DE2153889A1 - Beam-lead-halbleiterbauelement - Google Patents
Beam-lead-halbleiterbauelementInfo
- Publication number
- DE2153889A1 DE2153889A1 DE2153889A DE2153889A DE2153889A1 DE 2153889 A1 DE2153889 A1 DE 2153889A1 DE 2153889 A DE2153889 A DE 2153889A DE 2153889 A DE2153889 A DE 2153889A DE 2153889 A1 DE2153889 A1 DE 2153889A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor
- layers
- insulating layer
- semiconductor component
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
- H01L23/4822—Beam leads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1203—Rectifying Diode
- H01L2924/12032—Schottky diode
Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Halbleiterbauelement mit beam-lead-Anschlüssen und mit einer Schottky-Metall-Halbleiterkontaktstruktur
und wenigstens einer weiteren Kontaktstruktur, wobei das Halbleitermaterial Gebiete unterschiedlich hohen
Dotierungsgrades desselben Leitungstypus hat und wobei auf dem Halbleitermaterial eine Isolierschicht vorgesehen ist, die
an wenigstens zwei Stellen mit Aussparungen versehen ist, wobei das unter einer Aussparung liegende Material an der Oberfläche
des Halbleiters einen anderen Dotierungsgrad hat als das unter der anderen Aussparung liegende Material an der
Oberfläche des Halbleiters und wobei die Halbleiteroberfläche im Bereich dieser Aussparungen mit Kontaktierungen versehen
ist.
Halbleiterbauelemente mit beam-lead-Anschlüssen solcher Art sind bekannt. Sie bestehen beispielsweise aus einem Substrat
aus Halbleitermaterial mit einer auf dem Substrat aufgewachsenen epitaktischen Schicht, einem Schottky-I-Ietall-Halbleiterkontakt
und einem weiteren Xontakt. Dabei ist über der gesamten Halbleiteranordnung eine Isolierschicht angebracht,
die über den eigentlichen Metall-Halbleiterkontakten entfernt ist. In einem Verfahrensgang wird auf den eigentlichen Ketall-Halbleiterkontakten
eine Metallschicht aufgedampft, die .die Aussparung in der Isolierschicht ausfüllt und auf der Isolierschicht
Anschlüsse bildet. Bei genügend großer Dicke der Anschlüsse wird der AufdampfVorgang beendet.
Ein Nachteil solcher Beara-lead-Halbleiterbauelemento liegt darin,
daß zwischen der Oberfläche der epitaktischen Schicht und dem
Metall auf der Isolierschicht eine parallel zu dem eigentlichen
VPA 9/712/10S9-VP/BK
309818/0535
—2—
Schottky-Metall-Halbleiterkontakt liegende Kapazität entsteht, die in der Sperrphase des Kontaktes störend ist. Beam-lead-Halbleiterbauelemente
dieser Art können daher nur bedingt angewendet werden.
Eine Aufgabe der Erfindung ist es, ein beam-lead-Halbleiterbauelement
anzugeben, bei dein der vorgenannte Nachteil vermieden
ist.
Diese Aufgabe wird durch ein, wie oben angegebenes Halbleiterbauelement
mit beam-lead-Anschlüssen gelöst, das erfindungsf
gemäß dadurch gekennzeichnet ist, daß die Kontaktierungen mit Keimschichten versehen sind und daß die Isolierschicht an den
Stellen der Aussparungen wenigstens bis an den Rand der Keimschichten reicht, daß auf der Oberfläche dieser Isolierschicht
elektrisch voneinander getrennte Anschlüsse vorgesehen sind, die jeweils auf der Isolierschicht eu den Aussparungen führen
und daß auf den, von der Isolierschicht freigelassenen Oberflächen der Keimschichten und auf den Anschlüssen auf der
Isolierschicht elektrisch leitende Aufwachsschiehten so angeordnet
sind, daß jeweils ein Anschluß mit jeweils einer Keimschicht elektrisch verbunden ist.
Gemäß einer V/eiterbildung der Erfindung wird ein Verfahren zur
" Herstellung eines solchen beam-lead-Halbleiterbauelementes
vorgeschlagen, daß erfindungsgemäß dadurch gekennzeichnet ist, daß auf einem Substrat aus hochdotiertem Halbleitermaterial
eine Schicht epitaktisch aufgewachsen wird, daß ein Teilbereich der epitaktischen Schicht und ein Teil des unter diesem Teilbereich
liegenden Substrats in v/eiteren Verfabrensschritten entfernt werden, daß auf die freiliegende Oberfläche des
Substrats aus Halbleitermaterial eine Metall- oder Legierungsschicht aufgebracht wird, die mit dem Substrat einen sperrfreien
Kontakt bildet und daß auf einen Teilbereich der epitaktischen Schicht eine Metallschicht aufgebracht wird, die
YPA 9/712/1089 -3-
309818/0535
mit der epitaktischen Schiebt den Schottky-Metall-Halbleiterkontakt
bildet, daß anschließend auf die freiliegenden Metallschichten bzw. auf die freiliegende Metallschicht und die
freiliegende Legierungsschicht des sperrfreien Kontaktes und des Schottky-Metall-Kalbleiterkontaktes Keimschichten aufgebracht
werden, daß in einem weiteren Verfahrensschritt die Isolierschicht zunächst auf die gesamte freiliegende Oberfläche
der epitaktischen Schicht» des Substrats aus Halbleitermaterial, der Metallschichten bzw. der Metall- und der Legierungsschicht, soweit diese von den Keimschichten nicht überdeckt
werden und der Keimschichten aufgebracht wird und daß die Isolierschicht anschließend über den Keimschichten wenigstens
bis auf jeweils einen verbleibenden Randbereich der Keimschichten oder höchstens soweit entfernt wird, daß die von
der Isolierschicht freigelassenen Oberflächen der Keimschichten jeweils gleich der gesamten Oberflächen der Keimschichten sind,
daß auf die Oberfläche der Isolierschicht elektrisch voneinander getrennte Anschlüsse aufgedampft werden, die jeweils auf der
Isolierschicht zu den freiliegenden Bereichen der Keimschichten führen, daß in einem weiteren Terfahrensschritt zunächst auf
die freiliegenden Oberflächen der Keimschichten Aufwacbsschichten galvanisch aufgewachsen werden und daß die Aufwachsschichten,
wenn sie die Ebene der Isolierschicht überragen und wenn sie mit den ihnen zugeordneten Anschlüssen elektrisch in Verbindung
stehen auch auf diese aufgewachsen werden, daß der Aufwachsprozeß bei ausreichender Stärke der Anschlüsse abgebrochen
wird und daß in einem Verfahrensschritt die Halbleiteranordnung vorder- und rückseitig mit ätzresistenten Schichten versehen
wird und daß schließlich in einem Ätzvorgang alle nicht abgedeckten Flächen des Halbleiterbauelementes weggeätzt werden.
Die durch die Erfindung erzielbaren Vorteile bestehen insbesondere
darin, daß sowohl die Schottky-Metall-Halbleiterkontaktstruktur als aiich die weitere Kontaktstruktur des
erfindungsgemäßen beam-lead-Halbleiterbauelementes auch bei
VPA 9/712/1089 -4-
309818/0535
großer Dicke der Isolierschiebt sicher elektrisch angeschlossen
werden können und daß die Parallelkapazität, die parallel zu dem eigentlichen Scbottkv-Metall-Halbleiterkontakt
zwischen der Oberfläche der epitaktischen Schicht und der Aufwachssehicht auf der Isolierschicht vorliegt
sehr klein gehalten werden kann.
Zu der Erfindung führten die folgenden Überlegungen. Einer Erniedrigung der Parallelkapazität durch Verstärkung der Isolierschicht
wird bei den bekannten beam-lead-Halbleiterbauelementen
dadurch eine Grenze gesetzt, daß erstens das aufgedampfte lietall
von einer bestimmten Stärke der Isolierschicht an keine zusammenhängende Schicht zwischen der Oberfläche der Isolierschicht
und der Oberfläche der epitaktischen Schicht bildet und daß zweitens die Herstellung sehr kleinflächiger und
maßhaltiger Öffnungen in der Isolierschicht bei großer Isolierschichtstärke
schwierig ist.
Weitere Einzelheiten der Erfindung gehen aus der Beschreibung und den Figuren bevorzugter Ausführungsbeispiele der Erfindung
und ihrer Weiterbildungen hervor.
Figur 1 zeigt in schematischer Darstellung ein erfindungsgemäßes
beam-lead-Halbleiterbauelement vor dem Aufwachsen der
Aufwachsschichten.
Figur 2 zeigt in scheraatischer Darstellung ein erfindungsgemäßes
Halbleiterbauelement nach dem Aufwachsen der Aufwachsschichten.
In den Figuren 3 bis 13 sind die einzelnen Verfahrensschritte zur Herstellung eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementes
mit beam-lead-Anschlüssen scbematisch dargestellt.
Der Halbleiterkörper eines in der Figur 1 dargestellten,
VPA 9/712/1089 -5-
309818/0535
erfindungsgemäßen Ealbleiterbauelernentes besteht aus zwei
Gebieten unterschiedlich hohen Dotierungsgrades desselben Leitungstypus. Das mit dem Bezugszeichen 11 versehene Gebiet
ist höher dotiert als das Gebiet 22. Die Kontaktierung 4 bildet mit dem höher dotierten Gebiet vorzugsweise einen sperrfreien
Kontakt, während die Metallschicht 5 mit dem weniger hoch dotiertem Gebiet einen Schottky-Metall-Halbleiterkontakt
bildet. Auf die Schichten 4 und 5 sind die Keimschichten 6 aufgebracht. Die mit dem Bezugszeichen 7 versehene Isolierschicht
ist bis auf die Aussparungen 88 und 99 über den Keimschichten auf der gesamten Halbleiteranordnung aufgebracht.
Die Anschlüsse 10 führen auf der Isolierschicht zu diesen Aussparungen.
In der Figur 2 sind die auf die Keimschichten 6 und auf die Anschlüsse 10 aufgewachsenen Aufwachsschichten mit dem Bezugszeichen
14 versehen.
In der Figur 3 ist das höher dotierte Substrat aus Halbleitermaterial
mit 1 bezeichnet. Dieses Substrat besteht vorzugsweise aus einem hochdotiertem η-Substrat, beispielsweise aus
η -dotiertem Galliumarsenid. Auf diesem Substrat ist die weniger hoch dotierte Schicht 2 epitaktisch aufgewachsen.
Vorzugsweise handelt es sich bei dieser epitaktischen Schicht um eine dünne epitaktische n-Schicht.
Die in einem Teilbereich der epitaktischen Schicht 2 und vorzugsweise
auch in dem unter diesem Teilbereich liegenden Substrat angebrachte Aussparung 3 ist in der Figur 4 dargestellt.
Die Herstellung dieser Aussparung 3 geschieht vorzugsweise mit Hilfe eines fotolithografischen Verfahrensschrittes und anschließender Atzung.
In der Figur 5 ist die in der Aussparung 3 auf dem Substrathalbleiter
aufgebrachte Schicht 4 dargestellt. Die Schicht
VPA 9/712/1089 -6-
309818/0535
bildet mit dem Substrathalbleiter vorzugsweise einen sperrfreien
Kontakt. Sie besteht vorzugsweise aus einer GoId-Germanium-Legierung
oder einer Silber-Indium-Germanium-Legierung. Da in einera späteren Verfahrensschritt auf die
Schicht 4 eine metallische Keimschicht aufgebracht werden soll, kann bei einer bevorzugten Ausführungsform de3 erfindungsgernäßen
beam-lead-Halbleiterbauelementes auf die
Schicht 4 eine Chrom- bzw. eine Chrom-Nickel-Schicht als Haftvermittler aufgebracht werden.
In der Figur 6 ist die auf einen Teilbereich der epitaktischen Schicht aufgebrachte, vorzugsweise aufgedampfte, Schicht 5
dargestellt. Bei dieser Schicht 5 handelt es sich vorzugsweise um eine Chromschicht. Die Schicht 5 bildet im Zusammenhang
mit der epitaktischen Schicht einen Schottky-Metall—Halbleiter-kontakt.
Wie Figur 7 zeigt werden auf die wie oben beschriebenen Schichten 4 ^nd 5 die Keimschichten 6 aufgebracht. Vorzugsweise bestehen die Keimschichten 6 aus Silber, Gold oder
Nickel und sind deckungsgleich mit den unter ihnen liegenden Schichten.
Figur 8 zeigt die zunächst auf die gesamte freiliegende Oberfläche
der epitaktischen Schicht, auf die in der Aussparung 3 freiliegende Oberfläche des Substrats aus Halbleitermaterial,
auf die Oberflächen der Metall- bzw. Legierungsschichten, soweit diese nicht von den über ihnen liegenden Keimschichten bedeckt
sind, und auf die freiliegenden Oberflächen der Keimschichten aufgebrachte Isolierschicht. Die Isolierschicht ist mit dem
Bezugszeichen 7 versehen und besteht aus einem elektrisch isolierendem Material. Als solche Materialien werden vorzugsweise
S1O2, Si^H, oder A^O., angegeben. Insbesondere kann
auch ausgeheizter Fotolack als Isolierschicht dienen, da er eine kleinere Dielektrizitätskonstante besitzt als die oben
genannten Isolierschichten.
YPA 9/712/1089 -7-
309818/0535
Anschließend wird die Isolierschient I1 wie in der Figur 9
dargestellt, über den Keimschichten entweder bis auf einen verbleibenden Randbereich der Keimschichten oder vorzugsweise
höchstens so weit entfernt, daß die von der Isolierschicht jeweils freigelassene Oberfläche der Keimschicht gleich der gesamten
Oberfläche der jeweiligen Keimschicht ist. Die über diesen freigelassenen Oberflächen der Keiraschichten liegenden,
in der Isolierschicht befindlichen Aussparungen tragen die Bezugszeichen 8 und 9. Die über der sperrfreien Kontaktstruktur
liegende Aussparung trägt das Bezugszeichen 8, während die über der Schottky-Metall-Ealbleiterstruktur liegende Aussparung das
Bezugszeichen 9 trägt.
Die in der Figur 10 dargestellten, auf der Isolierschicht angebrachten,
elektrisch voneinander getrennten Anschlüsse tragen die Bezugszeichen 10. Vorzugsweise werden die als Anschlüsse
vorgesehenen Metallschichten aufgedampft und mit Hilfe eines fotolithografischen Verfahrensschrittes in die erforderlichen
Strukturen gebracht. Sie können beispielsweise aus Gold, Silber oder Nickel bestehen. Die Anschlüsse 10 führen, elektrisch
voneinander getrennt, -auf der Isolierschicht zu den Aussparungen der ihnen jeweils zugeordneten Kontaktstrukturen.
In der Figur 11 sind die auf die Keimschichten und auf die Anschlüsse aufgewachsenen Aufwachsschichten dargestellt. Sie
tragen das Bezugszeichen 14- Das Aufwachsen der Aufwachsschichten auf die Oberflächen der Keimschichten und auf die
Oberflächen der Anschlüsse erfolgt vorzugsweise auf folgende Weise. Durch das Eintauchen der in der Figur 10 schematisch
dargestellten Halbleiteranordnung, die an der, dem Metall-Halbleiterkontakt und dem Schottky-Metall-Halbleiterkontakt
gegenüberliegenden Fläche des Substrathalbleiters mit einem ßperrfreien Kontakt 13 versehen ist, in einen Elektrolyten,
der das Metall der Keimschicht als Ion enthält und durch geeignete Polung des Substrats scheiden sich bei Stromfluß
VPA 9/712/1089 -8-
309818/0535
zwischen dem Substrat aus Halbleitermaterial und einer
Elektrode, vorzugsweise einer Platinelektrode, die Aufwachsschichten H auf der Oberfläche der Keimschicht 3 ab.
Im Verlaufe des Aufwachsprozesses gewinnen die zunächst noch in den über den Keiinschichten in eier Isolierschicht angebrachten
Aussparungen befindlichen Aufwachsschichten an Dicke und erreichen schließlich die Ebene der Isolierschicht.
Die Aufwachsschichten H gelangen in elektrischen Kentakt
mit den zu den in der Isolierschicht befindlichen inzwischen durch die Aufwachsschichten aufgefüllten Aussparungen führenden
Anschlüssen 10, wenn sie die Ebene der Isolierschicht überragen. Sobald dieser elektrische Kontakt zwischen den Aufwachsschichten
und den ihnen jeweils zugeordneten Anschlüssen hergestellt ist, beginnen die Aufwachsschichten auch auf den
ihnen zugeordneten Anschlüssen aufzuwachsen. Die Anschlüsse 10 werden dadurch verstärkt. Der Aufwachsprozeß wird abgebrochen,
wenn die Aufwachsschichten die Anschlüsse 10 in genügender Weise verstärkt haben. Vorzugsweise beträgt die
Dicke der Aufwachsschichten auf den Anschlüssen etwa 10 ram.
In einem v/eiteren Verfahrensschritt wird, wie in der Figur 12 dargestellt, die Halbleiteranordnung der Figur 11 vorder-
und rückseitig mit ätzresistenten Schichten 12 versehen. Diese ätzresistenten Schichten bestehen vorzugsweise aus SiO2 oder
AIpO^. Sie müssen gegen Ätzmittel, die das Halbleitermaterial
angreifen resistent sein. Als Ätzmittel kann vorzugsweise eine Lösung aus H2SO-, HpOp und H2O dienen, wobei in der Lösung
drei Teile H2SO-, ein Teil H3O2 und ein Teil H2O enthalten sind.
Durch einen abschließenden Ätzvorgang werden die nicht durch die ätzresistenten Schichten abgedeckten Teile der Halbleiteranordnung
weggeätzt.
Auf diese Weise gelangt nan zu den fertigen, in der Figur 1j5
VPA 9/712/1089 -9-
309818/0535
sehematisch dargestellten beam-lead-Halbleiterbauelemeiit, das
mit den verstärkten, durch den Ätzschritt außerhalb der ätzresistenten Schichten freigelegten Anschlüssen direkt in
Schaltungen eingelötet werden kann. Daher braucht das beamlead-Halbleiterbauelement nicht gekapselt zu werden.
Schaltungen eingelötet werden kann. Daher braucht das beamlead-Halbleiterbauelement nicht gekapselt zu werden.
Das erfindungsgemäße beam-lead-Halbleiterbauelement besteht
im wesentlichen aus einem sperrfreien Kontakt und aus einem
Schottky-IIetall-Halbleiterkontakt. Die zu diesen Kontakten
führenden Anschlüsse sind durch Aufwachsschichten verstärkt, so daß die erfindungsgemäße Halbleiteranordnung freitragend, direkt in Schaltkreise eingelötet werden kann, weshalb es
möglich ist, die beispielsweise bei gekapselten Dioden auftretenden Gehäusekapazitäten zu vermeiden.
führenden Anschlüsse sind durch Aufwachsschichten verstärkt, so daß die erfindungsgemäße Halbleiteranordnung freitragend, direkt in Schaltkreise eingelötet werden kann, weshalb es
möglich ist, die beispielsweise bei gekapselten Dioden auftretenden Gehäusekapazitäten zu vermeiden.
Bei dem erfindurigsgemäßen, beschriebenen beam-lea&Halbleiterbauelement
handelt es sich um eine beam-lead-Sehottky-Diode. Mit Hilfe des erfindungsgemäßen Verfahrens können auch andere
beam-lead-Halbleiteranordnungen, beispielsweise Varaktordioden
und Mixerdioden hergestellt werden.
13 Patentansprüche
13 Figuren
13 Figuren
VPA 9/712/1089 -10-
309818/0535
Claims (13)
- Patentansprücbe1 J Halbleiterbauelement mit beam-lead-Anschlüssen und mit einer Sehottky-Metall-Halbleiterkontaktstruktur und wenigstens einer weiteren Kontaktstruktur, wobei das Halbleitermaterial Gebiete unterschiedlich hohen Dotierungsgrades desselben Leitungstypus hat und wobei auf dem Halbleitermaterial eine Isolierschicht vorgesehen ist, die an wenigstens zwei Stellen mit Aussparungen versehen ist,.wobei das unter einer Aussparung liegende Material an der Oberfläche des Halbleiters einen anderen Dotierungngrad hat als das unter der anderen Aussparung liegende Material an der Oberfläche des Halbleiters und wobei die Halbleiteroberfläche im Bereich dieser Aussparungen mit Kontaktierungen versehen ist, dadurch gekennzeichnet , daß die Kontaktierungon (4» 5) mit Keimschichten (6) versehen 3ind und daß die Isolierschicht (7) an den Stellen der Aussparungen (88, 99) wenigstens bis an den Rand der Keiraschichten reicht,, daß auf der Oberfläche dieser Isolierschicht elektrisch voneinander getrennte Anschlüsse (10) vorgesehen sind, die jeweils auf der Isolierschicht zu den Aussparungen führen und daß auf denj von der Isolierschicht freigelassenen Oberflächen der Keimschichten und auf den Anschlüssen auf der Isolierschicht elektrisch leitende Aufwachsschichten (H) so angeordnet sind, daß jeweils ein Anschluß (10) mit jeweils einer Keimschicht (6) elektrisch verbunden ist.
- 2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß das weniger hoch dotierte Gebiet als Schicht über dem höher dotierten Gebiet (1) angeordnet ist und daß in dem weniger hoch dotiertem Gebiet (2) eine Aussparung (3) vorgesehen ist, die wenigstens bis zu dem aarunterliegenden höher dotierten Gebiet reicht und daß sich die Kontaktierung der weiteren Kontaktstruktur und die Keimschicht in dieser Aussparung befindet.(Fig. 7)VPA 9/712/1089 -11-309818/053 5
- 3. Halbleiterbauelement nach Ansprucli 1 oder 2, dadurch, gekennzeichnet , daß die v/eitere Kontaktstruktur eine sperrfreie Kontaktstruktur ist.
- 4. Halbleiterbauelement nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet , daß sich auf einem Substrat mit der höheren Dotierung eine epitaktisch aufgewachsene Schicht mit der niedrigeren Dotierung befindet. (Pig. 3)
- 5. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet , daß für die sperrfreie Kontaktstruktur eine Gold-Gernianium-Legierungsschicht (4) verv/endet ist.
- 6. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4» dadurch gekennzeichnet , daß für die sperrfreie Kontaktstruktur eine Silber-Indium-Germanium-Legierungsschicht verwendet ist.
- 7· Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet ', daß auf zwischen der Kontaktstruktur der Keimschicht der weiteren Kontaktstruktur eine Chrom-Schicht vorgesehen ist.
- 8. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet , daß für den Schottky-Metall-Halbleiterkontakt Chrom als Metall (5) verwende t ist.
- 9· Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet , daß für die Keiraschichten Gold, Silber oder Nickel vorgesehen ist.
- 10. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet , daß für die Isolierschiebt SiO2, Si,N. oder Al3O5 vorgesehen i3t.VPA 9/712/1089 -12-309818/0535
- 11. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet , daß für die Isolierschicht ausgeheizter Fotolack vorgesehen ist.
- 12. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet , daß an der Halbleiteranordnung ätzresistente Abdeckschichten vorgesehen sind.
- 13. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes nach einem der Ansprüche 2 bis 11, dadurch g e k e η η zeichnet , daß auf einem Substrat aus hochdotiertem Halbleitermaterial eine Schicht (2) epitaktisch aufgewachsen wird, daß ein Teilbereich der epitaktischen Schicht und ein Teil des unter diesem Teilbereich liegenden Substrats in weiteren Verfahrensschritten entfernt werden, daß auf die freiliegende Oberfläche des Substrats aus Halbleitermaterial eine Metall- oder Legierungsschicht (4) aufgebracht wird, die mit dem Substrat einen sperrfreion Kontakt bildet und daß auf einen Teilbereich der epitaktischen Schicht eine Metallschicht aufgebracht wird, die mit der epitaktischen Schicht den Schottky-Metall-Halbleiterkontakt bildet, daß anschließend auf die freiliegenden Metallschichten bzw. auf die freiliegende Metall-™ schicht und die freiliegende Legierungssohicht (4> 5) des sperrfreien Kontaktes und des Sehottky-Metall-Halbleiterkontaktes Keimschichten (6) aufgebracht werden, daß in einem weiteren Verfahrensschritt die Isolierschicht (7) zunächst auf die gesamte freiliegende Oberfläche der epitaktischen Schicht, des Substrats aus Halbleitermaterial, der Metallschichten bzw. der Metall- und der Legierungsschicht, soweit diese von den Keimschichten nicht überdeckt werden und der Keimschichten, aufgebracht wird und daß die Isolierschichten anschließend über den Keimschichten wenigstens bis auf jeweils einen verbleibenden Randbereich der Keimschichten oder höchstens soweit entfernt wird, daß die von der Isolierschicht freigelassenen Oberflächen der Keimschichten jeweils gleich der gesamten Oberflächen der3098 18/0535
VPA 9/712/1089 -13-Keimscbfohten sind, daß auf die Oberfläcbe der Isolierschicht elektrisch voneinander getrennte Anschlüsse (10) aufgedampft werden, die jeweils auf der Isolierschicht zu den freiliegenden Bereichen (8, 9) der Keimschichten führen, daß in einem weiteren Verfahrensschritt zunächst auf die freiliegenden Oberflächen der Keimschichten Aufwachsschichten (14) galvanisch aufgewachsen werden und daß die Aufwachschichten, wenn sie die Ebene der Isolierschicht überragen und wenn sie mit den ihnen zugeordneten Anschlüssen elektrisch in Verbindung stehen auch auf diese aufgewachsen werden, daß der Aufwachsprozeß bei ausreichender Stärke der Anschlüsse abgebrochen wird und daß in einem Verfahrensschritt die Halbleiteranordnung vorder- und rückseitig mit ätzresistenten Schichten (12) versehen wird und daß schließlich in einem A'tzvorgang alle nicht abgedeckten Flächen des Halbleiterbauelementes weggeätzt werden (Pig. 3-15).VPA 9/712/10893098 18/0535Leerseite
Priority Applications (12)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| BE790652D BE790652A (fr) | 1971-10-28 | Composant a semi-conducteurs a connexions portantes | |
| DE19712153889 DE2153889C3 (de) | 1971-10-28 | Beam-lead-Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| CH1237072A CH546482A (de) | 1971-10-28 | 1972-08-21 | Halbleiterbauelement. |
| GB4756972A GB1359780A (en) | 1971-10-28 | 1972-10-16 | Beam-lead semiconductor components |
| US00299754A US3808470A (en) | 1971-10-28 | 1972-10-24 | Beam-lead semiconductor component |
| JP10636272A JPS5630701B2 (de) | 1971-10-28 | 1972-10-25 | |
| NL7214432A NL7214432A (de) | 1971-10-28 | 1972-10-25 | |
| CA154,887A CA978660A (en) | 1971-10-28 | 1972-10-26 | Beam-lead semiconductor component |
| IT30953/72A IT969931B (it) | 1971-10-28 | 1972-10-26 | Componente a semiconduttori beam lead |
| LU66376A LU66376A1 (de) | 1971-10-28 | 1972-10-26 | |
| FR7238203A FR2158019B1 (de) | 1971-10-28 | 1972-10-27 | |
| SE7213926A SE376115B (de) | 1971-10-28 | 1972-10-27 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19712153889 DE2153889C3 (de) | 1971-10-28 | Beam-lead-Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2153889A1 true DE2153889A1 (de) | 1973-05-03 |
| DE2153889B2 DE2153889B2 (de) | 1977-04-28 |
| DE2153889C3 DE2153889C3 (de) | 1977-12-08 |
Family
ID=
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE2153889B2 (de) | 1977-04-28 |
| JPS5630701B2 (de) | 1981-07-16 |
| GB1359780A (en) | 1974-07-10 |
| FR2158019A1 (de) | 1973-06-08 |
| JPS4853674A (de) | 1973-07-27 |
| CH546482A (de) | 1974-02-28 |
| LU66376A1 (de) | 1973-01-23 |
| BE790652A (fr) | 1973-02-15 |
| US3808470A (en) | 1974-04-30 |
| CA978660A (en) | 1975-11-25 |
| SE376115B (de) | 1975-05-05 |
| FR2158019B1 (de) | 1976-08-20 |
| IT969931B (it) | 1974-04-10 |
| NL7214432A (de) | 1973-05-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE1965546C3 (de) | Halbleiterbauelement | |
| DE3340563C2 (de) | Schichtkondensator und Verfahren zur Herstellung desselben | |
| DE2120388A1 (de) | Verbindungshalbleitervorrichtung | |
| DE2142146A1 (de) | Halbleiteranordnung und Verfahren zur Herstellung einer derartigen Anordnung | |
| EP0012220A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Schottky-Kontakts mit selbstjustierter Schutzringzone | |
| DE1912177A1 (de) | Halbleiterbauelement | |
| DE2132034A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Zwischenverbindungen fuer elektrische Baueinheiten auf Festkoerpern | |
| DE1464604A1 (de) | Halbleitervorrichtung | |
| DE2550346A1 (de) | Verfahren zum herstellen eines elektrisch isolierenden bereiches in dem halbleiterkoerper eines halbleiterbauelements | |
| DE2315710A1 (de) | Verfahren zum herstellen einer halbleiteranordnung | |
| DE2556038A1 (de) | Verfahren zur herstellung von feldeffekttransistoren fuer sehr hohe frequenzen nach der technik integrierter schaltungen | |
| DE2947695A1 (de) | Verfahren zum herstellen von feldeffekttransistoren | |
| DE2361804A1 (de) | Verfahren zur herstellung von supraleitenden kontakten und schaltkreisen mit josephson-elementen | |
| DE1514867A1 (de) | Flaechenhafte Halbleiterdiode | |
| DE1564066B2 (de) | Verfahren zur Herstellung von elektrischen Verbindungen zu Kontaktschichten an der Oberfläche des Halbleiterkörpers von Halbleiteranordnungen | |
| DE3047870A1 (de) | "pn-diode und verfahren zu deren herstellung" | |
| DE2153889A1 (de) | Beam-lead-halbleiterbauelement | |
| DE2153889C3 (de) | Beam-lead-Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| DE2357640A1 (de) | Halbleiteranordnung mit elektronenuebertragung | |
| DE3047821A1 (de) | Schottky-diode und verfahren zu deren herstellung | |
| DE2045304A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer lokalisierten Zone in einem Halbleiter korper | |
| DE1639176A1 (de) | Integrierte Festkoerperschaltung mit lediglich zwei Elektrodenzuleitungen | |
| DE1954443C3 (de) | Halbleiterbauelement mit einem Schottky-Übergang und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| DE2148658C3 (de) | Kleinflächiger Metall-Halbleiterkontakt | |
| DE2824027A1 (de) | Halbleiterbauelement |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
| E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |