DE2220721A1 - Datenkarte - Google Patents

Datenkarte

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DE2220721A1
DE2220721A1 DE19722220721 DE2220721A DE2220721A1 DE 2220721 A1 DE2220721 A1 DE 2220721A1 DE 19722220721 DE19722220721 DE 19722220721 DE 2220721 A DE2220721 A DE 2220721A DE 2220721 A1 DE2220721 A1 DE 2220721A1
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card
memory
contacts
semiconductor
matrix
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DE19722220721
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Castrucci Paul Phillip
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International Business Machines Corp
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International Business Machines Corp
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Publication date
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Description

Böblingen, 24. April 1972 hz-we
Anmelderin: International Business Machines
Corporation, Armonk, N.Y. 10504
Amtliches Aktenzeichen: Neuanmeldung Aktenzeichen der Anmelderin: FI 970 037
Datenkarte
Die Erfindung betrifft eine Datenkarte, insbesondere Kundenkreditkarte, zur Verwendung in Zusammenarbeit mit computergesteuerten Kredit- und Buchungssystemen, die einen Speicher enthält.
Datenkarten finden immer weitere Verbreitung bei der Anwendung in Bankgeschäften, Verkaufsangelegenheiten und anderen verschiedenen Anwendungen. Die Daten, die auf solchen Karten abgespeichert sind, werden bei bekannten Karten in Form von eingedrückten Buchstaben oder maschinenlesbaren Zeichen oder in Form codierbaren magnetischen Materials als auch in Form optisch empfindlichen Materials in der Karte codiert. Die codierten Daten dienen beispielsweise zum Identifizieren des Besitzers, des Institutes, welches die Karten ausgibt und beispielsweise der Kontonummer des Inhabers. In Verbindung mit der Benutzung solcher Datenkarten, insbesondere als Kundenkreditkarten, sind verschiedene Vorschläge gemacht worden, um die Benutzung und Weiterbehandlung der Karte zu·erleichtern, die Sicherheit bei der Verwendung zu verbessern und den Mißbrauch solcher Karten zu erschweren. Die Verwendung solcher Datenkarten ist insbesondere in Zusammenhang mit Computern für die Weiterverarbeitung der Daten und der Steuerung interessant, wobei der Computer direkt oder über Kommunikationssysteme angeschlossen sein kann. Solche Systeme, die konventionelle Computerkonfiguration benutzen, sind beispielsweise in den amerikanischen Patentschriften 3 022 381, 3 245 697, 3 353 006 und 3 513 298
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beschrieben.
Die bekannten Datenkarten weisen alle den gemeinsamen Nachteil auf, daß sie individuell für den einzelnen Inhaber hergestellt werden müssen, insbesondere dann, wenn sie aus mehreren Schichten zusammengesetzt sind und das Speichermedium beispielsweise in der Mitte zwischen zwei Deckschichten angeordnet ist. Diese individuelle Anfertigung jeder einzelnen Datenkarte erfordert einen erheblichen Aufwand.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Datenkarte der eingangs genannten Art zu schaffen, die in einheitlicher Form massenweise herstellbar ist, und bei der die Codierung mit den individuellen Informationen auf einfachste Weise vorgenommen werden kann.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß der Speicher aus einem monolithischen Halbleiterfestkörper integrierter Bauart besteht, άχ£ die einzelnen Speichermedien an den Kreuzungspunkten einer Matrix angeordnet sind, daß die Anschlußkontakte des Halbleiterfestkörpers auf Leiterbahnen innerhalb der Karte geführt sind, die ihrerseits :n vor außerhalb der Karte zugänglichen Kontakten münden, und da/T* die einzelnen Speichermedien einzeln mit einmaliger Einschreibe glichkeit programmierbar sind.
Damit wird eine Datenkarte für die Benutzung als Kreditkarte, als Buchungskarte, als Identitätskarte und dergleichen geschaffen, die wegen der einheitlichen Herstellungsweise besonders vorteilhaft sind. Die Informationen individueller Art werden später vom Computer gesteuert einmalig in die Karte eingeschrieben und sind danach dauernd wieder als Festwertspeicher lesbar. Durch den Einbau von monolithischen Halbleiterfestkörpern integrierter Bauart als Speicherelement werden Karten hergestellt, deren Anwendung in Computer sy steinen besonders geeignet ist, da in dem Computersystem dieselbe Art von Speicherelementen verwendet werden.
Eine vorteilhafte Ausgestaltung der erfindungsgemäßen Datenkarte
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besteht darin, daß die Karte im wesentlichen aus drei Schichten aufgebaut ist, wobei eine äußere Schicht mit den Leiterbahnen und den Kontakten in Form einer gedruckten Karte aufgeführt ist, die innere Schicht eine Aussparung für die Aufnahme und Positionierung des Halbleiterplättchens aufweist und die dritte Schicht als Deckschicht den Speicher abdeckt.
Eine weitere zweckmäßige Ausgestaltung der erfindungsgemäßen Datenkarte sieht vor, daß die Schicht mit den Leiterbahnen und Kontakten größer ist als die anderen beiden Schichten, so daß die Kontakte in einer Zunge über diese beiden anderen Schichten hinausragen.
Eine zweckmäßige Ausgestaltung der erfindungsgemäßen Karte sieht weiterhin vor, daß die einzelnen Speichermedien an den Kreuzungspunkten der Matrixleitungen Halbleiterschaltmittel sind, die entsprechend der Ansteuerung über die Matrixleitungen und entsprechend ihrem Zustand ein ..astimmtes Verbindungsmuster zwischen den Leitungen herstellen. Zweckmäßigerweise sind als Halbleitersshaltmittel Diodenschaltkreise verwendet, die entsprechend der Ansteuerung über die Matrixleitungen in aktiven oder inaktiven Zustand versetzbar sind.
Als besonders zweckmäßig und vorteilhaft hat sich herausgestellt, daß die Diodenschaltkreise jeweils aus einem Paar antiseriell geschalteter Dioden bestehen, die an den Kreuzungspunkten der Matrixleitungen mit einer Bitleitung und einer Wortleitung verbunden sind und daß die PN-übergänge der Diodenpaare derart ausgebildet sind, daß bei Zuführung einer Durchbruchspannung zu einem der beiden Übergänge in einem Formiervorgang dieser permanent leitend gemacht wird, wobei die Zuführung der Durchbruchspannung über die Matrixleitungen genau adressiert erfolgt.
Ein Halbleiterspeicher der zuletzt genannten Art mit den entsprechenden Eigenschaften ist in der Deutschen Offenlegungsschrift 2 041 343 beschrieben.
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Wenn eine Datenkarte gemäß der Erfindung hergestellt ist, enthält sie einen jungfräulichen Speicher, d.h., der Speicher enthält überhaupt keine Information, beispielsweise in der Form, daß in allen Speicherstellen Nullen vorhanden sind. Bei Ausgabe und Herrichtung einer Karte mit individuellen Daten wird diese in ein geeignetes Datenendgerät hineingesteckt, das elektrische Signale gemäß der Individualinformation den ausgewählten Matrixpositionen zuführt, um die geeignete Verbindungsmatrix im Speicherplättchen herzustellen. Die elektrische Energie, die an einer ausgewählten Speicherposition der Matrix ankommt, ändert das zugehörige elektrische Element in seinem Zustand, so daß beispielsweise eine O in eine 1 permanent umgewandelt wird. Auf diese Weise kann die Information in den Speicher der Datenkarte eingeschrieben werden.
Die erfindungsgemäße Datenkarte ist nicht nur in der Lage, Informationen zu enthalten, sondern sie kann auch dazu benutzt werden, Daten in einer zentralen Datenbank zu handhaben, wenn diese über bekannte Computerkommunikationssysteme angeschlossen ist, wie oben bereits angedeutet. Beispielsweise kann die Höhe des Kredits einer Person von der zentralen Datenbank zu demjenigen Datenendgerät übertragen werden, in welchem die einzelne Kreditkarte gerade vorhanden ist, woraufhin dann zusätzliche Informationen in den Speicher der Karte eingeschrieben werden können. Diese Information kann als ein Beispiel das individuelle Kreditrisiko sein, welches dann permanent in dieser Datenkarte aufgezeichnet werden kann. Wenn die Datenbank beispielsweise ein niedriges Kreditlimit einräumt und diese Information im Speicherplättchen der Karte . abgespeichert ist, kann die entsprechende Kreditkarte für darauffolgende Transaktionen gesperrt sein. Dieselbe Behandlungsweise kann dazu benutzt werden, Karten zu sperren, die verloren gegangen sind oder die gestohlen wurden, um dem individuellen Besitzer eine hohe Sicherheit zu geben.
Datenkarten, insbesondere Kreditkarten, mit einem großen Wert oder einem großen Risiko können mit einem persönlichen Sicher-
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heitscode ausgerüstet sein. Bei dieser Art wird zusätzlich zu den Standardkredit" und Personal-Daten ein Sicherheitscode eingegeben und im Halbleiterspeicher der Karte gespeichert. Um die Karte zu aktivieren, wird diese in ein Datenendgerät eingeführt und über die zugehörige Tastatur des Datenendgerätes wird der Sicherheitscode mit einer Tastatur eingegeben. Wenn der eingetastete Sicherheitscode mit dem übereinstimmt, der auf der Karte gespeichert ist, dann kann die Karte erst die zentrale Datenbank aktivieren und die vorzunehmende Transaktion gültig machen.
Gemäß einer anderen Anwendung kann die erfindungsgemäße Datenkarte als Form eines modernen Reiseschecks benutzt werden. Bei dieser Anwendung kann der Kunde von einer Bank eine Karte mit einem bestimmten Geldwert kaufen. Dazu wird der Speicher der Karte mit den individuellen Personaldaten und der Geldwertinformation geladen. Wenn der Kunde die Karte benutzt, wird bei einem Kauf der Wert von der zentralen Datenbank abgespeichert und der neue Saldo wird als verbliebener Wert wieder in den Speicher, jedoch an anderen Speicherplätzen, eingegeben. Auf diese Weise kann der Kunde nach und nach den Wert seiner Karte vermindern. Dabei wird der Überweisungsbetrag automatisch bei der zentralen Datenbank von dem Kundenkonto kreditiert und auf das Konto des Geschäftes überwiesen, dessen Gegenstände oder Dienstleistungen der Kunde in Anspruch genommen hat.
Die erfindungsgemäß gestaltete Karte zeichnet sich besonders dadurch aus, daß sie von der Herstellung her einfach ist, weil sie für sämtliche Verwendungszwecke in einer einzigen Erscheinungsform herstellbar ist. Därüberhinaus gestattet sie die Verwendung zu den verschiedensten Zwecken, wie beispielsweise als persönliche Ausweiskarte, als Kundenkreditkarte, als Scheckkarte, als Reisescheck und dergleichen.
Anhand des in den Zeichnungen dargestellten Ausführungsbeispiels soll im folgenden der Aufbau und die Wirkungsweise einer Karte und eines darin verwendeten monolithischen Festwertspeichers
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- 6 näher erläutert werden. Die Figuren zeigen im einzelnen:
Fig. 1 in perspektivischer Ansicht eine erfindungsgemäß
gestaltete Karte, bei der Teile weggebrochen sind, um den inneren Aufbau der Karte näher darzustellen;
Fig. 2 einen Teilschnitt durch die Karte gemäß Fig. 1;
Fign. 3 und 4 Teilansichten, die Einzelheiten bei der
Herstellung der Karte gemäß Fig. 1 erläutern;
Fig. 5 eine schematische Ansicht eines monolithischen
Festkörperspeichers, der für die Verwendung in der Karte gemäß Fig. 1 zum Speichern von Daten geeignet sein kann;
Fig. 6 eine schematische Ansicht einer besonderen Speichermatrix r die in Halbleiterbauelementen integrierter Bauweise ausgeführt ist, zur Verwendung in der erfindungsgemäßen Karte;
Fig. 7 einen Teil des in Fig. 6 dargestellten Speichers,
zur Erläuterung der Art der Speicherung;
Fig. 8 aine vergrößerte Ansicht eines Schnittbildes
durch eine Halbleiterzelle, die in der Matrixanordnung gemäß Fig. 6 und 7 benutzt wird;
Fign. 9 u. 9A zeigen Draufsichten auf die Speicherzellenanordnungen, von der in Fig. 8 ein Schnitt gezeigt ist;
Fig. 10 teilweise schematisch und teilweise im Blockdiagramm die Benutzung schmelzbarer Zellen als Teil eines Festwertspeichers mit einmaliger Einschreibmöglichkeit und
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Fig. 11 ein Blockdiagramm eines möglichen Systems für
die Benutzung und Bearbeitung der erfindungsgemäßen Karte.
In Fig. 1 ist eine Datenkarte 1 gemäß der Erfindung dargestellt, die aus mehreren Schichten von geeignetem Material, wie beispielsweise Plastik, hergestellt ist. Dabei ist eine innere Schicht 2 zwischen zwei äußeren bzw. Deckschichten 3 und 4 angeordnet. Die beiden Schichten 2 und 4 weisen dieselbe Größe auf, dagegen hat die äußere Schicht 3 eine größere Form, um eine Zunge 5 zu bilden. Die Karte 1 kann wie gesagt schichtweise aus geeignet steifem Plastikmaterial, wie beispielsweise Polyäthylen-Terephtalat (Mylar), aufgebaut sein, wobei die Abmessungen in genügend enger Toleranz gehalten werden sollen, um die Einführung der Karte in einen Schlitz eines Kartenlesers in einem Computersystem zu erleichtern. Um die Ausrichtung der Karte beim Lesen zu erleichtern, ist eine Ecke der Karte 1 am Zungenteil 5 abgeschrägt, wie dies mit 6 gekennzeichnet ist„ Eingesetzt in die Karte 1 ist erfindungsgemäß ein monolithische;. lialbleiterfestkörper 7 integrierter Bauart in Form eines Halblelterplättcliens oder Substrates, i-jle es später noch ausführlicher beschrieben wird» Dieses 5peiehe2";?Iättchen dient zur Speicherung der Personaldaten und sonstiges Angaben über den Besitzer und notwendiger weiterer Informationen»
Zusätzlich kann die Karte noch mit Informationen versehen sein, die von außen lesbar sind, wie beispielsweise der Name des Kontoinhabers und der Name der herausgebenden Institution, bei der die Karte kreditiert ist. Der Speicher 7 enthält eine Matrix von elektrischen Festwertschaltelementen, die innerhalb eines Halbleitersubstrats angeordnet sind und in Kontakten 8 herausgeführt werden. Diese Kontakte 8 werden innerhalb der Karte 1 mit vielen Leiterbahnen 9 verbunden, die sich auf der Kartenschicht 3 befinden und in Kontakten 10 enden, die auf der Zunge 5 angeordnet sind. Diese Kontakte 10 werden mit geeigneten Abfühlkontakten in dem Einführschlitz des Kartenlesers kontaktiert, um die Verbindung zwischen dem Speicherelement 7 und dem Computerbearbei-
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tungssystem herzustellen.
Allgemein gesprochen kann der monolithische Speicher in der erfindungsgemäßen Anwendung, wie in Fig. 5 gezeigt, aufgebaut sein. Er besteht aus einem Netz von kreuzweise übereinandergeführten
Leitern B„ bis B und ViL bis W , die elektrisch voneinander UnUn
isoliert sind. An den Kreuzungspunkten der Leitungen sind diese durch bistabile Festwertschaltelemente 11 verbunden, um die Aktivierung der Elemente in einen elektrisch passiven oder aktiven Status vornehmen zu können entsprechend konventioneller binärer Codiersysteme, wie weiter unten noch besonders beschrieben werden wird. Die Information kann auf diese Weise durch Formen einer Matrix von aktiven und inaktiven Elementen in der erforderlichen Weise abgespeichert werden.
Die Leiterbahnen 9 und Kontakte 10 können in Verbindung mit der Deckschicht 3 als konventionell bekannte gedruckte Schaltung ausgeführt sein, die auf bekannte Weise hergestellt wird. Die Leiterbahnen 9 enden in einem Kontaktbereich 12 der äußeren Schicht 3, um mit den Kontakten 8 des monolithischen Speicherplättchens 7 in Kontakt gebracht werden zu können.
Die Zusammensetzung der Datenkarte 1 kann wie in Fig. 3 dargestellt erfolgen. Dabei wird das Halbleiterplättchen 7 mit seinen Kontakten 8 im Kontaktbereich 12 der äußeren Schicht 3 so aufgesetzt, daß die Kontakte 8 die entsprechenden Teile der Leiterbahnen 9 kontaktieren und mit diesen auf geeignete Weise, beispielsweise durch Anlöten, verbunden werden. Nach Verbindung des Halbleiterplättchens 7 mit den Leiterbahnen 9 der Deckschicht 3, kann das Halbleiterplättchen durch eine Führungs- bzw. innere Schicht 2 gesichert werden, wobei die innere Schicht 2 das Halbleiterplättchen in einer entsprechend dimensionierten Öffnung 13 aufnimmt. Die Größe des HaIbleiterplättchens beträgt in einem Ausführungsbeispiel etwa 4 χ 4 mm Kantenlänge und weist eine Stärke von etwa 0,4 mm auf. Die innere Schicht 2 und die äußere Deckschicht 3 können durch ge-
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eignete Mittel, beispielsweise durch Kleben, miteinander verbunden werden. Ein weiterer Schutz für das Speicherplättchen 7 kann durch die Verwendung einer federnden Einbettmasse 14 erreicht werden, die in den freien Bereich bzw. Spalt 15 zwischen der Öffnung der inneren Schicht 2 und dem Halbleiterplättchen 7 sowie der Deckschicht 3 und der Deckschicht 4 vorhanden ist. Die Deckschicht 4 wird auf die innere Schicht 2 beispielsweise ebenfalls durch Kleben fest aufgebracht. Es kann für das Einbettmaterial 13 auch ein flexibles plastisches Material wie beispielsweise Polyvinylchlorid bei der Herstellung der Karte verwendet werden. Dadurch kann die Karte insgesamt flexibel gemacht werden, so daß Verlagerungen des Chips ausgeglichen werden können und ein Brechen der elektrischen Verbindung mit den Leiterbahnen 9 vermieden wird» Gleichfalls kann bei Benutzung von flexiblem Plastikmaterial für die Karte die innere flexible Plastikschicht 2 mit einer festen Einlage geeigneter Dimensionierung für die Aufnahme der Öffnung für das Halbleiterplättchen versehen sein. Die Benutzung flexiblen Materials, wie beispielsweise thermoplastisches Material für die innere und die äußeren Schichten, erleichtert die Herstellung wesentlich, weil diese Schichten auf einfache Weise durch Aufheizung auf die notwendige Temperatur zusammengefügt werden können.
Der im vorigen beschriebene Aufbau einer erfindungsgemäßen Datenkarte ist insbesondere in den Fign. 1 bis 4 dargestellt.
Ein Ausführungsbeispiel für einen monolithischen Speicher, der in der erfindungsgemäßen Datenkarte benutzt werden kann, ist in Fig. 6 dargestellt. Dieser besondere Informationsspeicher ist ein monolithischer Festwertspeicher mit einmaliger Einschreibmöglichkeit, der Zellen enthält, die in bestimmter Weise in ihrem Zustand zu verändern sind. Die dargestellten Zellen sind monolithisch hergestellte antiseriell geschaltete Diodenpaare, die ungleiche Durchbruchspannungen haben, wobei ein Metallkontakt direkt mit dem Bereich des Halbleiters verbunden ist, der den gemeinsamen Teil des antiseriell geschalteten monolithischen Diodenpaares darstellt.
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Fig. 6 zeigt eine Speichermatrix mit zwölf Zellen bzw. 12 Bits in Form einer Matrix aus antiseriell geschalteten Dioden, um die Beziehungen der Zellen beim Aufbau eines Festwertspeichers darzustellen. Die Matrix enthält vier Bitleitungen BQ bis B3, drei Wortleitungen W bis W„ und zwölf Zellen, von denen jede zwischen einer Bitleitung und eine Wortleitung angeschlossen ist. Die Zellen sind in der Figur so identifiziert, daß die Zellen mit den Dioden D und D , die zwischen der Wortleitung W„ und BQ angeschlossen sind, als Zelle BW oder COO gekennzeichnet sind.
Die antiseriell angeordneten Dioden verhindern eine leitende Verbindung zwischen der Wortleitung und der Bitleitung, wenn die angelegte Spannung unterhalb der Durchbruchspannung der in Sperrichtung betriebenen Dioden gehalten ist. Eine solche in Sperrichtung betriebene Diode kann durch Zuführung eines relativ niedrigen Stromes kurzgeschlossen werden. Dieses Phänomen, Formierung genannt, kann selektiv bei den Zellen vorgenommen werden, indem eine Schmelz-, Formierspannung- oder Formierstrom zwischen einer Wortleitung und einer Bitleitung angelegt wird. Angenommen, daß die ZeIl^ C 12 für eine Formierung ausgewählt ist und die Polarität der zugeführten elektrischen Größe so.ist, daß die Diode Dl4 in Sperrichtung betrieben wird, dann wird die Diode D14 formiert und somit sin hochleitender Pfad zwischen der Wortleitung W und der Bitleitung B„ in der Vorwärtsrichtung der nicht formierten Diode D13 hergestellt.
Es kann nunmehr davon gesprochen werden, daß die Zelle C12 einen Zustand repräsentiert, der dem vor der Formierung entgegengesetzt ist. Die zwei Zustände können in konventioneller Matrixweise durch Anlegung einer Spannung oder eines Stromes an eine Leitung, die mit der Zelle verbunden ist, und Abfühlen des Wechsels bei Strom oder Spannung in der anderen mit der Zelle verbundenen Leitung festgestellt werden. Eine Matrix dieses beschriebenen Typs ist somit als ein Festwertspeicher mit. einmaliger Einschreibmöglichkeit zu betrachten.
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Beispielsweise kann so vorgegangen werden, daß die Polarität des zugeführten Stromes oder der angelegten Spannung derart gewählt ist, daß die geradzahlig numerierten Dioden die in Sperrichtung betriebenen Dioden sind, und die ungeradzahlig numerierten Dioden in Vorwärtsrichtung betrieben werden. Die Kurzschlußleitungen über die Dioden D14 in der Zelle C12 und über die Diode D24 in der Zelle C 23, dargestellt in Fig. 7, zeigen an, daß die Zellen C und C 23 bereits formiert bzw. eingeschrieben wurden. Es soll nun angenommen werden, daß die Zelle C13 eingeschrieben werden soll. Wie oben beschrieben, wird dies durch Anlegung der geeigneten elektrischen Größe zwischen den Leitungen W. und B3 erreicht, um die in Sperrichtung betriebene Diode D16 zu formieren. Ein anderer Weg ist, wie klar ersichtlich, zwischen der Wortleitung W. und der Bitleitung B_ folgendermaßen gegeben: Diode D13, Leitung B2 Diode D22, Leitung W2 und Diode D23. Konsequenterweise ist die Sperrspannung die der Diode D21 zugeführt wird, dieselbe, wie die zur ausgewählten Diode D16, ausgenommen die geringen Vorwärtsspannungen, die an den Dioden D13 und D23 abfallen.
Die unerwünschte Änderung der Diode D2I wird dadurch vermieden, daß diejenigen Dioden in der Zelle, die formiert werden sollen, eine niedrigere Durchbruchspannung aufweisen, als diejenigen, die nicht formiert werden. Beispielsweise wird eine Durchbruchspannung von 7 Volt für die geradzahlig numerierten Dioden in der Fig. 7 verwendet und eine Durchbruchspannung von 20 Volt für ungeradzahlig numerierte Dioden in Fig. 7, um sicherzustellen, daß in der obenbeschriebenen Weise nur die Diode D16 allein formiert wird. Wenn genügend elektrische Energie, durch Stromoder Spannungszuführung, an die ausgewählte Diode für eine genügende Zeit angelegt wird, dann formiert sich eine Metallhalbleiterlegierung im wesentlichen an der Oberfläche des Halbleitermaterials, jedoch unterhalb der üblichen deckenden Oxidschicht. Die metallischen Zuführungen zur Diode auf beiden Seiten des Übergangs werden so galvanisch verbunden und dadurch kurzgeschlossen. Um auf diese Weise Dioden zu formieren, werden
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wesentlich unter 200 mA liegende Ströme verwendet, die für Zeiten in der Größenordnung von Millisekunden zugeführt werden. Zum Formieren schickt man zweckmäßigerweise einen von einem Konstantstromgenerator gelieferten Strom in Sperrichtung durch die Diode und erlaubt ihr, eine freie Spannung anzunehmen. Die Spannung geht dann von der Durchbruchspannung von etwa 7 oder 8 Volt im Verlauf von ms auf einen Wert von weniger als 1 Volt zurück. Vergrößerte photografische Aufnahmen von in dieser Art formierten Übergängen zeigen eine metallisch aussehende Strombrücke zwischen den Metallzuführungen der Diode.
Es wird angenommen, daß der der Diode zugeführte Formierstrom diese im Gebiet des PN-überganges auf die eutektische Temperatur der Metall-Halbleiterlegierung aufheizt und somit eine atomare Legierungsbildung aus Metall und Halbleiter ermöglicht.
Ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel einer änderbaren Zelle in Halbleiterausführung ist in den Fign. 8 und 9 dargestellt, die den Querschnitt und die Draufsicht auf die gleiche Zelle dar-
IM J-
stellen. Ein P -Halbleitersubstrat 48 besitzt eine höher N -leitende N -Schicht 46, die unterhalb der beiden Dioden der Zelle liegt. Dieses vergrabene Gebiet 46 ist an sich nicht notwendig, es verbessert aber bekanntlich die Eigenschaften des Bauelementes. Eine N-leitende Epitaxieschicht 50 ist auf dem P~-Substrat 4 8 gebildet und die Zelle ist intern elektrisch gegen andere Bauelemente gleicher Art auf dem Halbleiterplättchen durch eine umgebende P -Isolationsringzone 44 isoliert. Zwei P-Bereiche 38 und 42, die durch Diffusion in die N-leitende Epitaxieschicht 50 hinein gebildet sind, bilden durch die so geschaffenen PN-Übergänge ein Paar antiseriell geschalteter Dioden. Um die Durchbruchspannung in Sperrichtung der einen der beiden Dioden herabzusetzen, ist innerhalb der tf-leitenden Epitaxieschicht 50 zwischen den beiden P-Bereichen 38 und 42 ein N+-Bereich gebildet, der direkt an den P-Bereich 38 angrenzt. Die enge Berührung des N+-Bereiches 40 mit dem P-Bereich 38 bewirkt die gewünschte Herabsetzung
an dem aprupten '.
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der Durchbruchspannung an dem aprupten P~N -Übergang, welche
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wesentlich niedriger ist als die Durchbruchspannung des PN-überganges, der durch einen der P-Bereiche 38 oder 32 und die N-leitende Epitaxieschicht 50 gebildet wird.
Das Halbleitermaterial ist vorzugsweise Silicium, es können jedoch auch andere bekannte Halbleiter verwendet werden. Eine isolierende Schutzschicht 30, beispielsweise Siliciumdioxid, bedeckt die Oberfläche des Plättchens. Zur Herstellung der Leitungsverbindungen zu dem Halbleitermaterial sind Durchbrüche an den entsprechenden Stellen vorgesehen. Die Metallisierung 34, die Bestandteil einer Bitleitung ist, kontaktiert die P-Region 38, die Metallisierung 36, die Teil einer Wortleitung ist, kontaktiert die P-Region 42. Eine Metallisierung 32 kontaktiert die N-leitende Region, insbesondere den höher N-leitenden N -Bereich 40. Als Metall wird vorzugsweise Aluminium verwendet, es kann aber auch ein anderes Metall oder eine andere Legierung verwendet werden, beispielsweise Kupferaluminium oder Gold. Bei der Auswahl der geeigneten Halbleitermaterialien und den Metallen müssen außer den in der Technik integrierter Schaltkreise üblichen Kriterien zusätzliche Eigenschaften beachtet werden, weil die eutektische Temperatur der Metall-Halbleiterlegierung hier unterhalb des Schmelzpunktes sowohl des Metalles .als auch dem des Halbleitermaterials liegen muß.
Die Metallisierung 32 ist in Fig. 8 als freier Anschluß oder freier Metallkontakt ausgeführt. Die Bezeichnung frei bedeutet, daß die metallische Zuführung zu dem N -Bereich 40 mit keinem anderen Schaltkreiselement des Halbleiterplättchens verbunden ist. Beispielsweise ist die Bitleitung 34 mit einer Gruppe von Dioden, Leseverstärkern und anderen Schaltkreisen verbunden. Die Wortleitung 36 ist mit einer anderen Gruppe von Dioden, mit Wortverstärkern und gegebenfalls noch anderen Schaltkreisen verbunden. Die zum Formieren notwendige Spannung oder der notwendig Strom wird an die Bit- und Wortleitungen angelegt. Der freie Metallkontakt 32 dient dasu, einen Anschlußpunkt für die sich bildende Aluminium-Siliciumlegierung während des Formierprozesses zu
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bilden und wahrscheinlich weiterhin im wesentlichen dazu, daß sie als Lieferant von Aluminiumatomen bei der Bildung dieser Aluminium-Siliciumlegierung fungiert.
In Fig. 9 sind die Begrenzungen der P, N und N-Epitaxiebereiche durch ausgezogene Linien dargestellt. Die gestrichelten Quadrate innerhalb der metallischen Gebiete 32, 34 und 36 stellen die Durchbrüche durch die Oxidschicht 30 direkt unter dem Metall dar.
In einem speziellen Ausführungsbeispiel besteht der Abstand zwischen den Kontaktdurchbrüchen der Metallisierung für den N+-Bereich 40 und für den P-Bereich 38 etwa 6 Mikron. Die Dotierungskonzentrationen der einzelnen Leitfähigkeitsgebiete sind im wesentlichen folgende:
19
P-Diffusion 10 Boratome /ecm
+ 21
N -Diffusion 10 Phosphoratome/ccm
+ 21
P -Diffusion 10 Boratome/ccm
N-Epitaxieschicht 10 Arsenatome/ccm
+ 21
N vergrabene Schicht 46 10 Arsenatome/ccm
Eine Anordnung mit den beschriebenen Eigenschaften wurde mit einer Spannungs&nderung von 8 Volt auf weniger als 1 Volt in etwa 1 bis 10 ms bei einem Strom von 1OO mA formiert, der von einer Konstantstromquelle geliefert wurde. Es bildete sich dabei eine Brücke aus einer Aluminium-Silicium-Legierung zwischen den Metallisierungen 34 und 32 unterhalb der Oxidschicht 30, die den P N -Übergang kurzschließt. Es soll darauf hingewiesen werden, daß die Diode nicht in dem Sinn zerstört wird, daß kein P N -Übergang mehr besteht. Vielmehr dient er nicht mehr als Sperrschicht gegenüber dem Stromfluß zwischen der Wort- und Bitleitung, weil er kurzgeschlossen wurde.
In Fig. 9A ist ein Beispiel eines Ausschnittes aus einer integrierten monolithischen Matrix mit einer Mehrzahl von Zellen und ihren Verbindungen dargestellt. Die Draufsicht des darge-
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stellten Teils der monolithischen Matrix enthält nur 8 Zellen 50a bis 50h, aber es ist klar, daß wesentlich mehr Zellen in gleicher Weise hergestellt sein können. Die Zellen 50a bis 50h sind identisch mit den in den Fign. 8 und 9 dargestellten Zellen. Die Indizes a bis h werden zur Darstellung gleichartiger Merkmale der Zellen 50a bis h gebraucht. In der Beschreibung wird der Index im folgenden deshalb weggelassen und die Zellen nur gemeinsam durch die Referenzziffern allein beschrieben.
Jede Zelle 50 enthält metallische Verbindungen 52, 54 und 56, die mit dem P, N und P-Bereichen verbunden sind. Die in Sperrrichtung betriebene Diode bzw. die formierbare Diode wird durch die Halbleiterbereiche gebildet, die mit den Metallisierungen 54 und 56 in Verbindung stehen. Die Zeichnung zeigt die als Wortleitungen horizontal verlaufenden Metallisierungen 70 und 72 und die vertikal verlaufenden Bitleitungen in Form der Metallisierungen ÖO, 82, 84 und 36. Jede metallische Bitleitung ist mit einer Spalte von Speicherzellen verbunden und jede metallische Wortleitung ist mit einer Zeile von Zellen der Matrix verbunden. Beispielsweise ist die Bitleitung 80 mit den Zellen 50b und 50g verbunden und in gleicher Weise mit anderen Zellen in derselben Spalte, die in dem Ausschnitt der Fig. 9A nicht dargestellt sind, und zwar über die Metallisierungen 56b und 56g. Die Wortleitung 70 ist beispielsweise mit den Zellen 50a, 50b, 50c und 5Od verbunden. Dabei verbindet eine Leitungsunterführung die · Metallisierungen der Wortleitungen beispielsweise beiderseits der Bitleitungen 80 und 82. Diese Art der Herstellung erlaubt trotz der Leitungskreuzungen die Verwendung nur einer einzigen Metallisierungsschicht,, sowohl für die Bit- als auch für die Wortleitungen. Leitungsunterführungen sind an sich bekannt und bestehen üblicherweise aus einem Gebiet eines Halbleitermaterials, das zu einer relativ hohen Leitfähigkeit dotiert wurde. Die Metallisierung kontaktiert das dotierte Gebiet an gegenüberliegenden Enden.
Wie jedem Fachmann bekannt ist, enthält eine monolithische
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oder integrierte Struktur auch Treiber, Leseverstärker und Decodierschaltkreise auf dem gleichen Halbleiterplättchen. Da
alle diese Arten von Schaltungen bekannt sind und da sie weiterhin kein Teil der vorliegenden Erfindung sind, werden sie
nicht in Einzelheiten näher erläutert.
Ein Diagramm der Schaltungsanordnung, teils schematisch, teils in Form eines Blockdiagrammes der auf einem Halbleiterplättchen gebildeten Bauelemente ist in Fig. 10 für eine 16 χ 16 Matrix dargestellt. Die Matrix enthält 16 horizontale Wortleitungen und 16 vertikale Bitleitungen. An jedem Kreuzungspunkt von Wort- und Bitleitungen ist eine Speicherzelle angeordnet, diese sind jedoch der Zeichnungsvereinfachung wegen nicht dargestellt. Jede Wortleitung ist mit einem Wortverstärker 81 verbunden, der dann arbeitet, wenn entsprechende Torschaltungen dies bestimmen, um die entsprechende Wortleitung mit Erde oder einem relativ positiven
Potential zu verbinden. Eine Wortleitung wird durch einen aus 4 Bits bestehenden binären Code ausgewählt, der von einer äußeren Quelle einer Decodierschaltung 83 zugeführt wird. Die Decodierschaltung 83 schaltet den entsprechenden Wortverstärker 81 zu der adressierten Wortleitung durch.
Jede der 16 Bitleitungen ist an ihrem einen Ende mit einem
Abfühlverstärker 87 verbunden und mit ihrem anderen Ende an
eine Torschaltung 89 angeschlossen. Die Auswahl einer Bitleitung erfolgt durch eine von außen über eine Decodierschaltung 91 den Torschaltungen 89 zugeführte Decodieradresse, die vier Bits enthält. Der Ausgang der Decodierschaltung 91 schaltet
die entsprechende Torschaltung 89 durch, wodurch die angeschlossene und adressierte Bitleitung mit einem der Anschlüsse -V_
bzw. Ip verbunden wird.
Um die in Sperrichtung geschaltete Diode an dem Kreuzungspunkt einer Bitleitung X und einer Wortleitung Y zu formieren, wird die entsprechende Adresse X bzw. Y den Decodierschaltungen 91 bzw. 83 zugeführt und es wird eine Konstantstromquelle, die
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100 mA abgibt, mit dem Anschlußpunkt I^ verbunden. Wie dargestellt, ist die positive Stromrichtung von der Wortleitung zur Bitleitung. Auf diese Weise wird die in Sperrichtung geschaltete Diode formiert und bildet somit eine galvanische Verbindung zwischen der Wortleitung Y und der Bitleitung X in Durchlaßrichtung der nicht formierten Diode des Diodenpaares der Speicherzelle in der gewünschten Richtung.
Zum Auslesen wird eine Bitleitung und eine Wortleitung adressiert und an den Anschluß -V_ wird eine relativ niedrige negative
ti
Spannung angelegt. Das vom Abfühlverstärker 87 gelesene Signal zeigt an, ob die adressierte Zelle formiert ist oder nicht, was als binäre 1 oder binäre 0 interpretiert werden kann.
Die spezielle in Fig. 10 dargestellte Anordnung ist nicht kritisch. Andere Anordnungen können vom Fachmann entworfen werden, wobei es unnötig erscheint, weitere Beispiele aufzuzeigen, da die Struktur des in der Erfindung zu verwendenden Festwertspeichers ausreichend klar erläutert wurde.
Ein typisches System für die Verwendung der Informationskarte gemäß der Erfindung ist in Fig. 11 dargestellt. Bei der Durchführung und Bearbeitung einer Transaktion unter Zuhilfenahme der Karte, wird diese in einen Einführschlitz eines Kartenlesers an einer lokalen Station eingeführt. Die lokale Station ist mit bekannten peripheren Geräten ausgestattet, die üblicherweise eine Konsole enthalten, und die möglicherweise mit einem Bildschirmgerät und einer Tastatur ausgerüstet ist, um Detailangaben für die Transaktion und für die Aktivierung der notwendigen Computeroperationen einzugeben. Wenn gewünscht, kann ein eigener Computer in der lokalen Station vorhanden sein, der alternativ bei geeigneter Aktivierung über eine Übertragungsleitung mit einem regionalen und/oder mit einem zentralen Computer verbunden werden kann, wobei letztere beide auch der zentralen Aufzeichnung dienen. Gemäß einer anderen Konfiguration kann die lokale Station auch direkt mit der zentralen Station
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— J. ο
verbunden werden. In jedem Fall muß der ausgewählte Computer in der Lage sein, die notwendigen Operationen zur Bearbeitung der Transaktion durchzuführen und die zugehörigen Resultate anzugeben, wie beispielsweise die Kredithöhenlimitierung, die Transak · tionslimitierung, die Gültigkeit der Karte und dergleichen. Diese Ergebnisse können auf dem Bildschirm angezeigt werden, können über eine Tastatur ausgedruckt werden und dazu benutzt werden, um die zentralen Aufzeichnungen und ebenso die Karte über den Kartenleser auf den neuesten Stand zu bringen. Wenn alle Voraussetzungen richtig erfüllt sind, kann die Transaktion durchgeführt werden, wobei die notwendigen Aufzeichnungen dafür innerhalb des Bearbeitungssystems gemacht werden. Gleichzeitig kann die Tastatur oder der Drucker, soweit vorhanden, an der lokalen Station aktiviert werden, um einen Ausdruck der übertragung durchzuführen, wie beispielsweise eine Empfangsbescheinigung für den Karteninhaber, die einzahlende Stelle und/oder die Stelle, die die Karte ausgegeben hat.
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Claims (6)

  1. ϋ._.Α ?JL¥ 1' ANSPRÜCHE
    Datenkarte, insbesondere Kundenkreditkarte zur Verwendung in Zusammenarbeit mit computergesteuerten Kredit- und Buchungssystemen, die einen Speicher enthält, dadurch gekennzeichnet, daß der Speicher aus einem monolithischen Halbleiterfestkörper (7) integrierter Bauart besteht, daß die einzelnen Speichermedien (COO, COl ... C23) an Kreuzungspunkten einer Matrix angeordnet sind, daß die Anschlußkontakte des Halbleiterfestkörpers (7) auf Leiterbahnen (9) innerhalb der Karte (1) geführt sind, die ihrerseits in von außerhalb der Karte (1) zugänglichen Kontakten (10) münden und daß die einzelnen Speichermedien (COO, COl, ...) einzeln mit einmaliger Einschreibmöglichkeit programmierbar sind.
  2. 2. Datenkarte nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Karte (1) im wesentlichen aus drei Schichten (2, 3, 4) aufgebaut ist, wobei eine äußere Schicht (3) mit den Leiterbahnen (9) und den Kontakten (10) in der Form einer gedruckten Karte ausgeführt ist, die innere Schicht (2) einer Aussparung (13) für die Aufnahme und Positionierung des Halbleiterplättchens (7) aufweist und die dritte Schicht (4) als Deckschicht den Speicher (7) abdeckt.
  3. 3. Datenkarte nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht (3) mit den Leiterbahnen (9) und Kontakten (10) größer ist als die anderen beiden Schichten (2, 4), so daß die Kontakte (10) in einer Zunge (5) über diese (2, 4) hinausragen.
  4. 4. Datenkarte nach einem der vorigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die einzelnen Speichermedien (COO, COl, ...) an den Kreuzungspunkten der Matrixleitungen (BQ, B1, ..., WQf W1, ...) Halbleiterschaltmittel sind, die entsprechend der Ansteuerung über die Matrixleitungen
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    (Bq, B , ..., W , W-, ...) und entsprechend ihrem Zustand ein bestimmtes, die gespeicherte Information wiedergebendes Verbindungsmuster zwischen den Matrixleitungen (B_, B , W , W , ...) herstellen.
  5. 5. Datenkarte nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterschaltmittel Diodenschaltkreise (COO, COl, ... ) sind, die entsprechend der Ansteuerung über die Matrixleitungen (B , B ..., W , W , ...) in aktiven oder inaktiven Zustand versetzbar sind.
  6. 6. Datenkarte nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Diodenscnaltkreise (COO, COl, ...) jeweils aus einem Paar antiseriell geschalteter Dioden (D1/D2, D3/D4 ...) bestehen, die an den Kreuzungspunkten der Matrixleitungen mit einer Bitleitung (Bn, B , ...) und einer Wortleitung (ViQ, VL, ...) verbunden sind, und daß die PN-Übergänge der Diodenpaare (D1/D2, D3/D4, ...) derart ausgebildet sind, daß bei Zuführung einer Durchbruchspannung zu einem der beiden übergänge in einem Formiervorgang dieser permanent leitend gemacht wird, wobei die Zuführung über die Matrixleitungen (B , B , ... W , W , ...) genau adressiert erfolgt.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2512935A1 (de) * 1974-03-25 1975-10-09 Innovation Ste Int System zur speicherung von daten in einem unabhaengigen, tragbaren gegenstand
DE3029939A1 (de) * 1980-08-07 1982-03-25 GAO Gesellschaft für Automation und Organisation mbH, 8000 München Ausweiskarte mit ic-baustein und verfahren zu ihrer herstellung
US4746392A (en) * 1982-12-28 1988-05-24 Gao Gesellschaft Fur Automation Und Organisation Mbh Method for producing an identification card with an integrated circuit
DE19624631A1 (de) * 1996-06-20 1998-01-02 Zentr Mikroelekt Dresden Gmbh Card-Anordnung

Families Citing this family (111)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3849633A (en) * 1972-01-04 1974-11-19 Westinghouse Electric Corp Object identifying apparatus
US3816711A (en) * 1972-01-21 1974-06-11 W Bliss Decoding apparatus and system for an electrically encoded card
US3883856A (en) * 1972-01-31 1975-05-13 Sony Corp Program input system using a memory cassette
US3829833A (en) * 1972-10-24 1974-08-13 Information Identification Co Code element identification method and apparatus
US3906460A (en) * 1973-01-11 1975-09-16 Halpern John Wolfgang Proximity data transfer system with tamper proof portable data token
US3876865A (en) * 1973-01-30 1975-04-08 William W Bliss Electrical verification and identification system
CH572246A5 (de) * 1973-05-30 1976-01-30 Europ Handelsges Anst
US3934122A (en) * 1974-08-15 1976-01-20 Riccitelli James A Electronic security card and system for authenticating card ownership
US4004133A (en) * 1974-12-30 1977-01-18 Rca Corporation Credit card containing electronic circuit
US3978320A (en) * 1975-02-20 1976-08-31 Mcbride Jr W Neil Data control devices
US4216577A (en) * 1975-12-31 1980-08-12 Compagnie Internationale Pour L'informatique Cii-Honeywell Bull (Societe Anonyme) Portable standardized card adapted to provide access to a system for processing electrical signals and a method of manufacturing such a card
US4222516A (en) * 1975-12-31 1980-09-16 Compagnie Internationale Pour L'informatique Cii-Honeywell Bull Standardized information card
DE2633164A1 (de) * 1976-07-23 1978-01-26 Steenken Magnetdruck Identitaetskarte mit datenspeicher
US4105156A (en) * 1976-09-06 1978-08-08 Dethloff Juergen Identification system safeguarded against misuse
IT1125188B (it) * 1976-12-14 1986-05-14 Selenia Ind Elettroniche Scheda di abilitazione e riscossione realizzata mediante circuito elettronico con elementi obliterabili per la distribuzione di beni o servizi e macchina operante sulla stessa
US4142674A (en) * 1977-01-17 1979-03-06 Schlage Electronics, Inc. Recognition and identification key having adaptable resonant frequency and methods of adapting same
FR2386080A1 (fr) * 1977-03-31 1978-10-27 Cii Honeywell Bull Systeme de comptabilisation d'unites homogenes predeterminees
FR2401459A1 (fr) * 1977-08-26 1979-03-23 Cii Honeywell Bull Support d'information portatif muni d'un microprocesseur et d'une memoire morte programmable
NL7802688A (nl) * 1978-03-13 1979-09-17 Philips Nv Inrichting voor het omzetten van akoestische in elektrische trillingen en omgekeerd, voor- zien van tenminste een kondensator elektreet- element aangesloten op een elektronische schakeling.
US4266282A (en) * 1979-03-12 1981-05-05 International Business Machines Corporation Vertical semiconductor integrated circuit chip packaging
EP0018116A1 (de) * 1979-04-13 1980-10-29 Pitney Bowes, Inc. Speicher für postalische Daten
FR2455320B1 (fr) * 1979-04-25 1986-01-24 Cii Honeywell Bull Dispositif de recyclage de supports d'enregistrement identifiables a l'aide de donnees d'identification et composes de memoires monolithiques non volatiles effacables
US4271352A (en) * 1979-05-07 1981-06-02 Thomas Lon G Lost personal accessory return method and article
DE2920012B1 (de) * 1979-05-17 1980-11-20 Gao Ges Automation Org Ausweiskarte mit IC-Baustein und Verfahren zur Herstellung einer derartigen Ausweiskarte
FR2466810A1 (fr) * 1979-10-05 1981-04-10 Kott Jacques Systeme de recherche de documents classes de facon aleatoire
CH646026A5 (de) * 1979-12-03 1984-10-31 Landis & Gyr Ag Einrichtung zum bargeldlosen telefonieren.
FR2474204B1 (fr) * 1980-01-22 1985-11-22 Transac Develop Transac Automa Dispositif electronique portatif, notamment pour l'identification de son porteur
FR2480008A1 (fr) * 1980-04-04 1981-10-09 Flonic Sa Perfectionnements aux cartes a memoire
FR2486685B1 (fr) * 1980-07-09 1985-10-31 Labo Electronique Physique Carte de paiement electronique et procede de realisation
US4400783A (en) * 1980-09-05 1983-08-23 Westinghouse Electric Corp. Event-logging system
US4549247A (en) * 1980-11-21 1985-10-22 Gao Gesellschaft Fur Automation Und Organisation Mbh Carrier element for IC-modules
US4388010A (en) * 1980-12-31 1983-06-14 International Business Machines Corporation Font module for matrix printer
DE3153768C2 (de) * 1981-04-14 1995-11-09 Gao Ges Automation Org Ausweiskarte
US4501960A (en) * 1981-06-22 1985-02-26 Motorola, Inc. Micropackage for identification card
DE8122540U1 (de) * 1981-07-31 1983-01-13 Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg "informationskarte mit integriertem baustein"
DE3228225A1 (de) * 1982-07-28 1984-02-02 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Elektronisches zahlungsmittel fuer kassiereinrichtungen von automatenverkaeufern
NL8203092A (nl) * 1982-08-03 1984-03-01 Nedap Nv Uitwendig programmeerbare responder.
CA1204213A (en) * 1982-09-09 1986-05-06 Masahiro Takeda Memory card having static electricity protection
IT1212711B (it) * 1983-03-09 1989-11-30 Ates Componenti Elettron Dispositivo a semiconduttore aforma di scheda piana con contatti elettrici su ambedue le facce eprocedimento per la sua fabbricazione.
US4578573A (en) * 1983-03-23 1986-03-25 Datakey, Inc. Portable electronic information devices and method of manufacture
US4567545A (en) * 1983-05-18 1986-01-28 Mettler Rollin W Jun Integrated circuit module and method of making same
US4555619A (en) * 1983-05-19 1985-11-26 Rockwell International Corporation Driver key car identifying system
JPS59221708A (ja) * 1983-05-31 1984-12-13 Fanuc Ltd シ−ケンス・プログラム用のｒｏｍモジユ−ル
FR2548409B1 (fr) * 1983-06-29 1985-11-15 Sligos Procede pour la fabrication de cartes a memoire, installation et cartes a memoire obtenues
DE3343856A1 (de) * 1983-12-03 1985-06-13 Blaupunkt-Werke Gmbh, 3200 Hildesheim Kreditkarte
US4575621A (en) * 1984-03-07 1986-03-11 Corpra Research, Inc. Portable electronic transaction device and system therefor
US4746787A (en) * 1984-07-20 1988-05-24 Oki Electric Industry Co., Ltd. IC card with display and card recording and reading device
CH661808A5 (fr) * 1985-01-21 1987-08-14 Lupa Finances Carte munie d'un microprocesseur et/ou d'au moins une memoire electronique.
US4636022A (en) * 1985-03-11 1987-01-13 Thomas & Betts Corporation Cassette connector
JPS625367U (de) * 1985-03-16 1987-01-13
JPS625363U (de) * 1985-03-25 1987-01-13
US4743747A (en) * 1985-08-06 1988-05-10 Pitney Bowes Inc. Postage and mailing information applying system
US4775246A (en) * 1985-04-17 1988-10-04 Pitney Bowes Inc. System for detecting unaccounted for printing in a value printing system
JPS61188871U (de) * 1985-05-16 1986-11-25
JPH0751390B2 (ja) * 1985-07-10 1995-06-05 カシオ計算機株式会社 Ｉｃカ−ド
US4889980A (en) * 1985-07-10 1989-12-26 Casio Computer Co., Ltd. Electronic memory card and method of manufacturing same
CH669275A5 (de) * 1985-08-21 1989-02-28 Landis & Gyr Ag Verfahren und einrichtung zum auswerten und loeschen von wertmarkierungen auf wertdokumenten.
JPH0530937Y2 (de) * 1985-10-04 1993-08-09
US4906987A (en) * 1985-10-29 1990-03-06 Ohio Associated Enterprises, Inc. Printed circuit board system and method
FR2590051B1 (fr) * 1985-11-08 1991-05-17 Eurotechnique Sa Carte comportant un composant et micromodule a contacts de flanc
JPS62121979A (ja) * 1985-11-22 1987-06-03 Mitsubishi Electric Corp 集積回路メモリ
US4760534A (en) * 1985-12-26 1988-07-26 Pitney Bowes Inc. Mailing system with postage value transfer and accounting capability
US4742215A (en) * 1986-05-07 1988-05-03 Personal Computer Card Corporation IC card system
EP0246893A3 (de) * 1986-05-21 1989-03-22 Hitachi, Ltd. Halbleiteranordnung mit einem isolierenden Leiterbahnensubstrat und Verfahren zur Herstellung
US4809185A (en) * 1986-09-02 1989-02-28 Pitney Bowes Inc. Secure metering device storage vault for a value printing system
US4858138A (en) * 1986-09-02 1989-08-15 Pitney Bowes, Inc. Secure vault having electronic indicia for a value printing system
JPH0696357B2 (ja) * 1986-12-11 1994-11-30 三菱電機株式会社 Ｉｃカードの製造方法
GB8901189D0 (en) * 1989-01-19 1989-03-15 Avery W & T Limited Portable electronic token
FR2633420B1 (fr) * 1988-06-28 1992-02-21 Schlumberger Ind Sa Support d'informations et systeme de gestion de tels supports
CA1326304C (en) * 1989-01-17 1994-01-18 Marcel Graves Secure data interchange system
US5030796A (en) * 1989-08-11 1991-07-09 Rockwell International Corporation Reverse-engineering resistant encapsulant for microelectric device
US5155068A (en) * 1989-08-31 1992-10-13 Sharp Kabushiki Kaisha Method for manufacturing an IC module for an IC card whereby an IC device and surrounding encapsulant are thinned by material removal
JPH0648774Y2 (ja) * 1989-09-21 1994-12-12 沖電気工業株式会社 カード型集積回路、並びにコネクタの端子構造
US5048085A (en) * 1989-10-06 1991-09-10 International Business Machines Corporation Transaction system security method and apparatus
FR2653634B1 (fr) * 1989-10-20 1996-06-28 Sgs Thomson Microelectronics Systeme de carte a puces munie d'une electronique portable deportee.
US5073703A (en) * 1990-03-30 1991-12-17 Datakey, Inc. Apparatus for encoding electrical identification devices by means of selectively fusible links
JPH04219688A (ja) * 1990-05-16 1992-08-10 Seiko Epson Corp Ｉｃカード
USRE42773E1 (en) * 1992-06-17 2011-10-04 Round Rock Research, Llc Method of manufacturing an enclosed transceiver
JP2672924B2 (ja) * 1992-07-30 1997-11-05 三菱電機株式会社 非接触ｉｃカードとその製造方法及びテスト方法
US7158031B2 (en) 1992-08-12 2007-01-02 Micron Technology, Inc. Thin, flexible, RFID label and system for use
US5480842A (en) * 1994-04-11 1996-01-02 At&T Corp. Method for fabricating thin, strong, and flexible die for smart cards
US5519201A (en) * 1994-04-29 1996-05-21 Us3, Inc. Electrical interconnection for structure including electronic and/or electromagnetic devices
CA2237038C (en) * 1995-03-16 2002-07-23 Medeco Security Locks, Inc. Universal apparatus for use with electronic and/or mechanical access control devices
DE19512191C2 (de) * 1995-03-31 2000-03-09 Siemens Ag Kartenförmiger Datenträger und Leadframe zur Verwendung in einem solchen Datenträger
US5671271A (en) 1995-05-25 1997-09-23 Henderson; Daniel A. Dialer programming system and device with integrated printing process
US5677521A (en) * 1995-06-29 1997-10-14 Garrou; Elizabeth B. Personal identification and credit information system and method of performing transaction
US5786988A (en) * 1996-07-02 1998-07-28 Sandisk Corporation Integrated circuit chips made bendable by forming indentations in their back surfaces flexible packages thereof and methods of manufacture
EP0845755B1 (de) * 1996-12-02 2004-03-10 Swisscom Mobile AG IC-Karte und Program für IC-Karten
US5988510A (en) * 1997-02-13 1999-11-23 Micron Communications, Inc. Tamper resistant smart card and method of protecting data in a smart card
JP3996668B2 (ja) * 1997-05-27 2007-10-24 富士通株式会社 半導体装置用ソケット
JP3173438B2 (ja) 1997-06-04 2001-06-04 ソニー株式会社 メモリカード及び装着装置
US6980085B1 (en) * 1997-08-18 2005-12-27 Micron Technology, Inc. Wireless communication devices and methods of forming and operating the same
US6339385B1 (en) * 1997-08-20 2002-01-15 Micron Technology, Inc. Electronic communication devices, methods of forming electrical communication devices, and communication methods
US6030423A (en) * 1998-02-12 2000-02-29 Micron Technology, Inc. Thin profile battery bonding method and method of conductively interconnecting electronic components
US6208019B1 (en) * 1998-03-13 2001-03-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Ultra-thin card-type semiconductor device having an embredded semiconductor element in a space provided therein
US6386446B1 (en) * 1998-12-17 2002-05-14 International Business Machines Cirporation Method for use of transaction media encoded with write-and-destroy entries
US6634561B1 (en) 1999-06-24 2003-10-21 Sandisk Corporation Memory card electrical contact structure
US6273339B1 (en) 1999-08-30 2001-08-14 Micron Technology, Inc. Tamper resistant smart card and method of protecting data in a smart card
JPWO2003015169A1 (ja) * 2001-08-07 2004-12-02 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置およびｉｃカード
TW556906U (en) * 2002-10-03 2003-10-01 C One Technology Corp Small electronic card structure
DE10344049A1 (de) * 2002-12-12 2004-06-24 Giesecke & Devrient Gmbh Tragbarer Datenträger
DE102004004289A1 (de) * 2004-01-28 2005-08-25 Infineon Technologies Ag Integrierte Schaltungsanordnung
US7719845B1 (en) * 2005-04-26 2010-05-18 Amkor Technology, Inc. Chamfered memory card module and method of making same
USD649894S1 (en) 2008-12-30 2011-12-06 Atek Products, Llc Electronic token and data carrier
USD649895S1 (en) 2009-01-30 2011-12-06 Atek Products, Llc Electronic token and data carrier
US8573500B2 (en) 2009-01-30 2013-11-05 ATEK Products, LLC. Data carrier system having a compact footprint and methods of manufacturing the same
USD649896S1 (en) 2009-01-30 2011-12-06 Atek Products, Llc Electronic token and data carrier receptacle
USD649486S1 (en) 2009-07-09 2011-11-29 ATEK Products , LLC Electronic token and data carrier
USD729808S1 (en) * 2013-03-13 2015-05-19 Nagrastar Llc Smart card interface
USD780763S1 (en) * 2015-03-20 2017-03-07 Nagrastar Llc Smart card interface
USD888009S1 (en) * 2019-01-03 2020-06-23 Ningbo Gecen Promotion & Gift Co., Ltd. Ear phone

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3258644A (en) * 1966-06-28 Light emitting display panels
US3245051A (en) * 1960-11-16 1966-04-05 John H Robb Information storage matrices
US3548254A (en) * 1967-04-12 1970-12-15 Aerospace Prod Res Display apparatus
US3604900A (en) * 1969-07-07 1971-09-14 Sprague Electric Co Electronic credit card
US3637994A (en) * 1970-10-19 1972-01-25 Trw Inc Active electrical card device

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2512935A1 (de) * 1974-03-25 1975-10-09 Innovation Ste Int System zur speicherung von daten in einem unabhaengigen, tragbaren gegenstand
DE2512935C2 (de) 1974-03-25 1985-06-05 Société Internationale pour l'Innovation, Paris Datenaustauschsystem
DE2560559C2 (de) * 1974-03-25 1989-11-30 Societe Internationale Pour L'innovation, Paris, Fr
DE3029939A1 (de) * 1980-08-07 1982-03-25 GAO Gesellschaft für Automation und Organisation mbH, 8000 München Ausweiskarte mit ic-baustein und verfahren zu ihrer herstellung
US4746392A (en) * 1982-12-28 1988-05-24 Gao Gesellschaft Fur Automation Und Organisation Mbh Method for producing an identification card with an integrated circuit
US5013900A (en) * 1982-12-28 1991-05-07 Gao Gesellschaft Fur Automation Und Organisation Mbh Identification card with integrated circuit
DE19624631A1 (de) * 1996-06-20 1998-01-02 Zentr Mikroelekt Dresden Gmbh Card-Anordnung
DE19624631C2 (de) * 1996-06-20 2002-06-27 Zentr Mikroelekt Dresden Gmbh Card-Anordnung

Also Published As

Publication number Publication date
GB1327918A (en) 1973-08-22
IT950708B (it) 1973-06-20
CA955684A (en) 1974-10-01
US3702464A (en) 1972-11-07
FR2139258A5 (de) 1973-01-05

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