DE2061603A1 - Halbleiteraufbau - Google Patents

Description

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Diacon Inc. D 7047

8675 Nottingham Place F/Wi

La Jolla, California 92037

Halbleiteraufbau

Die Erfindung bezieht sich auf eine leitungslose Packung für Halbleiteranordnungen, bei der die Verbindungen durch Schichten dargestellt sind. Die Erfindung bezieht sich insbesondere auf eine Packung von Halbleiteranordnungen, bei der alle vorstehenden äußeren Leitungen entfallen und bei der die äußeren Verbindungen durch eine Schicht dargestellt sind, welche durchbohrt ist durch spitze Leiter, die in der Regel zu einem anderen System gehören.

Eine Halbleiteranordnung ist im allgemeinen in einer Packung eingeschlossen, welche ermöglicht, daß äußere Verbindungen an bestimmten Teilen eines Halbleiterkörpers angebracht werden, welcher in der Packung eingekapselt und gegenüber äußeren Einflüssen ge- ^ schützt ist. Üblicherweise sind die äußeren Verbindungen durch ^ Anschlußleitungen dargestellt, deren eines Ende an der Packung angebracht ist, während das andere Ende aus der Packung nach außen vorsteht. Da die Zahl und die Vielfältigkeit der Funktionen, die von einer Halbleiteranordnung auszuführen sind, laufend im Wachsen begriffen sind, wächst die Zahl der Leitungen, die aus der Pakkung zur Herstellung äußerer Anschlüsse vorstehen, zwangsläufig ebenfalls, so daß sich dementsprechend auch erhöhte Probleme im Zusammenhang mit der Packung ergeben. Ein einzelner Transistor benötigt im allgemeinen nur drei äußere Leitungen, so daß die

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Packung hier ziemlich problemlos ist. In starkem Umfang integrierte Anordnungen und Halbleiterspeicher erfordern demgegenüber vielfach um mehrere Größenordnungen mehr äußere Leitungen als der gewöhnliche Transistor. Wegen der verbesserten Wirkungsweise und der Vervollkommnung der Technik der Herstellung der Halbleiterplättchen sind vielfach die Leitungen selbst die größten einzelnen Kostenfaktoren im Rahmen der Gesamtkosten der Herstellung einer Halbleiteranordnung·

Venn viele Anschlußleitungen nach außen aus einer Packung vorstehen, ist es häufig erforderlich, eine Hülse vorzusehen, in welche das freie Ende jeder der vorstehenden Anschlußleitungen eingeführt werden kann. Wenn nun eine größere Zahl von Leitungen vorhanden ist, muß notwendigerweise jede Leitung so klein bzw. dünn sein, daß genügend Platz für die anderen Leitungen vorhanden ist, die aus der gleichen Packung vorstehen. Solche kleinen bzw. dünnen Leitungen sind nun äußerst biegsam, so daß sich schwierige Probleme im Hinblick auf die Ausrichtung bei der Hülse ergeben. Wenn dann die Zahl der benötigten Leitungen wächst, ergeben sich im Zusammenhang mit den vorstehenden Leitungen und den Hülsen sowohl erhebliche Kosten als auch Schwierigkeiten, da die Hülse selbst häufig mehr als die Halbleiteranordnung kostet. Außerdem wird die Zuverlässigkeit der Halbleiteranordnung im ungünstigen Sinne beeinflußt, je mehr die Zahl der je Anordnung benötigten Verbindungen steigt.

Die Ausbreitungszeit, also die Zeit, welche ein elektrisches Signal benötigt, um durch die Anordnung zu gelangen, ist eine Funktion der Länge der vorstehenden Leitungen, und diese gibt daher einen Anhalt für die Bestimmung der Länge des Signalweges. Viele vorstehende Leitungen bewirken oft einen unerwünscht langen

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Signalweg in den Leitungen selbst. Wenn außerdem keine besonderen Mittel zur Wärmeabfuhr vorhanden sind, führt die Verwendung langer Leitungen auch zu langen thermischen Wegen innerhalb der Halbleiteranordnungen, und es stellen sich dann Wärmeableitungsprobleme ein. Wärmeprobleme treten auch immer dann auf, wenn viele hermetisch abgeschlossene Anordnungen in einer Packung vereinigt sind, insbesondere wenn der Leistungsverbrauch bei etwa 5 Watt oder bei höheren Werten liegt.

Wenn eine Halbleiterpackung, welche eine größere Zahl vorstehender äußerer Leitungen aufweist, zusammengebaut 1st, jedoch noch nicht in eine Hülse eingeführt werden kann, treten Probleme anderer Art auf. Um die Packung zu transportieren, muß während der Transportzeit ein geeigneter Tragkörper vorhanden sein, und zwar nicht nur für die eigentliche Packung, sondern auch, um zu gewährleisten, daß die freien Enden der vorstehenden Leitungen nicht umgebogen oder verwickelt werden, und es muß 3ede Gewalteinwirkung auf die Leitungen ausgeschlossen sein, welche einen Bruch in der Glas-Metall-Dichtung in der Packung verursachen könnte. Derartige Vorkehrungen für den Transport von Packungen mit einer Vielzahl von Leitungen verursachen erhebliche Kosten, die sich wiederum in erhöhten Kosten für die einzelne Anordnung niederschlagen. "

Um eine Glas-Metall-Dichtung in einer Packung üblicher Art herzustellen, war es bisher erforderlich, daß das für die vorstehenden äußeren Leitungen verwendete Material (vorzugsweise Kovar oder Dumet) In der Lage war, den anschließend aufzubringenden hohen Temperatures, bei der Versiegelung zu widerstehen. Jedoch sind Werkstoffe dieser Art, Insbesonder Kovar oder Dumet, für den Hersteller elektronischer Rechenanlagen nicht in gleicher Weise erwünscht wie andere Materialien. So werden beispielsweise Leitungen aus korrosionsfestem Stahl, die im Hinblick auf die bei der

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Glasversiegelung erforderlichen hohen Temperaturen unbrauchbar sind» von den Herstellern elektronischer Rechenanlagen vielfach bevorzugt für die Drahtumwicklung· Die aus der Sicht der Halbleiterherstellung und der Herstellung elektronischer Rechenanlagen gegebenen Notwendigkeiten kollidieren daher in vielen Fällen.

Da die Zahl der äußeren Leitungen, die aus einer Halbleiterpackung vorstehen, im Laufe der Zeit immer mehr anstieg, erwies es sich in der bisherigen Technik als wirtschaftlicher, einen Leiterrahmen unter Verwendung einer Lochpresse herzustellen. Es ist jedoch schwierig, die erforderlichen Stanzvorgänge an dem Leiterrahmen vorzunehmen, wenn nicht die Breite jedes der Leiter wenigstens etwa 25 x 10""* cm (10 mil) beträgt j eine solche Begrenzung ist unerwünscht für kleine Anordnungen, welche kompliziertere Aufgaben zu übernehmen haben und viele äußere Leiter benötigen.

Außerdem erlauben die verhältnismäßig großen Abmessungen (z.B. die bereite genannte Größenordnung von etwa 25 χ 10 cm) einer Leitung üblicher Art keinen unmittelbaren Anschluß an eine sehr kleine Halbleiteranordnung. Man ist daher gezwungen, die Verbindung zwischen dem Halbleiterkörper und einer Leitung des Rahmens unter Verwendung eines feinen Drahtes herzustellen. Wenn viele Verbindungsdrähte dieser Art benötigt werden, leidet jedoch die Betriebssicherheit der Halbleiteranadnung, und die Herstellungskosten steigen·

Obwohl bisher bereits in manchen Fällen leitungslose Packungen verwendet wurden, hatten diese im allgemeinen nur dann befriedigende Eigenschaften bei Anordnungen, die nur eine kleine Zahl äußerer Anschlüsse benötigten, z.B. drei bis fünf, jedoch eigneten sie sich nicht für Anordnungen mit einer größeren Zahl von

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Leitungen. Hinzu kommt, daß die Darstellung von Verbindungen zu einem anderen System kompliziert wird durch die Verwendung von Lötmitteln oder anderen leitfähigen Klebstoffen; man erhält in diesen Fällen versteckte Verbindungen, und es ist nicht möglich, jeden Verbindungspunkt auf seine Zuverlässigkeit und Betriebssicherheit zu prüfen.

Die beschriebenen Nachteile und auch weitere Nachteile der bisher bekannten Verfahren zur Packung von Halbleiterbauelementen i zeigen, daß neue Maßnahmen erforderlich sind, insbesondere für sehr kleine Halbleiterkörper, welche eine große Zahl äußerer elektrischer Anschlüsse ermöglichen.

Die gemäß der Erfindung vorgesehene leitungslose Packung mit Schichtverbindung gestattet, die erwähnten, den bisher bekannten Einrichtungen anhaftenden Nachteile, die durch eine Vielzahl vorstehender äußerer Leitungen bedingt waren, zu beheben, und zwar dadurch, daß es bei Anwendung der Erfindung nicht mehr erforderlich ist, daß Leitungen aus der Packung vorstehen} dabei werden Möglichkeiten geschaffen, um viele äußere elektrische Verbindungen an gewählten Teilen eines Halbleiterkörpers anzubringen, wel- ^ eher in der Packung eingeschlossen ist. Da in diesem Fall keine ™ vorstehenden äußeren Leitungen vorhanden sind, werden auch keine Hülsen benötigt, in welche die freien Enden der Leitungen eingeführt werden. Auf diese Weise entfällt ein wesentlicher Kostenfaktor, und viele der den bisher bekannten Packungen anhaftende Probleme werden eliminiert oder einer geeigneten Lösung zugeführt.

Die erfindungsgemäße leitungslose Packung mit Schichtverbindung enthält ein Paar aneinander angrenzender dielektrischer Lagen, und jede Lage enthält ein vorgegebenes Muster von Öffnungen, welche sich durch sie hindurch erstrecken. Zwischen den

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dielektrischen Lagen und selektiv ausgerichtet mit dem Öffnungsmuster ist eine entsprechend geformte leitfähige Folie eingebettet. Ein Halbleiterkörper ist an bestimmten Teilen der Folie angebracht und mit ihnen elektrisch verbunden. Bin als Träger ausgebildetes Teil, welches an wenigstens einer der beiden dielektrischen Lagen angebracht ist, dient zur Unterstützung des Halbleiterkörpers· Vorzugsweise erstreckt sich ein Teil des Trägerkörpers über die dielektrischen Lagen hinaus, um eine bessere Wärmeableitung von dem Halbleiterkörper zu ermöglichen. Mehrere solcher leitungsloser Packungen mit Schichtverbindungen können in einer vorgegebenen Anordnung übereinandergeschichtet werden, und zwar vorzugsweise derart, daß das Öffnungsmuster jeder Packung selektiv ausgerichtet ist und die Verbindungen in gewünschter Weise gebildet sind. Elektrische Verbindungen zu der Anordnung werden durch spitze Leiter hergestellt, welche in Teile der die Öffnungen bedeckenden Folie eindringen. Vorzugsweise gehören die mit Spitzen versehenen Leiter zu einem anderen System.

Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand der Zeichnungen näher beschrieben.

Figur 1 zeigt eine vereinfachte isometrische Darstellung zweier benachbarter dielektrischer Lagen, welche ein vorgegebenes Öffnungsmuster aufweisen.

Figur 2 zeigt eine vereinfachte Darstellung eines leitfähigen Folienmusters.

Figur 3 zeigt eine vereinfachte isometrische Darstellung einer Anordnung, bei der das Folienmuster zwischen zwei dielektrischen Lagen eilgebettet istj dabei ist die Mitte der Folie entfernt ₉ und in den Folienstreifen sind Biegestellen zum Spannungsausgleich vorhanden.

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Figur 4 zeigt eine vereinfachte isometrische Darstellung des Halbleiterkörpers, des Trägers und des vorstoßenden Teils für die Wärmeabfuhr, und zwar vor der Verbindung mit der Folie und den beiden dielektrischen Lagen«

Figur 5 zeigt vereinfacht einen Schnitt durch die vollständige Packung.

Figur 6 zeigt eine vereinfachte isometrische Darstellung der Packung auf einer Schaltungsplatte, welche mit Spitzen ™ versehene Leiter aufweist, die durch die öffnungen in der Packung eingeführt werden und in vorgegebene vergrößerte Teile des Folienmusters eindringen, um elektrische Verbindungen mit diesen herzustellen.

Figur 6a zeigt vereinfacht einen Schnitt durch eine bevorzugte Ausführungsform eines mit einer Spitze versehenen Leiters in einer Schaltuig3platte.

Figur 7 zeigt eine vereinfachte isometrische Darstellung mehrerer durch Schichten verbundener, leitungsloser Packungen, welche übereinandergeschichtet und selektiv miteinander { verbunden sind.

Wie Figur 1 zeigt, sind zwei dielektrische Lagen 10 und 12 Übereinander angeordnet, und jede Lage enthält ein vorgegebenes Muster von öffnungen 14i Die öffnungen 14 haben vorzugsweise einen Durchmesser von etwa 125 * 10""^ ca (50 mil)· Vorzugsweise sind die Öffnungsauster so ausgebildet, daS da* Muster in Lage 10 mit dem Muster in Lage 12 zusammenfallt. Sine weitere öffnung, z.B. öffnung 16, ist in den Lagen 10 und 12 vorhanden, um die Anordnung eines Trägers und eines Halbleiterkörpers bei späteren Schritten des Herstellungsverfahrens zu ermöglichen·

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Vorzugsweise sind die dielektrischen Lagen 10 und 12 Isolatoren, und sie enthalten zweckmäßigerweise Tonerdekeramik oder ein in ähnlicher Weise wirkendes dielektrisches Material, welches eine Stärke von etwa 50 - 100 cm""^ (20 - 40 mil) hat und durch bekannte keramische Herstellungsverfahren hergestellt werden kann. Obwohl die Darstellung gemäß Figur 1 zeigt, daß die Lagen 10 und 12 eine Anzahl kleiner öffnungen 14 und eine größere Öffnung 16 enthalten, können im Bedarfsfall auch Öffnungen und Aussparungen anderer Art in den Lagen 10 und 12 vorhanden sein. Beispielsweise ist es auch möglich, daß passive Komponenten in Form dünner Streifen oder Materialschichten an Lage 10 oder Lage 12 oder an beiden angebracht sind.

Das in Figur 2 dargestellte Folienmuster 20 besteht aus einem leitfähigen Material, welches mit den dielektrischen Lagen 10 und 12 verträglich ist, also beispielsweise aus Kovar oder aluminiumbeschichtetem Kovar, dessen thermischer Ausdehnungskoeffizient ungefähr dem der keramischen Tonerde entspricht. Die in Figur 2 dargestellte bevorzugte Ausführungsform des Folienmusters 20 besteht aus mehreren verhältnismäßig dünnen leitfähigen Streifen 22, welche Jeweils am einen Ende einen größeren Teil 24 aufweisen, während die anderen Enden in einem Mittelteil 26 zusammenlaufen. Die vergrößerten Teile 24 sind so angeordnet, daß sie über den öffnungen 24 der Lagen 10 und 12 liegen und diese überlappen (vgl. Figur 1), so daß die Teile 24 als eine Art Diaphragma dienen und die äußeren elektrischen Verbindungen herstellen, nachdem mit Spitzen versehene Leiter in sie eingedrungen sind, wie noch beschrieben wird. Der Mittelteil 26 hat die Aufgabe, die Streifen 22 in gestreckter Form zu halten, bis er entfernt wird.

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Da die Streifen 22 anschließend zwischen den tragenden dielektrischen Lagen 10 und 12 eingebettet werden, können sie außerordent-

—3 lieh dünn sein, etwa in der Größenordnung von 2,5 χ 10 cm (1 mil), und es können geeignete Verfahren, z.B. das Fotoresist- und Ätzverfahren, jedoch auch Stanzverfahren und ähnliche Verfahren, verwendet werden, um das gewünschte Folienmuster herzustellen. Beispielsweise kann ein Blatt aus Kovar, welches eine Stärke von etwa 2,5 x 10 cm (1 mil) hat, auf einer tragenden Unterlage angeordnet werden. Anschließend wird das gewünschte Muster durch Auftragen von Fotoresist und Verfahrensschritte der Ätzung ausgebildet. Aufgrund der geringen Stärke der Folie 20 genügt es, wenn die Ätzung von nur einer Seite vorgenommen wird, ohne daß unerwünschte Schwierigkeiten durch eine Hinterschneidung der Schicht auftreten. Dieses Vorgehen steht im vorteilhaften Gegensatz zu den nach dem Stande der Technik bekannten Leitern, welche durchweg eine Stärke von 25 x 10""*^ cm (10 mil) haben, und hierbei war es erforderlich, daß die Ätzung gleichzeitig von entgegengesetzten Flächen der Leiter ausgeführt wurde, um ein unerwünschtes Hinterschneiden durch das Ätzmittel zu vermeiden. Bei den sehr dünnen Leitern gemäß der Erfindung, welche eine Stärke von 2,5 x 10"^ cm (1 mil) haben, schneidet jedoch das Ätzmittel schnell durch die Kovarschicht, bevor irgendwelche schädlichen " Hinterschneidungen auftreten. Außerdem erlaubt die Bauart gemäß der Erfindung, daß sehr dünne Streifen von etwa 2,5 χ 10""^ cm (1 mil) ausgebildet werden, welche zwischen Gebieten von nur etwa 7,5 x 10 (3 mil) getrennt sind. Ein Vergleich mit den bisherigen Stanzverfahren zeigt, daß es schwierig ist, einen Leiterrahmen auszubilden, wenn nicht die Trennung zwischen den einzelnen Leitern etwa 25 x 10~* cm (10 mil) oder mehr beträgt. Bei Anwendung des beschriebenen erfindungsgemäßen Verfahrens können daher wesentlich mehr Streifen je Flächeneinheit untergebracht werden.

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Bei dem in Figur 3 dargestellten Stadium der Herstellung ist das Folienmuster 20 gemäß Figur 2 zwischen den beiden dielektrischen Lagen 10 und 12 eingebettet, so daß die vergrößerten Teile 24 der Leiter 22 mit den Öffnungsmustern 14 der Lagen 10 und 12 selektiv zusammenfallen. Der mittlere Teil 26 des Folienmusters 20 erleichtert dabei die genaue Anordnung.

Die Lagen 10 und 12 werden miteinander versiegelt und durch eine bekannte Glas-Metall-Verbindungsmasse, beispielsweise Borsilikatglas oder Epoxidharze, und anschließend wird der mittlere Teil 26 entfernt, beispielsweise durch einen Stanzvorgang. Während des gleichen Verfahrensschrittes wird eine spannungsausgleichende Biegung 30 in dem freiliegenden Teil jedes Streifens 22 ausgebildet. Die Biegung 30 ermöglicht, daß eine gewisse Kraft auf jedes Ende der Streifen 22 ausgeübt wird, ohne daß der Rest des Streifens sich verdreht, gebogen wird oder in anderer Weise seine Lage ändert, oder daß eine Spannung auf die Verbindung ausgeübt wird, welche anschließend durch einen Teil des Streifens 22 mit dem Halbleiterkörper hergestellt wird.

Da die Streifen 22 sehr dünn sind, wird der Halbleiterkörper 40 vorzugsweise zuerst mit einem Trägerkörper 42 verbunden (Figur 4), bevor die in Figur 3 dargestellte Bauart zusammengesetzt wird} anschließend wird dann der Träger 42 mit einer der dielektrischen Lagen 10 bzw. 12 verbunden. Der Träger 42 enthält vorzugsweise thermisch leitfähiges Material, beispielsweise Kovar, und er dient zur Halterung des Halbleiterkörpers 40, wobei dessen Kontaktstücke 46 gegen die Streifen 22 gehalten sind und mit ihnen in elektrischem Kontakt stehen. Ein Teil des Trägers 42 weist eine Lippe auf, welche ermöglicht, daß der Träger 42 in passender Weise in die öffnung 16 der dielektrischen Lage 10 oder 12 eingesetzt wird. Auch kann der Träger 42 eine geeignete Aussparung

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aufweisen, welche ermöglicht, daß eine wärmeableitende Verlängerung 44 daran angebracht werden kann, die vorzugsweise aus einem thermisch leitfähigen Metall, beispielsweise Aluminium oder Kupfer besteht; diese Verlängerung 44 kann einen kurzen thermischen Weg von dem Halbleiterkörper 40 nach au0en bilden·

Figur 5 zeigt den Halbleiterkörper 40, den Träger 42 und die wärmeableitende Verlängerung 44 nach dem Zusammenbau als Teil der vollständigen Packung, wobei die Verlängerung 44 über die dielek- * trischen Lagen 10 und 12 nach außen ragt. Der Träger 42 ist in " einem Teil der öffnung 16 (Figur 3) derart untergebracht, daß die Eontaktstücke 46 des Halbleiterkörpers 40 mit den Streifen 22 in ihrer Lage zusammenfallen und die Lippe des Trägers 42 an den dielektrischen Lagen 10 und 12 anliegt und mit ihnen verbunden ist. Vorzugsweise sind die Streifen 22 mit den Kontaktstücken auf dem Halbleiterkörper 40 fest verbunden, insbesondere durch ein in der Halbleitertechnik bekanntes Lötverfahren, beispielsweise durch Weichlöten, Ultraschallverbindung, Thermokompressionsbindung o.dgl. Nach dem Löten kann jede der Lötverbindungen visuell untersucht werden durch die große öffnung 16 in einer der dielektrischen Lagen 10 oder 12, jenachdem, welche frei ist.

Sine Kappe 48 aus einem Material, dessen Eigenschaften mit denen der keramischen Lagen 10 und 12 verträglich sind, insbesondere aus Kovar, wird anschließend auf die öffnung 16 aufgebracht und erforderlichenfalls dort versiegelt, so daß dann der Halbleiterkörper 40 hermetisch abgeschlossen ist*

Die Figuren 6 und 6a zeigen eine bevorzugte Ausführungsform der schichtverbundenen, leitungslosen Packung gemäß der Erfindung; wie aus diesen Figuren erkennbar ist, hat eine gedruckte

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Schaltungsplatte 50 mehrere mit Spitzen versehene Leiter 52, welche in einem vorgegebenen Muster angeordnet sind. Schichten 54 aus leitfähigem Material bilden die inneren Verbindungen zwischen den spitzen Leitern 52. Die Leiter 52 bestehen aus einem geeigneten leitfähigen Material, beispielsweise Messing, und vorzugsweise sind die Spitzen dieser Leiter mit einer Schicht aus Lötmaterial versehen. In Anwendungsfällen, bei denen eine Drahtumhüllung der Leiter gewünscht wird, ragt der ungespitzte Teil der Leiterstücke 52 über die Ebene der Schaltungsplatte 50 vor, und es wird dann um diesen vorstoßenden Teil ein Draht gewickelt. Für Anwendungen dieser Art besteht der Leiter 52 vorzugsweise aus korrosionsfestem Stahl oder anderem geeigneten Material.

Die leitungslose Packung 56 wird über den spitzen Leitern 52 derart angeordnet, daß das Öffnungsmuster der Packung 56 in der gewünschten Weise mit den spitzen Leitern 52 zur Deckung gebracht wird. Dabei ist zu beachten, daß die Kombination der spitzen Leiter 52 und der Öffnungsmuster 14 auch Fehlausrichtungen ermöglicht.

Anschließend wird die Packung 56 auf die spitzen Leiter 52 niedergedrückt, so daß die Spitzen in die vergrößerten Teile 24, welche die öffnungen 14 bedecken, eindringen und auf diese Weise den elektrischen Kontakt herstellen. Um eine sichere, dauernde elektrische Verbindung herzustellen, wird ein heißes Gas über die spitzen Leiter 52 und die durchbohrten Teile 24 geleitet, so daß eine fließende Lötverbindung hergestellt wird.

Obwohl der für die Wärmeableitung vorgesehene Körper 44 in der Darstellung der Figur 5 von der gedruckten Schalungsplatte 50 nach oben ragend dargestellt ist, können zur Wärmeableitung auch Maßnahmen anderer Art vorgesehen sein, beispielsweise kann eine thermische Verbindung zu einer Wärmesenke auf der gedruckten

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Schaltungsplatte 50 vorhanden sein. Der verlängerte Körper 44 kann in der dargestellten Weise zylindrisch ausgebildet sein, jedoch kann er auch eine gerippte Gestalt haben oder im Bedarfsfall auch in anderer geeigneter Weise geformt sein. Auch ist es möglich, Luft oder eine kühlende Flüssigkeit um den verlängerten Teil 44 zu leiten, um eine wirksame Kühlung der in der Packung 56 erzeugten Wärme sicherzustellen.

Entsprechend der Darstellung in Figur 7 können mehrere mit Schichtverbindungen versehene leitungslose Packungen 70 in geeigneter Weise übereinander angeordnet werden. Anstelle der Vielschichtleitungen in einer Packung, wie sie nach dem Stande der Technik zur Darstellung der Innenverbindungen bei mehreren Halbleiterkörpern erforderlich sind, sind in Anwendung der Erfindung Packungsschichten vorgesehen,,Die elektrischen Verbindungen zwischen den einzelnen Schichten der Packungen werden dargestellt durch innen angeordnete spitze Leiter ähnlich dem Leiter 52 gemäß Figur 6a, jedoch sind an beiden Enden Spitzen angeordnet. Die inneren Verbindungen zwischen Schichten der Packungen können auch durch dünne Schichten 72 aus leitfähigem Material dargestellt werden, oder es können Leitungsdrähte vorgesehen werden, welche entlang der Außenseite des Mehrschichtkörpers angeordnet sind. Zur Wärmeableitung kann man dabei in geeigneter Weise Vorstöße 74 vorsehen, welche zwischen den übereinandergeschichteten Pakkungen angeordnet sind und derart nach außen ragen, daß sie Innerhalb der Packung erzeugte Wärme ableiten·

Die Erfindung ist nicht auf die dargestellten und beschriebenen Ausführungsbeispiele und Anwendungen beschränkt, sondern es sind im Rahmen fachmännischen Handelns bei Kenntnis der Erfindung, geeignete Modifikationen möglich. So kann beispielsweise im Rahmen

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der Erfindung ein geeigneter Schmelzprozeß zum Ausbilden der Packung angewendet werden. In einem solchen Fall enthalten die dielektrischen Körper ein geeignetes organisches Material, beispielsweise Epoxidharz, und die für die Leitungsstruktur vorgesehne Folie könnte ein diesem angepaßtes leitfähiges Material enthalten, beispielsweise Kupfer. Eine solche Bauart würde zu einer im wesentlichen homogenen Anordnung führen, nicht aber zu einem sandwichartigen Aufbau mit mehr als einem Dielektrikum.

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Claims (1)

1. Ansprüche

   Halbleiteraufbau, gekennzeichnet durch zwei aneinander angeordnete dielektrische Lagen, von denen wenigstens eine ein vorgegebenes Muster von durch die Lage hindurchgeführten Öffnungen aufweist, und durch ein leitfähiges Folienmuster zwischen den dielektrischen Lagen, -welches dem Öffnungsmuster selektiv angepaßt ist, so daß der äußere elektrische Kontakt zu der Folie dadurch ä hergestellt werden kann, daß leitfähiges Material in bestimmte Öffnungen eingeführt wird und Teile der leitfähigen Folie im Bereich der entsprechenden Öffnungen berührt oder durchbohrt.

   2« Halbleiteraufbau nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch einen Halbleiterkörper, welcher mit einem Teil der Folie verbunden ist und ohmschen Kontakt bildet.

   3c Halbleiteraufbau nach Anspruch 2, gekennzeichnet durch einen Trägerkörper, welcher den Halbleiterkörper hält und mit wenigstens einer der beiden dielektrischen Lagen verbunden ist.

   4. Halbleiteraufbau nach Anspruch 3» dadurch gekennzeichnet, daß ein Teil des Trägerkörpers über die dielektrischen Lagen hinausragt und zur Wärmeableitung geeignet ist, wobei dieser Teil wärmeleitfählges Material enthält.

   5. Halbleiteraufbau nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß durch Zusammenfassung mehrerer Paare dielektrischer Lagen mit dazwischen angeordneten leitfähig«! Folienmustern eine Packung gebildet ist und wenigstens eine Lage jedes Paares ein vorgegebenes Muster von durch die Lage hindurchgeführten öffnungen

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   aufweist, und daß die Paare so übereinander angeordnet sind, daß ihre Öffnungsmuster selektiv einander entsprechen.

   60 Halbleiteraufbau nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere Halbleiterkörper an den Folien angebracht sind und mit ihnen elektrischen Kontakt bilden·

   7. Halbleiteraufbau nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß flk ein Halbleiterkörper an jeder Folie angebracht ist.

   8. Halbleiteraufbau nach Anspruch 6, gekennzeichnet durch mehrere Trägerkörper, welche die Halbleiterkörper halten und mit den dielektrischen Lagen in Verbindung stehen.

   9. Halbleiteraufbau nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß ein Trägerkörper als Halterung für jeden Halbleiterkörper dient.

   10. Halbleiteraufbau nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere Teil der Trägerkörper über die dielektrischen Lagen hinausragen und dadurch eine Wärmeableitung ermöglichen, wobei die Teile wärmeleitfähiges Material enthalten.

   11. Halbleiteraufbau nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß jeweils ein Teil mit jedem Trägerkörper verbunden ist.

   12. Halbleiteraufbau nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere mit zwei Spitzen versehene Leiter zwischen den Paaren dielektrischer Lagen angeordnet sind, welche die die Öffnungen bedeckenden leitenden Schichten berühren bzw. durchbohren und dadurch Verbindungen zwischen den Schichten herstellen.

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   13. Halbleiteraufbau nach Anspruch 5» gekennzeichnet durch mehrere Leiter oder Schichten zur Herstellung der Zwischenverbindun gen, welche leitfähiges Material enthalten und entlang der äußeren Fläche der Anordnung geführt sind, um die elektrischen Verbindungen zwischen den Schichten darzustellen.

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