DE3225780C2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- DE3225780C2 DE3225780C2 DE3225780A DE3225780A DE3225780C2 DE 3225780 C2 DE3225780 C2 DE 3225780C2 DE 3225780 A DE3225780 A DE 3225780A DE 3225780 A DE3225780 A DE 3225780A DE 3225780 C2 DE3225780 C2 DE 3225780C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- metal
- pole
- layer
- insulating layer
- protective
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/4902—Electromagnet, transformer or inductor
- Y10T29/49021—Magnetic recording reproducing transducer [e.g., tape head, core, etc.]
- Y10T29/49032—Fabricating head structure or component thereof
- Y10T29/49036—Fabricating head structure or component thereof including measuring or testing
- Y10T29/49043—Depositing magnetic layer or coating
- Y10T29/49044—Plural magnetic deposition layers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/4902—Electromagnet, transformer or inductor
- Y10T29/49021—Magnetic recording reproducing transducer [e.g., tape head, core, etc.]
- Y10T29/49032—Fabricating head structure or component thereof
- Y10T29/49036—Fabricating head structure or component thereof including measuring or testing
- Y10T29/49043—Depositing magnetic layer or coating
- Y10T29/49046—Depositing magnetic layer or coating with etching or machining of magnetic material
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum präzisen
Ausrichten der Polspitzen eines Dünnfilm-Magnetkopfes nach dem
Oberbegriff des Anspruchs 1.
Dünnfilm-Magnetköpfe sind notwendigerweise Elemente
mit hohen Toleranzen, die dazu verwendet werden, Informationen
auf verschiedene Magnetmedien, wie z. B. schnell rotierende
magnetische Platten, zu schreiben bzw. von ihnen zu lesen.
Bisher wurden die Polschuhe dieser Magnetköpfe, d. h. die
Elemente, die mit dem Magnetmedium in Wechselwirkung stehen
bzw. ihm gegenüberliegen, nicht so kontrolliert, daß eine
gleichmäßige Breite und eine präzise Ausrichtung der
individuellen Pole eines einzelnen Polpaares sichergestellt
war.
Obwohl ungleiche Paare bisher kein ernsthaftes
Problem bei der Anwendung von Dünnfilmköpfen bei bisherigen
Magnetmedien und bei gegenwärtig auf dem Markt befindlichen
Scheiben- bzw. Plattenantriebssystemen verursacht haben, so
werden doch zukünftige Anwendungen mit höherer Flächendichte
die Einhaltung erheblich strengerer Dimensionierungstoleranzen
der Köpfe erfordern. So werden beispielsweise in nicht zu
ferner Zukunft Magnetplatten- bzw.
-scheibenaufzeichnungssysteme verwendet werden, die viele
hundert Spuren pro cm aufweisen. Derartige Systeme werden
höchstwahrscheinlich so aufgebaut sein, daß die Spurbreite für
die lesbare Information nur noch 0,02 mm (0,8 mils) oder
weniger beträgt. Ungleiche und/oder unkorrekt ausgerichtete
Pole werden dann nicht mehr mit dem Medium dieser Systeme in
Wechselwirkung treten, ohne daß im Lesezyklus Nebensprechen
von anderen Spuren und beim Schreibzyklus fehlererzeugende
Signale auftreten.
Aufgrund der verhältnismäßig sehr engen Toleranzen
der Polschuhe hat sich die Herstellung von Polpaaren mit im
wesentlichen gleicher Breite und präziser Ausrichtung
gegeneinander als äußerst schwierig dargestellt. In diesem
Zusammenhang sei daran erinnert, daß bei heute auf dem Markt
befindlichen Plattenantriebssystemen die Dicke der
durchschnittlichen Magnetkopfpole lediglich ca. 1,78 µm-
3,05 µm (70-120 micro inches) und die Breite ca. 22,9 µm-
35,6 µm (0,9-1,4 mils) beträgt. Vor der vorliegenden
Erfindung basierten Versuche zur Herstellung von Polen
gleicher Breite und mit präziser Ausrichtung lediglich auf
empirischen Methoden (Versuch und Irrtum) und zufälligen
Fabrikationsvariablen, die sicherlich nicht mehr akzeptabel
sind, wenn die Anforderungen an die Toleranzen höher werden,
wie bei den erwähnten Magnetsystemen hoher Dichte.
Aus IEE Transactions on Magnetics, Vol. MAG-11, Nr.
1, Januar 1975, Seiten 50 bis 55 ist ein Verfahren zur
Herstellung eines Dünnfilm-Magnetkopfes mit nur einer einzigen
Windung bekannt, von dem der Oberbegriff des Anspruchs 1
ausgeht.
Aufgabe der Erfindung ist es demgegenüber, ein
Verfahren zu schaffen, mit dem parallele Polspitzenpaare für
die Anwendung bei Magnetköpfen präzise ausgerichtet werden
können.
Diese Aufgabe wird durch die im Patentanspruch 1
gekennzeichnete Erfindung gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen
und Weiterbildungen der Erfindung sind den Unteransprüchen zu
entnehmen.
Im folgenden wird die Erfindung anhand eines
Ausführungsbeispiels im Zusammenhang mit der Zeichnung
ausführlicher erläutert. Es zeigen
Fig. 1-5 in Schnittansicht die aufeinanderfolgenden
Schritte des Verfahrens der vorliegenden
Erfindung.
Auf einen geeigneten Träger werden zwei Metall
schichten aufgebracht, die durch eine Isolierschicht getrennt
sind. Die Magnetschichten sollen die endgültigen Polstücke des
Dünnfilm-Magnetkopfes werden, während die Isolierschicht in
der endgültigen Konfiguration als Abstandhalter bleiben soll.
Dieser Abstandhalter wird allgemein als "Spalt"-Bereich
bezeichnet. Die obere Elektrode kann mit verschiedenen
Techniken hergestellt werden. Beispiels
weise wird zuerst ein Photolack auf die obere Fläche der
obersten Magnetschicht aufgebracht. Er wird entsprechend
Größe und Form der fertigen Polschuhe belichtet und die
unbelichteten Bereiche werden zur Erzeugung einer selekti
ven Maske fortgewaschen. Dann wird die obere Magnetschicht
geätzt unter Anwendung eines geeigneten Ätzmittels, wie
z. B. 30 Volumen-% Chloreisen (FeCl3 · 6 H2O) in Äthylenglykol
bei 55 ± 1°C, worauf der Photolack dann entfernt wird.
Die obere Elektrode könnte auch durch Ionen-Fräsen bzw.
Ionen-Ätzen (ion milling) oder durch Schablonen-Galvani
sieren (pattern electroplating) gebildet werden, wie in
der US-PS 38 53 715 beschrieben. In beiden Fällen sollte
eine stromführende Sammelschiene elektrisch mit der Elek
trode während ihrer Formgebung verbunden sein.
Wenn der obere Pol - wie oben beschrieben - geformt ist,
wird er in ein schützendes Metall eingekapselt und als
Maske zum Ätzen der Isolierschicht verwendet. Dieses
schützende Metall ist ätzfest hinsichtlich der für die un
tere Elektrode oder die Isolierschicht verwendeten Ätzmit
tel. Die Isolierschicht und die obere Magnetschicht mit
der Schutzmetallkapselung wird dann zum Maskieren der un
teren Metallschicht bei der Formung des unteren Poles ver
wendet. Vorzugsweis bestehen die Metallschichten aus
Permalloy (Ni-Fe-Legierung), während die Isolierschicht
SiO2 oder Al2O3 ist.
Es sei nun auf die Zeichnung Bezug genommen. Als Träger
für die dargestellte Drei-Schicht-Struktur wird eine Basis
4 verwendet. Auf den Träger 4 ist eine untere Metall
schicht 3, eine isolierende Abstandhalterschicht 2 und
eine obere Metallschicht 1 aufgebracht.
In Fig. 2 ist auf die obere Oberfläche der oberen Magnet
schicht 1 ein Photolack 5 aufgebracht und so belichtet worden, daß
er die Form der oberen Elektrode
definiert. Wenn die obere Elektrode eine Nickel-Eisen-
Legierung ist, so kann sie durch eine Lösung von FeCl3
in Äthylenglykol geätzt werden. Dieses Ätzmittel wird den
Photolack 5 nicht angreifen, während die isolierende
Schicht 2 als Ätz-Stop dient und für die Unversehrtheit
der unteren Metallschicht 3 sorgt.
Die Photolackschicht 5 wird dann entfernt und die obere
Elektrode 1 wird in ein schützendes Metall eingekapselt.
Das schützende Metall muß ein Material sein, welches die
obere Elektrode 1 einkapselt und diese gegenüber später
verwendeten Ätzlösungen für die untere Metallschicht 3
isoliert. Da die Metallschichten 1 und 3 aus gleichem Ma
terial gewählt sind, muß die obere Elektrode 1 vollständig
eingekapselt sein und gegenüber den später verwendeten
Ätzlösungen isoliert sein.
Es wurde gefunden, daß unter den möglichen schützenden
Metallen Silber, Gold und Rhodium die günstigsten sind.
Sie alle können eine ausreichende Schutzbarriere für spä
tere Ätzvorgänge bilden. Von den drei bevorzugten Schutz
metallen wird Rhodium am meisten bevorzugt. Es wurde
gefunden, daß Silber aufgrund seiner chemischen Reaktions
fähigkeit und seiner Neigung zu Langzeitoxydation und
Korrosion, sofern es in der Struktur belassen wird, das
(verhältnismäßig) schlechteste Metall ist. Gold als Edel
metall wird nicht oxydieren, ist jedoch relativ weich und
wird bei Kontakt zwischen den Polspitzen und der magneti
schen Oberfläche, sofern es in der Struktur belassen
wird, verschleißen. Andererseits ist Rhodium ausreichend
hart und oxydationsfest, so daß es das bevorzugteste
Schutzmetall ist. Falls jedoch das Schutzmetall nach der
Herstellung der Pole entfernt wird, so bietet Rhodium
keine wesentlichen Vorteile gegenüber den anderen erwähn
ten Materialien.
Obwohl das Schutzmetall durch alle dem Fachmann bekannten
Einrichtungen bzw. Verfahren aufgebracht werden kann,
wurde gefunden, daß es am günstigsten elektrolytisch
aufgebracht werden kann. Im einzelnen wird eine Stromsam
melschiene mit der oberen Elektrode 1 verbunden und eine
Elektrolytlösung des geeigneten Schutzmetalles wird elek
trolytisch an der oberen Elektrode zum Haften gebracht. Übli
che, im Handel erhältliche Plattier-Lösungen, die bei
spielsweise von den Firmen Lea-Ronal, Inc. und Sel-Rex
erhältlich sind, sind für die Ausführung der Elektro
plattier- bzw. Galvanisiervorgänge beim Abscheiden bzw.
Ablagern der Schutzschicht 6 verwendbar.
Es sei auf Fig. 4 Bezug genommen. Wenn die obere Elektrode
1 geformt und in das Schutzmetall 6 eingekapselt ist, so
wird die Isolierschicht 2 geätzt. Vorzugsweise besteht die
Isolierschicht 2 aus SiO2 und wird mit einer gepufferten
HF-Lösung von 4 Teilen NH4F und 1 Teil HF geätzt.
Wenn in Vakuum abgeschiedenes Al2O3 als Isoliermaterial
verwendet wird, so kann es wie folgt entfernt werden:
- 1. durch Ionenfräsen (ion-milling), wobei in diesem Fall das Schutzmetall 6 ausreichend dick sein muß, um Materialverluste während des Fräsens zu kompensieren;
- 2. durch chemisches Ätzen in einer Mischung von beispiels weise 10 Teilen Salpetersäure, 15 Teilen Fluor-Wasser stoffsäure und 300 Teilen Wasser. In Vakuum abgeschie denes Al2O3 kann auch in 2 : 1 oder 1 : 1 Phosphorsäure : DI-Wassermischung bei 60-80°C geätzt werden. Es sei auf die schräg verlaufenden Wände der Isolierschicht hin gewiesen, die, sofern chemisch geätzt wird, einen ge wissen Grad des Unterätzens repräsentieren, obwohl die Gesamtbreite der Isolierschicht im wesentlichen gleich der Breite der oberen Elektrode ist.
Allerdings ist es wichtig, daß das Unterätzen sich nicht
über die schützende Überzugsschicht hinaus erstreckt, da
mit ein Angriff des oberen Poles während des nachfolgen
den Ätzens des unteren Poles verhindert wird.
Als letzter Verfahrensschritt der Erfindung wird nun die
untere Elektrode 3 geformt.
Es sei auf Fig. 5 Bezug genommen. Die mit dem Schutzme
tall 6 beschichtete obere Elektrode 1 und die Isolier
schicht 2 werden beide als Maske für die Formgebung der
unteren Elektrode 3 verwendet. Sofern Permalloy als
Metallschicht verwendet wird, kann - ebenso wie bei der
oberen Elektrode - eine Lösung aus FeCl3 in Äthylenglykol
als Ätzmittel verwendet werden. Wichtig ist, daß weder die
obere Elektrode 1 noch das Schutzmetall 6 irgendwo
in der Schaltung elektrischen Kontakt zur
unteren Elektrode 3 hat, um die Bildung eines elek
trochemischen Galvano-Paares zu verhindern, was zu be
trächtlichem Unterätzen der unteren Elektrode 3 während
des Ätzvorganges führen würde. Wenn die Bildung dieses
Paares nicht zugelassen ist, ist das Unterätzen der Boden
elektrode minimal. Bei einer Dicke der Ni-Fe-Legierung von
3,05 µm (120 micro inch) sollte das Unterätzen beispiels
weise nicht mehr als 1,52-2,03 µm (60-80 micro inches)
betragen. Folglich wurden Polschuhe eines Dünnfilm-Magnet
kopfes derart ausgebildet, daß sie im wesentlichen voll
ständig ausgerichtet sind.
Wie oben erwähnt, kann die Metallschicht 6 an dem oberen
Pol 1 belassen werden. Der Grund hierfür besteht schlicht
darin, daß die Schutzmetallschicht beim Betrieb des Magnet
kopfes nicht nennenswert stört und ihr Entfernen manchmal
verhältnismäßig schwierig sein kann. Allerdings sollte die
Stromsammelschiene in späteren Verfahrensschritten ent
fernt werden.
Sämtliche in der Beschreibung, den Ansprüchen und der
Zeichnung dargestellten technischen Einzelheiten können
sowohl für sich als auch in beliebiger Kombination mitein
ander erfindungswesentlich sein.
Claims (13)
1. Verfahren zum präzisen Ausrichten der
Polspitzen eines Dünnfilm-Magnetkopfes mit folgenden
Schritten:
- a) Aufbringen von zwei durch eine Isolierschicht getrennten Metallschichten auf einen Träger, wobei die Metallschichten die Polspitzen des Magnetkopfes werden;
- b) Aufbringen eines Photolackes auf die Oberfläche einer oberen Metallschicht und Belichtung des Lacks zur Definition der Pole;
- c) Ätzen der oberen Metallschicht, der Isolierschicht und der unteren Metallschicht in den Bereichen, die nicht von dem Photolack abgedeckt sind, wodurch der obere Pol geformt wird;
gekennzeichnet durch folgende Schritte
- d) Ätzen zunächst nur der oberen Metallschicht zur Erzeugung des oberen Pols;
- e) Entfernen des Photolackes und Einkapseln des oberen Poles mit einem Schutzmetall;
- f) Ätzen der Isolierschicht, wobei der obere Pol als Maske verwendet wird; und
- g) Ätzen der unteren Metallschicht, wobei der obere Pol und die Isolierschicht als Maske für die Formung des unteren Poles verwendet werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Metallschicht aus einer
Nickel-Eisen-Legierung bestehen.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Isolierschicht aus SiO2 oder
Al2O3 besteht.
4. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Metallschichten durch
Spritz-Ätzen in einer Lösung von FeCl3 in Äthylenglykol
geätzt werden.
5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß das Schutzmetall ein Metall ent
hält, das aus der Gruppe Silber, Gold und Rhodium aus
gewählt ist.
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekenn
zeichnet, daß das Schutzmetall auf die obere
Elektrode durch galvanisches Aufbringen des Schutzme
talles mittels einer Stromsammelschiene aufgebracht wird.
7. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß das Schutzmetall Rhodium ist.
8. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß das Schutzmetall nach der
Formung des unteren Poles entfernt wird.
9. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Pole ca. 1,02-2,56 µm (40-
140 micro inches) dick sind.
10. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekenn
zeichnet, daß die SiO2-Schicht mit einer ge
pufferten HF-Lösung geätzt wird.
11. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekenn
zeichnet, daß das Al2O3 in einer Mischung aus
Salpetersäure, Fluorwasserstoff und Wasser geätzt wird.
12. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Isolierschicht durch Ionen-Fräsen
(ion-milling) entfernt wird.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/282,540 US4436593A (en) | 1981-07-13 | 1981-07-13 | Self-aligned pole tips |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3225780A1 DE3225780A1 (de) | 1983-02-03 |
DE3225780C2 true DE3225780C2 (de) | 1990-12-06 |
Family
ID=23081984
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19823225780 Granted DE3225780A1 (de) | 1981-07-13 | 1982-07-09 | Verfahren zum praezisen ausrichten der polspitzen eines duennfilm-magnetkopfes |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4436593A (de) |
JP (1) | JPS5817523A (de) |
DE (1) | DE3225780A1 (de) |
FR (1) | FR2509503B1 (de) |
GB (1) | GB2104418B (de) |
IE (1) | IE53689B1 (de) |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5972639A (ja) * | 1982-10-20 | 1984-04-24 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気ヘツドの製造方法 |
DE3330041A1 (de) * | 1983-08-19 | 1985-02-28 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Magnetkopf fuer ein senkrecht zu magnetisierendes aufzeichnungsmedium |
JPS60133516A (ja) * | 1983-12-22 | 1985-07-16 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
US4652954A (en) * | 1985-10-24 | 1987-03-24 | International Business Machines | Method for making a thin film magnetic head |
JPS62219217A (ja) * | 1986-03-19 | 1987-09-26 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気ヘツド |
US5108837A (en) * | 1987-12-04 | 1992-04-28 | Digital Equipment Corporation | Laminated poles for recording heads |
US4992901A (en) * | 1990-02-15 | 1991-02-12 | Seagate Technology, Inc. | Self aligned magnetic poles using sacrificial mask |
US5116719A (en) * | 1990-02-15 | 1992-05-26 | Seagate Technology, Inc. | Top pole profile for pole tip trimming |
US5200056A (en) * | 1990-02-15 | 1993-04-06 | Seagate Technology Inc. | Method for aligning pole tips in a thin film head |
US5141623A (en) * | 1990-02-15 | 1992-08-25 | Seagate Technology, Inc. | Method for aligning pole tips in a thin film head |
NL9000546A (nl) * | 1990-03-09 | 1991-10-01 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een dunnefilm magneetkop alsmede een dunnefilm magneetkop vervaardigbaar volgens de werkwijze. |
US5157570A (en) * | 1990-06-29 | 1992-10-20 | Digital Equipment Corporation | Magnetic pole configuration for high density thin film recording head |
FR2669466B1 (fr) * | 1990-11-16 | 1997-11-07 | Michel Haond | Procede de gravure de couches de circuit integre a profondeur fixee et circuit integre correspondant. |
US5256249A (en) * | 1991-09-17 | 1993-10-26 | Seagate Technology, Inc. | Method of manufacturing a planarized magnetoresistive sensor |
US5621595A (en) * | 1992-10-20 | 1997-04-15 | Cohen; Uri | Pinched-gap magnetic recording thin film head |
US5283942A (en) * | 1992-12-29 | 1994-02-08 | International Business Machines Corporation | Sacrificial layer planarization process for fabricating a narrow thin film inductive head |
US5452166A (en) * | 1993-10-01 | 1995-09-19 | Applied Magnetics Corporation | Thin film magnetic recording head for minimizing undershoots and a method for manufacturing the same |
US5578342A (en) * | 1995-07-05 | 1996-11-26 | Read-Rite Corporation | Alignment of magnetic poles of thin film transducer |
JP3349925B2 (ja) * | 1996-09-10 | 2002-11-25 | アルプス電気株式会社 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
JP2953401B2 (ja) * | 1996-10-04 | 1999-09-27 | 日本電気株式会社 | 磁気抵抗効果型複合ヘッドの製造方法 |
US5804085A (en) * | 1997-01-30 | 1998-09-08 | Quantum Corporation | Process for producing a pole-trimmed writer in a magnetoresistive read/write head and a data transducer made thereby |
JPH117608A (ja) * | 1997-04-25 | 1999-01-12 | Fujitsu Ltd | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
US5916423A (en) * | 1997-05-06 | 1999-06-29 | International Business Machines Corporation | P1 notched write head with minimum overmilled p1 and p2 |
US5966800A (en) * | 1997-07-28 | 1999-10-19 | Read-Rite Corporation | Method of making a magnetic head with aligned pole tips and pole layers formed of high magnetic moment material |
US6073338A (en) * | 1997-08-19 | 2000-06-13 | Read-Rite Corporation | Thin film read head with coplanar pole tips |
US6055138A (en) * | 1998-05-06 | 2000-04-25 | Read-Rite Corporation | Thin film pedestal pole tips write head having narrower lower pedestal pole tip |
EP0987529A1 (de) * | 1998-09-14 | 2000-03-22 | Heraeus Electro-Nite International N.V. | Elektrischer Widerstand mit wenigstens zwei Anschlusskontaktfeldern auf einem Substrat mit wenigstens einer Ausnehmung sowie Verfahren zu dessen Herstellung |
US6490125B1 (en) | 1999-04-09 | 2002-12-03 | Read-Rite Corporation | Thin film write head with improved yoke to pole stitch |
US6462919B1 (en) | 1999-04-28 | 2002-10-08 | Seagate Technology Llc | Spin valve sensor with exchange tabs |
US6375063B1 (en) * | 1999-07-16 | 2002-04-23 | Quantum Corporation | Multi-step stud design and method for producing closely packed interconnects in magnetic recording heads |
US6396668B1 (en) | 2000-03-24 | 2002-05-28 | Seagate Technology Llc | Planar double spin valve read head |
US6466419B1 (en) | 2000-03-31 | 2002-10-15 | Seagate Technology Llc | Current perpendicular to plane spin valve head |
US6700760B1 (en) | 2000-04-27 | 2004-03-02 | Seagate Technology Llc | Tunneling magnetoresistive head in current perpendicular to plane mode |
US7086139B2 (en) * | 2004-04-30 | 2006-08-08 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Methods of making magnetic write heads using electron beam lithography |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL7608002A (nl) * | 1976-07-20 | 1978-01-24 | Philips Nv | Werkwijze ter vervaardiging van een magnetische inrichting. |
JPS5381110A (en) * | 1976-12-25 | 1978-07-18 | Toshiba Corp | Manufacture of magnetic film head |
DE2721201A1 (de) * | 1977-05-11 | 1978-11-16 | Siemens Ag | Verfahren zur herstellung integrierter magnetkopfstrukturen |
JPS554762A (en) * | 1978-06-28 | 1980-01-14 | Fujitsu Ltd | Production of thin film magnetic head |
-
1981
- 1981-07-13 US US06/282,540 patent/US4436593A/en not_active Expired - Lifetime
-
1982
- 1982-06-28 IE IE1556/82A patent/IE53689B1/en unknown
- 1982-07-08 GB GB08219847A patent/GB2104418B/en not_active Expired
- 1982-07-09 DE DE19823225780 patent/DE3225780A1/de active Granted
- 1982-07-12 FR FR8212211A patent/FR2509503B1/fr not_active Expired
- 1982-07-12 JP JP57119991A patent/JPS5817523A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
IE53689B1 (en) | 1989-01-18 |
JPS5817523A (ja) | 1983-02-01 |
IE821556L (en) | 1983-01-13 |
US4436593A (en) | 1984-03-13 |
GB2104418B (en) | 1985-05-22 |
FR2509503B1 (fr) | 1986-07-25 |
JPH0338646B2 (de) | 1991-06-11 |
FR2509503A1 (fr) | 1983-01-14 |
GB2104418A (en) | 1983-03-09 |
DE3225780A1 (de) | 1983-02-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3225780C2 (de) | ||
US5059278A (en) | Selective chemical removal of coil seed-layer in thin film head magnetic transducer | |
DE2611158C2 (de) | Verfahren zum Verformen eines einkristallinen Siliciumkörpers | |
EP0200015B1 (de) | Verfahren zur Herstellung mindestens eines Magnetkopfes in Dünnfilmtechnik | |
DE1930669C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer integrierten Halbleiterschaltung | |
DE2036139A1 (de) | Dunnfümmetallisierungsverfahren fur Mikroschaltungen | |
DE1271235B (de) | Verfahren zur Herstellung von leitenden Verbindungen zwischen den leitenden Schichten einer elektrischen Schaltungsplatte | |
DE2017613B2 (de) | Verfahren zum Herstellen von Koaxial-Schal tungsanordnungen | |
DE2401333A1 (de) | Verfahren zur herstellung von isolierfilmen auf verbindungsschichten | |
DE60201914T2 (de) | Herstellungsverfahren eines magnetkopfes | |
DE19753974C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Magnetkopf-Gleitstückes und dafür verwendete Führungsplatte | |
DE2313106C2 (de) | Verfahren zum Herstellen eines mindestens einlagigen elektrischen Verbindungssystems | |
DE1764378B2 (de) | Integrierte randschichtdiodenmatrix und verfahren zu ihrer herstellung | |
DE2835577A1 (de) | Verfahren zum herstellen eines duennfilmmagnetkopfes und duennfilmmagnetkopf mit einem nickel-eisen-muster mit boeschungen | |
EP0308816A1 (de) | Verfahren zum Herstellen von Anschlusskontakten für Dünnfilm-Magnetköpfe | |
DE1589076C3 (de) | Verfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungen mit tragfähigen elektrischen Leitern | |
DE2931825A1 (de) | Magnetblasen-speichervorrichtung | |
DE2458079C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Magnetkopfes in Dünnschichttechik | |
DE1499819C3 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Mehrfach-Magnetkopfeinheit und danach hergestellte Mehrfach-Magnetkopfeinheit | |
DE2838263A1 (de) | Magnetkopf und verfahren zu seiner herstellung | |
DE3236879A1 (de) | Verfahren zur schaffung unterschiedlich geneigter und gerader kanten an duennfilmmagnetkoepfen | |
DE1564743A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleitergeraeten mit daran befestigten Anschlussleitungen | |
DE2522861B2 (de) | Verfahren zum Herstellen eines magnetischen Wiedergabekopfes | |
DE3604720C2 (de) | ||
DE1922552A1 (de) | Magnetschichtspeicherzelle mit geschlossenem magnetischen Kreis in Richtung leichter Magnetisierbarkeit der Speicherschichten und Verfahren zur Herstellung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8128 | New person/name/address of the agent |
Representative=s name: BERNHARDT, K., DIPL.-ING., PAT.-ANW., 8000 MUENCHE |
|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: UNISYS CORP., BLUE BELL, PA., US |
|
8128 | New person/name/address of the agent |
Representative=s name: BLUMBACH, P., DIPL.-ING., 6200 WIESBADEN WESER, W. |
|
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8328 | Change in the person/name/address of the agent |
Free format text: BLUMBACH, KRAMER & PARTNER, 65193 WIESBADEN |
|
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |