DE3019583C2 - Verfahren und Vorrichtung zur Überwachung der Plasmaätzung von Werkstücken - Google Patents

Verfahren und Vorrichtung zur Überwachung der Plasmaätzung von Werkstücken

Info

Publication number
DE3019583C2
DE3019583C2 DE3019583A DE3019583A DE3019583C2 DE 3019583 C2 DE3019583 C2 DE 3019583C2 DE 3019583 A DE3019583 A DE 3019583A DE 3019583 A DE3019583 A DE 3019583A DE 3019583 C2 DE3019583 C2 DE 3019583C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
etching
intensity
plasma
monitoring
etch
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE3019583A
Other languages
English (en)
Other versions
DE3019583A1 (de
Inventor
Shinya Tama Iida
Hideo Tokio/Tokyo Komatsu
Tatsumi Kokubunji Mizutani
Kazuyoshi Ohme Ueki
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Publication of DE3019583A1 publication Critical patent/DE3019583A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3019583C2 publication Critical patent/DE3019583C2/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
    • H01L21/32135—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only
    • H01L21/32136—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only using plasmas
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F4/00—Processes for removing metallic material from surfaces, not provided for in group C23F1/00 or C23F3/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32917—Plasma diagnostics
    • H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H01L21/02019—Chemical etching

Description

(a) Messung einer ätzunabhängigen Spektralintensität von Atomen oder Molekülen, die von den Atomen oder Molekülen des zu ätzenden Werkstoffs oder den Ätzrcakiionsprodukten unabhängig ist,
(b) Korrektur der ätzabhängigen Spektralintensität mit der ätzunabhängigen Spcktralintensität, und
(c) Überwachung der Plasmaätzung durch Kontrolle der korrigierten Spektralintensität als Überwachungssignal.
2. Verfahren nach Anspruch 1. dadurch gekennzeichnet, daß die ätzabhängige und die älzunabhängige Spektralintensität des Emissionsspektrums bei zwei verschiedenen diskreten Wellenlängen gemessen werden.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die ätzunabhängige Spektralintensität innerhalb eines Frequenzbereichs des Emissionsspektrums gemessen wird.
4. Verfahren nach Anspruch I, dadurch gekennzeichnet, daß die ätzabhängige und die ätzunabhängigc Spcktralintcnsität des Masscn.spektrums bei zwei verschiedenen diskreten Masscnzahlen gemessen werden.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die ätzunabhängige Spektralintensitäl innerhalb eines Masscnzahlbcrcichs des Massenspektrums gemessen wird.
6. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2. dadurch gekennzeichnet, daß für die Messung der ät/.abhängigen und der ätzunabhängigen Spcktralintcnsitätcn des Emissionsspektrums bei bestimmten Wellenlängen optische Filter oder Beugungsgitter verwendet werden.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß als korrigierte Spcktralintensität das Verhältnis der ätzabhängigen Spektralintcnsität zur ätzunabhängigen Spektralintensität gebildet wird.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß bei der Plasmaät/.ung von Al oder Al-Legierungen mit einem Cl-Atome enthaltenden Plasma im Schritt (a) die Spektralintensität der Al-Atome oder bei AICI-Moleküle im Plasma und die Spcktralintensität der Cl-Atome im Plasma gemessen wird.
9. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 8, mit einem Interferenzfilter (10) oder einem Beugungsgitter zur Auswahl der bestimmten Wellenlänge des Emissionsspektrums sowie einem optoelektronischen Wandler (12) als erster Meßeinrichtung für die ätzabhängige Spektralintensität von Atomen oder Molekülen im Plasma, gekennzeichnet durch
(a) ein Interferenzfilter (11) oder ein Beugungsgitter zur Auswahl der anderen Wellenlänge des Emissionsspektrums sowie einen elektrooptischen Wandler (13} zur Messung der jeweiligen Spektralintensität als zweite Meßeinrichtung für die ätzunabhängige Spektralintensität von Molekülen, die von den Atomen oder Molekülen des zu messenden Werkstoffs oder den Ätzreaktionsprodukten unabhängig ist, und
(b) eine Korrektureinrichtung (14) zur Korrektur der ätzabhängigen Spektralintensitat mit der ätzunabhängigen Spektralintensitat, die die korrigierte Spektralintensitat als Überwachungssignal liefert.
10. Vorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Korrektureinrichtung (14) ein Quotientenbildner ist.
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Überwa-
chung der Plasmaätzung von Werkstücken mit einem Glimmcntladungsplasma gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 und eine zu dessen Durchführung geeignete Vorrichtung. Solche Verfahren und zugehörige Vorrichtungen sind bereits bekannt (Solid State Technology, April 79, H. 4, S. 109-115). Dort tritt allerdings das Problem auf, daß die Emissionsintensität bzw. die jeweilige Intensität des Massenspektrums, die für Überwachungszwecke erfaßt werden, häufig stark mit den Ätzparametern wie Druck des Gasplasmas und zur Plasma-Anregung angewandter HF-Leistung schwanken. Aufgrund dieser Schwankungen war entsprechend bisher eine genaue Kontrolle des Ätzvorgangs bei der Plasmaätzung unmöglich. Hinzukommt, daß hierdurch die Beendigung des Ätzvor- gangs wegen der genannten Schwankungen nicht genau erfaßt werden kann, was besonders für die angestrebte Automatisierung solcher Äizprozesse nachteilig ist.
Bekanntlich wird bei der Herstellung minaturisierter elektronischer Bauelemente wie integrierter Halbleiter schaltungen die sog. Trockenätzung unter Anwendung von Plasmen eingesetzt, wodurch eine genaue und feine Bearbeitung der entsprechenden Werkstoffe ermöglicht wird. Der umfassenden Einführung in die Praxis stehen aber einige Schwierigkeiten entgegen:
Ein Problem bei der Plasmaätzung ist die bisher unzureichende Reproduzierbarkeit der Ätzgeschwindigkeit. Die Ursachen dafür liegen in der Schwierigkeit der genauen Kontrolle der Reinheit des in ein Plasma übergeführten Gases und den Schwankungen der Oberflächen- temperatur des zu ätzenden Werkstücks. Wegen dieser Schwankung der Ätzges.chwindigkeit erfordert die Plasmaätzung in vielen Fällen eine Überwachungseinrichtung, um den Ablauf des Ätzens einschließlich seiner Beendigung zu verfolgen. So kann beispielsweise in ei-
W) ner derartigen Vorrichtung die Emissionsintensität bei einer ausgewählten Wellenlänge des Emissionsspektrums des Plasmas überwacht werden, ferner ist die massenspcklrometrischc Überwachung der loncnintcnsiläl bei einer ausgewählten Massenzahl möglich, und
br> zwar z. B. bei der Plasmaätzung- von Al, Al-Legierungen, Si und SiO2.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren der eingangs genannten Art so zu verbessern.
daß Ablauf und Beendigung des Ätzprozesses unabhängig von Schwankungen der Ätzparameter anhand des Emissionspektrums oder des Massenspektrums kontrolliert werden können, und eine entsprechende Vorrichtung hierfür anzugeben. Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die im kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 1 bzw. 9 angegebenen Maßnahmen gelöst
Im folgenden werden Ausführungsbeispiele der Erfindung anhand der Zeichnungen näher erläutert; es zeigt
F i g. 1 ein Plasma-Emissionsspektrum für den Fall der Ätzung von Al durch ein BCIj-Gasplasma;
F i g. 2 die zeitliche Änderung des Werts des Überwachungssignals für den Fall der Ätzung von Al; und
Fig.3 das Blockschaltbild einer zur Durchführung des beschriebenen Verfahrens geeigneten Vorrichtung.
Die ätzabhängige Spektralintensität ist eine Intensität des Emissionsspektrums bei einer bestimmten Wellenlänge oder eine Intensität des Massenspekt. ums bei einer bestimmten Massenzahl, die zur Überwachung des Ätzzustands herangezogen werden, d. h. eine Spektralintensität von Atomen- oder Molekülen, die den zu ätzenden Werkstoff oder sin Ätz-Reaktionsprodukt bilden. Wenn z. B. Al mit dem Plasma einer gasförmigen Verbindung mit Chloratomen plasmazuätzen ist, können die Emissionsintensität des Spektrums von Al-Atomen bei der Wellenlänge 396 nm oder die Emissionsintensität des Spektrums von AlCI-Molekülen bei der Wellenlänge 261,4 nm oder die Intensität des Massenspektrums von AlCl bei der Massenzahl 62 oder des Massenspektrums von AICI2 bei der Massenzahl 97 herangezogen werden.
Die ätzunabhängige Spektralintensität ist gewöhnlich eine Intensität des Emissionsspektrums oder eine Intensität des Massenspektrums von Atomen oder Molekülen, die unabhängig von den Atomen oder Molekülen des zu ätzenden Werkstoffs oder den Ätz-Reaktionsprodukten sind, wobei ihre Wellenlänge oder Massenzahl von der des ätzabhängigen Spektrums verschieden ist. Wenn z. B. Al mit einem Plasma in einem gasförmigen, CCU enthaltenden Medium plasmazuätzen ist, können die Emission von Cl-Atomen bei der Wellenlänge 500 nm oder die Intensität des Massenspcklrums von CCI2 bei der Massenzahl 72 herangezogen werden. In einem einfacheren FaM kann die gesamte Spektralintensität eines gesamten Wellenlängenbereichs oder eines gesamten Massenzahlbercichs anstelle der .Spektralintensität bei einer ausgewählten Wellenlänge oder Massenzahl herangezogen werden.
Beim Ätzprozeß selbst, durch den das Werkstück durch im Glimmentladungs-Plasma erzeugte Ionen oder Radikale geätzt wird, wird das an sich bekannte Ätzverfahren der Plasmaätzung bzw. des sog. Sputtens herangezogen. Wenn Al zu ätzen ist, wird es durch Ionen oder Radikale geätzt, die durch Entladung aus einer gasförmigen, Chloratome enthaltenden Verbindung erzeugt werden.
Wenn ein Emissionsspektrum zur Überwachung verwendet wird, ist daraus eine bestimmte Wellenlänge selektiv zur Intensitätsmessung zu erfassen. Zur Selektion solcher spezifischer Wellenlängen können bekannte optische Filter oder Beugungsgitter verwendet werden.
Eine einfache Möglichkeil der Korrektur der ät/.abhängigen Spektralintensität durch die ätzunabhängige Spektralintensität besteht darin, den Quotienten der beiden Intensitäten, d. h. ihr Verhältnis, zu bilden.
Die beschriebene Korrektur der ätzabhüngigcn SDektralintensität wird anhand eines Beispiels erläutert.
das sich auf die Ätzung von Al mit einem BCb-Gasplasma bezieht Kurve I in F i g. 1 ist ein spektralphotometrisch bei der Trockenätzung von Al gemessenes Emissionsspektrum. In der Kurve 1 entsprechen die Peaks bei dtn Wellenlängen 394,4 nm und 396.1 nm der Emission von Al-Atomen, die nur_beim Ätzen von Al auftre ten. Daher können durch Überwachen der zeitlichen Änderung der Intensität dieses Peaks der gesamte Verlauf und die Beendigung des Ätzens überwacht werden.
In Kurve 1 entspricht ferner der breite Peak nahe der Wellenlänge 500 nm der Emission von Cl-Atomen oder Cl-lonen. Kurve 2 von Fig. 1 stellt das gleiche Emissionspektrum für den Fall dar, daß der Druck des Gasplasmas während des Ätzens ansteigt Die Emissions-Intensitäten bei den beiden oben erwähnten Wellenlängen sind gemäß Kurve 2 kleiner. Wenn die Ätzparameter wie H F-Leistung oder Gaszusammcnsetzung variieren, nehmen die Emissionspcaks wie im Fall der Kurve 2 ab oder im gesamten Wellenlängenbereich zu. Auf jeden
Fall können durch Überwachen des Verhältnisses der Spektralintensität bei 396,1 nm zur Spektralintensität bei 500 nm unerwünschte Schwankungen des Überwachungssignals unterdrückt und damit fehlerhafte Bestimmungen des Ätzendes vermieden werden.
F i g. 2 zeigt den zeitlichen Verlauf des Überwachungssignal*, wobei Kurve 3 der Wellenlänge 396,1 nm und Kurve 4 der korrigierten Signalintensität, die gleich dem Verhältnis der Spektralintensität bei 396,1 nm zur Spektralintensität bei 500 nm ist, entsprechen. Der Zeit-
Ji) punkt A bezeichnet den Beginn des Ätzens, das Zeitintervall B bis C das Auftreten von Druckschwankungen und der Zeitpunkt D die Beendigung des Ätzens. Gemäß Kurve 3 könnte bei herkömmlicher Verfahrensweise der Zeitpunkt B irrtümlich als Endpunkt des Ätzens angenommen werden; Kurve 4 zeigt, daß dieses Problem hier nicht auftritt.
In F i g. 1 und 2 besitzen die Ordinatenachsen einen willkürlichen Maßstab.
Beispiel 1
Al wurde mit einem BCh-Gasplasma geätzt. Während des Ätzens wurde das Verhältnis fa der Al-Emissionsintensität bei 396,1 nm zur Cl-Eniissionsintensität bei 500 nm gebildet und als Überwachungssignal herangezogen.
Eine zur Durchführung des beschriebenen Verfahrens geeignete Vorrichtung zur Erzeugung eines derartigen Überwachungssignals ist in F i g. 3 schematisch dargestellt; sie weist folgende wesentliche Komponenten auf:
ein Interferenzfilter 10, das Licht der Weilenlänge 396 nm durchläßt,
ein Interferenzfilter 11, das Licht der Wellenlänge
500 nm durchläßt,
optoelektronische Wandler 12 und 13 zur Umsetzung der entsprechenden Lichtintensitäten in elektrische Ausgangssignale X b'.w. V, einen Dividierer 14 zur Erzeugung des Verhältnis-
scs X/Ydcs Ausgangssignals X des optoelektronischen Wandlers 12 zum Ausgangssignal V des op-•oelekckironischen Wandlers 13, und einen Schreiber 15 zur Aufzeichnung des Ausgangssignals des Dividierers 14.
Wenn das Ausgangssignal des Dividierers 14 zur automatischen ProzeBkontrolle verwendet wird, kann der Schreiber 15 entfallen. Die zeitliche Änderung des vom
5
Schreiber 15 aufgezeichneten Überwachungssignals ermöglicht anhand einer Kurve die genaue Bestimmung der Beendigung des Ätzprozesses unabhängig von Schwankungen der HF-Leistung und des Drucks während der Al-Ätzung. Γ> ι
Beispiel 2
Al wurde mit einem CCU-Gasplasma geätzt. Die Ätz-Reaktionsprodukte AICI (Massenzahl 62) und CCI2
(Massenzahl 72) wurden mit einem Quadrupol-Massen- ,;'
filier erfaßt; das durch einen Dividicrer ähnlich wie in j>j»
Beispiel I erhaltene Verhältnis der Spektralintcnsitätcn &'
wurde überwacht, um den Ablauf der ΛΙ-Ätzung und 1'
sein Ende zu verfolgen. Auch bei diesem Beispiel konnte 15 f
wie bei Beispiel i die Beendigung des Ätzens genau erfaßt werden.
Durch das beschriebene Verfahren kann also die Ätzung während des Ätzvorgangs unabhängig von Schwankungen der Ätzbedingungen genau überwacht werden, so daß es sich vorteilhaft für automatisierte Prozesse eignet, bei denen eine genaue Ermittlung der Beendigung des Ätzens erforderlich ist.
Obwohl in den obigen Beispielen die Al-Ätzung iin einzelnen erläutert ist, läßt sich das Verfahren gleichermaßen auch auf die Ätzung anderer Werkstoffe wie z. B. Si, S1O2 und Si)N4 anwenden. Obgleich ferner die Cl-Emissionsintensität bei 500 nm als Bezugsintensität zur Korrektur bei der Überwachung des Emissionsspektrums herangezogen wurde, kann ein ähnlicher Effekt 30 erreicht werden, wenn die Emissionsintensität bei einer oder auch allen Wellenlängen, also nicht nur die Peakintensität. von Atomen, Molekülen oder Ionen, die nicht Ätzreaktionsprodukte sind, wie Al und AlCI, überwacht wird In diesem Fall sollte allerdings darauf geachtet werden, daß die Ansprechzeiten der beiden optoelektronischen Wandler gleich sein müssen, da sonst eine genaue Korrektur des Überwachungssignals nicht möglich ist.
40
Hierzu ! Blatt Zeichnungen
45
55
60
65

Claims (1)

Patentansprüche:
1. Verfahren zur Überwachung der Plasmaätzung von Werkstücken mit einem Glimmentladungsplasma durch Messung einer ätzabhängigen Spektralintensität bei einer bestimmten Frequenz des Emissionsspektrums bzw. einer bestimmten Massenzahl des Massenspektrums des Plasmas, und Überwachung der Plasmaätzung aufgrund eines Überwa- chungssignals. gekennzeichnet durch
DE3019583A 1979-05-28 1980-05-22 Verfahren und Vorrichtung zur Überwachung der Plasmaätzung von Werkstücken Expired DE3019583C2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6503179A JPS55157233A (en) 1979-05-28 1979-05-28 Method and apparatus for monitoring etching

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3019583A1 DE3019583A1 (de) 1980-12-11
DE3019583C2 true DE3019583C2 (de) 1984-11-29

Family

ID=13275193

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE3019583A Expired DE3019583C2 (de) 1979-05-28 1980-05-22 Verfahren und Vorrichtung zur Überwachung der Plasmaätzung von Werkstücken

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4289188A (de)
JP (1) JPS55157233A (de)
DE (1) DE3019583C2 (de)
GB (1) GB2050952B (de)

Families Citing this family (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57161063A (en) * 1981-03-31 1982-10-04 Nippon Sheet Glass Co Ltd Method and device for sticking metallic oxide film on substrate
US4415402A (en) * 1981-04-02 1983-11-15 The Perkin-Elmer Corporation End-point detection in plasma etching or phosphosilicate glass
US4394237A (en) * 1981-07-17 1983-07-19 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Spectroscopic monitoring of gas-solid processes
US4457820A (en) * 1981-12-24 1984-07-03 International Business Machines Corporation Two step plasma etching
FR2531774A1 (fr) * 1982-08-12 1984-02-17 Cit Alcatel Dispositif de controle d'epaisseur de couches minces faiblement absorbantes
JPS59129428A (ja) * 1983-01-13 1984-07-25 Fujitsu Ltd プラズマエッチング方法
FR2555308B1 (fr) * 1983-11-21 1986-12-05 Cit Alcatel Tete photometrique et applications a des dispositifs de controle de l'epaisseur d'une couche mince
DE3514094A1 (de) * 1985-04-16 1986-10-23 Schering AG, Berlin und Bergkamen, 1000 Berlin Herstellung metallischer strukturen auf anorganischen nichtleitern
JPS61242024A (ja) * 1985-04-19 1986-10-28 Matsushita Electronics Corp エツチング終点検出方法
FR2587838B1 (fr) * 1985-09-20 1987-11-27 Radiotechnique Compelec Procede pour aplanir la surface d'un dispositif semi-conducteur utilisant du nitrure de silicium comme materiau isolant
US4675072A (en) * 1986-06-25 1987-06-23 International Business Machines Corporation Trench etch endpoint detection by LIF
US4713140A (en) * 1987-03-02 1987-12-15 International Business Machines Corporation Laser luminescence monitor for material thickness
US5045149A (en) * 1988-10-24 1991-09-03 Vlsi Technology, Inc. Method and apparatus for end point detection
DE3901017A1 (de) * 1989-01-14 1990-07-19 Leybold Ag Verfahren und vorrichtung zur ueberwachung des schichtabtrags bei einem trockenaetzprozess
US5208644A (en) * 1990-05-18 1993-05-04 Xinix, Inc. Interference removal
JPH04196529A (ja) * 1990-11-28 1992-07-16 Toshiba Corp プラズマ処理装置
US5290383A (en) * 1991-03-24 1994-03-01 Tokyo Electron Limited Plasma-process system with improved end-point detecting scheme
US5877032A (en) * 1995-10-12 1999-03-02 Lucent Technologies Inc. Process for device fabrication in which the plasma etch is controlled by monitoring optical emission
JP3157605B2 (ja) * 1992-04-28 2001-04-16 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US5308414A (en) * 1992-12-23 1994-05-03 International Business Machines Corporation Method and apparatus for optical emission end point detection in plasma etching processes
US5565114A (en) * 1993-03-04 1996-10-15 Tokyo Electron Limited Method and device for detecting the end point of plasma process
JPH06302556A (ja) * 1993-04-15 1994-10-28 Nec Yamagata Ltd 反応性イオンエッチングの終点検出器
US5348614A (en) * 1993-06-22 1994-09-20 Lsi Logic Corporation Process for dynamic control of the concentration of one or more reactants in a plasma-enhanced process for formation of integrated circuit structures
KR100276736B1 (ko) * 1993-10-20 2001-03-02 히가시 데쓰로 플라즈마 처리장치
US5392124A (en) * 1993-12-17 1995-02-21 International Business Machines Corporation Method and apparatus for real-time, in-situ endpoint detection and closed loop etch process control
US5788869A (en) * 1995-11-02 1998-08-04 Digital Equipment Corporation Methodology for in situ etch stop detection and control of plasma etching process and device design to minimize process chamber contamination
US5928532A (en) * 1996-11-11 1999-07-27 Tokyo Electron Limited Method of detecting end point of plasma processing and apparatus for the same
US6406641B1 (en) 1997-06-17 2002-06-18 Luxtron Corporation Liquid etch endpoint detection and process metrology
US6534007B1 (en) * 1997-08-01 2003-03-18 Applied Komatsu Technology, Inc. Method and apparatus for detecting the endpoint of a chamber cleaning
US6060328A (en) * 1997-09-05 2000-05-09 Advanced Micro Devices, Inc. Methods and arrangements for determining an endpoint for an in-situ local interconnect etching process
US6269278B1 (en) 1998-04-23 2001-07-31 Sandia Corporation Method and apparatus for monitoring plasma processing operations
US6246473B1 (en) 1998-04-23 2001-06-12 Sandia Corporation Method and apparatus for monitoring plasma processing operations
US6254717B1 (en) 1998-04-23 2001-07-03 Sandia Corporation Method and apparatus for monitoring plasma processing operations
US6223755B1 (en) 1998-04-23 2001-05-01 Sandia Corporation Method and apparatus for monitoring plasma processing operations
US6132577A (en) * 1998-04-23 2000-10-17 Sandia Corporation Method and apparatus for monitoring plasma processing operations
US6221679B1 (en) * 1998-04-23 2001-04-24 Sandia Corporation Method and apparatus for monitoring plasma processing operations
US6134005A (en) * 1998-04-23 2000-10-17 Sandia Corporation Method and apparatus for monitoring plasma processing operations
US6261470B1 (en) 1998-04-23 2001-07-17 Sandia Corporation Method and apparatus for monitoring plasma processing operations
US6275740B1 (en) 1998-04-23 2001-08-14 Sandia Corporation Method and apparatus for monitoring plasma processing operations
US6090302A (en) * 1998-04-23 2000-07-18 Sandia Method and apparatus for monitoring plasma processing operations
US6123983A (en) * 1998-04-23 2000-09-26 Sandia Corporation Method and apparatus for monitoring plasma processing operations
US6077386A (en) * 1998-04-23 2000-06-20 Sandia Corporation Method and apparatus for monitoring plasma processing operations
US6157447A (en) * 1998-04-23 2000-12-05 Sandia Corporation Method and apparatus for monitoring plasma processing operations
US6419801B1 (en) * 1998-04-23 2002-07-16 Sandia Corporation Method and apparatus for monitoring plasma processing operations
US6192826B1 (en) 1998-04-23 2001-02-27 Sandia Corporation Method and apparatus for monitoring plasma processing operations
US6165312A (en) * 1998-04-23 2000-12-26 Sandia Corporation Method and apparatus for monitoring plasma processing operations
US6169933B1 (en) 1998-04-23 2001-01-02 Sandia Corporation Method and apparatus for monitoring plasma processing operations
US20040035529A1 (en) * 1999-08-24 2004-02-26 Michael N. Grimbergen Monitoring a process and compensating for radiation source fluctuations
US6878214B2 (en) * 2002-01-24 2005-04-12 Applied Materials, Inc. Process endpoint detection in processing chambers
US6979579B1 (en) * 2004-03-30 2005-12-27 Lam Research Corporation Methods and apparatus for inspecting contact openings in a plasma processing system
US7431404B2 (en) * 2005-08-05 2008-10-07 Shimano Inc. Bicycle having annular sealing member
US7759136B2 (en) * 2006-03-29 2010-07-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Critical dimension (CD) control by spectrum metrology
JP5227245B2 (ja) * 2009-04-28 2013-07-03 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
DE102014112723A1 (de) * 2014-09-04 2016-03-10 Eaton Industries Austria Gmbh Verfahren zur Unterscheidung eines Lichtbogens von einem leuchtenden Gas enthaltend zumindest Metalldampf

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4198261A (en) * 1977-12-05 1980-04-15 Gould Inc. Method for end point detection during plasma etching
US4246060A (en) * 1979-01-02 1981-01-20 Motorola, Inc. Plasma development process controller

Also Published As

Publication number Publication date
US4289188A (en) 1981-09-15
JPS5712529B2 (de) 1982-03-11
GB2050952B (en) 1983-02-23
JPS55157233A (en) 1980-12-06
GB2050952A (en) 1981-01-14
DE3019583A1 (de) 1980-12-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3019583C2 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Überwachung der Plasmaätzung von Werkstücken
DE3510660C2 (de)
DE19635890C2 (de) Spektralanalysator und mit ihm durchgeführte Meßverfahren
DE4029984C2 (de)
DE2919085C2 (de) Vorverarbeitungsverfahren und -vorrichtung für eine Spracherkennungsvorrichtung
DE19612408C2 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Messen einer Rauschzahl in optischen Verstärkern
DE2727976A1 (de) Verfahren zum bestimmen des partialdruckes und der konzentration eines gases und schaltungsanordnung zum durchfuehren des verfahrens
DE2522942A1 (de) Spektralgeraet
DE2153754C3 (de)
CH694479A5 (de) Hörgerät mit automatischem Mikrofonabgleich sowie Verfahren zum Betrieb eines Hörgeräts mit automatischem Mikrofonabgleich.
CH650884A5 (de) Verstaerkereinrichtung mit automatisch gesteuerter verstaerkung.
DE3912211A1 (de) Wechselspannungsverstaerker mit digital gesteuertem frequenzgang und verfahren hierzu
DE2610551C2 (de) Verfahren und Vorrichtung zur elektronischen Überwachung einer im Betrieb befindlichen Maschine
DE3124465C2 (de) Verfahren zur Ionen-Zyklotron-Resonanz-Spektroskopie
DE10158236A1 (de) Gerät und Verfahren zur Messung des Rauschfaktors
DE3628015A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum entwickeln eines musters
EP0777326B1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Filterung eines Audiosignals
DE19757296A1 (de) Verfahren zum Bestimmen und Kompensieren der Übertragungsfunktion eines Meßgerätes, insbesondere eines Spektrum-Analysators
WO1992015171A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur filterung von signalen
DE4000461A1 (de) Detektor fuer spannungsdifferenzen
EP0662216B1 (de) Verfahren zur spektralen analyse von technischen flammen durch optische emissionsmessung und anordnung hierfür
DE2057660B2 (de) Vorrichtung zum Erzeugen eines elektrischen Signals, das für eine bestimmte Eigenschaft eines elektrischen Eingangssignals repräsentativ ist
EP0571783A2 (de) Verfahren zur Kalibrierung von Gassensoren in Messgeräten für die Gasanalyse, Rauchgasanalyse und/oder die Wirkungsgradermittlung an Feuerungen sowie Messgerät zur Durchführung dieses Verfahrens
DE2019280C3 (de) Elektrische Schaltungsanordnung zur Sprachsignalanalyse
DE3433962C2 (de)

Legal Events

Date Code Title Description
OAP Request for examination filed
OD Request for examination
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee