DE3447489A1 - Projektionsbelichtungsvorrichtung - Google Patents
ProjektionsbelichtungsvorrichtungInfo
- Publication number
- DE3447489A1 DE3447489A1 DE19843447489 DE3447489A DE3447489A1 DE 3447489 A1 DE3447489 A1 DE 3447489A1 DE 19843447489 DE19843447489 DE 19843447489 DE 3447489 A DE3447489 A DE 3447489A DE 3447489 A1 DE3447489 A1 DE 3447489A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- lens
- sio
- excimer laser
- laser beam
- original
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70241—Optical aspects of refractive lens systems, i.e. comprising only refractive elements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Lenses (AREA)
Description
Telecopier: 0 89-537377 cable: Germaniapatent Münchei
27. Dezember 1984 DE 4516
Projektionsbelichtungsvorrichtung
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Projektionsbelichtungsvorrichtung,
die bei der Herstellung von HalbleiterSchaltvorrichtungen Verwendung findet,
genauer gesagt auf eine Projektionsbelichtungsvorrichtung, bei der ein Excimer-Laser als Lichtquelle
zur Herstellung von HalbleiterSchaltvorrichtungen Verwendung findet.
Bei Projektionsbelichtungsvorrichtungen für die Herstellung
von integrierten Halbleiterschaltvorrichtungen, beispielsweise ICs, LSIs etc., muß ein Projektionssystem,
beispielsweise eine Linse, zur Belichtung eines Siliciumplättchens mit einem für die Herstellung
der integrierten Schaltung geeigneten Muster ein sehr hohes Auflösungsvermögen besitzen.
Es ist bekannt, daß die Auflösung der Bildprojektion durch die Projektionslinse durch den Einsatz von kürzeren
Wellenlängen generell verbessert werden kann. Aus diesem Grunde werden normalerweise Lichtquellen
eingesetzt, die kurze Wellenlängen emittieren. Beispielsweise findet gegenwärtig in den meisten Projektionsbelichtungsvorrichtungen
eine Wellenlänge von 4 36 ran oder 365 nm, die von einer Hg-Lampe
25 emittiert wird, Verwendung.
Excimer-Laser (Excited Dimer Laser), die kurze Wellenlängen zur Verfügung stellen, sind bekannt. Diese
Excimer-Laser verwenden als ihr Lasermedium Gase, wie beispielsweise ArF, KrCl, KrP, XeBr, XeCl, XeF
etc. Gemäß dem verwendeten Lasermedium erzeugt der Excimer-Laser Licht einer einzigen Wellenlänge oder
eines sehr engen Wellenlängenbereiches innerhalb von 159 nm - 400 nm, das mit einer Frequenz von 200 300
Hz pulsiert.
Der Einsatz eines Excimer-Laser auf dem Sektor der Photolithographie ist beschrieben in "Study on Laser",
Vol. 8, Nr. 6, November 1980, Seiten 69 - 71 ("Photo-Etching of PMMA by Excimer Laser"), das von der
Japanese Laser Society veröffentlicht wurde.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Projektionsbelichtungsvorrichtung zu schaffen, die
einen Excimer-Laser als Lichtquelle für die Belichtung aufweist.
Die Erfindung bezweckt ferner die Schaffung einer Projektionsbelichtungsvorrichtung mit einem optischen
Projektionssystem, das geeignete Eigenschaften für den Einsatz eines Excimer-Lasers aufweist.
Die vorstehend genannte Aufgabe wird erfindungsgemäß durch eine Projektionsbelichtungsvorrichtung gelöst,
die eine Lichtquelle zur Verfügungstellung eines Excimer-Laser-Strahles und ein Abbildungssystem aufweist,
das eine Vielzahl von Linsenelementen besitzt,
die jeweils aus Glas bestehen, beispielsweise SiO_,
Calciumfluorid etc., die gegenüber dem Excimer-Laser-Strahl
durchlässig sind und ein Brechungsvermögen in bezug auf den Excimer-Laser-Strahl besitzen.
5
Weiterbildungen des Erfindungsgegenstandes gehen aus
den Unteransprüchen hervor.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand von Ausführungsbeispielen in Verbindung mit der Zeichnung im einzelnen
beschrieben. Es zeigen:
Figur 1 eine schernatische Ansicht einer Ausführungsform einer erfindungsgemäß ausgebildeten
Projektionsbelichtungsvorrichtung;
Figur 2 einen Schnitt durch das optische Abbildungssystem der Vorrichtung der
Figur 1;
die Figuren 3-7
Figur 8
Diagramme, die Aberrationen der Beispiele 1 bis 5 gemäß der Ausführungs-*
form der Figur 2 zeigen;
einen Schnitt durch ein optisches Abbildungssystem einer Projektionsbelichtungsvorrichtung
nach einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung; und
die Figuren 9-13
Diagrarane, die Aberrationen der Beispiele
6-10 gemäß der Ausführungsform der Fi-
3U7489
gur 8 zeigen.
Figur 1 zeigt eine Projektionsbelichtungsvorrichtung nach einer ersten Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung. Diese Projektionsbelichtungsvorrichtung umfaßt einen Excimer-Laser 1 als Lichtquelle.
Ein vom Excimer-Laser 1 abgegebener Laserstrahl wird auf ein Beleuchtungssystem 2 gerichtet, um ein
Original M gleichmäßig zu beleuchten. Das optische Beleuchtungssystem 2 umfaßt mindestens ein Linsenelement
aus Glas, das gegenüber dem Excimer-Laser-Strahl durchlässig ist und relativ zu diesem ein
Brechungsvermögen besitzt. Bei dem Original M handelt es sich um eine Maske oder eine Strichplatte,
die eine plarallele ebene Glasplatte aus Quarzglas o.a. umfaßt, welche gegenüber dem Excimer-Laser-Strahl
durchlässig ist. Unter Verwendung eines nicht-transparenten metallischen Materiales, beispielsweise
von Chrom, wird ein Schaltungsmuster auf dem Original M erzeugt. Ein verkleinerndes
Abbildungssystem 3 dient dazu, das auf dem Original M erzeugte Schaltungsmuster auf ein Plättchen W zu
projizieren. Dieses Abbildungssystem 3 umfaßt eine Vielzahl von Linsenelementen, die jeweils aus Glas"
bestehen, beispielsweise aus Quarzglas oder Calciumfluorid, das gegenüber dem Excimer-Laser-Strahl
durchlässig ist. Um eine Vielzahl von Schaltungsmuster-Belichtungsvorgängen bei der Herstellung
einer integrierten Schaltung durchzuführen, ist unter den verschiedenartigen optischen Aberrationen
die Verzeichnung (Anorthoskopie) des Abbildungssystems 3 im wesentlichen perfekt korrigiert worden.
Da jedoch ein Excimer-Laser mit einer einzigen Wellenlänge oder einem sehr engen Wellenlängenbereich als
Lichtquelle zur Belichtung eingesetzt wird, umfafit das Abbildungssystem 3 keine Linsen, die zusammengeklebt
worden sind und unterschiedliche Brechungsindices oder Dispersionseigenschaften zur Korrektur
von chromatischen Aberrationen aufweisen. Das Original M wird von einem Halter 4 gelagert, während das Plättchen
W durch eine Plättcheneinspannung 5 gelagert wird. Die Plättcheneinspannung 5 kann über einen
X-Y-Schritt-Tisch 6 schrittweise bewegt werden.
Das vom Excimer-Laser 1 abgegebene Licht beleuchtet das Original M durch das Beleuchtungssystem 2, so daß
das auf dem Original M befindliche Muster in verkleinerter Weise durch das Abbildungssystem 3 auf einen
Abschnitt der Oberfläche des Plättchens W projiziert wird. Nach der Beendigung des Belichtungsvorganges
wird das Plättchen W mit Hilfe des Tisches 6 um einen Schritt weiterbewegt, so daß ein anderer
Abschnitt der Oberfläche des Plättchens zum Abbildungssystem
3 ausgerichtet wird. Dieser Abschnitt der Plättchenoberfläche wird daraufhin mit dem Muster des
Originales M belichtet. Auf diese Weise werden Bereiche auf der Plättchenoberfläche nacheinander belichtet,
bis der Belichtungsvorgang der gesamten Oberfläche des Plättchens beendet ist.
Es werden nunmehr Ausführungsformen des optischen Abbildungssystems 3 beschrieben. Jede dieser Ausführungsformen
des optischen Abbildungssystems 3
3A47489
ist so ausgebildet, daß sie zusammen mit einem Excimer-Laser verwendet werden kann, der ein Hauptemmissions-Spektrum
einer Wellenlänge von 248,5 nm aufweist und injection-locked ist, so daß er einen Laserstrahl mit
einem sehr engen Wellenlängenbereich von etwa 248.5 nm zur Verfügung stellt.
Figur 2 zeigt eine erste Ausfuhrungsform eines derartigen
Abbildungssystems 3. Diese Ausführungsform umfaßt
die folgenden Bestandteile von der Objektseite zur Bildebenen-Seite hin: Eine erste Linsengruppe I
mit positivem Brechungsvermögen , eine zweite Linsengruppe
II mit negativem Brechungsvermögen und eine dritte Linsengruppe III mit positivem Brechungsvermögen.
Die erste Linsengruppe I umfaßt eine erste Linsenuntergruppe I, mit negativem Brechungsvermögen und eine
zweite Linsenuntergruppe I2 mit positivem Brechungsvermögen. Die erste Linsenuntergruppe I. besitzt eine
Linse L1,, mit negativem Brechungsvermögen und eine
Meniskuslinse L,.2 mit negativem Brechungsvermögen,
die eine zur Objektseite hin gerichtete konvexe Oberfläche aufweist. Die zweite Linsenuntergruppe I2
umfaßt ein Linsenelement L12I eines biconvexen Typs
und mindestens eine Meniskus-Linse L,, mit einer
zur Objektseite hin gerichteten konvexen Oberfläche. Die zweite Linsengruppe II besitzt eine Meniskus-Linse
L„. mit negativem Brechungsvermögen, die eine
zur Objektseite hin gerichtete konvexe Oberfläche aufweist, eine Linse L33 mit negativem Brechungsvermögen
und eine Meniskus-Linse L33 mit negativem Brechungsvermögen, die eine zur Bildebene hin gerichtete
konvexe Oberfläche aufweist. Die dritte Linsengruppe III umfaßt eine Meniskus-Linse L-.. mit positivem
Brechungsvermögen, die eine zur Bildebene hinweisende
konvexe Oberfläche besitzt, eine bikonvexe Linse L_2r
eine Linse L33 mit positivem Brechungsvermögen,
die eine zur Objektseite hinweisende konvexe Oberfläche aufweist, und eine Meniskus-Linse L34 mit positivem
Brechungsvermögen, die eine zur Objektseite hinweisende konvexe Oberfläche besitzt. Die Linse
L30 erfüllt die folgende Bedingung:
|R2Fr
< |r2r| (1)
wobei R„_, Ro_ die Krümmungsradien der Oberflächen
der Linse L22* die zur Objektseite und zur Seite
der Bildebene weisen, darstellen.
Bei der vorstehend beschriebenen Anordnung sind die Aberrationen in zufriedenstellender Weise korrigiert.
Insbesondere mit einem Projektionsverhältnis von 1 : 5 und einem Sichtwinkel, der nicht größer ist
als 14x14 mm, wird eine gute Abbildung erreicht.
Jede Komponente dieses Abbildungssystems wird nunmehr im einzelnen beschrieben.
Die erste Linsenuntergruppe I, setzt sich aus der Negativlinse L,,, und der als Meniskus-Linse ausgebildeten
Negativlinse L.,2, die eine zur Obj ektseite hinweisende
konvexe Oberfläche aufweist, zusammen. Dadurch kann die Verzeichnung in zufriedenstellender
Weise über die gesamte Bildebene korrigiert werden, so daß das Muster der Maske ohne Verzeichnung auf
dem Plättchen geschrieben werden kann.
Darüberhinaus teilen diese beiden Linsen L und L-.2 das negative Brechungsvermögen der ersten
Linsenuntergruppe I, in geeigneter Weise unter sich auf. Dadurch kann ein breiterer Sichtwinkel und
somit eine Vergrößerung des Belichtungsbereiches erreicht werden, wodurch sich der Durchsatz verbessern
läßt.
Bei der Linse L.,, kann es sich um eine Meniskus-Linse
mit einer zur Objektseite hinweisenden konvexen Oberfläche, wie die Linse L112, oder um eine
Linse vom bikonkaven Typ handeln. In jedem Fall können die Aberrationen in zufriedenstellender Weise
korrigiert werden.
Die zweite Linsenuntergruppe I- wird durch die bikonvexe
Linse L12T und die als Meniskus-Linse ausgebildete positive
Linse L122 gebildet, die mindestens eine Komponente umfaßt und eine zur Objektseite hinweisende
konvexe Oberfläche aufweist. Mit dieser Anordnung werden die von der ersten Linsenuntergruppe I, erzeugten
einwärts orientierten Koma- und HaIo-Erscheinungen korrigiert, so daß ein höheres Auflösungsvermögen
sichergestellt wird.
Die Linse L122 kann durch eine einzige Komponente
oder zwei oder mehr Komponenten gebildet werden. Wenn zwei oder mehrere Linsenkomponenten verwendet
werden, können die Koma- und Halo-Erscheinungen in zufriedenstellender Weise korrigiert werden.
Die zweite Linsengruppe II wird durch die als Meniskus-Linse ausgebildete Negativlinse L31, die eine
: : 3U7489
zur Objektseite hinweisende konvexe Oberfläche aufweist, die Negativlinse L33 und die als Meniskus-Linse
ausgebildete tlegativlinse L33, die eine zur
Seite der Bildebene weisende konvexe Oberfläche aufweist, gebildet. Mit dieser Anordnung werden negative
sphärische Aberrationen und sagittale Lichtstreuungen in der Zone von einem mittleren Bereich zu einem
Grenzbereich der Bildebene, die durch die zweite Linsenuntergruppe I~ verursacht werden, zufriedenstellend
korrigiert. Genauer gesagt, die negativen sphärischen Aberrationen und HaIo-Erscheinungen, die
von der zweiten Linsenuntergruppe I2 verursacht
werden, werden durch die Linse L32 korrigiert, während
die sagittale Lichtstreuung im Grenzbereich der BiIdebene durch die Linsen L3, und L33 korrigiert werden.
Die vorstehend beschriebene Anordnung der zweiten Linsengruppe II führt zu einer übermäßigen Korrektur
relativ zu einem Teil der außerhalb der Achse befindliehen Strahlen, die über dem Hauptstrahl liegen.
Dies kann zu einer auswärtsorientierten Koma-Erscheinung führen. Angesichts dieser Tatsache wird
die dritte Linsengruppe III aus der als Meniskus-Linse ausgebildeten Positivlinse L_., die eine zur
Seite der Bildebene weisende konvexe Oberfläche aufweist, der bikonvexen Linse L32 und den beiden Meniskus-Linsen
L33 und L_4 mit positivem Brechungsvermögen
gebildet. Dadurch wird eine ausgeglichene Korrektur der auswärtsorientierten Koma-Erscheinungen,
der Verzeichnung und der Feldkrümmung, die in einer Zone vom mittleren Bereich zum Grenzbereich der Bildebene
auftritt, welche durch die zweite Linsengruppe
-■13'- :..:. -3V47489
verursacht werden, sichergestellt.
Die vorstehend erwähnte Gleichung (1) stellt eine Bedingung zur Erhöhung des Brechungsvermögens der zur
5 Objektseite weisenden Oberfläche der Linse L33 im Vergleich
zu der zur Seite der Bildebene v/eisenden Oberfläche der Linse dar. Hierdurch werden die sagittale
Lichtstreuung im Grenzbereich der Bildebene und die sphärische Aberration um eine numerische
Öffnung 0,3 in zufriedenstellender Weise korrigiert. Wenn die Bedingung (1) nicht erfüllt ist, ist eine
ausreichende Korrektur der sphärischen Aberration und der sagittale Lichtstreuung nur schwierig zu
erreichen.
Bei der Linse L33 kann es sich um eine bikonkave
Linse oder um eine Meniskus-Linse mit einer zur Seite der Bildebene weisenden konvexen Oberfläche handeln,
solange wie die vorstehend erwähnte Bedingung (1) erfüllt wird.
Wenn es sich bei der Linse L31- der ersten Linsenuntergruppe
I, um eine bikonkave Linse handelt, wird es in bezug auf die Korrektur von Aberrationen bevorzugt,
als Linse L33 eine Meniskus-Linse mit einer zur
Seite der Bildebene weisenden konvexen Oberfläche einzusetzen.
Obwohl das Abbildungssystem ein zufriedenstellenes Betriebsverhalten aufweist, wenn die vorstehend erwähnten
Bedingungen erfüllt sind, können bei Erfüllen der nachfolgend aufgeführten Bedingungen noch
bessere Lrgebnisse erreicht werden:
0,85 <L If1Zf0I ** 2.2 (2)
0,75 <■ I f3/f2l
< 1.4 (3)
1.4 < IfnZf12*
< 2·5 <4>
1.2 < If111Zf11I
< 2.1 (5)
wobei f, , £~ und f ^ die Brennv/eiten der ersten, zweiten
χ λ J
und dritten Linsengruppe I, II und III, f,, und f.-die
Brennweiten der ersten und zweiten Linsenuntergruppe I, und In, f-jii die Brennweite der Linse
Llll unt^ R1F un(^ R1R 1^"*"0 Kruirunungsra(^ien ^ε^ zur Objektseite
und zur Seite der Bildebene weisenden Ober-1C
flächen der Linse L-., darstellen.
Die Ungleichungen (2) und (3) stellen Dedingungen für
das geeignete Einstellen des jeweiligen Brechungsvermögens der Linsengruppen als Basislinsenfunktion dar,
um auf diese Weise eine zufriedenstellende Korrektur
der Feldkrünunung über die gesamte Bildebene zu erreichen. Wenn der untere Grenzwert überschritten
ist, steigt die Petzval-Summe an, so daß die Korrektur
der Feldkrünunung unzureichend wird. Wenn andererseits
der obere Grenzwert überschritten wird, findet eine übermäßige Korrektur der Feldkrümmung statt. In diesen
Fällen ist daher eine zufriedenstellende Korrektur der Aberrationen über die gesamte Bildebene
schwierig.
Die Ungleichung (4) stellt eine Bedingung dar, um bei dem entsprechenden Brechungsvermögen nach den Bedingen
(2) und (3) eine Korrektur der durch die erste
Linsenuntergruppe I. erzeugten Verzeichnung, eine Korrektur der von der zweiten Linsenuntergruppe I2
verursachten einwärtsorientierten Koma- und HaIo-Erscheinungen und eine Unterdrückung der Peldkrümmung
über die gesamte Bildebene zu erreichen und dadurch das Auflösungsvermögen zu verbessern. Wenn der untere
Grenzwert der Bedingung (4) überschritten wird, wird die Korrektur der Feldkrümmung unzureichend.
Wenn andererseits der obere Grenzwert überschritten wird, findet eine übermäßige Korrektur der Feldkrümmung
statt.
Die Ungleichung (5) stellt eine Bedingung zur geeigneten Einstellung der Aufteilung des negativen
Brechungsvermögens auf die Linse L..... relativ zu der ersten Linsenuntergruppe I. dar, um die Verzeichnung
zufriedenstellend zu korrigieren. Wenn der untere Grenzwert der Bedingung (5) überschritten wird, wird
die Korrektur der Verzeichnung unzureichend, während eine übermäßige Korrektur der Verzeichnung stattfindet,
wenn der obere Grenzwert überschritten wird.
Die Ungleichung (6) stellt eine Bedingung zur Reduzierung
des Brechungsvermögens der Oberfläche der Linse L,,,, die zur Objektseite hinweist, im Vergleich
zu der Oberfläche dieser Linse, die zur Seite der Bildebene hinweist, dar, um auf diese Weise die Verzeichnung
über die gesamte Bildebene noch besser korrigieren zu können. Wenn die Bedingung (6) nicht
erfüllt ist, wird die Korrektur der Verzeichnung unzureichend.
-IfT-
Wenn jede Linse L-., und L_. der dritten Linsengruppe
III oder eine dieser Linsen durch zwei oder mehr Linsenkomponenten gebildet wird, um den Anteil des
Brechungsvermögens eines jeden Linsenelementes zu unterdrücken, können die Feldkrümmung und Koma-Erscheinungen
in zufriedenstellenderer Weise über die gesamte Bildebene korrigiert werden, so daß daher
ein höheres Auflösungsvermögen erreicht wird.
Wie vorstehend erläutert, wird durch das Abbildungssystem gemäß dieser Ausführungsform der Erfindung
ein optisches Projektionssystem zum Einsatz in einer Projektionsbelichtungsvorrichtung verwirklicht,
das ein hohes Auflösungsvermögen und ein besonders gutes Betriebsverhalten besitzt.
Numerische Beispiele dieses Abbildungssystems werden im nachfolgenden Teil dieser Beschreibung erläutert.
Bei den folgenden numerischen Beispielen stellen Ri den Krümmungsradius der "i-ten" Linsenoberfläche
in der Reihenfolge von der Objektseite her, Di die Linsendicke oder den Luftspalt des "i~ten" Elementes
in der Reihenfolge von der Objektseite und Ni den Brechungsindex des Glasmateriales der "i-ten" Linse
in der Reihenfolge von der Objektseite her dar.
Als Glasmaterial wurde Quarzglas (SiO^) eingesetzt, das bei einer Wellenlänge von 243,5 nm einen Brechungsindex
von 1,521130 besaß.
30
30
Die folgenden nuiaerischen Beispiele wurden mit einem
Projektionsverhältnis von 1:5, einer numerischen Öffnungsgröße NA = 0,3 und einem Bildebenen-Bereich
von 14x14 durchgeführt.
- 17 - " 3A47A89
Zahlenbeispiel 1 R |
2000.527 |
1 | 215.968 |
2 | 211.060 |
3 | 128.641 |
4 | 195.942 |
5 | -218.473 |
6 | 99.751 |
7 | 388.304 |
8 | 76.621 |
9 | 50.484 |
10 | -67.422 |
11 | 292.877 |
12 | -48.915 |
13 | -67.129 |
14 | -387.231 |
15 | -117.983 |
16 | 307.379 |
17 | -238.794 |
18 | 139.999 |
19 | 1444.435 |
20 | 86.822 |
21 | 102.183 |
22 |
D | 00 | GLAS |
8. | 85 | SiO2 |
6. | 00 | |
8. | 00 | SiO2 |
60. | 00 | |
24. | 00 | SiO2 |
1. | 00 | |
20. | 00 | SiO2 |
30. | 00 | |
20. | 00 | SiO2 |
40. | 00 | |
12. | 00 | SiO2 |
60. | 00 | |
20. | 00 | SiO2 |
1. | 00 | |
18. | 00 | SiO2 |
1. | 50 | |
16. | 00 | SiO2 |
1. | 50 | |
18. | 00 | SiO2 |
1. | 00 | |
20. | SiO2 | |
Zahlenbeispiel 2 | R | D | GLAS |
-856.710 | 8.00 | SiO2 | |
1 | 195.588 | 6.82 | |
2 | 256.890 | 8.00 | SiO2 |
3 | 100.855 | 75.50 | |
4 | 229.819 | 24.00 | SiO2 |
5 | -156.275 | 1.00 | |
6 | 111.478 | 15.00 | SiO2 |
7 | 300.960 | 2.75 | |
8 | 195.798 | 17.00 | SiO2 |
9 | 451.070 | 3.35 | |
10 | 96.357 | 42.00 | SiO2 |
11 | 45.106 | 15.00 | |
12 | -117.115 | 12.00 | SiO2 |
13 | -168.640 | 22.00 | |
14 | -43.270 | 40.00 | SiO2 |
15 | -79.931 | 4.00 | |
16 | -9783.000 | 18.00 | SiO2 |
17 | -117.930 | 1.95 | |
18 | 423.480 | 16.50 | SiO2 |
19 | -270.027 | 2.00 | |
20 | 170.348 | 18.50 | SiO2 |
21 | 329.598 | 25.00 | |
22 | 81.424 | 20.00 | SiO2 |
23 | 107.270 | ||
24 |
Zahlenbeispiel 3
R | D | |
1 | 4168.419 | 8.00 |
2 | 200.360 | 6.85 |
3 | 227.621 | 8.00 |
4 | 129.791 | 55.00 |
5 | 202.930 | 24.00 |
6 | -203.575 | 1.00 |
7 | 97.004 | 20.00 |
8 | 376.946 | 25.00 |
9 | 73.952 | 20.00 |
10 | 49.693 | 45.00 |
11 | -68.265 | 12.00 |
12 | 324.260 | 40.00 |
13 | -45.280 | 20.00 |
14 | -63.048 | 1.00 |
15 | -382.898 | 18.00 |
16 | -105.801 | 1.00 |
17 | 380.662 | 16.50 |
18 | -227.226 | 1.00 |
19 | 145.429 | 18.50 |
20 | 1903.560 | 1.00 |
21 | 87.353 | 20.00 |
22 | 106.271 |
GLAS
SiO
SiO
SiO
SiO
SiO
SiO
SiO
SiO
SiO
SiO
SiO
R | - 20 - | GLAS | |
-856.710 | SiO2 | ||
Zahlenbeispiel 4 | 195.588 | D | |
256.890 | 8.00 | SiO2 | |
1 | 100.855 | 6.82 | |
2 | 229.819 | 8.00 | SiO2 |
3 | -156.275 | 75.50 | |
4 | 111.478 | 24.00 | SiO2 |
5 | 300.960 | 1.00 | |
6 | 195.798 | 15.00 | SiO2 |
7 | 451,070 | 2.75 | |
8 | 95.355 | 17.00 | SiO2 |
9 | 44.980 | 3.35 | |
10 | -118.441 | 42.00 | SiO2 |
11 | -173.706 | 15.00 | |
12 | -43.484 | 12.00 | SiO2 |
13 | -81.052 | 22.00 | |
14 | -9783.000 | 40.00 | SiO2 |
15 | -117.930 | 4.00 | |
16 | • 423.480 | 18,00 | SiO2 |
17 | -270.027 | 1.95 | |
18 | 170.348 | 16.50 | SiO2 |
19 | 329.598 | 2.00 | |
20 | 81.424 | 18.50 | SiO2 |
21 | 107.270 | 25.00 | |
22 | 20.00 | ||
23 | |||
24 | |||
- 21 - ■ - -34Λ7489
Zahlenbeispiel 5 | R | D | GLAS |
1682.184 | 8.00 | SiO2 | |
1 | 167.069 | 6.85 | |
2 | 165.830 | 8.00 | SiO2 |
3 | 127.666 | 60.00 | |
4 | 195.942 | 24.00 | SiO2 |
5 | -218.473 | 1.00 | |
6 | 99.751 | 20.00 | SiO2 |
7 | 388.304 | 30.00 | |
8 | 76.621 | 20.00 | SiO2 |
9 | 50.484 | 40.00 | |
10 | -67.422 | 12.00 | SiO2 |
11 | 292.877 | 60.00 | |
12 | -48.915 | 20.00 | SiO2 |
13 | -67.129 | 1.00 | |
14 | -387.231 | 18.00 | SiO2 |
15 | -117.983 | 1.00 | |
16 | 307.379 | 16.50 | SiO2 |
17 | -238.794 | 1.00 | |
18 | 139.999 | 18.50 | SiO2 |
19 | 1444.435 | 1.00 | |
20 | 84.453 | 20.00 | SiO2 |
21 | 97.937 | ||
22 |
Die Aberrationen der vorstehenden Sahlenbeispiele 1-5 sind in den Diagrammen der Figuren 3-7 gezeigt.
In diesen Diagrammen ist mit X die Bildhöhe, mit M die meridionale Bildfläche und mit S die
sagitale Bildfläche bezeichnet.
Eine andere Ausführungsform des verkleinernden Abbildungssystems 3 wird nunmehr in Verbindung mit Figur
8 beschrieben.
10
10
Wie in Figur 8 gezeigt, umfaßt das Abbildungssystem in der Reihenfolge von der Objektseite zur Seite
der Bildebene eine erste Linsengruppe A mit positivem Brechungsvermögen, eine zweite Linsengruppe B mit
negativem Brechungsvermögen und eine dritte Linsengruppe C mit positivem Brechungsvermögen. Die
erste Linsengruppe A umfaßt eine erste Linsenuntergruppe A1 mit negativem Brechungsvermögen und eine
zweite Linsenuntergruppe A0 mit positivem Brechungsvermögen.
Die erste Linsenuntergruppe A1 umfaßt
mindestens zwei Linsen L1.,. und L' , 2, die jeweils
negatives Brechungsvermögen und eine zur Seite der Bildebene weisende konkave Oberfläche besitzen. Die
zweite Linsenuntergruppe A0 besitzt eine bikonvexe
Linse L'i^i und eine Linse L',22 mit positivem
Brechungsvermögen, die eine zur Objektseite weisende konvexe Oberfläche aufweist. Die zweite Linsengruppe
B umfaßt eine Meniskus-Linse L·'», mit negativem Brechungsvermögen, die eine zur Objektseite weisende
konvexe Oberfläche aufweist, eine bikonkave L'iÄise L' und eine Meniskus-Linse L'23» die ein negatives
Brechungsvermögen besitzt und eine zur Seite der Bildebene weisende konvexe Oberfläche aufweist. Die
dritte Linsengruppe C umfaßt eine Meniskus-Linse L1O1
mit positivem Brechungsvermögen und einer zur Seite der Bildebene weisenden konvexen Oberfläche, eine
bikonvexe Linse L1O2* eine Linse L'-3 mit positivem
Brechungsvermögen und einer zur Objektseite weisenden konvexen Oberfläche und eine Meniskus-Linse LL. mit
positivem Brechungsvermögen und einer zur Objektseite
weisenden konvexen Oberfläche.
Mit dieser Anordnung läßt sich durch das Abbildungssystem dieser Ausführungsform eine Projektionsiinse
verwirklichen, bei der Aberrationen in zufriedensteinender Weise korrigiert sind. Insbesondere mit
einem Vergrößerungsverhältnis von 1 : 10 und einem Sichtwinkel, der nicht größer als 10x10 mm ist,
läßt sich ein gutes Abbildungsverhalten erreichen.
Jede Komponente dieses Abbildungssystems wird nunmehr
im einzelnen beschrieben.
Wie vorstehend erläutert, wird die erste Linsenuntergruppe A, durch mindestens zwei iJegativlinsen gebildet,
die jeweils eine zur Seite der Bildebene weisende konkave Fläche aufweisen, und vorzugsweise
durch mindestens zwei als Meniskus-Linsen ausgebildete Negativlinsen, wie beispielsweise L1I11 und
L'll2' ^0 JeV7e^^s eine zur Objektseite weisende
konvexe Oberfläche aufweisen. Dadurch kann die Verzeichnung in zufriedenstellender Weise über die ge-
samte Bildebene korrigiert werden. Somit kann das Maskenmuster ohne jegliche Verzeichnung geschrieben
werden.
Darüberhinaus wird durch Aufteilen des negativen Brechungsvermögens der ersten Linsenuntergruppe
A, zwischen diese beiden Linsen L'. und L1..« ein
breiterer Sichtwinkel erhalten. Somit wird der Belichtungsbereich vergrößert und dadurch .der
Durchsatz verbessert.
Die zweite Linsenuntergruppe A2 wird durch die bikonvexe
Linse k'12, und die Linse L'
i22 tivem Brechungsvermögen gebildet. Dadurch werden
die in der ersten Linsenuntergruppe Λ, verursachten
einwärtsorientierten Koma- und Halo-Erscheinungen korrigiert, wodurch ein höheres Auflösungsvermögen
erreicht wird.
Die zweite Linsengruppe B wird durch die Meniskus-Linse L'o, mit negativem Brechungsvermögen, die
eine zur Objektscite weisende konvexe Oberfläche aufweist, die bikonkave Linse L'.n und die Meniskus-Linse
L1 22 m^t negativem Brechungsvermögen, die eine
zur Seite der Bildebene weisende konvexe Oberfläche aufweist, gebildet. Mit dieser Anordnung können negative
sphärische Aberrationen und sagittale Lichtstreuungen, die in einer Zone von einem mittleren
Bereich bis zu einem Grenzbereich der Bildebene auftreten und durch die zweite Linsenuntergruppe
A2 verursacht werden, korrigiert werden. Insbesondere
werden die negative sphärische Aberration und die
von der zweiten Linsenuntergruppe A2 verursachten
Halo-Erscheinungen durch die Linse L'2 korrigiert,
während die sagittale Lichtstreuung im Grenzbereich der Bildebene durch die Linsen L1^. und L'2»
korrigiert wird.
Die vorstehend beschriebene Anordnung der zweiten-Linsengruppe B führt zu einer übermäßigen Korrektur
in bezug auf einen Teil der außerhalb der Achse angeordneten Strahlen, die über dem Hauptstrahl liegen.
Dadurch können auswärtsorientierte Koma-Erscheinungen verursacht werden. Angesichts dieser Tatsache wird
die dritte Linsengruppe C durch die Meniskus-Linse L'31 mit positivem Brechungsvermögen, die eine zur
Seite der Bildebene weisende konvexe Oberfläche aufweist, die bikonvexe Linse L·1,» und die beiden Meniskus-Linsen
L'33 und L134» die jeweils positives
Brechungsvermögen besitzen, gebildet. Diese Anordnung stellt eine ausgeglichene Korrektur der auswärtsorientierten
Koma-Erscheinungen, Verzeichnungen und Feldkrümmung, die in der Zone von einem mittleren
Abschnitt bis zu einem Grenzabschnitt der Bildebene auftritt, welche durch die zweite Linsengruppe verursacht
werden, sicher.
Obwohl das vorstehend beschriebene Abbildungssystem bei Einhaltung der vorstehend wiedergegebenen Bedingungen
ein besonders gutes Betriebsverhalten aufweist, können noch bessere Ergebnisse erzielt werden,
wenn die nachfolgend aufgeführten Bedingungen eingehalten werden:
1.9< If1Zf2I
< 3.7 (7)
0.8 < If2Zf3I
< 1.2 (3)
f12l < 2.3 (9)
f,, < 2.2 (10)
wobei f Λ, f» und f ->
die Brennweiten der ersten, zweiten und dritten Linsengruppe A, B und C, f.,, und f12 die
Brennweiten der ersten und zweiten Linsenuntergruppe A1 und A„ und F,,, die Brennweite der Linse L111 darstellen.
Die Ungleichungen (7) und (8) stellen Bedingungen zum geeigneten Einstellen des Brechungsvermögens der
Linsengruppen als Basislinsenfunktion dar, um auf diese Weise die Feldkrümmung in zufriedenstellender Weise
über die gesamte Bildebene zu korrigieren. Wenn der untere Grenzwert einer jeden Bedingung überschritten
wird, steigt die Petzval-Summe an, so daß eine unzureichende Korrektur der Feldkrümmung erhalten wird.
Wenn andererseits der obere Grenzwert überschritten. wird, findet eine übermäßige Korrektur der FeIdkrümmung
statt. In diesen Fällen ist daher eine zufriedenstellende Korrektur der Aberrationen über die
gesamte Bildebene nur schwierig zu erreichen.
Die Ungleichung (9) stellt unter Einstellung des Brechungsvermögens nach den Bedingungen (7) und (8)
eine Bedingung zur Korrektur der durch die erste
Linsenuntergruppe A. verursachten Verzeichnung, für die Korrektur der durch die zweite Linsenuntergruppe
A2 verursachten einwärtsorientierten Koma- und HaIo-Erscheinungen
und für die Unterdrückung der FeIdkrünunung über die gesamte Bildebene dar, um auf diese
Weise das Auflösungsvermögen zu verbessern. Wenn der untere Grenzwert der Bedingung (9) überschritten
wird, wird eine unzureichende Korrektur der Feldkrümmung erhalten. Wenn andererseits der obere
Grenzwert überschritten wird, findet eine übermäßige Korrektur der Feldkrümmung statt.
Die Ungleichung (10) stellt eine Bedingung zur geeigneten Einstellung des Anteils des negativen
Brechungsvermögens der Linse L1... relativ zur ersten Linsenuntergruppe A, dar, umdie Verzeichnung in zufriedenstellender
Weise zu korrigieren. Wenn der untere Grenzwert der Bedingung (10) überschritten
wird, findet eine unzureichende Verzeichnungskorrektur
statt. Wenn der obere Grenzwert überschritten wird, ist die Verzeichnungskorrektur zu
stark.
Bei dem Abbildungssystem dieser Ausführungsform
kann es sich bei der Linse L' 22um eine bikonvexe
Linse oder um eine Meniskus-Linse mit einer zur Objektseite weisenden konvexen Oberfläche handeln.
Wann die erste Linsenuntergruppe A. durch drei oder mehr Meniskus-Linsen gebildet wird, die
jeweils ein negatives Brechungsvermögen besitzen und eine zur Objektseite weisende konvexe Oberfläche
aufweisen, wird der Anteil des Brechungsvermögens einer jeden Linse unterdrückt. Dies
wird bevorzugt, da auf diese Weise das Auftreten von Koma-Erscheinungen minimal gehalten und die
Auswirkungen der anderen Aberrationen verringert werden können.
Wenn jede Linse L* 3 und L1-. der dritten Linsengruppe
C oder eine dieser Linsen durch zwei oder mehr Komponenten gebildet wird, um den Anteil des
Brechungsvermogens zu unterdrücken, können Koma-Erscheinungen und Bildkrümmung besser über die
gesamte Bildebene korrigiert werden. Auf diese Weise läßt sich ein höheres Auflösungsvermögen
erzielen.
Wie vorstehend erläutert, läßt sich durch das Abbildungssystem
gemäß dieser zweiten Ausführungsform der Erfindung ein optisches Projektionssystem
zur Verwendung in einer Projektionsbelichtungsvorrichtung verwirklichen, das ein hohes Auflösungsvermögen
und ein besonders gutes Betriebsverhalten besitzt.
Zahlenbeispiele dieses Bildsystems werden im folgenden
Teil der Beschreibung erläutert. Bei den folgenden Zahlenbeispielen stellen Ri den Krümmungsradius der
"i-ten" Linsenfläche in der Reihenfolge von der Objektseite her, Di die Linsendicke oder den Luft-
spalt des "i-ten" Elementes in der Reihenfolge von der Objektseite her und Ni den Brechungsindex
des Glasmateriales der "i-ten" Linse in dieser Reihenfolge von der Objektseite dar.
5
Als Glasmaterial wurde Quarzglas (SiO2) eingesetzt,
das bei einer Wellenlänge von 248,5 nm einen Brechungsindex von 1,521130 besaß.
Die folgenden Beispiele wurden bei einem Projektionsverhältnis von 1:10, einer numerischen Öffnungsgröße von NA = 0,35 und einem Bildebenen-Bereich
von 10x10 durchgeführt.
Zahlenbeispiel 6 R |
419.004 | D | GLAS |
1 | 121.565 | 8.00 | SiO2 |
2 | 575.567 | 6.85 | |
3 | 130.691 | 8.00 | SiO2 |
4 | 243.521 | 60.00 | |
5 | -189.899 | 24.00 | SiO2 |
6 | 178.626 | 1.00 | |
7 | -587.514 | 20.00 | SiO2 |
8 | 70.167 | 30.00 | |
9 | 49.060 | 20.00 | SiO2 |
10 | -80i629 | 55.00 | |
11 | 162,193 | 12.00 | SiO2 |
12 | -38.345 | 30.00 | |
13 | -53.859 | 20.00 | SiO2 |
14 | -486.676 | 1.00 | |
15 | -88.984 | 18.00 | SiO2 |
16 | 282.794 | 1.00 | |
17 | -231.051 | 16.50 | SiO2 |
18 | 120.605 | 1.00 | |
19 | 572.790 | 18.50 | SiO2 |
20 | 68.110 | 1.00 | |
21 | 103.072 | 20.00 | SiO2 |
22 |
Zahlenbeispiel 7 | R | D | GLAS |
444.871 | 8.00 | SiO2 | |
1 | 150.156 | 6.85 | |
2 | 1659.570 | 8.00 | SiO2 |
3 | 192.927 | 20.00 | |
4 | 201.778 | 24.00 | SiO2 |
5 | -198.369 | 1.00 | |
6 | 221.404 | 20.00 | SiO2 |
7 | 14386.600 | 85.00 | |
8 | 62.746 | 20.00 | SiO2 |
9 | 43.854 | 55.00 | |
10 | -123.923 | 12.00 | SiO2 |
11 | 90.040 | 30.00 | |
12 | -36.999 | 20.00 | SiO2 |
13 | -49.482 | 27.50 | |
14 | -519.716 | 18.00 | SiO2 |
15 | -110.028 | 1.00 | |
16 | 311.390 | 16.50 | SiO2 |
17 | -265.186 | 1.00 | |
18 | 121.675 | 18.50 | SiO2 |
19 | 746.328 | 1.00 | |
20 | 68.122 | 20.00 | SiO2 |
21 | 122.588 | ||
22 |
Zahlenbeispiel 8 | R | D | GLAS |
13560.936 | 8.00 | SiO2 | |
1 | 222.932 | 6.85 | |
2 | 201,583 | 8.00 | SiO2 |
5 3 | 127.682 | 60.00 | |
4 | 213.442 | 24.00 | SiO2 |
5 | -197.092 | 1.00 | |
$ | 109.312 | 20.00 | SiO2 |
7 | 308.248 | 30.00 | |
) 8 | 80.091 | 20.00 | SiO2 |
9 | 49.108 | 40.00 | |
10 | -72.470 | 12.00 | SiO2 |
11 | 270.667 | 55.00 | |
12 | -48.129 | 20.00 | SiO2 |
13 | -63.633 | 1.00 | |
14 | -416.538 | 18.00 | SiO2 |
15 | -108.697 | 1.00 | |
16 | 350.352 | 16.50 | SiO2 |
17 | -246.480 | 1.00 | |
18 | 135.104 | 18.50 | SiO2 |
19 | 1379.830 | 1.00 | |
20 | 79.637 | 20.00 | SiO2 |
21 | 112.446 | ||
22 |
Zahlenbe | ispiel 9 R |
D | .00 | GLAS |
1 | 13560.936 | 8 | .85 | SiO2 |
2 | 222.932 | 6 | .00 | |
3 | 201.583 | 8 | .00 | SiO2 |
4 | 127.682 | 60 | .00 | |
5 | 213.442 | 24. | ,00 | SiO2 |
6 | -197.092 | 1. | 00 | |
7 | 109.312 | 20. | 00 | SiO2 |
8 | 308.248 | 30. | 00 | |
9 | 79.369 | 20. | 00 | SiO2 |
10 | 48.750 | 40. | 00 | |
11 | -72.247 | 12. | 00 | SiO2 |
12 | 248.795 | 55. | 00 | |
13 | -46.898 | 20. | 00 | SiO2 |
14 | -61.747 | 1. | 00 | |
15 | -416.538 | 18. | 00 | SiO2 |
16 | -108.697 | 1. | 50 | |
17 | 350.352 | 16. | 00 | SiO2 |
18 | -246.480 | 1. | 50 | |
19 | 135.104 | 18. | 00 | SiO2 |
20 | 1379.830 | 1. | 00 | |
21 | 79.637 | 20. | SiO2 | |
22 | 112.446 | |||
Zahlenbeispiel 10
R D GLAS
1 422.756 8.00 SiO2
2 150.109 6,85
3 1880.246 8.00 SiO2
4 191.730 20.00
5 201,773 24.00 SiO2
6 -198.369 1.00
7 221.404 20.00 SiO2 8 14386.600 85.00
9 62,746 20.00 SiO2
10 43,854 55.00
11 -123.923 12.00 SiO2
12 90.040 30.00
13 -36.999 20.00 SiO2
14 -49.482 27.50
15 -519.716 13.00 SiO2
16 -110.023 1.00
17 311.390 16.50 SiO2 18 -265.186 1.00
19 . 121.675 18.50 SiO2
20 746.328 1.00
21 68.124 20.00 SiO2
22 122.498
b
b
Die Aberrationen der vorstehend wiedergegebenen Zahlenbeispiele 6-10 sind in den Diagrammen
der Figuren 9-13 dargestellt. In diesen Diagrammen ist mit Y die Bildhöhe, mit M die
meridionale Bildfläche und mit S die sagittale Bildfläche bezeichnet.
Die Zahlenbeispiele 1-10 besitzen das gemeinsame Merkmal, daß irgendeine verbundene Linse zur
Korrektur der chromatischen Aberration nicht vorhanden ist. Da die Excimer-Linse eine einzige
Wellenlänge oder einen sehr engen Wellenlängenbereich zur Verfügung stellt, ist es zur Korrektur
einer axialen chromatischen Aberration nicht erforderlich, irgendein Paar von miteinander verbundenen
Linsen oder Paare dieser Linsen in der Nachbarschaft der Ebene einer Blende 50 (siehe die Figuren
2 und 8), in der der Hauptstrahl die optische Achse schneidet, in einer symmetrischen Anordnung
relativ zur Ebene der Blende anzuordnen. Mit anderen Worten,bei jeder der Linsen L2-, und L_3, die in
Figur 2 gezeigt sind, und der Linsen L1^. und L1-,,
die in Figur 8 gezeigt sind, handelt es sich in der Tat um nicht-verbundene Linsen.
Natürlich muß es sich bei der in Figur 2 oder Figur 8 gezeigten Blende 50 nicht um ein echtes Blendenelement
handeln.
Erfindungsgemäß wird somit eine Projektionsbelichtungs·
Vorrichtung zur Verfügung gestellt, mit der über ein
optisches Brechungssystem ein auf ein era Original, beispielsweise einer Maske oder einer Strichplatte,
ausgebildetes Muster auf ein Plättchen projiziert wird. Die r'rojaktionsbelichtungsvorrichtung umfaßt
eine Lichtquelle, die einen Excimer-Laser-Strahl
2u;n Belichten des Originales zur Verfügung stellt.
Das optische Brechungssyötem urafaßt eine Vielzahl
von Linsen, von denen jede aus Quarzglas (SiO~) o.ler Calciuiiifluorid (CaF.?) besteht.
- Leerseite -
Claims (6)
1. Projektionsbelichtungsvorrichtung, g e k e η η zeichn
et durch:
10
20
Eine Lichtquelle (1) zur Verfügungstellung eines Excimer-Laser-Strahles;
Einrichtungen (4) zum Lagern eines Originales (M), so daß dieses durch den von der Lichtquelle (1)
abgegebenen Excimer-Laser-Strahl belichtet wird, wobei das Original (M )ein Substrat aufweist, das
gegenüber dem Excimer-Laser-Strahl durchlässig ist und auf seiner Oberfläche ein Schaltungsmuster besitzt, das aus einem Material besteht,
das jegenüber dem Excimer-Laser-Strahl nicht * durchlässig ist?
ein optisches Abbildungssystem (3) zum Projizieren des Schaltungsmusters des Originales (M) auf ein
Plättchen (W), das eine Vielzahl von Linsen aufweist, die jeweils aus einem Glasmaterial bestehen,
das gegenüber dem Excimer-Laser-Strahl durchlässig ist; und
Einrichtungen (5) zum Lagern des Plättchens (W), auf das das Schaltungsmuster des Originales (M)
projiziert werden soll.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß jede der Linsen des optischen Abbildungssystems (3) aus Quarzglas und/ oder Calciumfluorid besteht.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß jede der Linsen des optischen Abbildungssystems (3) eine nichtverbundene
Linse ist.
4. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß das optische Abbildunssystem (3) ein Paar oder Paare von nichtverbundenen Linsen aufweist, die auf beiden Seiten
der Ebene einer Blende (50) des optischen Abbildungssystems (3) angeordnet sind.
5. Vorrichtung nach Anspruch 4,dadurch gekennzeichnet,
daß das Paar oder die Paare der nicht-verbundenen Linsen relativ zur Ebene der
Blende (50) symmetrisch angeordnet sind.
6. Projektionsbelichtungsvorrichtung, g e k en nzeichnetdurch:
Eine Lichtquelle (1) zum Zurverfügungstellen eines Exciraer-Laser-STrahles;
Einrichtungen (4) zum Lagern eines Originales (M), so daß dieses durch den von der Lichtquelle (1)
abgegebenen Excimer-Laser-Strahl belichtet wird, wobei das Original (M) ein Substrat aufweist,
das gegenüber dem Excimer-Laser-Strahl durchlässig ist und auf seiner Oberfläche ein Schaltungsmuster
besitzt, das aus einem Material besteht, das gegenüber
dem Excimer-Laser-Strahl nicht durchlässig ist;
ein optisches Abbildungssystem (3) zum Projizieren des Schaltungsmusters des Originales (M) auf ein
Plättchen (W), das Linseneinrichtungen aufweist, die nicht in der Lage sind, irgendwelche chromatisch
Aberrationen in bezug auf einen anderen Lichtstrahl als den Excimer-Laser-Strahl zu korrigieren; und
Einrichtungen (5) zum Lagern des Plättchens (W), auf das das Schaltungsmuster des Originales (M)
projiziert werden soll.
15
projiziert werden soll.
15
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24590483A JPS60140310A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 投影レンズ |
JP14205984A JPS6120919A (ja) | 1984-07-09 | 1984-07-09 | 投影レンズ |
JP14206084A JPS6120920A (ja) | 1984-07-09 | 1984-07-09 | 投影レンズ |
JP59252277A JPH0695495B2 (ja) | 1984-11-28 | 1984-11-28 | 回路製造方法及びそれを用いた露光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3447489A1 true DE3447489A1 (de) | 1985-07-11 |
DE3447489C2 DE3447489C2 (de) | 1998-10-08 |
Family
ID=27472426
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE3447489A Expired - Lifetime DE3447489C2 (de) | 1983-12-28 | 1984-12-27 | Verfahren und Vorrichtung zur Projektionsbelichtung |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US4891663A (de) |
DE (1) | DE3447489C2 (de) |
GB (1) | GB2153543B (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19546795A1 (de) * | 1994-12-16 | 1996-06-20 | Nikon Corp | Katadioptrisches System und ein dieses benützendes Belichtungsgerät |
WO1998000761A1 (en) * | 1996-07-02 | 1998-01-08 | Heraeus Quarzglas Gmbh | Projection aligner for integrated circuit fabrication |
Families Citing this family (54)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4981331A (en) * | 1987-10-08 | 1991-01-01 | Kollmorgen Corporation | Low reflection optical reticle and method of making same |
US4888203A (en) * | 1987-11-13 | 1989-12-19 | Massachusetts Institute Of Technology | Hydrolysis-induced vapor deposition of oxide films |
US5310624A (en) * | 1988-01-29 | 1994-05-10 | Massachusetts Institute Of Technology | Integrated circuit micro-fabrication using dry lithographic processes |
US5121160A (en) * | 1989-03-09 | 1992-06-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure method and apparatus |
US5311362A (en) * | 1989-04-20 | 1994-05-10 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
US5062705A (en) * | 1989-09-13 | 1991-11-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Apparatus for evaluating a lens |
US5303005A (en) * | 1990-01-31 | 1994-04-12 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Image forming apparatus with improved maintenance control |
JP3175180B2 (ja) * | 1990-03-09 | 2001-06-11 | キヤノン株式会社 | 露光方法及び露光装置 |
JP3010365B2 (ja) * | 1990-05-15 | 2000-02-21 | オリンパス光学工業株式会社 | 対物レンズ |
JP3353902B2 (ja) * | 1990-12-12 | 2002-12-09 | オリンパス光学工業株式会社 | 投影レンズ系 |
US5212588A (en) * | 1991-04-09 | 1993-05-18 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Reflective optical imaging system for extreme ultraviolet wavelengths |
US5285236A (en) * | 1992-09-30 | 1994-02-08 | Kanti Jain | Large-area, high-throughput, high-resolution projection imaging system |
JP3037040B2 (ja) * | 1993-01-20 | 2000-04-24 | 日本電気株式会社 | 露光装置 |
US5702495A (en) * | 1993-02-10 | 1997-12-30 | Nikon Corporation | Silica glass member for UV-lithography, method for silica glass production, and method for silica glass member production |
JPH07128590A (ja) * | 1993-10-29 | 1995-05-19 | Olympus Optical Co Ltd | 縮小投影レンズ |
JP3360387B2 (ja) * | 1993-11-15 | 2002-12-24 | 株式会社ニコン | 投影光学系及び投影露光装置 |
JP3396935B2 (ja) * | 1993-11-15 | 2003-04-14 | 株式会社ニコン | 投影光学系及び投影露光装置 |
JP3500745B2 (ja) * | 1994-12-14 | 2004-02-23 | 株式会社ニコン | 投影光学系、投影露光装置及び投影露光方法 |
USRE38465E1 (en) | 1994-12-14 | 2004-03-16 | Nikon Corporation | Exposure apparatus |
JP3454390B2 (ja) * | 1995-01-06 | 2003-10-06 | 株式会社ニコン | 投影光学系、投影露光装置及び投影露光方法 |
JP3893626B2 (ja) * | 1995-01-25 | 2007-03-14 | 株式会社ニコン | 投影光学装置の調整方法、投影光学装置、露光装置及び露光方法 |
JP3819048B2 (ja) * | 1995-03-15 | 2006-09-06 | 株式会社ニコン | 投影光学系及びそれを備えた露光装置並びに露光方法 |
KR0143814B1 (ko) * | 1995-03-28 | 1998-07-01 | 이대원 | 반도체 노광 장치 |
JPH08313805A (ja) * | 1995-05-18 | 1996-11-29 | Sony Corp | レンズ装置及び紫外線集光装置 |
JP3624973B2 (ja) * | 1995-10-12 | 2005-03-02 | 株式会社ニコン | 投影光学系 |
US5696631A (en) * | 1996-02-22 | 1997-12-09 | Anvik Corporation | Unit magnification projection lens system |
JP3750123B2 (ja) † | 1996-04-25 | 2006-03-01 | 株式会社ニコン | 投影光学系 |
US5808814A (en) * | 1996-07-18 | 1998-09-15 | Nikon Corporation | Short wavelength projection optical system |
US5717518A (en) * | 1996-07-22 | 1998-02-10 | Kla Instruments Corporation | Broad spectrum ultraviolet catadioptric imaging system |
JP3610166B2 (ja) | 1996-07-31 | 2005-01-12 | キヤノン株式会社 | 大口径広角テレセントリックレンズ |
JP3864399B2 (ja) * | 1996-08-08 | 2006-12-27 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び該投影露光装置に用いられる投影光学系並びにデバイス製造方法 |
US5852490A (en) * | 1996-09-30 | 1998-12-22 | Nikon Corporation | Projection exposure method and apparatus |
JP3757536B2 (ja) * | 1996-10-01 | 2006-03-22 | 株式会社ニコン | 投影光学系及びそれを備えた露光装置並びにデバイス製造方法 |
JP3823436B2 (ja) * | 1997-04-03 | 2006-09-20 | 株式会社ニコン | 投影光学系 |
JPH116957A (ja) * | 1997-04-25 | 1999-01-12 | Nikon Corp | 投影光学系および投影露光装置並びに投影露光方法 |
JP3925576B2 (ja) | 1997-07-24 | 2007-06-06 | 株式会社ニコン | 投影光学系、該光学系を備えた露光装置、及び該装置を用いたデバイスの製造方法 |
JPH11214293A (ja) | 1998-01-22 | 1999-08-06 | Nikon Corp | 投影光学系及び該光学系を備えた露光装置並びにデバイス製造方法 |
US6700645B1 (en) | 1998-01-22 | 2004-03-02 | Nikon Corporation | Projection optical system and exposure apparatus and method |
WO1999052004A1 (fr) | 1998-04-07 | 1999-10-14 | Nikon Corporation | Appareil et procede d'exposition a projection, et systeme optique reflechissant a refraction |
US5986824A (en) * | 1998-06-04 | 1999-11-16 | Nikon Corporation | Large NA projection lens system with aplanatic lens element for excimer laser lithography |
US5969803A (en) * | 1998-06-30 | 1999-10-19 | Nikon Corporation | Large NA projection lens for excimer laser lithographic systems |
DE19939088A1 (de) * | 1998-08-18 | 2000-02-24 | Nikon Corp | Belichtungsvorrichtung und -verfahren |
EP0997778A3 (de) * | 1998-10-30 | 2002-05-02 | Nikon Corporation | Optisches Element und optisches Projektionssystem für Photolithographie unter Verwendung derselben |
JP3619142B2 (ja) | 2000-11-10 | 2005-02-09 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置及びデバイス製造方法 |
JP3576961B2 (ja) * | 2000-11-10 | 2004-10-13 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置及びデバイス製造方法 |
JP3619141B2 (ja) * | 2000-11-10 | 2005-02-09 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2002323652A (ja) * | 2001-02-23 | 2002-11-08 | Nikon Corp | 投影光学系,該投影光学系を備えた投影露光装置および投影露光方法 |
JP4154144B2 (ja) * | 2001-11-13 | 2008-09-24 | キヤノン株式会社 | 露光装置、発光制御方法、およびデバイス製造方法 |
US8208198B2 (en) | 2004-01-14 | 2012-06-26 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Catadioptric projection objective |
US20080151365A1 (en) * | 2004-01-14 | 2008-06-26 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective |
KR20170129271A (ko) | 2004-05-17 | 2017-11-24 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 중간이미지를 갖는 카타디옵트릭 투사 대물렌즈 |
US8610986B2 (en) * | 2009-04-06 | 2013-12-17 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Mirror arrays for maskless photolithography and image display |
US8649094B2 (en) * | 2010-05-21 | 2014-02-11 | Eastman Kodak Company | Low thermal stress birefringence imaging lens |
CN104062748B (zh) * | 2014-07-17 | 2016-04-13 | 张家港中贺自动化科技有限公司 | 一种宽谱线投影光学系统的倍率调节方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2755047A1 (de) * | 1976-12-10 | 1978-06-15 | Thomson Csf | Vorrichtung zur uebertragung von zusammengesetzten motiven |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2983193A (en) * | 1958-11-28 | 1961-05-09 | Eastman Kodak Co | High resolution photographic objectives |
FR2052201A5 (de) * | 1969-07-28 | 1971-04-09 | Comp Generale Electricite | |
US3779788A (en) * | 1972-03-30 | 1973-12-18 | Nasa | Transmitting and reflecting diffuser |
JPS57198631A (en) * | 1981-05-29 | 1982-12-06 | Ibm | Exposing method and device |
FR2519156A1 (fr) * | 1981-12-28 | 1983-07-01 | Thomson Csf | Dispositif optique a source d'energie radiante pour le transfert de motifs sur un substrat et procede de mise en oeuvre |
US4461546A (en) * | 1982-06-24 | 1984-07-24 | Muffoletto C Verne | Diffraction-limited achromatic beam expanding telescope |
US4493555A (en) * | 1982-09-22 | 1985-01-15 | Honeywell Inc. | High sensitivity focal sensor for electron beam and high resolution optical lithographic printers |
US4811055A (en) * | 1984-02-27 | 1989-03-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection exposure apparatus |
US4773750A (en) * | 1984-06-21 | 1988-09-27 | Bruning John H | Deep-UV lithography |
WO1986000427A1 (en) * | 1984-06-21 | 1986-01-16 | American Telephone & Telegraph Company | Deep-uv lithography |
US4785192A (en) * | 1984-06-21 | 1988-11-15 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Maintaining optical signals in prescribed alignment with respect to workpiece in movable equipment |
-
1984
- 1984-12-20 GB GB08432300A patent/GB2153543B/en not_active Expired
- 1984-12-27 DE DE3447489A patent/DE3447489C2/de not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-06-24 US US07/212,081 patent/US4891663A/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-06-24 US US07/212,148 patent/US4977426A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2755047A1 (de) * | 1976-12-10 | 1978-06-15 | Thomson Csf | Vorrichtung zur uebertragung von zusammengesetzten motiven |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
US-Z: J. Appl. Phys. 1982, S. 767-773 * |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19546795A1 (de) * | 1994-12-16 | 1996-06-20 | Nikon Corp | Katadioptrisches System und ein dieses benützendes Belichtungsgerät |
US5668672A (en) * | 1994-12-16 | 1997-09-16 | Nikon Corporation | Catadioptric system and exposure apparatus having the same |
WO1998000761A1 (en) * | 1996-07-02 | 1998-01-08 | Heraeus Quarzglas Gmbh | Projection aligner for integrated circuit fabrication |
US6031238A (en) * | 1996-07-02 | 2000-02-29 | Heraeus Quarzglas Gmbh | Projection aligner for integrated circuit fabrication |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB8432300D0 (en) | 1985-01-30 |
GB2153543B (en) | 1988-09-01 |
DE3447489C2 (de) | 1998-10-08 |
US4891663A (en) | 1990-01-02 |
US4977426A (en) | 1990-12-11 |
GB2153543A (en) | 1985-08-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3447489A1 (de) | Projektionsbelichtungsvorrichtung | |
DE2828530C2 (de) | Spiegellinsenobjektiv | |
DE69531153T2 (de) | Optisches Projektionssystem mit Belichtungsgerät | |
EP1035445B1 (de) | Mikrolithographie-Reduktionsobjektiveinrichtung sowie Projektionsbelichtungsanlage | |
DE69522422T3 (de) | Belichtungsvorrichtung | |
DE69837358T2 (de) | Beleuchtungssystem und Belichtungsapparat | |
EP1282011B1 (de) | Reflektives Projektionsobjektiv für EUV-Photolithographie | |
DE69629277T2 (de) | Optisches Projektionssystem und damit ausgerüstetes Belichtungsgerät | |
DE19923609A1 (de) | Ringfeld-4-Spiegelsysteme mit konvexem Primärspiegel für die EUV-Lithographie | |
EP1845417B1 (de) | Beleuchtungssystem mit Zoomobjetiv | |
DE19902336A1 (de) | Optisches Projektionssystem und dieses verwendende Belichtungsvorrichtung und Belichtungsverfahren | |
DE102009054540B4 (de) | Beleuchtungsoptik für die EUV-Mikrolithographie | |
EP0747772A1 (de) | Beleuchtungseinrichtung für ein Projektions-Mikrolithographie-Gerät | |
DE102006036064A1 (de) | Beleuchtungssystem für eine Projektionsbelichtungsanlage mit Wellenlängen ≦ 193 nm | |
DE102009030501A1 (de) | Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Beleuchtungsoptik zur Ausleuchtung eines Objektfeldes | |
DE19833481A1 (de) | Optisches Projektionssystem, dieses verwendende Belichtungsvorrichtung und Belichtungsverfahren | |
DE102011083888A1 (de) | Abbildende katoptrische EUV-Projektionsoptik | |
DE102005014640B4 (de) | Anordnung zur Beleuchtung eines Objektes | |
DE19908526A1 (de) | Beleuchtungssystem mit Feldspiegeln zur Erzielung einer gleichförmigen Scanenergie | |
EP1037115B1 (de) | Mikrolithographie-Projektionsobjektiveinrichtung sowie Projektionsbelichtungsanlage | |
DE19948240A1 (de) | Mikrolithographie-Reduktionsobjektiveinrichtung sowie Projektionsbelichtungsanlage | |
DE60306042T2 (de) | Relaisobjektiv in einem Beleuchtungssystem eines lithographischen Systems | |
WO2020108926A2 (de) | Optisches beleuchtungssystem für projektionslithographie | |
DE102019204345A1 (de) | Verfahren zum herstellen eines optischen elements | |
DE19716794A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Nah-Typ-Mikrolithographie |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
D2 | Grant after examination | ||
8363 | Opposition against the patent |