obere dielektrische Schicht von AlxTiyO2 7 mittels ALE abgeschieden wird. Oben auf diesem Filmstapel wird eine Al-Elektrode 8 abgeschieden und gemustert. Die Elek­ troden werden mit einer Spannungsquelle 9 verbunden.
Wenn das luftempfindliche Ce(tmCp)3 in den ALE-Reaktor geladen wird, wird ein inertes Ladungssystem verwendet, das in Fig. 2 gezeigt ist. Die Cyclopentadienyl-Vorstufe 11 wird zuerst in die mit N2 gefüllte Kabine 12 gegeben und die N2-Kabine wird einem starken N2-Strom (15 SLM) ausgesetzt, um einen leichten Überdruck und ein kontinuierliches Spülen durch die N2-Kabine 12 zu erzeugen. Wenn die Atmosphäre im Inneren der Glove-Box einen genügend niedrigen Sauerstoff/Wasserdampf-Gehalt auf­ weist, wird die luftempfindliche Vorstufe in das Quellenrohr 13 geladen, das üblicherweise für den ALE-Reaktor 10 verwendet wird. Den Druck im Inneren des ALE-Reaktors läßt man durch Stickstoffzufuhr leicht über den Atmosphärendruck ansteigen und lediglich einen kleinen Flansch 14 vor dem Pumprohr 15, das mit der Pumpe 20 verbunden ist, läßt man durch den N2-Druck, der sich im Inneren des Reaktors aufbaut, sich zur Luft hin öffnen. Dies bildet einen Luftabschluß für den Reaktor. Vom ALE-Quellenrohr, das die gewünschte Vorstufe enthält, kann von der N2-Kabine 12 der ALE-Reaktor-Quellenofen 16 beladen werden, indem die Quellenendschleuse 17 in die N2-Kabine ge­ öffnet wird und indem das Quellenrohr in den Reaktor durch ei­ nen flexiblen Schlauch 18 und ein Anschlußstück 19 installiert wird, das die N2-Kabine mit dem ALE-Reaktor 10 verbindet.
Im Falle A, wenn die Ce(thd)4-Vorstufe verwendet wird, sind die optimalen Verfahrensparameter N=80, M=1 und L=185. Im Fal­ le B, wenn Ce(tmCp)3 für Ce verwendet wird, sind die Parameter für N=40, M=1 und L=371. Dies ist um zu gewährleisten, daß der gesamte Ce-Gehalt für die beiden Fälle gleich bleibt, nämlich bei etwa 0,25 at.-%, was mittels eines kalibrierten Röntgen­ strahl-Fluoreszenzspektrometers (XRF) bestimmt wurde.
Fig. 3 zeigt die Luminanzergebnisse beider Wachstumstypen A und B und die Entwicklung der Luminanzwerte über das Substrat in Richtung des Gasflusses, wobei "Quelle" sich auf den Ein­ laßteil bezieht, wo die Vorstufen zuerst auf die Gläser auf­ treffen und "Suktion bzw. Absaugen" den Auslaßteil, wo die Vorstufen zuletzt auf die Gläser auftreffen. In der Messungs­ anordnung werden die Komponenten bei einer gepulsten Spannung bei 60 Hz angetrieben und die Luminanz L50 wird bestimmt als die Luminanz bei 50 V oberhalb einer Schwellenspannung, bei der die Luminanz von 5 cd/m2 erreicht ist.
Im Fall B, bei dem eine Vorstufe vom Cyclopentadienyl-Typ ver­ wendet wird, beträgt die Luminanzungleichförmigkeit, die defi­ niert wird als LNU=((Lmax-Lmin)/Lmax).100%, wobei Lmax und Lmin die maximale und minimale Luminanz über das verwendete 195 mm × 265 mm Substrat bedeuten, 16%, wogegen sie im Falle A, bei dem eine β-Diketonato-Vorstufe verwendet wurde, die Lu­ minanzungleichförmigkeit 59% beträgt. Die durchschnittliche Luminanzhöhe im Falle B beträgt 120 cd/m2, wogegen sie im Fal­ le A lediglich 75 cd/m2 beträgt, und zwar aufgrund einer star­ ken Abnahme der Luminanz insbesondere an dem "Quellen"-Teil des Substrates.
Dieses Beispiel beweist, daß die Verwendung einer Vorstufe vom Cyclopentadienyl-Typ für Ce, z. B. Ce(tmCp)3 eine bessere Lu­ minanzleistung erreicht wird, als wenn eine Vorstufe vom β-Diketonato-Typ, z. B. Ce(thd)4 verwendet wird. Die Luminanzhö­ he wird erhöht und die Luminanzgleichförmigkeit wird verbes­ sert.
Beispiel 2 Verschiebung der SrS:Ce-Emissionsfarbe gegen Blau durch Kon­ trollieren des Dotierungsverhältnisses der Ce(Cp)3-Vorstufe
Es wurden SrS:Ce-EL-Vorrichtungen unter ähnlichen Bedingungen, auf ähnliche Weise und in ähnlichen Dicken und Zusammensetzun­ gen hergestellt wie die in Beispiel 1 beschriebenen, mit der Ausnahme, daß als die Ce-Vorstufe Ce(Cp)3 verwendet wurde. In diesem Beispiel ist M=1, N=20, 40 oder 80 und L=742, 371 bzw. 186. Die Dotierungskonzentrationen sind daher Ce:Sr=1:20, 1 : 40 und 1 : 80.
Die Ce-Konzentrationen in den gewachsenen SrS:Ce-Filmen betru­ gen 0,4, 0,2 und 0,1 at.-%, was mittels kalibrierten Röntgen­ strahl-Fluoreszenzmessungen bestimmt wurde. Die Luminanz L50, die auf ähnliche Weise wie in Beispiel 1 beschrieben gemessen wurde, betrug in allen diesen drei Vorrichtungen in etwa 90 cd/m2.
Fig. 4 zeigt die CIE 1931 Farbkoordinaten und Luminanzen von SrS:Ce-EL-Vorrichtungen. Die Dreiecke stellen die Farbkoordi­ naten dar und das Nebenbild in der unteren rechten Ecke die Luminanz L40 mit drei verschiedenen Ce:Sr-Dotierungsverhält­ nissen. Die Quadrate stellen die Farbkoordinaten dar und das Nebenbild in der oberen linken Ecke die Luminanz L40 mit fünf verschiedenen Ce-Pulsdauern unter Verwendung eines Dotierungs­ verhältnisses von Ce:Sr von 1 : 40.
Wie aus Fig. 4 hervorgeht, waren die CIE 1931 Farbkoordinaten (0,33, 0,54), (0,30, 0,53) und (0,28, 0,51) in den Vorrichtun­ gen mit Ce:Sr = 1 : 20, 1 : 40 bzw. 1:80. Somit wurde eine Blauver­ schiebung, die etwa 12 nm der dominanten Wellenlänge der Emis­ sion entspricht, ohne Luminanzverlust erreicht.
Es ist möglich, das Ce:Sr-Pulsverhältnis zu verwenden, um den Emissionsfarbton auch in SrS:Ce-Vorrichtungen zu kontrollie­ ren, die mit Ce(thd)4 hergestellt wurden. Eine ähnliche Blau­ verschiebung ist jedoch mit einem Luminanzverlust von mehr als 50% verbunden.
Dieses Beispiel beweist, daß durch die Verwendung des SrS:Ce-Abscheidungsverfahrens gemäß einer erfindungsgemäßen Ausfüh­ rungsform man die Farbe der EL-Emission nach Blau verschieben kann, und zwar ohne einen Verlust der Gesamtluminanz, d. h. man kann die Blauluminanz erhöhen. Durch Verwendung des be­ kannten SrS:Ce-Abscheidungsverfahrens auf der Basis von Ce(thd)4 kann eine derartige Blauluminanzerhöhung durch einfa­ ches Verändern des Ce:Sr-Pulsverhältnisses nicht erreicht wer­ den.
Beispiel 3 Verschiebung der SrS:Ce-Emissionsfarbe nach Blau durch Kon­ trollieren der Dosislänge der Ce(Cp)3-Vorstufe
Es wurden SrS:Ce-EL-Vorrichtungen unter ähnlichen Bedingungen, auf ähnliche Weise und in ähnlichen Dicken und Zusammensetzun­ gen hergestellt wie die in Beispiel 1 beschriebenen, mit der Ausnahme, daß der letzte wachsen gelassene Isolator lediglich ein 100 nm dickes Al2O3 und die Dotierungsmittel-Vorstufe Ce(Cp)3 war. Ce(Cp)3 und H2S wurden in den Reaktor gepulst, wobei eine Sequenz verwendet wurde, in der N=40, M=1 und L=186. In diesem Satz von Experimenten wurde die Ce(Cp)3-Pulszeit variiert von 0,05 bis 0,5 s. Es wird angenommen, daß dies der Grund ist für einen Differenzfaktor von 2 bis 3 in der gesamten Ce(Cp)3-Dosierung.
Die Ce-Konzentrationen in den gewachsenen SrS:Ce-Filmen wurden von drei Positionen auf den Substratgläsern aus gemessen, d. h. in einer "Source"-Position (Einlaßteil, wo die Vorstufen zuerst auf die Gläser auftreffen), in einer "Mitte- bzw. Cen­ ter"-Position und in einer "Suktion"-Position (Auslaßteil, wo die Vorstufen zuletzt auf die Gläser auftreffen). Die Ergeb­ nisse sind in Fig. 5 angegeben. In Fig. 5 sind die Ergebnisse von fünf Durchgängen mit verschiedenen Ce-Pulsdauern und einem festen Ce:Sr-Dotierungsverhältnis von 1 : 40 angegeben, wie in Beispiel 3 beschrieben ist. Die Luminanz L50, auf ähnliche Weise gemessen wie in Beispiel 1 beschrieben ist, betrug etwa 100 cd/m2 in sämtlichen dieser drei Vorrichtungen (siehe Fig. 4).
Die CIE 1931 Farbkoordinaten sind ebenfalls in Fig. 4 darge­ stellt. Eine Blauverschiebung, die etwa 4 nm in der dominanten Wellenlänge der Emission entspricht, wird ohne Luminanzverlust erreicht. Es ist möglich, die Ce-Vorstufendosierung zu verwen­ den, um den Emissionsfarbton auch in SrS:Ce-Vorrichtungen zu verändern, die mit Ce(thd)4 hergestellt wurden, jedoch nicht in einer kontrollierbaren Weise. Eine ähnliche Blauverschie­ bung ist jedoch mit einem Luminanzverlust von mehr als 50% und einer starken Ungleichförmigkeit der Ce-Konzentration und Lu­ minanz über die Substratfläche verbunden.
Die Beispiele 2 und 3 zeigen, daß durch die Verwendung des SrS: Ce-Abscheidungsverfahrens gemäß einer erfindungsgemäßen Ausführungsform es zwei Wege gibt, die Farbe der EL-Emission ohne Luminanzverlust nach Blau zu verschieben, d. h. durch Er­ höhen der Sr-Vorstufe und H2S-Pulszahl zwischen jedem Ce-Dosierungsereignis und durch Herabsetzen der Länge des Ce-Vorstufen-Pulses. Beispiel 3 beweist darüber hinaus, daß es die Erfindung ermöglicht, daß man recht gleichförmige Ce-Verteilungen in den Dotierungsebenen von SrS:Ce über große Substratflächen bei unterschiedlichen Ce-Konzentrationen er- Abscheidungsverfahrens auf der Basis von Ce(thd)4 ist nicht demonstriert worden, wie man Ce bei niedrigen Ce-Konzentrationen gleichförmig in Dotierungsebenen abscheiden kann.
Beispiel 4 Verwendung von Co-Dotierung zusammen mit Vorstufen des Cyclo­ pentadienyl-Typs
Das Ziel der Natrium-Co-Dotierung ist es, das Ladungsmißver­ hältnis zwischen Ce3+ und Sr2+ in dem SrS-Wirt zu kompensieren.
Es wurden SrS:Ce,X-EL-Vorrichtungen auf ähnliche Weise und un­ ter ähnlichen Bedingungen wie denen, die in Beispiel 1 be­ schrieben sind, hergestellt. Der licht-emittierende SrS:Ce-Leuchtstoff wurde mit X co-dotiert, das in diesem Beispiel ein Natriumion ist. Die Wachstumssequenz für die Leuchtstoff­ schicht war, daß N Zyklen von Sr(thd)2 und H2S sequentiell auf die Substratoberfläche gepulst wurden, um SrS herzustellen und danach M Zyklen des Ce(Cp)3-Pulses, gefolgt von einem H2S-Puls auf die Oberfläche geleitet wurden. Der Leuchtstoff-Dünnfilm wurde fortgesetzt mit L Zyklen SrS und auf diesen wurden K Schichten Na(thd) und H2S sequentiell gepulst. Diese Sequenzen wurden P mal wiederholt, um die gewünschte Leuchtstoff- Filmdicke zu erhalten.

Claims (17)

1. Verfahren zum Wachsenlassen einer Cer-dotierten SrS-Leuchtstoffschicht mittels Atomschicht-Epitaxie-Verfahren, umfassend die Verwendung einer metallorganischen Cer-Verbindung, die mindestens einen Liganden vom Cyclopenta­ dienyl-Typ als eine Vorstufe für das Dotierungsmittel Cer enthält.
2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Ce-Vorstufe die Formel (I)
CeCpnR3-n (I)
aufweist, in der R für einen Kohlenwasserstoffrest steht,
n eine ganze Zahl von 1 bis 3 ist, und
Cp für einen Rest der Formel (II)
C5R1 xR2 yH5-z (II)
steht, in der
x und y jeweils unabhängig voneinander für eine ganze Zahl von 1 bis 5 stehen,
x+y=z und z≦5, und
R1 und R2 jeweils unabhängig voneinander für eine niedrige Alkylgruppe stehen.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Ce-Vorstufe eine Verbindung, ausgewählt aus der Gruppe aus Tricyclo­ pentadienyl- und alkyl-substituierten Tricyclopentadienyl- Derivaten von Cer, umfaßt.
4. Verfahren nach Anspruch 3, wobei die Ce-Vorstufe ausge­ wählt ist aus Tetramethyl- und Isopropyl-substituierten Ce-tricyclopentadienyl-Verbindungen.
5. Verfahren zum Wachsenlassen einer licht-emittierenden Dünnfilm-Elektrolumineszenz-Komponente mit einer Cer-dotierten Leuchtstoffschicht auf einem Substrat mittels Atomschicht-Epitaxie-Verfahren, wobei flüchtige Verbindun­ gen als Vorstufen für die Cer-dotierte Leuchtstoffschicht verwendet werden, umfassend
  • - Bereitstellen eines Substrates;
  • - Bilden eines ersten Satzes von Elektroden auf dem Sub­ strat;
  • - Bilden einer ersten Isolatorschicht auf den Elektroden;
  • - Wachsenlassen einer Leuchtstoffschicht auf der ersten Isolatorschicht;
  • - Dotieren der Leuchtstoffschicht mit Cer unter Verwendung einer metallorganischen Cerverbindung, die mindestens einen Liganden vom Cyclopentadienyl-Typ umfaßt;
  • - Bilden einer zweiten Isolatorschicht auf der Leucht­ stoffschicht; und
  • - Bilden eines zweiten Satzes von Elektroden auf der zwei­ ten Isolatorschicht.
6. Verfahren nach Anspruch 5, wobei das Substrat ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Glas, keramischen Mate­ rialien und Silizium.
7. Verfahren nach Anspruch 5 oder 6, wobei die Elektroden ausgewählt sind aus der Gruppe bestehend aus Indium­ zinnoxid, dotiertem Zinkoxid, Al, W, Mo und Legierungen davon und Kompositmaterialien.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 7, wobei die Iso­ latorschichten ausgewählt sind aus der Gruppe bestehend aus Aluminiumoxid-Titanoxid-Mehrschichtstrukturen, Tanta­ loxid und Strontium-Titan-Oxid.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 8, wobei die Leuchtstoffschicht eine SrS:Ce-Schicht umfaßt.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 9, wobei die Elektrolumineszenz-Komponente mindestens eine zusätzliche Leuchtstoffschicht aufweist.
11. Verfahren nach Anspruch 10, wobei die zusätzliche Leucht­ stoffschicht unter oder über der Cer-dotierten Leucht­ stoffschicht abgelagert ist.
12. Verfahren nach Anspruch 10, wobei die zusätzlichen Leucht­ stoffschichten als eine oder mehrere Mehrschichtstrukturen mit der Cer-dotierten Leuchtstoffschicht ausgebildet sind.
13. Verfahren nach Anspruch 10 oder 11, wobei eine zusätzliche Isolatorschicht zwischen der Cer-dotierten Leuchtstoff­ schicht und der zusätzlichen Leuchtstoffschicht abgeschie­ den wird.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 13, wobei die zusätzliche Leuchtstoffschicht ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus SrS:Ce; SrS:X; SrS:Ce,X; wobei X ei­ nes oder mehrere Dotierungsmittel ist; und ZnS:Mn.
15. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 14, wobei die er­ ste Leuchtstoffschicht ein Co-Dotierungsmittel Z enthält.
16. Verfahren nach einem der Ansprüche 14 oder 15, wobei das Co-Dotierungsmittel Z ausgewählt ist aus der Gruppe beste­ hend aus Na, K, F, Cl, Ga und Ag.
17. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 16, wobei die ALE-Reaktion in einem Reaktorraum durchgeführt wird, der mit einem Source-Ofen für die Zufuhr flüchtiger Vorstufen der Leuchtstoffschicht zu dem Reaktorraum verbunden ist, darüber hinaus umfassend die Zufuhr der flüchtigen Vorstu­ fe von Cer aus einem inerten Ladesystem, das eine N2-Kabine umfaßt, die mit dem ALE-Reaktor-Source-Ofen mittels eines flexiblen Schlauches und eines Verbindungsstückes verbunden ist.
DE19925430A 1998-06-03 1999-06-02 Verfahren zum Wachsenlassen von Dünnfilm-Elektrolumineszenz-Strukturen Withdrawn DE19925430A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI981262A FI105313B (fi) 1998-06-03 1998-06-03 Menetelmä ohutkalvo-elektroluminesenssirakenteiden kasvattamiseksi

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE19925430A1 true DE19925430A1 (de) 1999-12-09

Family

ID=8551895

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19925430A Withdrawn DE19925430A1 (de) 1998-06-03 1999-06-02 Verfahren zum Wachsenlassen von Dünnfilm-Elektrolumineszenz-Strukturen

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6248605B1 (de)
JP (1) JP4213295B2 (de)
DE (1) DE19925430A1 (de)
FI (1) FI105313B (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6828218B2 (en) 2001-05-31 2004-12-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of forming a thin film using atomic layer deposition

Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FI117979B (fi) * 2000-04-14 2007-05-15 Asm Int Menetelmä oksidiohutkalvojen valmistamiseksi
US6620723B1 (en) 2000-06-27 2003-09-16 Applied Materials, Inc. Formation of boride barrier layers using chemisorption techniques
US7405158B2 (en) 2000-06-28 2008-07-29 Applied Materials, Inc. Methods for depositing tungsten layers employing atomic layer deposition techniques
US7964505B2 (en) 2005-01-19 2011-06-21 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition of tungsten materials
US6551929B1 (en) 2000-06-28 2003-04-22 Applied Materials, Inc. Bifurcated deposition process for depositing refractory metal layers employing atomic layer deposition and chemical vapor deposition techniques
US7732327B2 (en) 2000-06-28 2010-06-08 Applied Materials, Inc. Vapor deposition of tungsten materials
US6765178B2 (en) 2000-12-29 2004-07-20 Applied Materials, Inc. Chamber for uniform substrate heating
US6825447B2 (en) * 2000-12-29 2004-11-30 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for uniform substrate heating and contaminate collection
US20020083897A1 (en) * 2000-12-29 2002-07-04 Applied Materials, Inc. Full glass substrate deposition in plasma enhanced chemical vapor deposition
US20020127336A1 (en) * 2001-01-16 2002-09-12 Applied Materials, Inc. Method for growing thin films by catalytic enhancement
US6811814B2 (en) 2001-01-16 2004-11-02 Applied Materials, Inc. Method for growing thin films by catalytic enhancement
US6951804B2 (en) 2001-02-02 2005-10-04 Applied Materials, Inc. Formation of a tantalum-nitride layer
US6660126B2 (en) 2001-03-02 2003-12-09 Applied Materials, Inc. Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques
US6878206B2 (en) 2001-07-16 2005-04-12 Applied Materials, Inc. Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques
US6734020B2 (en) 2001-03-07 2004-05-11 Applied Materials, Inc. Valve control system for atomic layer deposition chamber
KR100522765B1 (ko) * 2001-07-03 2005-10-19 주식회사 컴텍스 반도체소자용 기판의 제조방법
US7211144B2 (en) 2001-07-13 2007-05-01 Applied Materials, Inc. Pulsed nucleation deposition of tungsten layers
US7780785B2 (en) 2001-10-26 2010-08-24 Applied Materials, Inc. Gas delivery apparatus for atomic layer deposition
US6916398B2 (en) 2001-10-26 2005-07-12 Applied Materials, Inc. Gas delivery apparatus and method for atomic layer deposition
US6729824B2 (en) 2001-12-14 2004-05-04 Applied Materials, Inc. Dual robot processing system
US6620670B2 (en) 2002-01-18 2003-09-16 Applied Materials, Inc. Process conditions and precursors for atomic layer deposition (ALD) of AL2O3
US6998014B2 (en) * 2002-01-26 2006-02-14 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for plasma assisted deposition
US6911391B2 (en) 2002-01-26 2005-06-28 Applied Materials, Inc. Integration of titanium and titanium nitride layers
US6827978B2 (en) 2002-02-11 2004-12-07 Applied Materials, Inc. Deposition of tungsten films
US6833161B2 (en) 2002-02-26 2004-12-21 Applied Materials, Inc. Cyclical deposition of tungsten nitride for metal oxide gate electrode
US6720027B2 (en) 2002-04-08 2004-04-13 Applied Materials, Inc. Cyclical deposition of a variable content titanium silicon nitride layer
US20030194825A1 (en) * 2002-04-10 2003-10-16 Kam Law Deposition of gate metallization for active matrix liquid crystal display (AMLCD) applications
US6869838B2 (en) * 2002-04-09 2005-03-22 Applied Materials, Inc. Deposition of passivation layers for active matrix liquid crystal display (AMLCD) applications
US7279432B2 (en) 2002-04-16 2007-10-09 Applied Materials, Inc. System and method for forming an integrated barrier layer
US6821563B2 (en) 2002-10-02 2004-11-23 Applied Materials, Inc. Gas distribution system for cyclical layer deposition
US6863825B2 (en) 2003-01-29 2005-03-08 Union Oil Company Of California Process for removing arsenic from aqueous streams
US7294360B2 (en) * 2003-03-31 2007-11-13 Planar Systems, Inc. Conformal coatings for micro-optical elements, and method for making the same
US7582161B2 (en) * 2006-04-07 2009-09-01 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposited titanium-doped indium oxide films
US8066874B2 (en) 2006-12-28 2011-11-29 Molycorp Minerals, Llc Apparatus for treating a flow of an aqueous solution containing arsenic
US8349764B2 (en) 2007-10-31 2013-01-08 Molycorp Minerals, Llc Composition for treating a fluid
US8252087B2 (en) 2007-10-31 2012-08-28 Molycorp Minerals, Llc Process and apparatus for treating a gas containing a contaminant
US8383525B2 (en) 2008-04-25 2013-02-26 Asm America, Inc. Plasma-enhanced deposition process for forming a metal oxide thin film and related structures
TWI467045B (zh) * 2008-05-23 2015-01-01 Sigma Aldrich Co 高介電常數電介質薄膜與使用鈰基前驅物製造高介電常數電介質薄膜之方法
WO2009143452A1 (en) * 2008-05-23 2009-11-26 Sigma-Aldrich Co. High-k dielectric films and methods of producing using cerium-based precursors
US9233863B2 (en) 2011-04-13 2016-01-12 Molycorp Minerals, Llc Rare earth removal of hydrated and hydroxyl species
US9478419B2 (en) 2013-12-18 2016-10-25 Asm Ip Holding B.V. Sulfur-containing thin films
US9245742B2 (en) 2013-12-18 2016-01-26 Asm Ip Holding B.V. Sulfur-containing thin films
US9975787B2 (en) 2014-03-07 2018-05-22 Secure Natural Resources Llc Removal of arsenic from aqueous streams with cerium (IV) oxide compositions
US10490475B2 (en) 2015-06-03 2019-11-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for semiconductor passivation by nitridation after oxide removal
US9711350B2 (en) 2015-06-03 2017-07-18 Asm Ip Holding B.V. Methods for semiconductor passivation by nitridation
US9741815B2 (en) 2015-06-16 2017-08-22 Asm Ip Holding B.V. Metal selenide and metal telluride thin films for semiconductor device applications
US9711396B2 (en) * 2015-06-16 2017-07-18 Asm Ip Holding B.V. Method for forming metal chalcogenide thin films on a semiconductor device

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH086086B2 (ja) * 1985-09-30 1996-01-24 株式会社リコー 白色エレクトロルミネツセンス素子
EP0267377B1 (de) * 1986-09-16 1993-02-03 Hitachi, Ltd. Elektrolumineszensanzeige und Verfahren zur Herstellung
JPH05315075A (ja) * 1992-05-07 1993-11-26 Fuji Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス発光膜の成膜方法
JP3618110B2 (ja) 1993-08-30 2005-02-09 株式会社デンソー エレクトロルミネッセンス素子の製法
US6004618A (en) * 1994-04-26 1999-12-21 Nippondenso., Ltd. Method and apparatus for fabricating electroluminescent device
US5677594A (en) * 1995-08-01 1997-10-14 Sun; Sey-Shing TFEL phosphor having metal overlayer

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6828218B2 (en) 2001-05-31 2004-12-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of forming a thin film using atomic layer deposition
DE10132882B4 (de) * 2001-05-31 2005-04-14 Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon Verfahren zum Ausbilden einer Dünnschicht unter Verwendung einer Atomschichtabscheidung

Also Published As

Publication number Publication date
JP2000087029A (ja) 2000-03-28
JP4213295B2 (ja) 2009-01-21
FI981262A0 (fi) 1998-06-03
FI105313B (fi) 2000-07-14
US6248605B1 (en) 2001-06-19
FI981262A (fi) 1999-12-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19925430A1 (de) Verfahren zum Wachsenlassen von Dünnfilm-Elektrolumineszenz-Strukturen
DE19738843B4 (de) Verfahren zum Aufbauen einer ZnS: Mn-Leuchtstoffschicht zur Verwendung in Dünnfilm-Elektrolumineszenz-Komponenten
DE60027426T2 (de) Elektrolumineszenter verbundstoff mit phosphormusterstruktur und dickfilmdielektrikum mit verbesserten dielektrischen eigenschaften
DE69633148T2 (de) Plasmaanzeigetafel geeignet für Anzeige hoher Qualität und Herstellungsverfahren
DE4123230B4 (de) Phosphorschicht einer elektrolumineszierenden Komponente
FI121962B (fi) Menetelmä runsaasti luminoivan loisteaineen valmistamiseksi
DE60114867T2 (de) Magnesium barium thioaluminate und zugeordnete phosphormaterialien
DE3916983C2 (de)
DE602004009645T2 (de) Leuchtstoff und Plasma-Anzeigevorrichtung
DE2845782C2 (de)
DE2625243A1 (de) Chemisches dampfabscheideverfahren fuer zinkborsilikatglaeser
DE60225909T2 (de) Kathodenzerstäubung von thioaluminat leuchtstofffilmen unter verwendung eines einzeltargets
DE4315244A1 (de) Verfahren zum Herstellen eines elektrolumineszenzemittierenden Films
DE4008126C2 (de) Verfahren zum Herstellen eines Dünnschicht-Elektrolumineszenzbauelements
DE19939658A1 (de) Elektrolumineszente Dünnfilmvorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
JP2004522826A (ja) 多元成膜法
DE19750615A1 (de) Elektrolumineszente Leuchtstoff-Dünnschichten mit mehreren Koaktivator-Dotiersubstanzen
DE3630983C2 (de)
DE19501229A1 (de) Dünnschicht-Lichtemissions-Element
DE60124627T2 (de) Phosphor-Mehrschicht und elektrolumineszente Vorrichtung
DE602005002733T2 (de) Verfahren zur abscheidung von aluminiumoxidbeschichtungen
DE4332209A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Dünnschicht-Elektrolumineszenz-Vorrichtung
EP1187167B1 (de) Farbbildschirm mit blauer Leuchtstoffschicht
US6004618A (en) Method and apparatus for fabricating electroluminescent device
DE112004000641T5 (de) Neuer blauer Phosphor und Verfahren zur Herstellung desselben

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
8130 Withdrawal