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Patentes

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Número de publicaciónDE2014840 A1
Tipo de publicaciónSolicitud
Número de solicitudDE19702014840
Fecha de publicación1 Oct 1970
Fecha de presentación26 Mar 1970
Fecha de prioridad28 Mar 1969
Número de publicación19702014840, 702014840, DE 2014840 A1, DE 2014840A1, DE-A1-2014840, DE19702014840, DE2014840 A1, DE2014840A1, DE702014840
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Enlaces externos: DPMA, Espacenet

DE 2014840 A1
Resumen  disponible en
Descripción  disponible en
Reclamaciones  disponible en
Citada por
Patente citante Fecha de presentación Fecha de publicación Solicitante Título
DE3141000A1 *15 Oct 19813 Jun 1982Mitsubishi Electric CorpSemiconductor device
US4064289 *21 Ago 197520 Dic 1977Hitachi, Ltd.Method of making a semiconductor device
Clasificaciones
Clasificación internacionalH01L23/29, H01L21/56, H01L21/312, H01L23/31
Clasificación cooperativaH01L2924/0002, H01L23/293, H01L2924/12044, H01L21/312, H01L21/56, H01L23/3157
Clasificación europeaH01L23/31P, H01L23/29P, H01L21/56, H01L21/312