DE3221180C2 - - Google Patents

Info

Publication number
DE3221180C2
DE3221180C2 DE3221180A DE3221180A DE3221180C2 DE 3221180 C2 DE3221180 C2 DE 3221180C2 DE 3221180 A DE3221180 A DE 3221180A DE 3221180 A DE3221180 A DE 3221180A DE 3221180 C2 DE3221180 C2 DE 3221180C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
substrate
semiconductor substrate
impurity
semiconductor
vessel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE3221180A
Other languages
English (en)
Other versions
DE3221180A1 (de
Inventor
Hideaki Itama Hyogo Jp Arima
Tadashi Nishimura
Masahiro Yoneda
Takaaki Itami Hyogo Jp Fukumoto
Yoshihiro Amagasaki Hyogo Jp Hirata
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP8779981A external-priority patent/JPS57202729A/ja
Priority claimed from JP8780081A external-priority patent/JPS57202726A/ja
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Publication of DE3221180A1 publication Critical patent/DE3221180A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3221180C2 publication Critical patent/DE3221180C2/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
    • H01L21/225—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a solid phase, e.g. a doped oxide layer
    • H01L21/2251—Diffusion into or out of group IV semiconductors
    • H01L21/2254—Diffusion into or out of group IV semiconductors from or through or into an applied layer, e.g. photoresist, nitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
    • C30B31/18—Controlling or regulating
    • C30B31/185—Pattern diffusion, e.g. by using masks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
    • H01L21/223—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a gaseous phase
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/2636—Bombardment with radiation with high-energy radiation for heating, e.g. electron beam heating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung, bei dem man wenigstens einen Teil der Oberfläche eines Halbleitersubstrats freilegt, eine Gasatmosphäre einschließlich einer Verunreinigung über das Substrat leitet und eine Verunreinigungsschicht auf der freiligenden Oberfläche des Halbleitersubstrats ausbildet. Die Erfindung betrifft auch eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens.
Aus der DE-AS 19 55 130 ist ein Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen mit eindiffundierten Stör­ stellenfronten bekannt. Dort werden zum Herstellen dotier­ ter Zonen geringer Tiefe und hoher Oberflächenkonzentra­ tion des Dotierungsstoffes in Halbleiterkörpern der zu dotierende Halbleiterkörper zunächst in einem Trägergas aufgeheizt. Dem Trägergas werden dann Dotierungsstoffe zugemischt, das Gemisch wird über den Halbleiterkörper geleitet, wobei man das Trägergas so auswählt, daß das Eindringen des Dotierungsstoffes in den Halbleiterkörper nicht durch eine diffusionshemmende Schicht behindert wird.
Aus der DE-OS 25 13 034 ist ebenfalls die Herstellung von dotierten dünnen Halbleiterschichten bekannt, wobei man in einer Vakuumkammer arbeitet und die Halbleiter­ substanz von einer in der Kammer befindlichen Treff­ kammer verflüchtigt. Der Halbleiter selbst wird dort als Treffplatte verwendet, und diese Treffplatte ist auf ein vorbestimmtes negatives Potential gebracht und gekühlt worden.
Aus der US-PS 35 40 925 ist es bekannt, bei der Herstellung einer Halbleitervorrichtung ein Plasma zu benutzen, um einen Feldeffekttransistor herzustellen. Dazu wird die dielektrische Schicht unter einer Gitterelektrode einer Ionenbombardierung ausgesetzt. Schließlich ist aus der US-PS 41 47 563 die Herstellung von Solarzellen unter An­ wendung von Laserstrahl-Verfahren bekannt.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein vorteilhaftes Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung zur Verfügung zu stellen, bei dem man eine Leitfähigkeitsschicht mit einer gewünschten flachen Tiefe bei sehr niedrigen Tem­ peraturen erhalten kann.
Diese Aufgabe wird durch das Verfahren gemäß dem Patent­ anspruch 1 gelöst. Die Unteransprüche beinhalten bevor­ zugte Ausführungsformen. Weiterhin wird gemäß Anspruch 5 eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens gezeigt, wobei die Unteransprüche 6 bis 10 bevorzugte Ausführungs­ formen darstellen.
Fig. 1 ist eine schematische Darstellung einer Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform der Erfindung, und
Fig. 2 ist eine schematische Darstellung einer Vorrichtung gemäß einer zweiten Ausfüh­ rungsform der Erfindung.
Fig. 1 ist eine schematische Beschreibung einer Vor­ richtung zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung. In der Figur schließt ein monokristallines Halblei­ tersubstrat 1 eine Isolierschicht 1 a, die an deren Oberfläche anhaftet und Öffnungen 1 b aufweist, ein. Ein geschlossenes Gefäß wird innen evakuiert und eine Verunreinigung, welche die Leitfähigkeit des monokristallinen Silikonsubstrats 1 ergibt und die Phosphor, Fluor, Arsen, Bor und/oder Antimon enthält, wird als Bestandteil der Gasatmosphäre in das ge­ schlossene Gefäß 2 eingebracht. Ein Unterstützungs­ organ 3 wird in das geschlossene Gefäß 2 eingebracht und trägt das monokristalline Silikonsubstrat 1. Das Unterstützungsorgan 3 kann auf etwa 500°C erhitzt werden und sein Potential kann außerhalb des ge­ schlossenen Gefäßes 2 eingestellt werden. Ein Fila­ ment 4, das in dem verschlossenen Gefäß 2 angeordnet ist, wirkt als Elektronenerzeuger und belädt das monokristalline Silikonsubstrat 1 mit einer negativen Polarität, wodurch das Substrat 1 ein Eigenpotential bildet. Hochfrequenzelektroden 5 und 6 wandeln das in das geschlossene Gefäß 2 eingebrachte atmosphäri­ sche Gas in den Plasmazustand um. Eine Elektrode 5 ist in dem verschlossenen Gefäß 2 angebracht und wird geerdet und die andere Elektrode 6 befindet sich ge­ genüber der Elektrode 5 und wird mit einer Hochfrequenz­ quelle 8 niedriger Spannung in der Nähe von 100 V ver­ bunden. Eine einen Teilchenstrahl abgebende Vorrichtung 7 erzeugt einen Energiestrahl 7 a, z. B. einen Laser- oder Elektronenstrahl, durch den ein bestimmter Teil des monokristallinen Silikonsubstrats unter Überwachung mittels eines Überwachungsorgans 9, wie einem Spiegel, bestrahlt wird.
Um die vorerwähnte Vorrichtung zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung zu verwenden, wird das mono­ kristalline Silikonsubstrat 1 mit dem freiliegenden Teil 1 b auf das Unterstützungsorgan 3 aufgebracht und in das Gefäß 2 wird ein atmosphärisches Gas einge­ bracht, welches die Verunreinigung enthält und durch welches die Leitfähigkeit des monokristallinen Sili­ konsubstrats 1 bewirkt wird. An die Hochfrequenzquelle 8 wird Energie angelegt und das atmosphärische Gas zwischen den Elektroden 5 und 6 in ein Plasma überführt. Gleichzeitig werden am Filament 4 Elektronen erzeugt, durch welche das monokristalline Silikonsubstrat 1 eine negative Polarität erhält. Dann werden die Verunrei­ nigungen in dem Plasma zwischen den Hochfrequenz­ elektroden 5 und 6 zum Mittelteil des verschlossenen Gefässes 2 diffundiert und scheiden sich an den freilie­ genden Teilen 1 b des Substrates 1 ab und haften daran und eliminieren den Ladungszustand des monokristallinen Silikonsubstrats 1.
Nach dem Abscheiden und Anhaften der Verunreinigungen an die Teile 1 b des Halbleitersilikonsubstrats 1 oder gleichzeitig zusammen mit deren Abscheidung und Anhaftung wird die Strahlenerzeugungsvorrichtung 7 in Betrieb ge­ nommen und ein Energiestrahl 7 a, der mittels der Über­ wachungsvorrichtung 9 überwacht wird, bestrahlt eine gewünschte Oberfläche des Substrats 1. Die an der Oberfläche des monokristallinen Silikonsubstrats 1 abgeschiedenen und anhaftenden Verunreinigungen reagie­ ren und diffundieren durch die Bestrahlung mit dem Energiestrahl 7 a, wodurch eine Verunreinigungsleitfä­ higkeitsschicht mit einer sehr kleinen Tiefe und in hoher Konzentration innerhalb des Substrats 1 ausge­ bildet wird. Durch Inbetriebnahme der Überwachungsvor­ richtung 9 kann die Position des Strahls 7 a verändert werden und infolgedessen kann die Verunreinigungsleit­ fähigkeitsschicht an jedem gewünschten Teil des mono­ kristallinen Silikonsubstrats 1 ausgebildet werden.
Untersucht man eine auf diese Weise hergestellte Halb­ leitervorrichtung, so kann man keine Defekte in der Verunreinigungsleitfähigkeitsschicht innerhalb des monokristallinen Silikonsubstrats 1, die durch die hochkonzentrierte Verunreinigungsschicht, die an dem Substrat anhaftet, gebildet wird, feststellen. Deshalb ist auch keine Wärmebehandlung zur Behebung solcher Defekte erforderlich. Die Diffundierung kann bei einer niedrigen Temperatur erfolgen und die Bildung einer Lötstelle in einer geringen Tiefe läßt sich sehr ein­ fach durchführen. Eine zweite Wirkung besteht darin, daß die Feinheit der Vorrichtungsstruktur verbessert wird.
Fig. 2 ist eine schematische Darstellung einer zwei­ ten Ausführungsform einer Vorrichtung zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung. Um das monokristalline Silikonsubstrat 1 zu beladen wird das Substrat 1 ge­ erdet und eine Elektrode 4, die mit einer Gleich­ stromquelle verbunden ist, wird oberhalb des Substrats 1 angelegt. Um innerhalb des monokristallinen Silikon­ substrats 1 eine Verunreinigungsleitfähigkeitsschicht auszubilden, unter Anwendung einer auf dem Substrat 1 abgeschiedenen und anhaftenden Verunreinigung, wird das Trägerorgan 3 erhitzt, wodurch die auf dem Sub­ strat 1 abgeschiedene und anhaftende Verunreinigung einer Wärmebehandlung unterworfen wird. Die Auswahl der Temperatur des Halbleitersubstrats 1 und die Zeit, d. h. die Temperatur des Trägerorgans 3 und die Erwärmungs­ zeit, ermöglichen die Diffusion einer gewünschten Ver­ unreinigungsleitfähigkeitsschicht.
Die unter Verwendung der in Fig. 2 gezeigten Vorrichtung gebildete Halbleitervorrichtung ist die gleiche, wie man sie auch unter Anwendung der Vorrichtung gemäß Fig. 1 erhält.
Obwohl eine Hochfrequenzentladung zur Ausbildung des Plasmas bei den obigen Ausführungsformen angewendet wird, sind auch andere Systeme, wie Elektronenschauer, geeignet. Erfindungsgemäß wird ein Halbleitersubstrat mit einer Oberfläche, die wenigstens zum Teil freiliegt, in eine gasförmige Plasmaatmosphäre einer Verunreini­ gung eingebracht und ein Potentialabfall oder -abstieg wird an das Halbleitersubstrat angelegt, wodurch sich eine Verunreinigungsschicht auf den freiliegenden Tei­ len der Oberfläche des Substrats bildet und dann hinein­ diffundiert. Da Leitfähigkeitsdefekte innerhalb des Halbleitersubstrats einschließlich der Verunreinigungs­ schicht nicht gebildet werden, kann durch die Erfin­ dung eine nachfolgende Wärmebehandlung zur Ausbesse­ rung der Defekte vermieden werden. Infolgedessen ist eine Diffundierung bei niedrigen Temperaturen möglich und man kann Lötstellen in sehr niedrigen Tiefen sehr leicht bilden und die Feinheit der Vorrichtung wird erhöht.

Claims (9)

1. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung, bei dem man wenigstens einen Teil der Oberfläche (1 b) eines Halbleitersubstrats (1) freilegt und eine Gasatmosphäre einschließlich einer Verunreinigung über das Substrat leitet, und eine Verunreinigungsschicht auf der frei­ liegenden Oberfläche (1 b) des Halbleitersubstrates (1) aus­ bildet, dadurch gekennzeichnet, daß man die Atmosphäre in den Plasmazustand bringt und durch Bestrahlen mit einem Elektronenstrahl oder -schauer eine Veränderung des Potentials in dem Halbleitersubstrat (1) und dadurch eine elektrostatische Haftung der Verunreinigung an der freigelegten Oberfläche (1 b) bewirkt.
2. Verfahren gemäß Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß man als Verunreinigungen Phosphor, Fluor, Arsen, Bor und/oder Antimon verwendet.
3. Verfahren gemäß Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Gasatmosphäre, welche die Verun­ reinigungen im Plasmazustand enthält, ein Trägergas enthält.
5. Vorrichtung zur Herstellung einer Halbleitervor­ richtung gemäß Anspruch 1, gekennzeichnet durch ein verschlossenes Gefäß (2) mit einem darin ange­ ordneten Halbleitersubstrat (1), wobei in das Gefäß (2) ein eine Verunreinigung enthaltendes Gas eingeleitet wird; einer innerhalb des verschlossenen Gefäßes zur Anlegung eines Potentials an das Halbleitersubstrat installierte Elektrode (5); Mittel zum Umwandeln des Gases in ein Plasma und Mittel zur Bestrahlung einer Oberfläche des Halb­ leitersubstrats.
6. Vorrichtung gemäß Anspruch 5, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Elektrode (5) eine Elektronen­ quelle für die indirekte Aufladung des Substrates ist.
7. Vorrichtung gemäß Anspruch 5, gekenn­ zeichnet durch eine an einer Gleichstromquelle an­ geschlossene Elektrode und Einrichtung (6, 8) zum Anlegen eines Potentials an das Substrat von außerhalb des Gefäßes.
8. Vorrichtung gemäß Anspruch 5, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Umwandlungsvorrichtung aus wenigstens einem Elektrodenpaar (5) und einer Hoch­ frequenzniedrigspannungsquelle, die an die Elektroden angeschlossen ist, besteht.
9. Vorrichtung gemäß Anspruch 5, dadurch gekenn­ zeichnet, daß das Bestrahlungsmittel ein Laser ist.
10. Vorrichtung gemäß Anspruch 5, dadurch gekenn­ zeichnet, daß das Bestrahlungsmittel eine Elektronenstrahlvorrichtung ist.
DE19823221180 1981-06-05 1982-06-04 Verfahren und vorrichtung zur herstellung einer halbleitervorrichtung Granted DE3221180A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8779981A JPS57202729A (en) 1981-06-05 1981-06-05 Manufacture of semiconductor device
JP8780081A JPS57202726A (en) 1981-06-05 1981-06-05 Manufacture of semiconductor device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3221180A1 DE3221180A1 (de) 1983-01-05
DE3221180C2 true DE3221180C2 (de) 1989-11-23

Family

ID=26429044

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19823221180 Granted DE3221180A1 (de) 1981-06-05 1982-06-04 Verfahren und vorrichtung zur herstellung einer halbleitervorrichtung

Country Status (2)

Country Link
US (1) US4465529A (de)
DE (1) DE3221180A1 (de)

Families Citing this family (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4618381A (en) * 1983-05-26 1986-10-21 Fuji Electric Corporate Research And Development Ltd. Method for adding impurities to semiconductor base material
US4698104A (en) * 1984-12-06 1987-10-06 Xerox Corporation Controlled isotropic doping of semiconductor materials
US4912065A (en) * 1987-05-28 1990-03-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Plasma doping method
KR930003857B1 (ko) * 1987-08-05 1993-05-14 마쯔시다덴기산교 가부시기가이샤 플라즈마 도우핑방법
US5180690A (en) * 1988-12-14 1993-01-19 Energy Conversion Devices, Inc. Method of forming a layer of doped crystalline semiconductor alloy material
AU5977190A (en) * 1989-07-27 1991-01-31 Nishizawa, Junichi Impurity doping method with adsorbed diffusion source
EP0417456A3 (en) * 1989-08-11 1991-07-03 Seiko Instruments Inc. Method of producing semiconductor device
CA2031254A1 (en) * 1989-12-01 1991-06-02 Kenji Aoki Doping method of barrier region in semiconductor device
EP0505877A2 (de) * 1991-03-27 1992-09-30 Seiko Instruments Inc. Dotierungsverfahren mittels einer adsorbierten Diffusionsquelle
JP3285934B2 (ja) * 1991-07-16 2002-05-27 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
US5424244A (en) * 1992-03-26 1995-06-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Process for laser processing and apparatus for use in the same
JP3430552B2 (ja) * 1993-05-07 2003-07-28 ソニー株式会社 ダイヤモンド半導体の製造方法
DE4331937A1 (de) * 1993-09-16 1994-03-17 Ulrich Prof Dr Mohr Verfahren zur Eindiffusion von Dotanten in Halbleiterfestkörper
US5543356A (en) * 1993-11-10 1996-08-06 Hitachi, Ltd. Method of impurity doping into semiconductor
US5851906A (en) * 1995-08-10 1998-12-22 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Impurity doping method
JP3080867B2 (ja) 1995-09-25 2000-08-28 日本電気株式会社 Ｓｏｉ基板の製造方法
TW371776B (en) * 1995-10-15 1999-10-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Laser irradiation apparatus and method
US6451674B1 (en) * 1998-02-18 2002-09-17 Matsushita Electronics Corporation Method for introducing impurity into a semiconductor substrate without negative charge buildup phenomenon
US7166524B2 (en) * 2000-08-11 2007-01-23 Applied Materials, Inc. Method for ion implanting insulator material to reduce dielectric constant
US6893907B2 (en) 2002-06-05 2005-05-17 Applied Materials, Inc. Fabrication of silicon-on-insulator structure using plasma immersion ion implantation
US7223676B2 (en) 2002-06-05 2007-05-29 Applied Materials, Inc. Very low temperature CVD process with independently variable conformality, stress and composition of the CVD layer
US7294563B2 (en) * 2000-08-10 2007-11-13 Applied Materials, Inc. Semiconductor on insulator vertical transistor fabrication and doping process
US6939434B2 (en) * 2000-08-11 2005-09-06 Applied Materials, Inc. Externally excited torroidal plasma source with magnetic control of ion distribution
US7430984B2 (en) * 2000-08-11 2008-10-07 Applied Materials, Inc. Method to drive spatially separate resonant structure with spatially distinct plasma secondaries using a single generator and switching elements
US7037813B2 (en) * 2000-08-11 2006-05-02 Applied Materials, Inc. Plasma immersion ion implantation process using a capacitively coupled plasma source having low dissociation and low minimum plasma voltage
US7465478B2 (en) 2000-08-11 2008-12-16 Applied Materials, Inc. Plasma immersion ion implantation process
US7094316B1 (en) 2000-08-11 2006-08-22 Applied Materials, Inc. Externally excited torroidal plasma source
US7094670B2 (en) 2000-08-11 2006-08-22 Applied Materials, Inc. Plasma immersion ion implantation process
US7320734B2 (en) * 2000-08-11 2008-01-22 Applied Materials, Inc. Plasma immersion ion implantation system including a plasma source having low dissociation and low minimum plasma voltage
US7288491B2 (en) * 2000-08-11 2007-10-30 Applied Materials, Inc. Plasma immersion ion implantation process
US7137354B2 (en) * 2000-08-11 2006-11-21 Applied Materials, Inc. Plasma immersion ion implantation apparatus including a plasma source having low dissociation and low minimum plasma voltage
US7303982B2 (en) * 2000-08-11 2007-12-04 Applied Materials, Inc. Plasma immersion ion implantation process using an inductively coupled plasma source having low dissociation and low minimum plasma voltage
US7479456B2 (en) 2004-08-26 2009-01-20 Applied Materials, Inc. Gasless high voltage high contact force wafer contact-cooling electrostatic chuck
US7183177B2 (en) * 2000-08-11 2007-02-27 Applied Materials, Inc. Silicon-on-insulator wafer transfer method using surface activation plasma immersion ion implantation for wafer-to-wafer adhesion enhancement
US7244474B2 (en) 2004-03-26 2007-07-17 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition plasma process using an ion shower grid
US7291360B2 (en) 2004-03-26 2007-11-06 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition plasma process using plural ion shower grids
US7695590B2 (en) 2004-03-26 2010-04-13 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition plasma reactor having plural ion shower grids
US20050211547A1 (en) * 2004-03-26 2005-09-29 Applied Materials, Inc. Reactive sputter deposition plasma reactor and process using plural ion shower grids
US8058156B2 (en) 2004-07-20 2011-11-15 Applied Materials, Inc. Plasma immersion ion implantation reactor having multiple ion shower grids
US7767561B2 (en) 2004-07-20 2010-08-03 Applied Materials, Inc. Plasma immersion ion implantation reactor having an ion shower grid
US7666464B2 (en) * 2004-10-23 2010-02-23 Applied Materials, Inc. RF measurement feedback control and diagnostics for a plasma immersion ion implantation reactor
US7428915B2 (en) * 2005-04-26 2008-09-30 Applied Materials, Inc. O-ringless tandem throttle valve for a plasma reactor chamber
US20060260545A1 (en) * 2005-05-17 2006-11-23 Kartik Ramaswamy Low temperature absorption layer deposition and high speed optical annealing system
US7109098B1 (en) 2005-05-17 2006-09-19 Applied Materials, Inc. Semiconductor junction formation process including low temperature plasma deposition of an optical absorption layer and high speed optical annealing
US7312162B2 (en) * 2005-05-17 2007-12-25 Applied Materials, Inc. Low temperature plasma deposition process for carbon layer deposition
US7422775B2 (en) * 2005-05-17 2008-09-09 Applied Materials, Inc. Process for low temperature plasma deposition of an optical absorption layer and high speed optical annealing
US7335611B2 (en) * 2005-08-08 2008-02-26 Applied Materials, Inc. Copper conductor annealing process employing high speed optical annealing with a low temperature-deposited optical absorber layer
US7323401B2 (en) * 2005-08-08 2008-01-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate process using a low temperature deposited carbon-containing hard mask
US7429532B2 (en) * 2005-08-08 2008-09-30 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate process using an optically writable carbon-containing mask
US7312148B2 (en) * 2005-08-08 2007-12-25 Applied Materials, Inc. Copper barrier reflow process employing high speed optical annealing
WO2008089168A2 (en) * 2007-01-19 2008-07-24 Applied Materials, Inc. Plasma immersion chamber

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US361734A (en) * 1887-04-26 Bekghe
US2816847A (en) * 1953-11-18 1957-12-17 Bell Telephone Labor Inc Method of fabricating semiconductor signal translating devices
US3428546A (en) * 1966-09-27 1969-02-18 Atomic Energy Commission Apparatus for vacuum deposition on a negatively biased substrate
US3540925A (en) * 1967-08-02 1970-11-17 Rca Corp Ion bombardment of insulated gate semiconductor devices
US3576685A (en) * 1968-03-15 1971-04-27 Itt Doping semiconductors with elemental dopant impurity
US3649388A (en) * 1968-11-04 1972-03-14 Ibm Method for making a semiconductor device having a shallow flat front diffusion layer
US3718502A (en) * 1969-10-15 1973-02-27 J Gibbons Enhancement of diffusion of atoms into a heated substrate by bombardment
US3907616A (en) * 1972-11-15 1975-09-23 Texas Instruments Inc Method of forming doped dielectric layers utilizing reactive plasma deposition
FR2265872B1 (de) * 1974-03-27 1977-10-14 Anvar
DE2457969A1 (de) * 1974-12-07 1976-06-10 Philips Patentverwaltung Verfahren zur ausbildung einer diffundierten zone an der oberflaeche eines halbleiterkoerpers
FR2394173A1 (fr) * 1977-06-06 1979-01-05 Thomson Csf Procede de fabrication de dispositifs electroniques qui comportent une couche mince de silicium amorphe et dispositif electronique obtenu par un tel procede
US4147563A (en) * 1978-08-09 1979-04-03 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Method for forming p-n junctions and solar-cells by laser-beam processing
JPS5562778A (en) * 1978-11-02 1980-05-12 Fuji Photo Film Co Ltd Preparation of photoconductor film
US4229232A (en) * 1978-12-11 1980-10-21 Spire Corporation Method involving pulsed beam processing of metallic and dielectric materials
DD150479A1 (de) * 1979-01-29 1981-09-02 Hans Bruchlos Verfahren und vorrichtung zum aufbringen von duennen schichten
JPS568816A (en) * 1979-07-04 1981-01-29 Fujitsu Ltd Manufacture of amorphous silicon film
JPS5633822A (en) * 1979-08-29 1981-04-04 Hitachi Ltd Preparation of semiconductor device
CA1159012A (en) * 1980-05-02 1983-12-20 Seitaro Matsuo Plasma deposition apparatus
US4340617A (en) * 1980-05-19 1982-07-20 Massachusetts Institute Of Technology Method and apparatus for depositing a material on a surface
US4364778A (en) * 1980-05-30 1982-12-21 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Formation of multilayer dopant distributions in a semiconductor
US4342631A (en) * 1980-06-16 1982-08-03 Illinois Tool Works Inc. Gasless ion plating process and apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
US4465529A (en) 1984-08-14
DE3221180A1 (de) 1983-01-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3221180C2 (de)
DE3118785C2 (de)
DE1933690C3 (de) Verfahren zum Herstellen eines mindestens bereichsweise einkristallinen Films auf einem Substrat
DE2412102C2 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen einer dotierten Halbleiterzone und einer ohmschen Kontaktdoppelschicht hierauf
DE3417192C2 (de) Vorrichtung zur Bildung eines amorphen Siliziumfilms
EP0195106B1 (de) Herstellung einer Abhebemaske und ihre Anwendung
DE2824564A1 (de) Verfahren zum herstellen von elektronischen einrichtungen
DE1966237B2 (de) Verfahren zur Erhöhung des Gradienten von elektrisch aktiven Störstellenkonzentrationen
DE2354523C3 (de) Verfahren zur Erzeugung von elektrisch isolierenden Sperrbereichen in Halbleitermaterial
DE3330032A1 (de) Behandlungsverfahren zum herbeifuehren plastischen fliessens einer glasschicht auf einem halbleiterplaettchen
DE19534574C2 (de) Dotierverfahren zur Herstellung von Homoübergängen in Halbleitersubstraten
DE10205323A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
DE2050497A1 (de) Verfahren zur Steigerung der Diffu sion von Atomen in eine erhitzte Unter lage durch Bombardierung
DE2917654A1 (de) Anordnung und verfahren zum selektiven, elektrochemischen aetzen
DE69838226T2 (de) Verfahren zur plasmabehandlung
DE1544275A1 (de) Herstellung von Halbleitervorrichtungen
DE1640486C3 (de) Verfahren zum reaktiven Zerstäuben von elementarem Silicium
DE4217836C2 (de) Photolackentfernungsverfahren
DE2231891A1 (de) Verfahren zum herstelllen amorpher halbleiterschichten
DE2705468A1 (de) Verfahren zur herstellung von transistoren durch ionenimplantation
DE4010595A1 (de) Verfahren zur bildung eines kristallinen films
EP0307608B1 (de) Anordnung zur Durchführung eines Ausheilprozesses an einer Halbleiterscheibe und Verfahren zum Ausheilen einer Halbleiterscheibe
DE4203804A1 (de) Verfahren zur kontaktierung von leitenden strukturen in hoechstintegrierten schaltkreisen
DE2162219A1 (de) Verfahren zum Herstellen eines Feldeffekttransistors
DE3714920C1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Duennschicht-Solarzellenanordnung

Legal Events

Date Code Title Description
OR8 Request for search as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law
8125 Change of the main classification

Ipc: H01L 21/225

8126 Change of the secondary classification

Free format text: H01L 21/268 H05H 1/46

8110 Request for examination paragraph 44
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8320 Willingness to grant licences declared (paragraph 23)