DE2829512A1 - Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefbildern - Google Patents
Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefbildernInfo
- Publication number
- DE2829512A1 DE2829512A1 DE19782829512 DE2829512A DE2829512A1 DE 2829512 A1 DE2829512 A1 DE 2829512A1 DE 19782829512 DE19782829512 DE 19782829512 DE 2829512 A DE2829512 A DE 2829512A DE 2829512 A1 DE2829512 A1 DE 2829512A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- acid
- hoechst
- radiation
- compound
- cleavable
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 33
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- -1 aromatic radicals Chemical class 0.000 claims description 70
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 43
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 30
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 19
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 claims description 12
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 8
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 7
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 claims description 4
- 150000005840 aryl radicals Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 4
- 125000004423 acyloxy group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 claims description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 33
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 14
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 10
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 7
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 7
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 6
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 6
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 5
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000011161 development Methods 0.000 description 5
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000002777 acetyl group Chemical class [H]C([H])([H])C(*)=O 0.000 description 4
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 4
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 4
- 239000012954 diazonium Substances 0.000 description 4
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 4
- 150000002440 hydroxy compounds Chemical class 0.000 description 4
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 4
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 4
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CTBWQNZYZSHWLP-UHFFFAOYSA-N 2-chloro-1,3-benzoxazin-4-one Chemical class C1=CC=C2OC(Cl)=NC(=O)C2=C1 CTBWQNZYZSHWLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000001622 2-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C(*)C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 3
- GCSVNNODDIEGEX-UHFFFAOYSA-N 2-sulfanylidene-1,3-oxazolidin-4-one Chemical class O=C1COC(=S)N1 GCSVNNODDIEGEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NPFYZDNDJHZQKY-UHFFFAOYSA-N 4-Hydroxybenzophenone Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 NPFYZDNDJHZQKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 3
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 3
- 210000003608 fece Anatomy 0.000 description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002367 halogens Chemical group 0.000 description 3
- 239000012442 inert solvent Substances 0.000 description 3
- 239000010871 livestock manure Substances 0.000 description 3
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 3
- HJIAMFHSAAEUKR-UHFFFAOYSA-N (2-hydroxyphenyl)-phenylmethanone Chemical compound OC1=CC=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 HJIAMFHSAAEUKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N 1-Octanol Chemical compound CCCCCCCCO KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 1-naphthol Chemical compound C1=CC=C2C(O)=CC=CC2=C1 KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 1H-indene Chemical compound C1=CC=C2CC=CC2=C1 YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QZZJTWAHFMBFSX-UHFFFAOYSA-N 2,4-bis(trichloromethyl)-1,3,5-triazine Chemical compound ClC(Cl)(Cl)C1=NC=NC(C(Cl)(Cl)Cl)=N1 QZZJTWAHFMBFSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UIAFKZKHHVMJGS-UHFFFAOYSA-N 2,4-dihydroxybenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(O)C=C1O UIAFKZKHHVMJGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LAQYHRQFABOIFD-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyhydroquinone Chemical compound COC1=CC(O)=CC=C1O LAQYHRQFABOIFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JWAZRIHNYRIHIV-UHFFFAOYSA-N 2-naphthol Chemical compound C1=CC=CC2=CC(O)=CC=C21 JWAZRIHNYRIHIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TUAMRELNJMMDMT-UHFFFAOYSA-N 3,5-xylenol Chemical compound CC1=CC(C)=CC(O)=C1 TUAMRELNJMMDMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PYXWJQNLTCKARU-UHFFFAOYSA-N 3-(trichloromethyl)pyran-2-one Chemical class ClC(Cl)(Cl)C1=CC=COC1=O PYXWJQNLTCKARU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N Hydroquinone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1 QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001744 Polyaldehyde Polymers 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- GGNQRNBDZQJCCN-UHFFFAOYSA-N benzene-1,2,4-triol Chemical compound OC1=CC=C(O)C(O)=C1 GGNQRNBDZQJCCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229950011260 betanaphthol Drugs 0.000 description 2
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- MWKFXSUHUHTGQN-UHFFFAOYSA-N decan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCCO MWKFXSUHUHTGQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001989 diazonium salts Chemical class 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-O diazynium Chemical compound [NH+]#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 2
- 230000004069 differentiation Effects 0.000 description 2
- LQZZUXJYWNFBMV-UHFFFAOYSA-N dodecan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCCCCO LQZZUXJYWNFBMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical class I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 150000002905 orthoesters Chemical class 0.000 description 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-O phosphonium Chemical compound [PH4+] XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 2
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N resorcinol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1 GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 2
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 2
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-O sulfonium Chemical compound [SH3+] RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 239000000080 wetting agent Substances 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- IAFOFPYEOYKXBU-UHFFFAOYSA-N (3-bromophenyl)-(4-hydroxyphenyl)methanone Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C(=O)C1=CC=CC(Br)=C1 IAFOFPYEOYKXBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SHULEACXTONYPS-UHFFFAOYSA-N (3-hydroxyphenyl)-phenylmethanone Chemical compound OC1=CC=CC(C(=O)C=2C=CC=CC=2)=C1 SHULEACXTONYPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SEPPVOUBHWNCAW-FNORWQNLSA-N (E)-4-oxonon-2-enal Chemical compound CCCCCC(=O)\C=C\C=O SEPPVOUBHWNCAW-FNORWQNLSA-N 0.000 description 1
- OGVPXEPSTZMAFF-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,2,2-pentabromoethane Chemical compound BrC(Br)C(Br)(Br)Br OGVPXEPSTZMAFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trichloroethane Chemical compound CC(Cl)(Cl)Cl UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZWVMLYRJXORSEP-UHFFFAOYSA-N 1,2,6-Hexanetriol Chemical compound OCCCCC(O)CO ZWVMLYRJXORSEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYSVBCSOQFXYHK-UHFFFAOYSA-N 1,3-dibromo-2,2-bis(bromomethyl)propane Chemical compound BrCC(CBr)(CBr)CBr OYSVBCSOQFXYHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004955 1,4-cyclohexylene group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])C([H])([H])C1([H])[*:2] 0.000 description 1
- 125000001140 1,4-phenylene group Chemical group [H]C1=C([H])C([*:2])=C([H])C([H])=C1[*:1] 0.000 description 1
- VSJCHGYLCJUPRX-UHFFFAOYSA-N 1-(2,4-dihydroxyphenyl)pentan-1-one Chemical group CCCCC(=O)C1=CC=C(O)C=C1O VSJCHGYLCJUPRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLBBBYLDTDJMNU-UHFFFAOYSA-N 1-(2,4-dihydroxyphenyl)propan-1-one Chemical group CCC(=O)C1=CC=C(O)C=C1O LLBBBYLDTDJMNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JEXTXOAHCIIIKH-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-2-(2-phenylphenyl)benzene Chemical group ClC1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 JEXTXOAHCIIIKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HEJLFBLJYFSKCE-UHFFFAOYSA-N 2',3'-Dihydroxyacetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC(O)=C1O HEJLFBLJYFSKCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SULYEHHGGXARJS-UHFFFAOYSA-N 2',4'-dihydroxyacetophenone Chemical group CC(=O)C1=CC=C(O)C=C1O SULYEHHGGXARJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XFBXKNYTITZTFT-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-tribromo-1-(3-nitrophenyl)ethanone Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC=CC(C(=O)C(Br)(Br)Br)=C1 XFBXKNYTITZTFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UTQNKKSJPHTPBS-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-trichloroethanone Chemical group ClC(Cl)(Cl)[C]=O UTQNKKSJPHTPBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GUSFTWZHHAUNRC-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-tribromo-n-(2,4,6-tribromophenyl)aniline Chemical compound BrC1=CC(Br)=CC(Br)=C1NC1=C(Br)C=C(Br)C=C1Br GUSFTWZHHAUNRC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CCZNFGBAORROPB-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-tris(dibromomethyl)-1,3,5-triazine Chemical compound BrC(Br)C1=NC(C(Br)Br)=NC(C(Br)Br)=N1 CCZNFGBAORROPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CYEZXDVLBGFROE-UHFFFAOYSA-N 2,4-Dihydroxy-nitrophenol Chemical compound OC1=CC=C([N+]([O-])=O)C(O)=C1 CYEZXDVLBGFROE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZXDDPOHVAMWLBH-UHFFFAOYSA-N 2,4-Dihydroxybenzophenone Chemical group OC1=CC(O)=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 ZXDDPOHVAMWLBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFZAJWBGISKERI-UHFFFAOYSA-N 2,4-dihydroxybenzonitrile Chemical group OC1=CC=C(C#N)C(O)=C1 JFZAJWBGISKERI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFBJCMHMOXMLKC-UHFFFAOYSA-N 2,4-dinitrophenol Chemical compound OC1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1[N+]([O-])=O UFBJCMHMOXMLKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCCJDTCIFAMGSE-UHFFFAOYSA-N 2,6-dichloro-8-nitro-1,3-benzoxazin-4-one Chemical compound O1C(Cl)=NC(=O)C2=C1C([N+](=O)[O-])=CC(Cl)=C2 LCCJDTCIFAMGSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VPUQWCPXNUGDML-UHFFFAOYSA-N 2-(1,2-dihydroacenaphthylen-5-yl)-4,6-bis(trichloromethyl)-1,3,5-triazine Chemical compound ClC(Cl)(Cl)C1=NC(C(Cl)(Cl)Cl)=NC(C=2C=3C=CC=C4CCC(C=34)=CC=2)=N1 VPUQWCPXNUGDML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZMAAYIALGURDQ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-hexoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCCCOCCOCCO GZMAAYIALGURDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HIXDQWDOVZUNNA-UHFFFAOYSA-N 2-(3,4-dimethoxyphenyl)-5-hydroxy-7-methoxychromen-4-one Chemical compound C=1C(OC)=CC(O)=C(C(C=2)=O)C=1OC=2C1=CC=C(OC)C(OC)=C1 HIXDQWDOVZUNNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KQIBPYPSGLSJFU-UHFFFAOYSA-N 2-(6-methoxy-5-methylnaphthalen-2-yl)-4,6-bis(trichloromethyl)-1,3,5-triazine Chemical compound C1=CC2=C(C)C(OC)=CC=C2C=C1C1=NC(C(Cl)(Cl)Cl)=NC(C(Cl)(Cl)Cl)=N1 KQIBPYPSGLSJFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UDYYQHILRSDDMP-UHFFFAOYSA-N 2-(tribromomethyl)quinoline Chemical compound C1=CC=CC2=NC(C(Br)(Br)Br)=CC=C21 UDYYQHILRSDDMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- COBPKKZHLDDMTB-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-butoxyethoxy)ethoxy]ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCOCCO COBPKKZHLDDMTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCZVSXRMYJUNFX-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-hydroxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound CC(O)COC(C)COC(C)CO LCZVSXRMYJUNFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NMVOEBFKDCGWST-UHFFFAOYSA-N 2-chloro-1,3-oxazol-4-one Chemical class ClC1=NC(=O)CO1 NMVOEBFKDCGWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UXMXKYHUQHNJSU-UHFFFAOYSA-N 2-chloro-2,3,4a,5,6,7-hexahydro-1,3-benzoxazin-4-one Chemical compound C1CCC=C2OC(Cl)NC(=O)C21 UXMXKYHUQHNJSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LWTJEJCZJFZKEL-UHFFFAOYSA-N 2-chloro-3',4'-dihydroxyacetophenone Chemical compound OC1=CC=C(C(=O)CCl)C=C1O LWTJEJCZJFZKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEXBCHRDZCARCG-UHFFFAOYSA-N 2-chloro-4h-1,3-benzoxazine Chemical compound C1=CC=C2OC(Cl)=NCC2=C1 LEXBCHRDZCARCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AJKXDPSHWRTFOZ-UHFFFAOYSA-N 2-ethylhexane-1,6-diol Chemical compound CCC(CO)CCCCO AJKXDPSHWRTFOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DVIHKVWYFXLBEM-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxybenzoyl chloride Chemical class OC1=CC=CC=C1C(Cl)=O DVIHKVWYFXLBEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XCOVANCJWYWGIB-UHFFFAOYSA-N 2-isocyanothiophene Chemical compound [C-]#[N+]C1=CC=CS1 XCOVANCJWYWGIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YIUOAAUFVBZQPM-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1,3,5-triazine Chemical compound CC1=NC=NC=N1 YIUOAAUFVBZQPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCDWFXQBSFUVSP-UHFFFAOYSA-N 2-phenoxyethanol Chemical compound OCCOC1=CC=CC=C1 QCDWFXQBSFUVSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XCNLSOGMJQILRA-UHFFFAOYSA-N 2-sulfanylidene-1,3-benzoxazin-4-one Chemical compound C1=CC=CC2=C1OC(=S)NC2=O XCNLSOGMJQILRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PJZLSMMERMMQBJ-UHFFFAOYSA-N 3,5-ditert-butylbenzene-1,2-diol Chemical compound CC(C)(C)C1=CC(O)=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 PJZLSMMERMMQBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZRYCRPNCXLQHPN-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxy-2-methylbenzaldehyde Chemical compound CC1=C(O)C=CC=C1C=O ZRYCRPNCXLQHPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ASHGTJPOSUFTGB-UHFFFAOYSA-N 3-methoxyphenol Chemical compound COC1=CC=CC(O)=C1 ASHGTJPOSUFTGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004207 3-methoxyphenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C(OC([H])([H])[H])=C1[H] 0.000 description 1
- XUWUFWQTGUGEAL-UHFFFAOYSA-N 3-methylbutyl 3,5-dihydroxybenzoate Chemical compound CC(C)CCOC(=O)C1=CC(O)=CC(O)=C1 XUWUFWQTGUGEAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXPFDRFMGMNMFV-UHFFFAOYSA-N 3-methylbutyl 5-chloro-2-hydroxybenzoate Chemical compound CC(C)CCOC(=O)C1=CC(Cl)=CC=C1O VXPFDRFMGMNMFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RXNYJUSEXLAVNQ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Dihydroxybenzophenone Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(O)C=C1 RXNYJUSEXLAVNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-sulfonyldiphenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(O)C=C1 VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VUXPFJFDDXIYCA-UHFFFAOYSA-N 4-(2,2-dibromoacetyl)benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(=O)C(Br)Br)C=C1 VUXPFJFDDXIYCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DPRSKCAGYLXDCY-UHFFFAOYSA-N 4-(2,4-dichlorophenoxy)phenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1OC1=CC=C(Cl)C=C1Cl DPRSKCAGYLXDCY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NZGQHKSLKRFZFL-UHFFFAOYSA-N 4-(4-hydroxyphenoxy)phenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1OC1=CC=C(O)C=C1 NZGQHKSLKRFZFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XZWUBUYHFCOTFC-UHFFFAOYSA-N 4-[2-(4-methoxyphenyl)ethenyl]-6-(3,3,3-trichloroprop-1-enyl)pyran-2-one Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1C=CC1=CC(=O)OC(C=CC(Cl)(Cl)Cl)=C1 XZWUBUYHFCOTFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVFIWTNWKHFVEH-UHFFFAOYSA-N 4-benzylbenzene-1,3-diol Chemical group OC1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=CC=C1 QVFIWTNWKHFVEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HJSPWKGEPDZNLK-UHFFFAOYSA-N 4-benzylphenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=CC=C1 HJSPWKGEPDZNLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JQVAPEJNIZULEK-UHFFFAOYSA-N 4-chlorobenzene-1,3-diol Chemical group OC1=CC=C(Cl)C(O)=C1 JQVAPEJNIZULEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000242 4-chlorobenzoyl group Chemical group ClC1=CC=C(C(=O)*)C=C1 0.000 description 1
- WXNZTHHGJRFXKQ-UHFFFAOYSA-N 4-chlorophenol Chemical compound OC1=CC=C(Cl)C=C1 WXNZTHHGJRFXKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAHMVZYHIJQTQC-UHFFFAOYSA-N 4-cyclohexylphenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C1CCCCC1 OAHMVZYHIJQTQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFJIVOKAWHGMBH-UHFFFAOYSA-N 4-hexylbenzene-1,3-diol Chemical compound CCCCCCC1=CC=C(O)C=C1O WFJIVOKAWHGMBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFPNGSFCCXELNZ-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxy-n-methyl-n-phenylbenzamide Chemical compound C=1C=CC=CC=1N(C)C(=O)C1=CC=C(O)C=C1 OFPNGSFCCXELNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NWTKBJNOJSTMMY-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-6-(trichloromethyl)pyran-2-one Chemical compound CC=1C=C(C(Cl)(Cl)Cl)OC(=O)C=1 NWTKBJNOJSTMMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLBZPESJRQGYMB-UHFFFAOYSA-N 4-one Natural products O1C(C(=O)CC)CC(C)C11C2(C)CCC(C3(C)C(C(C)(CO)C(OC4C(C(O)C(O)C(COC5C(C(O)C(O)CO5)OC5C(C(OC6C(C(O)C(O)C(CO)O6)O)C(O)C(CO)O5)OC5C(C(O)C(O)C(C)O5)O)O4)O)CC3)CC3)=C3C2(C)CC1 LLBZPESJRQGYMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XESZUVZBAMCAEJ-UHFFFAOYSA-N 4-tert-butylcatechol Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=C(O)C(O)=C1 XESZUVZBAMCAEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTDPNTLYQHYXOG-UHFFFAOYSA-N 5,5-diethyl-2-sulfanylidene-1,3-oxazolidin-4-one Chemical compound CCC1(CC)OC(=S)NC1=O RTDPNTLYQHYXOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SCWNNOCLLOHZIG-UHFFFAOYSA-N 5,6,7,8-tetrahydro-1-naphthol Chemical compound C1CCCC2=C1C=CC=C2O SCWNNOCLLOHZIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930192627 Naphthoquinone Natural products 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229930040373 Paraformaldehyde Natural products 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JPYHHZQJCSQRJY-UHFFFAOYSA-N Phloroglucinol Natural products CCC=CCC=CCC=CCC=CCCCCC(=O)C1=C(O)C=C(O)C=C1O JPYHHZQJCSQRJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical group ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane Chemical compound CCC(CO)(CO)CO ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YIMQCDZDWXUDCA-UHFFFAOYSA-N [4-(hydroxymethyl)cyclohexyl]methanol Chemical compound OCC1CCC(CO)CC1 YIMQCDZDWXUDCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BWVAOONFBYYRHY-UHFFFAOYSA-N [4-(hydroxymethyl)phenyl]methanol Chemical compound OCC1=CC=C(CO)C=C1 BWVAOONFBYYRHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 125000004442 acylamino group Chemical group 0.000 description 1
- 230000001476 alcoholic effect Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 125000004414 alkyl thio group Chemical group 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 125000000266 alpha-aminoacyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- AVKUERGKIZMTKX-NJBDSQKTSA-N ampicillin Chemical compound C1([C@@H](N)C(=O)N[C@H]2[C@H]3SC([C@@H](N3C2=O)C(O)=O)(C)C)=CC=CC=C1 AVKUERGKIZMTKX-NJBDSQKTSA-N 0.000 description 1
- 238000010719 annulation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 1
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N benzene Substances C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005605 benzo group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003236 benzoyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C(*)=O 0.000 description 1
- 229940114055 beta-resorcylic acid Drugs 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N butane-1,4-diol Chemical class OCCCCO WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- UIZLQMLDSWKZGC-UHFFFAOYSA-N cadmium helium Chemical compound [He].[Cd] UIZLQMLDSWKZGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 1
- 150000001244 carboxylic acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000008280 chlorinated hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 238000005660 chlorination reaction Methods 0.000 description 1
- FOCAUTSVDIKZOP-UHFFFAOYSA-N chloroacetic acid Chemical compound OC(=O)CCl FOCAUTSVDIKZOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940106681 chloroacetic acid Drugs 0.000 description 1
- 125000002668 chloroacetyl group Chemical group ClCC(=O)* 0.000 description 1
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 150000001896 cresols Chemical class 0.000 description 1
- LDHQCZJRKDOVOX-NSCUHMNNSA-N crotonic acid Chemical compound C\C=C\C(O)=O LDHQCZJRKDOVOX-NSCUHMNNSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- ZXJXZNDDNMQXFV-UHFFFAOYSA-M crystal violet Chemical compound [Cl-].C1=CC(N(C)C)=CC=C1[C+](C=1C=CC(=CC=1)N(C)C)C1=CC=C(N(C)C)C=C1 ZXJXZNDDNMQXFV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-N cyanic acid Chemical class OC#N XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VKONPUDBRVKQLM-UHFFFAOYSA-N cyclohexane-1,4-diol Chemical compound OC1CCC(O)CC1 VKONPUDBRVKQLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FOTKYAAJKYLFFN-UHFFFAOYSA-N decane-1,10-diol Chemical compound OCCCCCCCCCCO FOTKYAAJKYLFFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- FHIVAFMUCKRCQO-UHFFFAOYSA-N diazinon Chemical compound CCOP(=S)(OCC)OC1=CC(C)=NC(C(C)C)=N1 FHIVAFMUCKRCQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000664 diazo group Chemical group [N-]=[N+]=[*] 0.000 description 1
- 229960003887 dichlorophen Drugs 0.000 description 1
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N dimethylmethane Natural products CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- GHLKSLMMWAKNBM-UHFFFAOYSA-N dodecane-1,12-diol Chemical compound OCCCCCCCCCCCCO GHLKSLMMWAKNBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003438 dodecyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000002118 epoxides Chemical class 0.000 description 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- 150000002366 halogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- LTBLRTCVEAUSON-UHFFFAOYSA-N heptane-1,4,7-triol Chemical compound OCCCC(O)CCCO LTBLRTCVEAUSON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 description 1
- IIRDTKBZINWQAW-UHFFFAOYSA-N hexaethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCOCCOCCOCCO IIRDTKBZINWQAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXMIOPMDWAUFGU-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diol Chemical compound OCCCCCCO XXMIOPMDWAUFGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000004356 hydroxy functional group Chemical group O* 0.000 description 1
- 125000004029 hydroxymethyl group Chemical group [H]OC([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 1
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 description 1
- 125000001972 isopentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000468 ketone group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- 210000004072 lung Anatomy 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229960003926 methylrosaniline Drugs 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- VYQNWZOUAUKGHI-UHFFFAOYSA-N monobenzone Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1OCC1=CC=CC=C1 VYQNWZOUAUKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000990 monobenzone Drugs 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- QVEIBLDXZNGPHR-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,4-dione;diazide Chemical compound [N-]=[N+]=[N-].[N-]=[N+]=[N-].C1=CC=C2C(=O)C=CC(=O)C2=C1 QVEIBLDXZNGPHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DFQICHCWIIJABH-UHFFFAOYSA-N naphthalene-2,7-diol Chemical compound C1=CC(O)=CC2=CC(O)=CC=C21 DFQICHCWIIJABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002791 naphthoquinones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- HGQPJWDYHDWFEH-UHFFFAOYSA-N nonane-1,7-diol Chemical compound CCC(O)CCCCCCO HGQPJWDYHDWFEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N octanoic acid Chemical compound CCCCCCCC(O)=O WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000002896 organic halogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012074 organic phase Substances 0.000 description 1
- QBDSZLJBMIMQRS-UHFFFAOYSA-N p-Cumylphenol Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=CC=C1 QBDSZLJBMIMQRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 239000012188 paraffin wax Substances 0.000 description 1
- JLFNLZLINWHATN-UHFFFAOYSA-N pentaethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCOCCOCCO JLFNLZLINWHATN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 1
- 229960005323 phenoxyethanol Drugs 0.000 description 1
- WVDDGKGOMKODPV-ZQBYOMGUSA-N phenyl(114C)methanol Chemical compound O[14CH2]C1=CC=CC=C1 WVDDGKGOMKODPV-ZQBYOMGUSA-N 0.000 description 1
- QCDYQQDYXPDABM-UHFFFAOYSA-N phloroglucinol Chemical compound OC1=CC(O)=CC(O)=C1 QCDYQQDYXPDABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001553 phloroglucinol Drugs 0.000 description 1
- 235000021317 phosphate Nutrition 0.000 description 1
- 150000003013 phosphoric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 239000010695 polyglycol Substances 0.000 description 1
- 229920000151 polyglycol Polymers 0.000 description 1
- 229920001470 polyketone Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 1
- 229920001289 polyvinyl ether Polymers 0.000 description 1
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 1
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 1
- ZNNZYHKDIALBAK-UHFFFAOYSA-M potassium thiocyanate Chemical compound [K+].[S-]C#N ZNNZYHKDIALBAK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000003755 preservative agent Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- 125000001501 propionyl group Chemical group O=C([*])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 1
- 150000003902 salicylic acid esters Chemical class 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000010517 secondary reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- AJPJDKMHJJGVTQ-UHFFFAOYSA-M sodium dihydrogen phosphate Chemical compound [Na+].OP(O)([O-])=O AJPJDKMHJJGVTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 235000019795 sodium metasilicate Nutrition 0.000 description 1
- 239000001488 sodium phosphate Substances 0.000 description 1
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 125000004079 stearyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 125000003107 substituted aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- UWHCKJMYHZGTIT-UHFFFAOYSA-N tetraethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCOCCO UWHCKJMYHZGTIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004753 textile Substances 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 1
- LDHQCZJRKDOVOX-UHFFFAOYSA-N trans-crotonic acid Natural products CC=CC(O)=O LDHQCZJRKDOVOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DWWMSEANWMWMCB-UHFFFAOYSA-N tribromomethylsulfonylbenzene Chemical compound BrC(Br)(Br)S(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 DWWMSEANWMWMCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCO ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K trisodium phosphate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[O-]P([O-])([O-])=O RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910000406 trisodium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019801 trisodium phosphate Nutrition 0.000 description 1
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- ZTWTYVWXUKTLCP-UHFFFAOYSA-N vinylphosphonic acid Chemical compound OP(O)(=O)C=C ZTWTYVWXUKTLCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/016—Diazonium salts or compounds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
Description
H OE CHST AKTIENGESELLSCHAFT
KALLE Niederlassung der Hoechst AG Hoe 78/K
Wiesbaden-Biebrich
Strahlungsempfindliches Gemisch und Verfahren zur Herstellung
von Reliefbildern
909883/0312
ORIGINAL SNSt3ECTED
HOECHST AKTIENGESELLSCHAFT KALLE Niederlassung der Hoechst AG
Hoe 78/K 043 _ y.
Strahlungsempf indl iches Gemisch und Verfahren zur Herstellung
von ReIiefbildern
Die Erfindung betrifft ein neues strahlungsempfindliches
Gemisch, das als wesentliche Bestandteile (a) eine Verbindung, die unter Einwirkung von aktinischer Strahlung eine Säure
bildet, und (b) eine Verbindung enthält, die wenigstens eine durch Säure spaltbare Bindung aufweist.
Positiv arbeitende lichtempfindliche Kopiermaterialien, d. h.
Materialien, deren Kopierschicht an den belichteten Stellen löslich wird, sind bekannt. Es haben sich vor allem die positiv
arbeitenden Kopiermaterialien auf der Basis von o-Chinondiaziden
in der Praxis durchgesetzt.
15
15
Die Lichtempfindlichkeit dieser Kopiermaterialien befriedigt
häufig nicht. Eine Steigerung der Lichtempfindlichkeit kann man
durch Verwendung katalytisch wirksamer lichtempfindlicher
Systeme erreichen, da hierbei die Quantenausbeute größer als 1 wird. So wurde das bekannte Prinzip, durch photolytisch erzeugte
Säuren Folgereaktionen auszulösen und dadurch ein Löslichwerden
der belichteten Stellen zu erreichen, in neuerer Zeit für positiv arbeitende Systeme genutzt. Dabei dienen
photochemisch erzeugte starke Säuren zur Spaltung von speziellen nieder- und hochmolekularen Acetalen und Ο,Ν-Acetalen, die
als Hydroxyl- oder Amin-Komponenten aromatische Verbindungen enthalten (US-PS 3 779 778), und von Orthoestern und Amidacetalen
(DE-OS 2 610 842).
909883/0312
HOECHST AKTIENGESELLSCHAFT
KALLE Niederlassung der Hoechst AG
Auch die Kombination von photochemischen Säurebildnern mit
bestimmten Polyaldehyden und Polyketenen ist als positiv
arbeitende Kopiermasse beschrieben worden, die bei Belichtung sichtbare Bilder liefert (US-PS 3 915 704, 3 915 706,
3 917 483, 3 932 514 und 2 892 712).
Diese Stoffgemische sind jedoch nicht frei von Nachteilen. PoIyaldehyde und Polyketone, welche als wesentliche Bestandteile
die Qualität der entsprechenden Aufzeichnungsmaterialien bestimmen, können in ihren stofflichen Eigenschaften nur begrenzt
variiert und den praktischen Erfordernissen angepaßt werden.
Trotz der katalytischen Arbeitsweise besitzen die Gemische, die
die oben genannten Acetale und Ο,Ν-Acetale enthalten, keine
befriedigende praktische Lichtempfindlichkeit. Außerdem sind
viele der erwähnten Acetale, Ο,Ν-Acetale und Orthoester nicht leicht zugänglich.
Aufgabe der Erfindung war es, ein neues, positiv arbeitendes, strahlungsempfindliches Gemisch vorzuschlagen, das eine hohe
Empfindlichkeit für aktinische Strahlung, insbesondere kurzwelliges Licht und, Elektronenstrahlung, besitzt und dessen
Bestandteile leicht zugänglich sind.
Die Erfindung geht aus von einem strahlungsempfindlichen Gemisch,
das (a) eine unter Einwirkung von aktinischer Strahlung Säure bildende Verbindung und (b) eine Verbindung enthält, die mindestens eine durch Säure spaltbare Bindung aufweist und
deren Löslichkeit in einem flüssigen Entwickler durch Einwirkung von Säure erhöht wird.
909883/0312
ORIGINAL INSPECTED
15
-8-
HOECHST AKTIENGESELLSCHAFT KALLE Niederlassung der Hoechst AG
Das erfindungsgemäße Gemisch ist dadurch gekennzeichnet, daß
die durch Säure spaltbare Verbindung als säurespaltbare Gruppe
wenigstens eine N-Acyliminocarbonatgruppe enthält.
Als aktinische Strahlung soll im Rahmen dieser Beschreibung jede Strahlung verstanden werden, deren Energie mindestens der
des kurzwelligen sichtbaren Lichts entspricht. Geeignet ist insbesondere langwellige UV-Strahlung, aber auch Elektronen-
und Laserstrahlung.
Als flüssige Entwickler sind insbesondere wäßrige Lösungen,
vorzugsweise schwach alkalische Lösungen, aber auch organische
Lösungsmittel, ggf. im Gemisch mit Wasser oder wäßrigen Lösungen, zu verstehen.
Von den durch Säure spaltbaren Verbindungen, die wenigstens eine N-Acyliminocarbonatgruppe enthalten, werden diejenigen
bevorzugt, die der allgemeinen Formel I
20
30
O-
(D
909883/0312
HOECHST AKTIENGESELLSCHAFT KALLE Niederlassung der Hoechst AG
entsprechen, in der
R- . einen n-wertigen, aliphatischen cycloaliphatischen
oder aromatischen Rest,
R^ und Rg Alkyl- oder Arylreste bedeuten, wobei jeweils zwei der Reste R1, R2 und R3 zu einem heterocyclischen Ring verbunden sein
R^ und Rg Alkyl- oder Arylreste bedeuten, wobei jeweils zwei der Reste R1, R2 und R3 zu einem heterocyclischen Ring verbunden sein
können und
η eine ganze Zahl von 1 bis 3, bevorzugt 1 oder 2, ist.
η eine ganze Zahl von 1 bis 3, bevorzugt 1 oder 2, ist.
Dabei sind unter n-wertigen aromatischen Resten R. vorzugsweise
ein- oder mehrkernige, ggf. durch Alkyl-, Aryl-, Alkoxy-, Aryloxy-, Acyl-, Acyloxy-, Al kylmercapto-, Aminoacyl-, Acylamino-,
Carbalkoxy-, Hydroxy-, Halogen-, Nitro-, Sulfonyl- oder Cyangruppen substituierte aromatische oder heteroaromatische Reste,
die bevorzugt 4 bis 20 C-Atome, enthalten, zu verstehen.
Als n-wertige a-1 iphatische oder cycloaliphatische Reste R1
kommen verzweigte und unverzweigte, gesättigte und ungesättigte, cyclische und kettenförmige Reste in Betracht, die durch ggf.
substituierte Arylreste, Halogenatome, Cyan-,.Ester-, Aryloxy- oder Alkoxygruppen substituiert sein und Äther- oder Ketogruppen
enthalten können.
Wenn R1 ein acyclischer Rest ist, hat er im allgemeinen
2 bis 20, vorzugsweise 2 bis 10, Kohlenstoffatome. R1 ist bevorzugt,
insbesondere wenn η = 1 ist, ein cyclischer, vorzugsweise ein aromatischer Rest.
909883/0312
HOECHST AKTIENGESELLSCHAFT
KALLE Niederlassung der Hoechst AG
Wenn R9 und R, Alkylreste bedeuten, können diese gesättigt
oder ungesättigt, ketten- oder ringförmig sein und ggf. durch Halogenatome, Cyan-, Ester-, Hydroxy-, Alkoxy-, Aryloxy- oder
Arylreste substituiert sein. R9 und R, haben als Alkylreste
D im allgemeinen 1 bis 20, vorzugsweise 1 bis 8, Kohlenstoffatome.
Wenn R9 und R, als Einzelsubstituenten vorliegen, sind sie
bevorzugt ggf. substituierte aromatische Reste mit 6 bis 15, vorzugsweise 6 bis 12, C-Atomen.
Wenn zwei der Reste R1, R2 und R3 zusammen einen heterocyclischen
Ring bilden, kann dieser im allgemeinen 5 bis 8, vorzugsweise 5 oder 6, Ringglieder haben. Bevorzugt werden Verbindungen
dieses Typs, in denen dieser Ring mit einem cycloaliphatischen
oder bevorzugt einem aromatischen Ring durch Annellierung verbunden ist. Das Ringsystem kann durch Reste der oben
angegebenen Art substituiert sein. Es kann allgemein 3 bis 20,
vorzugsweise 5 bis 15, Kohlenstoffatome enthalten.
20
Außer den angegebenen Substituenten kann auch eine weitere
Gruppierung der Formel I als Substituent in einem der Reste R2, R3 und R4 vorkommen.
Eine besondere Gruppe von Verbindungen der allgemeinen Formel I
mit η = 1 erhält man nach dem in Zhurnal Organicheskoi Khimii
_3_s 480 (1967), beschriebenen Verfahren durch Umsetzung
der leicht zugänglichen Acylisocyaniddichloride R-CON=CCl9,
die z. B. in der DE-OS 15 45 802 beschrieben sind, mit ein- oder 3o
mehrwertigen aromatischen bzw. heteroaromatischen Hydroxyverbindungen.
909883/0312
HOECHST AKTIENGESELLSCHAFT
KALLE Niederlassung der Hoechst AG
In diesem Falle sind R* und R2 ein- oder zweiwertige
aromatische Reste oder zu einem ggf. substituierten Ring verbunden, R, ist ein Alkyl- oder Arylrest.
Bei Verwendung von bestimmten, mindestens zweiwertigen der im folgenden aufgeführten aromatischen Hydroxyverbindungen kann
man auch polymere Verbindungen mit mehr als 3 N-Acyliminocarbonat-Einheiten im Molekül erhalten.
Als Acylisocyaniddihalogenide kommen beispielsweise Acetyl-,
Chloracetyl-, Dichloracetyl-, Trichloracetyl-, Fluoracetyl-,
Diphenylacetyl-, Propionyl-, Isobutyl-, Capryl-, Lauryl-,
Stearyl-, Benzoyl-, 4-Chlor-benzoyl-, 4-Fluor-benzoyl-,
3-Äthoxy-4-nitro-benzoyl-, 4-Methyl-benzoyl-, Naphthoyl-,
2-Furoyl- und 2-Thienyl-isocyaniddihalogenid in Frage.
Geeignete Vertreter der aromatischen Hydroxyverbindungen sind: Phenol, 3,5-Di methyl-phenol, p-Cyclohexyl-phenol, 4-(2-Phenyl -prop-2-yl)-phenol, p-(2,4-Dichlor-phenoxy)-phenol, Resorcin-
monomethyläther, 5-Chlor-2-hydroxy-benzoesäureisoamylester,
p-Chlorphenol, 5,6,7,8-Tetrahydro-1-naphtol, 2,4-Dinitro-phenol ,
2-, 3- oder 4-Hydroxy-benzophenon, 4-Hydroxy-benzoesäuremethylphenylamid, Hydrochinonmonobenzyläther, p-Hydroxy-desoxybenzoin, 3- oder 4-Hydroxy-diphenylmethan, 3-Brom-4'-hydroxy-
benzophenon, Brenzcatechin, 4-t-Butyl-brenzcatechin, 4,6-Dit-butyl-brenzcatechin, 4-Chloracetyl-brenzcatechin, 1- und
2-Naphthol und i-Brom-2-hydroxy-naphthalin, Hydrochinon,
2-Methoxy-hydrochinon, 4,4'-Dihydroxy-diphenylKther, 4,4'-Dihydroxy-diphenylsulfon, 4,4"-Dihydroxy-diphenylsulfid,
2,4- und 4,4'-Dihydroxy-benzophenon, Bisphenol A, 2,4-
909883/0312
2929512
-AT,-
HOECHST AKTIENGESELLSCHAFT KALLE Niederlassung der Hoechst AG
Dihydroxy-acetophenon, 3,4-Dihydroxy-diphenyl, Resorcin,
4-n-Hexyl-resorcin, 3,5-Dihydroxy-benzoesäureisoamylester,
2,4-Dihydroxy-benzoesäure-methyi-, -äthyl-, -isopropyl-,
-butyl- und -isoamylester, 4-Acetyl-, 4-Propionyl-,
4-Valeryl-, 4-Benzoyl-, 4-Benzyl-, 4-Cyan-, 4-Chlor- und
4-Nitro-resorcin, Phloroglucin, 1,2,4-Trihydroxy-benzol,
2,4-, 2,5- und 2,7-Dihydroxy-naphthalin.
Eine weitere besondere Gruppe von Verbindungen der allgemei
nen Formel I sind Verbindungen der allgemeinen Formel II
η i
Dabei haben η und R1 die oben angegebene Bedeutung.
R., R5, Rg und R7 bedeuten Wasserstoff- oder Halogenatome,
Aryl-, Aryloxy-, Alkyl-, Alkoxy-, Cyan-, Acyl-, Acyloxy-, Carbalkoxyreste oder
Nitrogruppen, wobei auch jeweils zwei Reste R,, R5, R6 und R7 zu einem ggf.
substituierten, vorzugsweise aromatischen
Ring verbunden sein können. 909883/0312
-Al-
HOECHST AKTIENGESELLSCHAFT KALLE Niederlassung der Hoechst AG
Die Verbindungen mit Einheiten der allgemeinen Formel ΙΓ sind leicht herstellbar durch Reaktion von aromatischen
bzw. heteroaromatischen oder aliphatischen Hydroxyverbindungen
R1(OH)n mit den in der DE-OS 15 45 802 beschriebenen
2-Chlor-4H-1,3-benzoxäzin-4-onen
Dabei haben n, R1 und R, bis R7 die oben angegebene Bedeutung.
Unter aliphatischen Alkoholen R1(OH) sind in dieser Beschrei-
-_ ΙΠ
bung ein- oder mehrwertige Alkohole zu verstehen, deren alkoholische
OH-Gruppen alle an unterschiedlichen, gesättigten aliphatischen oder cycloaliphatischen C-Atomen stehen.
Beispiele für 2-Chlor-4H-1,3-benzoxazin-4-one sind: 20
2-Chlor-4H-1,3-benzoxazin-4-on, 6-Chlor-, 6-Methyl-, 6-Nitro-,
6-Chlor-8-methyT-, 6-Methoxy-, 8-Methyl- und 6-Chlor-8-nitro-2-chlor-4H-1,3-benzoxazin-4-on,
2-Chlor-4H-1,3-naphthoxazin-
4-on und Hexahydro-2-chlor-4H-1,3-benzoxazin-4-on. 25
Neben den schon im Zusammenhang mit Formel I aufgeführten aromatischen Hydroxyverbindungen sind beispielsweise die im
folgenden genannten aliphatischen Alkohole geeignet:
909883/0312
HOECHST AKTIENGESELLSCHAFT KALLE Niederlassung der Hoechst AG
Benzylalkohol, Äthylenglykolmonobutyläther, DiäthylenglykoT-monohexyläther,
Triäthylenglykolmonobutyläther, Octanol,
A'thylenglykolmonophenyläther, Decylalkohol und Dodecylalkohol,
ggf. substituierte Äthan-1,2-, Propan-1,3- und Butan-1,4-diole,
Pentan-1,5-diol, n-Hexan-1,6-diol, 2-Äthyl-hexan-1,6-diol ,
Cyclohexan-1,4-diol, Nonan-1,7-diol , Nonan-1s9-diol , Decan-1,10-diol,
Dodecan-1,12-diol, 1,4-Bis-(hydroxymethyl )-cyclohexan,
Thiodipropylenglykol, Dibutylenglykol, 4,8-Bis-(hydroxymethyl)-tricyclodecan,
n-Buten-(2)-l ,4-diol, p-Xylylen-glykol, Di-, Tri-, Tetra-, Penta- und Hexaäthylenglykol,
Di- und Tripropylenglykol und Polyäthylenglykole mit
dem mittleren Molgewicht 200, 300, 400 und 600, Glycerin, 1,2,6-Hexan-triol , Trimethylolpropan und 1,4,7-Trihydroxyheptan.
Eine weitere besondere Gruppe von Verbindungen der allgemeinen Formel I sind Verbindungen der allgemeinen Formel III
0-
Dabei hat η die oben angegebene Bedeutung.
(III)
. ist ein n-wertiger ggf. substituierter aromatischer Rest und
g und Rg sind Wasserstoffatome oder Alkylreste.
909883/0312
-AST-
HOECHST AKTIENGESELLSCHAFT
KALLE Niederlassung der Hoechst AG
Man kann die Verbindungen der allgemeinen Formel III leicht herstellen, indem man bei den in J.Chem.Soc: (London) (1950) 30,
beschriebenen 2-Mercapto-1,3-oxazolin-4-onen
SH
/ \ /
l8
die Mercaptogruppe zunächst durch Chlorierung gegen Chlor austauscht und danach anschließend durch Reaktion mit aromatischen Hydroxyverbindungen R.(OH) Chlor durch Aryloxy-
gruppen ersetzt. Dabei haben n, R., Rg und Rq die unter
Formel III angegebene Bedeutung.
Als -2-Mercapto-i ,3-oxazolin-4-one werden z. B. 5-Methyl-s 5,5-Di
methyl-, 5-Methyl-5-äthyl- und 5,5-Diäthyl-2-mercapto-1,3-oxazolin-4-on neben 2-Mercapto-1,3-oxazolin-4-on bevorzugt.
Als aromatische Hydroxyverbindungen finden die unter Formel I aufgeführten aromatischen Hydroxyverbindungen Verwendung.
Die oben beschriebenen bevorzugten Verbindungen der allgemeinen Formel I sind nach den angegebenen Verfahren durch
aufeinanderfolgende Umsetzung leicht zugänglicher Säurechloride bzw. Salicylsäurechloride oder Cyanhydrine mit
Kaliumrhodanid, Chlor und Hydroxyverbindungen einfach herstellbar.
909883/0312
ΊΟ,-
HOECHST AKTIENGESELLSCHAFT KALLE Niederlassung der Hoechst AG
Ein weiteres einfaches Verfahren zur Herstellung von Verbindungen der allgemeinen Formeln I und II ist die aufeinanderfolgende Umsetzung von SaIicylsäureestern bzw. -säurechloriden mit Cyansäureestern und Hydroxyverbindungen.
Durch Verwendung unterschiedlicher N-Acyliminocarbonate
bzw. von Gemischen derselben lassen sich die stofflichen Eigenschaften der damit hergestellten Aufzeichnungsmaterialien
breit variieren.
Die erfindungsgemäßen N-Acyliminocarbonate sind äußerst säureempfindlich. Cyclische N-Acyliminocarbonate, die
wenigstens einen aromatischen Ring enthalten, haben sich als beständigste Vertreter erwiesen.
Zur Herstellung der erfindungsgemäßen positiv arbeitenden
strahlungsempfindlichen Gemische werden die beschriebenen
N-Acyliminocarbonate gemischt mit Substanzen, die photochemisch
und bzw. oder durch Einwirkung von energiereichen Strahlen Säuren bilden. Der Mengenanteil der N-Acyliminocarbonate an den
nichtflüchtigen Bestandteilen des gesamten Gemischs kann dabei zwischen etwa 9 und 70, vorzugsweise zwischen 14 und 45 Gew.-%,
1iegen.
Vorzugsweise enthalten die Gemische ferner ein polymeres,
bevorzugt wasserunlösliches Bindemittel, das in organischen
Lösungsmitteln löslich ist. Da sich als EntwicklerflUssigkeiten für die belichteten Kopierschichten mit Vorteil wäßrig-alkalische
Lösungen einsetzen lassen und diese im allgemeinen gegenüber Entwicklern auf Basis organischer Lösungsmittel vorgezogen werden,
909883/0312
HOECHST AKTIENGESELLSCHAFT
KALLE Niederlassung der Hoechst AG
- Xt-
werden insbesondere solche Bindemittel bevorzugt, die in wäßrigen Alkalien löslich oder mindestens quellbar sind.
Die bei vielen Positiv-Kopiermaterialien bewährten Phenolharze,
vor allem Novolake, haben sich auch bei den erfindungsgemäßen Gemischen als besonders brauchbar und vorteilhaft
erwiesen. Sie fördern die starke Differenzierung zwischen den belichteten und unbelichteten Schichtpartien beim Entwickeln,
besonders die höher kondensierten Harze mit substituierten Phenolen, z. B. Kresolen, als Formaldehyd-Kondensationspartner.
Die Novolake können auch in bekannter Weise durch Umsetzung eines Teils ihrer Hydroxygruppen, ζ. B. mit Chloressigsäure,
Isocyanaten, Epoxiden oder Carbonsäureanhydriden, modifiziert sein. Andere alkalilösliche Harze, wie Mischpolymerisate aus
Maleinsäureanhydrid und Styrol, Vinylacetat und Crotonsäure, Methylmethacrylat und Methacrylsäure und dgl. sind ebenfalls
als Bindemittel geeignet. Die Art und Menge der alkalilöslichen Harze kann je nach Anwendungszweck verschieden sein;
bevorzugt sind Anteile am Gesa'mtfeststoff zwischen 30 und 90, besonders bevorzugt 55 - 85 Gew.-%. Zusätzlich können noch
zahlreiche andere Harze mitverwendet werden,' bevorzugt Vinylpolymerisate wie Polyvinylacetate; Polyacrylate, Polyvinylether
und Polyvinylpyrrolidone, die selbst durch Comonomere modifiziert sein können. Der günstigste Anteil
an diesen Harzen richtet sich nach den anwendungstechnischen Erfordernissen und dem,Einfluß auf die Entwicklungsbedingungen
und beträgt im allgemeinen nicht mehr als 20 % vom alkalilöslichen Harz. In geringen Mengen kann die lichtempfindliche
Schicht für spezielle Erfordernisse wie Flexibilität, Haftung, Glanz etc. außerdem noch Substanzen wie Polyglykole, Cellulose-Derivate
wie Äthylcellulose, Netzmittel, Farbstoffe und feinteil ige Pigmente enthalten.
909883/0312
HOECHST AKTIENGES-ELLSCHAFT
KALLE Niederlassung der Hoechst AG
AIs strahlunqsempfindliche Komponenten, die beim Bestrahlen
Säuren bilden bzw. abspalten, sind eine große Anzahl von bekannten Verbindungen und Mischungen, wie Diazonium-,
Phosphonium-, Sulfonium- und Jodonium-Salze, Halogen-Verbindungen,
Chinondiazidsulfochloride und Organometal1 Organohai
οgen-Kombinationen geeignet.
An Diazonium-Salzen kommen die in der Diazotypie bekannten
Verbindungen mit ausnutzbarer Absorption zwischen 300 und 600 nm in Frage. Einige erprobte und erfahrungsgemäß ausreichend
lagerfähige Diazoniumverbindungen sind in den Beispielen genannt; bevorzugt werden Verbindungen," die keine basischen
Substituenten enthalten.
Die genannten Diazonium-, Phosphonium, Sulfonium- und Jodonium-Verbindungen werden in der Regel eingesetzt in
Form ihrer in organischen Lösungsmitteln löslichen Salze, meist
als Abscheidungsprodukt mit komplexen Säuren wie Borfluorwasserstoffsäure, Hexafluorphbsphor-, Hexafluorantimon- und
-arsensaure.
Es können aber auch Derivate der positiv arbeitenden o-Chinondiazide verwendet werden. Die Azidität der beim
Belichten von o-Naphthochinondiaziden entstehenden Inden-
carbonsäuren reicht meist nur knapp für eine ausreichende bildmäßige Differenzierung aus. Bevorzugt wird aus dieser
Gruppe das Naphthochinon-1,2-diazid-4-sulfochlorid, bei
dessen Belichtung drei Säurefunktionen gebildet werden, so daß ein relativ großer Verstärkungsfaktor bei der
Spaltung der N-Acyliminocarbonate entsteht.
909883/0312
HOECHST AKTIENGESELLSCHAFT
KALLE Niederlassung der Hoechst AG
- Vf-
Grundsätzlich sind als halogenhaltige strahlungsempfindliche und Halogenwasserstoffsäure bildende Verbindungen
alle auch als photochemische Radikalstarter bekannten organischen Halogenverbindungen, beispielsweise solche
mit mehr als einem Halogenatom an einem Kohlenstoffatom oder einem aromatischen Ring, brauchbar. Beispiele sind
in den US-PS 3 515 552, 3 536 489 und 3 779 778 und der DE-OS 2 243 621 beschrieben. Die Wirkung dieser halogenhaltigen Verbindungen kann auch für die erfindungsgemäSen Positiv-Kopierschichten durch an sich bekannte
Sensibilisatoren spektral beeinflußt und gesteigert werden.
Geeignet sind ferner bestimmte substituierte Trichlormethylpyrone, wie sie in der DE-OS 2 610 842 beschrieben
sind. Besondere Eignung weisen die in der älteren Patentanmeldung B 27 18 259 beschriebenen 2-Aryl-4,6-bis-trichlormethyl-s-triazine auf,
4-(Di-n-propylamino)-benzoldiazoniumtetrafluoroborat,
4-p-ToIy!mercapto-2,5-diäthoxy-benzoldiazoniumhexafluorophosphat und -tetrafluoroborat, Diphenylamin-4-diazoniumsulfat, 4-Methyl-6-trichlormethyl-2-pyron,
4-(3;4,5-Trimethoxy-styryl)-6-trichlormethyl-2-pyron,
4-(4-Methoxy-styryl)-6-(3,3,3-trichlor-propenyl)-2-pyron,
2-Trichlormethyl-benziJiiidazol, 2-Tribrommethyl-chinolin,
2,4-Dimethyl-t-tribromacetyl-benzol, 3-Nitro-i-tribromacetyl-benzol., 4-Dibromacetyl-benzoesäure» 1,4-Bis-dibrommethyl-benzol, Tris-dibrommethyl-s-triazin, 2-(6-Methoxynaphth-2-yl)-, 2-(Naphth-1-yl)-, 2-(Naphth-2-yl)-,
909883/0312
HOECHST AKTIENGESELLSCHAFT KALLE Niederlassung der Hoechst AG
2-(4-Äthoxyäthyl-naphth-1-yl)-, 2-(Benzopyran-3-yl)-,
2-(4-Methoxy-anthrac-1-yl)-, 2-(Phenanthr-~9-yl )-4,6-bis-trichlormethyl-s-triazin und die in den Beispielen
angeführten Verbindungen.
5
Die Menge des Starters kann je nach seiner chemischen Natur und der Zusammensetzung des Gemischs ebenfalls
sehr verschieden sein. Günstige Ergebnisse werden erhalten mit etwa 0,1 bis 10 Gew.-%, bezogen auf den Gesamtfeststoff, bevorzugt sind 0,2 bis 5 %. Besonders für Kopier
schichten von Dicken über 10 μπι empfiehlt es sich, relativ
wenig Säurespender zu verwenden.
Schließlich können dem lichtempfindlichen Gemisch noch lösliehe oder auch feinteilige dispergierbare Farbstoffe sowie
je nach Anwendungszweck auch UV-Absorber zugesetzt werden. Die günstigsten Mengenverhältnisse der Komponenten lassen
sich im Einzelfall durch Vorversuche leicht ermitteln.
Geeignete Lösungsmittel für das erfindungsgemäße Stoffgemisch sind Ketone, wie Methyläthyl keton; chlorierte
Kohlenwasserstoffe wie Trichloräthylen und 1,1,1-Trichloräthan, Alkohole wie n-Propanol, Äther wie Tetrahydrofuran,
Alkoholäther wie Äthylenglykol-monäthyläther und Ester wie
Butylacetat. Es können auch Gemische verwendet werden, die zudem noch für spezielle Zwecke Lösungsmittel wie
Acetonitril, Dioxan oder Dimethylformamid enthalten können. Prinzipiell sind alle Lösungsmittel verwendbar,
die mit den Schichtkomponenten nicht irreversibel reagie
ren.
909883/0312
HOECHST AKTIENGESELLSCHAFT KALLE Niederlassung der Hoechst AG
Die Wahl der Lösungsmittel ist jedoch auf das vorgesehene
Beschichtungsverfahren, die Schichtdicke und die Trocknungsvorrichtung abzustimmen. Dünne Schichten bis ca. 5,um werden
für Versuchsmengen vorzugsweise auf der Schleuder durch Aufgießen aufgetragen. Mit Lösungen bis zu ca. 40 % Feststoffgehalt
sind so mit einmaligem Auftrag oder mit einer Streichrakel Schichtdicken von mehr als 60,um erreichbar. Für beidseitige
Beschichtung wird Tauchbeschichtung vorgezogen, wobei durch Verwendung von niedrig siedenden Lösungsmitteln schnelles
Antrocknen von Vorteil ist. Bandbeschichtung erfolgt durch Antragen mittels Walzen, Breitschlitzdüsen oder Sprühen;
Einzel platten wie Zink- und Mehrmetal1-Platten können durch
Gießer-Antrag (curtain-coater) beschichtet werden.
Im Vergleich zu anderen Positiv-Schichten, besonders denen
auf o-Naphthochinondiazid-Basis, ist die Herstellung dickerer Schichten vorteilhaft möglich, da die Lichtempfindlichkeit des
erfindungsgemäßen lichtempfindlichen Gemischs verhältnismäßig
wenig dickenabhängig ist. Belichtung und Verarbeitung von Schichtdicken bis ca. 100,um und darüber ist möglich.
Bevorzugte Träger für dicke Schichten über 10,um sind Kunststoffolien,
die dann als temporäre Träger für Transferschichten dienen. Dafür und für Farbfolien werden Polyesterfolien,
z. B. aus Polyäthylenterephthalat, bevorzugt. Polyolefinfolien
wie Polypropylen sind jedoch ebenfalls geeignet. Als Schichtträger
für Schichtdicken unter ca. 10,um werden meist Metalle verwendet. Für Offsetdruckplatten können eingesetzt werden:
mechanisch oder elektrochemisch aufgerauhtes und ggf. anödisiertes Aluminium, das zudem noch chemisch, z. B. mit PoIy-
9 0 9883/0312
HOECHST AKTIENGESELLSCHAFT
KALLE Niederlassung der Hoechst AG
vinylphosphonsäure, Silikaten oder Phosphaten, vorbehandelt
sein kann, außerdem Mehrmetall platten mit Cu/Cr oder Messing/Cr
als oberste Schicht. Für Hochdruckplatten können die erfindungsgemäßen Schichten auf Zink- oder Magnesium-Platten sowie
deren handelsübliche mikrokristalline Legierungen für Einstufenätzverfahren
aufgetragen werden, außerdem auf ätzbare Kunststoffe wie Polyoxymethylen. Für Tiefdruck- oder Siebdruckformen
eignen sich die erfindungsgemäßen Schichten durch ihre gute Haftung und Ätzfestigkeit auf Kupfer- bzw.
Nickel-Oberflächen. Ebenso lassen sich die erfindungsgemäßen
Gemische als Photoresists beim Formteilätzen verwenden.
Schließlich kann die Beschichtung direkt oder durch Schichtübertragung
vom temporären Träger erfolgen auf Leiterplatten-Materialien, die aus Isolierplatten mit ein- oder beidseitiger
Kupfer-Auflage bestehen, auf Glas oder Keramik-Materialien, die ggf. haftvermittelnd vorbehandelt sind, und auf Silicium-Scheiben,
für die in der Mikroelektronik schon Erfahrung mit Elektronenstrahl-Bebilderung vorliegt. Außerdem können
Holz, Textilien und Oberflächen vieler Werkstoffe beschichtet werden, die vorteilhaft durch Projektion bebildert werden und
resistent gegen die Einwirkung alkalischer Entwickler sind.
Für die Trocknung nach der Beschichtung können die üblichen Geräte und Bedingungen übernommen werden, Temperaturen um
100° C und kurzfristig bis 120° C werden ohne Einbuße an Strahlungsempfindlichkeit vertragen.
Zum Belichten können die üblichen Kopiergeräte wie Röhrenlampen, Xenonimpulslampen, metallhalogendotierte Quecksilberdampf
-Hochdruck! ampen und Kohlebogenlampen verwendet werden.
909883/0312
HOECHST AKTIENGESELLSCHAFT
KALLE Niederlassung der Hoechst AG
- yr-
Darüber hinaus ist bei den lichtempfindlichen N-Acyliminocarbonat-Schichten das Belichten in üblichen Projektionsünd Vergrößerungs-Geräten unter dem Licht der Metallfadenlampen
und Kontakt-Belichtung mit gewöhnlichen Glühbirnen möglich. Die Belichtung kann auch mit kohärentem Licht eines Lasers erfolgen.
Geeignet für die Zwecke vorliegender Erfindung sind leistungsgerechte kurzwellige Laser, beispielsweise Argon-Laser, Krypton-Ionen-Laser, Farbstoff-Laser und HeIium-Cadmium-Laser, die
zwischen 300 und 600 nm emittieren. Der Laserstrahl wird
mittels einer vorgegebenen programmierten Strich- und/oder Raster-Bewegung gesteuert.
Das Bestrahlen mit Elektronenstrahlen ist eine weitere Bebilderungsmöglichkeit. Elektronenstrahlen können das er-
findungsgemäße Gemisch wie auch viele andere organische
Materialien durchgreifend zersetzen und vernetzen, so daß ein negatives Bild entsteht, wenn die unbestrahlten Teile
durch Lösungsmittel oder Belichten ohne Vorlage und Entwickeln entfernt werden. Bei geringerer Intensität und/oder
höherer Schreibgeschwindigkeit des Elektronenstrahls bewirkt dagegen der Elektronenstrahl eine Differenzierung in Richtung höherer Löslichkeit, d. h. die bestrahlten Schichtpartien können vom Entwickler entfernt werden. Es wurde
gefunden, daß die erfindungsgemäßen Schichten erheblich
elektronenstrahl-empfindlicher als übliche Naphthochinon
diazid-Schichten sind und - wie in den Beispielen erläutert -ein breiter Bandbereich vergleichsweise geringer Energieeinwirkung von Elektronenstrahlen ausgenutzt werden kann.
Die Wahl der günstigsten Bedingungen kann durch Vorversuche
leicht ermittelt werden.
909883/0312
HOECHST AKTIENGESELLSCHAFT KALLE Niederlassung der Hoechst AG
-xr-
Die bildmäßig belichtete oder bestrahlte Schicht kann mit praktisch den gleichen Entwicklern wie für handelsübliche
Naphthochinondiazid-Schichten und Kopierlacke entfernt werden bzw. die neuen Schichten können in ihren Kopierbedingungen
vorteilhaft auf die bekannten Hilfsmittel wie Entwickler und programmierte Sprühentwicklungsgeräte abgestimmt
werden. Die wäßrigen Entwicklerlösungen können z. B. Al kai iphosphates -Silikate oder -hydroxide und ferner
Netzmittel sowie kleinere Anteile organischer Lösungs-
mittel enthalten. In bestimmten Fällen sind auch Lösungsmittel-Wasser-Gemische
als Entwickler brauchbar. Die Wahl des günstigsten Entwicklers kann durch Versuche mit der
jeweils verwendeten Schicht ermittelt werden. ,Bei Bedarf kann die Entwicklung mechanisch unterstützt werden.
Zur Erhöhung der Widerstandsfähigkeit beim Druck sowie der Resistenz gegen Auswaschmittel, Korrekturmittel und
durch UV-Licht härtbare Druckfarben können die entwickelten Platten kurze Zeit auf erhöhte Temperaturen erwärmt werden,
wie es für Diazoschichten aus der britischen Patentschrift
1 154 749 bekannt ist.
Erfindungsgemäß wird auch ein Verfahren zur Herstellung von Reliefbildern vorgeschlagen, bei dem man ein strahlungsempfindliches
Aufzeichnungsmaterial aus einem Träger und einer Aufzeichnungsschicht, die als wesentliche Bestandteile (a) eine Verbindung, die unter Einwirkung von
aktinischer Strahlung Säure bildet, und (b) eine Verbindung enthält, die mindestens eine durch Säure spaltbare
Bindung aufweist und deren Löslichkeit in einem
flüssigen Entwickler durch Einwirkung von Säure erhöht
909883/0312
HOECHST AKTIENGESELLSCHAFT KALLE. Niederlassung der Hoechst AG
- >er-
wird, bildmäßig mit aktinischer Strahlung in solcher Dosis
bestrahlt, daß die Löslichkeit der Schicht in einem flüssigen Entwickler zunimmt, und die bestrahlten
Schichtteile mittels eines Entwicklers entfernt. Das Verfahren ist dadurch gekennzeichnet, daß man eine Verbindung (b)
verwendet, die als säurespaltbare Gruppe wenigstens eine
N-Acyliminocarbonatgruppe enthält.
Wenn das Verfahren mit Elektronenstrahlung durchgeführt wird, sind neben den bekannten für sichtbares und nahes
UV-Licht empfindlichen photolytisehen Säurespendern auch
solche geeignet, deren Absorptionsbereiche im kürzerwelligen Teil des elektromagnetischen Spektrums liegen
und die damit gegenüber Tageslicht wenig empfindlich sind. Dies hat den Vorteil, daß man die Aufzeichnungsmaterialien
ohne Lichtausschluß handhaben kann und daß die Materialien besser lagerfähig gemacht werden können.
Als Beispiele für derartige Starter sind Tribrommethylphenyl-sulfon,
2,2',4,4',6,6'-Hexabrom-diphenylamin, Pentabromäthan,
2,3,4,5-Tetrachlor-ani1 in, Pentaerythrittetrabromid,
Clophen-Harz W, d. h. ein Chlorterphenylharz,
oder chlorierte Paraffine zu nennen.
Im folgenden werden Beispiele für die erfindungsgemäßen lichtempfindlichen
Gemische angegeben. Dabei wird zunächst die Herstellung einer Anzahl neuer N-Acyliminocarbonate beschrieben,
die in erfindungsgemäßen Gemischen als säurespaltbare
Verbindungen erprobt wurden. Sie wurden als Verbindungen 1 bis 30 durchnumeriert und kehren unter dieser Bezeichnung in den
Anwendungsbeispielen wieder.
90 98 837 0312
96-
HOEC PI ST AKTIENGESELLSCHAFT KALLE Niederlassung der Hoechst AG
In den Beispielen stehen Gewichtsteile (Gt) und Volumteile (Vt)
im Verhältnis von g zu ecm. Prozent- und Mengenverhältnisse
sind, wenn nichts anderes angegeben ist, in Gewichtseinheiten
.zu verstehen.
Eine Lösung von 1 Mol Acylisocyaniddichlorid, 2 Molen Triäthylamin
oder Pyridin und 2 Molen einer einwertigen bzw. 1 Mol einer zweiwertigen Hydroxyverbindung in einem inerten Lösungsmittel
wird 1 - 20 Stunden bei Raumtemperatur gerührt. Die organische Phase wird mit einer alkalischen Lösung gewaschen. Das Lösungsmittel
wird nach dem Trocknen entfernt. Der verbleibende Rückstand wird nach bekannten Methoden gereinigt. Die angegebenen
Ausbeuten sind nicht optimiert.
Tabelle 1 Verbindungen der allgemeinen Formel I η = 1; R3 = Phenyl
Verbin dung Nr. |
R1 | R2 | Fp. | Ausbeute {% d. Th.) |
T- CVI | 2-Naphthyl | 2-Naphttiyl | 147-149 112-114 |
41 23 |
Phenylen-1,2 |
9D9883/0312
HOECHST AKTIENGESELLSCHAFT
KALLE Niederlassung der Hoechst AG
In eine Lösung oder Suspension von η Molen 2-Mercapto-4H-1,3-benzoxazin-4-on- bzw. 2-Mercapto-1,3-oxazolin-4-on-Derivaten
in einem inerten Lösungsmittel leitet man bei Raumtemperatur 2 η Mole Chlor ein. Die Umsetzung verläuft momentan unter
Temperaturerhöhung. Nach Entfernen der leichtflüchtigen Komponenten erhält man 2-Chlor-4H-1,3-benzoxazin-4-on- bzw. 2-Chlor-1,3-oxazolin-4-on-Derivate als ölige oder kristalline Rückstände. Die feuchtigkeitsempfindlichen Rückstände werden i. a.
nicht gereinigt und sofort zur weiteren Umsetzung verwendet.
15
1 Mol einer n-wertigen Hydroxyverbindung, η Mole Triäthylamin oder Pyridin und der oben erhaltene Rückstand (n Mole)
werden in einem inerten Lösungsmittel gelöst und 1 - 20 Stunden bei Raumtemperatur gerührt. Die Lösung wird mit einer al kaiisehen Lösung gewaschen. Das Lösungsmittel wird nach dem Trock
nen entfernt. Der verbleibende Rückstand wird nach bekannten Methoden gereinigt. Die angegebenen Ausbeuten sind nicht
optimiert.
-1 -1
typische Banden um 1700 cm und um 1560 cm auf, Verbindungen
mit Einheiten der allgemeinen Formel III zeigen charakteristische IR-Banden um 1760 cm" und 1550 cm.
909883/0312
HOECHST AKTIENGESELLSCHAFT KALLE Niederlassung der Hoechst AG
-Iff-
Tabelle 2 Verbindungen der allgemeinen Formel II R4 = H
Ver bin dung Nr. |
η | Rl | R5 | R6 | benzo | H | R7 | Fp. (°C) |
Ausbeute (% d.Th.) |
3 | 1 | Phenyl | H | H | H | H | H | 206-208 | 43 |
4 | 1 | 2-Naphthyl | H | H | H | H | H | 191-192 | 41 |
5 | 1 | 2-Naphthyl | Methoxy | H | H | H | H | 236-238 | 22 |
6 | 2 | 4,4'-Diphenylen- sulfon |
H | H | H | H | H | 149-150 | 45 |
7 | 1 | 4-(2-phenyl-prop- 2-yl)phenyl |
H | H | Chlor | H | 135-137 | 37 | |
8 | 2 | (_CH2)2_O_(CH2-)2 | H | H | H | Öl | 66 | ||
9 | 1 | Phenyl | Methoxy | H | H | 250-252 | 28 | ||
10 | 1 | Phenyl | Chlor | H | H | 207-209 | 68 | ||
11 | 1 | 3-Methoxy-phenyl | H | 208-212 | 23 | ||||
12 | 1 | 2-Chlor-4-benzoyl- phenyl |
Methyl | 154-156 | 82 | ||||
13 | 1 | 4-Benzyloxy-phenyl | Methyl . | 147-149 | 84 | ||||
14 | 1 | 4-Phenylacetyl- phenyl |
Methyl | 165-167 | 27 | ||||
15 | 2 | 1,4-Cyclohexylen | Methyl | 232-234 | 23 | ||||
16 | 1 | 2-Naphthyl | Nitro | 267-270 | 64 |
909883/0312
HOECHST AKTIENGESELLSCHAFT
KALLE Niederlassung der Hoechst AG
Verbindungen der allgemeinen Formel III
Ver | η | Rl | R8 | R9 | Fp. | Ausbeute | |
5 | bin dung Nr. |
(°C) | (56 d.Th.) | ||||
17 | 1 | 4-(2-phenyl-prop-2-yl) phenyl |
Methyl | Methyl | 98- 99 | 43 | |
Io | 18 | 1 | Phenyl | Methyl | Methyl | Öl | 47 |
19 | 1 | 2-Naphthyl | Methyl | Methyl | 149-150 | 21 | |
20 | 2 | 1,2-Bis-(phenylen-(3)- oxy)-äthan |
Methyl | Methyl | 188-191 | 66 | |
21 | 2 | 2,2-Bis-phenylen-(4)- propan |
Methyl | Methyl | Öl | 87 | |
15 | 22 | 1 | 4-Benzyloxy-phenyl | H | H | 165-167 | 29 |
23 | 2 | Bis-phenylen-{4,4')- · oxid |
Methyl | Methyl | 179-181 | . 63 | |
24 | 1 | 4-(2,4-Dichlorphen- oxy) -phenyl |
Methyl | Methyl | 132-133 | 69 | |
25 | 1 | 4-Cyclohexyl-phenyl | Methyl | Methyl | 98-100 | 46 | |
20 | 26 | 1 | l-Brom-2-naphthyl | Methyl | Methyl | 175-177 | 18 |
27 | 1 | 4-Chlor-2-isoamyl- oxycarbonyl-phenyl |
Methyl | Methyl | • öl | 36 | |
28 | 1 | 5,6,7,8-Tetrahydro- 1-naphthyl |
Methyl | Methyl | 154-156 | 55 | |
25 | 29 | 2 | 1,4-Phenylen | Methyl | Methyl | 222-225 | 32 |
30 | 2 | 2-Methoxy-l,4-phenylen | Methyl | Methyl | 237-239 | 25 |
909883/0312
HOECHST AKTIENGESELLSCHAFT
KALLE Niederlassung der Hoechst AG
Eine Offset-Druckform wird in folgender Weise hergestellt:
Mit einer Beschichtungslösung, bestehend aus 5
94,6 Gt Methylethylketon,
4,0 Gt Kresol-Formaldehyd-Novolak (Schmelzpunkt nach
4,0 Gt Kresol-Formaldehyd-Novolak (Schmelzpunkt nach
Kapillar-Methode DIN 53 181: 105 - 120° C),
1,2 Gt Verbindung 24,
0,2 Gt 2-(4-Äthoxy-naphth-1-yl)-4,6-bis-trichlor-
0,2 Gt 2-(4-Äthoxy-naphth-1-yl)-4,6-bis-trichlor-
methyl-s-triazin und
0,01 Gt Kristallviolett
0,01 Gt Kristallviolett
beschichtet man eine elektrolytisch aufgerauhte und anodisierte
Aluminium-Folie auf einer Schleuder (150 U/min), wobei sich ein
Trockenschichtgewicht von ca. 1,5 - 2,0 g/m2 ergibt. Das ausreichend getrocknete lichtempfindliche Material wird unter
einer positiven Strich- und Raster-Vorlage mit einer 5 kW Metal 1-Halogenidlampe im Abstand von 110 cm 20 Sekunden belichtet,
wonach ein starker blaugrüner Bildkontrast zu sehen ist. Entwickelt wird mit der folgenden Entwicklerlösung:
5,5 % Natrium-metasi1ikat χ 5 HpO,
3,4 % Trinatriumphosphat χ 12 H2O,
0,4 % Natriumdihydrogenphosphat, wasserfrei,
90,7 % vollentsalztes Wasser.
Innerhalb von 40 Sekunden werden die belichteten Schichtpartien entfernt, und die blaugefärbten unbelichteten Schichtteile bleiben
als Druckschablone stehen. Die so hergestellte Offsetdruck-
83^0 31:2 ./,?■,..-COPY
HOECHST AKTIENGESELLSCHAFT KALLE Niederlassung der Hoechst AG
form wird wie üblich mit fetter Farbe eingefärbt und in die Druckmaschine gespannt. Zur Lagerung kann die Platte mit
handelsüblichen Konservierungsmitteln überwischt werden. Nach
50 000 Drucken wird der Druckversuch bei noch intakter Druckform abgebrochen. Die "erreichbare hohe Druckauflage kann durch
Nacherhitzen der entwickelten Druckform auf ca. 230 - 240° C noch deutlich gesteigert werden.
Das Beispiel 1 wird wiederholt, wobei anstelle der Verbindung
gleiche Gewichtsmengen der Verbindungen 19 oder 14 eingesetzt werden. Belichtet wird 35 Sekunden unter den im Beispiel 1
genannten Bedingungen, entwickelt mit der folgenden Entwickler-
1ösung:
15
15
0,6 % NaOH,
0,5 % Natriummetasilikat χ 5 HpO,
1,0 % n-Butanol,
97,9 % vollentsalztes Wasser.
20
20
Auch in diesem Falle wird eine für hohe Auflagen geeignete positive Druckform erhalten.
Beispiele 3-6
25
25
Auf drahtgebürstete Aluminiumfolie ca. 2 pm dick aufgetragene
Schichten der Zusammensetzung
74 % Novolak nach Beispiel 1,
22 % Acyliminocarbonat,
22 % Acyliminocarbonat,
3,8 % Säurespender und
0,2 S Farbstoff-83/0312
ORIGINAL INSPECTED
-. ^OO _ copY
29512
-32-
HOECHST AKTIENGESELLSCHAFT KALLE Niederlassung der Hoechst AG
werden mit 11-kV-Elektronen bestrahlt. Im Beispiel 6, in
dem ein chlorsubstituiertes Acyl iminocarbo-rvat ohne zusätzlichen
Säurespender eingesetzt wird, ist der Novolakanteil auf 77,8 % erhöht. Unter den in der Tabelle 4 genannten
Bedingungen werden die bestrahlten Stellen beim Behandeln mit dem Entwickler aus Beispiel 1 ausgewaschen.
Bei | Verbin | Säurespender | eingestrahlte | Entwick |
spiel | dung | Energie | lungszeit | |
Nr. | (Joule/cm2) | (S) | ||
3 | 17 | 4-(2,4-Dimethoxystyryl)-6- | 1 - 10 « 10~2 | 30 |
tri chiormethyl-2-pyron | ||||
4 | 23 | 2-(4,7-Dimethoxy-naphth-1-yl)- | 1 - 15 · 10~2 | 15 |
4,6-bis-trichlormethyl-s- | ||||
triazin | ||||
5 | 23 | Chlorparaffinharz | 3 - 40 · 10~2 | 18 |
6 | 24 | ohne | 10 - 30 · 10~2 | 10 |
Die Schichten aus den Beispielen 5 und 6 sind praktisch unempfindlich gegenüber dem Licht der Üblicherweise 1n der
Reproduktionstechnik verwendeten Lampen.
909883/0312
HOECHST AKTIENGESELLSCHAFT
KALLE Niederlassung der Hoechst AG
4,7 | Gt |
1,4 | Gt |
0,23 | Gt |
0,02 | Gt |
93,65 | Gt |
Eine Aluminiumplatte mit mechanisch aufgerauhter Oberfläche
wird mit .einer Lösung aus
Novolak.nach Beispiel 1, Verbindung 6,
2-(Acenaphth-5-yl)-4,6-bistrichlormethyl-s-triazin,
Kristallviolett-Base und 93,65 Gt Butan-2-on
schleuderbeschichtet, so daß nach dem Trocknen eine Schichtdicke von etwa 1,5 μηι resultiert. Die Schicht wird mit einem
Argon-Ionen-Laser von 25 W Lichtleistung über alle Spektrallinien bildmäßig bestrahlt, wobei der Laserstrahl optisch
auf einen Fleck von 5 μηι Druckmesser fokussiert wird. Die
Empfindlichkeit der Schicht reicht aus, daß die Schreibgeschwindigkeit
des Lasers auf mehr als 70 m/s gesteigert werden kann. Die belichteten Schichtteile werden beim
Behandeln mit 0,32-prozentiger wäßriger Natronlauge in 30 Sekunden herausgelöst. Durch Einfärben der .unbestrahlten
Bereiche mit fetter Farbe läßt sich die Laserspur noch deutlicher hervorheben.
Gleiche Ergebnisse werden erhalten, wenn als Schichtträger eine
Aluminiumplatte mit elektrolytisch aufgerauhter und anodisierter Oberfläche verwendet wird. Die erforderliche Entwicklungszeit beträgt dann eine Minute.
90 9883/0312
HOECHST AKTIENGESELLSCHAFT
KALLE Niederlassung der Hoechst AG
Die Stabilität bei thermischer Belastung der die neuen säurespaltbaren Verbindungen enthaltenden Schichten
zeigt das folgende Beispiel:
5
5
Eine Beschichtungslösung entsprechend Beispiel· 1, in der als Säurespender anstelle des dort genannten Triazins gleiche
Gewichtsmengen 2-(6-Methoxy-5-methyl-naphth-2-yl)-4,6-bistrichlormethyl-s-triazin
verwendet werden, wird auf gebürstete Aluminiumfolie so aufgeschleudert, daß die getrocknete Schicht
ca. 1,5 pm dick ist.
Dieses Material wird in einem Trockenschrank 1 Stunde auf 100° C erhitzt, 15 Sekunden unter den in Beispiel 1 genannten
Bedingungen belichtet und in 1,5 Minuten durch Schwenken in dem Entwickler von Beispiel 1 zu einem positiven Abbild der
Vorlage entwickelt, das sich als Offset-Druckform eignet.
Beispiel 9
Platten au:
Lösungen von
Platten au:
Lösungen von
Platten aus gebürstetem Aluminium werden durch Tauchen in
10,64 Gt Novolak nach Beispiel 1, 3,20 Gt N-Acyliminocarbonat und
0,16 Gt 2-/4~-(2-Äthoxy-äthoxy)-naphth-1-yl_7-
4,6-bis-trichlormethyl-s-triaziη in
86,0 Gt Methyläthylketon
beschichtet, nach dem Herausziehen und Abdunsten des Lösungsmittels
20 Sekunden in einein warmen Luftstrom getrocknet und
909883/0312
HOECHST AKTIENGESELLSCHAFT KALLE Niederlassung der Hoechst AG
durch eine Strichvorlage, die von einer 1 mm starken Glasplatte bedeckt ist, belichtet. Das Belichtungsgerät ist
mit vier Leuchtstoffröhren von 40 VJ im Abstand von 4 cm -bestückt. Die Entfernung der Röhrenperipherie von der
Plattenoberfläche beträgt ca. 5 cm. Die Belichtungszeiten
sind bei Verwendung der einzelnen N-Acyliminocarbonate der Tabelle 5 zu entnehmen. Die Entwicklung zu einem positiven
Abbild der Vorlage erfolgt durch Schwenken in dem Entwickler aus Beispiel
909883/0312
-26-
HOEC H ST AKTIENGESELLSCHAFT
KALLE Niederlassung der Hoechst AG
Verbindung | Beiichtungszeit | Verbindung | Beiichtungszeit |
(Sekunden) | (Sekunden) | ||
1 | 20 | 16 | 20 |
2 | 10 | 17 | 5 |
3 | 5 | 18 | 9 |
4 | 10 | 19 | 20 |
5 | 15 | 20 | 20 |
6 | 10 | 21 | 25 |
7 | 5 | 22 | 10 |
8 | 40 | 23 | 10 |
9 | 9 | 24 | 30 |
10 | 8 | 25 | 10 |
11 | 20 | 26 | 9 |
12 | 15 | 27 | 11 |
13 | 15 · | 28 | 10 |
14 | 15 | 29 | 10 |
15 | 10 | 30 | 15 |
909883/0312
Claims (7)
- HOECHST AKTIENGESELLSCHAFT KALLE Niederlassung der Hoechst AG
- Hoe 78/K 043
- 3. Juli 1978 WLK-Dr.N.-urPatentansprüche1. Strahlungsempfindliches Gemisch, das (a) eine unter Einwirkung von aktinischer Strahlung Säure bildende Verbindung und (b) eine Verbindung enthält, die mindestens eine durch Säure spaltbare Bindung aufweist und deren Löslichkeit in einem flüssigen Entwickler durch Einwirkung von Säure erhöht wird, dadurch gekennzeichnet, daß die durch Säure spaltbare Verbindung als säurespaltbare Gruppe mindestens eine N-Acyliminocarbonatgruppe enthält.15 202. Strahlungsempfindliches Gemisch nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die durch Säure spaltbare Verbindung (b) der allgemeinen Formel IRo. Λ(I)entspricht, in derund Reinen n-wertigen aliphatischen, cycloaliphati sehen oder aromatischen Rest, Alkyl- oder Arylreste bedeuten,und R3 zuwobei jeweils zwei der Reste R,,einem heterocyclischen Ring verbunden seinkönnen, undeine ganze Zahl von 1 bis 3 ist.909883/0312ORIGINAL INSPECTEDHOECHST AKTIENGESELLSCHAFT KALLE Niederlassung der Hoechst AGHoe 78/K 043-Kf-3. Strahlungsempfindliches Gemisch nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die durch Säure spaltbare Verbindung (b) der Formel II(H)entspricht, in dereinen n-wertigen aliphatischen, cycloaliphatisehen oder aromatischen Rest,R4' R59 R620 und RWasserstoff- oder Halogenatome, Alkyl-, Alkoxy-, Aryl-, Aryloxy-, Acyl-, Acyloxy-, Carbalkoxy- oder Nitrogruppen bedeuten, wobei jeweils zwei der Reste R. bis Ry zu einem Ring verbunden sein können, undeine ganze Zahl von 1 bis 3 ist.909883/0312HOECHST AKTIENGESELLSCHAFT KALLE Niederlassung der Hoechst- AGHoe 78/K
- 4. Strahlungsempfindliches Gemisch nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die durch Säure" spaltbare Verbindung (b) der Formel IIIV/ο-Il OR,(III)entspricht, in derR. einen n-wertigen aromatischen Rest, Rg und Rg Wasserstoffatome oder Alkylreste und η eine ganze Zahl von 1 bis 3 bedeutet.
- 5. Strahlungsempfindliches Gemisch nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß η 1 oder 2 ist.
- 6. Strahlungsempfindliches Gemisch nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es zusätzlich ein polymeres wasserunlösliches Bindemittel enthält.
- 7. Verfahren zur Herstellung von ReIiefbildern, bei dem man ein strahlungsempfindliches Aufzeichnungsmaterial aus einem Schichtträger.und einer Aufzeichnungsschicht, die (a) eine unter Einwirkung von aktinischer Strahlung Säure bildende909883/0312HOECHST AKTIENGESELLSCHAFT KALLE Niederlassung der Hoechst AGHoe 78/KVerbindung und (b) eine Verbindung enthält, die mindestens eine durch Säure spaltbare Bindung aufweist und deren Löslichkeit in einem flüssigen Entwickler durch Einwirkung von Säure erhöht wird, bildmäßig mit aktinischer Strahlung in solcher Dosis bestrahlt, daß die Löslichkeit der Schicht in einem flüssigen Entwickler zunimmt, und die bestrahlten Schichtteile mittels eines Entwicklers entfernt, dadurch gekennzeichnet, daß man eine Verbindung (b) verwendet, die als säurespaltbare Gruppe wenigstens eine N-Acyliminocarbonatgruppe enthält. ,Λ909883/0312ORIGINAL INSPECTED
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19782829512 DE2829512A1 (de) | 1978-07-05 | 1978-07-05 | Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefbildern |
DE7979102168T DE2964264D1 (en) | 1978-07-05 | 1979-06-29 | Radiation-sensitive mixture and process for producing relief images |
EP79102168A EP0006626B1 (de) | 1978-07-05 | 1979-06-29 | Strahlungsempfindliches Gemisch und Verfahren zur Herstellung von Reliefbildern |
US06/054,809 US4250247A (en) | 1978-07-05 | 1979-07-05 | Acid degradable radiation-sensitive mixture |
JP8446979A JPS55126236A (en) | 1978-07-05 | 1979-07-05 | Radiation sensitive mixture and method for making relief image |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19782829512 DE2829512A1 (de) | 1978-07-05 | 1978-07-05 | Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefbildern |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2829512A1 true DE2829512A1 (de) | 1980-01-17 |
Family
ID=6043596
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19782829512 Withdrawn DE2829512A1 (de) | 1978-07-05 | 1978-07-05 | Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefbildern |
DE7979102168T Expired DE2964264D1 (en) | 1978-07-05 | 1979-06-29 | Radiation-sensitive mixture and process for producing relief images |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE7979102168T Expired DE2964264D1 (en) | 1978-07-05 | 1979-06-29 | Radiation-sensitive mixture and process for producing relief images |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4250247A (de) |
EP (1) | EP0006626B1 (de) |
JP (1) | JPS55126236A (de) |
DE (2) | DE2829512A1 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0049840A2 (de) * | 1980-10-13 | 1982-04-21 | Hoechst Aktiengesellschaft | Verfahren zur Herstellung von Reliefkopien |
EP0059250A1 (de) * | 1981-02-26 | 1982-09-08 | Hoechst Aktiengesellschaft | Lichtempfindliches Gemisch und daraus hergestelltes Kopiermaterial |
Families Citing this family (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3151078A1 (de) * | 1981-12-23 | 1983-07-28 | Hoechst Ag, 6230 Frankfurt | Verfahren zur herstellung von reliefbildern |
DE3406927A1 (de) * | 1984-02-25 | 1985-08-29 | Hoechst Ag, 6230 Frankfurt | Strahlungsempfindliches gemisch auf basis von saeurespaltbaren verbindungen |
EP0164083B1 (de) * | 1984-06-07 | 1991-05-02 | Hoechst Aktiengesellschaft | Positiv arbeitende strahlungsempfindliche Beschichtungslösung |
DE3445276A1 (de) * | 1984-12-12 | 1986-06-19 | Hoechst Ag, 6230 Frankfurt | Strahlungsempfindliches gemisch, daraus hergestelltes lichtempfindliches aufzeichnungsmaterial und verfahren zur herstellung einer flachdruckform |
US4737426A (en) * | 1985-05-15 | 1988-04-12 | Ciba-Geigy Corporation | Cyclic acetals or ketals of beta-keto esters or amides |
US4663269A (en) * | 1985-08-07 | 1987-05-05 | Polytechnic Institute Of New York | Method of forming highly sensitive photoresist film in the absence of water |
DE3621376A1 (de) * | 1986-06-26 | 1988-01-07 | Hoechst Ag | Strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial |
JPS63265242A (ja) * | 1987-04-23 | 1988-11-01 | Fuji Photo Film Co Ltd | 多色画像形成方法 |
DE3725741A1 (de) * | 1987-08-04 | 1989-02-16 | Hoechst Ag | Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch |
DE3725949A1 (de) * | 1987-08-05 | 1989-02-16 | Hoechst Ag | Lichtempfindliches gemisch, daraus hergestelltes lichtempfindliches kopiermaterial und verfahren zur herstellung von negativen reliefkopien |
DE3730787A1 (de) * | 1987-09-13 | 1989-03-23 | Hoechst Ag | Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial |
DE3730785A1 (de) * | 1987-09-13 | 1989-03-23 | Hoechst Ag | Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial |
DE3730783A1 (de) * | 1987-09-13 | 1989-03-23 | Hoechst Ag | Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial |
DE3810631A1 (de) * | 1988-03-29 | 1989-10-12 | Hoechst Ag | Positiv arbeitendes lichtempfindliches gemisch und daraus hergestelltes aufzeichnungsmaterial mit hohem waermestand |
DE3827901A1 (de) * | 1988-08-17 | 1990-02-22 | Hoechst Ag | Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und hiermit hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial |
DE69029104T2 (de) | 1989-07-12 | 1997-03-20 | Fuji Photo Film Co Ltd | Polysiloxane und positiv arbeitende Resistmasse |
US5220037A (en) * | 1989-07-22 | 1993-06-15 | Basf Aktiengesellschaft | Sulfonium salts and use thereof |
DE3930086A1 (de) * | 1989-09-09 | 1991-03-21 | Hoechst Ag | Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial |
DE3930087A1 (de) * | 1989-09-09 | 1991-03-14 | Hoechst Ag | Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial |
EP0536690B1 (de) * | 1991-10-07 | 1998-09-09 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Lichtempfindliche Zusammensetzung |
JP2944296B2 (ja) | 1992-04-06 | 1999-08-30 | 富士写真フイルム株式会社 | 感光性平版印刷版の製造方法 |
DE4242051A1 (de) * | 1992-12-14 | 1994-06-16 | Hoechst Ag | N,N-Disubstituierte Sulfonamide und damit hergestelltes strahlungsempfindliches Gemisch |
DE4242050A1 (de) * | 1992-12-14 | 1994-06-16 | Hoechst Ag | Polymere mit N,N-disubstituierten Sulfonamid-Seitengruppen und deren Verwendung |
EP0620500A3 (de) * | 1993-04-16 | 1996-01-03 | Hitachi Ltd | Photoresist und Verfahren zur Herstellung von Strukturen damit. |
DE4414896A1 (de) * | 1994-04-28 | 1995-11-02 | Hoechst Ag | Positiv arbeitendes strahlungempfindliches Gemisch |
JPH0876380A (ja) | 1994-09-06 | 1996-03-22 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型印刷版組成物 |
JPH0954437A (ja) * | 1995-06-05 | 1997-02-25 | Fuji Photo Film Co Ltd | 化学増幅型ポジレジスト組成物 |
JP3591672B2 (ja) | 1996-02-05 | 2004-11-24 | 富士写真フイルム株式会社 | ポジ型感光性組成物 |
US6060222A (en) * | 1996-11-19 | 2000-05-09 | Kodak Polcyhrome Graphics Llc | 1Postitve-working imaging composition and element and method of forming positive image with a laser |
DE19803564A1 (de) | 1998-01-30 | 1999-08-05 | Agfa Gevaert Ag | Polymere mit Einheiten aus N-substituiertem Maleimid und deren Verwendung in strahlungsempfindlichen Gemischen |
JP3969909B2 (ja) | 1999-09-27 | 2007-09-05 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型フォトレジスト組成物 |
JP4396443B2 (ja) | 2004-08-18 | 2010-01-13 | コニカミノルタエムジー株式会社 | 感光性平版印刷版の製造方法及び使用方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2892712A (en) * | 1954-04-23 | 1959-06-30 | Du Pont | Process for preparing relief images |
DE1545802A1 (de) * | 1965-04-09 | 1969-11-27 | Bayer Ag | Verfahren zur Herstellung von Chloroxazinonen |
US3932514A (en) * | 1970-09-17 | 1976-01-13 | Bayer Aktiengesellschaft | Catalyst for the preparation of cyclohexanone from phenol and process therefor |
US3779778A (en) * | 1972-02-09 | 1973-12-18 | Minnesota Mining & Mfg | Photosolubilizable compositions and elements |
US3915704A (en) * | 1973-11-01 | 1975-10-28 | Xerox Corp | Photoinduced, acid catalyzed degradation of degradable polymers |
US3917483A (en) * | 1973-11-01 | 1975-11-04 | Xerox Corp | Photoinduced acid catalyzed depolymerization of degradable polymers |
US3915706A (en) * | 1974-03-11 | 1975-10-28 | Xerox Corp | Imaging system based on photodegradable polyaldehydes |
CH621416A5 (de) * | 1975-03-27 | 1981-01-30 | Hoechst Ag |
-
1978
- 1978-07-05 DE DE19782829512 patent/DE2829512A1/de not_active Withdrawn
-
1979
- 1979-06-29 EP EP79102168A patent/EP0006626B1/de not_active Expired
- 1979-06-29 DE DE7979102168T patent/DE2964264D1/de not_active Expired
- 1979-07-05 JP JP8446979A patent/JPS55126236A/ja active Granted
- 1979-07-05 US US06/054,809 patent/US4250247A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0049840A2 (de) * | 1980-10-13 | 1982-04-21 | Hoechst Aktiengesellschaft | Verfahren zur Herstellung von Reliefkopien |
EP0049840A3 (en) * | 1980-10-13 | 1982-05-19 | Hoechst Aktiengesellschaft | Process for the production of relief copies |
JPS57100427A (en) * | 1980-10-13 | 1982-06-22 | Hoechst Ag | Making of relief copy |
JPH0531133B2 (de) * | 1980-10-13 | 1993-05-11 | Hoechst Ag | |
EP0059250A1 (de) * | 1981-02-26 | 1982-09-08 | Hoechst Aktiengesellschaft | Lichtempfindliches Gemisch und daraus hergestelltes Kopiermaterial |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS55126236A (en) | 1980-09-29 |
JPS6239421B2 (de) | 1987-08-22 |
EP0006626A3 (en) | 1980-01-23 |
EP0006626A2 (de) | 1980-01-09 |
DE2964264D1 (en) | 1983-01-20 |
EP0006626B1 (de) | 1982-12-15 |
US4250247A (en) | 1981-02-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0006626B1 (de) | Strahlungsempfindliches Gemisch und Verfahren zur Herstellung von Reliefbildern | |
EP0006627B1 (de) | Strahlungsempfindliches Gemisch und Verfahren zur Herstellung von Reliefbildern | |
DE2718254C3 (de) | Strahlungsempfindliche Kopiermasse | |
DE2718259C2 (de) | Strahlungsempfindliches Gemisch | |
EP0022571B1 (de) | Strahlungsempfindliches Gemisch und Verfahren zur Herstellung von Reliefbildern | |
EP0266654B1 (de) | Lichtempfindliches Gemisch, dieses enthaltendes Aufzeichnungsmaterial und Verfahren zur Herstellung von positiven oder negativen Reliefkopien unter Verwendung dieses Materials | |
EP0137452B1 (de) | Lichtempfindliche, Trichlormethylgruppen aufweisende Verbindungen, Verfahren zu ihrer Herstellung und diese Verbindungen enthaltendes lichtempfindliches Gemisch | |
EP0417556B1 (de) | Positiv-arbeitendes strahlungsempfindliches Gemisch und daraus hergestelltes Aufzeichnungsmaterial | |
EP0050802B1 (de) | Lichtempfindliches Gemisch, daraus hergestelltes lichtempfindliches Kopiermaterial und Verfahren zur Herstellung einer Druckform aus dem Kopiermaterial | |
DE2610842A1 (de) | Strahlungsempfindliche kopiermasse | |
DE3406927A1 (de) | Strahlungsempfindliches gemisch auf basis von saeurespaltbaren verbindungen | |
DE3725741A1 (de) | Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch | |
DE3621376A1 (de) | Strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial | |
EP0510443B1 (de) | Negativ arbeitendes strahlungsempfindliches Gemisch und damit hergestelltes strahlungsempfindliches Aufzeichnungsmaterial | |
EP0290916B1 (de) | Strahlungsempfindliches Aufzeichnungsmaterial | |
DE3716848A1 (de) | Verfahren zur bebilderung lichtempfindlichen materials | |
EP0303108A2 (de) | Lichtempfindliches Gemisch, daraus hergestelltes lichtempfindliches Kopiermaterial und Verfahren zur Herstellung von negativen Reliefkopien | |
EP0078981A2 (de) | Lichtempfindliches Gemisch und daraus hergestelltes lichtempfindliches Kopiermaterial | |
EP0347660A2 (de) | Strahlungsempfindliches Gemisch und hieraus hergestelltes strahlungsempfindliches Aufzeichnungsmaterial | |
EP0717317A2 (de) | Strahlungsempfindliches Gemisch | |
EP0510446B1 (de) | Negativ arbeitendes strahlungsempfindliches Gemisch und damit hergestelltes strahlungsempfindliches Aufzeichnungsmaterial | |
DE4112973A1 (de) | Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und damit hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial | |
DE3827901A1 (de) | Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und hiermit hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |