DE2252833A1 - Zusammengesetzte halbleitervorrichtung und verfahren zur herstellung derselben - Google Patents

Zusammengesetzte halbleitervorrichtung und verfahren zur herstellung derselben

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DE2252833A1
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Description

Zusammengesetzte Halbleitervorrichtung und Verfahren - zur Herstellung derselben
Die Erfindung bezieht sich auf eine zusammengesetzte Halbleitervorrichtung, insbesondere auf eine solche, die für Ultrahochfrequenzen verwendet werden kann, und auf ein Verfahren zur' Herstellung einer solchen Vorrichtung.
Es ist bekannt, daß die Impedanz des Gehäuses einer zusammengesetzten Halbleitervorrichtung das Arbeiten der Vorrichtung bei Frequenzen in der Größenordnung von 500 MEz und mehr negativ beeinflußt. Herkömmliche Gehäuse haben deshalb eine Zylinder· form mit kreisförmiger Grundfläche zum Verkürzen der Drähte für die Befestigung der Vorrichtung auf eine gedruckte Schaltungskarte, wodurch die ungewünschte Impedanz verringert wird. Ein zylindrisches Gehäuse mit kreisförmigem Querschnitt hat jedoch insoweit den Nachteil, daß es schwierig herzustellen ist und die elektrischen Verbindungen in dem Gehäuse nur schwierig vorgenommen werden können und das Gehäuse nur kurze Wege für
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Kriechströme zwischen benachbarten Leitungsdrähten zuläßt. Ausserdem sollten scharfe Biegungen der Leitungsdrähte oder Diskontinuitäten so weit wie möglich vermieden werden, so daß . keine Störungen des elektrischen Stromes bei Ultrahochfrequenzen auftreten.
Es ist Aufgabe der Erfindung, eine zusammengesetzte Halbleitervorrichtung zu schaffen, die eine möglichst geringe elektrostatische Kapazität besitzt und doch hinreichend Raum für die Vervollständigung der elektrischen Verbindungen in dem Gehäuse besitzt.
Die so geschaffene Halbleitervorrichtung soll für die Herstellung in Massenproduktion geeignet sein.
Es ist weiter Aufgabe der Erfindung, eine sehr zuverlaßig arbeitende zusammengesetzte Halbleitervorrichtung zu schaffen, die auch bei Ultrahochfrequenzen zuverläßig arbeitet.
Es ist weiter Aufgabe der Erfindung, eine zusammengesetzte Halbleitervorrichtung zu schaffen, in der thermisch bedingte Spannungen auf ein Minimum begrenzt sind.
Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung durch eine zusammengesetzte Halbleitervorrichtung gelöst mit einem scheibenförmigen Grundteil, einem peripheren Wandteil und einem scheibenförmigen Oberteil, wobei der peripher« Wandteil eine im wesentlichen konstante Wanddicke hat und alle Teile einen Hohlraum zum Einschliessen eines Halbleiterelementes mit einer Mehrzahl Elektroden bilden und der Grundteil wenigstens eine gleiche Mehrzahl von gegeneinander elektrisch isolierten Leitern aufweist, die aus dem genannten Raum nach außen leiten und einen elektrischen Zugang von außen in den Raum zu den Elektroden bilden, die sich gemäß der Erfindung dadurch kennzeichnet, daß der Grundteil im wesentlichen rechtwinklig ist und daß der Wandteil aus demselben Material gebildet ist wie der Grundteil und im wesentlichen kongruent zu dem Grundteil in bezug auf den Querschnitt ist.
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Weitere Merkmale und Zweckmäßigkeiten der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen und der Beschreibung von Ausführungsbeispielen anhand der Figuren. Von den Figuren zeigen:
Fig. IA eine Draufsicht auf eine herkömmliche zusammengeu setzte Halbleitervorrichtung und eine axiale Schnittzeichnung entlang der Linie IB-IB in Fig. IAj
Fig. 2A, 2B,eine Draufsicht auf eine andere herkömmliche zusam-
' mengesetzte Halbleitervorrichtung, einen axialen Schnitt entlang der Linie 2B-2B in Fig. 2A, eine Draufsicht auf ein in den Fig. 2A und 2B verwendetes Grundteil und eine Ansicht von unten auf dieses Grundteil;
Fig. 3A Ansichten von oben und von unten auf die Grund- und 3B platte, die bei der Herstellung einer Mehrzahl
zusammengesetzter Halbleitervorrichtungen verwendet wird;
Fig. 4 eine Seitenansicht einer Wandplatte;
Fig. 5A, Draufsichten auf die Grund- und Wandplatten, eine und 5C Ansicht von unten und einen senkrechten Schnitt entlang der Linie 5C-5C in den Fig. 5A und 5B; und
Fig. 6A eine Draufsicht auf eine zusammengesetzte Halbleiterun vorrichtung mit abgenommenem Oberteil und einen
vertikalen Schnitt einer vollständigen Vorrichtung entlang der Linie 6B-6B in Fig. 6A.
In den Fig. IA und IB ist eine herkömmlich angeordnete Halbleitervorrichtung dargestellt mit einem scheibenförmigen Grundteil 11, welcher eine metallische Schicht 12 auf seiner unteren Oberfläche aufweist, um gegebenenfalls mit einem Schaltungsbrett für gedruckte Schaltungen oder mit einem hier nicht gezeigten Kühlblech verbunden zu werden, mit einer hohlzylindrischen Wand 13 mit einem metallisierten Ring 14 an seiner oberen Kante, einer Mehrzahl von Leitungsdrähten 15, einem der Leitungsdrähte 15 aufgesetzten Halbleiterelement 16 und einem scheibenförmigen Oberteil 17. Die Basis des Grundteiles 11 und des Wandteiles 13
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ist zu einem einzigen Stück zusammen mit den Leiterdrähten 15 verbunden durch eine Masse 21 aus geschmolzener Glasmasse. Die Elektroden des Halbleiterelementes 16, die nicht mit dem einen Leiterdraht 15 elektrisch verbunden sind, sind mit den anderen elektrischen Leiterdrahten 15 durch feine Drähte 22 verbunden. Der Wandteil 13 und das Oberteil 17 werden dann hermetisch miteinander verbunden durch eine Masse 23 aus einer schmelzbaren Legierung. Bei dieser Vorrichtung wird der Nebenschließungsweg zwischen den benachbarten Leiterdrähten 15 durch einen Quadranten der geschmolzenen Glasmasse 21 bewirkt.
Damit die gesamte Halbleitervorrichtung klein wird, ist es notwendig, daß auch ihre einzelnen Komponenten klein sind. Daraus resultieren Schwierigkeiten bei der Herstellung und beim Zusammenbau der Komponenten. Beispielsweise ist es schwierig, ein Wandteil 13 herzustellen, dessen kleinstmögliche Wanddicke und Höhe 0,5 mm bzw. 0,3 mm sind. Außerdem verschlechtert das Erhitzen der Glasmasse auf hohe Temperaturen zum Vermeiden von Bläschen in der geschmolzenen Glasmasse 21 nicht nur das Halbleiterelement 16 sondern schwächt auch die Masse 21« Die geschmolzene Glasmasse 21 bekommt außerdem Risse oder Bruchstellen als Folge thermischer Spannungen oder als Folge unterschiedlicher thermischer Ausdehnungskoeffizienten der Komponenten. Wegen des in Fig. 1 gezeigten ausgefüttertenAbschlusses ist es notwendig, eine hinreichend große Menge von Glasmasse zum Erzielen einer ausreichenden Stärke zum Umgeben und Zusammenfassen des Grundteiles 11 und des Wandteiles 13 zu einem einzigen Teil zu verwenden. Eine große Anzahl solcher Komponenten und verschiedene Kombinationen solcher Komponenten machen es schwierig, die vorhandenen nicht vermeidbaren Schwierigkeiten und Folgen zu analysieren, um sehr zuverläßige zusammengebaute Halbleitervorrichtungen bei verminderten Kosten und mit einer großen Massenleistung herzustellen.
In den Fig. 2A, B, C und D sind andere konventionell gepackte Halbleitervorrichtungen gezeigt mit Komponenten ähnlich den in den Fig. IA und IB gezeigten, die jeweils mit den gleichen Bezugszeichen versehen sind. Das Wandteil 13 weist jedoch einen
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metallisierten Ring auf beiden Rändern auf. In Übereinstimmung damit ist das Grundteil 11 entlang seines Umfanges bei 26 in Fig. 2C auf einer seiner Hauptoberflächen metallisiert. Das Grundteil 11 und das Wandteil 13 werden durch eine Masse 27 verbunden, die besser als aus einer geschmolzenen Glasmasse 21 aus. einer schmelzbaren Legierung besteht. Die Leiterdrähte 15 weisen ein metallisiertes Muster auf, das aus der oben genannten einen Oberfläche des Grundteiles 11 gebildet ist, wie es am besten in der Fig. 2C bei 31,32,33 und 34 gezeigt ist. Das Halbleiterelement 16 ist auf einem der metallischen inneren Leiterdrähte 31 montiert, der sich vom Zentrum des Grundteiles 11 bis zu einem kleinen Abstand 35 zum metallisierten Umfang 26 erstreckt. Die Leiterdrähte 15 umfassen ferner ein anderes metallisiertes Muster, das aus der anderen Oberfläche des Grundteiles 11 in der am besten aus Fig. 2D bei 36,37 und 38 zu ersehenden Weise gebildet ist in Übereinstimmung mit den metallischen inneren Leiterdrähten 31—3M-. Die entsprechenden inneren und äußeren Leiterdrähte 31-34 und 36-38 sind miteinander durch entsprechende Löcher 39 verbunden.
Tatsächlich erhöht die schmelzbare Metallmasse 27„ die zwischen den metallisierten Teilen 2 6 und IH des Grundteiles 11 und des Wandteiles 13 aufgebracht ist, die Betriebssicherheit der hermetischen Versiegelung. Der Raum für die Durchführung elektrischer Verbindungen durch feine Drähte 22 wird jedoch kleiner als bei dem in den.Fig. IA und IB gezeigten Beispiel. Das folgt daraus, daß ein merklicher Abstand 35 zwischen der metallischen Umfangsschicht 26 und den inneren Leiterdrähten 31-34 notwendig ist. Zusätzlich wirken die Ungleichmäßigkeiten, die durch die Durchführungen 39 hervorgerufen werden, eine Ableitung der Elektrodenströme, wodurch die Eigenschaften der zusammengesetzten Halbleitervorrichtung negativ beeinflußt werden. Es ist auch schwierig, bei der zusammengesetzten Halbleitervorrichtung gemäß den Fig. 2A - 2D die inneren und äußeren Muster 31-34 und 36-38 zu metallisieren, wobei als Ergebnis Abweichungen in der Elektrodenkapazität der Vorrichtung auftreten. Dieses Beispiel
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benötigt schon eine große Anzahl von Komponenten, um die im Zusammenhang mit dem oben beschriebenen Ausführungsbeispiel auftretenden Nachteile aufzuzeigen.
Es wird nun auf die Fig. 3A und 3B Bezug genommen«Eine Grundplatte, aus der eine Mehrzahl von in den Fig. 5 und 6 gezeigten quadratischen Grundteilen 11 der unten beschriebenen Weise erhalten werden, weist eine erste nicht gesinterte Keramikscheibe HO und eine Mehrzahl erster Leiter Hl, eine im wesentlichen gleiche Anzahl zweiter Leiter H2 und eine Mehrzahl dritter Leiter 13, deren Anzahl im wesentlichen gleich zweimal der Anzahl der ersten Leiter Hl ist, auf. Die Keramikplatte 10 kann aus einem Grün-Band hergestellt sein, welches auf dem Markt erhältlich ist und ein zusammengesetztes Band darstellt, das hergestellt wird durch Suspension von ungesintertem Keramikpuder in einem Binder auf einer der flachen Oberflächen eines Polyesterfilms, wie er beispielsweise unter dem Namen "Mylar-Band" bekannt ist, und zwar in einer vorbestimmten Dicke von 0,1 mm bis 1 mm, durch Abziehen des Polyesterfilms. Die ersten bis dritten Leiter Hl-13 werden gedruckt oder in anderer Weise auf die Hauptoberflächen der Keramikplatte HO aufgebracht mit Bezug auf erste und zweite gedachte Linien H6 und H7 oder 18 und H9, durch die die Grundplatte anschließend in die Grundteile 11 geteilt werden soll. Wird das Druckverfahren gewählt, dann kann als Mittel eine Paste aus Metallpuder, etwa ein Molybdän-Puder oder ein Wolfram-Puder verwendet werden. Jeder der ersten Leiter Hl weist einen Bereich auf, der auf einer der Hauptoberflächen in der Keramikscheibe im Zentrum eines ersten Quadranten liegt, welcher durch die ersten gedachten Linien H6 und ein Paar der zweiten gedachten Linien H7 gebildet wird, und ein Arm 52 erstreckt sich vom Mittelbereich 51 in einem zweiten ähnlichen quadratischen Bereich aus einer der ersten gedachten Linien H6, die mit dem ersten quadratischen Bereich benachbart dem Mittelbereich des benachbarten ersten Leiters Hl gemeinsam ist, der im zweiten Quadrat liegt. Jeder der ersten Leiter Hl halbiert die den beiden benachbarten Quadraten gemeinsame Seite, die aus einer der ersten gedachten Linien H6 gebildet ist, vorzugsweise unter einem kleinen vorbestimmten Winkel. Jeder der zweiten Leiter
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ist auf einer der oben genannten Hauptoberflächen in Form eines langgestreckten Rechteckes gebildet, das sich gleich weit in das erste Quadrat und in ein drittes Quadrat hineinerstreckt, welches eine durch die zweiten gedachten Linien 47 gebildete gemeinsame Seite hat und halbiert die gemeinsame Seite unter dem vorbestimmten Winkel. Jeder der dritten Leiter 43 wird auf der anderen Hauptoberfläche der keramischen Scheibe 40 gebildet und hat die Form eines langgestreckten Rechteckes, das sich gleichermaßen in zwei benachbarten Quadraten erstreckt, die eine gemeinsame Seite aufweisen, die durch eine der gedachten Linien 48 oder 49 gebildet ist, und die die gemeinsame Seite im wesentlichen senkrecht durchschneiden. Verbindungen zwischen jedem der ersten und der zweiten Leiter 41 und 42 und den entsprechenden der dritten Leiter 43 können erzeugt werden durch die Löcher 53. Die Grundscheibe kann für weiter unten erläuterte Zwecke durch Anreißen auf der oben genannten anderen Hauptoberfläche entlang der gedachten Linien 48 und 49 aufgeteilt werden.
Im folgenden wird auf Fig. 4 Bezug genommen. Dort ist eine Wandplatte gezeigt, die eine Mehrzahl zylindrischer Wandteile mit quadratischer Grundfläche gemäß Fig. S und 6 in der weiter unten erläuterten Weise liefert und die eine zweite ungesinterte Keraadkscheibe 60 aufweisen, die in der oben im Zusammenhang mit der ersten ungesinterten Keramikscheibe 40 beschriebenen Weise hergestellt werden, und eine Schicht aus Metallgittern 61 aufweisen, die durch Aufbringen von Molybdän- oder Wolfram-Paste durch Drucken oder ein anderes Verfahren auf einer der Hauptoberflächen der Keramikscheibe 60 entlang der ersten und zweiten > gedachten Linien 66 und 67 erzeugt werden, die kongruent sind mit den ersten und zweiten gedachten Linien 46 und 47 oder 48 und 49 der ersten ungesinterten Keramikscheibe 40. Nachdem die Metallpaste getrocknet ist, wird die zweite ungesinterte Keramikscheibe 60 mit einer Mehrzahl quadratischer Löcher 68 versehen, indem die nicht durch die Schicht aus dem Metallgitter bedeckten Teile beispielsweise herausgestanzt werden.
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Im folgenden wird auf die Fig. 5A1 5B und SC Bezug genommen. Die erste und die zweite ungesinterte Keramikscheibe 40 und 60 mit den Metallmustern 41-43 und 61 darauf werden übereinander gesetzt mit den ersten und den zweiten gedachten Linien 46-47 und 66-67 in Deckung aufeinander und mit den dritten Leitern 43 und den Metallgittern 61 nach außen gerichtet und dann zusammen bei einer Temperatur von 1600°C bis 17000C gesintert. Der Grundteil und die Wandteile werden eo ein einheitlicher Keramikkörper. Gleichzeitig werden die Metallmuster 41-43 und 61 auf den Keramikkörper aufgebrannt. Anschließend wird der Keramikkörper entweder entlang der angerissenen Linien abgebrochen oder entlang der ersten und der zweiten gedachten Linien in einzelne Stücke aus Grundteil 11 und Seitenwänden 13 geschnitten, von denen eines in denFig. 5A - 5C gezeigt ist.
Die in den Fig. 6A und 6B zusammengesetzte Halbleitervorrichtung gemäß der Erfindung umfaßt einen Keramikkörper aus dem Grundteil 11 und den Seitenwänden 13, eine Mehrxahl Leiter 69, die mit einem der dritten Leiter 43 zusammengeschmolzen sind, eine hier nicht gezeigte Nickel- oder Goldschicht, die auf den ersten und zweiten Leitern 41 und42 in bekannter Weise gegebenenfalls aufgebracht werden kann, ein auf dem Zentralbereich Sl des ersten Leiters 41 montiertes Halbleiterelement 16,feine Drähte 22 aus Gold oder anderem Material, die aim Elektroden des Halbleiterelementes 1Θ mit dem Bereich 52 des ersten Leiters 41 und mit den Streifen des zweiten Leiters 42, die nicht mit dem Zentralbereich Sl in elektrischem Konfekt stehen, verbinden, ein Oberteil 17 und eine Masse 23 aus schmelzbarem Metall, das zwischen das Oberteil 17 und das Metallgitter 61 aufgebracht ist.
Mit dieser Zylinderstruktur mit viereckigem Grundriss der zusammengesetzten Halbleitervorrichtung gemäß der Erfindung ist es leicht, die gesinterten Grundteile und Wandteile in individuelle Sätze aufzuteilen, wie das bei Massenproduktion wünschenswert ist, und es kann ein ausreichender Raum für das Montieren des Halbleiterelementes 16 und die Ausführung der elektrischen Verbindungen durch feine Drähte 22 bei kleinstmög-
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lichen Dimensionen der Vorrichtung geschaffen werden, Auch der Weg für den Kriechstrom zwischen benachbarten Leiter» drähten ist länger als bei herkömmlichen Vorrichtungen gleicher Abmessungen. Das erhöht die Betriebssicherheit der betriebsfertigen Halbleitervorrichtungen zusammen mit dem Zusammensintern des Grundteiles und der Wände anstelle der Verwendung von geschmolzener Glasmasse 21 e Zusätzlich hat eine betriebsfertige Halbleitervorrichtung gemäß der Erfindung ungefähr die gleiche elektrostatische Kapazität wie eine herkömmliche Halbleitervorrichtung bei gleichen Abmessungen und kann auf ein Schaltbrett für gedruckte Schaltungen mit gleicher Länge der Leiter 69 wie eine herkömmliche Vorrichtung aufgebracht werden. Durch den Zusammenbau aus Gruhdteil und Wandteilen 11 und 13 und die verminderte Vielfalt von Materialien wird die mechanische Stärke vergrößert und die Zahl der Kontrollpunkte für die Qualitätskontrolle vermindert.
Die oben beschriebene Ausführungsform kann selbstverständlich abgewandelt werden. Beispielsweise können die auf der zweiten ungesinterten Keramikscheibe 60 gebildeten Metallgitter eine Mehrzahl underunbedeckter Teile anstelle der quadratischen Tei„le zur Vergrößerung der Luftdiehtigkeit haben. Gleichzeitig kann die beim Drucken der ungebrannten Leiter 41, 42, und 43 verwendete Metallpaste durch Mischen von Metallteilen mit einem Durchmesser von 0,1 Mikron bis 4 Mikron, einem Binder, etwa einer Mischung aus Nitrozellulose und Amylazetat und einem Verdünner bestehen».Die ersten Leiterarme 52, die zweiten Leiter 42 und die dritten Leiter 43 können 0,5 mm breit und 8 Mikron bis 20 Mikron dick sein. Die Dicke kann beispielsweise 10 Mikron betragen. Der kleine Winkel zwischen dem ersten Leiterarm 52 oder einem zweiten Leiter 42 und den zugeordneten ersten und zweiten gedachten Linien 46 oder 47 kann 45° betragen. Die metallisierten Muster können bei 1200C bis 130°C und einer Dauer von etwa 30 Minuten getrocknet werden. Vorj^djeia-Siriter können die beaufschlagten Grund- und Seitenteile zwiscfeenrKoilen unter einem Druck von etwa 0,5 Tonnen bis mehreren Tonnen pro · Quadratzentimeter hindurchgeführt werden. Die Dimensionen einer
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kompletten Halbleitervorrichtung gemäß der Erfindung sind abhängig von den Dimensionen des Halbleiterelementes 16« Das Wandteil 13 kann etwa 0,2 mm dick sein. Die Länge der feinen Drähte 22 zur Verbindung des Halbleiterelementes mit den inneren Leitern 41 und 42 kann 0,3 mm betragen. Auf diese Weise kann in der Massenproduktion leicht eine betriebsfertige HaIbleitervorrichtung hergestellt werden, deren Grundteil 11 1,H nun hat.
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Claims (8)

Patentansprüche
1.) Zusammengesetzte Halbleitervorrichtung mit einem scheibenförmigen Grundteil, einem peripheren Wandteil und einem scheibenförmigen Oberteil, wobei der periphere Wandteil eine im wesentlichen konstante Wanddicke hat und alle Teile einen Hohlraum zum Einschließen eines Halbleiterelementes mit einer Mehrzahl Elektroden bilden und der Grundteil wenigstens eine gleiche Mehrzahl von gegeneinander elektrisch isolierten Leitern aufweist, die aus dem genannten Raum nach außen leiten und einen elektrischen Zugang von außen in den Raum zu den Elektroden bilden, dadurch gekennzeichnet, daß der Grundteil (11) im wesentlichen rechtwinklig ist und daß der Wandteil (13) aus demselben Material gebildet ist wie der Grundteil (11) und im wesentlichen kongruent zu dem Grundteil (11) in bezug auf den Querschnitt ist.
2. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Rechteck ein Quadrat ist, daß einer der Halbleiter einen Bereich innerhalb des Raumes im Zentrum des Quadrates und einen von diesem Bereich sich erstreckenden Arm, der auf einer Seite des Quadrates in deren Mitte auftrifft, besitzt, daß der Arm und die eine Seite einen vorbestimmten Winkel einschließen, daß das Halbleiterelement auf diesem Bereich angeordnet ist, und daß die anderen Leiter erste Streifen aufweisen, die innerhalb des Raumes die entsprechenden Seiten des Quadrates berühren mit Ausnahme einer Seite an den entsprechenden festen Zentren, und daß jeder der ersten Streifen und die Seite des Quadrates, die von den Streifen berührt wird, einen vorbestimmten Winkel bilden.
3. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der vorbestimmte Winkel ein Bpiizer Winkel ist, der in Abhängigkeit von der Wanddicke des peripheren Wändteiis Breiten des Armes und der ersten Streifen bestimmt wird.
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4. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Grundteil (11) und die Wandteile (13) aus gesinterter Keramik gebildet sind und daß der Bereich (51), der Arm (52) und die ersten Streifen (42) aus auf den Hauptoberflachen des Grundteiles (11) aufgebrachten metallischen Filmen bestehen und daß der Grundteil (11)mit dem Raum und dem peripheren Wandteil (13) in Kontakt steht.
5. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß alle Leiter auf der anderen Hauptoberfläche durch Metallisieren aufgebrachte zweite Streifen (43) aufweisen, die entsprechenden Seiten (te,49) des Quadrates in deren Mitte berühren, und daß jeder der zweiten Streifen (43) und die Seite (48,49) des Quadrates, die mit dem zweiten Streifen (43) zusammentrifft, einen rechten Winkel bilden und daß der Arm (51) und die ersten Streifen (52) elektrisch mit den zweiten Streifen (43), die dieselben Seiten des Quadrates durch den Arm und die ersten Streifen berühren, entsprechend verbunden sind.
6. Verfahren zur Herstellung zusammengesetzter Halbleitervorrichtungen, bei dem wenigstens eine der Hauptoberflächen eines scheibenförmigen Isolators metallisiert wird zum Schaffen einer Mehrzahl elektrisch gegeneinander isolierter Leiter und anschliessend hermetische Abdichtstücke auf eine der Hauptoberflächen zur Bildung einer großen Anzahl von Zwischenräumen auf die Hauptoberfläche mit einer kleinen Anzahl von Teilen von Leitern in jedem der Zwischenräume aufgebracht werden und darauf der metallisierte Teil in Stücke aufgetrennt wird zur Schaffung individueller Teile, die jeder einen der Räume besitzen, in die ein Halbleiterelement auf einen ersten vorbestimmten Leiter der Leiterteile aufgebracht wird, wobei das Halbleiterelement elektrisch mit der kleinen Anzahl von Leiterteilen verbunden wird, und bei dem anschließend ein Oberteil auf das freie Ende der den Raum bildenden Teile von jeder der Anordnungen aufgebracht wird zur Schaffung einer zusammengesetzten Halbleitervorrichtung, dadurch gekennzeichnet, daß die den Raum bildenden Mittel vor der hermetischen Versiegelung scheibenartig ausgebildet sind und aus demselben Material
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wie der isolierende Teil im gitterförmigen Aufbau mit einem Gitter von im wesentlichen konstanter Breite und sich im wesentlichen rechtwinklig kreuzenden Gitterteilen zur Schaffung von kongruenten rechten Winkeln im Querschnitt und daß das metallisierte Teil entlang der Mittellinien der Gitter in Stücke geteilt wird.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß das isolierende Teil und die den Raum bildenden Abstandshalter ungesinterte Keramikscheiben sind und daß die Abstandshalter hermetisch mit dem,metallisierten Isolator durch Sinterung verbunden sind.
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die andere der Hauptoberflächen metallisiert wird zur Schaffung dritter Leiter mit Bezug auf die orthogonale Projektion der ersten und der zweiten gedachten Linien auf der anderen Hauptoberfläche, daß jeder der dritten Leiter sich im wesentlichen gleich weit in die angrenzenden Quadrate hineinerstreckt, die durch die orthogonalen Projektionen gebildet werden, und daß jeder der dritten Leiter die orthogonalen Projektionen durchschneidet und die angrenzenden Quadrate im wesentlichen rechtwinklig teilt.
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