DE3514094A1 - Herstellung metallischer strukturen auf anorganischen nichtleitern - Google Patents

Herstellung metallischer strukturen auf anorganischen nichtleitern

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DE3514094A1 DE19853514094 DE3514094A DE3514094A1 DE 3514094 A1 DE3514094 A1 DE 3514094A1 DE 19853514094 DE19853514094 DE 19853514094 DE 3514094 A DE3514094 A DE 3514094A DE 3514094 A1 DE3514094 A1 DE 3514094A1
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    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding

Description

10
Die Erfindung hat zur Aufgabe, metallische Strukturen auf anorganischen, nichtleitenden Oberflächen mit physikalischen Methoden, das heißt ohne die Verwendung wäßriger Atz- und Aktivierungslösungen herzustellen. Dabei ist es ein besonderes Merkmal der Erfindung, daß die Strukturen, die man erhalten will, im Positiv-Druck bzw. als Positiv-Bild auf die Substratoberfläche aufgebracht werden können. Es handelt sich also um ein grundsätzlich anderes Verfahren als bekannte Methoden, bei denen die Oberflächenteile, die einen Metallüberzug erhalten sollen, nicht abgedeckt werden, das Substrat also mit einer Negativ-Maske versehen wird.
Mit Hilfe der Erfindung ergeben sich neue Wege zur Herstellung von gedruckten Schaltungen, insbesondere von Feinleiterschaltungen und Mehrlagenschaltungen in der Elektronik, aber auch von Strukturen, Ornamenten u.a. für dekorative Zwecke.
Die Durchführung der Erfindung erfolgt in folgenden Schritten:
1) Abdecken des Substrates mit einer Abdeckmaske, mit Fotolacken oder mit Siebdrucklacken im Positiv-Verfahren.
2) Einbringen in eine Glimmentladungszone unter Einwirkung von reaktiven halogenhaltigen Gasen.
3) Entfernen derAbdeckmaske bzw. des Abdecklackes.
4) Metallisieren des Substrates durch übliche Methoden wie Bedampfen, Kathodenzerstäubung (Sputtern), Plasmametallisierung.
5) "Entwickeln" der gewünschten Strukturen durch Tauchen des Substrates
in Wasser oder wäßrige Lösungen von Metall-Komplexbildnern bzw. anorganischen und/oder organischen Verbindungen.
30
Während der Einwirkung von halogenhaltigen Gasen im Plasma entstehen auf den nichtabgedeckten Flächen des Substrates reaktive Halogenverbindungen. Überraschenderweise bilden sie bei der anschließenden physikalischen Metallbeschichtung lösliche Metallhalogenide, die durch einfache Tauchprozesse abgelöst werden können, so daß die Metallisierung nur an den Stellen erhalten bleibt, die bei der Plasmabehandlung abgedeckt waren.
-3-
Postanschrift: Schering Aktiengesellschaft Postfach 65 0311, D-1000 Berlin 85 · sjr Besserer Ber p-,Vec2-g. VUerEtrafle Γ0-Τ3 T&egramrre Scienrsjineme 5«r-i
j - D.1 Heroen Asm:s. Dr Or s:an 3r^rn. Dr f-enz Hannse. Horst Kramo Dr Klaus Pome. Dr nors: Λ 'ze: Vors.tzende' "es Au'sicRtsrats rians-j-'^en Hamann
* S :z aer Geseiiscnaf! Bernn und EergKarren Harce'Sregisier: AG ChariottenEL'-j 33 HRB 233 una A3 Ka~e^ HF3 0061 Be- -er CommerzDap* AG 3er n. Koi!c-Mr
'037D0600. 3ariKie>!zani 1C04C0C0 5er1 ner nanaes- una Frankfurter Sann. Be' α Komo-Nr 700-15224 Bar.Kiatrani '00202C3 Deutsche BanK Benin AG. Kcr-o-.V
Schering Aktiengesellschaft Gewerblicher Rechtsschutz
30
:i. ■ ·■ :.'· SCHERING
A 3 51 /, Q 9 /,
Die reaktiven Halogenverbindungen, die sich während der Plasmabehandlung bilden, sind bemerkenswert stabil- Sie werden zum Beispiel durch das Anlegen eines Vakuums bei einer anschließenden Bedampfung nicht entfernt und sind auch nach tagelanger Lagerung noch voll wirksam, so daß ein sicherer Arbeitsablauf bei der Herstellung von Strukturen nach dem erfindungsgemäßen Verfahren gewährleistet ist.
Die mit dem erfindungsgemäßen Verfahren erhaltenen Strukturen können mit bekannten Methoden verstärkt werden, vorzugsweise durch eine anschließende chemische Verkupferung oder chemische Vernicklung in Bädern zur autokatalytischen Metallabscheidung.
Als Substrate, auf denen die metallischen Strukturen erzeugt werden sollen, 1^ kommen alle üblichen anorganischen Nichtleiter in Frage, insbesondere Aluminiumoxidkeramiken, Siliziumoxidkeramiken und Glas, aber auch Metalle mit Oxidschichten, wie zum Beispiel Aluminium.
Die am besten geeigneten halogenhaltigen Gase sind Bortrichlorid, "Silicium- - tetrachlorid, Bortrifluorid und Tetrachlorkohlenstoff.
die folgenden Beispiele erläutern die Erfindung:
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-4—
Postanschrift: Schering Aktiengesellschaft, Postfach 650311, D-1000 Berlin 65 · rjr Besucrer 3e' --.'.ecir;. ν·-. e'sraiJe !70-173 Telegramme. Scheringr-e-nie Be' η
Vorstand: Dr. Heroen Asmis. Dr. Christian Brunn. Dr. Heinz Hannse. Horst Kramp. Dr. Klaus Fore. Dr. -es: .Vzs. vc-s.:z9nder ces Aufsichtsrats Hans-Ju'^sn Harnann Sitz der Gesellschaft: Benin und Sergkamen Handelsregister: AG Gharic"er>Eurg 93 HBB 282 jnd A3 ^"β". nR3 CCSI Beniner Commerzoanx AG. Ber n, Konto-Nr 108700600. BanKleitzani 10040000 Berliner Handeis- und Frankfurter Bar.K. 3β'··η. Konto-V 7004522- Bar-xeizarv '3020200 Deutscne BanK Benin A3. Konto-f-ir 2415008, Bankleitzarl '00 700 00 Postscheckamt Serlm West. Konlo-Nr 1175-101. Barweuah! "00100 "C
Schering Aktiengesellschaft Gewerblicher Rechtsschutz
SCHERING 3 5 ι /, Q 9 /,
BEISPIEL 1
Herstellung von Strukturen auf Aluminiumoxidkeramik durch Bedampfen mit
Gold
~~ " ~
Auf Keramikplättchen der Größe 50 χ 50 χ 2 mm wird das gewünschte Leiterbahnenbild mittels eines Siebdrucklackes ©der-nach anderen üblichen Verfahren aufgetragen.
Die Plättchen werden in einem Plasma-Reaktor einer Plasma-Einwirkung unter
folgenden Bedingungen ausgesetzt:
10
Elektrodentemperatur 1500C
Frequenz 13,56 MHz
Leistungsdichte 1,6 Watt/cm2
Druck im Reaktor 0,5 hPa
*5 Reaktionsgas Bortrichlorid
Trägergas Argon
Einwirkungszeit im Plasma 90 Minuten
Nach Beendigung der Plasmaeinwirkung werden die Keramikplättchen aus dem Reaktor entfernt, der auf ihnen befindliche Siebdrucklack wird durch Tauchen in geeignete organische Lösemittel abgelöst.
Die Plättchen werden nun in einem handelsüblichen Gerät zur Vakuumbedampfung mit Gold bedampft. An den Stellen, die vorher nicht mit Lack abgedeckt, up also dem Plasma ausgesetzt waren, wird hierbei das Gold in eine wasserlösliche Verbindung überführt. Nach dem Bedampfen werden die Plättchen in Wasser getaucht, wobei sich die Goldverbindung löst und die gewünschten Strukturen als Goldfilm auf der Oberfläche zurückbleiben.
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Ϊ Postanschrift: Schering Aktiengesellschaft Postfach 65 0311. 0-1000 Berlin 65 · Fur Besucher- Befün-vVedang. Muiiefstrafle !70-178 τβ'5ς'3-"τβ Scr^ngcremie 5er· η
Vorstand- Dr rieroerr Asmis. Dr Chr-sr an Brunn. Dr Hsmz Hannse Horst Kramp. Dr. Klaus Pohle. Or Horst W>"ei Vorsitzender ies Auis.cr'srats Hans-Jürgen Harrar.n
, Sitz 3er Gese.iscna«: 3er'm jr.ü Bekamen Hanae!sreg:ster. AG Chartottendurg 93 HRB 283 und AG Kamen HRB 0061 Ber: ner Commerzcann AG Benin. Konio-'jr
1087C0600. SanKieiizarM '00 40000 cen-rer Hameis- und FranKfurter BanK. Berlin. Konto-Nr. 70045224 Banxietlzani 10020200 Deu:scre 3βπκ Benin AG. Kor.rc-\r
24'50C8. BanKleitzari :00 700 '30 PostscrecKamt Berlin West. Kon!o-Nr 1175-'O1. BanKleitzahl 10010010
Schering Aktiengesellschaft "'■. ; ;**,,; : I,
Gewerblicher Rechtsschutz _ .*.*..' *,,
SCHERING 3 51 Λ. 0 9 Λ—
BEISPIEL 2
Herstellung von Strukturen auf Siliziumoxidkeramik durch Bedampfen mit Kupfer
Plättchen aus Siliziumoxidkeramik der Abmessungen 80χ 40 χ 3 mm werden
mit Masken der gewünschten Strukturen abgedeckt und einer Plasmaeinwirkung unter gleichen Bedingungen wie im Beispiel 1 ausgesetzt. Danach werden die Plättchen aus dem Reaktor genommen, die Masken werden entfernt. 10
Durch Kathodenzerstäubung werden die Oberflächen auf bekannte Weise mit Kupfer beschichtet.
Danach werden die Plättchen in eine 5%ige Lösung von Ammoniak in Wasser getaucht. Hierbei wird die Kupferschicht an den Stellen, die vorher dem Plasma ausgesetzt waren, entfernt. Auf den Plättchen bleiben die durch die Masken vorgegebenen Strukturen zurück.
Sie können anschließend, wenn gewünscht, in einem chemischen Kupferbad ver- _ stärkt werden; hierbei ist keine zusätzliche Aktivierung, zum Beispiel durch Tauchen in edelmetallhaltige Lösungen, erforderlich.
Zu gleichen Ergebnissen kommt man, wenn man die Plättchen statt mit Kupfer mit Silber beschichtet. Auch hier wird das Silber bei der anschließenden ^ 3 Tauchung in Ammoniaklösung an den Stellen als Komplexverbindung entfernt, die während der Plasmaeinwirkung nicht abgedeckt waren.
-6-
Postanschrffl: Schenng Aktiengesellschaft, Postfach 65 0311. D-ICKX) Berlin 65 ■ -s Ses„c-e- 3er~-t.xz-z '.'.. ä'vale 170-178 Teif?;-a~~i Sc-erngc^eme Ser -i
Vorsiana 3r. rierce'- -sxs. Dr Cr—si'an Brunn Z- neirz -a-ise ^crst Kramp. Dr -caus 3c-;e -r ~zs; Μ·ζί :ζ'% :z5"uer des Aulsic-3-a-ä -a-s-Jurgen Har-ann Sitz eier Geseiiscna'T 5e-in unc Be^gxamsn Hanoeisre'; s:er AG Cnanottenuurg 93 -iRS 223 _ra Aj Or"e- -=B XS' 3enmer Comrrer;r3"< -G. 3eri'n. Kon'c-'ir !0373Q6G0 BankleiTza-.; ΙΟΟΊΟΟΟΟ Ben.ner Haraels- -r.a P'anK^rter BanK. Berw <cr!o-".r "G045Z2- Sa-'e-;a- '^023200 DeuKC-e 3a-< se'in AG. Kon'o-Nr 2415008. 3amce:tza-. '30 Γ00 00 aostscneckam äen-.n Wesr Korto-Nr 1175-101. Sarv e:!;3- '00 '00 Ό

Claims (1)

  1. PATENTANSPRÜCHE
    1. Verfahren zur Herstellung von metallischen Strukturen auf anorganischen, nichtleitenden Oberflächen,dadurch gekennzeichnet, daß
    - mit Hilfe von Masken, Lacken oder anderen Abdeckmitteln die gewünschten Strukturen auf der Oberfläche erzeugt werden,
    IO
    - die so behandelten Gegenstände in einer Glimmentladungszone der Einwirkung
    von reaktiven, halogenhaltigen Gasen ausgesetzt werden,
    - nach Beendigung der Einwirkung das Abdeckmittel entfernt wird,
    - die Gegenstände mit bekannten physikalischen Methoden metallisiert werden,
    15
    - die Gegenstände nach dieser Metallisierung zur Herstellung der gewünschten Strukturen in Wasser oder wäßrigen Lösungen von Komplexbildnern, Säuren, Alkalien oder Stoffen, die die entstandene Metallhalogenid-Verbindung lösen, gebracht werden.
    20
    1. Verfahren gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als halogenhaltiges Gas Bortrichlorid , - Siliciumtetrachlorid, ■ Bortrif luorid oder 'Tetrachlorkohlenstoff benutzt wird.
    3. Verfahren gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallisierung der Gegenstände durch Bedampfen, Kathodenzerstäubung oder Plasma-Metallabscheidung erfolgt.
    4. Verfahren gemäß Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die metallischen Strukturen durch Behandlung in chemischen (autokatalytischen) Bädern zur Metallabscheidung verstärkt werden.
    30
    5. Verfahren gemäß Ansprüchen 1 und 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Herstellung der Strukturen nach dem physikalischen Metallisieren direkt durch Tauchen in das chemische Bad zur Metallabscheidung erfolgt.
    35
    r Postanschrift: Schering Aktiengesellschaft, Postfach 650311, D-1000 Berlin 65 · R-r Besserer Benir-.Veaa-5 ML„e"5"aäe i7C-'78 Te'e^rarnme: Scnenngcreme 5e' η
    - Vcs:anü" Or Hercert Asmis. Dr. Christen Brunn. Dr Heinz Hannse. Horst Kramo Dr K.aus Pcnle. Dr. Hors! Λ :;s· Vs'S-izenaer 2es Au!s;cr-srats Hans-Jurgen Harr.a—1
    Sitz let Geseilscnatt: Berlin und Bekamen Hanceisregisier: AG Chariottenourg 93 HRB 283 und AG Karnei nR3 0051 Berliner Cof.-erznanK AG. Berlin Konto-"u
    '.C3700600. Bankieitzanl 100 400(X) Beniner Hanaeis- und Frankfurter Banx. Benin. <orao-Nr. 70045224 Sa'-Kieican; '0020200 Deurscne Ban« Berlin AG. Kontc-Nr
    24-50CS. Bankieitzanl 100 700 00 Postscneckant Berlin West. Komo-.Nr η 75-101. BanKieuam 10010010
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