DE3514094C2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- DE3514094C2 DE3514094C2 DE3514094A DE3514094A DE3514094C2 DE 3514094 C2 DE3514094 C2 DE 3514094C2 DE 3514094 A DE3514094 A DE 3514094A DE 3514094 A DE3514094 A DE 3514094A DE 3514094 C2 DE3514094 C2 DE 3514094C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- structures
- objects
- metal deposition
- action
- metallized
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/009—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
- C04B41/51—Metallising, e.g. infiltration of sintered ceramic preforms with molten metal
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
- C04B41/81—Coating or impregnation
- C04B41/85—Coating or impregnation with inorganic materials
- C04B41/88—Metals
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
Description
Die Erfindung hat zur Aufgabe, metallische Strukturen auf anorganischen,
nichtleitenden Oberflächen mit physikalischen Methoden, das heißt ohne die
Verwendung wäßriger Ätz- und Aktivierungslösungen herzustellen. Dabei ist
es ein besonderes Merkmal der Erfindung, daß die Strukturen, die man erhalten
will, im Positiv-Druck bzw. als Positiv-Bild auf die Substratoberfläche
aufgebracht werden können. Es handelt sich also um ein grundsätzlich anderes
Verfahren als bekannte Methoden, bei denen die Oberflächenteile, die
einen Metallüberzug erhalten sollen, nicht abgedeckt werden, das Substrat
also mit einer Negativ-Maske versehen wird.
Mit Hilfe der Erfindung ergeben sich neue Wege zur Herstellung von gedruckten
Schaltungen, insbesondere von Feinleiterschaltungen und Mehrlagenschaltungen
in der Elektronik, aber auch von Strukturen, Ornamenten u. ä. für
dekorative Zwecke.
Die Durchführung der Erfindung erfolgt in folgenden Schritten:
- 1. Abdecken des Substrates mit einer Abdeckmaske, mit Fotolacken oder mit Siebdrucklacken im Positiv-Verfahren.
- 2. Einbringen in eine Glimmentladungszone unter Einwirkung von reaktiven halogenhaltigen Gasen.
- 3. Entfernen der Abdeckmaske bzw. des Abdecklackes.
- 4. Metallisieren des Substrates durch übliche Methoden wie Bedampfen, Kathodenzerstäubung (Sputtern), Plasmametallisierung.
- 5. "Entwickeln" der gewünschten Strukturen durch Tauchen des Substrates in Wasser oder wäßrige Lösungen von Metall-Komplexbildnern bzw. anorganischen und/oder organischen Verbindungen.
Während der Einwirkung von halogenhaltigen Gasen im Plasma entstehen auf
den nichtabgedeckten Flächen des Substrates reaktive Halogenverbindungen.
Überraschenderweise bilden sie bei der anschließenden physikalischen Metallbeschichtung
lösliche Metallhalogenide, die durch einfache Tauchprozesse
abgelöst werden können, so daß die Metallisierung nur an den Stellen erhalten
bleibt, die bei der Plasmabehandlung abgedeckt waren.
Die reaktiven Halogenverbindungen, die sich während der Plasmabehandlung
bilden, sind bemerkenswert stabil. Sie werden zum Beispiel durch das Anlegen
eines Vakuums bei einer anschließenden Bedampfung nicht entfernt und
sind auch nach tagelanger Lagerung noch voll wirksam, so daß ein sicherer
Arbeitsablauf bei der Herstellung von Strukturen nach dem erfindungsgemäßen
Verfahren gewährleistet ist.
Die mit dem erfindungsgemäßen Verfahren erhaltenen Strukturen können mit
bekannten Methoden verstärkt werden, vorzugsweise durch eine anschließende
chemische Verkupferung oder chemische Vernicklung in Bädern zur autokatalytischen
Metallabscheidung.
Als Substrat, auf denen die metallischen Strukturen erzeugt werden sollen,
kommen alle üblichen anorganischen Nichtleiter in Frage, insbesondere Aluminimoxidkeramiken, Siliziumoxidkeramiken und Glas, aber auch Metalle mit
Oxidschichten, wie zum Beispiel Aluminium.
Die am besten geeigneten halogenhaltigen Gase sind Bortrichlorid, Silicium
tetrachlorid, Bortrifluorid und Tetrachlorkohlenstoff.
Die folgenden Beispiele erläutern die Erfindung:
Auf Keramikplättchen der Größe 50×50×2 m wird das gewünschte Leiterbahnenbild
mittels eines Siebdrucklackes oder nach anderen üblichen Verfahren
aufgetragen.
Die Plättchen werden in einen Plasma-Reaktor einer Plasma-Einwirkung unter
folgenden Bedingungen ausgesetzt:
Elektrodentemperatur | |
150°C | |
Frequenz | 13,56 MHz |
Leistungsdichte | 1,6 Watt/cm² |
Druck im Reaktor | 0,5 hPa |
Reaktionsglas | Bortrichlorid |
Trägergas | Argon |
Einwirkungszeit in Plasma | 90 Minuten |
Nach Beendigung der Plasmaeinwirkung werden die Keramikplättchen aus dem
Reaktor entfernt, der auf ihnen befindliche Siebdrucklack wird durch Tauchen
in geeignete organische Lösemittel abgelöst.
Die Plättchen werden nun in einem handelsüblichen Gerät zur Vakuumbedampfung
mit Gold bedampft. An den Stellen, die vorher nicht mit Lack abgedeckt,
also dem Plasma ausgesetzt waren, wird hierbei das Gold in eine wasserlösliche
Verbindung überführt. Nach dem Bedampfen werden die Plättchen in Wasser
getaucht, wobei sich die Goldverbindung löst und die gewünschten Strukturen
als Goldfilm auf der Oberfläche zurückbleiben.
Plättchen aus Siliziumkeramik der Abmessungen 80×40×3 mm werden
mit Masken der gewünschten Strukturen abgedeckt und einer Plasmaeinwirkung
unter gleichen Bedingungen wie in Beispiel 1 ausgesetzt. Danach werden die
Plättchen aus dem Reaktor genommen, die Masken werden entfertn.
Durch Kathodenbestäubung werden die Oberflächen auf bekannte Weise mit
Kupfer beschichtet.
Danach werden die Plättchen in eine 5%ige Lösung von Ammoniak in Wasser
getaucht. Hierbei wird die Kupferschicht an den Stellen, die vorher dem
Plasma ausgesetzt waren, entfernt. Auf den Plättchen bleiben die durch die
Masken vorgegebenen Strukturen zurück.
Sie können anschließend, wenn gewünscht, in einem chemischen Kupferbad verstärkt
werden; hierbei ist keine zusätzliche Aktivierung, zum Beispiel durch
Tauchen in edelmetallhaltige Lösungen, erforderlich.
Zu gleichen Ergebnissen kommt man, wenn man die Plättchen statt mit Kupfer
mit Silber beschichtet. Auch hier wird das Silber bei der anschließenden
Tauchung in Ammoniaklösung an den Stellen als Komplexverbindung entfernt,
die während der Plasmaeinwirkung nicht abgedeckt waren.
Claims (5)
1. Verfahren zur Herstellung von metallischen Strukturen auf anorganischen
nichtleitenden Oberflächen, dadurch gekennzeichnet, daß
- - mit Hilfe von Masken, Lacken oder anderen Abdeckmitteln die gewünschten Strukturen auf der Oberfläche erzeugt werden,
- - die so behandelten Gegenstände in einer Glimmentladungszone der Einwirkung von reaktiven, halogenhaltigen Gasen ausgesetzt werden,
- - nach Beendigung der Einwirkung das Abdeckmittel entfernt wird,
- - die Gegenstände mit bekannten physikalischen Methoden metallisiert werden,
- - die Gegenstände nach dieser Metallisierung zur Herstellung der gewünschten Strukturen in Wasser oder wäßrigen Lösungen von Komplexbildnern, Säuren, Alkalien oder Stoffen, die die entstandene Metallhalogenid-Verbindung lösen, gebracht werden.
2. Verfahren gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als halogenhaltiges
Gas Bortrichlorid, Siliciumtetrachlorid, Bortrifluorid oder Tetrachlorkohlenstoff
benutzt wird.
3. Verfahren gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die
Gegenstände durch Bedampfen, Kathodenzerstäubung oder Plasma-Metallabscheidung
metallisiert werden.
4. Verfahren gemäß Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die metallischen
Strukturen durch Behandlung in chemischen (autokatalytischen) Bädern
zur Metallabscheidung verstärkt werden.
5. Verfahren gemäß Ansprüchen 1 und 4, dadurch gekennzeichnet, daß die
Strukturen nach dem physikalischen Metallisieren direkt durch Tauchen
in das chemische Bad zur Metallabscheidung hergestellt werden.
Priority Applications (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19853514094 DE3514094A1 (de) | 1985-04-16 | 1985-04-16 | Herstellung metallischer strukturen auf anorganischen nichtleitern |
EP86103975A EP0199114B1 (de) | 1985-04-16 | 1986-03-22 | Herstellung metallischer Strukturen auf anorganischen Nichtleitern |
DE8686103975T DE3685050D1 (de) | 1985-04-16 | 1986-03-22 | Herstellung metallischer strukturen auf anorganischen nichtleitern. |
CA000506656A CA1290720C (en) | 1985-04-16 | 1986-04-15 | Production of metallic structures on inorganic non-conductors |
JP61085228A JPS61291963A (ja) | 1985-04-16 | 1986-04-15 | 金属パタ−ンを無機の非導電性表面上に得る方法 |
AT0098486A AT392086B (de) | 1985-04-16 | 1986-04-15 | Verfahren zur herstellung von metallischen strukturen auf anorganischen, nichtleitenden oberflaechen |
US06/853,338 US4980197A (en) | 1985-04-16 | 1986-04-16 | Method of producing metallic structures on inorganic non-conductors |
CN86102468A CN1015005B (zh) | 1985-04-16 | 1986-04-16 | 在无机非导体表面上制造金属构形的方法 |
ES554048A ES8707774A1 (es) | 1985-04-16 | 1986-04-16 | Procedimiento para la produccion de estructuras metalicas sobre superficies no conductoras, inorganicas |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19853514094 DE3514094A1 (de) | 1985-04-16 | 1985-04-16 | Herstellung metallischer strukturen auf anorganischen nichtleitern |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3514094A1 DE3514094A1 (de) | 1986-10-23 |
DE3514094C2 true DE3514094C2 (de) | 1991-10-17 |
Family
ID=6268528
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19853514094 Granted DE3514094A1 (de) | 1985-04-16 | 1985-04-16 | Herstellung metallischer strukturen auf anorganischen nichtleitern |
DE8686103975T Expired - Lifetime DE3685050D1 (de) | 1985-04-16 | 1986-03-22 | Herstellung metallischer strukturen auf anorganischen nichtleitern. |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE8686103975T Expired - Lifetime DE3685050D1 (de) | 1985-04-16 | 1986-03-22 | Herstellung metallischer strukturen auf anorganischen nichtleitern. |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4980197A (de) |
EP (1) | EP0199114B1 (de) |
JP (1) | JPS61291963A (de) |
CN (1) | CN1015005B (de) |
AT (1) | AT392086B (de) |
CA (1) | CA1290720C (de) |
DE (2) | DE3514094A1 (de) |
ES (1) | ES8707774A1 (de) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2695410B1 (fr) * | 1992-09-04 | 1994-11-18 | France Telecom | Procédé de prétraitement d'un substrat pour le dépôt sélectif de tungstène. |
GB9317170D0 (en) * | 1993-08-18 | 1993-10-06 | Applied Vision Ltd | Improvements in physical vapour deposition apparatus |
JPH09501612A (ja) * | 1994-04-08 | 1997-02-18 | マーク エー. レイ, | 選択的プラズマ成長 |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
USB509825I5 (de) * | 1965-11-26 | |||
US3677799A (en) * | 1970-11-10 | 1972-07-18 | Celanese Corp | Vapor phase boron deposition by pulse discharge |
DE2139297A1 (de) * | 1971-08-05 | 1973-02-15 | Siemens Ag | Verfahren zur herstellung gitterfoermiger, elektrisch leitfaehiger belegungen |
US3776762A (en) * | 1971-10-18 | 1973-12-04 | Kote Corp Du | Dry lubrication |
GB1423952A (en) * | 1973-06-26 | 1976-02-04 | Oike & Co | Process for preparing a metallized resin film for condenser element |
US3978249A (en) * | 1974-04-29 | 1976-08-31 | Asg Industries, Inc. | Method for producing intricate metal designs on glass |
US4322457A (en) * | 1978-01-25 | 1982-03-30 | Western Electric Co., Inc. | Method of selectively depositing a metal on a surface |
DE2851101C2 (de) * | 1978-11-25 | 1980-09-18 | Ulrich 7110 Oehringen Wagner | Verfahren zum Gravieren von Werkstückflachen durch Ätzen |
JPS55157233A (en) * | 1979-05-28 | 1980-12-06 | Hitachi Ltd | Method and apparatus for monitoring etching |
EP0049400B1 (de) * | 1980-09-22 | 1984-07-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Verfahren zum Glätten einer isolierenden Schicht auf einem Halbleiterkörper |
JPS5767938A (en) * | 1980-10-16 | 1982-04-24 | Canon Inc | Production of photoconductive member |
CH649099A5 (en) * | 1981-05-04 | 1985-04-30 | Euro Varnish B V | Process for obtaining metallised or highly reflective surfaces employing an aqueous varnish |
JPS57186321A (en) * | 1981-05-12 | 1982-11-16 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | Producing method for amorphous silicon film |
US4401687A (en) * | 1981-11-12 | 1983-08-30 | Advanced Semiconductor Materials America | Plasma deposition of silicon |
DE3204425A1 (de) * | 1982-02-09 | 1983-08-25 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur herstellung freitragender metallgitterstrukturen |
DE3204846A1 (de) * | 1982-02-11 | 1983-08-18 | Schott Glaswerke, 6500 Mainz | Plasmaverfahren zur innenbeschichtung von glasrohren |
DE3205345A1 (de) * | 1982-02-15 | 1983-09-01 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | "verfahren zur herstellung von fluordotierten lichtleitfasern" |
US4422897A (en) * | 1982-05-25 | 1983-12-27 | Massachusetts Institute Of Technology | Process for selectively etching silicon |
JPH0635323B2 (ja) * | 1982-06-25 | 1994-05-11 | 株式会社日立製作所 | 表面処理方法 |
US4450042A (en) * | 1982-07-06 | 1984-05-22 | Texas Instruments Incorporated | Plasma etch chemistry for anisotropic etching of silicon |
US4517223A (en) * | 1982-09-24 | 1985-05-14 | Sovonics Solar Systems | Method of making amorphous semiconductor alloys and devices using microwave energy |
JPS5978987A (ja) * | 1982-10-29 | 1984-05-08 | マルイ工業株式会社 | 金属被膜上へのパタ−ン形成方法 |
DE3334419A1 (de) * | 1983-09-23 | 1985-04-04 | Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim | Verfahren zur verstaerkung von metallisierten flaechen auf halbleiterleistungsbauelementen oder keramiksubstraten |
JPS6077429A (ja) * | 1983-10-04 | 1985-05-02 | Asahi Glass Co Ltd | ドライエツチング方法 |
US4613400A (en) * | 1985-05-20 | 1986-09-23 | Applied Materials, Inc. | In-situ photoresist capping process for plasma etching |
-
1985
- 1985-04-16 DE DE19853514094 patent/DE3514094A1/de active Granted
-
1986
- 1986-03-22 EP EP86103975A patent/EP0199114B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1986-03-22 DE DE8686103975T patent/DE3685050D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1986-04-15 CA CA000506656A patent/CA1290720C/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-04-15 JP JP61085228A patent/JPS61291963A/ja active Granted
- 1986-04-15 AT AT0098486A patent/AT392086B/de not_active IP Right Cessation
- 1986-04-16 ES ES554048A patent/ES8707774A1/es not_active Expired
- 1986-04-16 US US06/853,338 patent/US4980197A/en not_active Expired - Fee Related
- 1986-04-16 CN CN86102468A patent/CN1015005B/zh not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS61291963A (ja) | 1986-12-22 |
ES554048A0 (es) | 1987-09-01 |
JPH041067B2 (de) | 1992-01-09 |
CA1290720C (en) | 1991-10-15 |
EP0199114B1 (de) | 1992-04-29 |
US4980197A (en) | 1990-12-25 |
DE3685050D1 (de) | 1992-06-04 |
ATA98486A (de) | 1990-07-15 |
AT392086B (de) | 1991-01-25 |
EP0199114A2 (de) | 1986-10-29 |
CN86102468A (zh) | 1986-10-15 |
EP0199114A3 (en) | 1988-10-19 |
DE3514094A1 (de) | 1986-10-23 |
ES8707774A1 (es) | 1987-09-01 |
CN1015005B (zh) | 1991-12-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3421989C2 (de) | ||
EP0195223B1 (de) | Herstellung metallischer Strukturen auf Nichtleitern | |
DE2529571A1 (de) | Verfahren zur stromlosen metallbeschichtung | |
GB1404697A (en) | Production of fine conductor path structures on ceramic substrates | |
DE3514094C2 (de) | ||
US3135046A (en) | Method of forming metallic films on glass | |
US3239373A (en) | Printed circuit process | |
EP0329845A1 (de) | Verfahren zur Herstellung fest haftender metallischer Strukturen auf Polyimid | |
DE2145905B2 (de) | Verfahren zur Herstellung von oberflächlich metallisierten Isolierstoffen durch stromlose Metallabscheidung | |
DE2012031A1 (de) | Verfahren zum Herstellen von aus Chrom oder Molybdän bestehenden Kontaktmetallschichten in Halbleiterbauelementen | |
DE1106822B (de) | Verfahren zur Herstellung eines gedruckten Stromkreises | |
US4188417A (en) | Method of applying a dielectric layer to a substrate and a mask-forming coating for the application of a dielectric layer | |
DE2310736A1 (de) | Verfahren zum ausbessern defekter metallmuster | |
EP0261334B1 (de) | Verfahren zum haftfesten Galvanisieren von keramischen Materialien | |
DE2710860B2 (de) | Maskenbildender Belag für die Aufbringung von dielektrischen Schichten auf Substraten durch Vakuumaufdampfung oder Kathodenzerstäubung | |
DE3732510C1 (en) | Process for producing strongly adhering nickel layers on glass or ceramic | |
DE2713391C3 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Trägermaterials für gedruckte Schaltungen | |
DE1640579A1 (de) | Verfahren zur Herstellung flaechenhafter elektrischer Leitungszuege | |
DE2238040B1 (de) | Verfahren zum Abdecken von Flachentei len an Isolierkörpern beim Aufdampfen von elektrisch leitenden Schichten, vorzugswei se aus Zinnoxid | |
DE19540122C2 (de) | Verfahren zur stromlosen Metallisierung und seine Anwendung | |
DE1521723C2 (de) | Verfahren zum Ätzen des Kupferbelages von Isolierstoffplatten für gedruckte Schaltungen | |
DE3940407A1 (de) | Verfahren zur galvanischen direktmetallisierung | |
DE673151C (de) | Verfahren zur Erzeugung metallischer Muster auf Leichtmetallen | |
DE2101619A1 (en) | Partly metallising polymeric surfaces - using alkali-soluble lacquers as temporary, partial, protective coatings | |
DE1621252A1 (de) | Verfahren zum Herstellen oxydfreier Metallkontakte an Siliciumsubstraten |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: SCHERING AG, 13353 BERLIN, DE |
|
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: ATOTECH DEUTSCHLAND GMBH, 10553 BERLIN, DE |
|
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |