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Patentes

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Número de publicaciónDE3404875 A1
Tipo de publicaciónSolicitud
Número de solicitudDE19843404875
Fecha de publicación14 Ago 1985
Fecha de presentación11 Feb 1984
Fecha de prioridad11 Feb 1984
Número de publicación19843404875, 843404875, DE 3404875 A1, DE 3404875A1, DE-A1-3404875, DE19843404875, DE3404875 A1, DE3404875A1, DE843404875
InventoresHeinz Prof Dr Rer Nat Beneking
SolicitanteLicentia Gmbh, Telefunken Electronic Gmbh
Exportar citaBiBTeX, EndNote, RefMan
Enlaces externos: DPMA, Espacenet
Semiconductor configuration
DE 3404875 A1
Resumen
The invention relates to a semiconductor configuration comprising a silicon base body and gallium phosphate light-emitting diodes applied to the base body. According to the invention, between the silicon base body and the gallium phosphite light-emitting diodes a light-reflecting layer is disposed, comprising a material whose band spacing is greater than that of gallium phosphite. This light-reflecting layer preferably consists of gallium aluminium phosphite.
Descripción  disponible en
Reclamaciones  disponible en
Citas de patentes
Patente citada Fecha de presentación Fecha de publicación Solicitante Título
US4039890 *16 Oct 19752 Ago 1977Monsanto CompanyIntegrated semiconductor light-emitting display array
US4241281 *18 Ene 197923 Dic 1980Futaba Denshi Kogyo Kabushiki KaishaLight emitting diode display device
Otras citas
Referencia
1 *"IBM Technical Disclosure Bulletin" 16 (1973) 1018 1019
2 *"Japanese J. of Appl. Physics", 19 (1980), 1127 - 1130
Citada por
Patente citante Fecha de presentación Fecha de publicación Solicitante Título
DE4302897A1 *2 Feb 199312 Ago 1993Rohm Co LtdTítulo no disponible
DE4302897C2 *2 Feb 199324 Sep 1998Rohm Co LtdBeleuchtungsvorrichtung
EP0250171A1 *12 Jun 198723 Dic 1987Massachusetts Institute Of TechnologyCompound semiconductor devices
EP0483868A2 *31 Oct 19916 May 1992Norikatsu YamauchiSemiconductor device having reflecting layer
EP0483868A3 *31 Oct 199112 Ago 1992Norikatsu YamauchiSemiconductor device having reflecting layer
EP0486052A1 *15 Nov 199120 May 1992Daido Tokushuko Kabushiki KaishaLight-emitting diode for concurrently emitting lights having different wavelengths
EP0724300A2 *31 Oct 199131 Jul 1996Norikatsu YamauchiSemiconductor device having reflecting layer
EP0724300A3 *31 Oct 199127 Dic 1996Norikatsu YamauchiSemiconductor device having reflecting layer
EP1059668A2 *29 Mar 200013 Dic 2000Sanyo Electric Co., Ltd.Hybrid integrated circuit device
EP1059668A3 *29 Mar 200018 Jul 2007Sanyo Electric Co., Ltd.Hybrid integrated circuit device
US4914491 *29 Jun 19893 Abr 1990Kopin CorporationJunction field-effect transistors formed on insulator substrates
US5003357 *17 Ene 199026 Mar 1991Samsung Semiconductor And Telecommunications Co.Semiconductor light emitting device
US5260589 *31 Oct 19919 Nov 1993Norikatsu YamauchiSemiconductor device having reflecting layers made of varying unit semiconductors
Clasificaciones
Clasificación internacionalH01L27/15, H01L33/30, H01L33/10
Clasificación cooperativaH01L33/30, H01L27/15, H01L33/10
Clasificación europeaH01L27/15
Eventos legales
FechaCódigoEventoDescripción
14 Ago 1985OM8Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law
14 Ago 1985OP8Request for examination as to paragraph 44 patent law
6 Nov 19868131Rejection