DE2062209B2 - Festkörperlampe - Google Patents

Festkörperlampe

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Description

2. Festkörperlampe nach Anspruch 1, dadurch eine Fe£tkörperlampe mit einer scheibenförmigen gekennzeichnet, daß die auf dem Tragteil auflie- lichtaussendenden Diode bekannt, welche mit der zur gende Grundfläche der Diode (11) im wesentli- as beabsichtigten Lichtabstrahlrichtung entgcgengesetzchen quadratisch ist, daß die zweite Vertiefung ten Oberfläche auf einem Tragteil aus elektrisch lei-(16) kreisförmig ist und einen geringeren Durch- tendem Material befestigt ist. Das lichtaussendende messer als die Diagonale der Diodengrundfläche Diodenplättchen ist an einem Punkt zwischen dem besitzt und daß die Diode (11) nur in der Nähe Mittelpunkt und dem Weierstrass'schen Radius eines ihrer Ecken an dem Tragteil (12) befestigt ist. 30 kugelförmigen Epoxydmaterials eingeschlossen, wel-
3. Festkörperlampe nach Anspruch 1 oder 2, ches einen Brechungsindex größer als 1 oder größer dadurch gekennzeichnet, daß ein durchsichtiges als der Brechungsindex von Luft besitzt. Dadurch Einkapselungsmittel (21) so angeordnet ist, daß wird der Grenzwinkel der Totalreflexion an der es die Diode (11) mit Ausnahme der zur beab- Diode erhöht, wodurch ein größerer Anteil des Lichsichtigten Lichtabstrahlrichtung entgegengesetz- 35 tes aus der Diode austritt.
ten unteren Oberfläche, das Tragteil (12), die Bei der bekannten Diode liegt der Halbleiterkörper
Anschlußleitung (19) und Teile der elektrischen vollständig auf dem Tragteil auf. Bei dieser Anord-
Zuleitungsstäbe (17, 18) einhüllt und in ihrer ge- nung wird die in Richtung des Tragteils ausgesandte
genseitigen Lage hält. Strahlung von dem Kleber oder dem Lötmittel weit-
4. Festkörperlampe nach Anspruch 3, dadurch 40 gehend absorbiert oder in unerwünschter Richtung gekennzeichnet, daß die Oberfläche der Einkap- gestreut.
seiung (21) oberhalb der in Abstrahlrichtung der Es ergab sich daher die Aufgabe, die Lichtleistung
Lampe liegenden Oberfläche der Diode (11) im und den Wirkungsgrad einer solchen Festkörperwesentlichen halbkugelförmig gestaltet ist. lampe dadurch zu erhöhen, daß die Absorption und
45 Streuung des Lichtes an der Verbindungsfläche der Diode mit dem Tragteil durch den Kleber oder das
Lötmittel weitgehend beseitigt wird.
Diese Aufgabe wird bei Festkörperlampen mit
einer scheibenförmigen lichtaussendenden Diode,
50 welche mit der zur beabsichtigten Lichtabstrahlrich-
Die Erfindung betrifft Festkörperlampen mit einer tung entgegengesetzten Oberfläche auf einem Tragscheibenförmigsn lichtaussendenden Diode, welche teil aus elektrisch leitendem Material befestigt ist, gemit der zur beabsichtigten Lichtabstrahlrichtung ent- löst, indem sie dadurch gekennzeichnet sind, daß alle gegengesetzten Oberfläche auf einem Tragteil aus Schichten der Diode lichtdurchlässig sind, daß das elektrisch leitendem Material befestigt ist. 55 Tragteil eine erste Vertiefung mit reflektierenden Sei-
Diese Festkörperlampen mit Dioden werden ge- tenwänden besitzt, die in Richtung auf eine Bodenwöhnlich aus einem ebenen Plättchen eines Materials fläche verjüngt sind, auf welcher die Diode aufliegt wie Galliumarsenid, Galliumphosphid oder Silizium- und an ihren Randteilen mit der Bodenfläche mechacarbid hergestellt, das in geeigneter Weise mit einem nisch und elektrisch verbunden ist, und daß in der Dotierungsmaterial dotiert ist, so daß sich ein 60 Bodenfläche unter dem Hauptteil der zur beabsichp-n-Übergangsbereich bildet, der sichtbares oder In- tigten Lichtabstrahlrichtung entgegengesetzten Oberfrarot-Licht aussendet, wenn ein Strom hindurch- fläche der Diode durch Luft oder ein anderes Mategehi. von dem durch den Übergangsbereich abgege- rial mit niedrigem Brechungsindex begrenzt ist.
benen Licht tritt infolge der Totalreflexion im Dio- Bei einer vorteilhaften Ausführungsform ist die
denmaterial nur ein kleiner Bruchteil durch die 65 auf dem Tragteil aufliegende Grundfläche der Diode Oberfläche der Diode aus. Dadurch wird der größte im wesentlichen quadratisch, die zweite Vertiefung Teil des Lichtes reflektiert und im Innern des Dio- ist kreisförmig und besitzt einen geringeren Durchdenmaterials absorbiert. Die relativ kleine Licht- messer als die Diagonale der Diodengrundfläche, und
die Diode ist nur in der Nähe ihrer Ecken an dem sehen Zuleitungsstab 17 befestigt Ein zweiter elek-Tragteil befestigt trischer Zuleitungsstab 18 ist in einem Abstand von
Bei einer weiteren vorteilhaften Ausführungsform dem Stab 17 angebracht, und eine Verbindungsleiist ein durchsichtiges Einkapselungsmittel so an- tung 19 ist elektrisch mit dem oberen Ende des Stageordnet, daß es die Diode mit Ausnahme der zur 5 bes 18 und der Oberseite der Diode 11 verbunden, beabsichtigten Lichtabstrablrichtung entgegengesetz- Das Tragteil 12, die Diode 11, die Anschlußleitung ten unteren Oberfläche, das Tragteil, die Anschluß- 19 und die oberen Teile der Zuleitungsstäbe 17 und leitung und Teile der elektrischen Zuleitungsstäbe 18 werden durch ein Material 21 wie ein Glas oder einhüllt und in ihrer gegenseitigen Lage hält. einen Kunststoff des Acryltyps oder ein Kunstharz ein-
Bei einer bevorzugten Ausführungsform ist die io gehüllt, welches optisch das von der Diode 11 er-Oberfläche der Einkapselung oberhalb der in Ab- zeugte Licht durchläßt und so geformt ist, daß es Strahlrichtung der I ampe liegenden Oberfläche der eine gewünschte Fokussierung oder Verformung des Diode im wesentliches! halbkugelförmig gestaltet. Lichtbündels ergibt
Dieser Aufbau der Festkörperlampe bringt den Bei diesem Aufbau gemäß der Erfindung ist der
Grenzwinkel der Totalreflexion für die Lichtaussen- 15 Hauptteil der unteren, zur beabsichtigten Lichtabdung an der unteren Oberfläche der Diode auf ein stfahlrichtung entgegengesetzten Oberfläche der Minimum und damit die innere Lichtreflexion an Diode 11 durch Luft begrenzt (oder durch Stickstoff dieser unteren Oberfläche auf ein Maximum. Da- oder ein anderes Material mit einem geringen Bredurch wird die nutzbare Lichtmenge eihöht, welche chungsindex), und dadurch wird der Grenzwinkel der durch die obere und die Seitenflächen der Diode aus- ao Totalreflexion an der unteren Oberfläche verringert, gesandt wird. Die polierten, schräg verlaufenden Sei- und man erhält eine maximale innere Lichtreflexion tenwände der Vertiefung in dem Halteteil reflektie- an der unteren Oberfläche und dadurch eine Erhören das an den Seitenflächen der Diode abgestrahlte hung der nutzbaren Lichtleistung an der oberen Licht nach oben, so daß es zusammen mit dem durch Fläche und den Seitenflächen der Diode. Die polierdie obere Oberfläche der Diode abgestrahlten Licht »5 ten, geneigt verlaufenden Seitenwände 14 der ersten zu der nutzbaren Lichtleistung der Festkörperlampe Vertiefung 13 reflektieren das an den Seitenflächen beiträgt. Die Anordnung kann in Kunststoff oder der Diode austretende Licht nach oben. Dadurch Glas eingehüllt werden. Die elektrischen Verbindun- werden der Wirkungsgrad und die Lichtausgangsleigen werden oben auf dem Diodenelement und an der stung der Lampe weiter erhöht Ein geeigneter Neiunteren Fläche der Diode über das Tragteil, an dem 30 gungswinkel für die Seitenwände 14 üegt im Bereich sie befestigt ist, hergestellt. von etwa 30 bis 45° bezüglich der vertikalen Achse.
Es folgt eine Erläuterung der Erfindung an Hand Das Einkapselungsmittel 21 besitzt einen relativ
einer Beschreibung und von Abbildungen einer be- hohen Brechungsindex, und da es in Berührung mit vorzugten Ausführungsform. der oberen Fläche und den Seitenflächen der Diode
F i g. 1 ist eine Seitenansicht im Schnitt einer be- 35 11 steht, erhöht es den Grenzwinkel der Totalreflevorzugten Ausführungsform der Erfindung; xion an diesen Oberflächen und vergrößert damit die
F i g. 2 ist eine Draufsicht einer auf ihrem Tragteil durch die Oberflächen abgestrahlte Lichtmenge. Der befestigten Diode; obere Teil der Einkapselung 21 ist in einer Halbku-
F i g. 3 ist ein Querschnitt durch F i g. 2 längs der gelform abgerundet, und die Diode U wird an oder Linie 3-3; 40 zwischen dem Mittelpunkt und dem »Weierstrass-
Fig.4 ist eine perspektivische Ansicht der Fest- 'sehen Radius« der Halbkugel angebracht, um die körperlampe vor dem Einbau in eine Hülle. gewünschte Verteilung der Lichtstrahlung von der
Die bevorzugte Ausführungsform der Erfindung Lampe zu erhalten. Das Einkapselungsmittel 21 erentsprechend den Abbildungen umfaßt eine lichtaus- füllt zusätzlich zu den obigen Funktionen noch den sendende Diode 11, die auf einem metallischen Trag- 45 Zweck, die Zuleitungsstäbe 17, 18 und die benachteil 12 befestigt ist. Das Tragteil 12 ist mit einer er- barten Bauteile in ihrer gegenseitigen Lage zu halten, sten Vertiefung 13 versehen, welche polierte, geneigt Die Abbildungen zeigen die Festkörperlampe und
verlaufende, reflektierende Seitenwände 14 besitzt. ihre Teile zur besseren Übersichtlichkeit in einem Am Boden der Vertiefung 13 ist eine konzentrische vergrößerten Maßstab. Bei einer bevorzugten Größe zweite Vertiefung 16 vorgesehen. Die scheibenför- 50 einer praktischen Festkörperlampe besitzt beispielsmige Diode 11 ist eben und quadratisch, wobei die weise die Einkapselung 21 eine Höhe von et-Kantenlängen des Quadrates etwa gleich dem Innen- wa 6 mm.
durchmesser der kreisförmigen zweiten Vertiefung 16 Es ist zu beachten, daß die Festkörperlampe gesind. Die Diode 11 ist so auf dem Tragteil 12 in dem maß der Erfindung neben der erzielten Steigerung vertieften Bereich über der zweiten Vertiefung 16 be- 55 des Wirkungsgrades und der Lichtausgangsleistung festigt, daß die unten liegenden Eckenbereiche der einer Festkörperlampe auch noch auf praktische Diode 11 elektrisch und mechanisch durch Löten Weise und wirtschaftlich herstellbar ist und die oder andere geeignete Mittel mit dem Tragteil 12 üblicherweise große kreisförmige Halteplatte oder verbunden sind. Das Tragteil 12 ist an einem elektri- Tragteil zur Befestigung der Diode beseitigt.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (1)

menge, welche durch die Diodenoberfläche austritt, Patentansprüche: wird so gebeugt, saß sich eine halbkugelförmige oder »Lambert'sche« Lichtverteilung außerhalb der Diode
1. Festkörperlampe mit einer scheibenförmigen bildet. Aus den obengenannten Gründen haben lichtaussendenden Diode, welche mit der zur be- 5 solche Festkörperlainpen einen geringen Wirkungsabsichtigten Lichtabstrahlrichtung entgegengesetz- grad und erzeugen eine niedrige Lichtintensität.
ten Oberfläche auf einem Tragteil aus elektrisch Ein Weg zur Erhöhung des Wirkungsgrades und
leitendem Material befestigt ist, dadurch ge- der Iichüeistung einer lichtaussendenden Diode
kennzeichnet, daß alle Schichten der Diode besteht darin, das Diodenmaterial in die Form einer
lichtdurchlässig sind, daß das Tragteil (12) eine io Kugel oder einer Teilkugel zu bringen. Der das Licht
erste Vertiefung (13) mit reflektierenden Seiten- erzeugende Übergangsbereich ist dann in dem Be-
wänden (14) besitzt, die in Richtung auf eine Bo- reich zwischen dem Mittelpunkt und dem sogenann-
denfläche verjüngt sind, auf welcher die Diode ten »Weierstrass'schen Radius« der Kugel lokalisiert
aufliegt und an ihren Randteilen mit der Boden- (deutsche Offenlegungsschrift 1489 518). Dieses
fläche -uechanisch und elektrisch verbunden ist. 15 Verfahren ist nicht völlig geeignet, da das Diodenma-
und daß in der Bodenfläche unter dem Hauptteii terial kostspielig ist und nur schwer zu einer Kugel-
der Diode eine zweite Vertiefung (16) vorhanden form verarbeitet werden kann. Außerdem besitzt es
ist, so daß der Hauptteil der zur beabsichtigten einen hohen Lichtabsorptionskoeffizienten, wodurch
Lichtabstrahlrichtung entgegengesetzten Ober- die für die Herstellung der Kugel erforderliche grö-
fläche der Diode durch Luft oder ein anderes *o ßere Materialmenge einen beträchtlichen Lichtanteil
Material mit niedrigem Brechungsindex begrenzt absorbiert,
ist. Aus der französischen Patentschrift 1490 665 ist
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GB (1) GB1308487A (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2542095A1 (de) * 1975-09-20 1977-03-24 Licentia Gmbh Halbleiteranordnung fuer die ziffernanzeige

Families Citing this family (120)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3746853A (en) * 1972-03-10 1973-07-17 Bell Canada Northern Electric Light emitting devices
US3774021A (en) * 1972-05-25 1973-11-20 Bell Telephone Labor Inc Light emitting device
GB1383548A (en) * 1972-06-29 1974-02-12 Plessey Co Ltd Light emitting diode assembly
US3932881A (en) * 1972-09-05 1976-01-13 Nippon Electric Co., Inc. Electroluminescent device including dichroic and infrared reflecting components
US3774086A (en) * 1972-09-25 1973-11-20 Gen Electric Solid state lamp having visible-emitting phosphor at edge of infrated-emitting element
US3764862A (en) * 1972-10-19 1973-10-09 Fairchild Camera Instr Co Lead frame for light-emitting diodes
JPS49112163U (de) * 1973-01-23 1974-09-25
US3860847A (en) * 1973-04-17 1975-01-14 Los Angeles Miniature Products Hermetically sealed solid state lamp
US3938177A (en) * 1973-06-25 1976-02-10 Amp Incorporated Narrow lead contact for automatic face down bonding of electronic chips
JPS5025474U (de) * 1973-06-29 1975-03-24
JPS5025473U (de) * 1973-06-29 1975-03-24
US3911430A (en) * 1974-04-17 1975-10-07 Fairchild Camera Instr Co Alpha-numeric display package
FR2285722A1 (fr) * 1974-09-18 1976-04-16 Radiotechnique Compelec Dispositif optoelectronique et son procede de fabrication
US4025896A (en) * 1975-06-11 1977-05-24 Amp Incorporated Illuminated display system and method of wiring said system
US4110661A (en) * 1977-04-01 1978-08-29 Rockwell International Corporation Light emitting device for optical communications
US4255688A (en) * 1977-12-15 1981-03-10 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Light emitter mounted on reflector formed on end of lead
DE3005301C2 (de) * 1980-02-13 1985-11-21 Telefunken electronic GmbH, 7100 Heilbronn Varaktor- oder Mischerdiode
US4827301A (en) * 1984-12-11 1989-05-02 Minolta Camera Kabushiki Kaisha Focus detection system and lighting device therefor
US4690538A (en) * 1984-12-11 1987-09-01 Minolta Camera Kabushiki Kaisha Focus detection system and lighting device therefor
US4843415A (en) * 1986-09-22 1989-06-27 Minolta Camera Kabushiki Kaisha Automatic focus detection system
GB2206444A (en) * 1987-06-10 1989-01-05 Yue Wen Cheng Light emitting diode
US4920404A (en) * 1989-05-12 1990-04-24 Hewlett-Packard Company Low stress light-emitting diode mounting package
JPH0379892A (ja) * 1989-08-21 1991-04-04 Yoshihisa Miura チャック付きフェルール
US5910854A (en) 1993-02-26 1999-06-08 Donnelly Corporation Electrochromic polymeric solid films, manufacturing electrochromic devices using such solid films, and processes for making such solid films and devices
US5668663A (en) 1994-05-05 1997-09-16 Donnelly Corporation Electrochromic mirrors and devices
US6891563B2 (en) 1996-05-22 2005-05-10 Donnelly Corporation Vehicular vision system
US6600175B1 (en) 1996-03-26 2003-07-29 Advanced Technology Materials, Inc. Solid state white light emitter and display using same
US5742120A (en) * 1996-05-10 1998-04-21 Rebif Corporation Light-emmiting diode lamp with directional coverage for the emmitted light
JP3076966B2 (ja) * 1996-06-14 2000-08-14 スタンレー電気株式会社 発光ダイオード素子
US5833903A (en) * 1996-12-10 1998-11-10 Great American Gumball Corporation Injection molding encapsulation for an electronic device directly onto a substrate
US6326613B1 (en) 1998-01-07 2001-12-04 Donnelly Corporation Vehicle interior mirror assembly adapted for containing a rain sensor
US8294975B2 (en) 1997-08-25 2012-10-23 Donnelly Corporation Automotive rearview mirror assembly
US6124886A (en) 1997-08-25 2000-09-26 Donnelly Corporation Modular rearview mirror assembly
US6172613B1 (en) 1998-02-18 2001-01-09 Donnelly Corporation Rearview mirror assembly incorporating vehicle information display
US8288711B2 (en) 1998-01-07 2012-10-16 Donnelly Corporation Interior rearview mirror system with forwardly-viewing camera and a control
US6445287B1 (en) 2000-02-28 2002-09-03 Donnelly Corporation Tire inflation assistance monitoring system
US6690268B2 (en) 2000-03-02 2004-02-10 Donnelly Corporation Video mirror systems incorporating an accessory module
US6329925B1 (en) 1999-11-24 2001-12-11 Donnelly Corporation Rearview mirror assembly with added feature modular display
US6693517B2 (en) 2000-04-21 2004-02-17 Donnelly Corporation Vehicle mirror assembly communicating wirelessly with vehicle accessories and occupants
US6477464B2 (en) 2000-03-09 2002-11-05 Donnelly Corporation Complete mirror-based global-positioning system (GPS) navigation solution
JP3785820B2 (ja) 1998-08-03 2006-06-14 豊田合成株式会社 発光装置
DE19959609A1 (de) * 1999-12-10 2001-06-28 Volkswagen Ag Außenrückspiegel mit integriertem Fahrtrichtungsanzeiger
FR2803436A1 (fr) * 1999-12-31 2001-07-06 Decaudin Jean Michel Dispositif de boitier de conditionnement pour diode electroluminescente
US7167796B2 (en) 2000-03-09 2007-01-23 Donnelly Corporation Vehicle navigation system for use with a telematics system
US7855755B2 (en) 2005-11-01 2010-12-21 Donnelly Corporation Interior rearview mirror assembly with display
US7370983B2 (en) 2000-03-02 2008-05-13 Donnelly Corporation Interior mirror assembly with display
US6867542B1 (en) 2000-03-29 2005-03-15 General Electric Company Floating chip photonic device and method of manufacture
JP2002141556A (ja) 2000-09-12 2002-05-17 Lumileds Lighting Us Llc 改良された光抽出効果を有する発光ダイオード
AU2002251807A1 (en) 2001-01-23 2002-08-19 Donnelly Corporation Improved vehicular lighting system for a mirror assembly
US7255451B2 (en) 2002-09-20 2007-08-14 Donnelly Corporation Electro-optic mirror cell
US7581859B2 (en) 2005-09-14 2009-09-01 Donnelly Corp. Display device for exterior rearview mirror
US7695166B2 (en) * 2001-11-23 2010-04-13 Derose Anthony Shaped LED light bulb
US20050188569A1 (en) * 2001-11-23 2005-09-01 Derose Anthony Display signs and ornaments for holiday seasons
US20080084009A1 (en) * 2005-05-02 2008-04-10 Derose Anthony Method of Making Shaped LED Light Bulb
GB2403800B (en) * 2001-12-31 2006-06-07 Brasscorp Ltd LED inspection lamp and LED spot light
US6918674B2 (en) 2002-05-03 2005-07-19 Donnelly Corporation Vehicle rearview mirror system
US7329013B2 (en) 2002-06-06 2008-02-12 Donnelly Corporation Interior rearview mirror system with compass
WO2003105099A1 (en) 2002-06-06 2003-12-18 Donnelly Corporation Interior rearview mirror system with compass
US7310177B2 (en) 2002-09-20 2007-12-18 Donnelly Corporation Electro-optic reflective element assembly
US7274501B2 (en) 2002-09-20 2007-09-25 Donnelly Corporation Mirror reflective element assembly
MXPA05003469A (es) * 2002-10-01 2005-06-03 Truck Lite Co Faro delantero con diodo emisor de luz y montaje de faro delantero.
US7420271B2 (en) * 2003-02-20 2008-09-02 Tsung Hsin Chen Heat conductivity and brightness enhancing structure for light-emitting diode
TW560813U (en) * 2003-03-06 2003-11-01 Shang-Hua You Improved LED seat
US7289037B2 (en) 2003-05-19 2007-10-30 Donnelly Corporation Mirror assembly for vehicle
CA2634475C (en) * 2003-07-07 2014-05-20 Brasscorp Limited Led-based inspection lamp with improved collimation optics
US7798667B2 (en) * 2003-07-07 2010-09-21 Brasscorp Limited LED spotlight
EP1668960A2 (de) * 2003-09-08 2006-06-14 Nanocrystal Lighting Corporation Lichteffiziente kapselungskonfigurationen für led-lampen durch verwendung von verkapselungsmitteln mit hohem brechungsindex
MY130919A (en) * 2003-09-19 2007-07-31 Mattel Inc Multidirectional light emitting diode unit
US7446924B2 (en) 2003-10-02 2008-11-04 Donnelly Corporation Mirror reflective element assembly including electronic component
US7308341B2 (en) 2003-10-14 2007-12-11 Donnelly Corporation Vehicle communication system
US8562184B2 (en) * 2004-03-18 2013-10-22 Brasscorp Limited LED work light
US7553051B2 (en) 2004-03-18 2009-06-30 Brasscorp Limited LED work light
EP1883855B1 (de) 2005-05-16 2011-07-20 Donnelly Corporation Fahrzeugspiegelanordnung mit zeichen am reflektierenden teil
TWI289945B (en) * 2005-12-23 2007-11-11 Jiahn-Chang Wu Light board with cassette light unit
US20080074583A1 (en) * 2006-07-06 2008-03-27 Intematix Corporation Photo-luminescence color liquid crystal display
US8947619B2 (en) 2006-07-06 2015-02-03 Intematix Corporation Photoluminescence color display comprising quantum dots material and a wavelength selective filter that allows passage of excitation radiation and prevents passage of light generated by photoluminescence materials
US20080029720A1 (en) * 2006-08-03 2008-02-07 Intematix Corporation LED lighting arrangement including light emitting phosphor
US20080151143A1 (en) * 2006-10-19 2008-06-26 Intematix Corporation Light emitting diode based backlighting for color liquid crystal displays
US8066402B2 (en) * 2006-12-24 2011-11-29 Brasscorp Limited LED lamps including LED work lights
US20080192458A1 (en) 2007-02-12 2008-08-14 Intematix Corporation Light emitting diode lighting system
US7972030B2 (en) * 2007-03-05 2011-07-05 Intematix Corporation Light emitting diode (LED) based lighting systems
KR101346342B1 (ko) * 2007-03-30 2013-12-31 서울반도체 주식회사 낮은 열저항을 갖는 발광 다이오드 램프
US8203260B2 (en) * 2007-04-13 2012-06-19 Intematix Corporation Color temperature tunable white light source
US7703943B2 (en) * 2007-05-07 2010-04-27 Intematix Corporation Color tunable light source
DE102007049799A1 (de) * 2007-09-28 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
US8783887B2 (en) 2007-10-01 2014-07-22 Intematix Corporation Color tunable light emitting device
US7915627B2 (en) 2007-10-17 2011-03-29 Intematix Corporation Light emitting device with phosphor wavelength conversion
US8567973B2 (en) 2008-03-07 2013-10-29 Intematix Corporation Multiple-chip excitation systems for white light emitting diodes (LEDs)
US8740400B2 (en) 2008-03-07 2014-06-03 Intematix Corporation White light illumination system with narrow band green phosphor and multiple-wavelength excitation
US8154418B2 (en) 2008-03-31 2012-04-10 Magna Mirrors Of America, Inc. Interior rearview mirror system
US20100027293A1 (en) * 2008-07-30 2010-02-04 Intematix Corporation Light Emitting Panel
US9487144B2 (en) 2008-10-16 2016-11-08 Magna Mirrors Of America, Inc. Interior mirror assembly with display
US8822954B2 (en) * 2008-10-23 2014-09-02 Intematix Corporation Phosphor based authentication system
US8390193B2 (en) * 2008-12-31 2013-03-05 Intematix Corporation Light emitting device with phosphor wavelength conversion
US8651692B2 (en) * 2009-06-18 2014-02-18 Intematix Corporation LED based lamp and light emitting signage
US20110110095A1 (en) * 2009-10-09 2011-05-12 Intematix Corporation Solid-state lamps with passive cooling
US8779685B2 (en) * 2009-11-19 2014-07-15 Intematix Corporation High CRI white light emitting devices and drive circuitry
US20110149548A1 (en) * 2009-12-22 2011-06-23 Intematix Corporation Light emitting diode based linear lamps
US8807799B2 (en) 2010-06-11 2014-08-19 Intematix Corporation LED-based lamps
US8888318B2 (en) 2010-06-11 2014-11-18 Intematix Corporation LED spotlight
US8946998B2 (en) 2010-08-09 2015-02-03 Intematix Corporation LED-based light emitting systems and devices with color compensation
US8604678B2 (en) 2010-10-05 2013-12-10 Intematix Corporation Wavelength conversion component with a diffusing layer
US8610341B2 (en) 2010-10-05 2013-12-17 Intematix Corporation Wavelength conversion component
US8610340B2 (en) 2010-10-05 2013-12-17 Intematix Corporation Solid-state light emitting devices and signage with photoluminescence wavelength conversion
US9546765B2 (en) 2010-10-05 2017-01-17 Intematix Corporation Diffuser component having scattering particles
US8957585B2 (en) 2010-10-05 2015-02-17 Intermatix Corporation Solid-state light emitting devices with photoluminescence wavelength conversion
US8614539B2 (en) 2010-10-05 2013-12-24 Intematix Corporation Wavelength conversion component with scattering particles
US9004705B2 (en) 2011-04-13 2015-04-14 Intematix Corporation LED-based light sources for light emitting devices and lighting arrangements with photoluminescence wavelength conversion
US8992051B2 (en) 2011-10-06 2015-03-31 Intematix Corporation Solid-state lamps with improved radial emission and thermal performance
US20130088848A1 (en) 2011-10-06 2013-04-11 Intematix Corporation Solid-state lamps with improved radial emission and thermal performance
US9115868B2 (en) 2011-10-13 2015-08-25 Intematix Corporation Wavelength conversion component with improved protective characteristics for remote wavelength conversion
US9365766B2 (en) 2011-10-13 2016-06-14 Intematix Corporation Wavelength conversion component having photo-luminescence material embedded into a hermetic material for remote wavelength conversion
CN104247058B (zh) 2012-04-26 2017-10-03 英特曼帝克司公司 用于在远程波长转换中实施色彩一致性的方法及设备
US8994056B2 (en) 2012-07-13 2015-03-31 Intematix Corporation LED-based large area display
JP2014120514A (ja) * 2012-12-13 2014-06-30 Sharp Corp 半導体発光装置
US20140185269A1 (en) 2012-12-28 2014-07-03 Intermatix Corporation Solid-state lamps utilizing photoluminescence wavelength conversion components
US9217543B2 (en) 2013-01-28 2015-12-22 Intematix Corporation Solid-state lamps with omnidirectional emission patterns
CN105121951A (zh) 2013-03-15 2015-12-02 英特曼帝克司公司 光致发光波长转换组件
US9318670B2 (en) 2014-05-21 2016-04-19 Intematix Corporation Materials for photoluminescence wavelength converted solid-state light emitting devices and arrangements
KR101945850B1 (ko) 2015-03-23 2019-02-08 인터매틱스 코포레이션 광발광 컬러 디스플레이

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA802489A (en) * 1968-12-24 Zschauer Karl-Heinz Luminescence diodes
US3290539A (en) * 1963-09-16 1966-12-06 Rca Corp Planar p-nu junction light source with reflector means to collimate the emitted light
GB1044486A (en) * 1964-09-09 1966-09-28 Nat Res Dev Semiconductor lamp construction
DE1243268B (de) * 1965-05-29 1967-06-29 Telefunken Patent Lumineszenz-Diode

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2542095A1 (de) * 1975-09-20 1977-03-24 Licentia Gmbh Halbleiteranordnung fuer die ziffernanzeige

Also Published As

Publication number Publication date
BE760890A (fr) 1971-06-28
JPS4913916B1 (de) 1974-04-03
US3676668A (en) 1972-07-11
DE2062209A1 (de) 1971-07-08
DE2062209C3 (de) 1975-01-09
GB1308487A (en) 1973-02-21

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