DE3033730C2 - Vorrichtung zum Feststellen chemischer Substanzen - Google Patents
Vorrichtung zum Feststellen chemischer SubstanzenInfo
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- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
- G01N27/403—Cells and electrode assemblies
- G01N27/414—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS
- G01N27/4148—Integrated circuits therefor, e.g. fabricated by CMOS processing
Description
(7) verbunden ist.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Meßfühler (3) ein lonenmeßfühler
ist, der an eine gemeinsame elektrische Stromquelle
(8) angeschlossene Darinanschlüsse (D) hat, an
denen eine konstanteGleicfc^annung anliegt, sowie
Sourceanschlüsse (S) und Halbleitersubstrate (K),
die über Bezugswiderstände (9, 0, 11) geerdet sind.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Meßfühler (3) ein lonenmeßfühler
ist, der wahlweise gegenüber drei gewünschten unterschiedlichen Arten von Ionen empfindlich ist.
4. Vorrichtung nach Anspruch 1,2 oder 3. dadurch gekennzeichnet, daß die mit den Bezugswiderständen
(9, 10, 11) verbundenen ersten Verstärker (12, 12,14) über einen mittels einer Umschaltsteuerschaltung
(18) antreibbaren Analogschalter (19) und einen zweiten Verstärker (20) mit einem der Eingangsanschlüsse
des Differentialverstärkers (21) verbunden sind, und daß zwischen den Ausgangsanschluß des
zweiten Verstärkers (20) und negative Eingangsan-Schlüsse der ersten Verstärker eine Rückkopplungsschaltung mit Regelwiderständen (23, 24, 25)
geschaltet ist.
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Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Feststellen chemischer Substanzen gemäß dem Oberbegriff des
Patentanspruchs 1. ho
Es sind schon verschiedene elektrochemisch empfindliche Elemente vorgeschlagen worden, die als FET
aufgebaut sind und in ihrem Gatebereich einen oder mehrere elektrochemisch empfindliche Bereiche haben,
die gegenüber einer oder mehreren bestimmten h">
chemischen Substanzen empfindlich sind und beispielsweise Eisen, Gas, Enzyme, Antikörper oder dgl.
feststellen können (US-PS 40 20 830). Ein solches elektrochemisch empfindliches Element besteht aus
einem oder mehreren elektrochemisch empfindlichen Bereichen, die auf einem Halbleitersubstrat ausgebildet
sind und jeweils gegenüber einer von mehreren bestimmten chemischen Substanzen empfindlich sind.
Es sind auch verschiedene Vorrichtungen zum Feststellen einer bestimmten lonenkonzentration und Aktivität
in einer Testflüssigkeit, beispielsweise Serum oder dgl.
mit Hilfe des obenerwähnten elektrochemisch empfindlichen Elements vorgeschlagen worden. Dazr gehört
beispielsweise ein lonenmeßfühler.
In der Biochemie werden im allgemeinen an der gleichen Testflüssigkeit die verschiedensten Ionenkonzentrationen
und Aktivitäten gemessen. Die bekannten Vorrichtungen eignen sich dazu nicht zufriedenstellend,
da sieh die Betriebspunkte der einzelnen empfindlichen 'eiereiche unterschiedlich verändern können, worunter
die Meßgenauigkeit leidet.
Aufgabe der Erfindung ist es, die eingangs genannte Vorrichtung zum Feststellen mehrer chemischer Substanzen
mit als Isoliergate-Feldeffekttransistor ausgebildeten elektrochemisch empfindlichen Elementen
dahingehend zu verbessern, daß der Betriebspunkt jedes Elements besser beibehalten und dadurch die
Meßgenauigkeit erhöht werden kann.
Die Lösung dieser Aufgabe gelingt mit den kennzeichnenden Merkmalen des Patentanspruchs 1.
Ausgestaltungen ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Die neue Vorrichtung hat den Vorteil, daß die lonenkonzentration exakter und schneller gemessen
werden kann, da jedes elektrochemisch empfindliche Element mit konstantem Strom arbeitet und bei seinem
Betriebspunkt eingesetzt werden kann. Veränderungen des Betriebspunktes jedes Elements können ausgeglichen
werden.
Das hohe Ansprechvermögen jedes Elements kann voll ausgenutzt werden. Dadurch sind Messungen mit
besonders hoher Geschwindigkeit möglich.
Im folgenden wird ein Ausführungsbeispiel der
Erfindung weiteren vorteilhaften finzelheiten anhand der Zeichnungen näher erläutert. In den Zeichnungen
zeigt
F i g. 1 ein Schaltbild eines Ausführungsbeispiels einer erfindungsgemäßen Vorrichtung zum Feststellen chemischer
Substanzen;
F i g. 2 ein Schema zur Erläuterung der Betriebsweise eines Meßkanals gemäß F i g. 1.
Das in Fig. I gezeigte Ausführungsbeispiel einer Vorrichtung zum feststellen chemischer Substanzen ist
geeignet, drei Arten von lonenkonzentrationen und Aktivitäten einer in einem Behälter 1 enthaltenen
Testflüssigkeit 2 zu messen. Bei diesem Ausführungsbeispiel ist ein lonenmeßfühler 3 vorgesehen, der als
Isoliergate-Feldeffekttransistor ausgebildet ist, welcher auf dem gleichen Halbleitersubstrat ausgebildet und
wahlweise gegenüber drei gewünschten Arten von Ionen empfindlich ist. Der lonenmeßfühler 3 ist mit
ionenempfindlichen Bereichen 4, 5 und 6 versehen, die mit der Testflüssigkeit 2 in Berünrung gebracht werden,
in die eine Bezugselektrode 7 eintaucht. Jeder der ionenempfindlichen Bereiche des lönenmeßfühlers
weist einen Drainanschluß D. einen Sourceanschluß S
und ein Halbleitersubstrat K auf. Die Drainanschlüsse D sind an eine gemeinsame Quelle 8 elektrischen Stroms
angeschlossen und erhalten eine konstante Gleichspannung K/>
während alle Sourceanschlüsse S und die Halbleitersubstrate K über Bezugswiderstände 9, 10
bzw. 11 geerdet sind. Zwischen den ionenempfindlichen
Bereichen und den Bezugswiderständen 9, 10, 11 liegende Verknüpfungspunkte A, B, C sind jeweils mit
einem der Eingangsanschlusse erster Verstärker 12, 13 bzw. 14 verbunden, um die an den Verkiiüpfungspunkten
A, B, C herrschenden Spannungen an einen der Eingangsanschlüsse der ersten Verstärker 12,13 bzw. 14
anzulegen, während die anderen Eingangsanschlüsse dieser Verstärker 12, 13, 14 über Widerstände 15, 16
bzw. 17 geerdet sind. Die Ausgangsspannungen der ersten Verstärker 12, 13, 14 werden wahlweise über
einen von einer Umschaltsteuerschaltung 18 angetriebenen Anaiogschalter und einen zweiten Verstärker 20 jtn
einen der Eingangsanschlüsse eines Differentialverstärkers 21 angelegt Am anderen Eingangsanschluß des
Differentialverstärkers 21 liegt eine konstante Bezugsvorspannung Vr von einer Quelle 22 elektrischer
Spannung an. Zwischen dem Ausgangsanschluß des zweiten Verstärkers 20 und den negativen Eingangsanschlüssen
der ersten Verstärker 12, 13, 14 sind Rückkopplungswege vorgesehen, in denen Regelwiderstände
23, 24, 25 zum Einstellen der Verstärkung der Verstärker angeordnet sind.
Der Ausgangsanschluß des Differentialverstärkers 21 liegt an der Bezugselektrode 7 an. Die an diesem
Ausgangsanschluß herrschende Spannung Vx wird von
einem Verstärker 26 festgestellt, dessen Ausgang an einem A/D-Umsetzer 27 anliegt, um einen digitalen
Wert zu erhalten, der auch digital angezeigt wird. Ferner ist der Ausgangsanschluß des Differentialverstärkers
21 über eine Zenerdiode 28 geerdet, wodurch verhindert wird, daß eine abnorm hohe Spannung an die
Bezugselektrode 7 gelangt. Hierdurch wird der als Halbleiter aufgebaute Ionenmeßfühler 3 vor Beschädigung
geschützt.
Um die Meßgenauigkeit zu verbessern, arbeitet jedes Element des als Halbleiter ausgebildeten Ionenmeßfühlers
3 bei konstantem Strom. Das bedeutet, daß jedes Element des lonenmeßfühlers 3 so betätigt wird, daß der
Darin-Source-Strom jedes Elements immer einen konstanten Wert hat.
Fig.2 zeigt einen Meßkanal, der einem elektrochemisch
empfindlichen Element des in Fig. 1 gezeigten Schaltkreises zugeordnet ist. Ein in Fig.2 gezeigter
einziger Verstärker 12' stellt den ersten Verstärker 12, den Analogschalter 19 und den zweiten Verstärker 20
gemäß F i g. 'i dar. Es soll nun von folgenden Annahmen ausgegangen werden: Der Widerstandswert des Bezugswiderstandes
9 ist Ro, die Verstärkung des Verstärkers 12' ist K, die Verstärkung des Differentialverstärkers
ist μ, die Spar.nung am Ausgangsanschluß des Differentialverstärkers 21, d. h. die Spannung am
Punkt D, die an der Bezugseltktrode 7 anliegt, ist Vx und
der Drain-Source-Strom des lonenmeßfühlers ist i.
Die Werte für Ro, K, μ und Vg werden so gewählt, daß
der Drain-Source-Strom / einen gegebenen Wert annimmt, wenn der lonenmeßfühler in eine Testflüssigkeit
eingetaucht wird, die ein gegebenes lon in einer bestimmten Konzentration enthält. Wenn der Darin-Source-Strom
fo ist, dann läßt sich das Potential K10 an
der Bezugselektrode 7 durch folgende Gleichung ausdrücken:
Wenn unter diesen Bedingungen z. B. die lonenkonzentration
zunimmt, erhöht sich der Darin-Source-Strom auf io+Δϊ und das Potential Vx an der
Bezugselektrode 7 wird wie folgt ausgedrückt:
Vx = (Vr-
Es zeigt sich, daß Vx gegenüber V10 um SiKAiR0
verringert ist. Infolgedessen sinkt der Darin-Source-Strom auf io ab.
Der Wert von Vxo wird hierbei durch eine
Spannungskomponente verringert, die die Ionenkonzentration im Gatebereich induzier». Wenn also die
Verkleinerung der Spannung Vx0 gemessen wird, ist es
2u möglich, die Vergrößerung der lonenkonzentration zu
messen. Wenn andererseits der Drain-Source-Strom auf einen Wert absinkt, der kleiner ist als λ, erhöht sich die
Spannung Vvo auf einen Wert, der die Verminderung ausgleichen kann. Dadurch ist es möglich, die Änderung
der Ionenkonzentration durch Feststellen der Zunahme oder Abnahme der an die Bezugselektrode 7 anzulegenden
Spannung Vj0ZU messen.
Mit der Vorrichtung zum Feststellen chemischer Substanzen können drei Arten von lonenkonzentratio-
t» nen in der Testflüssigkeit 2 gemessen werden. Für jeden
Meßkanal ändert sich das Potential, d. h. die Spannung am Punkt D so, daß der Drain-Source-Strom jedes
Elements immer einen konstanten Wert annimmt, wie oben anhand von Fig.2 erläutert Wenn der Analogs''
schalter 19 mittels der Umschaltesteuerschaltung 18 nacheinander umgeschaltet wird, werden die Spannungen
entsprechend den Verknüpfungspunkten A, Buna C an den negativen Eingangsanschluß des Differentialverstärkers
21 angelegt. Die Regelwiderstände 23, 24 und 25 in den Rückkopplungswegen werden ebenso wie die
Bezugsvorspannungsquelle 22, die die Bezugsvorspannung Vr erzeugt, so eingestellt, daß bei Änderung des
Betriebspunktes jedes elektrochemisch empfindlichen Elements mit Hilfe der Widerstände der Betriebspunkt
4"' wieder hergestellt wird. Es wird also jedes elektrochemisch
empfindliche Element im Verlauf der Messung ständig auf einen zu Beginn der Messung eingestellten
Arbeitspunkt gehalten, wodurch die Meßgenauigkeit verbessert und die Meßzeit verkürzt wird. Das schnelle
"'" Ansprechvermögen des als Halbleiter ausgebildeten
lonenmeßfühlers kann also voll ausgenutzt werden. Die genannte Einstellung erfolgt durch Benutzung einer
Standardflüssigkeit mit bekannter lonenkonzentration.
Bei dem hie» beschriebenen Ausführungsbeispiel hat
"'"' der Ionenmeßfühler 3 drei IG FET; aber es können auch
mehr als drei derartige Elemente vorgesehen soin. Außerdem können die Widerstandswerte der mit dem
Sourceanschluß jedes Transistors verbundenen Bezugswiderstände 9,10,11 variabel sein.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
Claims (1)
1. Vorrichtung zum Feststellen chemischer Substanzen
mit einem eine Vielzahl elektrochemisch empfindliche Elemente aufweisenden Meßfühler,
welche als IG FET auf einem oder mehreren Substraten ausgebildet sind und elektrochemisch
empfindliche Bereiche haben, welche wahlweise gegenüber bestimmten unterschiedlichen Substanzen
empfindlich sind, und mit einer Bezugselektrode, von denen mindestens die chemisch empfindlichen
Bereiche und die eine Bezugselektrode zum Feststellen unterschiedlicher Substanzen in der
Testsubstanz in Berührung gebracht sind, gekennzeichnet durch Bezugswiderstände (9,
10, 11), die an die Sourceanschlüsse der elektrochemisch
empfindlichen Elemente (4,5,6) angeschlossen sind, erste Verstärker (12, 13, 14), die einerseits mit
den Bezugswiderständen (9,10,11) und andererseits
mit einem Differentialverstärker (21) in Verbindung stehen, des- an die ersten Verstärker (12, 13, 14)
gemeinsam angeschlossen ist und zwei Eingangsanschlüsse hat, an deren einen die Ausgangsspannung
der ersten Verstärker (12, 13, 14) und an dessen anderem Eingangsanschluß eine steuerbare Bezugsvorspannung anliegt, wobei der Ausgang des
Differentialverstärkers (21) m·: der Bezugselektrode
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Families Citing this family (16)
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---|---|---|---|---|
EP0065202B1 (de) * | 1981-05-15 | 1986-03-12 | Licentia Patent-Verwaltungs-GmbH | Verfahren zur Messung von Ionenkonzentrationen |
JPS5924244A (ja) * | 1982-08-02 | 1984-02-07 | Hitachi Ltd | マルチセンサの製造方法 |
JPS60128345A (ja) * | 1983-12-15 | 1985-07-09 | Olympus Optical Co Ltd | イオン濃度測定装置 |
US4739380A (en) * | 1984-01-19 | 1988-04-19 | Integrated Ionics, Inc. | Integrated ambient sensing devices and methods of manufacture |
JPS60174945A (ja) * | 1984-02-21 | 1985-09-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | イオン活量測定装置用プロ−ブアセンブリ− |
DE3519436A1 (de) * | 1985-05-30 | 1986-12-04 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Sensor fuer gasanalyse |
DE3519397A1 (de) * | 1985-05-30 | 1986-12-04 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Sensor fuer gasanalyse bzw. -detektion |
DE3519410A1 (de) * | 1985-05-30 | 1986-12-04 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Betriebsverfahren und sensor fuer gasanalyse |
US4743954A (en) * | 1985-06-07 | 1988-05-10 | University Of Utah | Integrated circuit for a chemical-selective sensor with voltage output |
JP2577981B2 (ja) * | 1988-12-14 | 1997-02-05 | 株式会社堀場製作所 | プロセス用イオン測定装置 |
US5144247A (en) * | 1991-02-14 | 1992-09-01 | Westinghouse Electric Corp. | Method and apparatus for reducing IR error in cathodic protection measurements |
DE19857953C2 (de) * | 1998-12-16 | 2001-02-15 | Conducta Endress & Hauser | Vorrichtung zum Messen der Konzentration von Ionen in einer Meßflüssigkeit |
EP1422280A4 (de) * | 2001-07-31 | 2006-05-03 | Asahi Glass Co Ltd | Fleckenschutzmittel, sie enthaltende beschichtungszusammensetzungen sowie beschichtete gegenstände |
US7544979B2 (en) * | 2004-04-16 | 2009-06-09 | Technion Research & Development Foundation Ltd. | Ion concentration transistor and dual-mode sensors |
KR20060101973A (ko) * | 2005-03-22 | 2006-09-27 | 삼성엔지니어링 주식회사 | 염소 농도 측정용 센서 및 이를 구비한 정수 장치 |
US9726627B2 (en) | 2014-01-28 | 2017-08-08 | Ecolab Usa Inc. | Electrochemical sensor and method of using same |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3709796A (en) * | 1970-06-05 | 1973-01-09 | American Limnetics Instr Inc | Method of using self-compensating electrode system |
US4020830A (en) * | 1975-03-12 | 1977-05-03 | The University Of Utah | Selective chemical sensitive FET transducers |
JPS5466194A (en) * | 1977-11-04 | 1979-05-28 | Kuraray Co | Fet sensor |
NL187546C (nl) * | 1978-11-06 | 1991-11-01 | Philips Nv | Meetinrichting voorzien van een veldeffekttransistor voor het meten van een de geleiding in het kanaal van de veldeffekttransistor beinvloedende uitwendige grootheid. |
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JPS5639454A (en) | 1981-04-15 |
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US4332658A (en) | 1982-06-01 |
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