DE2319487A1 - Thermoelement mit warmverbindungsstelle aus feuerfestem metall - Google Patents
Thermoelement mit warmverbindungsstelle aus feuerfestem metallInfo
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Description
Patentanwälte Dlpl.-lng. RBSETZ
DIpl-in2. K. LAMP.2SCHT
Dr.-Ing. R. OUCTZ Jr.
• MlRch*n 22, Steiiwdorfctr. H
410-20.568P 17. 4. 1973
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE, Paris
(Frankreich)
Thermoelement mit Warmverbindungsstelle aus feuerfestem Metall
Die Erfindung bezieht sich auf ein Thermoelement mit Warmverbindungsstelle aus feuerfestem Metall.
Es ist bekannt, daß ein Thermoelement einerseits aus einer Warmverbindung genannten Schweißstelle von zwei
Drähten aus verschiedenen Metallen, die am Meßpunkt angeordnet sind, und andererseits aus zwei Kaltverbindungsstellen
genannten, am anderen Ende dieser Drähte angeordneten Schweißstellen besteht, die in einer Bezügetemperaturumgebung
angeordnet sind.
kk66.3)-Tp-r (8)
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Diese beiden Verbindungsstellen sind der Sitz einer elektromotorischen Kraft, deren Unterschied dem der Temperatur
zwischen den betrachteten Punkten proportional ist (Seebeck-Effekt).
Bei den bekannten Thermoelementen fertigt man die Warmverbindungsstelle: Eisen-Konstantan, Kupfer-Konstantan,
Chrom-Alumel, Platin-Platinrhodium, usw. durch einfaches
Autogenverschweißen der beiden Drähte, z. B. mittels Bogenschweißung oder auch durch eine Kondensatorentladung
usw. Die Schweißstellen dieser Metalle haben ausreichende Duktilitätseigenschaften, damit die Thermoelemente unter
guten Bedingungen die mechanischen und thermischen Belastungen aushalten, denen sie im Betrieb ausgesetzt sind.
Dies gilt Jedoch nicht für Thermoelemente aus feuerfesten
Metallen, insbesondere Volframrhenxumdrähten mit 5 bzw. 26 io Rhenium, deren Schweißstelle bei einer Temperatur
nahe 3000 C erzeugt wird, wobei derartige Kristallisationseffekte auftreten, daß diese Schweißstelle praktisch
keine mechanische Festigkeit aufweist.
Man hat versucht, die Thermoelemente aus Wolframrheniumdrähten
in dieser Weise mit einem Schweißpunkt am Ende der beiden Drähte zu schweißen, doch sind sie unmöglich
zu handhaben, und im Fall von ummantelten Drähten tritt der Bruch am sprödesten Draht bereits bei sehr geringster
thermischer Spannung auf.
Man hat ebenfalls versucht, diese Spannungsbelastungen
durch Einfügung eines Drahtes mit geringerem Durchmesser zwischen den Thermoelementdrähten zu eliminieren. Ein
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anderes Mittel besteht darin, die mechanische Haltbarkeit der Drähte durch eine Verdrallung zu sichern, wobei
die Verschweißung dann nur die Rolle des elektrischen Kontakts spielt. Die erste Maßnahme ist nur von Nutzen,
falls die beiden Drähte gegenseitig festgehalten sind, was bei blanken Drahtpaaren nicht gesichert ist, und
außerdem ist eine solche Verbindung bei ummantelten Thermoelementen nicht möglich. Die zweite Maßnahme liefert
gute Resultate, wenn man sicherstellen kann, daß die Verbindungsstelle
keiner Belastung ausgesetzt wird. Man hat nämlich festgestellt, daß bei den vertikal montierten ummantelten
Thermoelementen, was fast immer der Fall ist, sich die Keramikperlen weniger als die Ummantelung ausdehnten
und daher die Verbindungsstelle belasteten, wodurch ein Bruch eines Thermoelementdrahtes auf Höhe seines
Ausgangs aus einer Isolierperle auftrat.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, unter Überwindung
dieser Nachteile eine verbesserte Technologie für die Verbindungsstellen anzugeben, damit die Thermoelementdrähte
aus feuerfestem' Metall bei normalen Belastungen nicht brechen.
Gegenstand der Erfindung, womit diese Aufgabe gelöst wird, ist ein Thermoelement mit verdrallter Wareverbindungsstelle
aus feuerfesten Leiterdrähten, die mit Keramikperlen isoliert und durch eine Metallummantelung geschützt
sind, mit dem Kennzeichen, daß ein Fassungselement aus edlem Metall auf die Verdrallungsstelle der Varraverbindungsstelle
aufgesetzt und in der Metallummantelung festgelegt ist.
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Nach einer Ausführungsart der Erfindung ist das Fassungselement nicht direkt in der Met al !.ummantelung,
sondern in einer feuerfesten Buchse festgelegt, die in der Metal!ummantelung angeordnet ist. Venn das Thermoelement
einen Punkt an der Masse aufweisen soll, wird das Fassungeelement an einem Ende mit der MetaI!ummantelung
verschweißt.
Die am besten für das Fassungselement geeigneten
Stoffe sind Niob und Rhenium, d. h. feuerfeste Metalle, deren Schmelzpunkt höher als die Betriebstemperatur des
Thermoelements liegt. Sie bilden mit den Leiterdrähten unterhalb dieser Betriebetemperatur keine Eutektika und
weisen gleichzeitig eine große Duktilität auf, die den EinfassungsVorgang im Kalten und eine ausreichende Warmduktilität
zuläßt.
Die Erfindung wird anhand der in der Zeichnung veranschaulichten
Aueführungebeispiele näher erläutert; darin zeigen:
Fig. 1 einen schematischen Teillängsschnitt eines
bekannten Thermoelements zur Erläuterung des üblichen Bruchs der Warmverbindungsstelle;
Fig. 2 einen schematischen Teillängsschnitt eines
Thermoelemente gemäß der Erfindung;
Fig. 3 einen Querschnitt durch das Thermoelement in Fig. 2;
Fig. k einen schematischen Längsschnitt ein·· an-
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deren Ausführungsbeispiels der Erfindung;
Fig. 5 einen Gesamtlängeschnitt eines auf einem
Rohrstück montierten Thermoelements; und
Fig. 6 ein Diagramm zur Erläuterung der Eichkurve von Thermoelementdrähten.
Fig. 1 zeigt ein ummanteltes Thermoelement 1, das
normalerweise vertikal verwendet wird, mit einer Yarmverbindungss teile 2. Die Keramikperlen 3 dehnen sich weniger
als die metallische Ummantelung U aus, gleiten darin und beanspruchen die Varmverbindungsstelle 2, die häufig am
Punkt 5 bricht.
Xn Fig. 2 hat das Thermoelement 1 gemäß der Erfindung eine verdrallte Varmverbindungsstelle 2, auf die ein
Fassungselement 6 aus feuerfestem edlem Metall aufgesetzt ist, das als Verstrebung zwischen der letzten Keramikperle 3 und dem die metallische Ummantelung h abschließenden verschweißten Ende 7 bildet. So ist die Varmverbindungsstelle 2 den Möglicherweise infolge der Auedehnungsunterschiede zwischen den Perlen 3 und der Ummantelung 4
existierenden Spannungen entzogen. Venn das Thermoelement mit einem Anschluß an die Hasse der Ummantelung k verwendet wird (Fig. 2), erfüllt die Verschweißung des Faasungselements 6 mit dem Ummantelungsende 7 sehr gut diese Bedingung.
Fig. 3 ist ein Querschnitt des Thermoelements 1 nach
Fig. 2 durch die Perlen 3* Sie zeigt die übliche Anordnung
der beiden Leiterdrähte 8 und 9·
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Fig. 4 erläutert ein anderes Ausführungsbeispiel der Erfindung, bei dem das Thermoelement 1 von der Metallummantelung
h isoliert sein muß. Hierbei ist die Warmverbindungsstelle 2 von einem Fassungselement 6 geringeren
Querschnitts eingefaßt, das in eine Keramikmuffe 10 eingeschoben ist, die dem Innendurchmesser der
Metal!ummantelung k angepaßt ist. Die Muffe 10 dient als
Abstützung zwischen den Perlen 3 und dem die Abdichtung des Thermoelements sichernden verschweißten Ende 7· So
entziehen das Fassungselement 6 und die Muffe 10 die
Warmverbindungsstelle 2 jeder Beanspruchung, und die Muffe schafft die Bedingung der erforderlichen Isola- tion,
Die zur Herstellung des Fassungselements 6 verwendeten
Metalle sind in diesem Beispiel: Niob und Rhenium. Diese Metalle weisen den Vorteil auf, einen Schmelzpunkt
über der Betriebstemperatur des Thermoelements zu haben und unterhalb dieser Temperatur keine Eutektika mit den
Leiterdrähten zu bilden. Sie haben eine große Duktilität, wodurch gleichzeitig das Aufsetzen in den Preßsitz bei
Kälte und eine ausreichende Warraduktilität gesichert sind: Niob ermöglicht Betriebstemperaturen bis zu 2000 0C und
Rhenium bis zu 3000 °C.
Um nicht eine Metallummantelung k aus feuerfestem
edlem Metall großer Länge zu benötigen, ist in Weiterbildung der Erfindung auch ein Anschluß dieser Ummantelung
an eine Zwischenkapsel 12 in fester Verbindung mit einem Rohr 14, z. B. aus rostfreiem Stahl, vorgesehen (Fig. 5).
Die rohrförmige Ummantelung k und das Rohr 14 werden
mit Halbelementen 12a bzw. 12b der Kapsel 12 an Hartlötpunkten 12c bzw. 12d verschweißt. Aussparungen wie 13,
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die mit einem Antibenetzstoff gefüllt sind, hindern in
bekannter Weise ein evtl. Kriechen des Hartlötmittels bei hohen Temperaturen.
Die Verbindung 15 zwischen den Drähten 8, 9 des
Thermoelements und den Meßkompensationsdrähten 16, 18
erfolgt in der Kapsel 12. Keramikperlen 17 und 19 isolieren und halten die Drähte sowie die Verbindungsstelle.
Die Halbelemente 12a und 12b sind an ihren Flanschschul tern 12e bzw. 12f verschweißt. Nach dieser Versehweißung ist die Kapsel 12 dicht und wird unter Heliumdruck
gesetzt.
Die Tabelle I führt beispielsweise die Reaktionsbeginntemperaturen zwischen einigen feuerfesten Metallen,
die für die Drähte, die Fassungselernente oder die Netallummantertragen verwendbar sind, und den feuerfesten Oxyden
der Isolationsperlen auf.
Die Tabelle II zeigt beispielsweise das chemische Verhalten der feuerfesten Netalle in Luft, Wasserstoff,
Stickstoff, Kohlenstoff, Kohlenoxyd und Kohlendioxyd.
T1 = Reaktionsbeginntemperatur
T2 = Oxydationsverstärkungstemperatur
T- = Maximalabsorptionstemperatur
P = gebildeter Stoff.
Di· Tabelle III gibt beispielsweise di· Möglichkeiten der Thermoelement· gemäß der Erfindung als Funktion
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der Umgebungsatmosphäre einerseits und der Verträglichkeiten zwischen feuerfesten Metallen und feuerfesten Oxiden andererseits an. Die Drähte 8 und 9 des im Beispiel"
verwendeten Thermoelements sind WRe 5 Ί° und WRe 25 %.
Fig. 6 zeigt eine Eichkurve, die für Temperaturen bis 2250 °C die elektromotorische Kraft in mV an den Anschlüssen
von Thermoelementen mit Drähten aus WRe 5 $ und WRe 26 # umgibt.
Die Tabelle IV führt beispielsweise die Einfangsquerschnitte einiger feuerfester Metalle in barn/at als
Funktion einer Neutronengeschwindigkeit von 2200 m/s auf.
Die Tabelle V zeigt beispielsweise die Einfangsquerschnitte für thermische Neutronen einiger feuerfester
Oxyde. Die Querschnitte sind in barn angegeben.
A12°3 | Th O2 | Zr O2 | Be 0 | Mg 0 | Hf 0- | |
W W Re 5$ WfRe 26$ |
2000°C | 2300°C | 2100°C | 21OO°C | 2000°C | 23OO°C |
Re | 18OO°C | 23OO°C | 23OO°C | |||
Ta | 1900°C | 1900°C | 16oo°c | 16oo°c | 1800°C |
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Re
T1 O2 Air T2 P |
400 °C 700 wo3 |
300 °C 600 Re2 O7 |
200 °C 500 Ta2 O5 |
Τ3 |
keine
Reaktion |
keine
Reaktion |
400 Ta H + 1 01 101 |
Τ1
Ng P |
2.500 0C
W Ng |
keine Reaktion bis 2000 °C |
1.100 0C Ta N2 |
C T1
CO COg P |
800 0C
Wg C WC |
keine
Reaktion |
1.200 0C
Ta C |
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ο co
ItO
Thermoelement- Kombination "•^.^^ Draht, Is o- ^\^lierstoff, ^^^.Mantel Um- ^*'*s**«>^^ ge bungs- ^sx milieu |
¥ Al2O3 Nb |
W Al2O3 Ta |
W BeO * Ta |
¥, BeO, Mo, oder ¥, BeO, Ho, Re |
W, ThO Re oder V, ThO W Re |
ITO2 (He, Vakuum) | 1700 °C | 1900 °c | 1600 °c | 1900 °c | 2300 °c |
C (He, Vakuum, CO21N2) |
1200 °C | 1200 °C | 1200 °C | 1900 °c | 2300 ?c |
°2 | 500 °C | 500 °c | 500 °c | 600 °C | 600 °C |
C°2 | 1200 °C | 1200 °C | 1200 °C | 1900 °c | 2300 °c |
N2 | 600 °C | 1100 °C | 1100 °C | 1900 °c | 2300 °c |
H2 | 36O°C | 400 °C | 400 °C | 1900 °c | 2300 °c |
Neutronen | , Ja | nein | nein | ja | ja |
O
I
KJ
—^ CO
OQ
Elemente | Rh | Ta | 19,2 | Re | Ir | Pt |
Einfang quer schnitt (barn/at) |
14'9,O |
21
21,3 |
8k 86 |
440,0 | 8,8 | |
Feuerfeste Oxide | Al2O3 | BeO | MgO | ThO2 | Z2°3 |
Einfangquerschnitt
für thermische Neutronen (barns) |
0,01 | 0,0007 | 0,0033 | 0,132 | 0,01 |
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Claims (6)
- Patentansprüche(ij/ Thermoelement mit verdrallter Warmverbindungsstelle aus feuerfesten Leiterdrähten, die mit Keramikperlen isoliert und durch eine Metal!ummantelung geschützt sind, dadurch gekennzeichnet , daß ein Fassungselement (6) aus edlem Metall auf die Verdrallungsstelle der Warmverbindungsstelle (2) aufgesetzt und in der Metallummantelung (4) festgelegt ist.
- 2. Thermoelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Fassungselement (6) in der Metallummantelung (4) mittels einer feuerfesten Muffe (1O) festgelegt ist.
- 3. Thermoelement nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Fassungselement (6) mit einem Ende mit der Metallummantelung (4) verschweißt ist·
- 4. Thermoelement nach den Ansprüchen 1-3» dadurch gekennzeichnet, daß das Fassungselement (6) aus Niob besteht.
- 5« Thermoelement nach den Ansprüchen 1-3, dadurch gekennzeichnet, daß das Fassungselement (6) aus Rhenium besteht.
- 6. Thermoelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallummantelung (4) mit einer Zwischen-309844/0927kapsel (12) fest verbunden ist, die zum Schutz der Verbindungsstelle (1.5) zwischen den Leiterdrähten (8, 9) der Warmverbindungsstelle (2) und den Kompensationsdrähten (16, 18) dient.7* Anschlußkapsel für ein Thermoelement nach den Ansprüchen 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Kapsel (12) abgedichtet und unter Heliumdruck gesetzt ist.3Q98U/Q927
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR7213896A FR2181175A5 (de) | 1972-04-20 | 1972-04-20 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2319487A1 true DE2319487A1 (de) | 1973-10-31 |
DE2319487C2 DE2319487C2 (de) | 1982-06-24 |
Family
ID=9097200
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2319487A Expired DE2319487C2 (de) | 1972-04-20 | 1973-04-17 | Thermoelement mit Warmverbindungsstelle aus feuerfestem Metall |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3867205A (de) |
DE (1) | DE2319487C2 (de) |
FR (1) | FR2181175A5 (de) |
GB (1) | GB1415780A (de) |
IT (1) | IT980878B (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2509371A1 (de) * | 1974-03-04 | 1975-09-11 | Sangamo Weston | Thermopaaranordnung |
Families Citing this family (310)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3954508A (en) * | 1974-09-10 | 1976-05-04 | Gte Laboratories Incorporated | High temperature thermocouple probe |
US3970481A (en) * | 1975-11-12 | 1976-07-20 | Tudor Technology, Inc. | Thermocouple |
GB2243484B (en) * | 1990-04-25 | 1994-01-12 | Condor Coils Ltd | Improvements in or relating to temperature probes |
US6104011A (en) * | 1997-09-04 | 2000-08-15 | Watlow Electric Manufacturing Company | Sheathed thermocouple with internal coiled wires |
US6778936B2 (en) | 2000-03-08 | 2004-08-17 | J & L Fiber Services, Inc. | Consistency determining method and system |
US6502774B1 (en) | 2000-03-08 | 2003-01-07 | J + L Fiber Services, Inc. | Refiner disk sensor and sensor refiner disk |
US6752165B2 (en) | 2000-03-08 | 2004-06-22 | J & L Fiber Services, Inc. | Refiner control method and system |
US6938843B2 (en) | 2001-03-06 | 2005-09-06 | J & L Fiber Services, Inc. | Refiner control method and system |
US7104480B2 (en) * | 2004-03-23 | 2006-09-12 | J&L Fiber Services, Inc. | Refiner sensor and coupling arrangement |
US20060088079A1 (en) * | 2004-09-29 | 2006-04-27 | Len Hom | Ceramic bead insulators and articulating thermocouple assemblies |
US7585166B2 (en) * | 2005-05-02 | 2009-09-08 | Buja Frederick J | System for monitoring temperature and pressure during a molding process |
WO2008022122A2 (en) * | 2006-08-14 | 2008-02-21 | Buja Frederick J | System and method employing a thermocouple junction for monitoring of physiological parameters |
ATE474215T1 (de) * | 2006-09-06 | 2010-07-15 | Kistler Holding Ag | Temperatursensor mit bearbeitbarer front |
US7871198B2 (en) * | 2007-02-26 | 2011-01-18 | Battelle Energy Alliance, Llc | High-temperature thermocouples and related methods |
GB0709723D0 (en) * | 2007-05-22 | 2007-06-27 | Goodrich Control Sys Ltd | Temperature sensing |
US20090052498A1 (en) * | 2007-08-24 | 2009-02-26 | Asm America, Inc. | Thermocouple |
US10378106B2 (en) | 2008-11-14 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming insulation film by modified PEALD |
US8262287B2 (en) * | 2008-12-08 | 2012-09-11 | Asm America, Inc. | Thermocouple |
US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
US9297705B2 (en) * | 2009-05-06 | 2016-03-29 | Asm America, Inc. | Smart temperature measuring device |
US8382370B2 (en) | 2009-05-06 | 2013-02-26 | Asm America, Inc. | Thermocouple assembly with guarded thermocouple junction |
US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
US8986205B2 (en) | 2010-05-14 | 2015-03-24 | Frederick J. Buja | Sensor for measurement of temperature and pressure for a cyclic process |
US9312155B2 (en) | 2011-06-06 | 2016-04-12 | Asm Japan K.K. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
JP5719239B2 (ja) * | 2011-06-08 | 2015-05-13 | 株式会社ジャパンユニックス | カートリッジヒーター |
US10364496B2 (en) | 2011-06-27 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Dual section module having shared and unshared mass flow controllers |
US10854498B2 (en) | 2011-07-15 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer-supporting device and method for producing same |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
US9659799B2 (en) | 2012-08-28 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
US9589770B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-03-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species |
USD702188S1 (en) | 2013-03-08 | 2014-04-08 | Asm Ip Holding B.V. | Thermocouple |
US9484191B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Pulsed remote plasma method and system |
US9240412B2 (en) | 2013-09-27 | 2016-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process |
ITMI20131718A1 (it) * | 2013-10-16 | 2015-04-17 | Italcoppie Sensori S R L | Assieme di giunzione di cavi elettrici, e sensore a termocoppia comprendente tale giunzione |
US10683571B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
US10167557B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-01-01 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
US9657845B2 (en) | 2014-10-07 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
KR102263121B1 (ko) | 2014-12-22 | 2021-06-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
US10529542B2 (en) | 2015-03-11 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Cross-flow reactor and method |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
US9960072B2 (en) | 2015-09-29 | 2018-05-01 | Asm Ip Holding B.V. | Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US10322384B2 (en) | 2015-11-09 | 2019-06-18 | Asm Ip Holding B.V. | Counter flow mixer for process chamber |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10468251B2 (en) | 2016-02-19 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning |
US10501866B2 (en) | 2016-03-09 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system |
US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
US9892913B2 (en) | 2016-03-24 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Radial and thickness control via biased multi-port injection settings |
US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10032628B2 (en) | 2016-05-02 | 2018-07-24 | Asm Ip Holding B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
KR102592471B1 (ko) | 2016-05-17 | 2023-10-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US10388509B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of epitaxial layers via dislocation filtering |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
KR102354490B1 (ko) | 2016-07-27 | 2022-01-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US10395919B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
KR102613349B1 (ko) | 2016-08-25 | 2023-12-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 장치 및 이를 이용한 기판 가공 장치와 박막 제조 방법 |
US10410943B2 (en) | 2016-10-13 | 2019-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems |
US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10435790B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap |
US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10643904B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures |
US10134757B2 (en) | 2016-11-07 | 2018-11-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US10340135B2 (en) | 2016-11-28 | 2019-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
KR20180070971A (ko) | 2016-12-19 | 2018-06-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10283353B2 (en) | 2017-03-29 | 2019-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern |
KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10446393B2 (en) | 2017-05-08 | 2019-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10504742B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using hydrogen plasma |
US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10605530B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace |
US10312055B2 (en) | 2017-07-26 | 2019-06-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing film by PEALD using negative bias |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US10249524B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
US10607895B2 (en) | 2017-09-18 | 2020-03-31 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal |
KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US10319588B2 (en) | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
KR102443047B1 (ko) | 2017-11-16 | 2022-09-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
JP7214724B2 (ja) | 2017-11-27 | 2023-01-30 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置 |
TWI791689B (zh) | 2017-11-27 | 2023-02-11 | 荷蘭商Asm智慧財產控股私人有限公司 | 包括潔淨迷你環境之裝置 |
US10290508B1 (en) | 2017-12-05 | 2019-05-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
TW202325889A (zh) | 2018-01-19 | 2023-07-01 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
CN111630203A (zh) | 2018-01-19 | 2020-09-04 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法 |
USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
US10535516B2 (en) | 2018-02-01 | 2020-01-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures |
USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
JP7124098B2 (ja) | 2018-02-14 | 2022-08-23 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法 |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US10510536B2 (en) | 2018-03-29 | 2019-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
KR20190128558A (ko) | 2018-05-08 | 2019-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조 |
TW202349473A (zh) | 2018-05-11 | 2023-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
WO2020003000A1 (en) | 2018-06-27 | 2020-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
CN112292478A (zh) | 2018-06-27 | 2021-01-29 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构 |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
KR20200002519A (ko) | 2018-06-29 | 2020-01-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
US10483099B1 (en) | 2018-07-26 | 2019-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming thermally stable organosilicon polymer film |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US10381219B1 (en) | 2018-10-25 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
JP2020096183A (ja) | 2018-12-14 | 2020-06-18 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
TW202104632A (zh) | 2019-02-20 | 2021-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備 |
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KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
TW202100794A (zh) | 2019-02-22 | 2021-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
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US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
IT201900003507A1 (it) * | 2019-03-11 | 2020-09-11 | Polidoro S P A | Sensore di temperatura perfezionato per bruciatore a gas e assieme di un tale sensore e bruciatore |
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JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
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USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
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CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
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US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
CN112242296A (zh) | 2019-07-19 | 2021-01-19 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法 |
TW202113936A (zh) | 2019-07-29 | 2021-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
CN112323048B (zh) | 2019-08-05 | 2024-02-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
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US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
TW202129060A (zh) | 2019-10-08 | 2021-08-01 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 基板處理裝置、及基板處理方法 |
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US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
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US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
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CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11450529B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理装置、基板処理方法 |
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US11885013B2 (en) | 2019-12-17 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer |
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TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
TW202146882A (zh) | 2020-02-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
TW202146715A (zh) | 2020-02-17 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統 |
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TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
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TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
KR20220010438A (ko) | 2020-07-17 | 2022-01-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
TW202212623A (zh) | 2020-08-26 | 2022-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統 |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
TW202217037A (zh) | 2020-10-22 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
KR20220076343A (ko) | 2020-11-30 | 2022-06-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터 |
US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3580744A (en) * | 1969-02-04 | 1971-05-25 | Us Air Force | Immersion thermocouple for atmospheric and vacuum environments |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2992402A (en) * | 1958-08-15 | 1961-07-11 | Gen Motors Corp | Thermocouple lead attachment |
US3048641A (en) * | 1961-08-21 | 1962-08-07 | Aero Res Instr Co Inc | Thermocouples |
US3232794A (en) * | 1963-06-04 | 1966-02-01 | Gen Electric | Thermocouple probe |
US3502510A (en) * | 1966-10-06 | 1970-03-24 | Engelhard Ind Inc | Thermocouple having tungsten-rhenium alloy leg wires |
US3441451A (en) * | 1966-10-31 | 1969-04-29 | Atomic Energy Commission | High temperature stress free thermocouple junction |
US3625775A (en) * | 1967-12-29 | 1971-12-07 | American Standard Inc | Reinforced thermocouple junction |
US3649368A (en) * | 1968-12-18 | 1972-03-14 | Honeywell Inc | Measuring apparatus |
US3607447A (en) * | 1970-04-16 | 1971-09-21 | Bayard C Davis | Nonwelded thermocouple junctions |
-
1972
- 1972-04-20 FR FR7213896A patent/FR2181175A5/fr not_active Expired
-
1973
- 1973-04-16 US US351270A patent/US3867205A/en not_active Expired - Lifetime
- 1973-04-17 GB GB1856373A patent/GB1415780A/en not_active Expired
- 1973-04-17 DE DE2319487A patent/DE2319487C2/de not_active Expired
- 1973-04-19 IT IT68126/73A patent/IT980878B/it active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3580744A (en) * | 1969-02-04 | 1971-05-25 | Us Air Force | Immersion thermocouple for atmospheric and vacuum environments |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
G-J-T Fachzeitschrift für das Laboratorium, 15. Jg., 1941, H. 1, S. 16-18 * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2509371A1 (de) * | 1974-03-04 | 1975-09-11 | Sangamo Weston | Thermopaaranordnung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2319487C2 (de) | 1982-06-24 |
IT980878B (it) | 1974-10-10 |
US3867205A (en) | 1975-02-18 |
GB1415780A (en) | 1975-11-26 |
FR2181175A5 (de) | 1973-11-30 |
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