DE3012253A1 - Verfahren zum sichtbarmaschen von ladungsbildern und eine hierfuer geeignete vorichtung - Google Patents

Verfahren zum sichtbarmaschen von ladungsbildern und eine hierfuer geeignete vorichtung

Info

Publication number
DE3012253A1
DE3012253A1 DE19803012253 DE3012253A DE3012253A1 DE 3012253 A1 DE3012253 A1 DE 3012253A1 DE 19803012253 DE19803012253 DE 19803012253 DE 3012253 A DE3012253 A DE 3012253A DE 3012253 A1 DE3012253 A1 DE 3012253A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
image
liquid
carrier
charge
relief
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19803012253
Other languages
English (en)
Inventor
Roland Dipl.-Phys. Dr. Moraw
Günther 6200 Wiesbaden Schädlich
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hoechst AG
Original Assignee
Hoechst AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hoechst AG filed Critical Hoechst AG
Priority to DE19803012253 priority Critical patent/DE3012253A1/de
Priority to US06/245,720 priority patent/US4392711A/en
Priority to EP81102135A priority patent/EP0037044A1/de
Priority to AU68667/81A priority patent/AU6866781A/en
Priority to JP4258481A priority patent/JPS56150758A/ja
Publication of DE3012253A1 publication Critical patent/DE3012253A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G16/00Electrographic processes using deformation of thermoplastic layers; Apparatus therefor

Description

HOECHST AKTIENGESELLSCHAFT KALLE Niederlassung der Hoechst AG
Hoe 80/K 020 - X - 26. März 1980
ο WLK-Dr.S-cb
Verfahren zum Sichtbarmachen von Ladungsbildern und eine hierfür geeignete Vorrichtung
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Sichtbarmachen eines elektrostatischen Ladungsbildes durch Verformen der Oberfläche einer Flüssigkeit auf einem Träger zu einem reversiblen, optisch auslesbaren.Reliefbild und auf eine hierfür geeignete Vorrichtung.
Es ist bekannt (ÜS-PS 3,560,205), direkt auf einer thermoplastischen Schicht durch informationsmäßige elektrostatische Aufladung oder mit Hilfe einer zusätzlichen Photoleiterschicht durch elektrostatische Aufladung und Belichtung ein Ladungsbild zu erzeugen. Beim Erwärmen verformt sich die Oberfläche der thermoplastischen Schicht in ein Reliefbild, welches optisch sichtbar gemacht wird. Es hat sich jedoch gezeigt, daß das Erwärmen ein sehr kritischer Verfahrensschritt ist, weil der optimale Temperaturbereich einer solchen Schicht sehr klein ist. Das Reliefbild ist in Abhängigkeit von der herrschenden Temperatur stabil. Es kann thermisch wieder gelöscht werden. Die Anzahl der Aufzeichnungscyclen bei Photothermoplasten, so konnte festgestellt werden, ist jedoch begrenzt.
Es ist auch bekannt, zum Sichtbarmachen von Ladungsbildern Aufzeichnungsmaterialien mit elastomeren Schichten zu verwenden (DE-OS 25 54 205), bei welchen ohne den Verfahrensschritt des Erwärmens gearbeitet wird. Auf
130042/0091
HOECHST AKTIENGESELLSCHAFT KALLE Niederlassung der Hoechst AG
•k-
einem leitfähigen Träger befinden sich eine Photoleiterund eine Elastomerschicht. Das Aufzeichnungsmaterial wird zunächst homogen elektrostatisch aufgeladen oder man versieht es mit einer flexiblen, leitfähigen Schicht, an welche ein Potential angelegt wird. Die Elastomerschicht verformt sich dann reversibel zu einem Reliefbild, solange durch Belichten Potentialunterschiede in bildmäßiger Verteilung aufrecht erhalten werden. Nachteilig an diesem Verfahren ist jedoch, daß die Bildstandzeiten relativ kurz sind und nicht genügend praxisnah sind.
Andererseits erweist sich auch der mehrschichtige Aufbau des Aufzeichnungsmaterials als aufwendig.
Zur vorübergehenden reversiblen Verformung einer dielektrischen Flüssigkeit ist auch das Eidophor-Verfahren bekannt (E. I. Sponable, JSMPTEj[O (1953), Nr. 4,. 337). Hierbei wird in einer Vakuumröhre ein Ölfilm auf einer leitfähigen Unterlage bildmäßig mit Ladungen besprüht, die eine Oberflächenverformung bewirken. Es hat sich hier als nachteilig erwiesen, daß infolge Ladungsabflusses durch den Ölfilm nur eine sehr begrenzte Standzeit des Reliefbildes erzielt werden kann. Dementsprechend werden auch nur auf dem Ölfilm Ladungsbilder durchlaufend erzeugt.
Es war Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zum Sichtbarmachen von elektrostatischen Ladungsbildern in Form eines Reliefbildes zu schaffen, welches die beschriebenen Nachteile vermeidet und bei guter Bildstandzeit einfach handhabbar ist unter Verwendung einer Schicht, die nur
130042/0091
HOECHST AKTIENGESELLSCHAFT KALLE Niederlassung der Hoechst AG
geringe Ermüdungserscheinungen und eine gute Ladungsempfindlichkeit aufweist.
Die Aufgabe wird durch ein Verfahren der eingangs genannten Art gelöst, welches dadurch gekennzeichnet ist, daß man das Reliefbild erzeugende elektrostatische Ladungsbild im. Abstand von etwa 10 bis etwa 1000 ,um von der Flüssigkeitsoberfläche für die Zeit des Sichtbarmachens berührungsfrei von der Flüssigkeitsoberfläche anordnet. Vorzugsweise wird das elektrostatische Ladungsbild unter der Flüssigkeitsschicht auf der Rückseite ihres dielektrischen Trägers angeordnet.
Hierdurch wird erreicht, daß das elektrostatische Ladungsbild optimal in ein Reliefbild transformiert werden kann und bis zum gezielten Abruf erhalten bleibt, solange man nur das Ladungsbild aufrecht erhält. Das Reliefbild ist leicht und reversibel durch Entfernen des Ladungsbildes oder durch dessen Neutralisation löschbar und die Schicht kann zur Anzeige eines neuen Reliefbildes ohne Anzeichen von Ermüdungserscheinungen weiterverwendet werden.
Ein überzeugendes Beispiel für diese Anzeigeart ist die Röntgenbildaufzeichnung in einer Ionisationskammer bei medizinischer Anwendung. Eine Ionisationskammer ist ein Plattenkondensator, der mit einem die Röntgenstrahlen absorbierenden Gas wie Xenon gefüllt ist. Auf einer dielektrischen Schicht über einer der Elektrodenplatten ^O entsteht ein der Röntgenintensität proportionales Ladungsbild. Dieses Ladungsbild muß zur Auswertung in ein
130042/0091
HOEC H ST AKTIENGESELLSCHAFT KALLE Niederlassung der Hoechst AG
optisches Bild transformiert werden. Die optische Darstellung soll möglichst ohne Öffnen der Ionisationskammer erfolgen. Für die nächste Aufzeichnung muß das Reliefbild löschbar, d.h. reversibel sein. Gerade bei medizinischer Anwendung ist es evident, daß ein mit möglichst geringer Röntgendosis einmal erzeugtes Ladungsbild für die Auswertung ausreichend lange stehen bleibt. Ohne auf diese-Anwendung beschränkt zu werden, ergibt sich daraus, daß ein Bedarf an elektrooptischen Bildwandlern besteht, um ein Ladungsmuster mit großer Ladungsempfindlichkeit für eine vorgegebene Zeit optisch zur Anzeige zu bringen.
Als durch ein Ladungsbild oberflächenverformbare Flüssigkeiten sind solche geeignet, wie Silikonöl oder flüssiges Poly-alpha-methylstyrol. Sie sind bevorzugt für die reversible Reliefbilddarstellung einsetzbar. Sie sind als dielektrische Flüssigkeiten gute Isolatoren mit spezifischen Widerständen im Bereich von 10 - 10 Ohm · cm und besitzen relativ große Polarisierbarkeit mit etwa
-23 3
10 cm . Die chemische Konstitution scheint nur über die physikalischen Stoffwerte von Einfluß zu sein, denn ähnlich gute Ergebnisse erzielt man mit flüssigen Harzen wie etwa Cumaron-Inden-Harz oder mit chloriertem Diphenylharz. Es hat sich gezeigt, daß für die Reliefbilddarstellung in Abhängigkeit von der Ladungempfindlichkeit zum Beispiel auch aliphatische flüssige Kohlenwasserstoffe geeignet sind. Es zeigt sich, daß auch Wasser als Flüssigkeit einsetzbar ist, denn auch an Wasseroberflächen kann durch externe Ladungsbilder eine Verformung erfindungsgemäß vorgenommen und sichtbar gemacht werden.
130042/0091
HOECHST AKTIENGESELLSCHAFT KALLE Niederlassung der Hoechst AG
Die Viskositäten der Flüssigkeiten beeinflussen in erster Linie die Reliefbild-Bildungszeit. So ergeben sich bei Viskositäten von 4.000 mPa s bzw. 36.000 mPa s Bildungsbzw. Glättungszeiten für die Reliefbilder von einigen 10 Sekunden. Dagegen belaufen sich die Bildungszeiten bei Viskositäten von etwa 100 mPa s auf wenige Sekunden.
Dementsprechend sind erfindungsgemäß Flüssigkeiten geeignet, welche einen spezifischen Widerstand im Bereich von etwa 10 bis etwa 10 Ohm · cm und mehr besitzen. Vorzugsweise werden Flüssigkeiten eingesetzt, welche spezifische Widerstände im Bereich von 10 - 10 Ohm · cm
-24 und Polarisierbarkeiten im Bereich von etwa 5 · 10 bis
— 24 3
etwa 20 · 10 cm aufweisen.
Die Dicke der Flüssigkeitsschichten liegt im allgemeinen in einem Bereich von etwa 10 ,um bis zu etwa 100 ,um. Vorzugsweise werden die Flüssigkeitsschichten im Dickenbereich von etwa 20 bis etwa 50 ,um eingesetzt.
Als Träger sind solche metallischer und dielektrischer Art einsetzbar. Bei Verwendung metallischer Träger muß sich das Ladungsbild jedoch über der Flüssigkeitsschicht befinden, im allgemeinen werden dielektrische Träger eingesetzt. Es sind solche, die auch bisher für entsprechende Zwecke verwendet wurden. So können starre Glasplatten oder flexible Folien eingesetzt werden. Vorzugsweise verwendet man transparente Folien aus Polyester.
·
130042/0091
HOECHST AKTIENGESELLSCHAFT KALLE Niederlassung der Hoechst AG
Die Dicken der Träger sind deswegen zu beachten, weil gegebenenfalls ein nicht zu großer Abstand des Ladungsbildes von der Flüssigkeitsoberfläche erreicht werden soll. Dementsprechend werden vorzugsweise Träger mit Stärken im Bereich von etwa 30 bis etwa 70 ,um eingesetzt, doch sind auch stärkere Träger möglich.
Die elektrostatischen Ladungsbilder, die die Verformung der Flüssigkeitsoberfläche bewirken, können verschiedener Herkunft sein. So kann das elektrostatische Ladungsbild durch elektrostatische Aufladung und Photoleitung gebildet oder es kann auch durch bildmäßige Aufladung eines dielektrischen Trägers hergestellt worden sein. Weiterhin kann das Ladungsbild durch elektrisch ansteuerbare Elektroden erzeugt worden sein.
Die Ladungsbilder, die sichtbar gemacht werden sollen, können auf einem separaten dielektrischen Träger etwa durch Coronaentladung durch Masken, durch Schreibelektroden, Elektronenstrahlen, durch Röntgenbestrahlung in Ionisationskammern oder durch Übertragung von Ladungsbildern erzeugt werden. Es können zum Beispiel auch photoleitende Aufzeichnungsmaterialien mit Ladungsbildern an den Trägern der Flüssigkeitsschicht angelegt werden.
Andererseits müssen die Ladungsbilder nicht mittels eines separaten dielektrischen Trägers bis dicht an die Oberfläche der dielektrischen Flüssigkeit herangebracht werden. Die Ladungsbilder können auch nach einer der genannten Techniken direkt zum Beispiel auf der Rückseite
130042/0091
HOECHST AKTIENGESELLSCHAFT KALLE Niederlassung der Hoechst AG
des Trägers für die Flüssigkeit erzeugt werden. Ladungsbilder sind in diesem Sinne auch strukturierte Elektroden, an die ein Potential angelegt wird, d.h., denen man Ladungen zuführt. Liegen solche Elektroden auf Erdpotential, so muß entsprechend über der Flüssigkeitsschicht eine Elektrode mit einem von Null verschiedenen Potential angeordnet werden.
Wie schon ausgeführt, sind Anordnungen, bei denen sich die Ladungsbilder unter der Flüssigkeitsschicht und auf der Rückseite des Trägers befinden, bevorzugt, weil der Abstand zwischen Ladung und Oberfläche der Flüssigkeit klein und in einer Größenordnung von etwa 100 ,um ist. Der Abstand kann bei Verwendung dünnerer Träger, beispielsweise von Polyesterfolien von 35 ,um, weiter verkleinert und dadurch die Ladungsempfindlichkeit des Systems gesteigert werden.
Der Trägereinfluß kann dann vollständig eliminiert werden, wenn man das Ladungsbild zwischen der Flüssigkeit und ihrem Träger erzeugt, beispielsweise durch Elektrodenstrukturen auf dem Träger. Mit getrennt kontaktierbaren Elektroden können variable Reliefbilder erzeugt werden. Von besonderem Interesse als getrennt kontaktierbare Elektroden sind dabei Elektrodenmatrizen aus feinen Drähten in dichter Anordnung senkrecht in einer Isolatorplatte. Bei solchen Anordnungen, wo eine dielektrische Flüssigkeit die Ladungsstruktur berührt, hat sich als dielektrische, viskose Flüssigkeit Poly-alpha-methylstyrol besonders bewährt.
130042/0091
FI OEC H ST AKTIENGESELLSCHAFT KALLE Niederlassung der Hoechst AG
/ΙΟ
Auch Ladungsmuster über der Flüssigkeitsoberfläche, durch einen Luftspalt von dieser getrennt, erzeugen Reliefbilder. Es ist jedoch schwierig, ein Ladungsmuster in gleichmäßig dichtem Abstand über der Flüssigkeit anzuordnen. Bei engem Abstand von einigen 10 ,um können die Erhebungen der Reliefbilder den Träger mit dem Ladungsmuster berühren. Bei einem Sicherheitsabstand von beispielsweise 500 ,um ist dagegen die Reliefbildung nicht sehr ausgeprägt. Durch homogenes Aufladen der Flüssigkeit mit zum Ladungsbild entgegengesetzter Polarität kann die Reliefbildung in diesem Fall jedoch verstärkt werden.
Das erfindungsgemäße Verfahren zum Sichtbarmachen von Ladungsbildern ist sehr empfindlich. Dies kann zum Beispiel wie folgt bewiesen werden:
Für ionographische Röntgenaufzeichnungen in der medizinischen Versorgung benötigt man eine Dosis von etwa 1 mR,
-9 2
wodurch Ladungsbilder von 10 As/cm erzeugt werden, die durch Tonerentwicklung sichtbar gemacht werden. Mit der erfindungsgemäßen Technik können jedoch noch Ladungsbilder der Größenordnung 10~ As/cm durch Reliefbildung angezeigt werden. Damit wird der Anschluß an das empfindlichste Röntgenbildanzeigesystem erreicht, den Röntgenfernsehverstärker. Die Auflösung, d.h. die Bildqualität dürfte bei der Reliefbildtechnik besser sein. Der Röntgenfernsehverstärker löst nur etwa 2-3 Linien/mm auf, nach der erfindungsgemäßen Reliefbildtechnik mit dielektrischen Flüssigkeitsschichten werden dagegen bis zu 10 Linien/mm aufgelöst.
1 30042/0091
HOECHST AKTIENGESELLSCHAFT KALLE Niederlassung der Hoechst AG
Die Erfindung betrifft auch eine Vorrichtung zum Sichtbarmachen eines elektrostatischen Ladungsbildes durch Verformen der Oberfläche einer Flüssigkeit zu einem reversiblen, optisch auslesbaren Reliefbild. Sie ist durch ein Gehäuse gekennzeichnet, mit wenigstens einer teilweise optisch transparenten oder offenen Seite, in welchem ein mit einer Flüssigkeitsschicht versehener Träger einem elektrostatischen Ladungsbild auf einem zweiten Träger berührungsfrei zugeordnet ist, durch eine optische Einrichtung, mit welcher das resultierende Reliefbild auf der Flüssigkeitsoberfläche durch Einstrahlen von Licht, das bei der Durchstrahlung oder Reflexion von dem Reliefbild bildmäßig modifiziert wird, sichtbar gemacht wird und durch eine Anordnung zum Löschen oder Entfernen des Ladungsbildes. Das Ladungsbild kann dabei durch Strahlung oder elektrostatographisch im Gehäuse erzeugt werden oder mit Hilfe einer Vorrichtung ein erzeugtes Ladungsbild auf einem dielektrischen Träger in das Gehäuse eingeführt werden. Es hat sich als günstig erwiesen, für die Flüssigkeitsschicht und das elektrostatische Ladungsbild nur einen Träger vorzusehen.
Für die medizinische Röntgenbilddarstellung hat sich beispielsweise eine Vorrichtung ganz besonders bewährt, bei welcher das Sichtbarmachen des Ladungsbildes in einer Ionisationskammer erfolgt. Eine entsprechende Vorrichtung wird mit Hilfe der Figur 5 näher beschrieben.
Die Ionisationskammer 10 mit einer Anzeigeschicht aus einer dielektrischen Flüssigkeit 2 besteht aus dem Boden
130042/00 91
HOECHST AKTIENGESELLSCHAFT KALLE Niederlassung der Hoechst AG
11, dem Deckel 12 sowie den Seitenwänden 13. Die Kammer
2
ist ca. 30 cm groß und Deckel und Seitenwände bestehen aus zentimeterdickem Plexiglas. Der Boden und der Deckel sind mit leitfähigen, transparenten Schichten 14 versehen. Über einen 2 mm hohen Stützkörper 15 ist eine 50 ,um dicke Polyesterfolie 1 straff ausgespannt. Auf der Unterseite ist die Polyesterfolie 1 mit einer etwa 20 ,um dicken Schicht 2 aus flüssigem Poly-alpha-methylstyrol bedeckt. Die Kammer selbst wurde mit Xenongas unter leichtem überdruck gefüllt, wobei an die Elektroden 14, die einen Abstand von 15 mm aufwiesen, eine Spannung von 8 kV angelegt wurde. Bei Rontgeneinstrahlung entsteht ein Reliefbild, das auch nach Beendigen der Rontgeneinstrahlung erhalten bleibt und das optisch durch die transpa-
1-5 rente Ionisationskammer projiziert werden kann. Nach Abschalten der Elektrodenspannung wird mit einer beweglichen Wechselstromcorona 16 das Ladungsbild 4 neutralisiert, worauf sich auch das Reliefbild 5 reversibel glättet.
Die Erfindung wird anhand der folgenden Beispiele in Verbindung mit den beigefügten Figuren näher erläutert, ohne sie auf diese zu beschränken:
Beispiel 1
Wie in Figur 1 gezeigt, wird eine Polyäthylenterephthalatfolie von 70 ,um Stärke als dielektrischer Träger 1 mit einer Schicht 2 aus einem Silikonöl mit einem spezi-
12 fischen Widerstand von etwa 3 · 10 Ohm · cm und einer Polarisierbarkeit von etwa 13 · 10 3 ,
cm und einer
130042/0091
HOECHST AKTIENGESELLSCHAFT KALLE Niederlassung der Hoechst AG
-
Viskosität von etwa 4000 mPa s in etwa 40 ,um Dicke belegt.
Ein weiterer dielektrischer Träger 3, zum Beispiel wieder eine Polyesterfolie, mit einem elektrostatischen Ladungsbild 4 wird an die freie Seite der Polyäthylenterephthalatfolie 1 angelegt. Das elektrostatische Ladungsbild auf Träger 3 wurde vorher unter einer Schlitzmaske aus einem Block mit 1 mm breiten Schlitzen durch Coronaentladung in beliebiger Polarität erzeugt.
Auf der Oberfläche der Silikonölschicht 2 bildet sich ein dem Schlitzmuster entsprechendes Reliefbild 5. Das Reliefbild 5 ist zeitlich stabil. Erst beim Abziehen der aufgeladenen Folie 3 glättet sich das Relief. Eventuelle Restladungen auf der Rückseite der Folie 1 müssen mit einem geerdeten Entladungskamm oder mit einer Wechselspannungscorona entfernt werden. In dieser Weise körinen zahlreiche Reliefbilder erzeugt und gelöscht werden, ohne daß Ermüdungserscheinungen beobachtet werden.
Beispiel 2
Eine Glasplatte mit einer leitfähigen, transparenten Schicht aus Zinnoxid wird mit einer etwa 10 ,um dicken Photoleiterschicht aus gleichen Gewichtsteilen PoIy-N-Vinylcarbazol/Trinitrofluorenon und einer etwa 7 ,um dicken isolierenden Deckschicht aus Polystyrol beschichtet. Das Schichtpaket wird unter einer Corona negativ aufgeladen, bildmäßig belichtet, im vorliegenden Fall mit
130042/0091
HOECHST AKTIENGESELLSCHAFT KALLE Niederlassung der Hoechst AG
einem Schriftbild, und nochmals negativ aufgeladen. Dann wird auf die Polystyrolschicht eine 50 ,um dicke Polyesterfolie mit einer etwa 20 ,um dicken Flüssigkeitsschicht aus Poly-alpha-methylstyrol mit einem spezi- fischen Widerstand von etwa 1,4 · 10 Ohm · cm, einer
— 24 3 Polarisierbarkeit von etwa 15 · 10 cm und-einer Viskosität von 36.000 mPa s aufgelegt. Es entsteht ein Reliefbild gemäß dem Schriftbild, das durch Anlegen eines negativen Potentials an die Zinnoxidschicht verstärkt wird. Beim Abziehen der Polyesterfolie glättet sich das Reliefbild reversibel.
Beispiel 3
Ein dielektrischer Träger 1 gemäß Figur 2, wie eine Polyesterfolie von 70 ,um Dicke, trägt auf einer Seite eine strukturierte Elektrode 6, beispielsweise aus aufgedampftem Aluminium, die geerdet ist. Auf der anderen Seite ist eine Silikonölschicht 2 von etwa 30 ,um Dicke aufgetragen. Etwa 1 mm über der Silikonölschicht ist eine flächige Elektrode 7 angebracht, beispielsweise aus leitfähigem Glas. Beim Anlegen einer Spannung von 1 kV beliebiger Polarität an die Elektrode 7 entsteht ein der strukturierten Elektrode 6 entsprechendes Reliefbild 5.
Beim Erden der Elektrode 7 bildet sich das Relief zurück. Der Vorgang kann ohne Ermüdungserscheinungen wiederholt werden.
130042/0091
HOECHST AKTIENGESELLSCHAFT KALLE Niederlassung der Hoechst AG
. AS-
Beispiel 4
Eine 50 ,um dicke Polyäthylenterephthalatfolie 1 (Figur 3) mit einer aufgedampften Aluminiumschicht 9 auf der Rückseite wird mit einer etwa 30 ,um dicken Schicht 2 aus Silikonöl beschichtet. Die Silikonölschicht 2 wird unter einer Corona homogen mit Ladungen 8 besprüht, deren Polarität entgegengesetzt ist zu der Polarität der anzuzeigenden Ladungen 4. Etwa 1 mm über dem Silikonöl wird eine 90 ,um dicke Polyesterfolie 3 mit einem Ladungsbild 4 angeordnet. Auf der Oberfläche der Silikonölschicht 2 bildet sich ein Reliefbild 5. Beim Entfernen des Ladungsbildträgers 3 mit dem Ladungsbild 4 glättet sich das Reliefbild 5 reversibel.
Beispiel 5
Eine Polyesterfolie von 50 ,um Dicke wird auf der Oberseite mit einer 40 ,um dicken Schicht aus Silikonöl beschichtet. In etwa 1 mm Abstand über der Silikonölschicht befindet sich eine transparente Elektrode, an die eine Spannung von -1 kV angelegt wird. An die Unterseite dieser Polyesterfolie wird ein dielektrischer Träger mit einem Ladungsbild positiver Polarität angelegt. Der dielektrische Träger besteht aus einer 190 ,um dicken PoIyesterfolie mit streifenförmiges etwa 1 mm breiten Ladungsbildern, die durch Coronaentladung durch eine Metallmaske erzeugt wurde. Mit einer kleinflächigen Elektrometersonde wird bei jedem Einzelversuch vorher die jeweilige Flächenladung bei Veränderung der Aufladebodingungen gemessen. Die kleinste Flächenladung, bei der ein
130042/0091
H OEC H ST AKTIENGESELLSCHAFT KALLE Niederlassung der Hoechst AG
für das unbewaffnete Auge sichtbares Reliefbild entstand,
—10 2
war 2 · 10 As/cm . - Ohne Elektrode über der dielektrischen Flüssigkeitsschicht benötigt man für eine Re-
-10 ο
liefbildung 8-10 As/cm .
Beispiel 6
Eine Polyesterfolie von 50 ,um Dicke wird mit einer etwa 20 ,um dicken Schicht aus flüssigem Poly-alpha-methylstyrol belegt. Eine andere Polyesterfolie mit einem Ladungsmuster wird an die freie Rückseite der beschichteten Polyesterfolie angelegt. Das Ladungsmuster bestand aus Strichgruppen unterschiedlicher Linienzahlen/mm. Dieses hoch auflösende Ladungsmuster war durch Kontaktieren mit einer Elektrode erzeugt worden. Die Elektrode bestand aus leitend verbundenen Liniengruppen unterschiedlicher Linienbreiten aus Aluminium auf Polyesterfolie, die dort durch Beschichten mit Kopierlack, Belichten, Entwickeln, Bedampfen mit Aluminium und Entschlichten erzeugt wurden. Es werden kräftige Reliefbilder bis zu der Liniengruppe 8,98 Linien/mm beobachtet, die Gruppe mit 10,1 Linien/mm ist noch sichtbar. Beim Entfernen des Ladungsbildträgers glättet sich das Reliefbild reversibel.
Die Reliefbildanzeige auf Flüssigkeiten durch externe Ladungsstrukturen gestattet auch eine überlagernde Anzeige von Ladungsstrukturen. Dadurch ist es beispielsweise möglich, auch homogene Bildflächen, jedoch unterschiedlicher Ladungsbelegung, durch Überlagerung mit Gitterstrukturen über entsprechend gerasterte Reliefbil- luc optisch differenziert zu projizieren.
130042/0091
BAD ORIGINAL
HOECHST AKTIENGESELLSCHAFT KALLE Niederlassung der Hoechst AG
Beispiel 7
Eine 50 ,um dicke Polyesterfolie 1 (Figur 4) mit einer . geerdeten Gitterstruktur aus aufgedampftem Aluminium 6 auf der Oberseite von 10 Linien/mm wird mit einer 20 ,um dicken Schicht 2 aus Poly-alpha-methylstyrol versehen.
Bei Kontaktierung der Unterseite der Polyesterfolie 1 mit einem dielektrischen Träger 3 mit einem Ladungsbild 4 Bild, bei dem die Ladungsbereiche hell dargestellt sind. Wird die verformbare Schicht 2 vor der Kontaktierung mit dem Ladungsbild 4 homogen aufgeladen, so entstehen die kräftigsten gerasterten Reliefstrukturen im Bereich des Ladungsbildes. Bei der Projektion wird umgekehrt der Bereich des Ladungsbildes dunkel angezeigt.
Beispiel 8
Es wird wie in Beispiel 7 verfahren, nur mit dem Unterschied, daß anstelle des Poly-alpha-methylstyrols ein flüssiges Cumaron-Indenharz eingesetzt wird. Das Harz hat
13 einen spezifischen Widerstand von 5 · 10 Ohm · cm, eine Polarisierbarkeit von 18 * 10 cm und eine Viskosität von etwa 6.000 mPa s. Das Reliefbild ist in der Qualität dem des Beispiels 7 vergleichbar.
Beispiel 9
Es wird wie in Beispiel 7 verfahren, mit dem Unterschied, daß als Flüssigkeit chloriertes Diphenylharz eingesetzt wird. Das Harz hat einen spezifischen Widerstand von 2,5 · 10 Ohm * cm, eine Polarisierbarkeit von etwa
-24
17 · 10 cm und eine Viskosität von etwa 42.000 mPa s.
Das erhaltene Reliefbild ist qualitativ dem des Beispiels 7 ähnlich.
130042/0091
HOECHST AKTIENGESELLSCHAFT KALLE Niederlassung der Hoechst AG
-A-
Beispiel 10
Eine 5 0 ,um dicke Polyesterfolie wird, durch eine untergelegte Glasplatte mechanisch unterstützt, unter einer Metallschablone durch eine Coronaentladung bildmäßig aufgeladen. Dieses aufgeladene Substrat wird mit dem Ladungsmuster nach unten in etwa 500 ,um Abstand über eine durch Netzmittel entspannte Wasserschicht gelegt. Die etwa 30 ,um dicke Wasserschicht ist auf einer Polyesterfolie verteilt, die auf einer geerdeten Metallplatte liegt. Die Wasseroberfläche verformt sich innerhalb weniger Sekunden zu einem Relief entsprechend dem Schablonenmuster. Beim Entfernen des Ladungsmusters glättet sich die Oberfläche in etwa fünf Sekunden reversibel.
130042/0091
Leerseite

Claims (9)

HOECHST AKTIENGESELLSCHAFT KALLE Niederlassung der Hoechst AG Hoe 8 0/K 020 26. März 1980 WLK-Dr.S-cb Patentansprüche
1.) Verfahren zum Sichtbarmachen eines elektrostatischen LacTungsbildes durch Verformen der Oberfläche einer Flüssigkeit auf einem Träger zu einem reversiblen/ optisch auslesbaren Reliefbild, dadurch gekennzeichnet, daß man das Reliefbild erzeugende elektrostatische Ladungsbild im Abstand von etwa 10 bis etwa 1000 ,um von der Flüssigkeitsoberfläche für die Zeit des Sichtbarmachens berührungsfrei anordnet.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man das elektrostatische Ladungsbild unter der Flüssigkeitsschicht auf der Rückseite ihres dielektrischen Trägers anordnet.
3. Verfahren nach Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß man das elektrostatische Ladungsbild auf einem separaten Träger erzeugt und anordnet.
4. Verfahren nach Ansprüchen 1 und 3, dadurch gekennzeichnet, daß man als oberflächlich verformbare Flüssigkeit eine solche verwendet, die einen spezifischen
cm -24
Widerstand im Bereich von etwa 10 bis 10 Ohm · cm und eine Polarisierbarkeit im Bereich von etwa 5 · 10
-OA Q
bis 20 · 10 cm besitzt.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß man als Flüssigkeit Poly-alpha-methylstyrol mit einer Viskosität im Bereich von 10.000 bis 50.000 mPa s einsetzt.
130042/0091
ORIGINAL INSPECTED
HOECHST AKTIENGESELLSCHAFT KALLE Niederlassung der Hoechst AG
6. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß man als Flüssigkeit ein Silikonöl mit einer Viskosität von etwa 1.000 bis 10.000 mPa s einsetzt.
7. Vorrichtung zum Sichtbarmachen eines elektrostatischen Ladungsbildes durch Verformen der Oberfläche einer Flüssigkeit zu einem reversiblen, optisch auslesbaren Reliefbild gemäß dem Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch ein Gehäuse mit wenigstens einer teilweise optisch transparenten oder offenen Seite, in welchem ein mit einer Flüssigkeitsschicht versehener Träger einem elektrostatischen Ladungsbild auf einem zweiten Träger berührungsfrei zugeordnet ist, durch eine optische Einrichtung, mit welcher das resultierende Reliefbild auf der Flüssigkeitsoberfläche durch Einstrahlen von Licht, das bei der Durchstrahlung oder Reflexion von dem Reliefbild bildmäßig modifiziert wird, sichtbar gemacht wird, und durch eine Anordnung zum Löschen oder Entfernen des Ladungbildes.
8. Vorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß für die Flüssigkeitsschicht und für das elektrostatische Ladungsbild nur ein und derselbe Träger vorgesehen ist.
9. Vorrichtung nach den Ansprüchen 7 und 8, dadurch gekennzeichnet, daß das Ladungsbild in einer Ionisationskammer (10) sichtbar gemacht wird.
130042/0091
DE19803012253 1980-03-28 1980-03-28 Verfahren zum sichtbarmaschen von ladungsbildern und eine hierfuer geeignete vorichtung Withdrawn DE3012253A1 (de)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19803012253 DE3012253A1 (de) 1980-03-28 1980-03-28 Verfahren zum sichtbarmaschen von ladungsbildern und eine hierfuer geeignete vorichtung
US06/245,720 US4392711A (en) 1980-03-28 1981-03-20 Process and apparatus for rendering visible charge images
EP81102135A EP0037044A1 (de) 1980-03-28 1981-03-21 Verfahren zum Sichtbarmachen von Ladungsbildern und eine hierfür geeignete Vorrichtung
AU68667/81A AU6866781A (en) 1980-03-28 1981-03-24 Producing liquid relief images of electrostatic charge images
JP4258481A JPS56150758A (en) 1980-03-28 1981-03-25 Method and device for visualizing electrostatic charged image

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19803012253 DE3012253A1 (de) 1980-03-28 1980-03-28 Verfahren zum sichtbarmaschen von ladungsbildern und eine hierfuer geeignete vorichtung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE3012253A1 true DE3012253A1 (de) 1981-10-15

Family

ID=6098734

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19803012253 Withdrawn DE3012253A1 (de) 1980-03-28 1980-03-28 Verfahren zum sichtbarmaschen von ladungsbildern und eine hierfuer geeignete vorichtung

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4392711A (de)
EP (1) EP0037044A1 (de)
JP (1) JPS56150758A (de)
AU (1) AU6866781A (de)
DE (1) DE3012253A1 (de)

Families Citing this family (112)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6674562B1 (en) 1994-05-05 2004-01-06 Iridigm Display Corporation Interferometric modulation of radiation
US7830587B2 (en) * 1993-03-17 2010-11-09 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light with semiconductor substrate
US5447147A (en) * 1993-06-30 1995-09-05 Stirbl; Robert C. Solar radiation concentrator and related method
US7826120B2 (en) * 1994-05-05 2010-11-02 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for multi-color interferometric modulation
US7839556B2 (en) * 1994-05-05 2010-11-23 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light
US7550794B2 (en) 2002-09-20 2009-06-23 Idc, Llc Micromechanical systems device comprising a displaceable electrode and a charge-trapping layer
US7800809B2 (en) * 1994-05-05 2010-09-21 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for a MEMS device
US7738157B2 (en) 1994-05-05 2010-06-15 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for a MEMS device
US7619810B2 (en) * 1994-05-05 2009-11-17 Idc, Llc Systems and methods of testing micro-electromechanical devices
US7297471B1 (en) 2003-04-15 2007-11-20 Idc, Llc Method for manufacturing an array of interferometric modulators
US7123216B1 (en) 1994-05-05 2006-10-17 Idc, Llc Photonic MEMS and structures
US8081369B2 (en) * 1994-05-05 2011-12-20 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for a MEMS device
US20010003487A1 (en) * 1996-11-05 2001-06-14 Mark W. Miles Visible spectrum modulator arrays
US7460291B2 (en) * 1994-05-05 2008-12-02 Idc, Llc Separable modulator
US6710908B2 (en) * 1994-05-05 2004-03-23 Iridigm Display Corporation Controlling micro-electro-mechanical cavities
US6680792B2 (en) 1994-05-05 2004-01-20 Iridigm Display Corporation Interferometric modulation of radiation
US8014059B2 (en) 1994-05-05 2011-09-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for charge control in a MEMS device
US7138984B1 (en) 2001-06-05 2006-11-21 Idc, Llc Directly laminated touch sensitive screen
US7852545B2 (en) * 1994-05-05 2010-12-14 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light
US7776631B2 (en) 1994-05-05 2010-08-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS device and method of forming a MEMS device
US7808694B2 (en) 1994-05-05 2010-10-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light
US7898722B2 (en) * 1995-05-01 2011-03-01 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical device with restoring electrode
DE19624276C2 (de) * 1996-06-18 1999-07-08 Fraunhofer Ges Forschung Phasenmodulierende Mikrostrukturen für höchstintegrierte Flächenlichtmodulatoren
US5755217A (en) * 1996-09-05 1998-05-26 Stirbl; Robert C. Solar radiation concentrator and related method
US7929197B2 (en) * 1996-11-05 2011-04-19 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for a MEMS device
US7830588B2 (en) * 1996-12-19 2010-11-09 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method of making a light modulating display device and associated transistor circuitry and structures thereof
US7471444B2 (en) 1996-12-19 2008-12-30 Idc, Llc Interferometric modulation of radiation
US7532377B2 (en) 1998-04-08 2009-05-12 Idc, Llc Movable micro-electromechanical device
US8928967B2 (en) 1998-04-08 2015-01-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light
KR100703140B1 (ko) * 1998-04-08 2007-04-05 이리다임 디스플레이 코포레이션 간섭 변조기 및 그 제조 방법
WO2003007049A1 (en) 1999-10-05 2003-01-23 Iridigm Display Corporation Photonic mems and structures
US6639710B2 (en) * 2001-09-19 2003-10-28 Lucent Technologies Inc. Method and apparatus for the correction of optical signal wave front distortion using adaptive optics
US6794119B2 (en) 2002-02-12 2004-09-21 Iridigm Display Corporation Method for fabricating a structure for a microelectromechanical systems (MEMS) device
US6574033B1 (en) 2002-02-27 2003-06-03 Iridigm Display Corporation Microelectromechanical systems device and method for fabricating same
US20040001733A1 (en) * 2002-06-28 2004-01-01 Dean Richtsmeier Print medium transport path for a printing device
US7781850B2 (en) 2002-09-20 2010-08-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Controlling electromechanical behavior of structures within a microelectromechanical systems device
TW200413810A (en) 2003-01-29 2004-08-01 Prime View Int Co Ltd Light interference display panel and its manufacturing method
TW570896B (en) * 2003-05-26 2004-01-11 Prime View Int Co Ltd A method for fabricating an interference display cell
US7221495B2 (en) * 2003-06-24 2007-05-22 Idc Llc Thin film precursor stack for MEMS manufacturing
TWI231865B (en) 2003-08-26 2005-05-01 Prime View Int Co Ltd An interference display cell and fabrication method thereof
TW593126B (en) * 2003-09-30 2004-06-21 Prime View Int Co Ltd A structure of a micro electro mechanical system and manufacturing the same
US7161728B2 (en) 2003-12-09 2007-01-09 Idc, Llc Area array modulation and lead reduction in interferometric modulators
US7119945B2 (en) * 2004-03-03 2006-10-10 Idc, Llc Altering temporal response of microelectromechanical elements
US7476327B2 (en) 2004-05-04 2009-01-13 Idc, Llc Method of manufacture for microelectromechanical devices
KR101354520B1 (ko) 2004-07-29 2014-01-21 퀄컴 엠이엠에스 테크놀로지스, 인크. 간섭 변조기의 미소기전 동작을 위한 시스템 및 방법
US7808703B2 (en) 2004-09-27 2010-10-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for implementation of interferometric modulator displays
US7302157B2 (en) 2004-09-27 2007-11-27 Idc, Llc System and method for multi-level brightness in interferometric modulation
US7586484B2 (en) 2004-09-27 2009-09-08 Idc, Llc Controller and driver features for bi-stable display
US7554714B2 (en) 2004-09-27 2009-06-30 Idc, Llc Device and method for manipulation of thermal response in a modulator
US7460246B2 (en) 2004-09-27 2008-12-02 Idc, Llc Method and system for sensing light using interferometric elements
US7317568B2 (en) 2004-09-27 2008-01-08 Idc, Llc System and method of implementation of interferometric modulators for display mirrors
US7492502B2 (en) 2004-09-27 2009-02-17 Idc, Llc Method of fabricating a free-standing microstructure
US7369296B2 (en) 2004-09-27 2008-05-06 Idc, Llc Device and method for modifying actuation voltage thresholds of a deformable membrane in an interferometric modulator
US7653371B2 (en) 2004-09-27 2010-01-26 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Selectable capacitance circuit
US7420725B2 (en) 2004-09-27 2008-09-02 Idc, Llc Device having a conductive light absorbing mask and method for fabricating same
US7936497B2 (en) 2004-09-27 2011-05-03 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS device having deformable membrane characterized by mechanical persistence
US7535466B2 (en) 2004-09-27 2009-05-19 Idc, Llc System with server based control of client device display features
US7289259B2 (en) 2004-09-27 2007-10-30 Idc, Llc Conductive bus structure for interferometric modulator array
US7920135B2 (en) 2004-09-27 2011-04-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and system for driving a bi-stable display
US7304784B2 (en) 2004-09-27 2007-12-04 Idc, Llc Reflective display device having viewable display on both sides
US7161730B2 (en) * 2004-09-27 2007-01-09 Idc, Llc System and method for providing thermal compensation for an interferometric modulator display
US7321456B2 (en) 2004-09-27 2008-01-22 Idc, Llc Method and device for corner interferometric modulation
US7327510B2 (en) 2004-09-27 2008-02-05 Idc, Llc Process for modifying offset voltage characteristics of an interferometric modulator
US7719500B2 (en) 2004-09-27 2010-05-18 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Reflective display pixels arranged in non-rectangular arrays
US7349136B2 (en) 2004-09-27 2008-03-25 Idc, Llc Method and device for a display having transparent components integrated therein
US8008736B2 (en) 2004-09-27 2011-08-30 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Analog interferometric modulator device
US7630119B2 (en) 2004-09-27 2009-12-08 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Apparatus and method for reducing slippage between structures in an interferometric modulator
US7553684B2 (en) 2004-09-27 2009-06-30 Idc, Llc Method of fabricating interferometric devices using lift-off processing techniques
US7369294B2 (en) 2004-09-27 2008-05-06 Idc, Llc Ornamental display device
US7684104B2 (en) 2004-09-27 2010-03-23 Idc, Llc MEMS using filler material and method
US7372613B2 (en) 2004-09-27 2008-05-13 Idc, Llc Method and device for multistate interferometric light modulation
US7405861B2 (en) 2004-09-27 2008-07-29 Idc, Llc Method and device for protecting interferometric modulators from electrostatic discharge
US7429334B2 (en) 2004-09-27 2008-09-30 Idc, Llc Methods of fabricating interferometric modulators by selectively removing a material
US7527995B2 (en) 2004-09-27 2009-05-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method of making prestructure for MEMS systems
US7893919B2 (en) 2004-09-27 2011-02-22 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Display region architectures
US20060176241A1 (en) * 2004-09-27 2006-08-10 Sampsell Jeffrey B System and method of transmitting video data
US7417783B2 (en) 2004-09-27 2008-08-26 Idc, Llc Mirror and mirror layer for optical modulator and method
US7564612B2 (en) 2004-09-27 2009-07-21 Idc, Llc Photonic MEMS and structures
US7944599B2 (en) 2004-09-27 2011-05-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function
US7130104B2 (en) 2004-09-27 2006-10-31 Idc, Llc Methods and devices for inhibiting tilting of a mirror in an interferometric modulator
US7583429B2 (en) 2004-09-27 2009-09-01 Idc, Llc Ornamental display device
TW200628877A (en) 2005-02-04 2006-08-16 Prime View Int Co Ltd Method of manufacturing optical interference type color display
WO2007013939A1 (en) 2005-07-22 2007-02-01 Qualcomm Incorporated Support structure for mems device and methods therefor
US7630114B2 (en) 2005-10-28 2009-12-08 Idc, Llc Diffusion barrier layer for MEMS devices
US7795061B2 (en) * 2005-12-29 2010-09-14 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method of creating MEMS device cavities by a non-etching process
US7916980B2 (en) 2006-01-13 2011-03-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interconnect structure for MEMS device
US7382515B2 (en) 2006-01-18 2008-06-03 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Silicon-rich silicon nitrides as etch stops in MEMS manufacture
US7582952B2 (en) 2006-02-21 2009-09-01 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method for providing and removing discharging interconnect for chip-on-glass output leads and structures thereof
US7547568B2 (en) 2006-02-22 2009-06-16 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electrical conditioning of MEMS device and insulating layer thereof
US7550810B2 (en) 2006-02-23 2009-06-23 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS device having a layer movable at asymmetric rates
US7450295B2 (en) 2006-03-02 2008-11-11 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Methods for producing MEMS with protective coatings using multi-component sacrificial layers
US20070228156A1 (en) * 2006-03-28 2007-10-04 Household Corporation Interoperability facilitator
US7643203B2 (en) * 2006-04-10 2010-01-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interferometric optical display system with broadband characteristics
US7903047B2 (en) 2006-04-17 2011-03-08 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Mode indicator for interferometric modulator displays
US7711239B2 (en) * 2006-04-19 2010-05-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical device and method utilizing nanoparticles
US7417784B2 (en) * 2006-04-19 2008-08-26 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical device and method utilizing a porous surface
US7527996B2 (en) 2006-04-19 2009-05-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Non-planar surface structures and process for microelectromechanical systems
US7623287B2 (en) 2006-04-19 2009-11-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Non-planar surface structures and process for microelectromechanical systems
US7369292B2 (en) 2006-05-03 2008-05-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electrode and interconnect materials for MEMS devices
US7649671B2 (en) 2006-06-01 2010-01-19 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Analog interferometric modulator device with electrostatic actuation and release
US7405863B2 (en) 2006-06-01 2008-07-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Patterning of mechanical layer in MEMS to reduce stresses at supports
US7321457B2 (en) * 2006-06-01 2008-01-22 Qualcomm Incorporated Process and structure for fabrication of MEMS device having isolated edge posts
US7471442B2 (en) 2006-06-15 2008-12-30 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and apparatus for low range bit depth enhancements for MEMS display architectures
US7835061B2 (en) 2006-06-28 2010-11-16 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Support structures for free-standing electromechanical devices
US7385744B2 (en) 2006-06-28 2008-06-10 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Support structure for free-standing MEMS device and methods for forming the same
US7527998B2 (en) 2006-06-30 2009-05-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method of manufacturing MEMS devices providing air gap control
US7566664B2 (en) 2006-08-02 2009-07-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Selective etching of MEMS using gaseous halides and reactive co-etchants
US7763546B2 (en) 2006-08-02 2010-07-27 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Methods for reducing surface charges during the manufacture of microelectromechanical systems devices
US7719752B2 (en) 2007-05-11 2010-05-18 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS structures, methods of fabricating MEMS components on separate substrates and assembly of same
CN102834761A (zh) 2010-04-09 2012-12-19 高通Mems科技公司 机电装置的机械层及其形成方法
US8963159B2 (en) 2011-04-04 2015-02-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Pixel via and methods of forming the same
US9134527B2 (en) 2011-04-04 2015-09-15 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Pixel via and methods of forming the same

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2896507A (en) * 1952-04-16 1959-07-28 Foerderung Forschung Gmbh Arrangement for amplifying the light intensity of an optically projected image
US3001447A (en) * 1957-08-29 1961-09-26 Zeiss Ikon A G Stuttgart Image reproducing device for visible and invisible radiation images
US3281856A (en) * 1961-04-10 1966-10-25 Litton Systems Inc Microwave recording upon a deformable medium
US3196013A (en) * 1962-06-07 1965-07-20 Xerox Corp Xerographic induction recording with mechanically deformable image formation in a deformable layer
US3263557A (en) * 1963-02-26 1966-08-02 Gen Electric Document recording systems
CH443717A (de) * 1964-06-25 1967-09-15 Gretag Ag Einrichtung zur Sichtbarmachung von Infrarotstrahlen
GB1122002A (en) * 1964-08-07 1968-07-31 Rank Xerox Ltd Fixing deformation images
US3560205A (en) * 1966-01-20 1971-02-02 Xerox Corp Method of forming a phase modulating hologram on a deformable thermoplastic
DE2061417C3 (de) * 1970-12-14 1978-11-30 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Vorrichtung zur Erzeugung und Löschung von Deformationsbildern
DE2610514A1 (de) * 1976-03-12 1977-09-15 Agfa Gevaert Ag Radiografisches aufzeichnungsverfahren und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens

Also Published As

Publication number Publication date
JPS56150758A (en) 1981-11-21
US4392711A (en) 1983-07-12
AU6866781A (en) 1981-10-01
EP0037044A1 (de) 1981-10-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3012253A1 (de) Verfahren zum sichtbarmaschen von ladungsbildern und eine hierfuer geeignete vorichtung
EP0011203A1 (de) Vorrichtung zum elektrostatischen Aufladen einer dielektrischen Schicht
DE1185062B (de) Verfahren zur Entwicklung eines Ladungsbildes mit einer trockenen Tonerschicht
DE1437260C3 (de) Vorrichtung zur Aufzeichnung von Informationen
DE2365189C2 (de) Bildkammer für eine radiographische Einrichtung
DE2511896C2 (de) Röntgenelektrophotographisches Bilderzeugungsverfahren
DE1597844B2 (de) Verfahren zur Umkehrentwicklung eines elektrostatischen Ladungsbildes
DE1597905A1 (de) Vorrichtung zur Elektrofotografie
DE2431770B2 (de) Elektrofotografisches aufzeichnungsmaterial
DE1965460C3 (de) Verfahren und Vorrichtung zur photoelektrophoretischen Bilderzeugung
DE2617857A1 (de) Maske fuer eine vorrichtung zum anbringen einer gleichmaessigen elektrostatischen ladung an einem elektrofotografischen film
DE2212968C3 (de) Verfahren zum Aufzeichnen eines Deformationsbildes
DE2021312A1 (de) Einrichtung zur elektrophoretischen Bilderzeugung
DE2600279C2 (de) Verfahren zur elektrophotographischen Herstellung eines Bildschirmes einer Farbfernsehbildröhre
DE2029505C3 (de) Verfahren zur Erzeugung eines Ladungsbildes auf einem isolierenden Bildempfangsmaterial
DE2843516A1 (de) Elektrographische platte
DE2427626A1 (de) Abbildungsverfahren
DE2708930A1 (de) Dielektrisches bildelement und verfahren zur herstellung eines bildes aus einem derartigen element
DE2431772C3 (de) Elektrophotografisches Aufzeichnungsmaterial
DE2104988A1 (de) Entwicklungsverfahren fur elektro statische latente Bilder
DE1622349A1 (de) Verfahren zur Entwicklung eines latenten elektrostatischen Bildes
DE2929986A1 (de) Verfahren und vorrichtung fuer die elektrostatische aufzeichnung
DE2400269A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum ausbilden eines latent elektrostatischen bildes
DE1522627C (de) Vorrichtung zur Herstellung eines elektrofotografischen Emulsionsentwicklers
DE2021386A1 (de) Verfahren und Einrichtung zur elektrophoretischen Bilderzeugung

Legal Events

Date Code Title Description
8141 Disposal/no request for examination