DE19934153A1 - Isolierender Film für Dünnfilmstrukturen - Google Patents
Isolierender Film für DünnfilmstrukturenInfo
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Abstract
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen Isolierfilm einer Dünnfilmstruktur, der auf einem im wesentlichen alkalimetallfreien Glassubstrat niedergeschlagen ist, der alternierende Strukturen aus Aluminiumoxid und Titanoxid aufweist, und auf eine elektrolumineszente Dünnfilmvorrichtung, bei der der Isolierfilm als eine Isolationsschicht zwischen der Phosphorschicht und den Elektrodenschichten eingeschlossen ist. In dem Isolierfilm beträgt das Verhältnis zwischen den kumulativen Dicken des Titanoxids und des Aluminiumoxids weniger als 0,75, und, aufgrund des Verhältnisses niedriger als beim Stand der Technik, wird eine gute Widerstandsfähigkeit gegen ein Reißen des Films erhalten.
Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf Dünnfilmstrukturen. Insbesondere bezieht sich
die Erfindung auf Isolierfilme, die Aluminiumoxid und Titanoxid aufweisen, zur Verwen
dung als dielektrische Schichten in elektrolumineszenten Dünnfilmkomponenten.
Dünnfilm-Elektrolumineszenz-(TFEL)-Komponenten werden als Alternativen zu Kathoden
strahlröhren, Plasmaanzeigen, Flüssigkristallvorrichtungen und Licht emittierenden Dioden
(LEDs) zum Anzeigen von Informationen oder Daten, zum Beispiel Worte oder Nummern,
verwendet. Sie werden insbesondere bei Anwendungen verwendet, bei denen ein großer
Betrachtungswinkel, ein großer Temperaturbereich und eine unempfindliche Struktur
wichtig sind.
EL-Anzeigevorrichtungen weisen allgemein ein Substrat, wie beispielsweise eine
Glasplatte, eine erste Elektrodenschicht, die auf dem Substrat vorgesehen ist, und eine
zweite Elektrodenschicht, die von der ersten Elektrodenschicht beabstandet ist, eine
Phosphorschicht, die zwischen den Elektroden angepaßt befestigt ist, und mindestens
eine dielektrische Schicht, die auf jeder Seite der Phosphorschicht zwischen der Phos
phorschicht und den Elektroden vorgesehen ist, auf.
Aluminiumoxid (Al2O3) ist umfangreich in der Dünnfilmindustrie als ein Isolationsmaterial
verwendet worden. Verschiedene, anspruchsvollere dielektrische Materialien sind auch
eingesetzt und vorgeschlagen worden, einschließlich Strontium-Titan- und Barium-Tantal-
Binär-Oxide und Siliziumoxidnitrid (SiON). Ein besonders vorteilhaftes Material ist in dem
US-Patent Nr. 4,486,487 offenbart, das einen isolierenden Film für eine Dünnfilmstruktur
beschreibt, die alternierende Schichten aus Aluminiumoxid und Titanoxid aufweist. Für
dieses Material wird die Abkürzung "ATO" nachfolgend verwendet werden. Der Film nach
dem Stand der Technik besteht aus 10 bis 200 Schichten aus Aluminiumoxid und Ti
tanoxid, wobei jede Schicht eine Dicke von 3 bis 1000 Å besitzt. Gemäß einer bevorzugten
Ausführungsform wird der ATO-Film durch Atomschichtepitaxie (Atomic Layer Epitaxy-
ALE) aufgebaut, die Gebrauch von dem Vorteil der Einfachheit eines Kontrollierens der
Dicke des Films, der durch diese Technik aufgebaut werden soll, macht. Das ATO-
Dielektrikum des US-Patents Nr. 4,486,487 besitzt ausgezeichnete Eigenschaften, ein
schließlich einer dreimal besseren Durchschlagsfestigkeit als Al2O3.
Herkömmlich ist Natriumsilikatglas (oder abgekürzt "Kalknatron-" oder "Soda-"Glas) als ein
Substrat für Dünnfilm-EL-Komponenten verwendet worden, die aus ALE hergestellt sind.
Dabei ist allerdings eine Anzahl von Nachteilen vorhanden, die diesem Material zuordnet
sind. Demzufolge liegen, für viele Gasphasendampfniederschlagsverfahren, insbesondere
für ALE, die Verarbeitungstemperaturen, die von bis zu 500 bis 600°C eingesetzt werden,
sehr nahe zu den maximalen Temperaturgrenzen oder liegen darüber, bei denen So
daglas bzw. Natronglas verwendet werden kann. Die dimensionsmäßige Stabilität von So
daglas bei angehobenen Temperaturen ist insgesamt nicht zufriedenstellend und die
Schrumpfung des Materials bei hohen Temperaturen muß während der Verarbeitung der
Dünnfilmstrukturen berücksichtigt werden. In einigen Fällen ist Kalknatronglas nicht mit
anderen Prozessen kompatibel. Schließlich, und was wichtig ist, ist herausgefunden wor
den, daß eine gewisse Migration von Alkalimetall-, insbesondere von Natrium- und Kali
um-, Ionen von dem Glassubstrat zu benachbarten Schichten immer stattfindet. Diese Mi
gration von Alkalimetallionen gibt Anlaß zu einer Zerstörung beziehungsweise Beschädi
gung der Dünnfilmstruktur. Um die Migration zu verhindern, werden Dünnfilmschichten mit
einer Ionendiffusionsbarriereschicht, die aus Metalloxid oder -nitrid hergestellt ist, vorge
sehen.
Viele der Probleme, die Sodaglas als ein Substrat von mittels ALE angewachsenen Dünn
filmen zugeordnet sind, können unter Verwendung von im wesentlichen alkalimetallfreien
Glasmaterialien, wie beispielsweise Borosilikatgläsern, vermieden werden. Solche Mate
rialien enthalten weniger als 1% Alkalimetalle und die Migration von Alkalimetallionen ist
für die meisten Anwendungen vernachlässigbar. Allerdings haben unsere Tests gezeigt,
daß dann, wenn eine herkömmliche ATO-Schicht, die ein Al:Ti-Verhältnis von nahezu 1
hat (basierend auf den kumulativen Dicken der Al2O3- und der TiO2-Schichten), als eine
Isolation in den Dünnfilmstrukturen, getragen auf alkalimetallfreien Glassubstraten, ver
wendet wird, ein Reißen unmittelbar nach der Dünnfilmverarbeitung oder nach einer dar
auffolgenden Verarbeitung beobachtet wird. Dies wird als überraschend angesehen, da
die Schichtdicken für Sodaglassubstrate als nicht von irgendeiner besonderen Relevanz
angesehen worden sind. Demzufolge schlägt das US-Patent Nr. 4,486,487 vor, daß die
Schichtdicken keinen Effekt auf die mechanischen Festigkeitseigenschaften haben sollten.
Ein Riß wird allgemein durch innere oder äußere Beanspruchungen bzw. Spannungen in
dem Film verursacht. Wenn die mechanische Festigkeit des Films niedriger als die Kraft,
die durch diese Beanspruchungen eingebracht wird, ist, treten ein Reißen oder andere
Typen eines mechanischen Fehlers auf. In vielen Fällen zeigen Dünnfilme, die mit Vaku
umniederschlagstechniken hergestellt sind, eine innere Spannung, entweder eine Zug-
oder eine Druckspannung. Diese sind gewöhnlich charakteristisch für das Niederschlags
verfahren, das verwendet ist, und einige Techniken geben sogar Anlaß zu einer Zug- oder
Druckspannung in den Filmen in Abhängigkeit von den Prozeßparametern, die verwendet
sind. Auch besitzt der Typ eines Substrats einen Effekt auf die Filmbeanspruchung bezie
hungsweise -spannung.
Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, die Probleme des Stands der Technik zu
beseitigen und einen Isolierfilm für eine Dünnfilmstruktur, der alternierende Schichten aus
Aluminiumoxid und Titanoxid aufweist, zu schaffen.
Es ist eine andere Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Dünnfilm-
Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung zu schaffen, die ein Substrat aufweist, das aus
einem im wesentlichen alkalimetallfreien Glas besteht.
Diese und andere Aufgaben, zusammen mit den Vorteilen davon gegenüber bekannten,
kombinierten Isolatorfilmen, wie sie aus der Beschreibung, die folgt, ersichtlich werden,
sind der Erfindung zuzuschreiben, wie sie nachfolgend beschrieben und beansprucht ist.
Gemäß der vorliegenden Erfindung ist der isolierende Film eine Dünnfilmstruktur, nieder
geschlagen auf einem im wesentlichen alkalimetallfreien Glassubstrat, durch alternierende
Schichten aus Aluminiumoxid und Titanoxid gebildet, während das Verhältnis zwischen
den kumulativen Dicken der Titanoxid- und der Aluminiumoxid-Schichten auf weniger als
0,75 beschränkt ist.
Dieser Film kann in die Dünnfilm-Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtungen als eine Isola
tionsschicht zwischen der Phosphorschicht und den Elektrodenschichten eingesetzt wer
den.
Genauer gesagt sind die vorliegenden, isolierenden Filme hauptsächlich durch den kenn
zeichnenden Teil des Anspruchs 1 gekennzeichnet.
Die Dünnfilm-Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtungen gemäß der vorliegenden Erfin
dung sind durch den kennzeichnenden Teil des Anspruchs 7 gekennzeichnet.
Beachtliche Vorteile werden durch die vorliegende Erfindung erzielt. Demzufolge wird eine
gute Widerstandsfähigkeit gegen ein Reißen des ATO-Films erhalten. Trotz der erniedrig
ten Titanoxidkonzentrationen zeigt der Film noch eine gute Durchschlagsfestigkeit. Die
neuartige Isolationsschichtstruktur kann für einen weiten Bereich von im wesentlichen al
kalimetallfreien Glassubstraten, einschließlich Borsilikat- und Aluminosilikatglas, verwen
det werden. Sie ist auch mit vielen anderen Prozessen kompatibel.
Als nächstes wird die Erfindung unter Zuhilfenahme der nachfolgenden, detaillierten Be
schreibung und unter Bezugnahme auf zwei Arbeitsbeispiele beschrieben.
Die vorliegende Erfindung basiert auf der Vorsehung einer isolierenden Al2O3/TiO2-
Struktur, die alternierende, dünne Aluminiumoxid- und Titanoxid-Schichten, die Schicht für
Schicht angewachsen sind, aufweist. Gemäß einer besonders bevorzugten Ausführungs
form ist der isolierende Film aus den entsprechenden flüchtigen Präkursoren durch das
Atomschichtepitaxieverfahren angewachsen, das bedeutet unter der Verwendung einer
gepulsten Zuführung von Anionen- und Kationen-Initial-Reaktanten in einer alternierenden
Sequenz, um so zu verhindern, daß die Oberfläche des Substrats, die in der Reaktions
kammer angeordnet ist, im wesentlichen beiden Initial- bzw. Anfangsreaktanten ausge
setzt ist. Der Dünnfilmwachstumsvorgang weist einen Schritt auf, bei dem eine Aluminiu
moxid-Schicht angewachsen wird, gefolgt durch einen Schritt eines Anwachsens von Ti
tanoxid, wobei beide Schritte in einer alternierenden Sequenz wiederholt werden, bis die
erwünschte Filmdicke erhalten ist.
Irgendwelche flüchtigen Präkursoren aus Aluminiumoxid und Titanoxid können verwendet
werden, einschließlich anorganischen und organischen Aluminium- und Titanverbindun
gen. Besonders nützliche Verbindungen werden durch Aluminium- und Titanhalogenide,
wie beispielsweise Aluminium- und Titanchloride, repräsentiert.
Die Aluminiumchlorid- und Titanchloridschichten werden in die entsprechenden Alumini
um- und Titanoxide jeweils unter Verwendung von Wasserdampf umgewandelt.
Details des ALE-Verfahrens sind in den US-Patenten Nr.'n 4,058,430 und 4,389,973 be
schrieben, die hier unter Bezugnahme darauf eingeschlossen werden.
Während des Wachstumsvorgangs wird die Temperatur kontrolliert und hoch genug ein
gestellt, um zu verhindern, daß der Präkursor auf der Substratoberfläche kondensiert, al
lerdings gleichzeitig ausreichend niedrig ist, um im wesentlichen eine thermische Zerset
zung zu vermeiden. Die Substrattemperatur beträgt typischerweise ungefähr 400 bis
500°C. Die Oberflächenreaktionen finden bei einer niedrigen Temperatur in dem Bereich
von 0,1 bis 10 Torr statt.
Wie vorstehend erwähnt ist, besitzt, gemäß der vorliegenden Erfindung, der isolierende
Film, der alternierende Schichten aus Aluminiumoxid und Titanoxid aufweist, ein Verhält
nis zwischen den kumulativen Dicken der Titanoxid- und der Aluminiumoxid-Schichten von
weniger als 0,75. Nachfolgend wird dieses Verhältnis auch als das "Ti:Al-Verhältnis" be
zeichnet.
Besonders bevorzugte Ti:Al-Verhältnisse sind 0,2 zu 0,7 oder 0,25 zu 0,6. Das vorgese
hene Verhältnis kann durch Reduzieren der Anzahl von Titanoxid-Wachstumszyklen in
Bezug auf die Aluminiumoxid-Wachstumszyklen erhalten werden. Wie in Beispiel 1 nach
folgend erläutert ist, wird, da die Wachstumsrate von Aluminium- und Titanoxiden aus
Aluminium- und Titanchlorid immer gleich ist, das pulsierende Verhältnis (Zyklusverhältnis)
auch das Dickenverhältnis der Schicht ergeben.
Zusätzlich, oder als eine Alternative, zu der Reduktion der Anzahl der Titanwachstumszy
klen in der Kompositschicht, die alternierende Schichten aus Aluminiumoxid und Titanoxid
enthält, ist es auch möglich, das Ti:Al-Verhältnis durch Anwachsen einer Pufferschicht zu
beeinflussen, die weniger Titan auf jeder Seite oder auf beiden Seiten der Kompositschicht
enthält. Typischerweise weist eine solche Schicht Aluminiumoxid auf und sie kann aus
Aluminiumchlorid und Wasserdampf in einer ähnlichen Weise wie die Aluminiumoxid-
Schichten der Kompositschicht angewachsen werden. Die Dicken der Pufferschichten be
tragen von 1 bis 50%, vorzugsweise von 10 bis 40%, der kumulativen Dicke der Alumini
umoxid-Schichten der zweiten Kompositschicht. Die kumulative Dicke der Aluminiumoxid-
Schichten beträgt 50 bis 400 nm und die kumulative Dicke der Titanoxid-Schichten beträgt
35 bis 300 nm.
Durch die Erfindung ist es möglich, eine neuartige elektrolumineszente Dünnfilm-
Anzeigevorrichtung zu schaffen, die aufweist
- - ein Substrat, das aus einem im wesentlichen alkalimetallfreien Substrat besteht;
- - eine erste Elektrodenschicht, die auf dem Substrat gebildet ist;
- - eine zweite Elektrodenschicht, die von der ersten Elektrodenschicht beabstandet ist;
- - mindestens eine Phosphorschicht, die zwischen den Elektroden angebracht ist; und
- - mindestens eine dielektrische Schicht, die auf jeder Seite jeder Phosphorschicht zwischen der Phosphorschicht und den Elektroden vorgesehen ist.
Wie aus der vorstehenden Beschreibung ersichtlich ist, ist mindestens eine der di
elektrischen Schichten durch alternierende Schichten aus Aluminiumoxid und Titanoxid
gebildet, wobei das Verhältnis zwischen den kumulativen Dicken der Titanoxid- und der
Aluminiumoxid-Schichten geringer als 0,75, vorzugsweise 0,2 bis 0,6, ist.
Die isolierenden Schichten können unterschiedliche Dicken auf jeder Seite des Phosphors
haben. Insbesondere ist es möglich, eine Struktur herzustellen, bei der die untere, dielek
trische Schicht die minimale Dicke besitzt, die erforderlich ist, eine integrale Schicht zu
erzielen, die die notwendige, mechanische Festigkeit besitzt, wogegen die Durchschlags
festigkeit hauptsächlich durch die obere Schicht erzielt wird.
Weiterhin kann sich das Ti:Al-Verhältnis in den Schichten auf gegenüberliegenden Seiten
der Phosphorschicht unterscheiden. Demzufolge besitzt, gemäß einer besonders bevor
zugten Ausführungsform, die dielektrische Schicht auf der gegenüberliegenden Seite einer
Phosphorschicht in Bezug auf das Glassubstrat ein kleineres Ti:Al-Verhältnis als die die
lektrische Schicht auf derselben Seite der Phosphorschicht wie das Glassubstrat. Um ein
Beispiel zu erwähnen, kann das Ti:Al-Verhältnis der Oberseiten-ATO-Schicht geringer als
0,7 oder 0,65 und dasjenige der Boden-ATO 0,7 bis 0,85 sein, vorausgesetzt, daß das
Ti:Al-Verhältnis der zwei Schichten zusammen geringer als 0,75 ist.
Das Substrat, das in der vorliegenden Erfindung verwendet ist, kann irgendein geeignetes
Glassubstrat aufweisen, das im wesentlichen frei von Alkalimetallen ist. Für den Zweck der
vorliegenden Erfindung bedeutet dies, daß das Glas weniger als 1% Alkalimetalloxide ent
hält (typischerweise Na2O oder K2O). Die Schrumpfung des Materials als eine Funktion
der Temperatur ist auch klein, insbesondere liegt das Verhältnis des Kontraktionskoeffizi
enten zu dem thermischen Expansionskoeffizienten nahe zu 1, zum Beispiel bei ungefähr
1 bis 1,5.
Typische Beispiele eines geeigneten Glassubstrats umfassen Materialien, die zur Ver
wendung als elektronische Substrate vorgesehen sind. Sie sind zum Beispiel charakteri
siert als Borsilikat- oder Aluminosilikatgläser.
Die isolierende Schicht kann mit verschiedenen lumineszenten Schichten kombiniert wer
den, wie zum Beispiel geeignet dotiertes oder undotiertes ZnS und/oder SrS-Phosphor.
Die nachfolgenden, nicht einschränkenden Beispiele erläutern die Erfindung:
Ein normaler Isolator/ZnS/Isolator-Film-Stapel wurde auf einem Kalknatron- und einem
Typ eines alkalimetallfreien Glases, das zur Verwendung als elektronisches Glassubstrat
vorgesehen ist, nämlich Corning Typ 7059, angewachsen. Filme wurden bei 500°C unter
Verwendung des ALE (Atomschichtepitaxie-Atomic Layer Epitaxy) Verfahren aufgebaut.
Die Temperatur, die verwendet wurde, ist typisch für mit Mn dotierte ZnS-Filme, und ist
demzufolge eine bevorzugte Auswahl für Verarbeitungszwecke. Diese Temperatur liegt
allerdings nahe zu der oberen Gebrauchstemperatur von Kalknatronglas (soda lime glass).
Die obere Gebrauchstemperatur des Typs 7059 von Corning ist einige zehn Grad höher.
Niedrigere Temperaturen werden Probleme beim Mn-Dotieren von ZnS verursachen,
wenn MnCl2 als Präkursor verwendet wird, da bei Temperaturen unterhalb von 500°C der
Dampfdruck von MnCl2 unpraktisch niedrig wird.
Vier unterschiedliche Strukturen wurden unter Verwendung einer unterschiedlichen, ku
mulativen Dicke von TiO2 und Al2O3 hergestellt. In jeder anderen Hinsicht wurden die Ver
arbeitungsbedingungen unverändert beibehalten. In einem Durchlauf wurde auch ein so
genanntes vorgeschrumpftes 7059 Glas verwendet. Dieses Substrat mußte einer Wärme
behandlung vor einer Verarbeitung unterworfen werden, um einen Hauptteil der
Schrumpfung bereits vor der Verarbeitung zu erreichen. Nach dem Abschluß dieses
Durchlaufs wurden die Platten unter dem Mikroskop inspiziert, um zu bestimmen, ob ir
gendwelche Risse in dem Dünnfilm(schicht)stapel vorhanden waren.
Die nachfolgenden, subjektiven Kriterien für ein Reißen wurden für eine Bewertung des
Umfangs eines Reißens verwendet:
gut: keine Risse beobachtet
schlecht: so viele Risse, daß die Isolationsschicht unbrauchbar gestaltet ist
akzeptierbar: einige Risse wurden beobachtet, allerdings war das Reißen nicht so ernsthaft, daß das Problem nicht mittels einer präzisen Prozeßkon trolle vermieden werden könnte.
gut: keine Risse beobachtet
schlecht: so viele Risse, daß die Isolationsschicht unbrauchbar gestaltet ist
akzeptierbar: einige Risse wurden beobachtet, allerdings war das Reißen nicht so ernsthaft, daß das Problem nicht mittels einer präzisen Prozeßkon trolle vermieden werden könnte.
ATO's wurden durch zuerst Anwachsen einer reinen Al2O3-Schicht auf dem Substrat und
dann Anwachsen alternierender Schichten aus Al2O3 und TiO2 auf der Aluminiumoxid-
Schicht hergestellt. Die ATO wurde immer mit einer reinen Al2O3-Schicht endbearbeitet.
Die Bezeichnung 100A+25(100A/100T)+400A bedeutet, daß erst 100 Zyklen mit Al2O3
verarbeitet wurden, wonach 25-mal alternierende Schichten aus 100 Zyklen von Al2O3 und
100 Zyklen von TiO2 angewachsen wurden. Diese ATO wurde mit 400 Zyklen reinen Al2O3
abgeschlossen. Da die Wachstumsrate von Al2O3 und TiO2 bei 500°C, unter Verwendung
von AlCl3, TiCl4 und H2O als Präkursoren, nahe zu 0,05 nm/Zyklen liegt, ergab das pulsie
rende Verhältnis auch das Dickenverhältnis dieser Filme.
Die nachfolgende Tabelle faßt ATO's zusammen, die für ein erstes Anwachsen und ein
letztes Anwachsen und eine subjektive Rißbestimmung in 7059 Glas verwendet sind.
Aus den vorstehenden Daten ist deutlich ersichtlich, daß ein Reduzieren der relativen
Menge von TiO2 eine Rißtendenz reduziert. Auch ist es wichtig anzumerken, daß keiner
der Filme, der aus Kalknatronglas hergestellt war, irgendeinen sichtbaren Riß besaß. Auch
hatten 7059 Platten, die einer Vorschrumpfung unterworfen wurden, mit einem Ti/Al-
Verhältnis von 0,741, ein schlechtes Rißbild anstelle von einem akzeptierbaren Rißbil
dung. In anderen Durchläufen wurde kein vorgeschrumpftes Glas verwendet. Dies zeigt
allerdings, daß ein Schrumpfen eine gewisse Rolle bei dem Rißverhalten hat.
In einer anderen Einstellung eines Experiments wurden ATO's und ZnS unter ähnlichen
Bedingungen wie in Beispiel 1 angewachsen. Anstelle einer Änderung der Menge alternie
render Zyklen von TiO2 und Al2O3, wurden die individuellen TiO2-Schichtdicken variiert.
Auch wurde die gesamte Dicke von Al2O3 konstant gehalten. Eine quantitativere Messung
von Rissen wurde in diesem Experiment verwendet. Anstelle nur einer Beobachtung von
Rissen, nachdem ein Durchlauf abgeschlossen war, wurde eine darauffolgende Wärme
behandlung bei allen Proben vorgenommen. Proben wurden für 5 Minuten Temperaturen
höher als 500°C ausgesetzt und die niedrigste Temperatur, bei der irgendein Riß beob
achtet werden konnte, wurde als die Rißtemperatur dieser Struktur bezeichnet. Dies ergibt
eine Messung der Toleranz gegen ein Reißen eines gegebenen Films, sogar dann, wenn
keine Risse unter normalen Bedingungen beobachtet werden können, wobei unter Ver
wendung dieses Verfahrens auch diese Strukturen klassifiziert werden können.
Diese Experimente wurden bei einem unterschiedlichen Typ kommerzieller Elektroniksub
strate, nämlich NEG Typ OA-2, vorgenommen.
Die nachfolgende Tabelle faßt eine Riß-Temperatur, die beobachtet ist, und ein Dicken
verhältnis von TiO2 und Al2O3 zusammen:
Aus diesen Ergebnissen ist leicht feststellbar, daß auch in dem Fall einer Verringerung
eines Ti/Al-Verhältnisses Strukturen erhalten werden, die gegen ein Reißen resistenter
sind.
Claims (10)
1. Isolierfilm einer Dünnfilmstruktur, der auf einem im wesentlichen alkalimetallfreien
Glassubstrat niedergeschlagen ist, der alternierende Schichten aus Aluminiumoxid
und Titanoxid aufweist, wobei das Verhältnis zwischen den kumulativen Dicken der
Titanoxid- und der Aluminiumoxid-Schichten geringer als 0,75 ist.
2. Isolierfilm nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Verhältnis zwischen
den kumulativen Dicken der Titanoxid- und der Aluminiumoxid-Schichten 0,2 bis 0,6
beträgt.
3. Isolierfilm nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Iso
lierfilm eine erste Pufferschicht, eine Kompositschicht, die alternierende Schichten
aus Aluminiumoxid und Titanoxid aufweist, und eine zweite Pufferschicht, die auf
der Oberseite der Kompositschicht vorgesehen ist, aufweist, wobei die Puffer
schichten ein wesentlich niedrigeres Ti:Al-Verhältnis als die Kompositschicht besit
zen.
4. Isolierfilm nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens eine der
Pufferschichten Aluminiumoxid aufweist.
5. Isolierfilm nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicken der
ersten und der zweiten Pufferschichten jeweils 1 bis 50%, vorzugsweise 10 bis
40%, der kumulativen Dicke der Aluminiumoxid-Schichten der zweiten Komposit
schicht betragen.
6. Isolierfilm nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß die kumulative Dicke der Aluminiumoxid-Schichten 50 bis 400 nm beträgt und
die kumulative Dicke der Titanoxid-Schichten 35 bis 300 nm beträgt.
7. Elektrolumineszente Dünnfilm-Anzeigevorrichtung, die aufweist
- 1. ein Substrat, das aus einem im wesentlichen alkalimetallfreien Substrat be steht;
- 2. eine erste Elektrodenschicht, die auf dem Substrat vorgesehen ist;
- 3. eine zweite Elektrodenschicht, die von der ersten Elektrodenschicht beab standet ist;
- 4. mindestens eine Phosphorschicht, die zwischen den Elektroden angebracht ist; und
- 5. mindestens eine dielektrische Schicht, die auf jeder Seite jeder Phosphor schicht zwischen der Phosphorschicht und den Elektroden vorgesehen ist,
8. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die dielektri
schen Schichten auf beiden Seiten einer Phosphorschicht alternierende Schichten
aus Aluminiumoxid und Titanoxid aufweisen, wobei das Verhältnis zwischen den
kumulativen Dicken der Titanoxid- und der Aluminiumoxid-Schichten 0,2 bis 0,6 be
trägt.
9. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die dielektri
sche Schicht auf der gegenüberliegenden Seite einer Phosphorschicht in Bezug auf
das Glassubstrat ein kleineres Verhältnis zwischen den kumulativen Dicken der Ti
tanoxid- und der Aluminiumoxid-Schichten als die dielektrische Schicht auf dersel
ben Seite der Phosphorschicht wie das Glassubstrat besitzt.
10. Anzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 7 bis 9, dadurch gekennzeichnet,
daß das Substrat ein Borsilikat- oder ein Aluminosilikatglas aufweist, das weniger
als 1% freie Alkalimetallionen enthält.
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