DE2651430A1 - Verfahren und vorrichtung zum ausrichten eines maskenmusters in bezug auf ein substrat - Google Patents
Verfahren und vorrichtung zum ausrichten eines maskenmusters in bezug auf ein substratInfo
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Description
Verfahren und Vorrichtung zum Ausrichten eines Maskenmusters in bezug auf ein Substrat
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Ausrichten eines in einer Maske vorhandenen Maskenmusters
in bezug auf ein Substrat beim wiederholten Abbilden des Maskenmusters direkt auf dem Substrat, wobei
als Ausrichtmarkierungen die Raster auf dem Substrat und in der Maske verwendet werden. Die Erfindung bezieht
sich auch auf eine Vorrichtung zum Durchführen dieses Verfahrens.
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Bei der Herstellung integrierter Schaltungen (lCfs) werden jetzt Diffusionstechiiiken und mit diesen
verbundene Maskierungstecliniken verwendete Dabei werden nacheinandei1 eine Anzahl von Masken mit verschiedenen
Konfigurationen an derselben Stelle des Substrats abgebildet» Zwischen den aufeinanderfolgenden Abbildungen an derselben
Stelle wird das Substrat den gewünschten physikalischen und chemischen Aenderungen unterworfen,- Auf diese Weise
wird ein passives und/oder aktives Element erhalten, das unter der Bezeichnung "integrierte Schaltung" (kurz IO)
bekannt ist.
Auch bei der Herstellung sogenannter magnetischer
Domänenspeicher ("Bubble"-Speicher) werden Diffusionstechniken und Maskierungstechniken zum Anbringen von
Portbewegungsmustern und Detektionsmustern auf einer
magnetisierbaren auf einem Substrat angebrachten Schicht verwendet. Dabei bildet das genaue Ausrichten der in
aufeinanderfolgenden Verfahrensschritten anzuwendenden Maskenmuster ein Problem, sogar in derart grossem Masse,
dass versucht wird (vgl. I.E.E.E. Transactions on Magnetics,
Band Mag-9» Nr. 3, September 1973, S. 47^-480), mit
Hilfe nur eines einzigen Maskenmusters mit einem einzigen Muster auf der Schicht magnetisierbaren Materials auszukommen,
das sowohl für die Fortbewegung als auch für die Detektion der magnetischen Domänen dient. Da jedoch
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die Anforderungen für ein Fortbetregungsmuster von denen
.für ein Detelctionsmuster verschieden sind, muss in bezug auf die Dicke des Musters auf dem magnetisierbaren
Material und die Eigenschaften des Materials des Musters ein Kompromiss getroffen werden.
Der" Genauigkeit, mit der integrierte Schaltungen
hergestellt werden können, werden immer höhere Anforderungen gestellt. Die Stelle, an der die aufeinanderfolgenden
Masken auf dem Substrat abgebildet werden, muss daher immer genauer festliegen. Abweichungen von mehr als
z.B. 1/um können prohibitiv sein.
■ In der Dt-OS 21 63 &56 der
Anmelderin ist eine Vorrichtung zum Ausrichten einer eine Vielzahl identischer IC-Muster enthaltenden zusamraengesetzten
Maske in bezug auf ein Halbleitersubstrat beschrieben. Diese zusammengesetzte Maske kann wie folgt
hergestellt werden: Zunächst wird das betreffende IC-Muster in vergrSssertem Masstab mit Hilfe einer z.B. von einem
Computer gesteuerten Maschine gezeichnet. Dann wird das IC-Muster verkleinert. Das so erhaltene Muster wird dann
mittels einer sogenannten Repetierlcamera weiter verkleinert
und viele Male, und zwar an verschiedenen Stellen, auf einer photographischen Platte abgebildet, so dass eine
zusammengesetzte Maske mit IC-Mustern der gewünschten Grosse erhalten wird. Diese zusammengesetzte Maske kann
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in einem Mal auf ein Halbleitersubstrat projiziert werden.
Die Anmelderin hat nun eine Vorrichtung zum
Erzeugen einer Anzahl von Mustern auf einem Substrat entwickelt, wobei das Substrat selbst repetierend mit
einer gegebenenfalls verkleinerten Abbildung eines einzigen Musters belichtet wird. Bei der Herstellung zeB. integrierter
Schaltungen ist dann keine zusammengesetzte Maske mehr erforderlich und braucht keine Photorepetier—
kamera verwendet zu werden. Während in der Vorrichtung nach der Dt-OS 21 63 856 eine sogenannte
Kontaktablichtung der zusammengesetzten Maske auf dem Substrat erzeugt wird, wird in der von der Anmelderin
entwickelten Vorrichtung eine Abbildung des IC-Musters auf die Maske projiziert. In der letzteren Vorrichtung
kann das IC-Muster verkleinert (z.B. fünfmal verkleinert) auf dem Substrat abgebildet werden, so das« bei der
Herstellung der Maske ein Verkleinerungsschritt fortge- ,
lassen werden kann.. Es ist aber auch möglich, dass eine Abbildung in natürlicher GrSsse des IC-Musters auf dem
Substrat erzeugt wird.
Ein Vorteil von Projektion im allgemeinen ist der, dass während der Projektion keine Abnutzung der
Maske auftritt. Dadurch braucht die Maske nur einmal statt vielmals geprüft zu werden» Bei Projektion kann
die Maske weiter schneller genau ausgerichtet werden.
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Denn bei der Herstellung einer Kontaktablichtung müssen, .nachdem die Maske und das Substrat in bezug aufeinander
ausgerichtet worden sind, die Maske und das Substrat noch , zueinander hin bewegt werden. Dabei kann das Substrat
wieder in bezug auf die Maske in einer zu der Ebene der Maske oder des· Substrats parallelen Richtung verschoben
werden. Dann muss man entweder aufs neue ausrichten oder
sich, mit einer weniger genauen Ausrichtung begnügen.
Da die in der von der Anmelderin entwickelten Vorrichtung zu verwendende Maske nur ein einziges IC-Muster
enthält, ist die Prüfung der Maske einfach. Diese Prüfung wird noch einfacher, wenn das IC-Muster verkleinert
abgebildet wird und also die Details des IC-Musters entsprechend gross sind.
Die Erfindung bezieht sich auf das Verfahren und die Mittel, durch die in der von der Anmelderin entwickelten
Vorrichtung das Maskenmuster in bezug auf das Substrat ausgerichtet wird. Das Verfahren nach der
Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass zwei sich
ausserhalb des Gebietes auf dem Substrat, auf dem eine Anzahl von Abbildungen des Maskenmusters erzeugt werden
sollen, befindende Phasenraster auf einem ersten Ton
zwei Rastern, die sich in der Maske ausserhalb des Maskenmusters befinden, mit Hilfe eines Projektionslinsensystems
abgebildet werden, das beim Abbilden des Masken—
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musters auf dem Substrat verwendet wird, und dass die Lage· der beobachteten Abbildung eines Rasters, das in
bezug auf das erste Raster in der Maske ausgerichtet wird, moduliert wird. Das in der Dt-OS 21 63 856
' beschriebene Ausrichtverfahren unterscheidet
sxch von dem Verfahren nach der Erfindung u.a. darin,
dass in dem zuerst genannten Verfahren die gesonderten Raster des Substrats und der Maske in bezug auf ein
■Referenzraster ausgerichtet werden, das auf einem ge- · sonderten Träger angebracht ist. Ausserdem wird in der
Vorrichtung nach der itt-OS 21 63 856 die Lage einer Abbildung eines Rasters nicht moduliert.
Bs sei bemerkt, dass es an sich aus der US-PS 3 695 758 bekannt ist, beim Projizieren von
* IC—Mustern auf einem Halbleitersubstrat das Ausrichtstrahlungsbündel
und das Strahlungsbundel, mit dem das IC—Muster auf dem Substrat abgebildet wird, dasselbe
Projektionslinsensystemdurchlaufen zu lassen. In dieser
Patentschrift wird der Ausrichtvorgang aber nicht be-
2Ö schrieben. Es ist nicht klar, ob für die Ausrichtung
Raster verwendet werden, und'es gibt bestimmt keine Anweisung, wo sich etwaige Phasenraster auf dem Substrat
befinden müssten. Weiter ist es aus der US-PS 3 695 nicht bekannt, die Lage einer "Abbildung eines Rasters
zu modulieren. Schliesslich durchlaufen in dieser
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Vorrichtung das Ausrichtetrahlungsbündel und das Projektions·
strahlungsbündel auf ihrem Wege zu-dem Substrat einen
halbdurchlSssigen Spiegel, wodurch die Strahlungsintensität
dieser Bündel halbiert wird, was vor allem für die Projektion des IC-Musters auf die Maske nachteilig ist.
Eine bevorzugte·Ausführungsform eines Verfahrens
nach der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass ■ zunächst durch Drehung um eine zu der Ebene der Maske
senkrechte Achse die in eine~r ersten Richtung verlaufenden Linien einer Abbildung des zweiten Rasters in der Maske
in bezug auf die entsprechenden Linien des ersten Rasters
in der Maske ausgerichtet werden» dass dann die in.zwei
zueinander senkrechten Richtungen verlaufenden Rasterlinien eines ersten der zwei Substratraster in bezug auf die
1.5 entsprechenden Rasterlinien des ersten Rasters in der
Maske ausgerichtet werden, dass anschliessend das Substrat in Richtung der die Mitten des ersten und des zweiten
Rasters in der Maske, die in bezug aufeinander ausgerichtet sind, miteinander verbindende Linie über einen
Abstand gleich dem Abstand zwischen den zwei Substratrastern verschoben*- wird, und dass schliesslich durch
Drehung um eine etwa durch die Mitte des ersten Substratrasters
gehende Achse die Rjist er linien des zweiten
Substratraster.s in bezug, auf die entsprechenden Rasterlinien
des ersten Rasters in der Maske ausgerichtet werden.
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Bine Vorrichtung zum Durchführen des Verfahrens
nach Anspruch 1, welche Vorrichtung eine ein Ausrichtbündel
liefernde Strahlungsquelle, ein Linsensystem zur Abbildung jeweils eines der Substratraster* auf einem
ersten Raster in der Maske und einen in dem Wege des Ausrichtbündels hinter der Maske angeordneten strahlungsempfindlichen
Detektor enthält, ist dadurch gekennzeichnet, dass das genannte Linsensystem durch das beim Abbilden
des Maskenmusters auf dem Substrat verwendete Projektionslinsensystem gebildet wird, und dass in dem Wege des
Ausrichtbündels zwischen dem Projektionslinsensystem und
dem Detektor mittels periodischer Signale gesteuerte optische Elemente vorhanden sind, mit deren Hilfe die
von dem Detektor beobachtete und in der Ebene der Maske erzeugte Abbildung eines Rasters periodisch verschoben
wird, wobei die Verschiebung der beobachteten Abbildung in der Grössenordnung einer Periode des ersten Rasters
in der Maske liegte
. Eine bevorzugte Ausführungsform einer Vor—
richtung nach der Erfindung ist weiter dadurch gekennzeichnet, dass in dem Wege des Ausrichtbündeis zwischen
dem Projektionslinsensystem und der Maske eine Blende
angeordnet ist, die nur die von den Subs tratras tern din den ersten Ordnungen gebeugten Teilbündel des Ausrichtbündeis
zu der Maske durchlass!»· Die Genauigkeit, mit der
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bei einer bestimmten Periode eines Substratrasters ausgerichtet werden kann, ist, falls nur die Bündel
erster Ordnung verwendet werden, zweimal grosser als in
dem Falle, in dem auch das Bündel nullter. Ordnung verwendet
werden würde.
Um zu verhindern, dass, infolge der Tatsache, dass in dem Substrat oder in der Maske Unebenheiten
auftreten oder dass die Ebene des Substrats oder der Maske zu der optischen Achse des Projektionslinsensysteas
nicht senkrecht ist, Vergrösserungsfehler beim Abbilden
der Substratraster auf dem ersten Raster der Maske auftreten, is-t eine Vorrichtung nach der Erfindung weiter
dadurch gekennzeichnet, dass das Projektionslinsertsystem
ein telezentrisch.es System ist und aus drei Linsensystemen besteht, von denen das dem Substrat am nächsten liegenden
System entlang der optischen Achse bewegbar ist, während die beiden anderen Linsensysteme entlang der optischen
Achse nicht bewegbar sind.
Um vor der Ausrichtung des Substrats in bezug auf die Maske die Winkellage der Maske selbst einstellen
zu können, ist eine Vorrichtung nach der Erfindung dadurch gekennzeichnet, dass ausser einem ersten Strahiungsweg
zur Abbildung jeweils eines der Substratraster auf dem ersten Raster in der Maske, welcher Strahlungsweg
von der Strahlungsquelle über ein strahlungsreflektierendes
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fakultativ in dem Wege der von der Quelle ausgesaridten
Strahlung angebrachtes Element, über das Projektionslinsensystem,
eine Reflexion an einem der Substratraster, einen zweiten Durchgang durch das Projektionslinsensystem
und die Blende zu einem unter dem ersten Raster in der Maske angeordneten Bündelteiler verläuft, auch ein
zweiter Strahlungsweg zur Abbildung in natürlicher Grosse des zweiten Rasters in der Maske auf dem ersten Raster
■ in der Maske vorgesehen ist, wobei die Lage der Abbildung des zweiten Rasters in der Maske nur von der Richtung
der die Mitten des ersten und des zweiten Rasters miteinander verbindenden Linie in bezug auf eine Bewegungsrichtung
eines Schlittens abhängt, mit dessen Hilfe das Substrat verschoben wird, wobei dieser zweite Strahlungsweg
von der Strahlungsquelle über reflektierende Elemente
über der Maske, durch das zweite Raster in der Maske und über weitere reflektierende Elemente unter der Maske
.und ein Linsensystem zu dem genannten Bündelteiler verläuft, der die beiden Strahlungswege zu einem geraeinsamen S
Strahlungsweg durch die Maske zu dem strahlungsempfindlichen Detektor vereint.
Eine bevorzugte Ausführungsform einer Vorrichtung
nach der Erfindung, bei der die Strahlungsquelle ein linear polarisiertes Strahlungsbündel aussendet, ist
weiter dadurch gekennzeichnet, dass die optischen Elemente
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zur periodischen Verschiebung der Abbildung jeweils eines der Substratraster bzw. des zweiten Rasters in der
Maske gebildet werden durch ein in dein gemeinsamen Strahlungsweg vor der Maske angeordnetes polarisationsempfindliches
Element, das das Ausrichtbündel in zwei Teilbündel mit zueinander senkrechten Polarisationsrichtungen teilt, die an der Stelle des ersten Rasters
in der Maske Abbildungen des zweiten Rasters in der Maske bzw. eines der Substratraster erzeugen, die gegeneinander
' über eine halbe Periode des ersten Rasters in der Maske
verschoben sind, durch einen in dem gemeinsamen Strahlungsweg .vor dem Detektor angebrachten und von einer rechteckfiSrmigen
Spannung gesteuerten Polarisationsschalter, der die Polarisationsrichtungen der Teilbündel über 90°
schaltet, und durch einen Analysator zwischen dem Polarisationsschalter und dem Detektor, wobei die Steuerspannung
für den Polarisationsschalter auch einer elektronischen
Schaltung zugeführt wird, in der das Detektorsignal
zu einem Steuersignal zur Nachregelung der Rasterlage
verarbeitet wird.
Es sei noch bemerkt, dass in einer Ausführungsform nach der Dt-OS 21 63 85.6 zwei
zueinander senkrecht polarisierte Teilbündel beim Ausrichten verwendet werden. Dies hat jedoch nur den
Zweck, eine dynamische Detektion zu ermöglichen. Diese
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Teilbündel erzeugen nicht zwei verschobene Abbilder eines
einzigen Substratrasters.
Um feststellen zu können, ob beim Ausrichten eines Substratrasters in bezug auf das erste Raster in
der Maske die Abbildung des Substratrasters nicht um
eine ganze Anzahl Easterperioden in bezug auf das zweite
Raster in der Maske verschoben ist, ist eine Vorrichtung nach der Erfindung weiter dadurch gekennzeichnet, dass
in dem gemeinsamen Strahlungsweg hinter der Maske ein TO zweiter Bündelteiler angeordnet ist, der zwei Bündel
erzeugt, von denen eines zu dem Detektor hin und das zweite zu einer Aufnahmeröhre hin gerichtet ist, die mit
einem Fernsehmonitor gekoppelt ist, auf dem die Raster sichtbar gemacht werden»
Die Erfindung wird nachstehend beispielsweise an der Projektion eines IC-Musters auf ein Halbleitersubstrat
an Hand der beiliegenden Zeichnung naher erläutert, Es zeigen:
Fig. 1 und 2 eine Ausführungsform einer
Vorrichtung zum Durchführen eines Verfahrens nach der Erfindung,
Fig. 3a, 3b, 4a und 4b die Wirkung einiger
Teile dieser Vorrichtung,
Fig. 51 6 und 9 Beispiele in dieser Vorrichtung
zu verwendender Raster,
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Figo 7 einen zusammengesetzten strahlungs-.
empfindlichen Detektor zur Anwendung in der Vorrichtung nach d er Erfindung,
-Figo 8 eine andere Ausführungsform eines Teiles der erfindungsgemessen Vorrichtung, und
Fig» 10 schematisch eine Anordnung zum Messen der Verschiebungen des X- und des Y-Schlittens.
In Fig.' 1 ist mit 5 eine Maske bezeichnet, die zwei Ausrichtmarkierungen M- und M„ in Form von Rastern
enthält. Zwischen diesen Ausrichtmarkierungen befindet sich ein schematisch mit gestrichelten Linien angegebenes
IC-Muster 17» Dieses Muster muss eine Anzahl Male auf dem Halbleitersubstrat 8 abgebildet werden, das auch
zwei Ausrichtraster P- und Po enthält. Die Raster P1 und P
. liegen ausserhalb des Gebietes, in dem eine Anzahl von
Abbildungen des IC-Musters erzeugt werden müssen. Die Raster M- und M„ sind als Amplitudenraster· und die
Raster P.. und P„ als Phasenraster ausgebildet» Die periodischen
Raster weisen im Vergleich zu anderen Ausrichtmarkierungen, wie z.B» Quadrate in der Maske und auf
dem Substrat den Vorteil auf, dass beim Messen von Lagenfehlern über das Raster ausgemittelt wird. Dadurch
kann genau ausgerichtet werden, sogar wenn eine oder
J mehrere Rasterlinien fehlen oder wenn die RasterÜnien
statt gerader Linien gerändelte Linien sind. Insbesondere
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bei der Herstellung integrierter Schaltungen weisen Raster den Vorteil auf, dass sie während der aufeinanderfolgenden
Diffusionsvorgänge nicht asymmetrisch an- oder zuwachsen
können, wie dies bei Anwendung anderer Ausrichtmarkierungen, z.B. Quadrate, wohl möglich wäre» Phasenraster auf dem
Substrat weisen im Vergleich zu Amplitudenrastern den Vorteil auf, dass sie in das Halbleitermaterial, z.B.
Silizium, geätzt sind, so dass kein fremder Werkstoff auf dem^Substrat angebracht zu werden braucht. Die Phasenraster
weisen ausserdein eine hohe Beständigkeit gegen .die Vielzahl von Diffusionsvorgangen auf, denen das
Substrat während der Herstellung integrierter Schaltungen unterworfen werden muss·
Beim Abbilden des IC-Musters auf dem Substrat
1,5 belichtet das yon einer nicht dargestellten Strahlungsquelle
herrührende Projektionsbündel 18 nur das IC-Muster.
Die Raster M- und M, werden nicht mitabgebildet, so dass
der IC-Entwerfer diesen Rastermarkierungen keine Rechnung
zu tragen braucht und nicht auf jedem Teil des Substrats, . auf den ein IC-Muster projiziert wird, Raum für diese
Raster reserviert zu werden braucht.
Fig. 1 zeigt nur die optischen Elemente, die beim Detektieren von Abweichungen zwischen den Soll- und
den Istlagen der Raster in bezug aufeinander verwendet werden. Von den mechanischen Elementen, die zur richtigen
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gegenseitigen Positionierung der Maske und des Substrats
dienen, sind nur der Drehteller 55» auf dem die Maske ruht, und der Drehteller 56, auf dem das Substrat angebracht
ist, schematisch dargestellt« Alle optischen Elemente, mit Ausnahme des Lasers t, sind in einer nicht
dargestellten senkrechten Projektionssäule angebracht,
die über einen Schlittenantrieb in der y-Richtung bewegbar ist. Der Drehteller ^S ist über eine Säule 90 mit einem
Schlitten 60 verbunden, der in der x-Richtung bewegbar ist, Die\.¥eise, auf die, und die Mittel, durch, die die Schlitten
angetrieben werden, bilden keinen Gegenstand der vorliegenden Erfindung und werden hier nicht näher beschrieben.
Die Verschiebungen ,der Schlitten in der x- und der y-Richtung können genau mittels einer interferometrischen
Anordnung gemessen werden, die an Hand der Fig. 10 kurz beschrieben werden wird.
Der Teller für die Maske ist mit nicht dargestellten Anschlägen versehen, zwischen denen die Maske
angebracht wird, wodurch die Maske grob positioniert ist.
Dann muss die Winkellage der Maske in bezug auf die Richtung eingestellt werden, in der der Schlitten 56
bewegbar ist. Dazu wird eine Abbildung des Rasters M1
auf dem Raster Mo erzeugt. Die Maske wird gedreht, bis die
Abbildung des Rasters M- in bezug auf das Raster M«
ausgerichtet ist. Die optischen Elemente r mit deren Hilfe
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die Abbildung erzeugt wird, sind derart gewählt, dass, wenn dies der Fall ist, die Linie,'die die Mitten der
Raster M- und Mp miteinander verbindet, zu der x-Richtung,
in der der Schlitten 6*0 bewegbar ist, parallel ist. Dann wird durch eine Verschiebung in der
x- und der y-Richtung das Substrat P2 in bezug auf das
Raster- Mg ausgerichtet. Anschliessend wird das Substrat
in der x-Richtung über den bekannten Abstand zwischen den Mitten von P- und Pg verschoben. Der Substratteller 56
wird dann um eine nicht dargestellte Achse durch die Mitte des Rasters Pg gedreht, bis die in der y-Richtung verlaufenden
Rasterlinien des Rasters P1 (vgl. Fig. 9) in
bezug auf die entsprechenden Rasterlinien im Raster M„
ausgerichtet sind. Die beschriebenen Schritte zum Ausrichten des Substrats in bezug auf die Maske können
nötigenfalls wiederholt werden,, In den meisten Fällen
ist es aber genügend, die beschriebenen Schritte nur einmal durchzuführen ·
Nach diesem Ausrichten kann von dem Strahlungsbündel 18 eine erste Abbildung des IC-Musters 17 mit
Hilfe des Projektionslinsensystems L-, Lg, L« auf dem
Substrat erzeugt werden» Zwischen den aufeinanderfolgenden
Projektionen kann das Substrat auch wieder sehr genau, z.B. innerhalb einer Toleranz von 0,05/uei» bestimmte
Abstande in der x- und y-Richtung verschoben werden,
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wobei nicht"mehr ausgerichtet zu werden braucht.
In der Vorrichtung nach Figo 1 wird das von einer Strahlungsquelle 1, z.B. einem Laser, ausgesandte
Strahlungsbündel b über die Prismen 2 und 3 zu einem
Prisma h reflektiert. Das letztere Prisma kann verschoben werden» Wenn das Prisma k in dem Wege des
Bündels b angeordnet ist, wird das Bündel von diesem Prisma und dem Prisma 7 zu dem Substrat 8 reflektiert.
Die Linsen Lp und L- fokussieren das Bündel zu einem
kleinen^Strahlungsfleck mit z.B. einem Durchmesser von
1 mm auf dem Raster Pp. Dieses Raster ist ein zweidimensionales
Beugungsraster mit Rasterlinien in der P- und der ^\-Richtung (vgl. Fig. 6). Das einfallende
Bündel wird von dem Raster P2 in. einer Anzahl von Teilbündeln
verschiedener Beugungsordnungen reflektiert, u.a. in den Teilbündeln b(+1,0) und b(-1,0) in der
^-Richtung und den Teilbündeln b(0,*i) und b(or*1 ) in
der TVRichtung. Die Linsen L- und L2 fokussieren diese
Bündel an verschiedenen Stellen in der hinteren Brennebene des Linsensystems L-, Lp. In der hinteren Brennebene
ist eine Blende 9 angeordnet. Diese Blende ist mit vier Löchern versehen und lässt nur die in den ersten
Ordnungen gebeugten TeilbUndel durch. Die Teilbündel durchlaufen das Teilprisma 6 und auf dem Raster Mp werden
Abbildungen erster Ordnungen.des Phasenrasters P2 erzeugt»
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Dadurch, dass nur die ersten Ordnungen benutzt werden, ist, abgesehen von der VergrUsserung des Linsensystems L„,
L1I Lo» die Periode der Rasterbildung die Hälfte der
Periode des Phasenrasters selber. Dadurch ist bei einer bestimmten Periode des Rasters P„ die Genauigkeit, mit
der die Raster ausgerichtet werden, zweimal grosser als in dem Falle, in dem auch das Teilnündel nullter Ordnung
verwendet werden würde0 "
Fig. 2 zeigt im Detail den Teil der Vorrichtung oberhalb der Linie aa» der Fig. 1. Die Teilbündel b(+1,0),
b(-1|0), b(0,+i) und b(O,-l) sind der Deutlichkeit halber
als ein einzig'es Bündel b1 dargestellt. Nach Durchgang
durch das Teilprisma 6 und das Raster M„ wird das Bündel b.. über die Prismen". 20 und 22 zu einem 'strahlungsempfindlichen
Detektor 12 reflektiert.
Nach der Erfindung wird die Lage, in der
Ebene des Rasters Mpi der Abbildung des Phasenrasters P„
um eine Gleichgewichtslage moduliert. Dadurch wird die Beobachtung der Ausrichtung eine dynamische Beobachtung,
was der Genauigkeit sehr zugute kommt« Ausserdem ist
der Einfluss von Drift in der elektronischen Schaltung, die das Detektorsignal verarbeitet, dann vernachlässigbar.
In der Ausführungsform nach den Fig. 1 und 2 ist dazu das Teilprisma 6 als ein polarisationsempfindliohes
Teilprisma ausgebildet, das nur Strahlung mit einer
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bestimmten Polarisationsrichtung durchlässt. Der Laser 1 liefert linear polarisierte Strahlungo Dem Teilprisma 6
stfhliessen sich eine ^/2-Platte 25 und eine Savartplatte
ano Wie im rechten Teil der Fig. 2 dargestellt ist, ist
die Savartplatte aus zwei gleich dicken planparallelen Quarzplatten 39 und 31 aufgebaut, deren optische Achsen 32
und 33 einen Winkel von 45° mit den planparallelen
Flächen einschliessen und sich kreuzen. Die λ/2-Platte 25
sorgt dafür, dass die Polarisationsrichtung des Bündels b..
einen Winkel von 45° lni^t den optischen Achsen der Savartplatte
einschliesst. Das enkrecht auf die planparallelen Flächen der Savartplatte einfallende Bündel b.. wird in
der ersten Quarzplatte 31 in ei«- ordentliches Bündel
und ein ausserordeatliches Bündel gespaltet, die an der
Trennfläche der ersten und der zweiten Quarzplatte in ein ausserordentlich.es und ein ordentliches Bündel
umgewandelt werden. Denn die optischen Achsen sind zueinander senkrecht. Aus der Savartplatte 26 treten zwei
χ zueinander senkrecht polarisierte Teilbündel aus, die
gegeneinander verschoben sind. Der Deutlichkeit halber sind in Fig. 2 die Teilbündel nicht gesondert dargestellt.
Vor dem strahlungsempfindlichen Detektor 12
sind ein Polarisationsmodulator 10 und ein Analysator 11
angeordnet. Der Modulator wird von einer rechteckförmigen Spannung V^ gesteuert, die von einem Generator G geliefert
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wird. Dadurch wird die Polarisationsrichtung eines durch
den Modulator hindurchgehenden Strahlungsbündels alternierend über 90° geschaltet» Die Durchlassrichtung des
Analysators ist zu einer der Polarisationsrichtungen des aus der Savartplatte austretenden ordentlichen und
des ausserordentlichen Bündels parallel» Dadurch wird zu
jedem Zeitpunkt nur entweder das ordentliche oder das auss'erordentliche Bündel zu dem Detektor durchgelassen
werden. Dieser Detektor "sieht" zu einem bestimmten Zeitpunkt entweder eine von dem ordentlichen Bündel erzeugte
ordentliche Abbildung des Rasters Pp oder eine ~voxi dem
ausserordentlichen Bündel erzeugte ausserordentliche
Abbildung des Rasters, wobei die ordentliche und die ausserordentliche Abbildung dem Raster Mp überlagert sind,
Die Brechungsindexe der Savartplatte und die Dicke der zusammengesetzten planparallelen Platten s:jnd derart
gewähltι dass die ordentliche und die ausserordentliche
Abbildung über eine"halbe Periode des Rasters gegeneinander
verschoben sind. M&na das Raster H2 genau zwischen der
ordentlichen und der ausserordentlichen Abbildung des Rasters Pp oder P- angeordnet ist, wird die Intensität
der von dem Detektor 12 aufgefangenen Strahlung zeitlich -konstant sein.
In Fig. 3a ist diese Situation für eine Richtung der Rasterlinien angegeben. Die-Linien des
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20.9.76=
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Rasters M0 der ordentlichen Abbildung P0 und der
<~ t~ ι Ο
ausserordentliehen Abbildung P0 ö des Rasters P0 sind
zu der Zeichnungsebene senkrecht» Während eines Zeitintervalls Ct1) empfängt" der Detektor die von P0 und
M^ durchgelassene Strahlungsintensität (vgl. Fig. 3b)
und während eines nächsten Zeitintervalls (t?) d^e vori
P5 und M0 durchgelassene Strahlungsintensität, Diese
Intensitäten sind einander gleich,·so dass das Detektorsignal Sj zeitlich konstant bleibt.
■ Wenn das Raster M0 sich nicht genau zwischen
P0 und P0 befindet, (vgl. Fig. 4a) ist das Detektorsignal
nicht zeitlich konstant, wie in Fig. kb dargestellt ist. Die Unterschiede im Signal S, können sehr genau
detektiert werden. Dadurch ist es möglich, die Rasterlinien des Rasters P0 (oder P1) sehr genau, z.B. innerhalb
einer Toleranz von 1/200 einer Periode des Rasters, in bezug auf die des Rasters M0 auszurichten.
Im Falle der Fig. 4b, in dem das Raster M0
in bezug auf die Sollage nach rechts verschoben ist, ist das Detektorsignal in dem Zeitintervall t- grosser
als das Detektorsignal in dem Zeitintervall tg. Wenn
das Raster M0 in bezug auf die Söllage nach links verschoben
wäre, wäre das Detektorsignal im Zeitintervall t.. kleiner als im Zeitintervall tg. Das Signal des Generators G
wird auch einer elektronischen Schaltung -57 zugeführt,
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PlIW. 8 '-2S-.
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265H30
in der das Detektorsignal vorarbeitet wird« Indem verglichen
wird, in welchem der Zeitintervalle t^ vcsxd, t„
das Detektorsignal am grössten ist, kann die Richtung
eines etwaigen Lagenfehlers des Rasters P„ in bezug auf das Raster Mp detektiert werden.
Die Raster M2 und P2 sind zweidimensionale
Raster, d.h., dass sie .aus Teilrastern bestehen, deren Rasterlinien in der (f- und in der /^-Richtung verlaufen,
Jn Fig. 5 und 6 sind Ausführungsformen dieser Raster
dargestellt, wahrend Figo 7 eine Ausführungsform eines
Detektors 12 zeigt. Der Detektor ist quadratisch gestaltet und seine Seiten sind effektiv parallel zu der ψ - und
der ^-Richtung der Rasterlinien, dh,, dass, wenn die
Rasterlinien gut ausgerichtet sind, die DetektorSeiten tatsachlich zu der ψ— und der ''/-Richtung parallel sind,
während, wenn die Raster noch nicht gut ausgerichtet sind, die Detektorseiten einen kleinen Winkel mit der
ψ - und der *?| -Richtung einschliessen. Der Detektor ist
aus zwei Detektoren D- und D2 zusammengesetzt, von denen
jeweils einer den Teilrastern der Raster M2 und P2 zugeordnet ist. Mit dem Detektorteil D- kann detektiert
werden, ob die Maske und das Substrat gut in der ^-Richtung der Raster und damit also in der Ii -Richtung der
Projektionsmaschine ausgerichtet sind; mit dem Detektor teil D2 kann detektiert werden, ob gut in der ^7-Richtung
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IT. 0429.
20.9.76.
der Raster und damit in der X-Richtung der Projektionsmaschine ausgerichtet ist. Der Detektor kann aus vier
Teilen D^ , D!j, D£ und D£ aufgebaut sein, wobei die Teile
DJ und D1J gleich wie die Teile DA und DU miteinander verbunden sind0
Nachdem das Raster P2 ausgerichtet worden.ist,
wird der Schlitten 6Ό über einen genau bestimmten Abstand in der X-Richtung verschoben, bis das Raster P1 unter
dem Raster M2 liegt. Dann wird das Raster P- in bezug
auf M2 auf die bereits.für das Raster P2 beschriebene
Weise ausgerichtet. Dabei braucht durch Drehung des Substrat· tellers 56 nur die Lage in der Y-Richtung des Rasters P1
eingestellt zu v/erden. Für das Raster P1 ist es daher genügend, dass es in der -^—Richtung verlaufende Rasterlinien
enthält. Es ist aber unbedenklich, das Raster P1
gleich dem Raster P2 zu machen und nur die Rasterlinien
des Rasters P1, die sich in der ^-Richtung erstrecken,
zu verwenden.
In einer praktischen Ausführungsform der Vorrichtung nach der Erfindung, bei der das Substrat
repetierend mit der verkleinerten Abbildung desselben IC-Musters belichtet wurde, war die Periode des Rasters M2
48/um und die der Raster P2 und P1 etwa 19.t5tvua,
Dabei betrug die Vergrbsserung des Projektionslinsensystems
etwa fünfmal. Der Abstand zwischen den Hauptetrahlen
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PHNc 8 k
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des ordentlichen und des ausserprdentlichen Bündels,
die aus der Savartplatte austragt en , war etwa 25 /um
sowohl in der· X- als auch in der Y-Richtung« Damit konnte eine gut reproduzierbare Ausrichtgenauigkeit
von etwa 0,1 /um erzielt werden. Es sei bemerkt, dass das
Raster· M2 in Figo 5 zwanzigmal vergrössert. und das
Raster P„ in Fig. 6 hundertmal vergrössert dargestellt ist.
Die Ausgangssignale der Teildetektoren
werden der elektronischen Schaltung 57 zugeführt, in der auf an sich bekannte Weise Regelsignale zur Nachregelung
der Lage des Rasters P2 (oder Pj) in der X- und der
Y-Richtung abgeleitet werden, wie in Fig. 1 scheraatisch
mit der Verbindung 58 angegeben ist.
Mit dem bisher beschriebenen Verfahren und der bisher beschriebenen Vorrichtung kann nur detektiert
werden,, ob die Streifen der Raster M2 und P2 (oder P1)
gut ausgerichtet sind. Der Fall könnte sich aber ergeben, dass die Raster M2 und P2 (oder P^) genau über eine
Rasterperiode gegeneinander verschoben sind. XJm dies feststellen zu können, wird nach der Erfindung ein Teil
der durch das Raster M2 hindurchtretenden Strahlung
dazu benutzt, die Mitten der Raster M„ und P„ für die
bedienende Person sichtbar zu machen, so dass diese • Person feststellen kann, ob die Mitten zusammenfallen.
Wenn die Mitten nicht zusammenfallen, kann die bedienende
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PHNr 8 h?. 9,
Person z»B, einen Knopf eindrücken, wodurch ein Servosystem
dafür sorgt, dass z.B. das Substrat genau über eine. Rasterperiode in der gewünschten Richtung verschoben
wird .
Wie in Fig. 2 dargestellt ist, enthält eine
Vorrichtung nach der Erfindung ein halbdurchlSssiges
Prisma 23» das das durch die Maske hindurchtretende Bündel in zwei Bündel bl und b" spaltet. Das Bündel b»
wird von dem Prisma 22 zu dem Detektor reflektiert. Das Bündel b" wird" von den Prismen Zh und 22 der Fig. 2 und
von weiteren Prismen 13» 14 und 15 der Fig. 1 zu einem
Fernsehmonitor 16 gerichtet," der mit einer Aufnahmeröhre
versehen ist. Auf dem Monitor erscheinen Bilder der Mitten der Raster M2 und P„ (oder P1)*
Statt einer Savartplatte 2.6 kann auch ein Wollaston-Prisina 26* verwendet werden. Wie im rechten
Teil der Fig. 2 dargestellt ist, besteht ein derartiges. Prisma aus zwei kongruenten Teilprismen 3h und 35 einachsiger
doppelbrechender Kristalle, die zu einer planparallelen Platte zusammengesetzt sind. Die optische
Achse 36 ist zu der Zeichnungsebene parallel und die
optische Achse 37 ist zu der Zeichnungsebene senkrecht. Das auf eine der planparallelen grossen Flächen des
Prismas 26' einfallende Strahlungsbündel wird in dem Prisma in zwei Teilbündel gespaltet, die zueinander senkrecht
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-χ,
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polarisiert sind und einen kleinen Winkel miteinander
einschliessen. Durch passende Fahl der Parameter des
Prismas 26' kann dafür gesorgt werden, dass die von den Teilbündeln erzeugten Abbildtingen des Rasters P? an der
Stelle des Rasters M2 über eine halbe Rasterperiode
verschoben ■ sind ο♦
Statt mit einem polarisationsempfindlichen
Bundelteiler und einem Polarisationsschalter können Ausrichtfehler auch auf dynamischem ¥ege detektiert
werden, wenn eine Abbildung des Rasters P„ (oder P1)
kontinuierlich über das Raster M2 bewegt wird. Dazu kann
in dem Strahiungsweg statt der Elemente 25 und 26 der
Fig. 2 ein linear verschiebbarer optischer Keil oder eine drehbare planparallele Platte angeordnet sein.
In Fig. 8 ist die letztere Platte mit 38 bezeichnet.
In dieser Figur ist nur ein Teil des Strahlungsweges nach Figo 2 dargestellt. Der Polarisationsschalter und
der Analysator der Fig. 2 sind in der Vorrichtung nach Figo 8 nicht mehr vorhanden. Die planparallele Glasplatte
38 in Fig. 8 ist um ihre Achse 39 oszillierbar, die für eine Ausrichtung in der X- und der Y-Richtung
einen Winkel von 45° mit diesen Richtungen einschliesst.
Die Abbildung des Rasters P0 wird dadurch über das
Raster M2 hin und her bewegt *' Die Oszillation wird
' mit Hilfe eines Generators 40 und nicht dargestellter
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PHN.
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Antriebsmittel erhalten» ¥enn der Generator ein Signal
CsinWt abgibt, ist ein Signal Sd des Detektors 12:
Dsin(2u/t+θ). Die Phase des Detektorsignals wird in der elektronischen Schaltung 41 mit der Phase des Generators verglichen. Wenn θ einen Sollwert θ aufweist, ist die richtige Einstellung des Rasters P„ (oder P1) in bezug auf das Raster M„ erreicht. Das Ausgangssignal der
Schaltung 41 wird wieder Antriebsmittelafür die X- und Y-Schlitten zugeführt.
Dsin(2u/t+θ). Die Phase des Detektorsignals wird in der elektronischen Schaltung 41 mit der Phase des Generators verglichen. Wenn θ einen Sollwert θ aufweist, ist die richtige Einstellung des Rasters P„ (oder P1) in bezug auf das Raster M„ erreicht. Das Ausgangssignal der
Schaltung 41 wird wieder Antriebsmittelafür die X- und Y-Schlitten zugeführt.
Die Anwendung eines Polarisationsschalters
hat im Vergleich zu einem mechanisch bewegten durchsichtigen Element den Vorteil, dass nicht durch z.B.
mechanische Abnutzung sich der Nullpunkt einer Messung ändern kann. Dadurch kann bei Anwendung eines Polari-
mechanische Abnutzung sich der Nullpunkt einer Messung ändern kann. Dadurch kann bei Anwendung eines Polari-
sationsschalters die Geschwindigkeit, mit der die Lage
einer Abbildung eines Rasters geschaltet werden kann,
grosser als die Geschwindigkeit sein, mit der diese
Abbildung mit mechanischen Mitteln bewegt werden kann. Um mittels des obenbeschriebenen Verfahrens und der obenbeschriebenen Vorrichtung die Maske und
grosser als die Geschwindigkeit sein, mit der diese
Abbildung mit mechanischen Mitteln bewegt werden kann. Um mittels des obenbeschriebenen Verfahrens und der obenbeschriebenen Vorrichtung die Maske und
das Substrat mit der gewünschten Genauigkeit ausrichten zu können,, dürfen beim Abbilden der Substratraster keine
VergrUsserungsf ehler auftreten. Das Pro j ekti,ons linsensystem,
das das IC-Muster auf. dem Substrat abbilden muss, muss ein verhältnismäßig grosses Bildfeld, z.B. mit"
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PHK". 8 ii 29·
20.9.76.
einem Durchmesser von etwa 12 mm, aufweisen. Die Ausriclit-•raster
befinden sich, am Rande des Bildfeldes des Linsensystems,
so dass die Abbildung der Substratraster auf dem Raster M„ für Vergrcisserungsfehler besonders.: empfindlieh.
ist. Um Vergrösseruiigsfehler zu vermeiden, müssten der. Abstand zwischen dem Substrat und dem Linsensystem
und der Abstand zwischen der Maske und dem Linsensystem sehr genau konstant gehalten werden und müsste das Substrat
sehr flach sein. In der Praxis stellt sich aber heraus, dass die Unflachheit eines Substrats schon etwa 5/um
beträgt, so dass ohne weitere: Massnahmen Vergrösserungsfehler
auftreten könnten.
Nach der Erfindung werden Vergrösserungsfehler
nahezu völlig dadurch vermieden, dass das Linsensystem telezentrisch ausgebildet wird. Wie in Pig. 1 dargestellt
ist, besteht das Projektionslinsensystem aus drei Linsen
L-, Lpj Lo· Die Linse L- ist senkrecht bewegbar; diese
Linse schwimmt z.B. auf einem zwischen den Linsen und dem Substrat vorhandenen Luftkissen. Dadurch kann der
-20 Abstand zwischen dem Substrat und der Linse L- konstant gehalten werden, auch wenn die Ebene des Substrats nicht
zu der optischen Achse des Projektionslinsensystems . senkrecht ist oder wenn Unflachheiten im Substrat auftreten.
Jedes von einem beliebigen Punkt auf dem Substratraster herrührende Strahlungsbündel durchläuft den Weg zwischen
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den Linsen L1 und L2 als ein paralleles Bündel» Die Linse
L2 ist starr mit der Projektionssäule verbunden. Die
Linse Lr, raaclit das Pro j elctions system telezentrisch auf
der Seite der Maske, d.h., dass diese Linse dafür sorgt, dass der Hauptstrahl jedes durch die Linse L„ hindurchtretenden
Strahluncsbündels senkrecht auf die Ebene der Maske einfällt. Eine senkrechte Verschiebung der Maske
kann dann keinen VergrUsserungsfehler mehr herbeiführen.
Dadurch wird die senkrechte Toleranz auf der Seite der Maske auf z.B. 25 /um vergrössert, Ohne die Linse Lr,
müsste die axiale Lage der Maske innerhalb z.B, 5/um genau sein.
Oben wurde das Ausrichten des Substrats in bezug auf die Maske beschrieben. Bevor dieses Ausrichten
erfolgen kann, muss zunächst die Maske selber ausgerichtet werden. Dazu wird in der Vorrichtung nach den Fig« I und
das Prisma 4 aus dem Wege des von der Quelle gelieferten Bündels weggeschoben» Das Strahlungsbündel b2 wird von
den Prismen 45 und 46 reflektiert, um das Raster M1 zu
belichten· Das Bündel b2 wird dann, von den Prismen 47»
und 51' und dem Teilprisma 6 zu dem Raster M2 reflektiert.
In dem Strahlungsweg des Bündels bp sind weiter zwei
Linsen 49 und 5P angeordnet·' Diese Linsen sorgen zusammen
mit den Prismen 47» 48, 51 und 6 dafür, dass das Raster M1
in natürlicher GrBsse auf dem Raster M2 abgebildet wird·'
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PHN.8k29. 20-9-76c
Das 1-zu-1-Abbildungssystem ist dabei derart eingerichtet,
dass die Lage der Abbildung von M- nur von der Richtung
der die Mitten der Raster M1 und M„ miteinander verbindenden
Linie in bezug auf die X-Richtung abhängig ist« Durch Drehung des Tellers 55 kann dafür gesorgt werden, dass
die Raster M1 und Mp ausgerichtet sind. Dann ist die
die Mitten der Raster M- und M„ miteinander· verbindende
Linie zu der Verschiebungsrichtung des Schlittens 60 parallel.
Die Maske M- weist z.B. die in Fig. 9 dargestellte Form auf, wobei die Rasterperiode gleich der des
Rasters M2 ist. Nach Durchgang durch das Raster M„ durchläuft
das Bündel b« dieselben Elemente wie das Bündel b-.
Die bedienende Person kann, indem dafür gesorgt wird, dass die Mitten der Raster M2 und M- auf dem Fernsehmonitor
sichtbar bleiben, die Maske dann mit einer Genauigkeit von z.B. 100 /um in der X- und Y-Richtung einstellen.
Die periodischen Signale,, die der Detektor 12 abgibt, wenn das Bündel b„ das Ausrichtsystem durchläuft,
und die also eine Anzeige über eine nur etwaige Abweichung zwischen der Soll- und der Istrichtung der die Mitten
der Raster M- und M, miteinander verbundenen Linie geben,
werden wieder der elektronischen Verarbeitungsschaltung zugeführt, deren Ausgang mit nicnt dargestellten Mitteln
zum Drehen des Tellers 55 verbunden ist, wie schematisch.
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20.9*76.
mit der Verbindung 59 dargestellt ist0
In Fig. 10 ist scheraatisch eine Vorrichtung dargestellt, mit deren Hilfe die Verschiebungen des
X-Schlittens, auf dem das Substrat angebracht ist, und des Y-Schlittens, der starr mit der senkrechten Projektions·
säule verbunden ist, gemessen werden können. Die Wirkung dieser Vorrichtung basiert auf. dem Prinzip des Laserint
erferometers, das in "Philips Technische Rundschau" 30»
Nr. 6/7, S. 165-170 beschrieben ist. Die bekannte Vorrichtung ist derart angepasst, dass die Verschiebung des
X-Schlittens sowie die des Y-Schlittens mit Hilfe eines einzigen Lasers gemessen werden können. Das Laserbündel 1
wird von einem Bündelteiler 62 in ein Teilbündel I^ zum
Messen der Verschiebung des Y-Schlittens und ein Teilbündel 1« zum Messen der Verschiebung des X-Schlittens
gespaltet. Das Bündel I- wird von den Prismen 63 und 6k
zu einem polarisationsempfindlichen Bündelteiler 65 reflektiert. Dieser Bündelteiler ist auf einer Platte
befestigt, die starr mit dem Y-Schlitten 82 und starr mit einem Gestell, auf dem der Bündelteiler 62 und das
Prisma 63 befestigt sind, verbunden ist. Eine Verschiebung des Y-Schlittens bedeutet dann eine Aenderung in dem
Abstand zwischen dem Bündelteiler 65 und der Se,ite des
X-Schlittens, Rechts oben in Pig. 10 sind der· Bündelteiler·
65 und die um diesen herum gruppierten Elemente
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PIIN. 8^2?.
20.9.76.
- 1ί
etwas vergrössert dargestellt. Diese Elemente sind eine T^/4-Platte 66t ein Referenzspiegel 67, eine %/h-Platte
und ein Analysator 70.Für weitere Einzelheiten des Messverfahrens sei auf den Aufsatz in "Philips Technische
Rundschau" 30, Nr. 6/7 verwiesen.
Das. aus dem Bündelteiler 62 heraustretende
Bündel I2 wird von einem Prisma Jk- zu einem polarisationsempfindlichen
Bündelteiler 75 reflektiert. Die um diesen Bündelteiler herum angeordneten Elemente 76, 77 und 78
erfüllen die gleichen Funktionen wie die Elemente 68, 67 bzw. 70. Der Bündelteiler 75 ist auf einer Platte 85
angebracht, die starr mit dem X-Schlitten verbunden ist. Eine Verschiebung des X-Schlittens bedeutet eine
Aenderung in dem Abstand zwischen dem Bündelteiler 75 und der reflektierend gemachten Seite des Y-Schlittens.
Die an dem Y-Schl:.tten und an dem Referenzspiegel 77
reflektierten Teilbündel werden von einem Detektor 73
aufgefangen." Die Detektoren 73 und 72 sind mit elektronischen
Schaltungen 86 und 87 verbunden.1
In den Schaltungen 86 und 87 kann die Anzahl gezählter Impulse, die ein Mass für die Verschiebung ist,
mit einer Bezugsanzahl für die Verschiebung des Schlittens über einen bestimmten Abstand verglichen werden. Die
Ausgänge der elektronischen Schaltungen 86 und 87 sind mit Antriebsmitteln 89 und 88 für den X- und den Y-Schlitten
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265143Q
verbunden, so dass, wenn eine gewüiisclite Anzahl von
•Impulsen gezShlt worden ist, diese Schlitten stillgesetzt werden k8nneno'
Die Erfindung ist an Hand der Projektion eines IC-Musters auf ein Halbleitersubstrat erläutert.' Es versteht
sich,'dass auch bei anderen lithographischen Techniken, bei denen nacheinander eine Anzahl von Masken auf ein
Substrat projiziert und sehr genau in bezug auf das Substrat positioniert werden müssen, die obenbeschriebene
Vorrichtung verwendet werden kann. Dabei ist an die Herstellung von Fortbewegungsmustern und Detektionsmustern
für magnetische Domänenspeicher zu denken. In der obenstehenden Beschreibung muss dann für IC-Muster:
Fortbewegungsmuster oder Detektionsmuster, und für IC-Substrat; Schicht magnetisierbarer! Materials gelesen werden.
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COPYX
MO
Leerseite
Claims (1)
- PATBNTAITSPRUECHB ;s- ■ '
/ 11 Verfahren zum Ausrichten eines in einer Maske Torlxandenen Maskenmusters in bezug auf ein Substrat beim wiederholten Abbilden des Maskenmusters direkt a\if dem Substrat, wobei als Ausrichtmarkierungen Raster auf dem Substrat und in der Maske verwendet werden, dadurch gekennzeichnet, dass zwei sich ausserhalb des Gebietes auf dem Substrat, auf dem eine Anzahl von Abbildungen des Maskeninusters erzeugt werden müssen, befindende Phasenraster auf einem ersten von zwei Rastern, die sich in der Maske ausserhalb des Maskenmusters befinden, mit Hilfe eines Projektionslinsensystems abgebildet werden, das beim Abbilden des Maskenmusters auf dem Substrat verwendet wird, und dass die Lage der beobachteten Abbildung eines Rasters, das in bezug auf das erste Raster in der Maske ausgerichtet wird, moduliert wird.2. Verfahren" nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass zunächst durch Drehung um eine zu der Ebene der Maske senkrechte Achse die in einer ersten Richtung verlaufenden Linien einer Abbildung des zweiten Rasters in der Maske in bezug auf die entsprechenden Linien des ersten Rasters in der Maske ausgerichtet wird; dass dann die in zwei zueinander senkrecht verlaufenden. Richtungen verlaufenden Rasterlinien, eines ersten von zwei Substratrastern in bezug auf die entsprechenden Rasterliriien7 09852/0644PIlHo 8429. 2O.9.76.265U30des ersten Rasters in der Maske ausgerichtet werden; dass anschliessend das Substrat in Richtung der die Mitten des ersten und des zweiten Rasters in der Maske, die in bezug aufeinander ausgerichtet sind, miteinander verbindenden Linie über einen Abstand gleich dem Abstand zwischen den beiden Substratrastern verschoben wird, und dass schliesslich durch Drehung urn eine etwa durch die Mitte des ersten Substratrasters gehende Achse die Rasterlinien des zweiten. Substratrasters in bezug auf die entsprechenden Rasterlinien des ersten Rasters in der Maske ausgerichtet werden.3. Vorrichtung zum Durchführen des Verfahrens nach Anspruch 1, die eine ein Ausrichtbündel liefernde Strahlungsquelle, ein Linsensystem zur Abbildung jeweils eines der Substratraster auf einem ersten Raster in der Maske, sowie einen in dem Wege des Ausrichtbündels hinter der Maske angebrachten strahlungsempfindlichen Detektor enthält, dadurch gekennzeichnet, dass das genannte Linsensystem durch das beim Abbilden des Maskenmusters auf dem Substrat verwendete Projektionslinsensystem gebildet wird, und dass im Wege des Ausriehtbundeis zwischen dem Projektionslinsensystem und dem Detektor mittels periodischer Signale gesteuerte optische Elemente vorhanden sind zur periodischen Verschiebung der vom Detektor beobachteten und in der Ebene der Maske erzeugten.709852/0644phi:. C: 29.265H30Abbildung eines Rasters, wobei die Verschiebung der beobachteten Abbildung in der Grössenordnung einer Periode des ersten Rasters in der Maske liegt, 4» Vorrichtung nach Anspruch 3» dadurch gekennzeichnet, dass in dem Wege des Ausrichtbiindels zwischen dem Pro j ektions linsensystem xind der Maske eine Blende angeordnet ist, die nur die von den. Substratrastem in den ersten Ordnungen gebeugten Teilbündel des Ausrichtbündels zu der Maske durchlässt.5. Vorrichtung nach Anspruch 3 oder 4, dadtirch gekennzeichnet, dass das Projektionslinsensystcm ein telezentrisches System ist und aus drei Linsensystemen besteht, von denen das dem Substrat am nächsten liegende S3rstem entlang der optischen Achse bewegbar ist, wahrend die zwei anderen Linsensysteme entlang der optischen Achse unbewegbar sind.6» Vorrichtung nach Anspruch 3» 4 oder 5» dadurch gekennzeichnet, dass ausser einem ersten Strahlungsweg zur Abbildung jeweils eines der Subs tr at rast er auf dein ersten Raster in der Maske, welcher Strahlungsweg von der Strahlungsquelle über ein Strahlungsreflektierendes Element, das fakultativ in dem Wege der von der Quelle ausgesandten Strahlung angebracht werden kann, über das Projektionslinsensystem, eine Reflexion an einem der Siibstratx-aster, einen zweiten Durchgang durch das Projektions-709852/0644y-,PEN«Ö42«. 20,9*76.linsensystem und die Blende zn einem unter dem ersten Raster in der Maslce angeordneten Bündelteiler verlauft, auch ein zweiter Strahlungsweg zur Abbildung in natürlicher GrBsse des zweiten Rasters in der Maslce auf dem ersten Raster in der Maske vorhanden ist, wobei die Lage der Abbildung des zweiten Rasters in der Maske nur von der Richtung der die Mitten des ersten und des zweiten Rasters in der Maske miteinander verbindsnden Linie in bezug auf die Bewegungsrichtung eines Schlittens abhangt, mit dessen Hilfe das Substrat verschoben wird, wobei dieser zweite Strahlungsweg von der Strahlungsquelle über reflektierende Elemente über der Maske, durch das zweite Raster· in der Maske und über weitere reflektierende Elenente unter der Maske und ein Linsensystem zu dem genannten Bündelteiler verläuft, der die beiden Strahlungswege zu einem gemeinsamen Strahlungsweg durch die Maske zu dem strahlungsempfindlichen Detektor vereint. 7· Vorrichtung nach einem der Ansprüche 3 bis 6, in der die Strahlungsquelle ein linear polarisiertes Ausrichtbündel aussendet, dadurch gekennzeichnet, dass die optischen Elemente zur periodischen Verschiebung der Abbildung jeweils eines der Substratraster· bzw. des zweiten Rasters in der Maske gebildet, werden durch in dem gemeinsamen Strahlungsweg vor der Maske angeordnetes polarisationsempfindliches Element, daä das Ausrichtbündel709852/0644-Ä-PHN.842?. 20,9.76.in zwei Teilbündel mit zueinander senkrechten Polarisationsrichtungen spaltet, die an der Stelle des ersten Rasters in der Maske Abbildungen des zweiten Rasters in der Maske bzw«, eines der Substratraster erzeugen, die über eine halbe Periode des ersten Rasters in der Maske gegeneinander verschoben sind, durch einen in dem gemeinsamen - Strahlungsweg vor dem Detektor angeordneten und von einer rechteckförmigen Spannung gesteuerten Polarisationsschalter, der die Polarisationsrichtungen der Teilbündel Über 90° schaltet, und durch einen Analysator zwischen dem Polarisationsschalter und dem Detektor, wobei die Steuerspannung für den Polarisationsschalter auch einerelektronischen Schaltung zugeführt ist, in der das Detektionssignal zu einem Steuersignal zur Nachregelung der Rast er lage verarbeitet wird»'8o Vorrichtung nach einem der Ansprüche 3 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass in dem gemeinsamen Strahlungsweg zwischen dem Bündelteiler und der Maske ein verschiebbares durchsichtiges Element angebracht ist, das die Abbildung des zweiten Rasters'in der Maske bzw," eines der Substratraster UbQr das erste Raster in der Maske hin und her bewegt, und dass der Ausgang des Detektors mit einer elektronischen Schaltung verbunden ist, in der das Detektorsignal zu einem Steuersignal zur Nachregelung der Rasterlage verarbeitet wird, wobei dieser Schaltung709852/0644-κ-PHN.8429· 20.9.76.ausserdem ein dem antreibenden Signal für das verschieb-.bare Element proportionales Signal zugeführt wird»
9 ο Vorrichtung nach einem der Ansprüche 3 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass in dem gemeinsamen Strahlungs· weg hinter der Maske ein zweiter Bündelteiler· angeordnet ist, der zwei Teilbündel erzeugt, von denen eines zu
dem Detektor und das zweite zu einer Aufnahmeröhre hin
gerichtet ist, die mit einem Fernsehmonitor verbunden ist, auf dem die Raster sichtbar gemacht werden.
10. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 3 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass der Detektor die Form eines Quadrats aufweist und aus mindestens zwei Teildetektoren besteht, deren Trennlinien diagonal in dem Quadrat
verlaufen, wobei die geraden Seiten des Quadrats zu den
beiden Richtungen der Rasterlinien des ersten Rasters in der Maske effektiv parallel sind.709852/0644
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OD | Request for examination | ||
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |