DE202004005228U1 - Radiation-emitting and / or radiation-receiving semiconductor component - Google Patents

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Abstract

Strahlungsemittierendes und/oder strahlungsempfangendes Halbleiterbauelement mit einem strahlungsemittierenden und/oder strahlungsempfangenden Halbleiterchip, einem Kunststoff-Formteil, das für eine vom Halbleiterbauelement zu emittierende und/oder zu empfangende elektromagnetische Strahlung durchlässig ist und mit dem der Halbleiterchip zumindest teilweise umformt ist, und mit externen elektrischen Anschlüssen, die mit elektrischen Kontaktflächen des Halbleiterchips elektrisch verbunden sind, dadurch gekennzeichnet, dass das Kunststoff-Formteil aus einer reaktionshärtenden Silikon-Formmasse besteht.The radiation and / or radiation-receiving semiconductor component with a radiation-emitting and / or radiation-receiving semiconductor chip, a plastic molding, that for a to be emitted from the semiconductor device and / or to be received electromagnetic radiation is transparent and with which the semiconductor chip is at least partially reshaped, and with external electrical connections with electrical contact surfaces of the semiconductor chip are electrically connected, characterized that the plastic molding of a reaction-hardening Silicone molding compound exists.

Figure 00000001
Figure 00000001

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein strahlungsemittierendes und/oder strahlungsempfangendes Halbleiterbauelement mit einem strahlungsemittierenden und/oder strahlungsempfangenden Halbleiterchip, einem Kunststoff-Formteil, das für eine vom Halbleiterbauelement zu emittierende und/oder zu empfangende elektromagnetische Strahlung durchlässig ist und mit dem der Halbleiterchip zumindest teilweise umformt ist, und mit externen elektrischen Anschlüssen, die mit elektrischen Kontaktflächen des Halbleiterchips elektrisch verbunden sind.The The invention relates to a radiation-emitting and / or radiation-receiving semiconductor component with a radiation-emitting and / or radiation-receiving semiconductor chip, a plastic molding, that for a to be emitted from the semiconductor device and / or to be received electromagnetic radiation is transparent and with which the semiconductor chip is at least partially reshaped, and with external electrical connections, the with electrical contact surfaces of the semiconductor chip are electrically connected.

Derartige Halbleiterbauelemente sind beispielsweise aus der WO 01/50540 bekannt. Bei dem dort beschriebenen Bauelement ist ein Halbleiterchip auf einem Leadframe montiert. Der Halbleiterchip und Teilbereiche des Leadframes sind mit einem spritzgepressten Kunststoff-Formkörper umhüllt. Externe elektrische Anschlüsse des Leadframes ragen aus dem Kunststoff-Formkörper heraus. Der Kunststoff-Formkörper ist beispielsweise aus einem Epoxidharz gefertigt und kann anorganischen oder organischen Konversionsstoff sowie Füllstoffe enthalten.such Semiconductor components are known, for example, from WO 01/50540. In the device described there, a semiconductor chip is on mounted on a leadframe. The semiconductor chip and parts of the Leadframes are encased in an injection-molded plastic molding. external electrical connections of the leadframe protrude from the plastic molding. The plastic molding is for example, made of an epoxy resin and may be inorganic or organic conversion substance and fillers.

Eine andere Art von optoelektronischen Bauelementen ist beispielsweise in der WO 99/07023 beschrieben. Bei diesen ist ein Leadframe, auf dem sich der Halbleiterchip befindet, mit einem Gehäusegrundkörper umformt, der eine reflektorartige Ausnehmung aufweist. In der Ausnehmung ist der Halbleiterchip angeordnet. Die Ausnehmung wird nach der Montage des Halbleiterchips mit einer strahlungsdurchlässigen, oftmals transpa renten Vergussmasse zumindest so weit gefüllt, dass der Halbleiterchip und ggf. ein Bonddraht vom Chip zum Leadframe mit dieser umhüllt sind. Eine bekannte Vergussmasse für solche Bauformen ist beispielsweise transparentes Epoxidgießharz. Ähnliche Bauformen sind beispielsweise aus der WO 98/12757 bekannt.A another type of optoelectronic components is, for example described in WO 99/07023. These are a leadframe, on the semiconductor chip is located, formed with a housing base body, having a reflector-like recess. In the recess the semiconductor chip is arranged. The recess is after the Mounting the semiconductor chip with a radiation-transmissive, often transparent potting compound filled at least so far that the semiconductor chip and possibly a bonding wire from the chip to the leadframe wrapped with this are. A known potting compound for such types is, for example transparent epoxy casting resin. Similar Designs are known for example from WO 98/12757.

In der US 6,274,924 B1 ist eine oberflächenmontierbare LED-Gehäusebauform beschrieben, bei der ein starrer Kunststoffkörper, in dem der Halbleiterchip angeordnet und mit externen elektrischen Anschlüssen eines Leiterrahmens elektrisch verbunden ist, mit einem weichen strahlungsdruchlässigen Verkapselungsmaterial, beispielsweise mit Silikon, gefüllt ist. Auf den Kunststoffkörper ist eine Linsenkappe aufgesetzt. Diese Linsenkappe verleiht dem Verkapselungsmaterial einerseits eine definierte Form und verhindert andererseits dessen Herausfließen aus dem Gehäusegrundkörper. Aufgrund der vergleichsweise großen Zahl von Gehäusekomponenten erfordert diese LED-Gehäusebauform einen vergleichsweise großen Fertigungsaufwand.In the US 6,274,924 B1 a surface mountable LED package design is described in which a rigid plastic body, in which the semiconductor chip is arranged and electrically connected to external electrical terminals of a lead frame, is filled with a soft radiation-permeable encapsulation material, for example with silicone. On the plastic body a lens cap is placed. This lens cap gives the encapsulation on the one hand a defined shape and on the other hand prevents its flow out of the housing body. Due to the comparatively large number of housing components, this LED housing design requires a comparatively large manufacturing effort.

Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zu Grunde, ein Halbleiterbauelement der eingangs genannten Art derart weiterzubilden, dass es einerseits technisch einfach herstellbar und andererseits insbesondere bei Einsatz von blaues Licht oder UV-Strahlung emittierenden Halbleiterchips hinreichend alterungsstabil ist.Of the The present invention is based on the object, a semiconductor device of the type mentioned in such a way that it on the one hand technically easy to produce and on the other hand in particular Use of blue light or UV radiation emitting semiconductor chips is sufficiently resistant to aging.

Diese Aufgabe wird durch ein Halbleiterbauelement mit den Merkmalen des Schutzanspruches 1 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen des Halbleiterbauelements sind in den Ansprüchen 2 bis 8 angegeben.These The object is achieved by a semiconductor device having the features of Protection claim 1 solved. Advantageous developments of the semiconductor device are in the claims 2 to 8 indicated.

Ein strahlungsemittierendes und/oder strahlungsempfangendes Halbleiterbauelement gemäß der Erfindung umfaßt folgende Bestandteile:

  • – einen strahlungsemittierenden und/oder strahlungsempfangenden Halbleiterchip,
  • – ein insbesondere spritzgegossenes oder spritzgepresstes Kunststoff-Formteil, das für eine vom Halbleiterbauelement zu emittierende und/oder zu empfangende elektromagnetische Strahlung durchlässig ist, mit dem der Halbleiterchip zumindest teilweise umformt ist und das aus einer reaktionshärtenden Silikon-Formmasse besteht, und
  • – externe elektrische Anschlüsse, die mit elektrischen Kontaktflächen des Halbleiterchips elektrisch verbunden sind.
A radiation-emitting and / or radiation-receiving semiconductor component according to the invention comprises the following constituents:
  • A radiation-emitting and / or radiation-receiving semiconductor chip,
  • - A particular injection molded or injection-molded plastic molded part, which is permeable to a semiconductor device to be emitted and / or received electromagnetic radiation, with which the semiconductor chip is at least partially reshaped and which consists of a reaction-curing silicone molding compound, and
  • - External electrical connections, which are electrically connected to electrical contact surfaces of the semiconductor chip.

Unter den Begriff Silikon-Formmasse fallen vorliegend nicht nur Formmassen, die ausschließlich aus Silikon bestehen, sondern auch solche mittels eines Mold-Prozesses zu Kunststoff-Formteilen verarbeitbare Formmassen, die zu einem solchen Anteil aus Silikon bestehen, dass die Alterungsstabilität der Formmasse gegenüber herkömmlichen Formmassen hinreichend verbessert ist.Under the term silicone molding compound in the present case not only molding compounds, the exclusively Silicone exist, but also by means of a mold process to plastic moldings Processable molding compounds containing such a proportion of silicone exist that the aging stability of the molding composition over conventional Molding compounds is sufficiently improved.

Die Silikon-Formmasse weist vorzugsweise eine Aushärtezeit von gleich oder weniger als 10 Minuten auf. Dies erleichtert vorteilhafterweise die Herstellung der Halbleiterbauelemente unter Realisierung von wirtschaftlich sinnvollen Maschinentaktzeiten.The Silicone molding compound preferably has a curing time of equal to or less than 10 minutes up. This advantageously facilitates the production the semiconductor devices under realization of economic meaningful machine cycle times.

Die Silikon-Formmasse weist im ausgehärteten Zustand bevorzugt eine Härte von gleich oder größer als 65 Shore D auf. Dadurch wird vorteilhafterweise die Formstabilität des Kunststoff-Formteils gegenüber mechanischen Einflüssen verbessert.The Silicone molding compound preferably has a in the cured state Hardness of equal to or greater than 65 Shore D on. This advantageously the dimensional stability of the plastic molding across from mechanical influences improved.

Zur Herstellung von Mischlicht emittierenden Halbleiterbauelementen enthält die Silikon-Formmasse Konvertermaterial, das zumindest einen Teil einer vom Halbleiterchip emittierten und/oder vom Halbleiterbauelement empfangenen elektromagnetischen Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs absobiert und elektromagnetische Strahlung emittiert, die aus einem zweiten Wellenlängenbereich stammt, der vom ersten Wellenlängenbereich verschieden ist. Insbesondere anorganische Leuchtstoffpulver lassen sich auf einfache Weise in Silikon-Material einmischen. Beispielhaft seien diesbezüglich Cerdotierte Yttriumaluminiumgranat- und Cer-dotierte Terbiumaluminiumgranat-Pulver genannt. Andere geeignete anorganische Leuchtstoffe sind beispielsweise in den Druckschriften WO 01/50540 A1 und WO 98/12757 A1 aufgeführt, deren Offenbarungsgehalt insofern hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.For producing mixed light-emitting semiconductor components, the silicone molding compound contains converter material which absorbs at least part of an electromagnetic radiation of a first wavelength range emitted by the semiconductor chip and emits electromagnetic radiation originating from a second wavelength range which differs from the first wavelength range is. In particular, inorganic light Substance powders can be easily incorporated into silicone material. By way of example, mention may be made of cerium-doped yttrium aluminum garnet and cerium-doped terbium aluminum garnet powders. Other suitable inorganic phosphors are listed, for example, in the publications WO 01/50540 A1 and WO 98/12757 A1, the disclosure content of which is hereby incorporated by reference.

Bevorzugt wird ein Kunststoff-Formteil gemäß der Erfindung bei Halbleiterbauelmenten eingesetzt, die einen Halbleiterchip aufweisen, der elektromagnetische Strahlung aus dem blauen oder ultravioletten Sprektralbereich emittiert.Prefers is a plastic molding according to the invention used in Halbleiterbauelmenten having a semiconductor chip, the electromagnetic radiation from the blue or ultraviolet Sprektralbereich emitted.

Bei einer bevorzugten Ausführungsform ist der Halbleiterchip von einem einzigen einstückigen Kuntstoff-Formteil aus reaktionshärtender Silikon-Formmasse hergestellt. Ein Grundprinzip eines derartigen Kunststoff-Formteils ist beispielsweise in der Druckschrift WO 01/50540 beschrieben, deren Offenbarungsgehalt insofern hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.at a preferred embodiment For example, the semiconductor chip is made from a single one-piece molded plastic part reaction-hardening Silicone molding compound produced. A basic principle of such Plastic molding is for example in the publication WO 01/50540 described, whose disclosure content insofar hereby by reference is recorded.

Bei einer anderen bevorzugten Ausführungsform ist der Halbleiterchip auf einem Trägersubstrat oder einer Trägerfolie mit elektrischen Leiterbahnen zum elektrischen Anschließen des Halbleiterchips aufgebracht und der Halbleiterchip mit einem Kunststoff-Formteil aus reaktionshärtender Silikon-Vergussmasse eingekapselt.at another preferred embodiment is the semiconductor chip on a carrier substrate or a carrier foil with electrical conductors for electrical connection of the Semiconductor chips applied and the semiconductor chip with a plastic molding from reaction hardening Silicone potting compound encapsulated.

Bei einem bevorzugten Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements gemäß der Erfindung wird der Halbleiterchip auf einem Leiterrahmen befestigt, der die externen elektrischen Anschlüsse aufweist, und mit den externen elektrischen Anschlüssen elektrisch verbunden. Nachfolgend wird der Halbleiterchip einschließlich Teilbereiche des Leiterrahmens mittels eines Spritzgußverfahrens oder mittels eines Spritzpressverfahrens mit einer Silikon-Formmasse umformt.at a preferred method for manufacturing a semiconductor device according to the invention For example, the semiconductor chip is mounted on a lead frame that supports the having external electrical connections, and electrically connected to the external electrical terminals. Hereinafter, the semiconductor chip including portions of the lead frame by means of an injection molding process or by means of a transfer molding process with a silicone molding compound reshapes.

Bei einem anderen bevorzugten Verfahren wird ein Halbleiterchip auf einem Trägersubstrat oder einer Trägerfolie mit elektrischen Leiterbahnen zum elektrischen Anschließen des Halbleiterchips aufgebracht und mit den elektrischen Leiterbahnen elektrisch verbunden. Nachfolgend wird der Halbleiterchip auf dem Trägersubstrat bzw. der Trägerfolie mittels eines Spritzgußverfahrens oder mittels eines Spritzpressverfahrens mit einer Silikon-Formmasse verkapselt.at Another preferred method is a semiconductor chip a carrier substrate or a carrier sheet with electrical conductors for electrical connection of the Semiconductor chips applied and with the electrical conductors electrically connected. Subsequently, the semiconductor chip on the carrier substrate or the carrier film by means of an injection molding process or encapsulated by means of a transfer molding process with a silicone molding compound.

Besonders bevorzugt findet die Erfindung Verwendung bei strahlungsemittierenden und/oder strahlungsempfangenden Halbleiterbauelementen mit einer Stellfläche (footprint) von etwa 0,5 mm × 1,0 mm oder weniger und/oder mit einer gesamten Bauteilhöhe von lediglich 350 μm oder weniger, vorzugsweise 300 μm oder weniger.Especially The invention preferably finds use in radiation-emitting and / or radiation-receiving semiconductor devices having a footprint (footprint) of about 0.5 mm × 1.0 mm or less and / or with a total component height of only 350 μm or less, preferably 300 microns Or less.

Weitere Vorteile, Weiterbildungen und vorteilhafte Ausführungsformen ergeben sich aus den im Folgenden in Verbindung mit den 1 bis 3 erläuterten Ausführungsbeispielen. Es zeigen:Further advantages, developments and advantageous embodiments will become apparent from the following in connection with the 1 to 3 explained embodiments. Show it:

1, eine schematische Darstellung eines Schnittes durch ein ersten Ausführungsbeispiel, 1 , a schematic representation of a section through a first embodiment,

2, eine schematische Darstellung eines Schnittes durch ein zweites Ausführungsbeispiel, und 2 , A schematic representation of a section through a second embodiment, and

3, eine schematische Darstellung eines Schnittes durch ein drittes Ausführungsbeispiel. 3 , A schematic representation of a section through a third embodiment.

In den verschiedenen Ausführungsbeispielen sind gleiche oder gleichwirkende Bestandteile jeweils gleich bezeichnet und mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die Figuren sind grundsätzlich nicht als maßstabsgerecht anzusehen. Die einzelnen Bestandteile sind grundsätzlich auch nicht mit den tatsächlichen Größenverhältnissen zueinander dargestellt.In the various embodiments are the same or equivalent components each referred to the same and provided with the same reference numerals. The figures are basically not as to scale to watch. The individual components are basically too not with the actual proportions shown to each other.

Beim ersten Ausführungsbeispiel gemäß 1 handelt es sich um ein weißes Licht emittierendes Leuchtdiodenbauelement auf Leiterrahmen(Leadframe)-Basis.In the first embodiment according to 1 it is a white light-emitting LED component based on lead frame (leadframe).

Ein metallischer Leiterrahmen (Leadframe) 10, auf dem in einem Chipmontagebereich 16 ein LED-Chip 1 montiert ist, ist mit einer transparenten Silikon-Formmasse 3 umformt, aus der an zwei gegenüberliegenden Seitenflächen je ein Leadframeanschluß 11,12 herausragt. Die Leadframe-Anschlüsse 11,12 stellen die externen elektrischen Anschlüsse des Leuchtdiodenbauelements dar. Innerhalb der transparenten Silikon-Formmasse 3 weist jeder der Leadframeanschlüsse 11,12 eine S-artige Biegung 14,15 von einem Chipmontagebereich 16 zu einer Montageseite 13 des Leuchtdiodenbauelements hin auf.A metallic leadframe 10 on which in a chip mounting area 16 an LED chip 1 is mounted with a transparent silicone molding compound 3 transforms, from the two opposite side surfaces depending on a lead frame connection 11 . 12 protrudes. The leadframe connectors 11 . 12 represent the external electrical connections of the light-emitting diode component. Within the transparent silicone molding compound 3 assigns each of the leadframe connections 11 . 12 an S-type bend 14 . 15 from a chip mounting area 16 to a mounting side 13 of the light emitting diode device towards.

Der Silikon-Formmasse 3 kann zur Erhöhung des Brechungsindex mindestens ein anorganischer Füllstoff wie TiO2, ZrO2 oder α-Al2O3 beigemengt sein.The silicone molding compound 3 may be added to increase the refractive index at least one inorganic filler such as TiO 2 , ZrO 2 or α-Al 2 O 3 .

Bei dem Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdioden-Lichtquelle gemäß der 1 wird der LED-Chip 1 im Chipmontagebereich 16 auf dem Leadframe 10 montiert und mit den Leadframeanschlüssen 11,12 elektrisch leitend verbunden. Die Leadframeanschlüsse 11,12 werden vor oder nach dem Montieren des Halbleiter-LED-Chips 1 mit S-artigen Biegungen 14,15 versehen. Der Halbleiter-LED-Chip 1 einschließlich der S-artigen Biegungen 14,15 des Leadframes 10 werden mittels eines Spritzpress- oder Spritzgussverfahrens mit einer transparenten Silikon-Formmasse 3 umformt. Die Silikon-Formmasse 3 wird dann noch in der Spritzpress- oder Spritzgussform zumindest teilweise gehärtet, so dass ein hinreichend formstabiles einstückiges Kunststoff-Formteil 5 gebildet wird.In the method of manufacturing a light emitting diode light source according to the 1 becomes the LED chip 1 in the chip mounting area 16 on the leadframe 10 mounted and with the leadframe connections 11 . 12 electrically connected. The leadframe connections 11 . 12 be before or after mounting the semiconductor LED chip 1 with S-type bends 14 . 15 Mistake. The semiconductor LED chip 1 including the S-type bendie gene 14 . 15 of the leadframe 10 be by means of a transfer molding or injection molding process with a transparent silicone molding compound 3 reshapes. The silicone molding compound 3 is then at least partially cured in the transfer molding or injection mold, so that a sufficiently dimensionally stable one-piece plastic molding 5 is formed.

Bei einer Weißlichtquelle weist der Halbleiter-LED-Chip 1 ein Emissionsspektrum auf, das im ultravioletten oder blauen Spektralbereich liegt. Vorzugsweise ist der Halbleiter-LED-Chip 1 auf der Basis von GaN oder InGaN aufgebaut. Er kann jedoch alternativ auch aus dem Materialsystem ZnS/ZnSe oder aus einem anderen für diesen Spektralbereich geeigneten Materialsystem bestehen.In a white light source, the semiconductor LED chip 1 an emission spectrum lying in the ultraviolet or blue spectral range. Preferably, the semiconductor LED chip 1 based on GaN or InGaN. However, it can alternatively also consist of the material system ZnS / ZnSe or of another material system suitable for this spectral range.

Nach dem Aufbringen und Kontaktieren des Halbleiter-LED-Chips 1 wird in einer geeigneten Spritzguss- oder Spritzpressapparatur eine transparente Silikon-Formmasse 3 an die Leadframeanschlüsse 11 und 12 angespritzt. In die Silikon-Formmasse 3 sind Leuchtstoffpartikel 4 eingebettet, die aus einem Konversionsstoff bestehen, mit dem eine mindestens teilweise Wellenlängenkonversion der von dem Halbleiter-LED-Chip 1 emittierten elektromagnetischen Strahlung herbeigeführt wird. Mittels dieser Wellenlängenkonversion wird ein Emissionsspektrum erzeugt, das den optischen Eindruck einer Weißlichtquelle hervorruft. Ein geeigneter Leuchtstoff für die Leuchtstoffpartikel ist beispielsweise Cer-dotiertes Yttriumaluminiumgranat- und Cer-dotiertes Terbiumaluminiumgranat-Pulver.After applying and contacting the semiconductor LED chip 1 In a suitable injection molding or transfer molding apparatus, a transparent silicone molding compound 3 to the leadframe connections 11 and 12 molded. In the silicone molding compound 3 are phosphor particles 4 embedded, which consist of a conversion material with which an at least partial wavelength conversion of the semiconductor LED chip 1 emitted electromagnetic radiation is brought about. By means of this wavelength conversion, an emission spectrum is generated which causes the visual impression of a white light source. A suitable phosphor for the phosphor particles is, for example, cerium-doped yttrium aluminum garnet and cerium doped terbium aluminum garnet powder.

Die Vorfertigung des Leadframes 10 und die Umformung mit der Silikon-Formmasse 3, die gegebenenfalls die Leuchtstoffpartikel 4 und gegebenenfalls weitere Füllstoffe enthält erfolgt derart, dass die Leadframeabschnitte 11 und 12 horizontal aus dem Kunststoff-Formteil 5 herausgeführt sind, und zwar derart, dass deren Löt-Anschlussflächen 11A und 12A im Wesentlichen in derselben Ebene liegen wie die Rückseite des Kunststoff-Formteiles 5, die in der Regel die Auflagefläche des Bauelements auf einer Leiterplatte darstellt. Die Leadframeanschlüsse 11 und 12 sind hierzu vor dem Vergießen bereits in die endgültige Form gebogen. Sie weisen also die S-artigen Biegungen vom Chipanschlußbereich zur Montagefläche hin bereits vor dem Umformen auf, so dass nach dem Umformen kein Biegestress mehr auf das Bauelement ausgeübt wird. Dies ist insbesondere bei stark miniaturisierten Bauelementen mit kleinvolumigem Kunststoff-Formteil 5 von besonderem Vorteil, denn gerade hier besteht bei einer Delamination zwischen Verguss und Leadframe, ausgelöst beispielsweise durch Biegestress, eine sehr große Gefahr, dass keine hermetische Dichtigkeit des fertigen Bauteils erreicht wird.The prefabrication of the leadframe 10 and the forming with the silicone molding compound 3 optionally the phosphor particles 4 and optionally contains further fillers takes place such that the lead frame sections 11 and 12 horizontally from the plastic molding 5 are led out, in such a way that their solder pads 11A and 12A lie substantially in the same plane as the back of the plastic molding 5 , which usually represents the bearing surface of the component on a circuit board. The leadframe connections 11 and 12 are already bent to the final shape before pouring. So they have the S-like bends from the chip connection area to the mounting surface already before forming, so that after forming no bending stress is exerted more on the device. This is especially true for highly miniaturized components with small-volume plastic molding 5 Of particular advantage, because there is a delamination between Verguss and lead frame, triggered for example by bending stress, there is a very high risk that no hermetic tightness of the finished component is achieved.

Die Silikon-Formmasse 3 weist beispielsweise eine Aushärtezeit von gleich oder weniger als 10 Minuten und im ausgehärteten Zustand eine Härte von gleich oder größer als 65 Shore D auf.The silicone molding compound 3 has, for example, a curing time of equal to or less than 10 minutes and a hardness of equal to or greater than 65 Shore D in the cured state.

Das fertige Bauelement kann vorteilhafterweise an den ebenen horizontalen Anschlussflächen 11A und 12A auf einer Leiterplatte (Platine) im Reflow-Verfahren aufgelötet werden. Dadurch wird ein für die SMT-(Surface Mounting Technology) Montage geeignetes Bauelement hergestellt.The finished component can advantageously on the flat horizontal connection surfaces 11A and 12A soldered on a circuit board (board) in the reflow process. As a result, a suitable for the SMT (Surface Mounting Technology) assembly component is produced.

Auf gleiche Weise kann ein UV- oder blaue Strahlung detektierendes Photodioden-Bauelement ausgebildet werden.On Similarly, a UV or blue radiation detecting photodiode device may be formed become.

Das zweite Ausführungsbeispiel gemäß 2 unterscheidet sich von dem ersten Ausführungsbeispiel gemäß 1 insbe sondere dadurch, dass an Stelle des Leiterrahmens 10 ein elektrisch isolierendes Trägersubstrat 100 mit elektrischen Leiterbahnen 111,112 in Form von Metallisierungsschichten vorgesehen ist. Das Kunststoff-Formteil 5 befindet sich auf dem Trägesubstrat 100. Dieses Bauelement kann in analoger Weise wie das erste Ausführungsbeispiel hergestellt werden.The second embodiment according to 2 differs from the first embodiment according to 1 In particular, special in that in place of the ladder framework 10 an electrically insulating carrier substrate 100 with electrical conductors 111 . 112 is provided in the form of metallization layers. The plastic molding 5 is located on the carrier substrate 100 , This device can be produced in an analogous manner as the first embodiment.

Das dritte Ausführungsbeispiel gemäß 3 ist eine Miniatur-Lumineszenzdiode, die einen flexiblen Leiterrahmen 10, einen LED-Chip 1 mit einem aktiven, strahlungsemittierenden Bereich und einen Kunststoff-Formteil 5 aufweist. Der flexible Leiterrahmen 10 besteht dabei aus einer 60 μm dicken Metallfolie 101 und einer ebenfalls 60 μm dicken Kunststoff-Folie 102, die hochgenau miteinander verklebt sind. Die Kunststoff-Folie kann aus einem Silikon-Kunststoff bestehen.The third embodiment according to 3 is a miniature LED that has a flexible lead frame 10 , an LED chip 1 with an active, radiation-emitting area and a plastic molding 5 having. The flexible ladder frame 10 consists of a 60 μm thick metal foil 101 and also a 60 micron thick plastic film 102 , which are glued together with high precision. The plastic film may consist of a silicone plastic.

Die Metallfolie 101 ist so gestanzt, dass sie eine Kathode und eine Anode definiert. Jeweils über Kathode und Anode sind Aussparungen in die Kunststoff-Folie 102 gestanzt. Der LED-Chip 1 ist mit seiner Unterseite durch eine der Aussparungen hindurch auf die Kathode gebondet. Die Anode ist über einen Bonddraht 2 durch die andere Aussparung mit der Oberseite des LED-Chips 1 verbunden.The metal foil 101 is stamped to define a cathode and an anode. Each cathode and anode are recesses in the plastic film 102 punched. The LED chip 1 is bonded with its underside through one of the recesses on the cathode. The anode is over a bonding wire 2 through the other recess with the top of the LED chip 1 connected.

Um auf dem flexiblen Rahmen möglichst viele Bauteile realisieren zu können, wird zum Umhüllen beispielsweise das sogenannte Cavity-to-Cavity Molding eingesetzt, mit dem über jedem flexiblen Leiterrahmen 10 ein Kunststoff-Formteil 5 hergestellt wird, das den LED-Chip 1 und den Bonddraht 2 umhüllt. Durch die Führung eines Anspritzkanals durch die Bauteile wird die Anzahl der Anspritzkanäle reduziert. Das Kunststoff-Formteil besteht aus dem gleichen Material wie das Kunststoff-Formteil der vorgenannten Ausführungsbeispiele.In order to be able to realize as many components as possible on the flexible frame, the so-called cavity-to-cavity molding, for example, is used for encasing, with which over each flexible lead frame 10 a plastic molding 5 which is the LED chip 1 and the bonding wire 2 envelops. By guiding a Anspritzkanals through the components, the number of Anspritzkanäle is reduced. The plastic molding is made of the same material as the plastic molding of the aforementioned embodiments.

Insgesamt hat die Miniatur-Lumineszenzdiode eine Stellfläche (footprint) von etwa 0,5 mm × 1,0 mm und weist eine gesamte Bauteilhöhe von lediglich 350 μm oder weniger, vorzugsweise 300 μm oder weniger auf.Overall, the miniature LED has a footprint of about 0.5 mm × 1.0 mm and has a total component height of only 350 microns or less, preferably 300 microns or less.

Die in der vorstehenden Beschreibung, in der Zeichnung sowie in den Ansprüchen offenbarten Merkmale der Erfindung können sowohl einzeln als auch in beliebiger Kombination für die Verwirklichung der Erfindung wesentlich sein. An Stelle des Lumineszenzdiodenchips kann ein Photodiodenchip eingesetzt sein oder ein Chip der als Lumineszenzdiode und als Photo-Diode betrieben wird.The in the above description, in the drawing and in the claims disclosed features of the invention can both individually and also in any combination for the realization of the invention be essential. Instead of Luminescence diode chips may be a photodiode chip used or a chip which is operated as a light-emitting diode and as a photo-diode.

Claims (8)

Strahlungsemittierendes und/oder strahlungsempfangendes Halbleiterbauelement mit einem strahlungsemittierenden und/oder strahlungsempfangenden Halbleiterchip, einem Kunststoff-Formteil, das für eine vom Halbleiterbauelement zu emittierende und/oder zu empfangende elektromagnetische Strahlung durchlässig ist und mit dem der Halbleiterchip zumindest teilweise umformt ist, und mit externen elektrischen Anschlüssen, die mit elektrischen Kontaktflächen des Halbleiterchips elektrisch verbunden sind, dadurch gekennzeichnet, dass das Kunststoff-Formteil aus einer reaktionshärtenden Silikon-Formmasse besteht.Radiation-emitting and / or radiation-receiving semiconductor component with a radiation-emitting and / or radiation-receiving semiconductor chip, a plastic molded part, which is permeable to an electromagnetic radiation to be emitted and / or received by the semiconductor device and with which the semiconductor chip is at least partially transformed, and with external electrical Terminals which are electrically connected to electrical contact surfaces of the semiconductor chip, characterized in that the plastic molded part consists of a reaction-curing silicone molding compound. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Silikon-Formmasse eine Aushärtezeit von gleich oder weniger als 10 Minuten aufweist.Semiconductor component according to Claim 1, characterized that the silicone molding compound has a curing time of equal to or less than 10 minutes. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Silikon-Formmasse im ausgehärteten Zustand eine Härte von gleich oder größer als 65 Shore D aufweist.Semiconductor component according to claim 1 or 2, characterized characterized in that the silicone molding compound in the cured state a hardness equal to or greater than 65 Shore D. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Silikon-Formmasse Konvertermaterial enthält, das zumindest einen Teil einer vom Halbleiterchip emittierten und/oder vom Halbleiterbauelement empfangenen elektromagnetischen Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs absobiert und elektromagnetische Strahlung emittiert, die aus einem zweiten Wellenlängenbereich stammt, der vom ers ten Wellenlängenbereich verschieden ist.Semiconductor component according to one of Claims 1 to 3, characterized in that the silicone molding compound converter material contains the at least part of a emitted from the semiconductor chip and / or electromagnetic radiation received by the semiconductor device a first wavelength range Absobiert and emits electromagnetic radiation, which consists of a second wavelength range comes from the first wavelength range is different. Halbleiterbauelement nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterchip elektromagnetische Strahlung aus dem blauen oder ultravioletten Sprektralbereich emittiert.Semiconductor component according to at least one of claims 1 to 4, characterized in that the semiconductor chip electromagnetic Radiation emitted from the blue or ultraviolet Sprektralbereich. Halbleiterbauelement nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass es eine Stellfläche (footprint) von etwa 0,5 mm × 1,0 mm oder kleiner aufweist.Semiconductor component according to at least one of claims 1 to 5, characterized in that it has a footprint of about 0.5 mm × 1.0 mm or smaller. Halbleiterbauelement nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass es eine gesamte Bauteilhöhe von 350 μm oder weniger, vorzugsweise 300 μm oder weniger aufweist.Semiconductor component according to at least one of claims 1 to 6, characterized in that it has a total component height of 350 μm or less, preferably 300 μm or less. Halbleiterbauelement nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass – der Halbleiterchip auf einem metallischen Leiterrahmen, einem Trägersubstrat oder einer Trägerfolie befestigt ist, der die externen elektrischen Anschlüsse aufweist, und – das Kunststoff-Formteil mittels eines Spritzgußverfahrens oder mittels eines Spritzpressverfahrens hergestellt ist.Semiconductor component according to at least one of claims 1 to 7, characterized in that - the semiconductor chip on one metallic lead frame, a carrier substrate or a carrier foil is fixed, which has the external electrical connections, and - the Plastic molding by injection molding or by means of a Transfer molding process is made.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005034122A1 (en) * 2005-07-21 2007-02-08 Wacker Chemie Ag Siliconharzverguss of LEDs
WO2009143789A1 (en) * 2008-04-17 2009-12-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component
DE102008044847A1 (en) * 2008-08-28 2010-03-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component has support with electrically conductive lead frame, which has two elements, where organic layer is arranged on both elements
EP2469613A3 (en) * 2010-12-21 2013-06-05 Panasonic Corporation Light emitting device and illumination apparatus using the same
DE102012102122A1 (en) * 2012-03-13 2013-09-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Area light source
DE102015105661A1 (en) * 2015-04-14 2016-10-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic device with a mixture comprising a silicone and a fluoro-organic additive

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI460881B (en) 2006-12-11 2014-11-11 Univ California Transparent light emitting diodes
US10431567B2 (en) 2010-11-03 2019-10-01 Cree, Inc. White ceramic LED package
TWI447965B (en) * 2010-01-22 2014-08-01 Tzu Kuei Wen Method for led chip package
JP2011159767A (en) * 2010-01-29 2011-08-18 Toshiba Corp Led package and method for manufacturing the same
JP5426484B2 (en) * 2010-06-07 2014-02-26 株式会社東芝 Manufacturing method of semiconductor light emitting device
US9831393B2 (en) 2010-07-30 2017-11-28 Cree Hong Kong Limited Water resistant surface mount device package
US9711489B2 (en) 2013-05-29 2017-07-18 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited Multiple pixel surface mount device package
US10680147B2 (en) * 2017-11-24 2020-06-09 Osram Oled Gmbh Method of producing a lighting device
US11592166B2 (en) 2020-05-12 2023-02-28 Feit Electric Company, Inc. Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility
US11876042B2 (en) 2020-08-03 2024-01-16 Feit Electric Company, Inc. Omnidirectional flexible light emitting device

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59107584A (en) * 1982-12-13 1984-06-21 Casio Comput Co Ltd Light-emitting diode
JP3338473B2 (en) * 1992-05-26 2002-10-28 シャープ株式会社 Optical device manufacturing method
JP3857435B2 (en) * 1998-08-31 2006-12-13 ローム株式会社 Optical semiconductor element, optical semiconductor element mounting structure, and optical semiconductor element group packaging structure
US6274924B1 (en) * 1998-11-05 2001-08-14 Lumileds Lighting, U.S. Llc Surface mountable LED package
DE19964252A1 (en) * 1999-12-30 2002-06-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Surface mount component for an LED white light source
JP3609709B2 (en) * 2000-09-29 2005-01-12 株式会社シチズン電子 Light emitting diode
JP4101468B2 (en) * 2001-04-09 2008-06-18 豊田合成株式会社 Method for manufacturing light emitting device
JP2002374007A (en) * 2001-06-15 2002-12-26 Toyoda Gosei Co Ltd Light-emitting apparatus
DE10131698A1 (en) * 2001-06-29 2003-01-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Surface-mountable radiation-emitting component and method for its production
DE10214119A1 (en) * 2002-03-28 2003-10-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component comprises a casting compound which lets through radiation and consist of silicone or a silicone resin

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005034122A1 (en) * 2005-07-21 2007-02-08 Wacker Chemie Ag Siliconharzverguss of LEDs
WO2009143789A1 (en) * 2008-04-17 2009-12-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component
US9698282B2 (en) 2008-04-17 2017-07-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component
DE102008044847A1 (en) * 2008-08-28 2010-03-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component has support with electrically conductive lead frame, which has two elements, where organic layer is arranged on both elements
EP2469613A3 (en) * 2010-12-21 2013-06-05 Panasonic Corporation Light emitting device and illumination apparatus using the same
US8592836B2 (en) 2010-12-21 2013-11-26 Panasonic Corporation Light emitting device and illumination apparatus using same
DE102012102122A1 (en) * 2012-03-13 2013-09-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Area light source
DE102015105661A1 (en) * 2015-04-14 2016-10-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic device with a mixture comprising a silicone and a fluoro-organic additive
US10597512B2 (en) 2015-04-14 2020-03-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic device with a mixture having a silicone and a fluoro-organic additive
DE102015105661B4 (en) 2015-04-14 2022-04-28 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelectronic device with a mixture comprising a silicone and a fluoro-organic additive

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Publication number Publication date
CN1875491B (en) 2010-04-21
JP4939946B2 (en) 2012-05-30
DE10361801A1 (en) 2005-08-04
JP2007519233A (en) 2007-07-12
CN1875491A (en) 2006-12-06

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