DE2522217A1 - Sonnenzelle - Google Patents

Sonnenzelle

Info

Publication number
DE2522217A1
DE2522217A1 DE19752522217 DE2522217A DE2522217A1 DE 2522217 A1 DE2522217 A1 DE 2522217A1 DE 19752522217 DE19752522217 DE 19752522217 DE 2522217 A DE2522217 A DE 2522217A DE 2522217 A1 DE2522217 A1 DE 2522217A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
substrate
silicon
oxide layer
solar cells
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE19752522217
Other languages
English (en)
Inventor
Pao Hsien Fang
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Individual
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to US259796A priority Critical patent/US3914856A/en
Application filed by Individual filed Critical Individual
Priority to DE19752522217 priority patent/DE2522217A1/de
Priority to FR7605703A priority patent/FR2343332A1/fr
Publication of DE2522217A1 publication Critical patent/DE2522217A1/de
Priority to DE19803049226 priority patent/DE3049226A1/de
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic System
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
    • H01L31/03921—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate including only elements of Group IV of the Periodic System
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02425—Conductive materials, e.g. metallic silicides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/0257—Doping during depositing
    • H01L21/02573—Conductivity type
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/546—Polycrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/006—Apparatus
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/007—Autodoping
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/12—Photocathodes-Cs coated and solar cell
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/122—Polycrystalline
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/142—Semiconductor-metal-semiconductor
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/15—Silicon on sapphire SOS
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/158—Sputtering
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/169—Vacuum deposition, e.g. including molecular beam epitaxy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/914—Doping
    • Y10S438/916—Autodoping control or utilization

Description

  • Sonnenzelle Die Erfindung bezieht sich auf eine Sonnenzelle, welche auf photoelektrischem bzw. lichtelektrischem Weg Sonnenenergie in elektrische Energie verwandelt. Darüber hinaus bezieht sich die Erfindung auf ein Verfahren zur raschen Massenerzeugung eines derartigen Elements, welches den physikalischen und wirtschaftlichen Erfordernissen gerecht wird. Der ständig steigende Bedarf an Elektrizität sowie die sozialen und umweltbedingten Kosten der gegenwärtigen elektrischen Stromerzeugungsmethoden geben Anlaß zu ernstlicher Besorgnis. Eine kostenlose und faktisch unbegrenzte Möglichkeit auf Millionen Jahre hin ist die Gewinnung von Elektrizität aus Sonnenenergie. Letztere könnte auch dazu dienen, andere Arten von Energie, wie z. B Sonnenbeheizung, zu liefern. Die Erfindung bezieht sich jedoch auf ein spezifisches Gebiet: in unserer technologischen Zivilisation übt elektrischer Strom gewisse Funktionen aus, welche durch andere Formen von Energie nicht ersetzt werden können.
  • Gegenwärtig sind eine Vielfalt von Versuchen im Gange, Elektrizität zu erzeugen, z. B. durch Kernreaktionen und beschränktes Plasma, welche jedoch von Gefahren hinsichtlich der Möglichkeit und des Ausmaßes von Ausstrahlung und thermischen Auswirkungen begleitet sind. Auf dem Gebiet der Auswertung der Sonnenenergie zur Erzeugung von Elektrizität sind jedoch auch andere Bemühungen in Arbeit, wie z. Bv die Absorption der Sonnenenergie durch einen schwarzen Körper, wobei die dadurch erzeugte thermische Energie herkömmliche Brennstoffe ersetzt. Dieses Verfahren bedarf jedoch des herkömmlichen Generators, was wiederum eine Zentralisierung von Kraftwerken erfordert.
  • Unmittelbarer Einsatz der gegenwärtigen Sonnenzellenform für umfangreiche Stromerfordernisse, vor allem für terrestrischen Energieeinsatz, würde jedoch enorme Kosten und astronomischen Arbeitsstundenaufwand erfordern.
  • Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, die Nachteile bestehender Systeme zu beseitigen.
  • Die Lösung der Aufgabe besteht erfindungsgemäß in einem Verfahren zur Erzeugung eines Sonnenzellenelements, bestehend aus Silizium Sonnenzellen, welche von einem elektrisch leitenden, dünnen Aluminiumsubstrat getragen werden, wobei Verfahrensschritte hinsichtlich der Ablagerung und Entwicklung einer dünnen Schicht kristallinen Siliziums spezifischer Verunreinigungsart und -konzentration auf dem Aluminiumsubstrat vorgesehen sind, wobei das Aluminium als Nukleationsfläche für das Wachstum der Siliziumkristalle und zum automatischen Dotieren des Siliziums dient, wodurch p-n Übergänge entstehen, welche ~s dem Element ermöglichen, photoelektrische Energieumwandlung vorzunehmen, während die vorderen Elektroden und Anschlußleitungen am Element befestigt sind.
  • Die Erfindung beruht darauf, daß Energiesammier und Stromerzeuger im selben Körper vereint sind und daher eine Zentralisierung nicht erforderlich ist, was wiederum zur Folge hat, daß kostspielige und unerwünschte Stromkabelprobleme auf ein Minimum beschränkt werden können. In dieser Erfindung kommen Sonnenzellen aus Silizium oder Germanium zur Anwendung, welche rasch entwickelt und in örtlichen Satelliten aufgetragen werden.
  • Der Sonnenenergiestrom im Weltraum ist 0.14 w/cm2 Am Boden variiert dieser jedoch erheblich, und zwar als Folge der Erdrotation, der atmosphärischen Absorption und der Wetterrerhßltnisse. An einem klaren Tag ist der Mittagswert ungefähr 0.14 w/cm2. Der Wirkungsgrad gegenwärtiger Sonnenzellen bei der Verwandlung von Sonnenenergie in elektrische Energie liegt zwischen 8 % und 13 %. Bei einem Wirkungsgrad von 10 % am Boden können daher Sonnenzellen 1.0 x 10 w/cm2, d. h. sinngemäß 260 Megawatt/Meile2 erzeugen. Die gegenwärtigen Kosten für Sonnenzellen belaufen sich auf ungefähr $ 1/cm2 (DM 2,40/cm ). Das bedeutet also 20 Billionen Dollar (#8 Billionen DM) pro Quadratmeile.
  • Der gegenwärtige Aufbau von Sonnenzellen schließt eine Adaption auf mechanisierte Erzeugung faktisch aus, da das 2 Verhältnis ungefähr 0.1 Arbeitsstunde pro cm , d. h.
  • 6 1.25 x 10 Arbeitsjahr pro Meile beträgt.
  • Auf der Basis des gegenwärtigen Standes der Technik ergeben sich daher für eine Stadt mit 1000 Megawatt Strombedarf folgende Größen: Sonnenzellenfläche 12 Quadratmeilen, Sonnenzellenkosten g 2,8 (DM 6,72) x 1010, Erzeugungszeit 1.5 x 10T Arbeiter-Arbeitsjahre. Die Sonnenzellenfläche ist gigantisch, kann jedoch auf ungenützten Geländen, auf durch Tagbau abgetragene Bergwerk shal den oder Haus dächer verlegt werden. Am unakzeptabelsten jedoch ist der Kosten-und Produktionszeitbedarf. Zweck dieser Erfindung ist es, ein Verfahren zur Reduzierung der Kosten und Arbeitsjahre zu entwickeln, damit Sonnenzellen im Ausmaß von mehreren Quadratmeilen innerhalb eines angemessenen Zeitraumes und mit akzeptablem Arbeitsaufwand erzeugt werden können.
  • Das Prinzip dieser Erfindung wird im wesentlichen wie folgt erklärt. Zum Zwecke größerer Klarheit wird nur die Sonnenzelle aus Silizium beschrieben, jedoch ergibt sich daraus bei geringfügiger Abwandlung die Anwendbarkeit auf Sonnenzellen aus Germanium.
  • A) Gegenwärtige Sonnenzellen bestehen aus einzelnen Kristallen. Allein die Kristallkosten betragen ungefähr $ 10 (DM 24) pro Watt. Die maßgebende Konfiguration von Sonnenzellen aus Silizium ist eine eindimensionale Strömung von Elektronen und Löchern (Minoritätsträger) senkrecht zur Oberfläche. Man kann daher anstelle eines einzelnen Kristalls ebensogut Polykristalle verwenden, solange die Dimension des Kristalls dem Durchmesser der Sonnenzelle entspricht.
  • B) Bezeichnet man nun die gegenwärtige Sonnenzelle als die herkömmliche und die durch die Erfindung geschaffene als die neue Sonnenzelle, dann beträgt die Dicke der herkömmlichen Zelle ungefähr 300 Mikrometer und die der neuen Sonnenzelle ungefähr 10 ji. Ein grundsätzlicher Maßstab zur Bestimmung des Wirkungsgrades der Energieumwandlung ist die optische Absorption der nützlichen Wellenlängen durch das Kristall, d. h. Wellen, die kürzer sind als jene der Bandabstand Wellenlänge. Zahlenmäßig werden 8o % der vorhanden Sonnenenergie in Silizium von 10 > Dicke absorbiert. Die neue Sonnenzelle hätte daher einen zirka 20 % geringeren Wirkungsgrad als die herkömmliche Sonnenzelle, jedoch würden die Kosten des Siliziummaterials dreißigfach reduziert. Darüber hinaus wird bei einer Kristalldicke von weniger als 100 p der Wirkungsgrad faktisch unabhängig von der Lebensdauer des Minoritätsträgers. Kristallmängel, mechanische Schäden und Verunreinigung durch Fremdkörper, die alle zur Verkürzung der Lebensdauer führen und daher in der herkömmlichen Sonnenzellentechnik große Vorsicht erfordern, stellen bei der neuen Sonnenzelle kein Problem dar.
  • C) Im Hinblick auf die obigen Darlegungen A) und B) ist es möglich, eine bewegliche Sonnenzellenkonfiguration zu schaffen, welche auf Förderbanderzeugung adaptiert werden kann. Wesentlicher Bestandteil des Systems ist eine Trägerplatte zur Festigung der zerbrechlichen Filmschicht aus Silizium. Für diese Trägerschicht gelten zwei unerläßliche Erfordernisse: i) der thermische Expansionskoeffizient muß mit jenem des Siliziums übereinstimmen und ii) die Kosten müssen wirtschaftlich tragbar sein.
  • Diese Erfindung adaptiert für diesen Zweck eine Nickel-Eisen-Legierung, die allgemein als Glasabdichtungslegierung bekannt ist und sich wie folgt zusammensetzt: k2 % Nickel und 58 % Eisen. Polyimid mit dem Handelsnamen Kapton (DuPont-Erzeugnis) ist ein alternatives Substrat. Dieses Material ist stabiler, jedoch ist die thermische Ausdehnungsanpassung schlecht, und die Kosten sind erheblich höher.
  • Die grundsätzlichen Vorgänge und Konfigurationen zur Erzeugung der neuen Sonnenzellen werden nun in Form von acht aneinanderliegenden Stellungen dargestellt: (1) Man beginnt mit einer Rolle beweglichen Substrats, welches mittels Förderbandvorrichtung aufgerollt und in Stellung (i) gebracht wird, wo dann auf dem Substrat eine Schicht Silber und darüber eine Schicht Titan verdampft oder eine einzige Aluminium-Schicht, welche zum aufzutragenden Silizium eine Elektrode mit atomischem Kontakt bilden soll.
  • (2) Auf Stellung (ii) befindet sich eine Silizium-Verdampferquelle mit entsprechender Verunreinigung (Type n oder p) und Konzentration. Diese Quelle hat eine der folgenden Formen: (i) chemische Lösung, wie sie in epitaxialer Verdampfung verwendet wird, (ii) fester Zustand zur Elektronenstrahlverdampfung oder (iii) eine Elektrodenplatte zur lonenzerstäubung.
  • In dieser Stellung entsteht eine Silizium-Schicht ungefähr 10 Mikrometer dick.
  • (3) Als nächstes wird der Siliziumfilm mit dem Substrat auf kontinuierliche Weise aus der Stellung (il) durch (iii) in (iv) geführt, wo entweder ein Hochspannungslonenbeschleuniger Ionen mit Verunreinigungsart, die der des Originalsiliziums entgegengesetzt ist, implantiert oder ein thermischer Vorgang diese Ionen zerstreut, so daß ein pBn Übergang gebildet wird.
  • (k) Am Ende der Vorgänge (3) und (k) sollen sodann Temperaturstellungen (iii) und (v) eingeführt werden, um Temperung zu ermöglichen. Die Temperatur dieser Stellungen soll auf zirka 500 PC beschränkt sein mit Glühdauer ungefähr 10 Minuten.
  • (5) Stellung (vi) dient zur Verdampfung der Gitterlinien wie in der herkömmlichen Sonnenzelle für die vorderen Elektroden.
  • (6) Stellung (vii) dient zur Herstellung einer thermischen Druckbindung oder als Elektrodenbildungsvorgang zwecks Anbringung elektrischer Zuführungsdrähte.
  • (T) Stellung (viii) dient zur Beschichtung mit 510 oder x anderer Art, die zweierlei Zwecke erfüllt: reflexmindernde und Schutz des Gitters gegen Umwelt bedingte Korrosion.
  • (ô) Zusätzlich kann man eine Schicht plastischen Belags wie z. B. reines Teflon auftragen. Dies stellt eine Ergänzung zu SiO dar und dient als Schutz der vordex ren und hinteren Seite der Zelle, falls dies notwendig ist.
  • (9) Die kontinuierliche Rolle Substrat, die in Stellung (i) eingeführt wurde, kommt in Stellung (viii) als Rolle fertiggestellter Sonnenzellenplatten heraus. Diese Bleche haben intermediäre Anschlußkabel, die entweder für Serien- oder Parallelanschlüsse konstruiert sein können, um die erwünschte Spannung und den Strom zu erzeugen.
  • Diese Stufen sind keineswegs exklusiv oder inklusiv.
  • Manche Stufen können kombiniert oder eliminiert werden.
  • Man kann zum Beispiel finden, daß die thermischen Glühstufen in eine einzige verbunden werden können. Andererseits ergeben sich vielleicht zusätzliche Stufen als erstrebenswert: i) Auftragung einer Siliziumoxydschicht auf das Substrat vor der metallischen Elektrodenverdämpfung. Diese Oxydschicht dient dreierlei Zwecken: (i) der elektrischen Isolierung vom Substrat, (ii) der Reduzierung der Diffusion zwischen dem Substratmaterial und der Halbleiterschicht und (iii) der besseren Substratadaptierung zur Entwicklung von Siliziumfilmen.
  • ii) Wenn die Titan-Silber-Legierung als Grundelektrode verwendet wird, wenn ausreichend hohe Temperatur angewendet wird, kann Titan als Gettermittel zur Entfernung schädlicher Verunreinigungen aus der Halbleiterschicht dienen.
  • Zusammenfassend sei gesagt, daß das System aus einem großen Beschichtungs- und Temperungssystem mit Sperrvorrichtung zwischen den verschiedenen Stufen zur Verhütung von Verschmutzung baMeht . Die äußerliche Verschmutzung und mechanische Spannung und Dehnung werden auf ein Minimum beschränkt, weil das Produkt vor seiner Fertigstellung nicht der Umgebung außerhalb des geschlossenen Systems ausgesetzt wird.
  • PatentansPrüche:

Claims (10)

  1. Patent ansprüche: 1. Verfahren, d a d u r c h g e k e n n z e i c h -n e t , daß zur Erzeugung eines Sonnenzellenelements, bestehend aus Silizium Sonnenzellen, welche von einem elektrisch leitenden, dünnen Aluminiumsubstrat getragen werden, wobei Verfahrensschritte hinsichtlich der Ablagerung und Entwicklung einer dünnen Schicht kristallinen Siliziums spezifischer Verunreinigungsart und -konzentration auf dem Aluminiumsubstrat vorgesehen sind, wobei das Aluminium als Nukleationsfläche für das Wachstum der Siliziumkristalle und zum automatischen Dotieren des Siliziums dient, wodurch p-n Übergänge entstehen, welche es dem Element ermöglichen, photoelektrische Energieumwandlung vorzunehmen, während die vorderen Elektroden und Anschlußleitungen am Element befestigt sind.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch t, d a d u r c h g e k e n n -z e i c h n e t , daß zur Erhöhung der Leistung von Sonnenzellen aus Silizium zwischen erster und zweiter sowie zwischen dritter und vierter Stufe thermische Glühbehandlung stattfinden.
  3. 3. Verfahren nach den Ansprüchen 1 und/oder 2, d a -d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die bezeichnete dünne Schicht kristallinen Siliziums eine Dicke von ungefähr 10 Mikrometer hat.
  4. 14. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 3, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß eine zusätzliche Stufe vorgesehen ist, in welcher das Material in einer fünften Position mit reflexminderndem und korrosionsverhütendem Belag beschichtet wird.
  5. 5. Verfahren zur Herstellung von Solarzellen, g e --k k e n n z e i c h n e t durch folgende Verfahrensschritte: 1. Befestigung eines Substrats auf einer Arbeitsstelle; 2. Bildung einer Oxydschicht auf dem Substrat; 3. Bildung einer Verfahrensschicht bzw. Metallschicht auf der Oxydschicht; 4. Ablagerung und Wachstum einer dünnen Schicht kristallinen Siliziums spezifischer Verunreinigungsart und -konzentration auf der Metallschicht; 5. Bildung von p-n Übergängen, wodurch mit der Zelle eine photoelektrische Energieumwandlung erfolgen kann, und 6. Befestigung der Elektroden an der Zelle.
  6. 6. Verfahren nach Anspruch 5, d a d u r c h g e -k e n n z e i c h n e t , daß die bezeichnete Oxydschicht aus Siliziumoxyd besteht.
  7. 7. Verfahren nach Anspruch 5, d a d u r c h g e -k e n n z e i c h n e t , daß die bezeichnete Oxydschicht aus Aluminiumoxyd besteht.
  8. 8. Verfahren nach Anspruch 5, d a d u r c h g e -k e n n z e i c h n e t , daß die bezeichnete Metallschicht aus Aluminium besteht.
  9. 9. Sonnenzelle, g e k e n n z e i c h n e t durch 1. ein Substrat; 2. eine Oxydschicht, welche auf bezeichnetem Substrat aufgetragen ist; 3. eine Metallschicht, die auf der Oxydschicht aufgetragen ist; 14. eine Schicht aus kristallinem Silizium spezifischer Verunreinigungsart und -konzentration, welche auf der Metallschicht aufgetragen ist, in welcher eine Vielzahl von p-n Übergängen zur Durchführung photoelektrischer Energieumwandlung vorhanden sind; und 5. eine Elektrode, welche mit den bezeichneten p-n Übergängen elektrisch verbunden ist.
  10. 10. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements in Blechform, g e k e n n z e i c h n e t durch folgende Verfahrensschritte: 1. Befestigung eines blechförmigen Substrats auf einer Arbeitsstelle; 2. Bildung einer Oxydschicht auf dem Substrat; 3. Bildung einer Metallschicht auf der Oxydschicht; und 14. Ablagerung und Wachstum einer dünnen Schicht von kristallinem Silizium spezifischer Ver/unreinigungsart und -konzentration auf der Metallschicht, auf der das Halbleiterelement geb#3det werden kann.
DE19752522217 1972-06-05 1975-05-20 Sonnenzelle Ceased DE2522217A1 (de)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US259796A US3914856A (en) 1972-06-05 1972-06-05 Economical solar cell for producing electricity
DE19752522217 DE2522217A1 (de) 1972-06-05 1975-05-20 Sonnenzelle
FR7605703A FR2343332A1 (fr) 1972-06-05 1976-03-01 Cellule solaire economique pour la production de l'electricite
DE19803049226 DE3049226A1 (de) 1975-05-20 1980-12-27 "solarzelle"

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US259796A US3914856A (en) 1972-06-05 1972-06-05 Economical solar cell for producing electricity
DE19752522217 DE2522217A1 (de) 1972-06-05 1975-05-20 Sonnenzelle
FR7605703A FR2343332A1 (fr) 1972-06-05 1976-03-01 Cellule solaire economique pour la production de l'electricite

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE2522217A1 true DE2522217A1 (de) 1976-12-09

Family

ID=41509073

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19752522217 Ceased DE2522217A1 (de) 1972-06-05 1975-05-20 Sonnenzelle

Country Status (3)

Country Link
US (1) US3914856A (de)
DE (1) DE2522217A1 (de)
FR (1) FR2343332A1 (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3017914A1 (de) * 1980-05-09 1981-11-12 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum herstellen von platten- oder bandfoermigen siliziumkristallkoerpern mit der kolumnarstruktur gleichwertigen saeulenstruktur durch sintern
EP0078541A2 (de) * 1981-11-04 1983-05-11 Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Biegsame photovoltaische Einrichtung
EP0341756A2 (de) * 1981-11-04 1989-11-15 Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Biegsame photovoltaische Vorrichtung

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4058418A (en) * 1974-04-01 1977-11-15 Solarex Corporation Fabrication of thin film solar cells utilizing epitaxial deposition onto a liquid surface to obtain lateral growth
FR2280427A1 (fr) * 1974-07-31 1976-02-27 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'un cristal par epitaxie sur un substrat metallique liquide
US4052782A (en) * 1974-09-03 1977-10-11 Sensor Technology, Inc. Tubular solar cell and method of making same
US3969163A (en) * 1974-09-19 1976-07-13 Texas Instruments Incorporated Vapor deposition method of forming low cost semiconductor solar cells including reconstitution of the reacted gases
US4004949A (en) * 1975-01-06 1977-01-25 Motorola, Inc. Method of making silicon solar cells
US3961997A (en) * 1975-05-12 1976-06-08 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Fabrication of polycrystalline solar cells on low-cost substrates
US4062038A (en) * 1976-01-28 1977-12-06 International Business Machines Corporation Radiation responsive device
DE2638269C2 (de) * 1976-08-25 1983-05-26 Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen Verfahren zur Herstellung von substratgebundenem, großflächigem Silicium
US4196438A (en) * 1976-09-29 1980-04-01 Rca Corporation Article and device having an amorphous silicon containing a halogen and method of fabrication
US4094751A (en) * 1976-09-30 1978-06-13 Allied Chemical Corporation Photochemical diodes
US4173820A (en) * 1977-06-24 1979-11-13 Nasa Method for forming a solar array strip
GB2016802B (en) * 1978-03-16 1982-09-08 Chevron Res Thin film photovoltaic cells
US4341610A (en) * 1978-06-22 1982-07-27 Schumacher John C Energy efficient process for continuous production of thin semiconductor films on metallic substrates
GB2033355B (en) * 1978-09-07 1982-05-06 Standard Telephones Cables Ltd Semiconductor processing
US4234353A (en) * 1979-04-09 1980-11-18 Chevron Research Company Process for preparing photovoltaic cells having increased adhesion of the semi-conducting layer and produced thereby to the conducting layer
US4255208A (en) * 1979-05-25 1981-03-10 Ramot University Authority For Applied Research And Industrial Development Ltd. Method of producing monocrystalline semiconductor films utilizing an intermediate water dissolvable salt layer
US4273950A (en) * 1979-05-29 1981-06-16 Photowatt International, Inc. Solar cell and fabrication thereof using microwaves
US4313254A (en) * 1979-10-30 1982-02-02 The Johns Hopkins University Thin-film silicon solar cell with metal boride bottom electrode
US4677738A (en) * 1980-05-19 1987-07-07 Energy Conversion Devices, Inc. Method of making a photovoltaic panel
US4335266A (en) * 1980-12-31 1982-06-15 The Boeing Company Methods for forming thin-film heterojunction solar cells from I-III-VI.sub.2
USRE31968E (en) * 1980-12-31 1985-08-13 The Boeing Company Methods for forming thin-film heterojunction solar cells from I-III-VI.sub.2
US4383130A (en) * 1981-05-04 1983-05-10 Alpha Solarco Inc. Solar energy cell and method of manufacture
US4778478A (en) * 1981-11-16 1988-10-18 University Of Delaware Method of making thin film photovoltaic solar cell
US4571448A (en) * 1981-11-16 1986-02-18 University Of Delaware Thin film photovoltaic solar cell and method of making the same
DE3242835A1 (de) * 1982-11-19 1984-05-24 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Solarzelle aus amorphem silizium
DE3247532A1 (de) * 1982-12-22 1984-06-28 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum herstellen von fuer grossflaechige siliziumkoerper verwendbaren substraten aus mit kohlenstoff beschichteten siliziumdioxid-gewebe
US4639277A (en) * 1984-07-02 1987-01-27 Eastman Kodak Company Semiconductor material on a substrate, said substrate comprising, in order, a layer of organic polymer, a layer of metal or metal alloy and a layer of dielectric material
US4639543A (en) * 1985-02-04 1987-01-27 Richard J. Birch Semiconductor devices having a metallic glass substrate
US4607132A (en) * 1985-08-13 1986-08-19 Jarnagin William S Integrated PV-thermal panel and process for production
US4772564A (en) * 1985-10-30 1988-09-20 Astrosystems, Inc. Fault tolerant thin-film photovoltaic cell fabrication process
US4781766A (en) * 1985-10-30 1988-11-01 Astrosystems, Inc. Fault tolerant thin-film photovoltaic cell and method
US4677250A (en) * 1985-10-30 1987-06-30 Astrosystems, Inc. Fault tolerant thin-film photovoltaic cell
US5456763A (en) * 1994-03-29 1995-10-10 The Regents Of The University Of California Solar cells utilizing pulsed-energy crystallized microcrystalline/polycrystalline silicon
FR2943848B1 (fr) * 2009-03-27 2012-02-03 Jean Pierre Medina Procede et machine de fabrication d'un semi-conducteur, du type cellule photovoltaique ou composant electronique similaire

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3151379A (en) * 1959-03-23 1964-10-06 Int Rectifier Corp Solar battery and method of making it
GB1015909A (en) * 1963-12-30 1966-01-05 Gen Micro Electronics Inc Method of and product for packaging electronic devices
US3483038A (en) * 1967-01-05 1969-12-09 Rca Corp Integrated array of thin-film photovoltaic cells and method of making same
US3689991A (en) * 1968-03-01 1972-09-12 Gen Electric A method of manufacturing a semiconductor device utilizing a flexible carrier

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3017914A1 (de) * 1980-05-09 1981-11-12 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum herstellen von platten- oder bandfoermigen siliziumkristallkoerpern mit der kolumnarstruktur gleichwertigen saeulenstruktur durch sintern
EP0078541A2 (de) * 1981-11-04 1983-05-11 Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Biegsame photovoltaische Einrichtung
EP0078541A3 (en) * 1981-11-04 1986-03-26 Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Flexible photovoltaic device
EP0341756A2 (de) * 1981-11-04 1989-11-15 Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Biegsame photovoltaische Vorrichtung
EP0341756A3 (en) * 1981-11-04 1990-06-20 Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Flexible photovoltaic device
US5127964A (en) * 1981-11-04 1992-07-07 Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Flexible photovoltaic device
US5419781A (en) * 1981-11-04 1995-05-30 Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Flexible photovoltaic device

Also Published As

Publication number Publication date
US3914856A (en) 1975-10-28
FR2343332A1 (fr) 1977-09-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2522217A1 (de) Sonnenzelle
EP0662247B1 (de) Schnelles verfahren zur erzeugung eines chalkopyrit-halbleiters auf einem substrat
DE3244626C2 (de)
DE4302396B4 (de) Verfahren zur Herstellung von Dünnschicht-Solarzellen
DE2940994C2 (de)
EP0460287A1 (de) Neuartige Chalkopyrit-Solarzelle
DE112012003057T5 (de) Verfahren zum Stabilisieren von hydriertem, amorphem Silicium und amorphen, hydrierten Siliciumlegierungen
DE102011018268A1 (de) Single Junction CIGS/CIC Solar Module
DE202012104415U1 (de) Mehrfachübergangs-Solarzellen hohen Wirkungsgrades
DE3015706A1 (de) Solarzelle mit schottky-sperrschicht
DE3727826A1 (de) Serienverschaltetes duennschicht-solarmodul aus kristallinem silizium
DE2743141A1 (de) Amorphes silizium aufweisende bauelemente
DE2818261A1 (de) Halbleiter-solarzelle und verfahren zu ihrer herstellung
DE2711365A1 (de) Halbleiteranordnung mit schottky- grenzschicht
DE2846096A1 (de) Solarzelle aus halbleitermaterial
DE112009001336T5 (de) Photovoltaische Zelle hohen Wirkungsgrads und Herstellungsverfahren
DE3140139A1 (de) "verfahren zum herstellen einer amorphen siliziumsolarzelle"
DE3015362A1 (de) Solarbatterie
EP0472054A1 (de) Photozelle mit amorphem, wasserstoffhaltigem Kohlenstoff
DE2950085C2 (de)
EP2457255A2 (de) Dünnschicht-solarmodul mit verbesserter zusammenschaltung von solarzellen sowie verfahren zu dessen herstellung
DE112017004982B4 (de) Solarzellen mit differenziertem p-Typ- und n-Typ-Bereichsarchitekturen
DE19611996C1 (de) Solarzelle mit einer Chalkopyritabsorberschicht und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE202015009864U1 (de) Rückseitenkontaktierte Si-Dünnschicht-Solarzelle
DE102014218948A1 (de) Solarzelle mit einer amorphen Siliziumschicht und Verfahren zum Herstellen solch einer photovoltaischen Solarzelle

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
AG Has addition no.

Ref country code: DE

Ref document number: 3049226

Format of ref document f/p: P

8131 Rejection