DE2936247A1 - Einrichtung zum galvanischen abscheiden einer metallischen schicht mit vorgegebener schichtstaerke - Google Patents

Einrichtung zum galvanischen abscheiden einer metallischen schicht mit vorgegebener schichtstaerke

Info

Publication number
DE2936247A1
DE2936247A1 DE19792936247 DE2936247A DE2936247A1 DE 2936247 A1 DE2936247 A1 DE 2936247A1 DE 19792936247 DE19792936247 DE 19792936247 DE 2936247 A DE2936247 A DE 2936247A DE 2936247 A1 DE2936247 A1 DE 2936247A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer thickness
anode
current
entered
area
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19792936247
Other languages
English (en)
Inventor
Dipl.-Ing. Werner Eckert
Wolfgang 8520 Erlangen Simon
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE19792936247 priority Critical patent/DE2936247A1/de
Priority to US06/121,042 priority patent/US4287043A/en
Publication of DE2936247A1 publication Critical patent/DE2936247A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D21/00Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
    • C25D21/12Process control or regulation

Description

Einrichtung zum galvanischen Abscheiden einer metallischen Schicht mit vorgegebener Schichtstärke
Die Erfindung bezieht sich auf eine Einrichtung zum galvanischen Abscheiden einer metallischen Schicht mit vorgegebener Schichtstärke auf einen Gegenstand in einer Metallsalzlösung mittels einer Opferanode, die an eine Gleichspannungsquelle angeschlossen ist, wobei ein Stromwandler zur Erfassung des Anodenstroms und eine Schalteinrichtung zur Abschaltung der Gleichspannungsquelle vorgesehen sind.
Derartige Einrichtungen werden insbesondere für die Korrektur von geätzten oder gravierten Druckzylindern für das Tiefdruckverfahren verwendet. Hierbei ist es insbesondere für die Aufhellung des Druckbildes erforderlich, jeweils in einem begrenzten Korrekturbereich eine Schicht mit einer bestimmten Schichtstärke in den Vertiefungen des Druckzylinders aufzutragen. Die Stärke der aufgetragenen Schicht ist abhängig von der Stromstärke des Anodenstromes, der Größe der Anode, einem materialabhängigen Abscheidungsäquivalent, einem formabhängigen Stromausbeutefaktor, dem Verhältnis der Anodengröße zur Fläche des Korrekturbereichs und von der Zeit. Nach Erreichen der gewünschten Schichtstärke soll der Abscheidevorgang automatisch beendet werden.
Es besteht die Aufgabe, eine Einrichtung der eingangsgenannten Art im Hinblick auf einen hohen Automatisierungs-
Gud 2 Gr / 20.8.79
130012/0379
- t - VPA 79 ρ 3 1 6 O BRD
grad so auszubilden, daß eine möglichst große Freizügigkeit bei der Eingabe der technologischen Parameter besteht.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch einen programmierbaren Rechner mit einer Eingabevorrichtung für den Sollwert der Schichtstärke und einer Eingabevorrichtung für technologische Parameter und mit Speichern zur Aufnahme der Eingabewerte sowie mit einem Rechenwerk, das zyklisch aus digitaliserten Abtastwerten der Anodenstromstärke über ein Zeitnormal die Ladungsmenge als Stromintegral aufsummiert und unter Berücksichtigung der eingegebenen technologischen Parameter den aktuellen Wert der Schichtstärke ermittelt und mit dem eingegebenen SoIlwert vergleicht und ein Abschaltsignal ausgibt, wenn die Schichtstärke den Sollwert erreicht.
Als ein technologischer Parameter wird vorteilhaft ein Anodenindex eingegeben, der aus der Anodengröße, dem Abscheidungsäquivalent und dem Stromausbeutefaktor ermittelt ist. Als weiterer technologischer Parameter wird vorteilhaft ein Flächenfaktor eingegeben, der aus dem Verhältnis der Anodenfläche zur Fläche des Korrekturbereichs ermittelt ist.
Eine besonders vorteilhafte Weiterbildung der Erfindung sieht einen Mikrocomputer als Rechner vor, insbesondere einen Einchip-Mikrocomputer.
Zur Bedienungserleichterung kann eine Ziffernanzeige des zyklisch ermittelten aktuellen Wertes der Schichtstärke und/oder eine Ziffernanzeige für den vorgegebenen
130012/0379
- 2 - VPA79 P 3 160 BRD
Sollwert der Schichtstärke und/oder Ziffernanzeigen für die eingegebenen technischen Parameter vorgesehen sein.
Bei Verwendung eines aus einem Wechselspannungsnetz gespeisten Gleichrichters als Gleichspannungsquelle ist der Anodenstrom ein pulsierender Gleichstrom. Eine zyklische Abtastung der Momentanwerte des pulsierenden Gleichstromes durch den Rechner würde zu falschen Ergebnissen führen. Man kann jedoch einen Analog-Digital-Wandler verwenden, der eine große Zeitkonstante aufweist und somit praktisch eine Glättung der Anodenstrom-Meßwerte bewirkt. Derartige Wandler sind jedoch aufwendig. Eine vorteilhafte Weiterbildung der Erfindung mit geringem Schaltungsaufwand sieht einen dem Stromwandler zur Erfassung des Anodenstroms nachgeschalteten analogen Mittelwertbildner und einen Analog-Digital-Wandler zur Ausgabe von digitalisierten Anodenstrom-Mittelwerten vor.
Die erfindungsgemäße Einrichtung erlaubt durch die beliebige Vorgabe von technologischen Parametern eine einfache Anpassung an alle Betriebsverhältnisse. Die Bedienung der Einrichtung ist äußerst einfach. Es brauchen nur der gewünschte Sollwert der Schichtstärke und die technologischen Parameter eingegeben werden. Nach dem Einschalten der Gleichspannungsquelle wird mit der Opferanode der Korrekturbereich überstrichen. Sobald die gewünschte Schichtstärke erreicht ist, wird der AbscheideVorgang automatisch unterbrochen.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in der Zeichnung dargestellt und wird im folgenden anhand eines bevorzugten Anwendungsgebietes im einzelnen beschrieben, nämlich der Korrektur eine Tiefdruckzylinders. Die Anwendung
130012/0379
(9 - λ - VPA79P3160BRD
der Erfindung ist jedoch nicht hierauf beschränkt, sondern sie kann überall dort eingesetzt werden, wo in einem bestimmten Bereich eines Gegenstandes eine Schicht mit vorgegebener Schichtstärke galvanisch aufgegetragen werden soll.
Der bereits geätzte oder gravierte Druckzylinder D aus Kupfer befindet sich in einem wannenförmigen Behälter B, der mit einer Metallsalzlösung gefüllt ist, beispielsweise mit einer 2-wertigen Kupfersulfatlösung. In einem Korrekturbereich C soll mit Hilfe einer Kupferanode A eine Kupferschicht auf den Druckzylinder D mit einer vorgegebenen Schichtstärke aufgetragen werden, beispielsweise von 50 um. Der Behälter B und die Kupferanode A sind an einen Gleichrichter 14 als Gleichspannungsquelle angeschlossen, der aus einem Wechselspannungsnetz AC über einen Drehtransformator T gespeist wird. Es ist auch möglich, anstelle eines Gleichrichters mit vorgeschaltetem Drehtransformator einen Gleichstromsteller zu verwenden. Der Gleichrichter 14, der über ein Schütz 16 an das Wechselspannungsnetz AC angeschlossen ist, erzeugt beispielsweise aus 220 V Wechselspannung eine Gleichspannung von 0 bis 15V mit einer Stromstärke von 25 A. In den Anodenstromkreis ist ein Shunt 15 eingeschaltet, an dem die Istwertspannung für den Anodenstrom abgegriffen wird. Die Istwertspannung wird über einen Gleichspannungswandler 20 galvanisch entkoppelt und einem analogen Mittelwertbildner 17 zugeführt, dem ein Analog-Digital-Wandler 18 nachgeschaltet ist. Der Analog-Digital-Wandler 18 gibt einen digitalisierten Anodenstrom-Mittelwert über einen Eingabebaustein 4 auf den Datenbus des Mikrocomputers
130012/037 9
- * - VPA79 P 3 160 BRD
Der als Mikrocomputer ausgebildete programmierbare Rechner 1 ist hinsichtlich seines Aufbaues nicht Gegenstand der Erfindung und daher nur schematisch dargestellt. Der Mikrocomputer 1 enthält einen Datenbus, an den ein Programmspeicher 2, ein Sollwertspeicher 5 und Parameterspeicher 6 und 7, ein Rechenwerk 8 und ein Zeitnormal 9, sowie Eingabebausteine 4 und 19 und Ausgabebausteine 3 und 22 angeschlossen sind. An den Eingabebaustein 19 sind eine Eingabevorrichtung 21 für den Sollwert der gewünschten Schichtstärke, eine Eingabevorrichtung 22 für einen Anodenindex und eine Eingabevorrichtung 23 für einen Flächenfaktor angeschlossen. Der eingegebene Sollwert und die eingegebenen technologischen Parameter werden in den Speichern 5, 6,7 gespeichert. Die Eingabevorrichtungen 21, 22, 23 können auch anders ausgebildet sein, insbesondere kann eine gemeinsame bzw. kombinierte Eingabevorrichtung vorgesehen sein.
Der Anodenindex ist ein Proportionalitätsfaktor, der den Einfluß der Anodengröße, das Abscheidungsäquivalent und den Stromausbeutefaktor berücksichtigt. Das Abscheidungsäquivalent ist materialabhängig und beträgt
As beispielsweise bei Kupfer 282 , das bedeutet, daß
dm2 · iim zum Auftragen einer Schichtstärke von 1 um auf einer Fläche von 1 dm2 eine Ladungsmenge von 282 As benötigt wird. Der Stromausbeutefaktor ist abhängig von der Form der Vertiefung, in der die, Schicht galvanisch aufgetragen werden soll. Bei großen Vertiefungen ist die Stromausbeute anders als bei flachen Vertiefungen. Ein durchschnittlicher Stromausbeutefaktor kann mit 0,96 angenommen werden.
130012/0 379
- g - VPa78 ρ 3 1 6 0 BRD
Der Flächenfaktor ist das Verhältnis aus der Anodenfläche zur Fläche des Korrekturbereiches C, in dem die Schicht mit der gewünschten Schichtstärke aufgetragen wird. 5
Der Rechner 1 enthält ein Rechenwerk 8, das zyklisch den aktuellen Anodenstrom-Mittelwert vom Analog-Digital-Umsetzer 18 abfragt und über der zeit aufsummiert. Als Seitnormal 9 ist beispielsweise ein 3-MHz-Quarz vorgesehen. Das Rechenwerk 8 ermittelt hieraus unter Be rücksichtigung der eingegebenen technologischen Parameter den aktuellen Wert der Schichtstärke. Die Schichtstärkenberechnung erfolgt nach folgenden Formeln:
d<t) - b -
a · κ ·
mit Q(t) - li(t) · dt
wobei d(t) - aktuelle Schichtstärke,
i(t) ■ Mittelwert des Anodenstroms,
Q(t) > Ladungsmenge
a « Anodengröße
k ■ Pillchenfaktor,
AEQ β Abscheidungsäquivalent
b - Stromausbeutefaktor.
Bei der Schichtstärkenberechnung mit Hilfe des Rechen-Werkes 8 ist die freie Eingabe der technologischen Parameter besonders vorteilhaft. Hierdurch kann die Korrektur des Druckzylinders genau und reproduzierbar an die spezielle Aufgabenstellung angepaßt werden.
130012/0379
-*- VPA79 ρ 3 160 BRD
Der ermittelte aktuelle Wert der Schichtstärke wird über einen AuegabebaueteIn 22 an einer Ziffernanzeige angezeigt. An den Auegabebaustein 22 1st eine weitere Ziffernanzeige 11 fUr den vorgegebenen Sollwert der Schichtstärke, eine weitere Ziffernanzeige 12 fUr den eingegebenen Anodenindex und eine weitere Ziffernanzeige 13 für den Flächenfaktor angeschlossen.
Das Rechenwerk 8 vergleicht in jedem Zyklus den ermittelten aktuellen Wert der Schichtstärke mit dem vor gegebenen Sollwert. Wenn die Schichtstärke den Sollwert erreicht, wird über den Ausgabebaustein 3 mit Treiber ein Abschaltsignal an die Schalteinrichtung 16 ausgegeben, die den Gleichrichter 14 vom Wechselspannungsnetz AC trennt.
Als Rechenwerk ist insbesondere ein Einchip-Nikrocomputer geeignet, wie er beispielsweise unter der Bezeichnung SAB 8748 von der Siemens AG vertrieben wird.
7 Patentansprüche 1 Figur
130012/0379
ORIGINAL INSPECTED
-40-
Leerseite
ar:-: v

Claims (7)

  1. - / - vpA 79 P 3 1 6 O BRD
    Patentan Sprüche
    Einrichtung zum galvanischen Abscheiden einer metallischen Schicht mit vorgegebener Schichtstärke auf einen Gegenstand in einer Metallsalzlösung mittels einer Opferanode, die an eine Gleichspannungsquelle angeschlossen ist, wobei ein Stromwandler zur Erfassung des Anodenstroms und eine Schalteinrichtung zur Abschaltung der Gleichspannungsquelle vorgesehen sind, gekennzeichnet durch einen programmierbaren Rechner (1) mit einer Eingabevorrichtung (21) für den Sollwert der Schichtstärke und einer Eingabevorrichtung (22, 23) für technologische Parameter und mit Speichern (5, 6, 7) zur Aufnahme der Eingabewerte und mit einem Rechenwerk (8), das zyklisch aus digitalisierten Abtastwerten der Anodenstromstärke über ein Zeitnormal (9) die Ladungsmenge als Stromintegral aufsummiert und unter Berücksichtigung der eingegebenen technologischen Parameter den aktuellen Wert der Schichtstärke ermittelt und mit dem eingegebenen Sollwert vergleicht und ein Abschaltsignal ausgibt, wenn die Schichtstärke den Sollwert erreicht.
  2. 2. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch g e kennzeichnet, daß als ein technologischer Parameter ein Anodenindex eingegeben wird, der aus der Anodengröße, dem Abscheidungsäquivalent und dem Stromausbeutefaktor ermittelt ist.
  3. 3. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß als weiterer technologischer Parameter ein Flächenfaktor eingegeben wird, der aus dem Verhältnis der Anodenfläche zur Fläche der aufzutragenden Schicht ermittelt ist.
    130012/037Ö
    ORIGINAL INSPECTED
    - έ - VPA79 ρ 3 160 BRD
  4. 4. Einrichtung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch einen Mikrocomputer als Rechner.
  5. 5. Einrichtung nach Anspruch 4, gekennzeichnet durch einen Einchip-Mikrocomputer.
  6. 6. Einrichtung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine Ziffernanzeige (10) des zyklisch ermittelten aktuellen Wertes der Schichtstärke und/oder eine Ziffernanzeige (11) für den vorgegebenen Sollwert der Schichtstärke und/oder weitere Ziffernanzeigen (12, 13) für die eingegebenen technologischen Parameter.
  7. 7. Einrichtung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch einen dem Stromwandler zur Erfassung des Anodenstromes nachgeschalteten analogen Mittelwertbildner (17) und einen Analog-Digital-Wandler (18) zur Ausgabe von digitalisierten Anodenstrom-Mittelwerten.
    13001 2/0379
DE19792936247 1979-09-07 1979-09-07 Einrichtung zum galvanischen abscheiden einer metallischen schicht mit vorgegebener schichtstaerke Withdrawn DE2936247A1 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19792936247 DE2936247A1 (de) 1979-09-07 1979-09-07 Einrichtung zum galvanischen abscheiden einer metallischen schicht mit vorgegebener schichtstaerke
US06/121,042 US4287043A (en) 1979-09-07 1980-02-13 Apparatus for electrodepositing a metallic layer of predetermined thickness

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19792936247 DE2936247A1 (de) 1979-09-07 1979-09-07 Einrichtung zum galvanischen abscheiden einer metallischen schicht mit vorgegebener schichtstaerke

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE2936247A1 true DE2936247A1 (de) 1981-03-19

Family

ID=6080327

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19792936247 Withdrawn DE2936247A1 (de) 1979-09-07 1979-09-07 Einrichtung zum galvanischen abscheiden einer metallischen schicht mit vorgegebener schichtstaerke

Country Status (2)

Country Link
US (1) US4287043A (de)
DE (1) DE2936247A1 (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2741362A1 (fr) * 1995-11-17 1997-05-23 Renault Procede pour effectuer le depot electrolytique d'un revetement sur des chemises ou cylindres de moteur
US7556722B2 (en) 1996-11-22 2009-07-07 Metzger Hubert F Electroplating apparatus
US8298395B2 (en) 1999-06-30 2012-10-30 Chema Technology, Inc. Electroplating apparatus

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4944856A (en) * 1989-04-19 1990-07-31 Westinghouse Electric Corp. Electrolytic etching apparatus and method for marking metal tubes with sequential identification numbers
US6200450B1 (en) * 1998-03-30 2001-03-13 Wen Hua Hui Method and apparatus for depositing Ni-Fe-W-P alloys
JP2000232078A (ja) * 1999-02-10 2000-08-22 Toshiba Corp メッキ方法及びメッキ装置
US6297155B1 (en) * 1999-05-03 2001-10-02 Motorola Inc. Method for forming a copper layer over a semiconductor wafer
US6217727B1 (en) * 1999-08-30 2001-04-17 Micron Technology, Inc. Electroplating apparatus and method
JP4384825B2 (ja) * 2001-04-26 2009-12-16 上村工業株式会社 電着塗膜の膜厚算出方法
KR100986388B1 (ko) 2008-08-05 2010-10-08 기아자동차주식회사 전착도료의 전착성능 평가 방법
CN110285863B (zh) * 2019-07-08 2020-09-22 中国科学院武汉岩土力学研究所 一种盐穴可利用体积的测量方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1939125A1 (de) * 1969-08-01 1970-11-12 Zachariae Oelsch Meier Vorrichtung zur Anzeige der Schichtdicke
DE2347759A1 (de) * 1973-09-22 1975-04-24 Oelsch Fernsteuergeraete Verfahren zur bestimmung der schichtdicke von elektrolytisch erzeugten ueberzuegen
DE2605669A1 (de) * 1976-02-13 1977-08-25 Rode Kg Verfahren und anlage zur regelung der kathodischen stromdichte in galvanischen baedern

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3042603A (en) * 1959-05-26 1962-07-03 Philco Corp Thickness modifying apparatus
SU197708A1 (ru) * 1966-03-23 1973-01-08 ВСЕСОЮЗНАЯ IШ.-уул -•'УУк''ГГ<(.?>&'?3! tHihl^it-Abfr:'.- EUi.'tiБ^'-|€:ЛИО^ТКА (ТЕРЛ10
SU362072A1 (ru) * 1971-05-10 1972-12-13 Устройство для измерения толщины
SU401753A1 (ru) * 1972-04-07 1973-10-12 К. Егоров, В. П. Панов , Ю. Ю. Урбанович Московский энергетический институт УСТРОЙСТВО дл АВТОМАТИЧЕСКОГО КОНТРОЛЯ ТОЛЩИНЫ ПОКРЫТИЙ в ПРОЦЕССЕ ЭЛЕКТРООСАЖДЕНИЯ МЕТАЛЛА
JPS5625893B2 (de) * 1973-06-04 1981-06-15

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1939125A1 (de) * 1969-08-01 1970-11-12 Zachariae Oelsch Meier Vorrichtung zur Anzeige der Schichtdicke
DE2347759A1 (de) * 1973-09-22 1975-04-24 Oelsch Fernsteuergeraete Verfahren zur bestimmung der schichtdicke von elektrolytisch erzeugten ueberzuegen
DE2605669A1 (de) * 1976-02-13 1977-08-25 Rode Kg Verfahren und anlage zur regelung der kathodischen stromdichte in galvanischen baedern

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2741362A1 (fr) * 1995-11-17 1997-05-23 Renault Procede pour effectuer le depot electrolytique d'un revetement sur des chemises ou cylindres de moteur
US7556722B2 (en) 1996-11-22 2009-07-07 Metzger Hubert F Electroplating apparatus
US7914658B2 (en) 1996-11-22 2011-03-29 Chema Technology, Inc. Electroplating apparatus
US8298395B2 (en) 1999-06-30 2012-10-30 Chema Technology, Inc. Electroplating apparatus
US8758577B2 (en) 1999-06-30 2014-06-24 Chema Technology, Inc. Electroplating apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
US4287043A (en) 1981-09-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2936247A1 (de) Einrichtung zum galvanischen abscheiden einer metallischen schicht mit vorgegebener schichtstaerke
DE3030664C2 (de) Verfahren zur Bestimmung der Stromausbeute bei galvanischen Bädern
DE2827875C2 (de) Verfahren zum Regeln eines Mehrphasen-Lichtbogenofens
DE2153754B2 (de)
DE3620484C2 (de)
DE2245470C3 (de) Anzeigevorrichtung für Tischrechner
DE1939125B2 (de) Vorrichtung zur anzeige der schichtdicke eines in einem elektrolytischen bad abgeschiedenen stoffes
EP0518116A1 (de) Verfahren zum Messen des Spitzenwertes einer Wechselspannung
DE3101837C2 (de) Schaltungsanordnung zur Untersuchung komplexer Signalformen
Blatt et al. Ein approximationsproblem aus der Pharmakokinetik
DE2412648C2 (de) Einrichtung zum Messen der Beschichtungsdicke beschichteter Drähte
DE2937784C2 (de) Verfahren zum Wechseln von Anoden
DE3002370A1 (de) Hybridanalogfunktionsgeber
DE1935231C3 (de) Verfahren zur Bestimmung der Stromansbeute elektrolytischer Bäder
DE2841583C2 (de)
DE2652774A1 (de) Einrichtung zur ueberwachung einer elektrolyseanlage
CH447370A (de) Vorrichtung zum Messen des elektrischen Widerstandes einer elektrochemischen Zelle
DE3609297C2 (de)
DE2930202A1 (de) Elektronische steuervorrichtung fuer ein hausgeraet
DE1219973B (de) Verfahren und Schaltungsanordnung zur Verringerung der bei der UEbertragung eines codierten Wertes benoetigten Stellenzahl, insbesondere in PCM-Systemen
DE2444393B2 (de) Verfahren und vorrichtung zum feststellen der fehleinstellung einer anode in einem reduktionstiegel
DE2826072C3 (de) Verfahren und Schaltungsanordnung zur Analog-Digitalumsetzung
DE2104821A1 (de) Nettofluidmengen Recheneinheit fur eine Rechenzentrale
DE1548852C (de) Verfahien zur Tendenzanzeige einer digitalen Meßwertfolge
DE3236497C2 (de)

Legal Events

Date Code Title Description
8120 Willingness to grant licences paragraph 23
8110 Request for examination paragraph 44
8130 Withdrawal