DE3539201C2

DE3539201C2 -

Info

Publication number: DE3539201C2
Application number: DE19853539201
Authority: DE
Inventors: Hideo Kato; Masaaki Yokohama Kanagawa Jp Matsushima; Keiko Machida Tokio/Tokyo Jp Matsuda; Hirofumi Yokohama Kanagawa Jp Shibata
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1984-11-05
Filing date: 1985-11-05
Publication date: 1993-04-29
Also published as: US4677042A; DE3539201A1

Description

Die Erfindung betrifft eine Maskenstruktur für die Röntgenlithographie (nachstehend auch als Röntgenlithographiemaske bezeichnet) und ein Verfahren zu ihrer Herstellung, und sie betrifft insbesondere eine Röntgenlitho graphiemaske, die sich für das Projizieren eines Mas kenmusters auf eine mit einem lichtempfindlichen Mittel beschichtete Scheiben bzw. Wafer bei den Schritten für die Halbleiterfertigung eignet.

Die Röntgenstrahllithographie hat z. B. aufgrund der Eigen schaft der Röntgenstrahlen, geradlinig fortzuschreiten, wegen der Inkohärenz und aufgrund der Eigenschaft, eine geringe Beugung zu zeigen, verschiedene Eigenschaften, die besser sind als bei der unter Anwendung von sichtbarem Licht oder UV-Strahlen durchgeführten Lithographie, die früher üblich war, und sie erregt jetzt Aufmerksamkeit als leistungsfähiges Mittel für die Lithographie im Submicrome terbereich.

Während die Röntgenstrahllithographie im Vergleich zu der unter Anwendung von sichtbarem Licht oder UV-Strahlen durchgeführten Lithographie verschiedene vorteilhafte Merk male aufweist, ist sie mit Nachteilen wie z. B. einer unge nügenden Leistung der Röntgenstrahlenquelle, einer niedri gen Empfindlichkeit des Resists bzw. Photolacks, Schwierig keiten bei der Ausrichtung und Schwierigkeiten bei der Wahl des Absorber- bzw. Maskenmaterials und bei dem Bearbeitungsverfahren ver bunden, was dazu führt, daß die Produktivität niedrig ist und die Kosten hoch sind, so daß eine Verzögerung der praktischen Anwendung hervorgerufen wird.

Unter Bezugnahme auf die für die Röntgenstrahllithographie zu verwendende Maske sei nun erwähnt, daß bei der unter Anwendung von sichtbarem Licht oder UV-Strahlen durchge führten Lithographie als zum Halten eines Absorber- bzw. Maskenmaterials dienendes Bauteil (d. h., als lichtdurchlässiges Bauteil) Glasplatten und Quarzplatten verwendet worden sind. Bei der Röntgenstrahllithographie beträgt jedoch die Wellenlänge der Strahlen, die angewendet werden können, 0,1 bis 20,0 nm. Die bisher verwendeten Glasplatten oder Quarzplatten absorbie ren die Röntgenstrahlen in diesem Wellenlängenbereich in hohem Maße, und ferner müssen die Glasplatten oder Quarz platten mit einer Dicke von 1 bis 2 mm gebildet werden, was zur Folge hat, daß die Röntgenstrahlen nicht in ausreichen dem Maße durchgelassen werden können, so daß diese Platten als Material für das zum Halten eines Absorber- bzw. Maskenmaterials die nende Bauteil, das für die Röntgenstrahllithographie zu verwenden ist, nicht geeignet sind.

Der Durchlässigkeitsgrad für Röntgenstrahlen hängt im all gemeinen von der Dichte eines Materials ab, und infolgedes sen ist man im Begriff, anorganische Materialien oder organische Materialien mit niedriger Dichte als Materialien für das zum Halten eines Absorber- bzw. Maskenmaterials dienende Bauteil, das für die Röntgenstrahllithographie zu verwenden ist, zu untersuchen. Als Beispiele für solche Materialien können anorganische Materialien wie z. B. die Elemente Beryllium (Be), Titan (Ti), Silicium (Si) und Bor (B) und Verbindun gen davon oder organische Verbindungen wie z. B. Polyimid, Polyamid, Polyester und Poly-p-xylylen erwähnt werden.

Zur praktischen Verwendung dieser Substanzen als Materiali en für das zum Halten eines Absorber- bzw. Maskenmaterials dienende Bau teil, das für die Röntgenstrahllithographie zu verwenden ist, müssen daraus Dünnfilme hergestellt werden, um die Menge der durchgelassenen Röntgenstrahlen so stark wie möglich zu erhöhen, wobei die Dünnfilme im Fall eines anorganischen Materials mit einer Dicke von einigen Micro metern oder weniger und im Fall eines organischen Materials mit einer Dicke von einigen zehn Micrometern oder weniger zu bilden sind. Aus diesem Grund wird beispielsweise für die Bildung eines zum Halten eines Absorber- bzw. Maskenmaterials dienenden Bauteils, das aus einem Dünnfilm oder einem Verbundfilm eines anorganischen Materials besteht, ein Verfahren vorgeschlagen, bei dem auf einer Siliciumscheibe bzw. -wafer mit sehr guter Flachheit beispielsweise durch Aufdampfen ein Dünnfilm aus z. B. Si₃N₄, SiO₂, BN oder SiC gebildet wird, worauf die Siliciumscheibe durch Ätzen ent fernt wird.

So ist beispielsweise aus der US-PS 42 60 670 eine Röntgenlithographiemaske mit einem Maskenträger für ein Röntgenstrahl-Absorbermaterial bekannt, das aus Bornitrid, Wolframcarbid, Siliciumnitrid oder Siliciumdioxid bestehen kann und das durch ein CVD-Verfahren abgeschieden wird. Ferner ist aus der US-PS 42 53 029 eine Röntgenlithographiemaske bekannt, bei der ebenfalls Bornitrid als Maskenträger für das Absorbermaterial zusätzlich mit einem Polyimidfilm verwendet wird.

Andererseits wird als Absorber- bzw. Maskenmaterial (d. h., als Röntgen strahlen absorbierendes Material), das für die Röntgen strahllithographie zu verwenden ist und auf dem vorstehend beschriebenen, zum Halten des Maskenmaterials dienenden Bauteil gehalten wird, vorzugsweise ein Dünnfilm aus einem Material mit einer hohen Dichte wie z. B. Gold, Platin, Wolfram, Tantal, Kupfer oder Nickel verwendet, wobei die ser Dünnfilm vorzugsweise eine Dicke von 0,5 bis 1 µm hat.

Solch eine Maske beispielsweise dadurch hergestellt werden, daß auf dem vorstehend erwähnten Bauteil, das zum Halten des Absorber- bzw. Maskenmaterials dient, gleichmäßig ein Dünnfilm aus dem vorstehend erwähnten Material hoher Dichte gebildet wird, worauf auf den Dünnfilm ein Resist aufgebracht wird, auf dem Resist z. B. mit einem Elektronenstrahl oder mit Licht eine gewünschte Musterzeichnung durchgeführt wird und der Dünnfilm danach durch eine Maßnahme wie z. B. Ätzen mit einem gewünschten Muster versehen wird.

Bei der bekannten Röntgenstrahllithographie, die vorstehend beschrieben wurde, ist der Durchlässigkeitsgrad für Rönt genstrahlen, die durch das zum Halten des Maskenmaterials dienende Bauteil durchgelassen werden, niedrig, und deshalb muß das zum Halten des Absorber- bzw. Maskenmaterials dienende Bauteil sehr dünn sein, um eine ausreichende Menge durchgelassener Röntgenstrahlen zu erhalten, was mit dem Problem verbunden ist, daß dieses Bauteil nur mit Schwierigkeiten hergestellt werden kann.

Im Hinblick auf den vorstehend beschriebenen Stand der Technik liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, eine Röntgen lithographiemaske mit guter Röntgendurchlässigkeit und guten mechanischen und thermischen Eigenschaften sowie ein Verfahren zur Herstellung einer solchen Röntgenlithographiemaske bereitzustellen.

Diese Aufgabe wird gelöst durch eine Röntgenlithographiemaske mit einem als Dünnfilm ausgebildeten Maskenträger für ein Absorbermaterial, der durch ein ringförmiges Haltesubstrat auf dessen obere Oberfläche im Randbereich gehalten wird, wobei das Haltesubstrat Silicium enthält und der Maskenträger eine Schicht aus Aluminiumnitrid aufweist.

Eine besondere Ausgestaltung der Erfindung besteht in einem Verfahren zur Herstellung der erfindungsgemäßen Röntgenlithographie maske nach Anspruch 11.

Bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung werden nachste hend unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen näher erläutert.

Fig. 1 (a) bis (h), Fig. 2 (a) bis (h), Fig. 3 (a) bis (h), Fig. 4 (a) bis (h) und Fig. 5 (a) bis (h) sind schematische Mitten-Längsschnitte, die jeweils die Schritte für die Her stellung eines Beispiels der erfindungs gemäßen Röntgenlithographiemaske zei gen.

Fig. 6(a) bis (f) sind schematische Mitten-Längsschnitte, die die Schritte eines Beispiels für das Verfahren zur Herstellung der er findungsgemäßen Lithographiemaskenstruk tur zeigen.

Fig. 7(a) ist ein schematischer Mitten-Längsschnitt, der ein Beispiel für die erfindungsgemäße Lithographiemaskenstruktur zeigt, und

Fig. 7(b) ist eine schematische Draufsicht des Ring rahmens der Lithographiemaskenstruktur.

Fig. 8(a) bis (g) sind schematische Mitten-Längsschnitte, die die Schritte für die Herstellung eines Beispiels der erfindungsgemäßen Lithographiemaskenstruktur zeigen.

Fig. 9 ist ein schematischer Mitten-Längsschnitt, der ein Beispiel für die erfindungsgemäße Lithographiemaskenstruktur zeigt.

Fig. 10(a) ist ein schematischer Mitten-Längsschnitt, der ein Beispiel für die erfindungsgemäße Lithographiemaskenstruktur zeigt, und

Fig. 10(b) ist eine schematische Draufsicht des Ring rahmens der Lithographiemaskenstruktur.

Fig. 11 ist ein schematischer Mitten-Längsschnitt, der ein Beispiel für die erfindungsgemäße Lithographiemaskenstruktur zeigt.

Zur Lösung der Aufgabe wird im Rahmen der Erfindung eine Schicht aus Aluminiumnitrid als Bestandteil des zum Halten eines Maskenmaterials dienenden Dünnfilms der Lithographie maskenstruktur verwendet. Aluminiumnitrid hat als besondere Merkmale einen hohen Durchlässigkeitsgrad für Röntgenstrah len und für sichtbares Licht (optische Dichte bei einer Dicke von 1 µm: etwa 0,01), einen niedrigen Wärmeausdeh nungskoeffizienten (3 bis 4×10^-6/°C), ein hohes Wärmelei tungsvermögen und ein gutes Filmbildungsvermögen und ist infolgedessen als zum Halten eines Maskenmaterials dienen der Dünnfilm der Lithographiemaskenstruktur gut geeignet.

Der zum Halten eines Maskenmaterials dienende Dünnfilm kann entweder ein einzelner Aluminiumnitridfilm oder ein lami nierter Film aus einer Aluminiumnitridschicht und einer Schicht aus einem organischen Material und/oder einer Schicht aus einem von Aluminiumnitrid verschiedenen anorga nischen Material sein.

Im Fall der Verwendung eines laminierten Films aus einer Aluminiumnitridschicht und einer Schicht aus einem organi schen Material als zum Halten eines Maskenmaterials dienen der Dünnfilm der Lithographiemaskenstruktur kann erreicht werden, daß der zum Halten eines Maskenmaterials dienende Dünnfilm zusätzlich zu den vorstehend beschriebenen Eigen schaften des Aluminiumnitrids Eigenschaften hat, die das organische Material besitzt. Im einzelnen zeigt der zum Halten eines Maskenmaterials dienende Dünnfilm in diesem Fall zusätzlich zu der Wirkung, die der zum Halten eines Maskenmaterials dienende Dünnfilm besitzt, der aus einem einzelnen Aluminiumnitridfilm besteht, die Wirkungen, daß seine Festigkeit höher ist und daß im wesentlichen keine mechanische Spannung vorhanden ist.

Als organisches Material, das einen Bestandteil des vorste hend erwähnten laminierten Films bildet, können im Rahmen der Erfindung die organischen Materialien verwendet werden, die mindestens Filmbildungsvermögen zeigen und zum Hin durchlassen von Röntgenstrahlen befähigt sind. Als Beispie le für solche organische Materialien können Polyimid, Poly amid, Polyester und Poly-p-xylylen (Handelsname: Parylen, hergestellt durch Union Carbide Co.) erwähnt werden. Unter diesen wird Polyimid wegen seiner Gesamteigenschaften wie z. B. der Wärmebeständigkeit, der Schlagfestigkeit und der Fähigkeit, sichtbares Licht hindurchzulassen, besonders bevorzugt.

Im Fall der Verwendung eines Laminats aus einer Aluminium nitridschicht und einer Schicht aus einem von Aluminiumni trid verschiedenen anorganischen Material als zum Halten eines Maskenmaterials dienender Dünnfilm kann ein zum Hal ten eines Maskenmaterials dienender Dünnfilm erhalten wer den, der zusätzlich zu den vorstehend beschriebenen Eigen schaften des Aluminiumnitrids die Eigenschaften des anderen anorganischen Material besitzt. D.h., solch ein zum Halten eines Maskenmaterials dienender Dünnfilm hat auch eine sehr gute Lichtdurchlässigkeit und Wärmeleitfähigkeit sowie eine relativ hohe Festigkeit und chemische Beständigkeit. Wenn außerdem eine Schicht aus einem organischen Material lami niert wird, werden ferner die besonderen Merkmale hinzuge fügt, daß die Festigkeit höher ist und daß im wesentlichen keine mechanische Spannung vorhanden ist.

Als anorganisches Material, das einen Bestandteil des vor stehend erwähnten laminierten Films bildet, können im Rah men der Erfindung die anorganischen Materialien verwendet werden, die mindestens Filmbildungsvermögen zeigen und zum Hindurchlassen von Röntgenstrahlen befähigt sind. Als Bei spiele für solche anorganische Materialien können Borni trid, Siliciumnitrid, Siliciumoxid, Siliciumcarbid und Titan erwähnt werden.

Wenn als Schutzfilm des Aluminiumnitridfilms Bornitrid, das eine besonders gute chemische Beständigkeit hat, laminiert wird, kann ein laminierter Film erhalten werden, dessen Filmeigenschaften wie z. B. die Fähigkeit zum Hindurchlassen von Röntgenstrahlen und von Licht, die Wärmeleitfähigkeit, die elektrische Leitfähigkeit und die chemische Beständig keit sehr gut sind.

Der laminierte Film, der den vorstehend erwähnten zum Hal ten eines Maskenmaterials dienenden Dünnfilm bildet, kann aus zwei Schichten, nämlich aus einer Aluminiumnitrid schicht und einer Schicht aus einem organischen Material, bestehen, oder er kann alternativ im ganzen aus drei oder mehr als drei Schichten bestehen und zwei oder mehr als zwei Schichten aufweisen, die aus Aluminiumnitridschichten und/oder aus Schichten aus organischem Material ausgewählt sind.

Der laminierte Film, der den vorstehend erwähnten zum Hal ten eines Maskenmaterials dienenden Dünnfilm bildet, kann aus zwei Schichten, nämlich aus einer Aluminiumnitrid schicht und einer Schicht aus einem von Aluminiumnitrid verschiedenen anorganischen Material, bestehen, oder er kann alternativ im ganzen aus drei oder mehr als drei Schichten bestehen und zwei oder mehr als zwei Schichten aufweisen, die aus Aluminiumnitridschichten und/oder aus Schichten aus einem von Aluminiumnitrid verschiedenen anor ganischen Material ausgewählt sind.

Der laminierte Film, der den vorstehend erwähnten zum Hal ten eines Maskenmaterials dienenden Dünnfilm bildet, kann auch aus drei oder mehr als drei Schichten in Form von mindestens einer Aluminiumnitridschicht, mindestens einer Schicht aus einem von Aluminiumnitrid verschiedenen anorga nischen Material und mindestens einer Schicht aus einem organischen Material bestehen.

Für die Dicke des zum Halten eines Maskenmaterials dienen den Dünnfilms gibt es im Rahmen der Erfindung keine beson dere Einschränkung, jedoch kann dafür gesorgt werden, daß er eine geeignete Dicke hat, die z. B. vorteilhafterweise etwa 2 bis 20 µm beträgt.

Das ringförmige Haltesubstrat (der Ringrahmen) in der er findungsgemäßen Lithographiemaskenstruktur besteht z. B. aus Silicium, Glas, Quarz, Phosphorbronze, Messing, Nickel oder nichtrostendem Stahl. Als Maskenmaterial kann ein Dünnfilm mit einer Dicke von etwa 0,5 bis 1 µm, der z. B. aus Gold, Platin, Nickel, Palladium, Rhodium, Indium, Wolfram, Tantal oder Kupfer besteht, verwendet werden.

Die erfindungsgemäße Lithographiemaskenstruktur schließt alle drei Arten ein, die nachstehend aufgeführt sind:

1) eine Struktur mit einem zum Halten eines Maskenmaterials dienenden Dünnfilm und einem ringförmigen Haltesubstrat zum Halten des Randbereichs des zum Halten eines Maskenmateri als dienenden Dünnfilms;
2) eine Struktur, bei der ferner auf einer Oberfläche des vorstehend erwähnten zum Halten eines Maskenmaterials die nenden Dünnfilms ein Maskenmaterial in Form eines Dünn films vorgesehen ist; und
3) eine Struktur, bei der das vorstehend erwähnte Maskenmaterial mit einem Muster versehen ist.

Die erfindungsgemäße Lithographiemaskenstruktur kann durch das bekannte Fertigungsverfahren hergestellt werden, z. B. indem auf einer Siliciumscheibe bzw. -wafer ein zum Halten eines Maskenmaterials dienender Dünnfilm, der als Bestand teil eine Schicht aus Aluminiumnitrid enthält, gebildet wird, auf dem Dünnfilm ein mit einem Muster versehenes Maskenmaterial gebildet wird und dann der mittlere Bereich der Siliciumscheibe von ihrer Rückseite her weggeätzt wird, wodurch die Aufgabe der Erfindung in zufriedenstellender Weise gelöst werden kann. Die Anwendung des erfindungsgemä ßen Verfahrens gemäß Anspruch 28 wird jedoch aus den vorstehend erwähnten Gründen bevorzugt.

Die erfindungsgemäße Lithographiemaskenstruktur kann in zufriedenstellender Weise die vorstehend erwähnte Aufgabe lösen, indem sie eine Form annimmt, bei der der zum Halten eines Maskenmaterials dienende Dünnfilm, der als Bestand teil eine Schicht aus Aluminiumnitrid enthält, auf die oberste ebene bzw. flache Endfläche des ringförmigen Hal tesubstrats aufgeklebt ist, jedoch wird zur weiteren Ver besserung der Flachheit des zum Halten eines Maskenmateri als dienenden Dünnfilms eine Ausführungsform der erfindungsgemäßen Lithographiemaskenstruktur bevorzugt, bei der der zum Halten eines Maskenmaterials dienende Dünnfilm an einer Stelle, die tiefer als die oberste ebene bzw. flache Endfläche des ringförmigen Haltesubstrats zum Halten des Randbereichs des Dünnfilms liegt, auf das ringförmige Haltesubstrat aufgeklebt ist.

Die Erfindung wird nachstehend unter Bezugnahme auf die Zeichnungen näher erläutert.

Beispiel 1

Fig. 1(a) bis (h) sind schematische Mitten-Längsschnitte, die die Schritte für die Herstellung eines Beispiels der erfindungsgemäßen Lithographiemaskenstruktur zeigen.

Wie es in Fig. 1(a) gezeigt ist, wurde auf beiden Oberflä chen einer kreisrunden Siliciumscheibe 1 mit einem Durch messer von 10 cm ein Siliciumoxidfilm 2 mit einer Dicke von 1 µm gebildet.

Dann wurde auf dem Siliciumoxidfilm 2 auf einer Seite der Siliciumscheibe 1 mittels einer Ionenplattiervorrichtung des Thermoelektronenstoßtyps durch das Ionenplattierverfah ren unter Anwendung eines Aluminiumtargets, einer N₂-Atmo sphäre, einer Vorspannung von 900 V und eines Aufdampfungs druckes von 26,7 mPa ein Aluminiumnitridfilm (AlN-Film) 3 mit einer Dicke von 3 µm gebildet, wie es in Fig. 1(b) gezeigt ist.

Dann wurde auf dem Aluminiumnitridfilm 3 eine zum Schutz dienende Anstrichschicht 4 des Teer- bzw. Asphalttyps ge bildet, wie es in Fig. 1(c) gezeigt ist.

Dann wurde der mittlere kreisrunde Bereich (Durchmesser: 7,5 cm) des freiliegenden Siliciumoxidfilms 2 unter Ver wendung einer Mischung von Ammoniumfluorid und Flußsäure entfernt, wie es in Fig. 1(d) gezeigt ist. Um zu ermögli chen, daß der Siliciumoxidfilm 2 in Form eines Ringes zurückbleibt, wurde bei dieser Behandlung in diesem Bereich eine Schicht 5 aus Apiezonwachs (hergestellt durch Shell Chemical Co.) gebildet, und dann wurde die Apiezonwachs schicht 5 nach der Entfernung des mittleren Bereichs des Siliciumoxidfilms entfernt.

Dann wurde ein elektrolytisches Ätzen (Stromdichte: 0,2 A/dm²) mit einer 3%igen, wäßrigen Flußsäure durchgeführt, um den freiliegenden mittleren kreisrunden Bereich (Durchmesser: 7,5 cm) der Siliciumscheibe 1 zu entfernen, wie es in Fig. 1(e) gezeigt ist.

Dann wurde der Siliciumoxidfilm 2 in dem freiliegenden Bereich unter Verwendung einer Mischung von Ammoniumfluorid und Flußsäure entfernt, wie es in Fig. 1(f) gezeigt ist.

Dann wurde eine Oberfläche eines Ringrahmens 6 (hergestellt aus Pyrex; Innendurchmesser: 7,5 cm; Außendurchmesser: 9 cm; Dicke: 5 mm) mit einem Klebstoff 7 des Epoxytyps be schichtet, und die mit dem Klebstoff beschichtete Oberflä che wurde auf den ringförmigen Rest der Siliciumscheibe 1 an der Seite, die der Seite, wo der Aluminiumnitridfilm 3 gebildet war, entgegengesetzt war, aufgeklebt, wie es in Fig. 1(g) gezeigt ist.

Dann wurde die Anstrichschicht 4 des Teertyps mit Aceton entfernt, wie es in Fig. 1(h) gezeigt ist.

Auf diese Weise wurde eine Lithographiemaskenstruktur erhal ten, bei dem der Aluminiumnitridfilm 3 an dem Ringrahmen 6 und dem ringförmigen Rest der Siliciumscheibe 1 befestigt bzw. fixiert war.

Beispiel 2

In den Schritten von Beispiel 1 wurde nach der Bildung des Aluminiumnitridfilms auf den Aluminiumnitridfilm durch Schleuderbeschichtung eine Schicht aus einem Fotoresist (RD-200N; hergestellt durch Hitachi Kasei Co.) mit einer Dicke von 1,2 µm gebildet.

Nachdem der Resist durch ferne UV-Strahlen unter Anwendung einer Quarz-Chrom-Maske gehärtet bzw. ausgebacken worden war, wurde dann eine vorher festgelegte Behandlung durchgeführt, um ein Resistmuster des bezüglich der Maske negativen Typs zu erhalten.

Dann wurde auf das Resistmuster mittels einer Elektronen strahl-Aufdampfungsvorrichtung Tantal (Ta) mit einer Dicke von 0,5 µm aufgedampft.

Dann wurde der Resist mit einem Entfernungsmittel entfernt, und durch das Abhebeverfahren (Lift-off-Verfahren) wurde in Ta-Filmmuster erhalten.

Dann wurde auf dem Aluminiumnitridfilm in derselben Weise wie in Beispiel 1 eine Anstrichschicht des Teertyps gebildet.

Danach wurden dieselben Schritte wie in Beispiel 1 durchge führt, um eine Lithographiemaskenstruktur mit einem zum alten eines Maskenmaterials dienenden Dünnfilm, der aus dem Aluminiumnitridfilm besteht, und dem Ta-Filmmuster, die an dem Ringrahmen und dem ringförmigen Rest der Sili ciumscheibe befestigt sind, zu erhalten.

Beispiel 3

Fig. 2(a) bis (h) sind schematische Mitten-Längsschnitte, die die Schritte für die Herstellung eines Beispiels der erfindungsgemäßen Lithographiemaskenstruktur zeigen.

Wie es in Fig. 2(a) gezeigt ist, wurde auf beiden Oberflä chen einer kreisrunden Siliciumscheibe 11 mit einem Durch messer von 10 cm ein Siliciumoxidfilm 12 mit einer Dicke von 1 µm gebildet.

Nachdem auf den Siliciumoxidfilm 12 auf einer Seite der Siliciumscheibe 11 durch Schleuderbeschichtung eine PIQ- Flüssigkeit (Polyimid-Vorstufe; hergestellt durch Hitachi Kasei Co.) aufgebracht worden war, wurde der aufgebrachte Film dann 4 h lang bei 50 bis 350°C gehärtet, um einen Polyimidfilm 13 mit einer Dicke von 2 µm zu bilden, wie es in Fig. 2(b) gezeigt ist.

Dann wurde auf dem Polyimidfilm 13 durch das reaktive Verstäubungsverfahren unter Anwendung eines Aluminiumtar gets (Al-Targets), einer Gasmischung [Argon (Ar) : Stick stoff (N₂) = 1 : 1] und einer Entladungsleistung von 100 W in Aluminiumnitridfilm 14 mit einer Dicke von 2 µm gebil det, wie es in Fig. 2 (c) gezeigt ist.

Dann wurde auf dem Aluminiumnitridfilm 14 eine zum Schutz dienende Anstrichschicht 19 des Teertyps gebildet, wie es in Fig. 2(d) gezeigt ist.

Dann wurde der mittlere kreisrunde Bereich (Durchmesser: 7,5 cm) des freiliegenden Siliciumoxidfilms 12 unter Ver wendung einer Mischung von Ammoniumfluorid und Flußsäure entfernt, wie es in Fig. 2(e) gezeigt ist. Um zu ermögli chen, daß der Siliciumoxidfilm 12 in Form eines Ringes zurückbleibt, wurde bei dieser Behandlung in diesem Bereich eine Schicht 16 aus Apiezonwachs (hergestellt durch Shell Chemical Co.) gebildet, und dann wurde die Apiezonwachs schicht 16 nach der Entfernung des mittleren Bereichs des Siliciumoxidfilms entfernt.

Dann wurde ein elektrolytisches Ätzen (Stromdichte: 0,2 A/dm²) mit einer 3%igen, wäßrigen Flußsäure durchgeführt, um den freiliegenden mittleren kreisrunden Bereich (Durchmesser: 7,5 cm) der Siliciumscheibe 11 zu entfernen, wie es in Fig. 2(f) gezeigt ist.

Dann wurde der Siliciumoxidfilm 12 in dem freiliegenden Bereich unter Verwendung einer Mischung von Ammoniumfluorid und Flußsäure entfernt, wie es in Fig. 2(g) gezeigt ist.

Dann wurde eine Oberfläche eines Ringrahmens 17 (herge stellt aus Pyrex; Innendurchmesser: 7,5 cm; Außendurchmes ser: 9 cm; Dicke: 5 mm) mit einem Klebstoff 18 des Epoxy typs beschichtet, und die mit dem Klebstoff beschichtete Oberfläche wurde auf den ringförmigen Rest der Silicium scheibe 11 an der Seite, die der Seite, wo der Aluminiumni tridfilm 14 gebildet war, entgegengesetzt war, aufge klebt, worauf die Anstrichschicht 19 des Teertyps entfernt wurde, wie es in Fig. 2(h) gezeigt ist.

Auf diese Weise wurde eine Lithographiemaskenstruktur erhal ten, bei der das laminierte Produkt aus dem Polyimidfilm 13 und dem Aluminiumnitridfilm 14 an dem Ringrahmen 17 und dem ringförmigen Rest der Siliciumscheibe 11 befestigt war.

Es wurde festgestellt, daß der in diesem Beispiel erhalte ne, zum Halten eines Maskenmaterials dienende Dünnfilm, der aus dem Polyimidfilm und dem Aluminiumnitridfilm bestand, eine besonders gute Festigkeit hatte.

Beispiel 4

Es wurden dieselben Schritte wie in Beispiel 3 durchge führt, außer daß auf dem Siliciumoxidfilm 12 auf einer Seite der Siliciumscheibe 11 anstelle des Polyimidfilms 13 ein Polyesterfilm mit einer Dicke von 2 µm gebildet wurde.

Auf diese Weise wurde eine Lithographiemaskenstruktur erhal ten, bei der das laminierte Produkt aus dem Polyesterfilm und dem Aluminiumnitridfilm an dem Ringrahmen und dem ringförmigen Rest der Siliciumscheibe befestigt war.

Es wurde festgestellt, daß der in diesem Beispiel erhalte ne, zum Halten eines Maskenmaterials dienende Dünnfilm, der aus dem Polyesterfilm und dem Aluminiumnitridfilm bestand, eine besonders gute Festigkeit hatte.

Beispiel 5

Es wurden dieselben Schritte wie in Beispiel 3 durchge führt, außer daß auf dem Siliciumoxidfilm 12 auf einer Seite der Siliciumscheibe 11 anstelle des Polyimidfilms 13 ein Poly-p-xylylenfilm (Handelsname: Parylene; hergestellt durch Union Carbide Ca.) mit einer Dicke von 2 µm gebildet wurde.

Auf diese Weise wurde eine Lithographiemaskenstruktur erhal ten, bei der das Laminat aus dem Poly-p-xylylenfilm und dem Aluminiumnitridfilm an dem Ringrahmen und dem ring förmigen Rest der Siliciumscheibe befestigt war.

Es wurde festgestellt, daß der in diesem Beispiel erhalte ne, zum Halten eines Maskenmaterials dienende Dünnfilm, der aus dem Poly-p-xylylenfilm und dem Aluminiumnitridfilm be stand, eine besonders gute Festigkeit hatte.

Beispiel 6

In den Schritten von Beispiel 3 wurde nach der Bildung des Polyimidfilms 13 und des Aluminiumnitridfilms 14 auf dem Aluminiumnitridfilm eine Schicht aus einem Fotoresist [CMS (chlormethyliertes Polystyrol); hergestellt durch Toyo Soda Co.] gebildet.

Dann wurde mittels einer Elektronenstrahl-Bildzeichnungs vorrichtung die Bildzeichnung eines Maskenmusters durchge führt, worauf eine vorher festgelegte Behandlung durchge führt wurde, um ein Resistmuster zu erhalten.

Dann wurde auf das vorstehend erwähnte Resistmuster mittels einer Elektronenstrahl-Aufdampfungsvorrichtung Nickel (Ni) mit einer Dicke von 0,5 µm aufgedampft.

Dann wurde der Resist mit einem Entfernungsmittel entfernt, um ein Nickelfilmmuster zu erhalten.

Dann wurde auf dem Aluminiumnitridfilm mit dem Nickelfilm muster eine zum Schutz dienende Anstrichschicht des Teer typs gebildet.

Danach wurden die Schritte wie in Beispiel 3 durchgeführt, um eine Lithographiemaskenstruktur mit einem zum Halten eines Maskenmaterials dienenden Dünnfilm, der aus dem Lami nat des Polyimidfilms und des Aluminiumnitridfilms besteht, und dem Nickelfilmmuster, die sich in einem Zustand befin den, in dem sie durch den Ringrahmen und den ringförmigen Rest der Siliciumscheibe festgelegt bzw. fixiert sind, zu erhalten.

Es wurde festgestellt, daß bei der in diesem Beispiel erhaltenen Lithographiemaskenstruktur der zum Halten eines Maskenmaterials dienende Dünnfilm, der aus dem Polyimidfilm und dem Aluminiumnitridfilm bestand, eine besonders gute Festigkeit hatte.

Beispiel 7

In den Schritten von Beispiel 4 wurde nach der Bildung des Polyesterfilms und des Aluminiumnitridfilms auf dem Alumi niumnitridfilm eine Fotoresistschicht aus CMS gebildet.

Danach wurden dieselben Schritte wie in Beispiel 6 durchge führt.

Auf diese Weise wurde eine Lithographiemaskenstruktur mit einem zum Halten eines Maskenmaterials dienenden Dünnfilm, der aus dem Laminat des Polyesterfilms und des Aluminium nitridfilms bestand, und dem Nickelfilmmuster, die an dem Ringrahmen und dem ringförmigen Rest der Siliciumscheibe befestigt waren, erhalten.

Es wurde festgestellt, daß bei der in diesem Beispiel erhaltenen Lithographiemaskenstruktur der zum Halten eines Maskenmaterials dienende Dünnfilm, der aus dem Polyester film und dem Aluminiumnitridfilm bestand, eine besonders gute Festigkeit hatte.

Beispiel 8

In den Schritten von Beispiel 5 wurde nach der Bildung des Poly-p-xylylenfilms und des Aluminiumnitridfilms auf dem Aluminiumnitridfilm eine Fotoresistschicht aus CMS gebil det.

Danach wurden dieselben Schritte wie in Beispiel 6 durchge führt.

Auf diese Weise wurde eine Lithographiemaskenstruktur mit einem zum Halten eines Maskenmaterials dienenden Dünnfilm, der aus dem Laminat des Poly-p-xylylenfilms und des Alu miniumnitridfilms bestand, und dem Nickelfilmmuster, die an dem Ringrahmen und dem ringförmigen Rest der Silicium scheibe befestigt waren, erhalten.

Es wurde festgestellt, daß bei der in diesem Beispiel erhaltenen Lithographiemaskenstruktur der zum Halten eines Maskenmaterials dienende Dünnfilm, der aus dem Poly-p- xylylenfilm und dem Aluminiumnitridfilm bestand, eine besonders gute Festigkeit hatte.

Beispiel 9

Fig. 3(a) bis (h) sind schematische Mitten-Längsschnitte, die die Schritte für die Herstellung eines Beispiels der erfindungsgemäßen Lithographiemaskenstruktur zeigen.

Wie es in Fig. 3(a) gezeigt ist, wurde auf beiden Oberflä chen einer kreisrunden Siliciumscheibe 11 mit einem Durch messer von 10 cm ein Siliciumoxidfilm 12 mit einer Dicke von 1 µm gebildet.

Nachdem auf den Siliciumoxidfilm 12 auf einer Seite der Siliciumscheibe 11 durch Schleuderbeschichtung eine PIQ- Flüssigkeit (Polyimid-Vorstufe; hergestellt durch Hitachi Kasei Co.) aufgebracht worden war, wurde der aufgebrachte Film dann 4 h lang bei 50 bis 350°C gehärtet, um einen Polyimidfilm 13 mit einer Dicke von 2 µm zu bilden, wie es in Fig. 3(b) gezeigt ist.

Dann wurde auf dem Polyimidfilm 13 durch das reaktive Zerstäubungsverfahren unter Anwendung eines Aluminiumtar gets (Al-Targets), einer Gasmischung [Argon (Ar) : Stick stoff (N₂) = 1 : 1] und einer Entladungsleistung von 100 W ein Aluminiumnitridfilm 14 mit einer Dicke von 1 µm gebil det, wie es in Fig. 3(c) gezeigt ist.

Dann wurde auf dem Aluminiumnitridfilm 14 in derselben Weise wie vorstehend beschrieben ein Polyimidfilm 15 mit einer Dicke von 2 µm gebildet, wie es in Fig. 3(d) gezeigt ist.

Dann wurde der freiliegende mittlere kreisrunde Bereich (Durchmesser: 7,5 cm) des Siliciumoxidfilms 12 unter Ver wendung einer Mischung von Ammoniumfluorid und Flußsäure entfernt, wie es in Fig. 3 (e) gezeigt ist. Um zu ermögli chen, daß der Siliciumoxidfilm 12 in Form eines Ringes zurückbleibt, wurde bei dieser Behandlung in diesem Bereich eine Schicht 16 aus Apiezonwachs hergestellt durch Shell Chemical Co.) gebildet, und dann wurde die Apiezonwachs schicht 16 nach der Entfernung des mittleren Bereichs des Siliciumoxidfilms entfernt.

Denn wurde ein elektrolytisches Ätzen (Stromdichte: 0,2 A/dm²) mit einer 3%igen, wäßrigen Flußsäure durchgeführt, um den freiliegenden mittleren kreisrunden Bereich (Durchmesser: 7,5 cm) der Siliciumscheibe 11 zu entfernen, wie es in Fig. 3(f) gezeigt ist.

Dann wurde der Siliciumoxidfilm 12 in dem freiliegenden Bereich unter Verwendung einer Mischung von Ammoniumfluorid und Flußsäure entfernt, wie es in Fig. 3(g) gezeigt ist.

Dann wurde eine Oberfläche eines Ringrahmens 17 (herge stellt aus Pyrex; Innendurchmesser: 7,5 cm; Außendurchmes ser: 9 cm; Dicke: 5 mm) mit einem Klebstoff 18 des Epoxy typs beschichtet, und die mit dem Klebstoff beschichtete Oberfläche wurde auf den ringförmigen Rest der Silicium scheibe 11 an der Seite, die der Seite, wo die Polyimidfil me 13 und 15 und der Aluminiumnitridfilm 14 gebildet waren, entgegengesetzt war, aufgeklebt, wie es in Fig. 3(h) gezeigt ist.

Auf diese Weise wurde eine Lithographiemaskenstruktur erhal ten, bei der das Laminat aus den Polyimidfilmen 13 und 15 und dem Aluminiumnitridfilm 14 an dem Ringrahmen 17 und dem ringförmigen Rost der Siliciumscheibe 11 befestigt war.

Es wurde festgestellt, daß der in diesem Beispiel erhalte ne, zum Halten eines Maskenmaterials dienende Dünnfilm, der aus dem Polyimidfilm/Aluminiumnitridfilm/Polyimidfilm be stand, eine besonders gute Festigkeit und chemische Bestän digkeit hatte.

Beispiel 10

Es wurden dieselben Schritte wie in Beispiel 9 durchge führt, außer daß auf dein Siliciumoxidfilm 12 auf einer Seite der Siliciumscheibe 11 anstelle der Polyimidfilme 13 und 15 Polyesterfilme mit einer Dicke von 2 µm gebildet wurden.

Auf diese Weise wurde eine Lithographiemaskenstruktur erhal ten, bei der das Laminat aus den Polyesterfilmen und dem Aluminiumnitridfilm an dem Ringrahmen und dem ringförmigen Rest der Siliciumscheibe festgelegt bzw. fixiert war.

Es wurde festgestellt, daß der in diesem Beispiel erhalte ne, zum Halten eines Maskenmaterials dienende Dünnfilm, der aus den Polyesterfilmen und dem Aluminiumnitridfilm be stand, eine besonders gute Festigkeit und chemische Bestän digkeit hatte.

Beispiel 11

Es wurden dieselben Schritte wie in Beispiel 9 durchge führt, außer daß auf dem Siliciumoxidfilm 12 auf einer Seite der Siliciumscheibe 11 anstelle der Polyimidfilme 13 und 15 Poly-p-xylylenfilme mit einer Dicke von 2 µm gebildet wurden.

Auf diese Weise wurde eine Lithographiemaskenstruktur erhal ten, bei der das Laminat aus den Poly-p-xylylenfilmen und dem Aluminiumnitridfilm an dem Ringrahmen und dem ring förmigen Rest der Siliciumscheibe befestigt war.

Es wurde festgestellt, daß der in diesem Beispiel erhalte ne, zum Halten eines Maskenmaterials dienende Dünnfilm, der aus dem Poly-p-xylylenfilm/Aluminiumnitridfilm/Poly-p-xyly lenfilm bestand, eine besonders gute Festigkeit und chemi sche Beständigkeit hatte.

Beispiel 12

In den Schritten von Beispiel 9 wurde nach der Bildung der Polyimidfilme 13 und 15 und des Aluminiumnitridfilms 14 auf dem Polyimidfilm 15 durch Schleuderbeschichtung eine Schicht aus einem Fotoresist des positiven Typs (AZ-1370; hergestellt durch Hoechst Co.) gebildet.

Nachdem vor Resist durch ferne UV-Strahlen unter Anwendung einer Quarzmaske gehärtet bzw. ausgebacken worden war, wurde denn eine vorher festgelegte Behandlung durchge führt, um ein Resistmuster des bezüglich der Maske negati ven Typs zu erhalten.

Dann wurde mittels einer Elektronenstrahl-Aufdampfungsvor richtung Tantal (Ta) mit einer Dicke von 0,5 µm aufge dampft.

Dann wurde der Resist mit einem Entfernungsmittel entfernt, und durch das Abhebeverfahren (Lift-off-Verfahren) wurde ein Ta-Filmmuster erhalten.

Dann wurde ferner auf dem Polyimidfilm 15 ein zum Schutz dienender Polyimidfilm mit einer Dicke von 2 µm gebildet.

Danach wurden dieselben Schritte wie in Beispiel 9 durchge führt, um eine Lithographiemaskenstruktur mit einem zum Halten eines Maskenmaterials dienenden Dünnfilm, der aus den Polyimidfilmen und dem Aluminiumnitridfilm besteht, und dem TB-Filmmuster, die an dem Ringrahmen und dem ring förmigen Rest der Siliciumscheibe befestigt sind, zu er halten.

Es wurde festgestellt, daß bei der in diesem Beispiel erhaltenen Lithographiemaskenstruktur der zum Halten eines Maskenmaterials dienende Dünnfilm, der aus dem Polyimid film/ Aluminiumnitridfilm/Polyimidfilm bestand, eine beson ders gute Festigkeit hatte.

Beispiel 13

Durch dasselbe Verfahren wie in Beispiel 9 wurde auf der Siliciumscheibe ein aus fünf Schichten, nämlich einem Poly imidfilm (<Dicke: 1 µm), einem Aluminiumnitridfilm (Dicke: 1 µm), einem Polyimidfilm (Dicke: 3 µm), einem Aluminium nitridfilm (Dicke: 1µm) und einem Polyimidfilm (Dicke: 1 µm), bestehendes Laminat gebildet.

Danach wurden dieselben Schritte wie in Beispiel 9 durchgeführt, um den mittleren kreisrunden Bereich der Siliciumscheibe und des Siliciumoxidfilms zu entfernen; ferner wurde der freiliegende Bereich des Polyimidfilms mit einem Lösungsmittel des Hydrazintyps entfernt, und dann wurde der Ringrahmen ähnlich wie in Beispiel 9 aufgeklebt.

Auf diese Weise wurde eine Lithographiemaskenstruktur mit dem aus drei Schichten [Aluminiumnitridfilm (Dicke: 1 µm)/Polyimidfilm (Dicke: 3 µm)/Aluminiumnitridfilm (Dicke: 1 µm)] bestehenden Laminat, das an dem den Ringrahmen und dem ringförmigen Rest der Siliciumscheibe befestigt war, erhalten.

Es wurde festgestellt, daß der zum Halten eines Maskenmate rials dienende Dünnfilm, der aus dem Aluminiumnitridfilm/ Polyimidfilm/Aluminiumnitridfilm bestand, besonders gute Wärmeabstrahlungseigenschaften hatte.

Beispiel 14

Es wurden dieselben Schritte wie in Beispiel 13 durchge führt, außer daß anstelle der Polyimidfilme durch das Auf dampfungsverfahren Polyesterfilme gebildet wurden.

Auf diese Weise wurde eine Lithographiemaskenstruktur mit dem aus drei Schichten (Aluminiumnitridfilm/Polyester film/Aluminiumnitridfilm) bestehenden Laminat, das an dem Ringrahmen und dem ringförmigen Rest der Siliciumscheibe befestigt war, erhalten.

Es wurde festgestellt, daß der zum Halten eines Maskenmate rials dienende Dünnfilm, der aus dem Aluminiumnitridfilm/ Polyesterfilm/Aluminiumnitridfilm bestand, besonders gute Wärmeabstrahlungseigenschaften hatte.

Beispiel 15

Es wurden dieselben Schritte wie in Beispiel 13 durchgeführt, außer daß anstelle der Polyimidfilme durch das Auf dampfungsverfahren Poly-p-xylylenfilme gebildet wurden.

Auf diese Weise wurde eine Lithographiemaskenstruktur mit dem aus drei Schichten (Aluminiumnitridfilm/Poly-p- xylylenfilm/Aluminiumnitridfilm bestehenden Laminat, das an dem Ringrahmen und dem ringförmigen Rest der Silicium scheibe befestigt war, erhalten.

Es wurde festgestellt, daß der zum Halten eines Maskenmate rials dienende Dünnfilm, der aus dem Aluminiumnitridfilm/ Polyp-xylylenfilm/Aluminiumnitridfilm bestand, besonders gute Wärmeabstrahlungseigenschaften hatte.

Beispiel 16

Fig. 4(a) bis (h) sind schematische Mitten-Längsschnitte, die die Schritte für die Herstellung eines Beispiels der erfindungsgemäßen Lithographiemaskenstruktur zeige.

Wie es in Fig. 4(a) gezeigt ist, wurde auf beiden Oberflä chen einer kreisrunden Siliciumscheibe 21 mit einem Durch messer von 10 cm ein Siliciumoxidfilm 22 mit einer Dicke von 1 µm gebildet.

Nachdem auf dem Siliciumoxidfilm 22 auf einer Seite der Siliciumscheibe 21 durch das Plasma-CVD-Verfahren (CVD chemisches Aufdampfen) ein Siliciumnitridfilm 23 mit einer Dicke, von 0,5 µm gebildet worden war, wurde dann durch das reaktive Zerstäubungsverfahren unter Anwendung eines Alumi niumtargets (Al-Targets), einer Gasmischung [Argon (Ar) : Stickstoff (N₂) 1 : 1], eines Gasdruckes von 1,07 Pa und einer Entladungsleistung von 200 W ein Aluminiumnitridfilm 24 mit einer Dicke von 1 µm gebildet, wie es in Fig. 4(b) gezeigt ist.

Dann wurde auf dem Aluminiumnitridfilm 24 eine zum Schutz dienende Anstrichschicht 26 des Teertyps gebildet, wie es in Fig. 4(c) gezeigt ist.

Dann wurde der freiliegende mittlere kreisrunde Bereich (Durchmesser: 7,5 cm) des Siliciumoxidfilms 22 unter Ver wendung einer Mischung von Ammoniumfluorid und Flußsäure entfernt, wie es in Fig. 4(d) gezeigt ist. Um zu ermögli chen, daß der Siliciumoxidfilm 22 in Form eines Ringes zurückbleibt, wurde bei dieser Behandlung in diesem Bereich eine Schicht 27 aus Apiezonwachs (hergestellt durch Shell Chemical Co.) gebildet, und dann wurde die Apiezonwachs schicht 27 nach der Entfernung des mittleren Bereichs des Siliciumoxidfilms entfernt.

Dann wurde ein elektrolytisches Ätzen (Stromdichte: 0,2 A/dm²) mit einer 3%igen, wäßrigen Flußsäure durchgeführt, um den mittleren kreisrunden Bereich (Durchmesser: 7,5 cm) der freiliegenden Siliciumscheibe 21 zu entfernen, wie es in Fig. 4(e) gezeigt ist.

Dann wurde der Siliciumoxidfilm 22 in dem frei liegenden Bereich unter Verwendung einer Mischung von Ammoniumfluorid und Flußsäure entfernt, wie es in Fig. 4(f) gezeigt ist.

Dann wurde eine Oberfläche eines Ringrahmens 28 (herge stellt aus Pyrex; Innendurchmesser: 7,5 cm; Außendurchmes ser: 9 cm; Dicke: 5 mm) mit einem Klebstoff 29 des Epoxy typs beschichtet, und die mit dem Klebstoff beschichtete Oberfläche wurde auf den ringförmigen Rest der Silicium scheibe 21 an der Seite, die der Seite, wo der Silici umnitridfilm 23 und der Aluminiumnitridfilm 24 gebildet waren, entgegengesetzt war, aufgeklebt, wie es in Fig. 4(g) gezeigt ist.

Dann wurde die Anstrichschicht des Teertyps mit Aceton entfernt, wie es in Fig. 4(h) gezeigt ist.

Auf diese Weise wurde eine Lithographiemaskenstruktur erhal ten, bei der das Laminat aus dem Siliciumnitridfilm 23 und dem Aluminiumnitridfilm 24 an dem Ringrahmen 28 und dem ringförmigen Rest der Siliciumscheibe 21 befestigt war.

Es wurde festgestellt, daß der in diesem Beispiel erhalte ne, zum Halten eines Maskenmaterials dienende Dünnfilm, der aus dem Siliciumnitridfilm und dem Aluminiumnitridfilm be stand, eine besonders gute Lichtdurchlässigkeit hatte.

Beispiel 17

Nachdem auf einer Oberfläche einer kreisrunden Silicium scheibe mit einem Durchmesser von 10 cm durch das CVD- Verfahren ein Siliciumoxidfilm mit einer Dicke von 0,5 µm gebildet worden war, wurde auf dem Siliciumoxidfilm in derselben Weise wie in Beispiel 16 ein Aluminiumnitridfilm mit einer Dicke von 1 µm gebildet.

Dann wurde auf dem Aluminiumnitridfilm in derselben Weise wie in Beispiel 16 eine zum Schutz dienende Anstrichschicht des Teertyps gebildet.

Dann wurde der mittlere kreisrunde Bereich (Durchmesser: 7,5 cm) der Siliciumscheibe durch elektrolytisches Ätzen in derselben Weise wie in Beispiel 16 entfernt. Um zu ermögli chen, daß die Siliciumscheibe in Form eines Ringes zurückbleibt, wurde bei dieser Behandlung in diesem Bereich eine zum Schutz dienende Anstrichschicht des Teertyps gebildet, und die Anstrichschicht des Teertyps wurde nach der Entfer nung des mittleren Bereichs der Siliciumscheibe entfernt.

Dann wurde ein Ringrahmen an der Seite, die der Seite, wo der Siliciumoxidfilm und der Aluminiumnitridfilm gebildet waren, entgegengesetzt war, auf die Oberfläche des ring förmigen Restes der Siliciumscheibe aufgeklebt, worauf die auf dem Aluminiumnitridfilm befindliche Anstrichschicht des Teertyps entfernt wurde.

Auf diese Weise wurde eine Lithographiemaskenstruktur erhal ten, bei der das Laminat aus Siliciumoxidfilm und dem Aluminiumnitridfilm an dem Ringrahmen und dem ringför migen Test der Siliciumscheibe befestigt war.

Es wurde festgestellt, daß der in diesem Beispiel erhalte ne, zum Halten eines Maskenmaterials dienende Dünnfilm, der aus dem Siliciumoxidfilm und dem Aluminiumnitridfilm be stand, eine besonders gute Lichtdurchlässigkeit hatte.

Beispiel 18

In den Schritten von Beispiel 16 wurde nach der Bildung des Siliciumnitridfilms 23 und des Aluminiumnitridfilms 24 auf dem Aluminiumnitridfilm 24 eine zum Schutz dienende Anstrichschicht des Teertyps gebildet.

Danach wurden in derselben Weise wie in Beispiel 16 der vorher festgelegte Bereich des Siliciumoxidfilms und der mittlere kreisrunde Bereich der Siliciumscheibe 21 ent fernt.

Dann wurde die Anstrichschicht des Teertyps mit Aceton entfernt.

Der Aluminiumnitridfilm 24 wurde dann mit einem Fotoresist (AZ-1370; hergestellt durch Hoechst Co.) beschichtet.

Dann wurde der Resist unter Anwendung eines Schrittmotors bzw. "Steppers" gehärtet bzw. ausgebacken, um auf den Re sist eine Verkleinerungs-Projektion eines Maskenmusters durchzuführen, worauf eine vorgeschriebene Behandlung folg te, um ein Resistmuster zu erhalten.

Dann wurde auf dem vorstehend erwähnten Resistmuster durch Aufdampfung eine Tantalschicht (Ta-Schicht) mit einer Dicke von 0,5 µm gebildet.

Der Resist wurde dann unter Verwendung von Aceton entfernt, um ein Tantalfilmmuster zu erhalten.

Danach wurde der Ringrahmen in derselben Weise wie in Beispiel 16 aufgeklebt, um eine Lithographiemaskenstruktur mit einem zum Halten eines Maskenmaterials dienenden Dünn film, der aus dem Laminat des Siliciumnitridfilms und des Aluminiumnitridfilms besteht, und dem Ta-Filmmuster, die an dem Ringrahmen und dem ringförmigen Rest der Silicium scheibe befestigt sind, zu erhalten.

Es wurde festgestellt, daß der in diesem Beispiel erhalte ne, zum Halten eines Maskenmaterials dienende Dünnfilm, der aus dem Siliciumnitridfilm/Aluminiumnitridfilm bestand, eine besonders gute Lichtdurchlässigkeit hatte.

Beispiel 19

In den Schritten von Beispiel 17 wurde nach der Bildung des Siliciumoxidfilms und des Aluminiumnitridfilms auf dem Aluminiumnitridfilm eine zum Schutz dienende Anstrich schicht des Teertyps gebildet.

Danach wurden dieselben Schritte wie in Beispiel 18 durchgeführt.

Auf diese Weise wurde eine Lithographiemaskenstruktur mit einem zum Halten eines Maskenmaterials dienenden Dünnfilm, der aus dem Laminat des Siliciumoxidfilms und des Alumi niumnitridfilms bestand, und dem Ta-Filmmuster, die an dem Ringrahmen und dem ringförmigen Rest der Siliciumscheibe befestigt waren, erhalten.

Es wurde festgestellt, daß der in diesem Beispiel erhalte ne, zum Halten eines Maskenmaterials dienende Dünnfilm, der aus dem Siliciumoxidfilm/ Aluminiumnitridfilm bestand, eine besonders gute Lichtdurchlässigkeit hatte.

Beispiel 20

Fig. 5(a) bis (h) sind schematische Mitten-Längsschritte, die die Schritte für die Herstellung eines Beispiels der erfindungsgemäßen Lithographiemaskenstruktur zeigen.

Wie es in Fig. 5(a) gezeigt ist, wurde auf beiden Oberflä chen einer kreisrunden Siliciumscheibe 21 mit einem Durch messer von 10 cm ein Siliciumoxidfilm 22 mit einer Dicke von 1 µm gebildet.

Nachdem auf dem Siliciumoxidfilm 22 auf einer Seite der Siliciumscheibe 21 durch das Plasma-CVD-Verfahren ein Siliciumnitridfilm 23 mit einer Dicke von 0,5 µm gebildet worden war, wurde dann durch das reaktive Zerstäubungsver fahren unter Anwendung eines Aluminiumtargets (Al-Targets), einer Gasmischung [Argon (Ar) : Stickstoff (N₂) = 1 : 1], eines Gasdruckes von 1,07 Pa und einer Entladungslei stung von 200 W ein Aluminiumnitridfilm 24 mit einer Dicke von 1 µm gebildet, und ferner wurde auf dem Aluminiumni tridfilm 24 durch das Plasma-CVD-Verfahren in derselben Weise wie vorstehend beschrieben ein Siliciumnitridfilm 25 mit einer Dicke von 0,5 µm gebildet, wie es in Fig. 5(b) gezeigt ist.

Dann wurde auf dem Siliciumnitridfilm 25 eine zum Schutz dienende Anstrichschicht 26 des Teertyps gebildet, wie es in Fig. 5(c) gezeigt ist.

Dann wurde der freiliegende mittlere kreisrunde Bereich (Durchmesser: 7,5 cm) des Siliciumoxidfilms 22 unter Ver wendung einer Mischung von Ammoniumfluorid und Flußsäure entfernt, wie es in Fig. 5(d) gezeigt ist. Um zu ermögli chen, daß der Siliciumoxidfilm 22 in Form einem Ringes zurückbleibt, wurde bei dieser Behandlung in diesem Bereich eine Schicht 27 aus Apiezonwachs (hergestellt durch Shell Chemical Co.) gebildet, und dann wurde die Apiezonwachs schicht 27 nach der Entfernung des mittleren Bereichs des Siliciumoxidfilms entfernt.

Dann wurde ein elektrolytisches Ätzen (Stromdichte: 0,2 A/dm²) mit einer 3%igen, wäßrigen Flußsäure durchgeführt, um den freiliegenden mittleren kreisrunden Bereich (Durchmesser: 7,5 cm) der Siliciumscheibe 21 zu entfernen, wie es in Fig. 5(e) gezeigt ist.

Dann wurde der Siliciumoxidfilm 22 in dem freiliegender, Bereich unter Verwendung einer Mischung von Ammoniumfluorid und Flußsäure entfernt, wie es in Fig. 5(f) gezeigt ist.

Dann wurde eine Oberfläche eines Ringrahmens 28 (herge stellt aus Pyrex; Innendurchmesser: 7,5 cm; Außendurchmes ser: 9 cm; Dicke: 5 mm) mit einem Klebstoff 29 des Epoxy typs beschichtet, und die mit dem Klebstoff beschichtete Oberfläche wurde auf den ringförmigen Rest der Silicium scheibe 21 an der Seite, die der Seite, wo die Silici umnitridfilme 23 und 25 und der Aluminiumnitridfilm 24 gebildet waren, entgegengesetzt war, aufgeklebt, wie es in Fig. 5(g) gezeigt ist.

Dann wurde die Anstrichschicht des Teertyps mit Aceton entfernt, wie es in Fig. 5(h) gezeigt ist.

Auf diese Weise wurde eine Lithographiemaskenstruktur erhal ten, bei der das Laminat aus den Siliciumnitridfilmen 23 und 25 und dem Aluminiumnitridfilm 24 an dem Ringrahmen 28 und dem ringförmigen Rest der Siliciumscheibe 21 befestigt war.

Es wurde festgestellt, daß der in diesem Beispiel erhalte ne, zum Halten eines Maskenmaterials dienende Dünnfilm, der aus dem Siliciumnitridfilm/Aluminiumnitridfilm/Siliciumni tridfilm bestand, eine besonders gute Lichtdurchlässigkeit hatte.

Beispiel 21

Es wurden die Schritte von Beispiel 17 durchgeführt, außer daß ferner nach der Bildung eines Aluminiumnitridfilms ein Siliciumoxidfilm mit einer Dicke von 0,5 µm durch das CVD- Verfahren gebildet wurde und auf dem Siliciumoxidfilm eine zum Schutz dienende Anstrichschicht des Teertyps gebildet wurde.

Auf diese Weise wurde eine Lithographiemaskenstruktur erhal ten, bei der sich das Laminat aus dem Siliciumoxidfilm/Alu miniumnitridfilm/Siliciumoxidfilm in einem Zustand befand, in dem es durch den Ringrahmen und den ringförmigen Rest der Siliciumscheibe festgelegt bzw. fixiert war.

Es wurde festgestellt, daß der in diesem Beispiel erhalte ne, zum Halten eines Maskenmaterials dienende Dünnfilm, der aus dem Siliciumoxidfilm/Aluminiumnitridfilm/Siliciumoxid film bestand, eine besonders gute Lichtdurchlässigkeit hatte.

Beispiel 22

Es wurden die Schritte von Beispiel 16 durchgeführt, außer daß vor der Bildung des Siliciumnitridfilms 23 ein Alumini umnitridfilm mit einer Dicke von 1 µm gebildet wurde.

Auf diese Weise wurde eine Lithographiemaskenstruktur mit dem aus dem Aluminiumnitridfilm/Siliciumnitridfilm/Alu miniumnitridfilm bestehenden Laminat, das an dem Ringrahmen und dem ringförmigen Rest der Siliciumscheibe befestigt war, erhalten.

Es wurde festgestellt, daß der in diesem Beispiel erhalte ne, zum Halten eines Maskenmaterials dienende Dünnfilm, der aus dem Aluminiumnitridfilm/Siliciumnitridfilm/Aluminiumni tridfilm bestand, besonders gute Wärmeabstrahlungseigen schaften hatte.

Beispiel 23

Es wurden die Schritte von Beispiel 17 durchgeführt, außer daß vor der Bildung des Siliciumoxidfilms 23 ein Alumini umnitridfilm mit einer Dicke von 1 µm gebildet wurde.

Auf diese Weise wurde eine Lithographiemaskenstruktur mit dem aus dem Aluminiumnitridfilm/Siliciumoxidfilm/Alumini umnitridfilm bestehenden Laminat, das an dem Ringrahmen und dem ringförmigen Rest der Siliciumscheibe befestigt war, erhalten.

Es wurde festgestellt, daß der in diesem Beispiel erhalte ne, zum Halten eines Maskenmaterials dienende Dünnfilm, der aus dem Aluminiumnitridfilm/Siliciumoxidfilm/Aluminiumni tridfilm bestand, besonders gute Wärmeabstrahlungseigen schaften hatte.

Beispiel 24

In den Schritten von Beispiel 20 wurde nach der Bildung der Siliciumnitridfilme 23 und 25 und des Aluminiumnitrid films 24 auf dem Siliciumnitridfilm 25 eine zum Schutz dienende Anstrichschicht des Teertyps gebildet.

Danach wurden in derselben Weise wie in Beispiel 20 der vorher festgelegte Bereich des Siliciumoxidfilms 22 und der mittlere kreisrunde Bereich der Siliciumscheibe 21 ent fernt.

Dann wurde die Anstrichschicht des Teertyps mit Aceton entfernt.

Durch Schleuderbeschichtung wurde dann eine Schicht aus einem Fotoresist (RD-200N; hergestellt durch Hitachi Kasei Co.) mit einer Dicke von 1,2 µm gebildet.

Danach wurde der Ringrahmen in derselben Weise wie in Beispiel 20 aufgeklebt, um eine Lithographiemaskenstruktur mit einem zum Halten eines Maskenmaterials dienenden Dünn film, der aus dem Laminat der Siliciumnitridfilme und des Aluminiumnitridfilms besteht, und dem Ta-Filmmuster, die an dem Ringrahmen und dem ringförmigen Rest der Silicium scheibe befestigt sind, zu erhalten.

Beispiel 25

Nachdem auf beiden Oberflächen einer Siliciumscheibe in derselben Weise wie in Beispiel 20 Siliciumoxidfilme gebil det worden waren, wurde in derselben Weise wie in Beispiel 20 ein Aluminiumnitridfilm gebildet.

Dann wurde auf dem Aluminiumnitridfilm eine zum Schutz dienende Anstrichschicht des Teertyps gebildet.

Dann wurde die Anstrichschicht des Teertyps mit Aceton entfernt.

Dann wurde auf dem Aluminiumnitridfilm mittels einer Wider standsheizungs-Aufdampfungsvorrichtung ein Chromfilm (Cr- Film) mit einer Dicke vom 30,0 nm gleichmäßig gebildet, und ein Goldfilm (Au-Film) mit einer Dicke von 0,5 µm wurde dann gleichmäßig gebildet.

Auf den Goldfilm wurde dann ein Fotoresist (AZ-1350) mit einer Dicke von 0,5 µm gleichmäßig aufgebracht.

Dann wurde der Resist unser Anwendung einer Originalmaske, die in enger Berührung auf den Resist aufgelegt wurde, durch ferne UV-Strahlen gehärtet bzw. ausgebacken, worauf eine vorgeschriebene Behandlung durchgeführt wurde, um ein Resistmuster des bezüglich der Originalmaske positiven Typs zu erhalten.

Dann wurde unter Verwendung eines Goldätzmittels des Jod typs (J₂-Typs) ein Ätzen des Goldfilms durchgeführt, um eine Goldfilmmuster des bezüglich der Originalmaske positiven Typs zu erhalten.

Danach wurde der Ringrahmen in derselben Weise wie in Beispiel 20 aufgeklebt, um eine Lithographiemaskenstruktur mit einem zum Halten eines Maskenmaterials dienenden Dünn film, der aus dem Laminat des Aluminiumnitridfilms und des Chromfilms besteht, und dem Goldfilmmuster, die an dem Ringrahmen und dem ringförmigen Rest der Siliciumscheibe befestigt sind, zu erhalten.

Es wurde festgestellt, daß der in diesem Beispiel erhalte ne, zum Halten eines Maskenmaterials dienende Dünnfilm, der aus dem Aluminiumnitridfilm/Chromfilm bestand, eine beson ders gute Durchlässigkeit für Röntgenstrahlen hatte.

Beispiel 26

Um eine Lithographiemaskenstruktur zu erhalten, wurden die selben Schritte wie in Beispiel 25 durchgeführt, außer daß der Aluminiumnitridfilm durch das Zerstäubungsverfahren unter Verwendung eines gesinterten Aluminiumnitrid-Targets gebildet wurde.

In diesem Beispiel war die Filmbildungsgeschwindigkeit des Aluminiumnitridfilms hoch.

Beispiel 27

Die Schritte von Beispiel 17 wurden wiederholt, außer daß auf den Aluminiumnitridfilm durch Schleuderbeschichtung eine PIQ-Flüssigkeit (Polyimid-Vorstufe; hergestellt durch Hitachi Kasei Co.) aufgebracht und dann 4 h lang bei 50 bis 350°C gehärtet wurde, um einen Polyimidfilm mit einer Dicke von 2 µm zu bilden.

Auf diese Weise wurde eine Lithographiemaskenstruktur mit dem aus dem Siliciumoxidfilm/Aluminiumnitridfilm/Polyimid film bestehenden Laminat, das an dem Ringrahmen und dem ringförmigen Rost der Siliciumscheibe befestigt war, er halten.

Es wurde festgestellt, daß der in diesem Beispiel erhalte ne, zum Halten eines Maskenmaterials dienende Dünnfilm, der aus dem Siliciumoxidfilm/Aluminiumnitridfilm/Polyimidfilm bestand, eine besonders große Festigkeit hatte.

Beispiel 28

Durch dasselbe Verfahren wie in Beispiel 27, außer daß die Reihenfolge der Bildung des Siliciumoxidfilms und des Alu miniumnitridfilms umgekehrt wurde, wurde eine Lithographie maskenstruktur mit dem aus dem Aluminiumnitridfilm/Silici umoxidfilm/Polyimidfilm bestehenden Laminat, das an dem Ringrahmen und dem ringförmigen Rest der Siliciumscheibe befestigt war, erhalten.

Es wurde festgestellt, daß der in diesem Beispiel erhalte ne, zum Halten eines Maskenmaterials dienende Dünnfilm, der aus dem Aluminiumnitridfilm/Siliciumoxidfilm/Polyimidfilm bestand, eine besonders große Festigkeit hatte.

Beispiel 29

Durch dasselbe Verfahren wie in Beispiel 27, außer daß die Reihenfolge der Bildung des Aluminiumnitridfilms und des Polyimidfilms umgekehrt wurde, wurde eine Lithographie maskenstruktur mit dem aus dem Siliciumoxidfilm/Polyimid film/Aluminiumnitridfilm bestehenden Laminat, das an dem Ringrahmen und dem ringförmigen Rest der Siliciumscheibe befestigt war, erhalten.

Es wurde festgestellt, daß der in diesem Beispiel erhalte ne, zum Halten eines Maskenmaterials dienende Dünnfilm, der aus dem Siliciumoxidfilm/Polyimidfilm/Aluminiumnitridfilm bestand, eine besonders große Festigkeit hatte.

Beispiel 30

Dieses Beispiel wird ähnlich wie Beispiel 16 unter Bezug nahme auf Fig. 4 erläutert.

Nachdem auf dem Siliciumoxidfilm 22 auf einer Seite der Siliciumscheibe 21 durch das Plasma-CVD-Verfahren (CVD = chemisches Aufdampfen) ein Bornitridfilm 23 mit einer Dicke von 0,5 µm gebildet worden war, wurde dann durch das reak tive Zerstäubungsverfahren unter Anwendung eines Alumi niumtargets (Al-Targets), einer Gasmischung [Argon (Ar) : Stickstoff (N₂) = 1 : 1], eines Gasdruckes von 1,07 Pa und einer Entladungsleistung von 200 W ein Aluminiumnitridfilm 24 mit einer Dicke von 1 µm gebildet, wie es in Fig. 4(b) gezeigt ist.

Dann wurde ein elektrolytisches Ätzen (Stromdichte: 0,2 A/dm²) mit einer 3%igen, wäßrigen Flußsäure durchgeführt, um den freiliegenden mittleren kreisrunden Bereich (Durchmesser: 7,5 cm) der Siliciumscheibe 21 zu entfernen, wie es in Fig. 4(e) gezeigt ist.

Dann wurde der Siliciumoxidfilm 22 in dem freiliegenden Bereich unter Verwendung einer Mischung von Ammoniumfluorid und Flußsäure entfernt, wie es in Fig. 4(f) gezeigt ist.

Dann wurde eine Oberfläche eines Ringrahmens 28 (herge stellt aus Pyrex; Innendurchmesser: 7,5 cm; Außendurchmes ser: 9 cm; Dicke: 5 mm) mit einem Klebstoff 29 des Epoxy typs beschichtet, und die mit dem Klebstoff beschichtete Oberfläche wurde auf den ringförmigen Rost dem Silicium scheibe 21 an der Seite, die der Seite, wo der Bornitrid film 23 und der Aluminiumnitridfilm 24 gebildet waren, entgegengesetzt war, aufgeklebt, wie es in Fig. 4(g) gezeigt ist.

Dann wurde die Anstrichschicht 26 des Teertyps mit Aceton entfernt, wie es in Fig. 4(h) gezeigt ist.

Auf diese Weise wurde eine Lithographiemaskenstruktur erhal ten, bei der das Laminat aus dem Bornitridfilm 23 und dem Aluminiumnitridfilm 24 an dem Ringrahmen 28 und dem ring förmigen Rest der Siliciumscheibe 21 befestigt war.

Es wurde festgestellt, daß der in diesem Beispiel erhalte ne, zum Halten eines Maskenmaterials dienende Dünnfilm, der aus dem Bornitridfilm und dem Aluminiumnitridfilm bestand, eine besonders gute Lichtdurchlässigkeit und chemische Beständigkeit hatte.

Beispiel 31

In den Schritten von Beispiel 30 wurde nach der Bildung des Bornitridfilms 23 und des Aluminiumnitridfilms 24 auf dem Aluminiumnitridfilm 24 eine zum Schutz dienende An strichschicht des Teertyps gebildet.

Danach wurden in derselben Weise wie in Beispiel 30 der vorher festgelegte Bereich des Siliciumoxidfilms 22 und der mittlere kreisrunde Bereich der Siliciumscheibe 21 ent fernt.

Dann wurde die Anstrichschicht des Teertyps mit Aceton entfernt.

Dann wurde der Resist unter Anwendung eines Schrittmotors bzw. "Steppers" gehärtet bzw. ausgebacken, um auf den Resist eine Verkleinerungs-Projektion eines Maskenmusters durchzuführen, worauf eine vorgeschriebene Behandlung folg te, um ein Resistmuster zu erhalten.

Danach wurde der Ringrahmen in derselben Weise wie in Beispiel 30 aufgeklebt, um eine Lithographiemaskenstruktur mit einem zum Halten eines Maskenmaterials dienenden Dünn film, der aus dem Laminat des Bornitridfilms und des Alumi niumnitridfilms besteht, und dem Ta-Filmmuster, die an dem Ringrahmen und dem ringförmigen Rest der Siliciumscheibe befestigt sind, zu erhalten.

Es wurde festgestellt, daß der in diesem Beispiel erhalte ne, zum Halten eines Maskenmaterials dienende Dünnfilm, der aus dem Bornitridfilm/Aluminiumnitridfilm bestand, eine besonders gute Lichtdurchlässigkeit und chemische Bestän digkeit hatte.

Beispiel 32

Dieses Beispiel wird ähnlich wie Beispiel 20 unter Bezug nahme auf Fig. 5 erläutert.

Nachdem auf dem Siliciumoxidfilm 22 auf einer Seite der Siliciumscheibe 21 durch das Plasma-CVD-Verfahren ein Bornitridfilm 23 mit einer Dicke von 0,5 Min gebildet worden war, wurde dann durch das reaktive Zerstäubungsverfahren unter Anwendung eines Aluminiumtargets (Al-Targets), einer Gasmischung [Argon (Ar) : Stickstoff (N₂) = 1 : 1], eines Gasdruckes von 1,07 Pa und einer Entladungsleistung von 200 W ein Aluminiumnitridfilm 24 mit einer Dicke von 1 µm gebildet, und ferner wurde auf dem Aluminiumnitridfilm 24 durch das Plasma-CVD-Verfahren in derselben Weise wie vor stehend beschrieben ein Bornitridfilm 25 mit einer Dicke von 0,5 µm gebildet, wie es in Fig. 5(b) gezeigt ist.

Dann wurde auf dem Bornitridfilm 25 eine zum Schutz dienen de Anstrichschicht 26 des Teertyps gebildet, wie es in Fig. 5(c) gezeigt ist.

Dann wurde der freiliegende mittlere kreisrunde Bereich (Durchmesser: 7,5 cm) des Siliciumoxidfilms 22 unter Ver wendung einer Mischung von Ammoniumfluorid und Flußsäure entfernt, wie es in Fig. 5(d) gezeigt ist. Um zu ermögli chen, daß der Siliciumoxidfilm 22 in Form eines Ringes zurückbleibt, wurde bei dieser Behandlung in diesem Bereich eine Schicht 27 aus Apiezonwachs (hergestellt durch Shell Chemical Co.) gebildet, und dann wurde die Apiezonwachs schicht 27 nach der Entfernung des mittleren Bereichs des Siliciumoxidfilms entfernt.

Dann wurde der Siliciumoxidfilm 22 in dem freiliegenden Bereich unter Verwendung einer Mischung von Ammoniumfluorid und Flußsäure entfernt, wie es in Fig. 5(f) gezeigt ist.

Dann wurde eine Oberfläche eines Ringrahmens 28 (herge stellt aus Pyrex; Innendurchmesser: 7,5 cm; Außendurchmes ser: 9 cm; Dicke: 5 mm) mit einem Klebstoff 29 des Epoxy typs beschichtet, und die mit dem Klebstoff beschichtete Oberfläche wurde auf den ringförmigen Rest der Silicium scheibe 21 an der Seite, die der Seite, wo die Bornitrid filme 23 und 25 und der Aluminiumnitridfilm 24 gebildet waren, entgegengesetzt war, aufgeklebt, wie es in Fig. 5(g) gezeigt ist.

Auf diese Weise wurde eine Lithographiemaskenstruktur erhal ten, bei der das Laminat aus den Bornitridfilmen 23 und 25 und dem Aluminiumnitridfilm 24 an dem Ringrahmen 28 und dem ringförmigen fest der Siliciumscheibe 21 befestigt war.

Es wurde festgestellt, daß der in diesem Beispiel erhalte ne, zum Malten eines Maskenmaterials dienende Dünnfilm, der aus dem Bornitridfilm/Aluminiumnitridfilm/Bornitridfilm be stand, eine besonders gute Lichtdurchlässigkeit hatte.

Beispiel 33

In den Schritten von Beispiel 32 wurde nach der Bildung der Bornitridfilme 23 und 25 und des Aluminiumnitridfilms 24 auf dem Bornitridfilm 25 eine zum Schutz dienende An strichschicht des Teertyps gebildet.

Danach wurden in derselben Weise wie in Beispiel 32 der vorher festgelegte Bereich des Siliciumoxidfilms 22 und der mittlere kreisrunde Bereich der Siliciumscheibe 21 ent fernt.

Dann wurde die Anstrichschicht des Teertyps mit Aceton entfernt.

Danach wurde der Ringrahmen in derselben Weise wie in Beispiel 32 aufgeklebt, um eine Lithographiemaskenstruktur mit einem zum Halten eines Maskenmaterials dienenden Dünn film, der aus dem Laminat der Bornitridfilme und des Alumi niumnitridfilms besteht, und dem Ta-Filmmuster, die an dem Ringrahmen und dem ringförmigen Rest der Siliciumscheibe befestigt sind, zu erhalten.

Es wurde festgestellt, daß der in diesem Beispiel erhalte ne, zum Halten eines Maskenmaterials dienende Dünnfilm, der aus dem Bornitridfilm/Aluminiumnitridfilm/Bornitridfilm bestand, eine besonders gute Lichtdurchlässigkeit und che mische Beständigkeit hatte.

Beispiel 34

Nach demselben Verfahren wie in Beispiel 32, außer daß anstelle des Bornitridfilms 25 ein Siliciumnitridfilm ge bildet wurde, wurde eine Lithographiemaskenstruktur mit dem Laminat aus dem Bornitridfilm/Aluminiumnitridfilm/Si liciumnitridfilm, das an dem Ringrahmen und dem ringförmi gen Rest der Siliciumscheibe befestigt war, erhalten.

Beispiel 35

Nach demselben Verfahren wie in Beispiel 32, außer daß anstelle des Bornitridfilms 23 ein Siliciumnitridfilm ge bildet wurde, wurde eine Lithographiemaskenstruktur mit dem Laminat aus dem Siliciumnitridfilm/Aluminiumnitrid film/Bornitridfilm, das an dem Ringrahmen und dem ringför migen Rest der Siliciumscheibe befestigt war, erhalten.

Beispiel 36

Durch dasselbe Verfahren wie in Beispiel 35, außer daß die Reihenfolge der Bildung den Siliciumnitridfilms und des Aluminiumnitridfilms umgekehrt wurde, wurde eine Lithogra phiemaskenstruktur mit dem aus dem Aluminiumnitridfilm/Sili liumnitridfilm/Bornitridfilm bestehenden Laminat, das an dem Ringrahmen und dem ringförmigen Rest der Silicium scheibe befestigt war, erhalten.

Beispiel 37

Durch dasselbe Verfahren wie in Beispiel 35, außer daß die Reihenfolge der Bildung des Aluminiumnitridfilms und des Bornitridfilms umgekehrt wurde, wurde eine Lithographie maskenstruktur mit dem aus dem Siliciumnitridfilm/Bor nitridfilm/Aluminiumnitridfilm bestehenden Laminat, das an dem Ringrahmen und dem ringförmigen Rest der Silicium scheibe befestigt war, erhalten.

Beispiel 38

Die Schritte von Beispiel 30 wurden wiederholt, außer daß auf den Aluminiumnitridfilm durch Schleuderbeschichtung eine PIQ-Flüssigkeit (Polyimid-Vorstufe; hergestellt durch Hitachi Kasei Co.) aufgebracht und dann 4 h lang bei 50 bis 350°C gehärtet wurde, um einen Polyimidfilm mit einer Dicke von 2 µm zu bilden.

Auf diese Weise wurde eine Lithographiemaskenstruktur mit dem aus dem Bornitridfilm/Aluminiumnitridfilm/Polyimid film bestehenden Laminat, das an dem Ringrahmen und dem ringförmigen Rest der Siliciumscheibe befestigt war, er halten.

Es wurde festgestellt, daß der in diesem Beispiel erhalte ne, zum Halten eines Maskenmaterials dienende Dünnfilm, der aus dem Bornitridfilm/Aluminiumnitridfilm/Polyimidfilm be stand, eine besonders große Festigkeit hatte.

Beispiel 39

Durch dasselbe Verfahren wie in Beispiel 30, außer daß die Reihenfolge der Bildung des Bornitridfilms und des Alu miniumnitridfilms umgekehrt wurde, wurde eine Lithographie maskenstruktur mit dem aus dem Aluminiumnitridfilm/Borni ridfilm/Polyimidfilm bestehenden Laminat, das an dem Ringrahmen und dem ringförmigen Rest der Siliciumscheibe befestigt war, erhalten.

Es wurde festgestellt, daß der in diesem Beispiel erhalte ne, zum Halten eines Maskenmaterials dienende Dünnfilm, der aus dem Aluminiumnitridfilm/Bornitridfilm/Polyimidfilm be stand, eine besonders große Festigkeit hatte.

Beispiel 40

Durch dasselbe Verfahren wie in Beispiel 38, außer daß die Reihenfolge der Bildung des Aluminiumnitridfilms und des Polyimidfilms umgekehrt wurde, wurde eine Lithographie maskenstruktur mit dem aus dem Bornitridfilm/Polyimid film/Aluminiumnitridfilm bestehenden Laminat, das an dem Ringrahmen und dem ringförmigen Rest der Siliciumscheibe befestigt war, erhalten.

Es wurde festgestellt, daß der in diesem Beispiel erhalte ne, zum Halten eines Maskenmaterials dienende Dünnfilm, der aus dem Bornitridfilm/Polyimidfilm/Aluminiumnitridfilm be stand, eine besonders große Festigkeit hatte.

Beispiel 41

Es wurden dieselben Schritte wie in Beispiel 35 durchge führt, außer daß ferner nach der Bildung des Bornitridfilms ein Polyimidfilm mit einer Dicke von 2 µm in derselben Weise wie in Beispiel 38 gebildet wurde, um eine Lithogra phiemaskenstruktur mit dem Laminat aus dem Siliciumnitrid film/Aluminiumnitridfilm/Bornitridfilm/Polyimidfilm, das an dem Ringrahmen und dem ringförmigen Rest der Silici umscheibe befestigt war, zu erhalten.

Es wurde festgestellt, daß der in diesem Beispiel erhalte ne, zum Halten eines Maskenmaterials dienenden Dünnfilm, der aus dem Siliciumnitridfilm/Aluminiumnitridfilm/Borni tridfilm/Polyimidfilm bestand, eine besonders große Fe stigkeit hatte.

Beispiel 42

Es wurden dieselben Schritte wie in Beispiel 30 durchge führt, außer daß vor der Bildung des Bornitridfilms 23 ein Aluminiumnitridfilm mit einer Dicke von 1 µm in derselben Weise wie in Beispiel 30 gebildet wurde.

Auf diese Weise wurde eine Lithographiemaskenstruktur mit dem Laminat aus dem Aluminiumnitridfilm/Bornitridfilm/Alu miniumnitridfilm, das an dem Ringrahmen und dem ringförmi gen Rest der Siliciumscheibe befestigt war, erhalten.

Es wurde festgestellt, daß der in diesem Beispiel erhalte ne, zum Halten eines Maskenmaterials dienende Dünnfilm, der aus dein Aluminiumnitridfilm/Bornitridfilm/Aluminiumnitrid film bestand, eine besonders gute Lichtdurchlässigkeit und besonders gute Wärmeabstrahlungseigenschaften hatte.

Beispiel 43

Fig. 6(a) bis (f) sind schematische Mitten-Längsschnitte, die die Schritte für die Herstellung eines Beispiels der erfindungsgemäßen Lithographiemaskenstruktur zeigen.

Nachdem auf eine Oberfläche einer kreisrunden Silicium scheibe 31 mit einem Durchmesser von 10 cm durch Schleu derbeschichtung eine PlQ-Flüssigkeit (Polyimid-Vorstufe; hergestellt durch Hitachi Kasei Co.) aufgebracht worden war, wurde der aufgebrachte Film 4 h lang bei 50 bis 350°C gehärtet, um einen Polyimidfilm 32 mit einer Dicke von 1,5 µm zu bilden, wie es in Fig. 5(a) gezeigt ist.

Dann wurde auf dem Polyimidfilm 32 durch das reaktive Zerstäubungsverfahren unter Anwendung eines Aluminiumtar gets (Al-Targets), einer Gasmischung [Argon (Ar) : Stick stoff (N₂) = 1 : 1], eines Gasdruckes von 0,67 Pa und einer Entladungsleistung von 200 W ein Aluminiumnitridfilm 33 mit einer Dicke von 3 µm gebildet, wie es in Fig. 6(b) gezeigt ist.

Dann wurde eine Oberfläche eines Ringrahmens 34 (herge stellt aus Pyrex; Innendurchmesser: 7,5 cm; Außendurchmes ser: 9 cm; Dicke: 5 mm) mit einem Klebstoff 35 des Epoxy typs beschichtet, und die Oberfläche des vorstehend erwähn ten Aluminiumnitridfilms 33 wurde auf die Oberfläche, auf die der Klebstoff aufgebracht worden war, aufgeklebt, wie es in Fig. 6(c) gezeigt ist.

Dann wurden in dem Aluminiumnitridfilm und dem Polyimid film am äußeren Umfang des Ringrahmens 34 entlang Ein schnitte gebildet, wie es in Fig. 6(d) gezeigt ist.

Dann wurde die Siliciumscheibe abgetrennt und entfernt, wie es in Fig. 6(e) gezeigt ist, indem in einer wäßrigen Lösung, in die eine oberflächenaktive Substanz (Natriumal kylbenzolsulfonat) hineingegeben worden war, Ultraschall wellen darauf einwirken gelassen wurden.

Dann wurde der Polyimidfilm 32 durch ein Lösungsmittel des Hydrazintyps entfernt, wie es in Fig. 6(f) gezeigt ist. Bei dieser Behandlung mit dem Lösungsmittel war auf dem Aluminiumnitridfilm 33 eine zu seinem Schutz dienende An strichschicht des Teertyps aufgebracht, und die Anstrich schicht des Teertyps wurde nach der Entfernung des Poly imidfilms 32 mit Aceton entfernt.

Auf diese Weise wurde eine Lithographiemaskenstruktur erhal ten, bei der der Aluminiumnitridfilm 33 an dem Ringrahmen 34 befestigt war.

Beispiel 44

Auf dem Aluminiumnitridfilm 33 der in Beispiel 43 erhalte nen Lithographiemaskenstruktur wurde mittels einer Wider standsheizungs-Aufdampfungsvorrichtung ein Goldfilm (Au- Film) mit einer Dicke von 0,5 µm gleichmäßig gebildet.

Auf den Goldfilm wurde dann ein Fotoresist (AZ-1350; herge stellt durch Hoechst Co.) mit einer Dicke von 0,5 µm gleichmäßig aufgebracht.

Dann wurde der Resist unter Anwendung einer Originalmaske, die in enger Berührung auf den Resist aufgelegt wurde, durch ferne UV-Strahlen gehärtet bzw. ausgebacken, worauf eine vorgeschriebene Behandlung durchgeführt wurde, um ein Resistmuster des bezüglich der Originalmaske positiven Typs zu erhalten.

Dann wurde unter Verwendung eines Goldätzmittels des Jod typs (J₂-Typs) ein Ätzen des Goldfilms durchgeführt, um ein Goldfilmmuster des bezüglich der Originalmaske positiven Typs zu erhalten.

Der Resist wurde dann mit einem Lösungsmittel des Ketontyps entfernt.

Auf diese Weise wurde eine Lithographiemaskenstruktur erhal ten, bei der der Aluminiumnitridfilm mit dem darauf gebil deten Goldfilmmuster an dem Ringrahmen befestigt war.

Beispiel 45

Dieselben Schritte wie in Beispiel 43 wurden wiederholt außer daß der Polyimidfilm 32 nicht entfernt wurde.

Auf diese Weise wurde eine Lithographiemaskenstruktur erhal ten, bei der das Laminat aus dem Polyimidfilm und dem Aluminiumnitridfilm an dem Ringrahmen befestigt war.

Beispiel 46

In den Schritten von Beispiel 43 wurde nach der Bildung des Aluminiumnitridfilms 33 auf dem Aluminiumnitridfilm 33 mittels einer Widerstandsheizungs-Aufdampfungsvorrichtung ein Goldfilm (Au-Film) mit einer Dicke von 0,5 µm gleich mäßig gebildet.

Dann wurde der Resis unter Anwendung einer Originalmaske, die in enger Berührung auf den Resist aufgelegt wurde, durch ferne UV-Strahlen gehärtet bzw. ausgebacken, worauf eine vorgeschriebene Behandlung durchgeführt wurde, um ein Resistmuster des bezüglich der Originalmaske positiven Typs zu erhalten.

Nachdem der Resist mit einem Lösungsmittel des Ketontyps entfernt worden war, wurde eine Oberfläche eines Ringrah mens (hergestellt aus Pyrex; Innendurchmesser: 7,5 cm; Außendurchmesser: 9 cm; Dicke: 5 mm) in derselben Weise wie In Beispiel 43 mit einem Klebstoff des Epoxytyps be schichtet, und die Oberfläche des vorstehend erwähnten Aluminiumnitridfilms wurde auf die Oberfläche, auf die der Klebstoff aufgebracht worden war, aufgeklebt.

Danach wurden in derselben Weise wie in Beispiel 43 an dem Aluminiumnitridfilm und dem Polyimidfilm am äußeren Umfang des Ringrahmens entlang Einschnitte gebildet, und die Siliciumscheibe wurde abgetrennt und entfernt, indem in einer wäßrigen Lösung, in die eine Oberflächenaktive Substanz (Natriumalkylbenzolsulfonat) hineingegeben worden war, Ultraschallwellen darauf einwirken gelassen wurden.

Auf diese Weise wurde eine Lithographiemaskenstruktur erhal ten, bei der das Laminat aus dem Polyimidfilm und dem Aluminiumnitridfilm mit dem darauf gebildeten Goldfilmmu ster an dem Ringrahmen befestigt war.

Beispiel 47

Auf beiden Oberflächen einer kreisrunden Siliciumscheibe mit einem Durchmesser von 10 cm wurden Siliciumoxidfilme mit einer Dicke von 1 µm gebildet.

Nachdem auf dem Siliciumoxidfilm auf einer Seite der Sili ciumscheibe durch das reaktive Zerstäubungsverfahren unter Anwendung eines Aluminiumtargets <Al-Targets), einer Gasmi schung [Argon (Ar) : Stickstoff (N₂) = 1 : 1], eines Gas druckes von 1,07 Pa und einer Entladungsleistung von 300 W ein Aluminiumnitridfilm mit einer Dicke von 2 µm gebildet worden war, wurde dann auf dem Aluminiumnitridfilm durch dasselbe Zerstäubungsverfahren, außer daß ein Borni tridtarget verwendet wurde, ein Bornitridfilm mit einer Dicke von 2 µm gebildet.

Dann wurde der Ringrahmen in derselben Weise wie in Bei spiel 43 aufgeklebt, und danach wurden zur Abtrennung und Entfernung der Siliciumscheibe mit den anhaftenden Silici umoxidfilmen dieselben Schritte wie in Beispiel 43 wieder holt.

Auf diese Weise wurde eine Lithographiemaskenstruktur erhal ten, bei der das Laminat aus dem Aluminiumnitridfilm und dem Bornitridfilm an dem Ringrahmen befestigt war.

Beispiel 48

Dieselben Schritte wie in Beispiel 47 wurden wiederholt, außer daß ferner nach der Bildung des Bornitridfilms ein Aluminiumnitridfilm mit einer Dicke von 1 µm durch das reaktive Zerstäubungsverfahren gebildet wurde.

Auf diese Weise wurde eine Lithographiemaskenstruktur erhal ten, bei der das Laminat aus dem Aluminiumnitridfilm/Borni tridfilm/Aluminiumnitridfilm an dem Ringrahmen befestigt war.

Die erfindungsgemäßen Lithographiemaskenstrukturen, die in den vorstehenden Beispielen 43 bis 48 beschrieben wurden, haben ferner zusätzlich zu der Wirkung, die durch die Verwendung einer Aluminiumnitridschicht als Bestandteil des zum Halten eines Maskenmaterials dienenden Dünnfilms er zielt wird, die Wirkungen, daß die Fertigungsschritte einfach und schnell sind und daß die Ausbeute gut ist.

Beispiel 49

Fig. 7(a) ist ein schematischer Mitten-Längsschnitt eines Beispiels der erfindungsgemäßen Lithographiemaskenstruktur, und Fig. 7(b) ist eine schematische Draufsicht des Ring rahmens der Lithographiemaskenstruktur. Fig. 7 zeigt einen zum Halten eines Maskenmaterials dienenden Dünnfilm 42, wobei der Umfangs- bzw. Randbereich des zum Halten eines Maskenmaterials dienenden Dünnfilms 42 auf der oberen End fläche eines Ringrahmens 43 getragen wird bzw. aufliegt.

Der vorstehend erwähnte, zum Halten eines Maskenmaterials dienende Dünnfilm 42 kann aus einer einzelnen Aluminiumni tridschicht oder aus einem Laminat von Aluminiumnitrid und einem anderen anorganischen Material und/oder einem organi schen Material hergestellt sein.

Bei der Lithographiemaskenstruktur in diesem Beispiel ist die oberste ebene bzw. flache Endfläche 43a des Masken- Ringrahmens 43 nicht mit einem zum Aufkleben des Dünnfilms 42 dienenden Klebstoff beschichtet, vielmehr ist nur die abgeschrägte Oberfläche 43b, die an der Außenseite der obersten ebenen Endfläche 43a gebildet ist, mit der Endflä che 43a verbunden ist und mit der Endfläche 43a einen Winkel R bildet, mit einem Klebstoff 44 beschichtet. Für den Winkel R gibt es keine besondere Einschränkung, außer daß es sich um einen Winkel handelt, der 0 Grad überschreitet. Der Winkel R beträgt jedoch geeigneterweise 5 bis 90 Grad, vorzugsweise 5 bis 60 Grad und am besten 5 bis 30 Grad.

Als der vorstehend erwähnte Klebstoff 44 können beispiels weise Klebstoffe des Lösungsmitteltyps (z. B. synthetische Kautschukklebstoffe des Butadientyps und synthetische Kautschukklebstoffe des Chloroprentyps) oder Klebstoffe des Nicht-Lösungsmitteltyps (z. B. Klebstoffe des Epoxytyps und Klebstoffe des Cyanoacrylattyps) verwendet werden.

Fig. 8(a) bis (g) zeigen die Schritte für die Herstellung eines Beispiels der in Fig. 7 gezeigten erfindungsgemäßen Lithographiemaskenstruktur.

Wie es in Fig. 8(a) gezeigt ist, wurde der abgeschrägte Flächenbereich des Ringrahmens 43 (hergestellt durch Pyrex Co.; Innendurchmesser: 7,5 cm; Außendurchmesser: 9 cm; Dicke: 5 mm; wobei an der Außenseite der obersten ebenen bzw. flachen Endfläche eine abgeschrägte Oberfläche gebil det war, die mit der ebenen Endfläche verbunden war und mit der ebenen Endfläche einen Winkel von 15 Grad bildete) mit einem Klebstoff 44 des Epoxytyps beschichtet. Eine isotrop gereckte Polyimidfolie 42-1 (Dicke: 7 µm) wurde durch Auf kleben mit dem Klebstoff 44 des Epoxytyps an dem Ringrahmen 43 befestigt, und der aus dem Ringrahmen 43 hervorstehende Teil der Polyimidfolie 42-1 wurde abgeschnitten.

Dann wurde auf der Polyimidfolie 42-1 durch das reaktive Zerstäubungsverfahren unter Anwendung eines Aluminiumtar gets (Al-Targets), einer Gasmischung [Argon (Ar) : Stick stoff (N₂) = 1 : 1], eines Gasdruckes von 0,67 Pa und einer Entladungsleistung von 200 W ein Aluminiumnitridfilm 42-2 mit einer Dicke von 3 µm gebildet, wie es in Fig. 8(b) gezeigt ist.

Dann wurde mittels einer Widerstandsheizungs-Aufdampfungs vorrichtung ein Goldfilm (Au-Film) 41 mit einer Dicke von 0,5 µm gleichmäßig gebildet, wie es in Fig. 8(c) gezeigt ist.

Auf den Goldfilm 41 wurde dann ein Fotoresist 45 (AZ-1350; hergestellt durch Hoechst Co.) mit einer Dicke von 0,5 µm gleichmäßig aufgebracht, wie es in Fig. 8(d) gezeigt ist.

Dann wurde der Resist unter Anwendung einer Originalmaske, die in enger Berührung auf den Resist aufgelegt wurde, durch ferne UV-Strahlen gehärtet bzw. ausgebacken, worauf eine vorgeschriebene Behandlung durchgeführt wurde, um ein Resistmuster des bezüglich der Originalmaske positiven Typs zu erhalten, wie es in Fig. 8(e) gezeigt ist.

Dann wurde unter Verwendung eines Goldätzmittels des Jod typs (J₂-Typs) ein Ätzen des Goldfilms 41 durchgeführt, um ein Goldfilmmuster des bezüglich der Originalmaske positi ven Typs zu erhalten, wie es in Fig. 8(f) gezeigt ist.

Der Resist wurde dann mit einem Lösungsmittel des Ketontyps entfernt, um ein aus einem Goldfilm bestehendes Maskenmu ster 41 zu bilden, und es wurde eine Lithographiemasken struktur mit dem Laminat aus der Polyimidfolie 42-1 und dem Aluminiumnitridfilm 42-2 als zum Halten des Maskenmaterials dienendem Dünnfilm und einem auf dem zum Halten des Mas kenmaterials dienenden Dünnfilm gebildeten Maskenmuster 41 erhalten, wie es in Fig. 8(g) gezeigt ist.

Beispiel 50

Die Schritte von Beispiel 49 wurden wiederholt, außer daß nach der Bildung des Aluminiumnitridfilms 42-2 der freilie gende Bereich des Polyimidfilms 42-1 durch das reaktive Ionenätzverfahren in einem Sauerstoffplasma entfernt wurde und daß dann auf dem Aluminiumnitridfilm 42-2 ein Goldfilm 41′ gebildet wurde.

Auf diese Weise wurde eine Lithographiemaskenstruktur mit dem Aluminiumnitridfilm 42-2 als zum Halten des Maskenmate rials dienendem Dünnfilm und einem auf dem zum Halten des Maskenmaterials dienenden Dünnfilm gebildeten Maskenmuster erhalten.

Beispiel 51

Fig. 9 ist ein schematischer Mitten-Längsschnitt eines Beispiels der erfindungsgemäßen Lithographiemaskenstruktur. Auf den Aluminiumnitridfilm 42-2 an der oberen abgeschräg ten Oberfläche 43b des Ringrahmens 43 der in Beispiel 49 erhaltenen Lithographiemaskenstruktur wurde ferner mit einem Klebstoff 49 ein Preßring so aufgeklebt, wie es in Fig. 9 gezeigt ist. Die Verklebungs-Grenzfläche zwischen dem Preß ring 50 und dem Aluminiumnitridfilm 42-2 war parallel zu der oberen abgeschrägten Oberfläche 43b des Ringrahmens 43 ausgebildet.

Bei der Lithographiemaskenstruktur in diesem Beispiel kann der zum Halten eines Maskenmaterials dienende Dünnfilm dadurch fester gehalten werden, daß er unter Ausübung eines Druckes zwischen dem Ringrahmen 43 und dem Preßring 50 gehalten wird.

In den vorstehenden Beispielen ist an der Außenseite der obersten ebenen bzw. flachen Endfläche 43a des Ringrahmens 43 eine abgeschrägte Oberfläche 43b ausgebildet und in einem bestimmten Winkel mit der obersten ebenen Endfläche 43a verbunden, und das Aufkleben erfolgt auf die abge schrägte Oberfläche 43b, jedoch ist die Lithographiemas kenstruktur nicht auf eine solche Ausführungsform einge schränkt.

Fig. 10(a) ist ein schematischer Mitten-Längsschnitt eines Beispiels der erfindungsgemäßen Lithographiemaskenstruktur, der eine andere Form des Ringrahmens 43 zeigt, und Fig. 10(b) ist eine schematische Draufsicht des Ringrahmens 43. Hier ist an der Außenseite der obersten ebenen bzw. flachen Endfläche 43a des Ringrahmens 43 eine abgeschrägte Ober fläche 43b ausgebildet, die Bit der obersten ebenen End fläche 43a glatt bzw. stufenlos verbunden ist, und das Aufkleben erfolgt auf die abgeschrägte Oberfläche 43b.

Fig. 11 ist ein schematischer Mitten-Längsschnitt eines Beispiels der erfindungsgemäßen Lithographiemaskenstruktur, der noch eine andere Form des Ringrahmens 43 zeigt. Hier ist an der Außenseite der obersten ebenen bzw. flachen Endfläche 43a des Ringrahmens 43 eine Oberfläche 43b ausgebildet, die mit der obersten ebenen Endfläche 43a rechtwinklig verbunden ist. Ferner ist eine Oberfläche 43c ausgebildet, die an einer Stelle, die tiefer als die vor stehend erwähnte oberste ebene Endfläche 43a liegt, mit der Oberfläche 43b verbunden ist, und das Aufkleben erfolgt auf die Oberfläche 43c.

Die Lithographiemaskenstrukturen, die in den vorstehenden Beispielen 49 bis 51 beschrieben wurden, haben ferner zu sätzlich zu der Wirkung, die durch die Verwendung einer Aluminiumnitridschicht als Bestandteil des zum Halten eines Maskenmaterials dienenden Dünnfilms erzielt wird, die Wirkung, daß eine noch bessere Lithographie durchgeführt werden kann, weil die Flachheit der Oberfläche des zum Halten eines Maskenmaterials dienenden Dünnfilms weiter verbessert werden kann.

Wie es vorstehend beschrieben wurde, hat das Aluminiumni trid, das im Rahmen der Erfindung als Bestandteil des zum Halten eines Maskenmaterials dienenden Dünnfilms verwendet wird, als besondere Merkmale einen hohen Durchlässigkeits grad für Röntgenstrahler und für sichtbares Licht (optische Dichte bei einer Dicke von 1µm: etwa 0,1), einen niedrigen Wärmeausdehnungskoeffizienten (3 bis 4×10^-6/°C) und ein gutes Filmbildungsvermögen, und infolgedessen können die folgenden Wirkungen erzielt werden:

1) Ein zum Halten eines Maskenmaterials dienender Dünnfilm kann auf einfache Weise sehr gut hergestellt werden, weil der hohe Durchlässigkeitsgrad für Röntgenstrahlen, die durch Aluminiumnitrid hindurchgehen, selbst in dein Fall eine relativ hohe Menge durchgelassener Röntgenstrahlen liefern kann, daß der Dünnfilm mit einer relativ größeren Dicke hergestellt wird.
2) Das gute Filmbildungsvermögen des Aluminiumnitrids ermöglicht die Herstellung eines zum Halten eines Maskenma terials dienenden Dünnfilms, der aus einem sehr dünnen Film besteht, so daß die Menge der durchgelassenen Röntgenstrah len erhöht werden kann, um den Durchsatz bei der Wärmebe handlung bzw. beim Ausbacken (Härten) bzw. Brennen zu ver bessern.
3) Der hohe Durchlässigkeitsgrad für sichtbares Licht, das durch Aluminiumnitrid hindurchgeht, ermöglicht bei der Lithographie eine einfache und genaue Ausrichtung durch Beobachtung mit den Augen unter Anwendung von sichtbarem Licht.
4) Bei der Lithographie wird eine Wärmebehandlung bzw. ein Ausbacken (Härten) bzw. Brennen mit sehr hoher Präzision ermöglicht, weil der Wärmeausdehnungskoeffizient des Alumi niumnitrids etwa denselben Wert hat wie das gebrannte bzw. der Wärmebehandlung unterzogene Substrat aus der Silicium scheibe (etwa 2 bis 3×10^-6/°C.
5) Das hohe Wärmeleitungsvermögen des Aluminiumnitrids kann eine auf Bestrahlung mit Röntgenstrahlen zurückzufüh rende Temperaturerhöhung verhindern. Diese Wirkung ist während der Wärmebehandlung bzw. des Ausbackens (Härtens) bzw. Brennens im Vakuum besonders groß.
6) Im Fall der Verwendung eines Laminats aus einer Alu 01727 00070 552 001000280000000200012000285910161600040 0002003539201 00004 01608mi niumnitridschicht und einer Schicht aus einem organischen Material als zum Halten eines Maskenmaterials dienender Dünnfilm kann ein zum Halten eines Maskenmaterials dienen der Dünnfilm erhalten werden, der zusätzlich zu den vorste hend beschriebenen Eigenschaften des Aluminiumnitrids die Eigenschaften des organischen Materials besitzt. D.h. solch ein zum Halten eines Maskenmaterials dienender Dünn film zeigt in diesem Fall zusätzlich zu der Wirkung, die der zum Halten eines Maskenmaterials dienende Dünnfilm besitzt, der aus einem einzelnen Aluminiumnitridfilm be steht, die Wirkungen, daß seine Festigkeit höher ist und daß im wesentlichen keine mechanische Spannung vorhanden ist.
7) Im Fall der Verwendung eines Laminats aus einer Alumi niumnitridschicht und einer Schicht aus einem von Alumini umnitrid verschiedenen anorganischen Material als zum Hal ten eines Maskenmaterials dienender Dünnfilm kann ein zum Halten eines Maskenmaterials dienender Dünnfilm erhalten werden, der zusätzlich zu den vorstehend beschriebenen Eigenschaften des Aluminiumnitrids die Eigenschaften des anderen anorganischen Material besitzt. D.h., solch ein zum Halten eines Maskenmaterials dienender Dünnfilm hat auch eine sehr gute Lichtdurchlässigkeit und Wärmeleitfähigkeit sowie eine relativ hohe Festigkeit und chemische Beständig keit. Wenn außerdem eine Schicht aus einem organischen Material laminiert wird, werden ferner die besonderen Merkmale hinzugefügt, daß die Festigkeit höher ist und daß im wesentlichen keine mechanische Spannung vorhanden ist.

Claims

1. Röntgenlithographiemaske mit einem als Dünnfilm ausgebildeten Maskenträger für ein Absorbermaterial, der durch ein ringförmiges Haltesubstrat auf dessen oberer Oberfläche im Randbereich gehalten wird, wobei das Halte substrat Silicium enthält, dadurch gekennzeichnet, daß der Maskenträger eine Schicht aus Aluminiumnitrid aufweist.

2. Röntgenlithographiemaske nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Maskenträger ferner eine Schicht aus einem organischen Material aufweist.

3. Röntgenlithographiemaske nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das organische Material ein Polyimid, Polyamid, Polyester oder Poly-p-xylylen ist.

4. Röntgenlithographiemaske nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Maskenträger ferner eine Schicht aus einem von Aluminiumnitrid verschiedenen anorganischen Material aufweist.

5. Röntgenlithographiemaske nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das anorganische Material Bornitrid, Siliciumnitrid, Siliciumoxid, Siliciumcarbid oder Titan ist.

6. Röntgenlithographiemaske nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Maskenträger ferner eine Schicht aus einem organischen Material und eine Schicht aus einem von Aluminiumnitrid verschiedenen anorganischen Material aufweist.

7. Röntgenlithographiemaske nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Maskenträger an einer Stelle, die tiefer als die oberste ebene Endfläche des ringförmigen Haltesubstrats liegt, auf das ringförmige Haltesubstrat aufgeklebt ist.

8. Röntgenlithographiemaske nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sie ferner ein Absorbermaterial in Form eines Dünnfilms auf dem Maskenträger aufweist.

9. Röntgenlithographiemaske nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß das Absorbermaterial aus Gold, Platin, Nickel, Palladium, Rhodium, Indium, Wolfram, Tantal und Kupfer ausgewählt ist.

10. Röntgenlithographiemaske nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß das Absorbermaterial gemustert ist.

11. Verfahren zur Herstellung einer Röntgenlithographie maske nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeich net durch die folgenden Schritte:
Bildung eines Maskenträgers (32, 33) für ein Absorber material in Form eines Dünnfilms, der eine Schicht aus Aluminiumnitrid (33) aufweist, auf ein Hilfsubstrat (31),
Aufkleben eines ringförmigen Silicium enthaltenden Hal tesubstrats (34) auf den Maskenträger auf dessen dem Hilfssubstrat (31) gegenüberliegenden Seite, und
Entfernung des Hilfssubstrats (31) von dem Maskenträger (32, 33).

12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß es ferner einen Schritt enthält, in dem der Maskenträger mit einem Absorbermaterial in Form eines Dünnfilms versehen wird.

13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß es ferner einen Schritt enthält, in dem das Absorbermaterial mit einem Muster versehen wird.

14. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt der Entfernung des Hilfssubstrats (31) von dem Maskenträger (32, 33) durchgeführt wird, indem man in einem Lösungsmittel Ultraschallwellen darauf einwirken läßt.