DE3701654A1 - Verfahren zur behandlung anorganischer ueberzuege - Google Patents
Verfahren zur behandlung anorganischer ueberzuegeInfo
- Publication number
- DE3701654A1 DE3701654A1 DE19873701654 DE3701654A DE3701654A1 DE 3701654 A1 DE3701654 A1 DE 3701654A1 DE 19873701654 DE19873701654 DE 19873701654 DE 3701654 A DE3701654 A DE 3701654A DE 3701654 A1 DE3701654 A1 DE 3701654A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- lens
- water
- bis
- silane
- treatment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/30—Polarising elements
- G02B5/3025—Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state
- G02B5/3033—Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state in the form of a thin sheet or foil, e.g. Polaroid
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/28—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with organic material
- C03C17/30—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with organic material with silicon-containing compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/42—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating of an organic material and at least one non-metal coating
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
- G02B1/18—Coatings for keeping optical surfaces clean, e.g. hydrophobic or photo-catalytic films
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/70—Properties of coatings
- C03C2217/76—Hydrophobic and oleophobic coatings
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31652—Of asbestos
- Y10T428/31663—As siloxane, silicone or silane
Description
Die Erfindung betrifft Massen zur Behandlung
anorganischer Überzüge und insbesondere ein Verfahren zur
Verbesserung der Oberflächenbeschaffenheit von anorganischen
Überzügen.
Nach unterschiedlichen Verfahren hergestellte anorganische
Überzüge, beispielsweise durch Abscheidung aus der Dampfphase,
Ionenplattierung, Sputtering und dergl., finden
breite Anwendungsgebiete als Antireflexionsschichten, harte
Überzüge und funktionelle Überzüge für optische Materialien,
wie Linsen und Anzeigefelder für Anzeigevorrichtungen. Insbesondere
ist die Anwendung von SiO2-Schichten weit verbreitet,
da sie gut auf der Unterlage haften sowie hart
und leicht handhabbar sind.
Herkömmliche anorganische Beschichtungen haben verschiedene
entscheidende Nachteile. Insbesondere wenn Wassertropfen
auf der Oberfläche der Überzüge eintrocknen, führt
dies zur Bildung von Wasserflecken ähnlich den Flecken auf optischen
Gläsern. Diese Flecken beeinträchtigen das Aussehen
und die optischen Eigenschaften des Überzugs. (Wasserflecken
und Flecken seien hier als eine Vergilbung oder Verfärbung
auf optischem Glas bzw. auf einem anorganischen
Überzug definiert). Insbesondere
besteht bei optischen Linsen die Gefahr, dass Wassertropfen
auf der Oberfläche beim Schleifen der Kanten oder beim
praktischen Einsatz verbleiben. Lässt man die Linsen kurzzeitig
mit den Wasserstropfen stehen, so kommt es zur Bildung
von Wasserflecken.
Im allgemeinen wird angenommen, dass für die Fleckenbildung
auf optischen Gläsern folgende Prozesse verantwortlich
sind:
Zunächst gehen Glasionen, wie Na⁺, Ba2+, Pb2+ und dergl.,
in den auf der Oberfläche befindlichen Wassertropfen in
Lösung, so dass aus dem Wassertropfen eine alkalische Lösung
entsteht. Diese Lösung reagiert mit sauren Gasen in
der Atmosphäre, wie CO2 und SO2. Infolgedessen werden Verbindungen
wie Na2CO3, NaHCO3, Na2SO4, BaCO3, PbCO3, BaSO4,
PbSO4 und dergl. gebildet. Diese Verbindungen verbleiben
auf der Oberfläche und verursachen die Fleckenbildung.
Demgegenüber weisen anorganische Überzugsschichten, z. B.
aus SiO2, die auf Kunstharzen ausgebildet sind, keine
positiven Ionen auf. Der Grund für die Bildung von Wasserflecken
auf derartigen Schichten ist daher bisher nicht
bekannt gewesen. Aufgrund erfindungsgemässer Untersuchungen
wurde festgestellt, dass die Ursache derartiger Flecken darin
zu suchen ist, dass Verdampfungsrückstände, vorwiegend
aus Si-Verbindungen, die aus an der Oberfläche befindlichen
Wassertropfen verbleiben, stark an der Schichtoberfläche
haften. Dies wird durch folgende Befunde belegt:
- (1) Beim Aufbringen von besonders reinem Wasser auf die Oberfläche von derartigen Schichten kommt es nicht zur Fleckenbildung (im Fall von optischen Gläsern verursacht auch besonders reines Wasser Flecken);
- (2) bei Betrachtung des Bereichs der Schichtoberfläche, in dem Wasserflecken auftreten, mit einem transmittierenden Elektronenmikroskop (TEM) lassen sich Niederschläge auf der Oberfläche feststellen; und
- (3) als Hauptelement dieser Niederschläge läßt sich Si nachweisen.
Aufgabe der Erfindung ist es, die Schwierigkeiten des
Stands der Technik zu überwinden und verbesserte Massen
Massen zur Behandlung anorganischer Überzüge
bereitzustellen, mit denen es gelingt, die Schwierigkeiten
mit Wasserflecken zu vermeiden.
Gegenstand der Erfindung sind Massen zur Behandlung
anorganischer Überzüge, die dadurch gekennzeichnet
sind, dass sie ein Material umfassen, das nach Umsetzung
oder Adsorption an der zu beschichtenden Oberfläche
eine Wasserabstossende Wirkung erzeugt.
Wie vorstehend erläutert, besteht die Ursache für Wasserflecken
auf der Oberfläche von anorganischen Schichten darin,
dass im Wassertropfen enthaltene Elemente beim Verdampfen
des Tropfens auf der Oberfläche verbleiben und
sich dort abscheiden. Als Hauptbestandteile für derartige
Verdampfungsrückstände kommen vorwiegend Si-Verbindungen
in Frage, die eine starke Affinität für anorganische
Schichten, wie SiO2, aufweisen. Diese Rückstände haften
fest auf der Oberfläche der Schichten. Um somit das Auftreten
von Wasserflecken zu vermeiden, ist es erforderlich,
die Oberflächenbeschaffenheit der anorganischen Überzugsschicht
so zu verbessern, dass die Haftung zwischen der
Schichtoberfläche und dem Verdampfungsrückstand vermindert
wird.
Umfangreiche Untersuchungen im Rahmen der vorliegenden
Erfindung haben ergeben, dass durch eine wasserabstossende
Ausrüstung der Schichtoberfläche die Festigkeit der Haftung
zwischen dem Verdampfungsrückstand und der Oberfläche
der anorganischen Überzugsschicht verringert wird und dass
eventuell auf der Oberfläche verbleibende Rückstände
leicht mit einem Tuch oder dergl. abgewischt werden können.
Ferner hat es sich herausgestellt, dass durch die wasserabstossende
Ausrüstung der Oberfläche die Neigung zum Verbleib
von Wassertropfen stark verringert wird, was das
Auftreten von Wasserflecken auf den Schichten vermindert.
Für einen zufriedenstellenden Wasserabstossungsgrad beträgt
der Kontaktwinkel zwischen reinem Wasser und der Schichtoberfläche
vorzugsweise 70° oder mehr.
Vor Durchführung der Behandlung der anorganischen Überzugsschicht
ist Sorge dafür zu tragen, dass die Eigenschaften,
wie Haftung und Dauerhaftigkeit, von bereits auf
der Unterlage bestehenden Schichten nicht beeinträchtigt
werden. Insbesondere bei der Behandlung von anorganischen
Überzugsschichten auf Kunstharzunterlagen kann es bei
hohen Behandlungstemperaturen dazu kommen, dass die anorganische
Überzugsschicht reisst und das Aussehen und die
Dauerhaftigkeit des Überzugs erheblich beeinträchtigt
werden. Demgemäß ist es erforderlich, dass die Behandlungsschicht
dünn genug ist, um eine Beeinträchtigung der
vor der Behandlung vorliegenden Eigenschaften, wie Haftfähigkeit,
Dauerhaftigkeit und Aussehen, sowie spektrale
Eigenschaften von Antireflexionsschichten,
zu vermeiden. Die Behandlung ist in einem solchen
Temperaturbereich und unter solchen Bedingungen durchzuführen,
dass diese Eigenschaften nicht beeinträchtigt
werden.
Als Materialien, die erfindungsgemäss auf der Oberfläche
von anorganischen Überzugsschichten umgesetzt oder an diesen
adsorbiert werden, kommen Materialien in Frage, die
einen breiten Temperaturbereich von Raumtemperatur bis zu
hohen Temperaturen aufweisen und den vorstehenden Anforderungen
genügen.
Nachstehend sind Beispiele für derartige Verbindungen aufgeführt:
(1) Halogensilanverbindungen:
Trimethylchlorsilan, Dimethyldichlorsilan, Methyltrichlorsilan, Chlormethyltrichlorsilan, Methyldichlorsilan, 1,2- Dibromäthyltrichlorsilan, Vinyltrichlorsilan, 1,2-Dichloräthyltrichlorsilan, 1-Chloräthyltrichlorsilan, 2-Chloräthyltrichlorsilan, Chlormethylmethyldichlorsilan, Äthyltrichlorsilan, Äthyldichlorsilan, Dimethylchlorsilan, 3,3,3-Trifluorpropyltrichlorsilan, 2-Cyanoäthyltrichlorsilan, Allyltrichlorsilan, 3-Brompropyltrichlorsilan, Methylvinyldichlorsilan, 3-Chlorpropyltrichlorsilan, Dichlormethyldimethylchlorsilan, n-Propyltrichlorsilan, Chlormethyldimethylchlorsilan, Äthylmethyldichlorsilan, Äthoxymethyldichlorsilan, Dimethoxymethylchlorsilan, Divinyldichlorsilan, 3-Cyanopropyltrichlorsilan, Methyl-3,3,3-trifluorpropyldichlorsilan, Allylmethyldichlorsilan, Dimethylvinylchlorsilan, n-Butyltrichlorsilan. 3-Chlorpropylmethyldichlorsilan, Isobutyltrichlorsilan, Methylpropyldichlorsilan, Diäthoxydichlorsilan, 3-Cyanopropylmethyldichlorsilan, Allyldimethylchlorsilan, Phenyltrichlorsilan, 3-Chlorpropyldimethylchlorsilan, Butylmethyldichlorsilan, Dimethylpropylchlorsilan, Dimethylisopropylchlorsilan, 3,3,4- 4,5,5,6,6,6-Nonafluorhexyltrichlorsilan, 4-Chlorphenyltrichlorsilan, Phenyltrichlorsilan, Phenoxytrichlorsilan, Phenyldichlorsilan, Diallyldichlorsilan, Cyclohexyltrichlorsilan, 3-Cycanopropyldimethylchlorsilan, Hexyltrichlorsilan, Methylpentyldichlorsilan, tert.-Butyldimethylchlorsilan, Triäthylchlorsilan, 3,3,4,4,5,5,6,6,6-Nonafluorhexylmethyldichlorsilan, Benzyltrichlorsilan, p-Tolyltrichlorsilan, Methylphenyldichlorsilan, Methylphenylchlorsilan, 6-Trichlorsilyl-2-norbornan, 2-Trichlorsilylnorbornan, Cyclohexylmethyldichlorsilan, Heptyltrichlorsilan, Hexylmethyldichlorsilan, Phenylvinyldichlorsilan, β-Phenäthyltrichlorsilan, Dimethylphenylchlorsilan, 2-(4-Cyclohexenyläthyl)- trichlorsilan, 2-Methyldichlorsilylnorbornan, 3-Methacryloxypropylmethyldichlorsilan, Octyltrichlorsilan, Heptylmethyldichlorsilan, Dibutyldichlorsilan, Allylphenyldichlorsilan, Chlormethylphenyläthyltrichlorsilan, Methylphenylvinylchlorsilan, 3-Chlorpropylphenyldichlorsilan, 2-Phenylpropyltrichlorsilan, Methyl-β-phenethyldichlorsilan, Benzyldimethylchlorsilan, Nonyltrichlorsilan, Methyloctyldichlorsilan, Tripropylchlorsilan, tert.-Butylphenyldichlorsilan, Decyltrichlorsilan, Dimethyloctylchlorsilan, Decylmethyldichlorsilan, Diphenyldichlorsilan, Diphenyldifluorsilan, Diphenylchlorsilan, Dodecyltrichlorsilan, Dihexyldichlorsilan, Tributylchlorsilan, Diphenylmethylchlorsilan, Dodecylmethyldichlorsilan, Diphenylvinylchlorsilan, Tetradecyltrichlorsilan, Triphenylchlorsilan, Trihexylchlorsilan, Methyloctadecyldichlorsilan, Eicosyltrichlorsilan, Dimethyloctadecylchlorsilan, Tribenzylchlorsilan, Docosyltrichlorsilan, Docosylmethyldichlorsilan, 1,2-Bis-(trichlorsilyl)-äthan, 1,2-Bis-(methyldichlorsilyl)- äthan, 1,1,3,3-Tetramethyl-1,3-dichlorsiloxan, 1,2-Bis-(dimethylchlorsilyl)-äthan, 1,4-Bis-(dimethylchlorsilyl)- benzol, 1,3-Dichlortetraisopropyldisiloxan, 1,1,3,3,5,5-Hexamethyl-1,5-dichlortrisiloxan und 1,2- Dichloroctamethyltetrasiloxan.
Trimethylchlorsilan, Dimethyldichlorsilan, Methyltrichlorsilan, Chlormethyltrichlorsilan, Methyldichlorsilan, 1,2- Dibromäthyltrichlorsilan, Vinyltrichlorsilan, 1,2-Dichloräthyltrichlorsilan, 1-Chloräthyltrichlorsilan, 2-Chloräthyltrichlorsilan, Chlormethylmethyldichlorsilan, Äthyltrichlorsilan, Äthyldichlorsilan, Dimethylchlorsilan, 3,3,3-Trifluorpropyltrichlorsilan, 2-Cyanoäthyltrichlorsilan, Allyltrichlorsilan, 3-Brompropyltrichlorsilan, Methylvinyldichlorsilan, 3-Chlorpropyltrichlorsilan, Dichlormethyldimethylchlorsilan, n-Propyltrichlorsilan, Chlormethyldimethylchlorsilan, Äthylmethyldichlorsilan, Äthoxymethyldichlorsilan, Dimethoxymethylchlorsilan, Divinyldichlorsilan, 3-Cyanopropyltrichlorsilan, Methyl-3,3,3-trifluorpropyldichlorsilan, Allylmethyldichlorsilan, Dimethylvinylchlorsilan, n-Butyltrichlorsilan. 3-Chlorpropylmethyldichlorsilan, Isobutyltrichlorsilan, Methylpropyldichlorsilan, Diäthoxydichlorsilan, 3-Cyanopropylmethyldichlorsilan, Allyldimethylchlorsilan, Phenyltrichlorsilan, 3-Chlorpropyldimethylchlorsilan, Butylmethyldichlorsilan, Dimethylpropylchlorsilan, Dimethylisopropylchlorsilan, 3,3,4- 4,5,5,6,6,6-Nonafluorhexyltrichlorsilan, 4-Chlorphenyltrichlorsilan, Phenyltrichlorsilan, Phenoxytrichlorsilan, Phenyldichlorsilan, Diallyldichlorsilan, Cyclohexyltrichlorsilan, 3-Cycanopropyldimethylchlorsilan, Hexyltrichlorsilan, Methylpentyldichlorsilan, tert.-Butyldimethylchlorsilan, Triäthylchlorsilan, 3,3,4,4,5,5,6,6,6-Nonafluorhexylmethyldichlorsilan, Benzyltrichlorsilan, p-Tolyltrichlorsilan, Methylphenyldichlorsilan, Methylphenylchlorsilan, 6-Trichlorsilyl-2-norbornan, 2-Trichlorsilylnorbornan, Cyclohexylmethyldichlorsilan, Heptyltrichlorsilan, Hexylmethyldichlorsilan, Phenylvinyldichlorsilan, β-Phenäthyltrichlorsilan, Dimethylphenylchlorsilan, 2-(4-Cyclohexenyläthyl)- trichlorsilan, 2-Methyldichlorsilylnorbornan, 3-Methacryloxypropylmethyldichlorsilan, Octyltrichlorsilan, Heptylmethyldichlorsilan, Dibutyldichlorsilan, Allylphenyldichlorsilan, Chlormethylphenyläthyltrichlorsilan, Methylphenylvinylchlorsilan, 3-Chlorpropylphenyldichlorsilan, 2-Phenylpropyltrichlorsilan, Methyl-β-phenethyldichlorsilan, Benzyldimethylchlorsilan, Nonyltrichlorsilan, Methyloctyldichlorsilan, Tripropylchlorsilan, tert.-Butylphenyldichlorsilan, Decyltrichlorsilan, Dimethyloctylchlorsilan, Decylmethyldichlorsilan, Diphenyldichlorsilan, Diphenyldifluorsilan, Diphenylchlorsilan, Dodecyltrichlorsilan, Dihexyldichlorsilan, Tributylchlorsilan, Diphenylmethylchlorsilan, Dodecylmethyldichlorsilan, Diphenylvinylchlorsilan, Tetradecyltrichlorsilan, Triphenylchlorsilan, Trihexylchlorsilan, Methyloctadecyldichlorsilan, Eicosyltrichlorsilan, Dimethyloctadecylchlorsilan, Tribenzylchlorsilan, Docosyltrichlorsilan, Docosylmethyldichlorsilan, 1,2-Bis-(trichlorsilyl)-äthan, 1,2-Bis-(methyldichlorsilyl)- äthan, 1,1,3,3-Tetramethyl-1,3-dichlorsiloxan, 1,2-Bis-(dimethylchlorsilyl)-äthan, 1,4-Bis-(dimethylchlorsilyl)- benzol, 1,3-Dichlortetraisopropyldisiloxan, 1,1,3,3,5,5-Hexamethyl-1,5-dichlortrisiloxan und 1,2- Dichloroctamethyltetrasiloxan.
Die Erfindung ist selbstverständilich nicht auf die vorstehend
aufgeführten Verbindungen beschränkt, vielmehr
können beliebige Verbindungen mit der Gruppierung Si-X (X
bedeutet Halogen) erfindungsgemäss eingesetzt werden.
(2) Silanverbindungen mit wenigstens einer der Strukturen Si-H, Si-OH,
Si-OR, Si-SH und Si-SR (R bedeutet einen organischen Rest):
Trimethylsilanol, Dimethoxymethylsilan, Trimethoxysilan, Chlormethylmethoxydimethylsilan, Chlormethyltrimethoxysilan, Diäthylsilan, Dimethyläthoxysilan, Methoxytrimethylsilan, Dimethoxydimethylsilan, Diäthoxysilan, Methyltrimethoxysilan, Mercaptomethyltrimethoxysilan, Tetramethoxysilan, Methylthiotrimethylsilan, Dimethyldimethylaminosilan, Trifluoracetoxytrimethylsilan, Diacetoxymethylsilan, Allyldimethylsilan, 3-Chloräthoxychlormethyldimethylsilan, Bis-(2-chloräthoxy)-methylsilan, Trimethylvinyloxysilan, Methoxydimethylvinylsilan, Acetoxymethylsilan, 2-Chloräthoxymethylsilan, Chlormethyldimethyläthoxysilan, Diäthylmethylsilan, Äthoxytrimethylsilan, Diäthoxymethylsilan, Äthyltrimethoxysilan, Bis-(dimethylamino)- methylsilan, Phenylsilan, 2-Propinyloxytrimethylsilan, Dimethyläthoxyäthinylsilan, Diacetoxydimethylsilan, Allyloxychlormethylsilan, Tris-(2-chloräthoxy)-silan, Dimethoxymethyl- 3,3,3-trifluorpropylsilan, 3,3,3-Trifluorpropyltrimethoxysilan, 2-Cyanoäthyltrimethoxysilan, Allyltrimethylsilan, 1-Chlormethyl-2-chloräthoxytrimethylsilan, Allyloxytrimethylsilan, Äthoxymethylvinylsilan, Isopropenoxytrimethylsilan, 1-Chlormethyläthoxytrimethylsilan, 3-Chlorpropoxytrimethylsilan, 3-Chlorpropyldimethoxymethylsilan, Chlormethyldiäthoxymethylsilan, 3-Chlorpropyltrimethoxysilan, Dimethylketoximtrimethylsilan, Triäthylsilan, Butyldimethylsilan, Trimethylisopropoxysilan, Triäthylsilanol, Diäthoxymethylsilan, Dimethoxy-3-mercaptopropylmethylsilan, Triäthoxysilan, 3-Mercaptopropyltrimethoxysilan, Diäthylaminodimethylsilan, 3-Aminopropyltrimethoxysilan, 2-Aminoäthylaminomethyltrimethoxysilan, Tris- (dimethylamino)-silan, Methylphenylsilan, Diacetoxymethylvinylsilan, Methyltriacetoxysilan, Allyloxydimethylvinylsilan, 1-Chlormethyläthoxydimethylvinylsilan, Dimethylketoximdimethylvinylsilan, Methylsilaran, Diäthoxymethylvinylsilan, Chlormethyltriäthoxysilan, Äthylmethylketoximtrimethylsilan, Dimethoxyäthylmethylketoximmethylsilan, tert.-Butoxytrimethylsilan, 1-Methylpropoxytrimethylsilan, Butoxytrimethylsilan, Butyltrimethoxysilan, Methyltriäthoxysilan, Diäthylaminoxytrimethylsilan, 3-Aminopropyldimethyläthoxysilan, Methyltris-(2-aminoäthoxy)-silan, Dimethylphenylsilan, Triacetoxyvinylsilan, Tetraacetoxysilan, Furfuryloxytrimethylsilan, Äthyltriacetoxysilan, 3-Trifluoracetoxypropyltrimethoxysilan, Äthinyldimethyl-2-nitrobutoxysilan, 1,1-Dimethylpropinyloxytrimethylsilan, Diäthoxydivinylsilan, Dimethyläthylmethylketoximvinylsilan, Dimethyl- 2-nitrobutoxyvinylsilan, Dimethylisobutoxyvinylsilan, Acetoxytriäthylsilan, Tetrahydrofurfuryloxytrimethylsilan, Triäthoxyvinylsilan, Octylsilan, Allyloxy-2- aminoäthylaminomethyldimethylsilan, Trimethylpentyloxysilan, Isopentyloxytrimethylsilan, Diäthoxydiäthylsilan, Dimethyldipropoxysilan, Äthyltriäthoxysilan, Tetraäthoxysilan, 3-Aminopropyldiäthoxymethylsilan, 3-(2-Aminoäthylaminopropyl)- dimethoxymethylsilan, 3-(2-Aminoäthylaminopropyl)- trimethoxysilan, 2,4,5-Trichlorphenoxytrimethylsilan, Methylphenylvinylsilan, Chlormethyldimethyl-m-nitrophenylsilan, Chlormethyldimethyl-p-nitrophenylsilan, 2,4- Dichlorphenoxytrimethylsilan, 4-Bromphenoxytrimethylsilan, Chlormethyldimethylphenoxysilan, 2-Chlorphenoxytrimethylsilan, 2-Chlorphenoxytrimethoxysilan, 4-Chlorphenyltrimethoxysilan, 4-Chlorphenoxytrimethylsilan, Phenoxytrimethylsilan, 3-Hydroxyphenoxytrimethylsilan, Dimethoxymethylphenylsilan, Dimethylfurfurylvinylsilan, 2-Hydroxyphenoxytrimethylsilan, Phenyltrimethoxysilan, 1-Cyclohexenyloxytrimethylsilan, Chlormethylcyclohexyloxydimethylsilan, 2-Cyanoäthyltriäthoxysilan, Cyclohexyloxytrimethylsilan, Dimethylisopentyloxyvinylsilan, Allyltriäthoxysilan, 3-Allylthiopropyltrimethoxysilan, 3-Glycidoxypropyltrimethoxysilan, 3-Brompropyltriäthoxysilan, Chlormethyldimethyl- 2-[(2-äthoxyäthoxy)-äthoxy]-silan, 3-Chlorpropyltriäthoxysilan, 3-Allylaminopropyltrimethoxysilan, Diäthoxyäthylmethylketoximmethylsilan, Triproplysilan, Hexyloxytrimethylsilan, 2-(2-Äthoxyäthoxy)-äthoxytrimethylsilan, Propyltriäthoxysilan, Hexyltrimethoxysilan, 2-(2-Aminomethylthioäthyl)- diäthoxymethylsilan, 3-Aminopropyltriäthoxysilan, O,O′-Diäthyl-S-(2-trimethylsilyläthyl)-dithiophosphat, 2,4-Dichlorphenoxyäthinyldimethylsilan, Trimethylsilylbenzoat, Benzyloxychlormethyldimethylsilan, 4-Aminophenoxydimethylvinylsilan, Dimethyläthoxyphenylsilan, Benzyloxytrimethylsilan, Methyltrisisopropoxysilan, 3-Methacryloxypropyldimethyloxymethylsilan, 3-Methacryloxypropyltrimethoxysilan, 3-(3-Cyanopropylthiopropyl)-dimethoxymethylsilan, Bis-(äthylmethylketoxim)-methoxymethylsilan, Dimethyläthoxy- 3-glycidoxypropylsilan, Dimethyl-2-[(2-äthoxyäthoxy)- äthoxy]-vinylsilan, Dimethoxymethyl-2-piperidino- äthylsilan, 3-Morpholinopropyltrimethoxysilan, Dimethoxymethyl- 3-piperazinopropylsilan, N-(3-Triäthoxysilylpropyl)- harnstoff, Methoxytripropylsilan, Dibutoxydimethylsilan, Methyltripropoxysilan, Methyltriisopropoxysilan, Dimethoxy-3-(2-äthoxyäthylthiopropyl)-methylsilan, Methyltris- (2-methoxyäthoxy)-silan, 3-Dimethylaminopropyldiäthoxymethylsilan, 2-(2-Aminoäthylthioäthyl)-triäthoxysilan, 3-[2-(2-Aminoäthylaminoäthylamino)-propyl]-trimethoxysilan, Dimethyläthinyl-2-nitro-4-methylphenoxysilan, Diacetoxymethylphenylsilan, Dimethyl-3-methyl-4-chlorphenoxyvinylsilan, Dimethyl-2-methyl-4-chlorphenoxyvinylsilan, Chlormethyldimethyl-2-phenyläthoxysilan, Benzyldimethyläthoxysilan, Diäthoxymethylphenylsilan, Tris-(1-methylvinyloxy)- vinylsilan, 2-(3,4-Epoxycyclohexyläthyl)-trimethoxysilan, Dimethyl-2-piperidinoäthoxyvinylsilan, Bis-(äthylmethylketoxim)-äthoxymethylsilan, Trisisopropoxyvinylsilan, Diäthoxy-3-glycidoxypropylmethylsilan, 3-(3- Acetoxypropylthio)-propyldimethoxymethylsilan, Tris-(2- methoxyäthoxy)-vinylsilan, Dimethoxymethyl-3-piperidinopropylsilan, Dipropoxyäthylmethylketoximmethylsilan, Diisopropoxyäthylmethylketoximmethylsilan, 3-Piperidinopropyltrimethoxysilan, 2-Äthylhexyloxymethylsilan, Octyloxytrimethylsilan, Pentyltriäthoxysilan, Diäthyl-2-(2- trimethylsilyläthylthioäthyl)-phosphat, Diphenylsilandiol, Phenylsilatran, 4-Chlorphenyltriäthoxysilan, Phenyltriäthoxysilan, Tetraallyloxysilan, 3-Phenylaminopropyltrimethoxysilan, 2-Aminoäthylaminomethylbenzyloxydimethylsilan, N-(3-Diäthoxymethylsilylpropyl)-succinimid, Bis- (äthylmethylketoxim)-methylpropoxysilan, Bis-(äthylmethylketoxim)- methylisopropoxysilan, Bis-(äthylketoxim)-2- methoxymethylsilan, Dimethoxymethyl-3-(4-methylpiperidinopropyl)- silan, 3-(2-Methylpiperidinopropyl)-trimethoxysilan, 3-Cyclohexylaminopropyltrimethoxysilan, Tetrapropoxysilan, Tetraisopropoxysilan, Tetrakis-(2-methoxyäthoxy)-silan, O,O′-Diäthyl-S-(2-triäthoxysilyläthyl)-dithiophosphat, Diphenylmethylsilan, Triäthylsilylbenzoat, Benzyltriäthoxysilan, 6-Triäthoxysilyl-2-norbornan, Diäthoxy-2-piperidinoäthoxyvinylsilan, 3-Benzylaminopropyltrimethoxysilan, Methyltris-(äthylketoxim)-silan, Bis-(äthylmethylketoxim)- butoxymethylsilan, Dibutoxymethyläthylmethylketoximsilan, Methyltris-(N,N-diäthylaminoxy)-silan, Dimethoxydiphenylsilan, Benzyliden-3-äthoxydimethylsilylpropylamin, Octyltriäthoxysilan, Diphenyläthoxymethylsilan, Dimethoxyphenyl- 2-piperdidinoäthoxysilan, Phenyltris-(2-methoxyäthoxy)- silan, 3-(Vinylbenzylaminopropyl)-trimethoxysilan, Dodecyloxytrimethylsilan, Triphenyloxysilan, Diacetoxydiphenylsilan, Diphenyläthoxyvinylsilan, Diäthoxydiphenylsilan, N-(3- Triäthoxysilylpropyl)-p-nitrobenzamid, Tetrabutoxysilan, Bis-(1,1-dimethyl-2-propinyloxy)-methylphenylsilan, Diäthoxydodecylmethylsilan, Triphenylsilan, Triphenylsilanol, 3-(Vinylbenzylaminopropyl)-triäthoxysilan, Trihexylsilan, Dodecyltriäthoxysilan, Acetoxyphenyltrisilan, Äthoxytriphenylsilan, Diphenylmethyl-2-piperidinoäthoxysilan, Diphenylmethoxy-2-piperidinoäthoxysilan, Diäthoxymethyloctadecylsilan, Tetraphenoxysilan, Octadecyltriäthoxysilan, Tetrakis-(2-äthylbutoxy)-silan, Dimethyloctadecyl-3- trimethoxysilylpropylammoniumchlorid, Tetrakis-(2-äthylhexyloxy)- silan, 1,1,3,3-Tetramethyldisiloxan, Pentamethyldisiloxan, 1,3-Dimethoxymethyldisiloxan, N,O-Bis-(trimethylsilyl)- trifluoracetoamid, N,O-Bis-(trimethylsilyl)-acetoamin, 1,3-Diäthoxytetramethyldisiloxan, Bis-(trimethylsilyl)-6- azauracil, 1,4-Bis-(dimethylsilyl)-benzol, 1,4-(Hydroxydimethylsilyl)- benzol, Bis-(trimethylsilyl)-uracil, Bis- (trimethylsilyl)-cytosin, O,O′-Bis-(trimethylsilyl-diacetyldioxim, N,O-Bis-(trimethylsilyl)-hypoxanthin, O,O′- Bis-(trimethylsilyl)-tymin, 4-Trimethylsiloxyphenyltrimethylsilan, 1,2- oder 1,3- oder 1,4-Bis-(trimethylsiloxy)- benzol, Bis-(trimethylsilyl)-adipat, Trimethylsilyl-2- trimethylsilylthiobenzoat, 1,1,3,3,5,5-Hexamethyltrisiloxan, 1,1,1,3,5,5,5-Heptamethyltrisiloxan, Octamethyltrisiloxan, 3-Äthoxyheptamethyltrisiloxan, Octamethyltrisiloxan, 3-Äthoxyheptamethyltrisiloxan, 1,3,5,7-Tetramethylcyclotetrasiloxan, 1,1,1,3,5,7,7,7-Octamethyltetrasiloxan, Tris- (trimethylsiloxy)-silan, 1,7-Diacetoxyoctamethyltetrasiloxan, 1,3,5,7-Tetraäthoxy-1,3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxan, 1,3,5,7-Tetramethyl-1,3,5,7-tetrapropoxy-cyclotetrasiloxan, 1,3,5,7-Tetraisopropoxy-1,3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxan, 2-Piperidinoäthoxytris-(trimethylsiloxy)-silan, 1,3-Bis-(3-trimethylsiloxypropyl)-1,1,3,3-tetramethyldisiloxan, 1,3,5,7-Tetrabutoxy-1,3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxan, Tetrakis-(dimethylvinylsiloxymethyl)-methan, 1,3,5,7,9-Pentamethylcyclopentasiloxan, 1,3,5,7,9-Pentamethoxy- 1,3,5,7,9-pentamethylcyclopentasiloxan und 1,3,5,7,9-Pentaisobutoxy-1,3,5,7,9-pentamethylcyclopentasiloxan.
Trimethylsilanol, Dimethoxymethylsilan, Trimethoxysilan, Chlormethylmethoxydimethylsilan, Chlormethyltrimethoxysilan, Diäthylsilan, Dimethyläthoxysilan, Methoxytrimethylsilan, Dimethoxydimethylsilan, Diäthoxysilan, Methyltrimethoxysilan, Mercaptomethyltrimethoxysilan, Tetramethoxysilan, Methylthiotrimethylsilan, Dimethyldimethylaminosilan, Trifluoracetoxytrimethylsilan, Diacetoxymethylsilan, Allyldimethylsilan, 3-Chloräthoxychlormethyldimethylsilan, Bis-(2-chloräthoxy)-methylsilan, Trimethylvinyloxysilan, Methoxydimethylvinylsilan, Acetoxymethylsilan, 2-Chloräthoxymethylsilan, Chlormethyldimethyläthoxysilan, Diäthylmethylsilan, Äthoxytrimethylsilan, Diäthoxymethylsilan, Äthyltrimethoxysilan, Bis-(dimethylamino)- methylsilan, Phenylsilan, 2-Propinyloxytrimethylsilan, Dimethyläthoxyäthinylsilan, Diacetoxydimethylsilan, Allyloxychlormethylsilan, Tris-(2-chloräthoxy)-silan, Dimethoxymethyl- 3,3,3-trifluorpropylsilan, 3,3,3-Trifluorpropyltrimethoxysilan, 2-Cyanoäthyltrimethoxysilan, Allyltrimethylsilan, 1-Chlormethyl-2-chloräthoxytrimethylsilan, Allyloxytrimethylsilan, Äthoxymethylvinylsilan, Isopropenoxytrimethylsilan, 1-Chlormethyläthoxytrimethylsilan, 3-Chlorpropoxytrimethylsilan, 3-Chlorpropyldimethoxymethylsilan, Chlormethyldiäthoxymethylsilan, 3-Chlorpropyltrimethoxysilan, Dimethylketoximtrimethylsilan, Triäthylsilan, Butyldimethylsilan, Trimethylisopropoxysilan, Triäthylsilanol, Diäthoxymethylsilan, Dimethoxy-3-mercaptopropylmethylsilan, Triäthoxysilan, 3-Mercaptopropyltrimethoxysilan, Diäthylaminodimethylsilan, 3-Aminopropyltrimethoxysilan, 2-Aminoäthylaminomethyltrimethoxysilan, Tris- (dimethylamino)-silan, Methylphenylsilan, Diacetoxymethylvinylsilan, Methyltriacetoxysilan, Allyloxydimethylvinylsilan, 1-Chlormethyläthoxydimethylvinylsilan, Dimethylketoximdimethylvinylsilan, Methylsilaran, Diäthoxymethylvinylsilan, Chlormethyltriäthoxysilan, Äthylmethylketoximtrimethylsilan, Dimethoxyäthylmethylketoximmethylsilan, tert.-Butoxytrimethylsilan, 1-Methylpropoxytrimethylsilan, Butoxytrimethylsilan, Butyltrimethoxysilan, Methyltriäthoxysilan, Diäthylaminoxytrimethylsilan, 3-Aminopropyldimethyläthoxysilan, Methyltris-(2-aminoäthoxy)-silan, Dimethylphenylsilan, Triacetoxyvinylsilan, Tetraacetoxysilan, Furfuryloxytrimethylsilan, Äthyltriacetoxysilan, 3-Trifluoracetoxypropyltrimethoxysilan, Äthinyldimethyl-2-nitrobutoxysilan, 1,1-Dimethylpropinyloxytrimethylsilan, Diäthoxydivinylsilan, Dimethyläthylmethylketoximvinylsilan, Dimethyl- 2-nitrobutoxyvinylsilan, Dimethylisobutoxyvinylsilan, Acetoxytriäthylsilan, Tetrahydrofurfuryloxytrimethylsilan, Triäthoxyvinylsilan, Octylsilan, Allyloxy-2- aminoäthylaminomethyldimethylsilan, Trimethylpentyloxysilan, Isopentyloxytrimethylsilan, Diäthoxydiäthylsilan, Dimethyldipropoxysilan, Äthyltriäthoxysilan, Tetraäthoxysilan, 3-Aminopropyldiäthoxymethylsilan, 3-(2-Aminoäthylaminopropyl)- dimethoxymethylsilan, 3-(2-Aminoäthylaminopropyl)- trimethoxysilan, 2,4,5-Trichlorphenoxytrimethylsilan, Methylphenylvinylsilan, Chlormethyldimethyl-m-nitrophenylsilan, Chlormethyldimethyl-p-nitrophenylsilan, 2,4- Dichlorphenoxytrimethylsilan, 4-Bromphenoxytrimethylsilan, Chlormethyldimethylphenoxysilan, 2-Chlorphenoxytrimethylsilan, 2-Chlorphenoxytrimethoxysilan, 4-Chlorphenyltrimethoxysilan, 4-Chlorphenoxytrimethylsilan, Phenoxytrimethylsilan, 3-Hydroxyphenoxytrimethylsilan, Dimethoxymethylphenylsilan, Dimethylfurfurylvinylsilan, 2-Hydroxyphenoxytrimethylsilan, Phenyltrimethoxysilan, 1-Cyclohexenyloxytrimethylsilan, Chlormethylcyclohexyloxydimethylsilan, 2-Cyanoäthyltriäthoxysilan, Cyclohexyloxytrimethylsilan, Dimethylisopentyloxyvinylsilan, Allyltriäthoxysilan, 3-Allylthiopropyltrimethoxysilan, 3-Glycidoxypropyltrimethoxysilan, 3-Brompropyltriäthoxysilan, Chlormethyldimethyl- 2-[(2-äthoxyäthoxy)-äthoxy]-silan, 3-Chlorpropyltriäthoxysilan, 3-Allylaminopropyltrimethoxysilan, Diäthoxyäthylmethylketoximmethylsilan, Triproplysilan, Hexyloxytrimethylsilan, 2-(2-Äthoxyäthoxy)-äthoxytrimethylsilan, Propyltriäthoxysilan, Hexyltrimethoxysilan, 2-(2-Aminomethylthioäthyl)- diäthoxymethylsilan, 3-Aminopropyltriäthoxysilan, O,O′-Diäthyl-S-(2-trimethylsilyläthyl)-dithiophosphat, 2,4-Dichlorphenoxyäthinyldimethylsilan, Trimethylsilylbenzoat, Benzyloxychlormethyldimethylsilan, 4-Aminophenoxydimethylvinylsilan, Dimethyläthoxyphenylsilan, Benzyloxytrimethylsilan, Methyltrisisopropoxysilan, 3-Methacryloxypropyldimethyloxymethylsilan, 3-Methacryloxypropyltrimethoxysilan, 3-(3-Cyanopropylthiopropyl)-dimethoxymethylsilan, Bis-(äthylmethylketoxim)-methoxymethylsilan, Dimethyläthoxy- 3-glycidoxypropylsilan, Dimethyl-2-[(2-äthoxyäthoxy)- äthoxy]-vinylsilan, Dimethoxymethyl-2-piperidino- äthylsilan, 3-Morpholinopropyltrimethoxysilan, Dimethoxymethyl- 3-piperazinopropylsilan, N-(3-Triäthoxysilylpropyl)- harnstoff, Methoxytripropylsilan, Dibutoxydimethylsilan, Methyltripropoxysilan, Methyltriisopropoxysilan, Dimethoxy-3-(2-äthoxyäthylthiopropyl)-methylsilan, Methyltris- (2-methoxyäthoxy)-silan, 3-Dimethylaminopropyldiäthoxymethylsilan, 2-(2-Aminoäthylthioäthyl)-triäthoxysilan, 3-[2-(2-Aminoäthylaminoäthylamino)-propyl]-trimethoxysilan, Dimethyläthinyl-2-nitro-4-methylphenoxysilan, Diacetoxymethylphenylsilan, Dimethyl-3-methyl-4-chlorphenoxyvinylsilan, Dimethyl-2-methyl-4-chlorphenoxyvinylsilan, Chlormethyldimethyl-2-phenyläthoxysilan, Benzyldimethyläthoxysilan, Diäthoxymethylphenylsilan, Tris-(1-methylvinyloxy)- vinylsilan, 2-(3,4-Epoxycyclohexyläthyl)-trimethoxysilan, Dimethyl-2-piperidinoäthoxyvinylsilan, Bis-(äthylmethylketoxim)-äthoxymethylsilan, Trisisopropoxyvinylsilan, Diäthoxy-3-glycidoxypropylmethylsilan, 3-(3- Acetoxypropylthio)-propyldimethoxymethylsilan, Tris-(2- methoxyäthoxy)-vinylsilan, Dimethoxymethyl-3-piperidinopropylsilan, Dipropoxyäthylmethylketoximmethylsilan, Diisopropoxyäthylmethylketoximmethylsilan, 3-Piperidinopropyltrimethoxysilan, 2-Äthylhexyloxymethylsilan, Octyloxytrimethylsilan, Pentyltriäthoxysilan, Diäthyl-2-(2- trimethylsilyläthylthioäthyl)-phosphat, Diphenylsilandiol, Phenylsilatran, 4-Chlorphenyltriäthoxysilan, Phenyltriäthoxysilan, Tetraallyloxysilan, 3-Phenylaminopropyltrimethoxysilan, 2-Aminoäthylaminomethylbenzyloxydimethylsilan, N-(3-Diäthoxymethylsilylpropyl)-succinimid, Bis- (äthylmethylketoxim)-methylpropoxysilan, Bis-(äthylmethylketoxim)- methylisopropoxysilan, Bis-(äthylketoxim)-2- methoxymethylsilan, Dimethoxymethyl-3-(4-methylpiperidinopropyl)- silan, 3-(2-Methylpiperidinopropyl)-trimethoxysilan, 3-Cyclohexylaminopropyltrimethoxysilan, Tetrapropoxysilan, Tetraisopropoxysilan, Tetrakis-(2-methoxyäthoxy)-silan, O,O′-Diäthyl-S-(2-triäthoxysilyläthyl)-dithiophosphat, Diphenylmethylsilan, Triäthylsilylbenzoat, Benzyltriäthoxysilan, 6-Triäthoxysilyl-2-norbornan, Diäthoxy-2-piperidinoäthoxyvinylsilan, 3-Benzylaminopropyltrimethoxysilan, Methyltris-(äthylketoxim)-silan, Bis-(äthylmethylketoxim)- butoxymethylsilan, Dibutoxymethyläthylmethylketoximsilan, Methyltris-(N,N-diäthylaminoxy)-silan, Dimethoxydiphenylsilan, Benzyliden-3-äthoxydimethylsilylpropylamin, Octyltriäthoxysilan, Diphenyläthoxymethylsilan, Dimethoxyphenyl- 2-piperdidinoäthoxysilan, Phenyltris-(2-methoxyäthoxy)- silan, 3-(Vinylbenzylaminopropyl)-trimethoxysilan, Dodecyloxytrimethylsilan, Triphenyloxysilan, Diacetoxydiphenylsilan, Diphenyläthoxyvinylsilan, Diäthoxydiphenylsilan, N-(3- Triäthoxysilylpropyl)-p-nitrobenzamid, Tetrabutoxysilan, Bis-(1,1-dimethyl-2-propinyloxy)-methylphenylsilan, Diäthoxydodecylmethylsilan, Triphenylsilan, Triphenylsilanol, 3-(Vinylbenzylaminopropyl)-triäthoxysilan, Trihexylsilan, Dodecyltriäthoxysilan, Acetoxyphenyltrisilan, Äthoxytriphenylsilan, Diphenylmethyl-2-piperidinoäthoxysilan, Diphenylmethoxy-2-piperidinoäthoxysilan, Diäthoxymethyloctadecylsilan, Tetraphenoxysilan, Octadecyltriäthoxysilan, Tetrakis-(2-äthylbutoxy)-silan, Dimethyloctadecyl-3- trimethoxysilylpropylammoniumchlorid, Tetrakis-(2-äthylhexyloxy)- silan, 1,1,3,3-Tetramethyldisiloxan, Pentamethyldisiloxan, 1,3-Dimethoxymethyldisiloxan, N,O-Bis-(trimethylsilyl)- trifluoracetoamid, N,O-Bis-(trimethylsilyl)-acetoamin, 1,3-Diäthoxytetramethyldisiloxan, Bis-(trimethylsilyl)-6- azauracil, 1,4-Bis-(dimethylsilyl)-benzol, 1,4-(Hydroxydimethylsilyl)- benzol, Bis-(trimethylsilyl)-uracil, Bis- (trimethylsilyl)-cytosin, O,O′-Bis-(trimethylsilyl-diacetyldioxim, N,O-Bis-(trimethylsilyl)-hypoxanthin, O,O′- Bis-(trimethylsilyl)-tymin, 4-Trimethylsiloxyphenyltrimethylsilan, 1,2- oder 1,3- oder 1,4-Bis-(trimethylsiloxy)- benzol, Bis-(trimethylsilyl)-adipat, Trimethylsilyl-2- trimethylsilylthiobenzoat, 1,1,3,3,5,5-Hexamethyltrisiloxan, 1,1,1,3,5,5,5-Heptamethyltrisiloxan, Octamethyltrisiloxan, 3-Äthoxyheptamethyltrisiloxan, Octamethyltrisiloxan, 3-Äthoxyheptamethyltrisiloxan, 1,3,5,7-Tetramethylcyclotetrasiloxan, 1,1,1,3,5,7,7,7-Octamethyltetrasiloxan, Tris- (trimethylsiloxy)-silan, 1,7-Diacetoxyoctamethyltetrasiloxan, 1,3,5,7-Tetraäthoxy-1,3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxan, 1,3,5,7-Tetramethyl-1,3,5,7-tetrapropoxy-cyclotetrasiloxan, 1,3,5,7-Tetraisopropoxy-1,3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxan, 2-Piperidinoäthoxytris-(trimethylsiloxy)-silan, 1,3-Bis-(3-trimethylsiloxypropyl)-1,1,3,3-tetramethyldisiloxan, 1,3,5,7-Tetrabutoxy-1,3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxan, Tetrakis-(dimethylvinylsiloxymethyl)-methan, 1,3,5,7,9-Pentamethylcyclopentasiloxan, 1,3,5,7,9-Pentamethoxy- 1,3,5,7,9-pentamethylcyclopentasiloxan und 1,3,5,7,9-Pentaisobutoxy-1,3,5,7,9-pentamethylcyclopentasiloxan.
Selbstverständlich ist die Erfindung nicht auf die vorstehenden
Verbindungen beschränkt, vielmehr können beliebige
Verbindungen mit den Gruppierungen -SiH, -Si-OH,
-Si-SH, -Si-OR und -Si-SR erfindungsgemäss eingesetzt
werden.
(3) Silanverbindungen mit wenigstens einer der Strukturen
(R1, R2 und R3 bedeuten Wasserstoff oder organische Reste)
Dimethyldimethylaminosilan, 1-Trimethylsilyl-1,2,4-triazol, 2-Trimethylsilyl-1,2,3-triazol, N-Trimethylsilylacetoamid, Dimethylaminotrimethylsilan, Bis-(dimethylamino)-methylsilan, 1-Trimethylsilylimidazol, Allylaminotrimethylsilan, N-Methyl-N-trimethylsilylacetoamid, Diäthylaminodimethylsilan, Bis-(äthylamino)-dimethylsilan, Bis-(dimethylamino)- dimethylsilan, Tris-(dimethylamino)-silan, 1-Trimethylsilylpyrrol, 1-Trimethylsilylpyrrolydien, Bis-(dimethylamino)- methylvinylsilan, Diäthylaminotrimethylsilan, Methyltris-(dimethylamino)-silan, Piperidinotrimethylsilan, Anilinotrimethylsilan, Bis-(diäthylamino)-dimethylsilan, Bis-(butylamino)-dimethylsilan, Phenyltris-(dimethylamino)- silan, Dipiperidinomethylvinylsilan, N,N′-Diphenyl- N-trimethylsilylharnstoff, Bis-(dimethylamino)-diphenylsilan, Methyltriperidinosilan, Tetrakis-(diäthylamino)- silan, Dipiperidinomethyl-2-piperidinoäthylsilan, Methyltris- (cyclohexylamino)-silan, Dianilinodiphenylsilan, 1,1,3,3-Tetramethyldisilazan, 1,3-Bis-(chlormethyl)-1,1,3,3- tetramethyldisilazan, Hexamethyldisilazan, Heptamethyldisilazan, 1,3-Divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisilazan, Tris-(trimethylsilyl)- amin, 1,1,3,3,5,5,7,7-Octamethylcyclotetrasilazan, sowie die Verbindungen der Formeln
Dimethyldimethylaminosilan, 1-Trimethylsilyl-1,2,4-triazol, 2-Trimethylsilyl-1,2,3-triazol, N-Trimethylsilylacetoamid, Dimethylaminotrimethylsilan, Bis-(dimethylamino)-methylsilan, 1-Trimethylsilylimidazol, Allylaminotrimethylsilan, N-Methyl-N-trimethylsilylacetoamid, Diäthylaminodimethylsilan, Bis-(äthylamino)-dimethylsilan, Bis-(dimethylamino)- dimethylsilan, Tris-(dimethylamino)-silan, 1-Trimethylsilylpyrrol, 1-Trimethylsilylpyrrolydien, Bis-(dimethylamino)- methylvinylsilan, Diäthylaminotrimethylsilan, Methyltris-(dimethylamino)-silan, Piperidinotrimethylsilan, Anilinotrimethylsilan, Bis-(diäthylamino)-dimethylsilan, Bis-(butylamino)-dimethylsilan, Phenyltris-(dimethylamino)- silan, Dipiperidinomethylvinylsilan, N,N′-Diphenyl- N-trimethylsilylharnstoff, Bis-(dimethylamino)-diphenylsilan, Methyltriperidinosilan, Tetrakis-(diäthylamino)- silan, Dipiperidinomethyl-2-piperidinoäthylsilan, Methyltris- (cyclohexylamino)-silan, Dianilinodiphenylsilan, 1,1,3,3-Tetramethyldisilazan, 1,3-Bis-(chlormethyl)-1,1,3,3- tetramethyldisilazan, Hexamethyldisilazan, Heptamethyldisilazan, 1,3-Divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisilazan, Tris-(trimethylsilyl)- amin, 1,1,3,3,5,5,7,7-Octamethylcyclotetrasilazan, sowie die Verbindungen der Formeln
Selbstverständlich ist die Erfindung nicht auf die vorstehend
aufgeführten Verbindungen beschränkt, vielmehr
können beliebige Verbindungen mit den Gruppierungen -SI-N
oder Si-N-Si erfindungsgemäss eingesetzt werden.
(4) Reaktive organische Verbindungen mit fluorhaltigen
Gruppen, Fluorwasserstoff oder Metallfluoride:
Acylhalogenide der Formel: in der Rf einen partiell durch Fluor substituierten organischen Rest und X Halogen bedeutet;
Ammoniumsalze der Formel
Acylhalogenide der Formel: in der Rf einen partiell durch Fluor substituierten organischen Rest und X Halogen bedeutet;
Ammoniumsalze der Formel
RfR3N⁺Y-
in der R einen Alkylrest mit 1 bis 3 Kohlenstoffatomen bedeutet
und Y- ein Anion, beispielsweise ein Halogenion,
Sulfation oder Carboxylation bedeutet;
Isocyansäureester der Formel Rf-N=C=O und Thioisocyansäureester der Formel Rf-N=C=S, wobei Rf einen partiell durch Fluor substituierten organischen Rest bedeutet.
Isocyansäureester der Formel Rf-N=C=O und Thioisocyansäureester der Formel Rf-N=C=S, wobei Rf einen partiell durch Fluor substituierten organischen Rest bedeutet.
Typische Beispiele für Rf sind Verbindungen der Formel I,
II und III:
wobei A ein Fluor- oder Wasserstoffatom bedeutet, n eine
ganze Zahl von 1 bis 18 ist, a den Wert 1 oder 2 hat, b
den Wert 0 oder 1 hat und c eine ganze Zahl von 0 bis 2 ist;
wobei m eine ganze Zahl von 0 bis 17 ist, d eine ganze
Zahl von 0 bis 5 ist und R′ einen Alkylrest mit 1 bis 5
Kohlenstoffatomen bedeutet;
wobei l eine ganze Zahl von 0 bis 5 ist;
Metallfluoride, wie NaF, NaHF2, CaF2, AlF3, ZnF2, SbF3, SbF5, CrF2, CrF3, KF, CoF2, CoF3, MgF2, TlF, FeF2, FeF3, NiF2 und BaF2.
Metallfluoride, wie NaF, NaHF2, CaF2, AlF3, ZnF2, SbF3, SbF5, CrF2, CrF3, KF, CoF2, CoF3, MgF2, TlF, FeF2, FeF3, NiF2 und BaF2.
Erfindungsgemäss besteht keine Beschränkung auf die vorstehend
erwähnten Materialien (1) bis (4), vielmehr können
beliebige andere Materialien verwendet werden, die nach
Umsetzung oder Adsorption an der Oberfläche der Gegenstände
eine wasserabstossende Wirkung erzeugen.
Die Materialien gemäss den vorstehenden Aufzählungen (1)
bis (4) werden vermutlich auf folgende Weise an der Oberfläche
von anorganischen Überzugsschichten mit starker
Polarität umgesetzt oder adsorbiert:
- (i) Bei Vorliegen einer halogenierten Silanverbindung in Gegenwart von Hydroxylgruppen erfolgt eine Elimination von Halogenwasserstoff, insbesondere Chlorwasserstoff gemäss folgender Reaktionsgleichung. Demgemäss erweisen sich halogenierte Silanverbindungen als besonders wirksam zur Behandlung von Oberflächen, auf denen Hydroxylgruppen vorliegen. worin R eine beliebige Substituentengruppe bedeutet.
- (ii) Wird eine Silanverbindung der vorstehenden Gruppe (2) auf eine anorganische Überzugsschicht mit Hydroxylgruppen gebracht, so kommt es zur dehydratisierung, Dealkoholisierung, Dehydrogenisierung und dergl. Somit sind diese Silanverbindungen ebenfalls sehr wirksam zur Behandlung von Oberflächen, in denen Hydroxylgruppen vorliegen. Beispielsweise kommen im Bereich der Oberfläche von SiO2- Schichten folgende Reaktionen in Frage: worin R und R′ willkürliche Substituentengruppen bedeuten.
- (iii) Im Fall von Silanverbindungen der vorstehenden Gruppe (3) kommen folgende Reaktionen in Frage oder es kann zu einer starken Adsorption der stickstoffhaltigen Gruppe kommen: wobei R eine willkürliche Substituentengruppe bedeutet.
- (iv) (a) Carbonsäurehalogenid
- (b) Ammoniumsalz
- (c) Isocyansäureester und Thioisocyansäureester
- wobei Z die Bedeutung O oder S hat.
(d) Fluorwasserstoff und Metallfluorid (Die Wirkung dieser Verbindungen ist in Kombination mit konzentrierter Schwefelsäure stärker. - wobei M ein Metall bedeutet.
Ausserdem kommen erfindungsgemässe Kombinationen von vorstehend
erwähnten Materialien in Frage.
Um eine Umsetzung oder Adsorption der Silanverbindungen an
der Oberfläche der anorganischen Überzugsschicht zu bewerkstelligen,
gibt es allgemein zwei Verfahren. Ein Verfahren
besteht in einer Beschichtung mit der Verbindung durch
Tauchen, Schleuderbeschichten, Spritzen und dergl., um eine
Umsetzung oder Adsorption an der Oberfläche herbeizuführen.
Das andere Verfahren besteht darin, die Verbindung
direkt in gasförmigem Zustand unter Vakuum oder unter
atmosphärischen Bedingungen an der Oberfläche zur Reaktion
oder Adsorption zu bringen.
Beim erstgenannten Verfahren lässt sich durch Einstellung
der Umgebungsbedingungen, wie Feuchtigkeit und Temperatur,
während des Beschichtungsverfahrens die Reaktionsgeschwindigkeit
regeln. Durch Einstellen von Eintauchzeit, Lösungstemperatur
und Dichte der Silanverbindung lässt sich die
gewünschte bearbeitete Schicht erhalten. Ferner kann man
zur Beschleunigung der Umsetzung so erwärmen oder belichten,
dass die Eigenschaften der Überzugsschicht nicht beeinträchtigt
werden.
Beispielsweise wird beim letztgenannten Verfahren die anorganische
Überzugsschicht in einer Vakuumkammer gebildet
und anschliessend eine gasförmige Silanverbindung zur
Durchführung der Reaktion in die Kammer eingeführt. Eine
andere Möglichkeit besteht darin, nach Ausbildung der anorganischen
Überzugsschicht die gasförmige Silanverbindung
in die Plasmaatmosphäre, wie Argon oder Sauerstoff, einzuführen
und eine Reaktivdampfabscheidung, eine reaktive
Ionenplattierung und dergl. durchzuführen.
Um die Reaktivität der Oberfläche der organischen Überzugsschicht
mit der Silanverbindung zu erhöhen, ist gelegentlich
eine Vorbehandlung der Oberfläche, z. B. durch Waschen, chemische
Behandlung und Plasmabehandlung, wünschenswert. Die
umzusetzende Silanverbindung kann entweder einzeln oder in
Kombination von mehreren derartigen Verbindungen eingesetzt
werden. Ausserdem ist die Verwendung einer Silanverbindung
möglich, die mit einem geeigneten Lösungsmittel
verdünnt oder mit Säuren oder Basen vorbehandelt worden ist.
Nach beendeter Umsetzung wird der Anteil der Silanverbindung,
die mit dem Wasser in der Atmosphäre reagiert hat
und nicht an der Umsetzung mit der Oberfläche der Überzugsschicht
teilgenommen hat, abgewaschen, wobei die vor der
Behandlung bestehenden Antireflexionseigenschaften, das
äussere Aussehen und dergl. der Überzugsschicht erhalten
bleiben.
Zur Umsetzung von Fluorwasserstoff mit der anorganischen
Überzugsschicht stehen verschiedene Verfahren zur Verfügung.
Beispielsweise wird gasförmiger Fluorwasserstoff
direkt mit der Oberfläche unter vermindertem Druck oder
unter atmosphärischen Bedingungen umgesetzt oder die Oberfläche
wird in Fluorwasserstoffsäure oder in ein Lösungsgemisch
aus Fluorwasserstoffsäure und konzentrierter Schwefelsäure
getaucht.
Zur Umsetzung mit Metallfluoriden wird das pulverisierte
Metallfluorid zu konzentrierter Sulfatsäure gegeben, und
der die anorganische Überzugsschicht aufweisende Gegenstand
wird in die Lösung getaucht.
Da Fluorwasserstoff und Metallfluoride sehr reaktiv sind,
kann es bei der Umsetzung zu einer Erhitzung der Überzugsschicht
und somit zu einer Beeinträchtigung von deren Eigenschaften
kommen. Daher sollen bei Verwendung von Fluorwasserstoff
oder Metallfluoriden kurze Reaktionszeiten
eingehalten werden.
Die anorganische Überzugsschicht, beispielsweise eine SiO2-
Schicht weist an ihrer Oberfläche OH-Gruppen von relativ
starker Polarität auf. Die Wahrscheinlichkeit ist gross,
dass diese OH-Gruppen Verunreinigungen in den Wassertropfen
adsorbieren. Dies kann als Ursache für die Bildung von
Wasserflecken auf der Überzugsoberfläche angesehen werden.
Um das Auftreten von Wasserflecken zu verhindern, wird als
erfindungsgemässe wirksame Massnahme eine Beschichtung der
Oberfläche der anorganischen Überzugsschicht mit Gruppen,
die eine geringe Polarität oder eine wasserabstossende
Wirkung aufweisen, vorgesehen.
Nachstehend wird die Erfindung anhand von Beispielen näher
erläutert.
Eine aus Diäthylenglykol-bis-(allylcarbonat) hergestellte
Kunstharzlinse wird mit Aceton gewaschen und anschliessend
auf der Oberfläche mit einer Antireflexionsschicht bei
einer Schichtträgertemperatur von 50°C durch Abscheidung aus
der Dampfphase unterworfen. Die Beschichtung besteht - in
der angegebenen Reihenfolge von der Linsenoberfläche aus -
aus einer SiO2-Schicht von λ/4, einer ZrO-Schicht und SiO2-
Schicht von insgesamt λ/4, einer ZrO2-Schicht von λ/4 und
einer SiO2-Deckschicht von λ/4 (λ = 520 nm).
Anschliessend wird die Linse mit Isopropylalkohol gewaschen,
ausreichend getrocknet und 1 Minute in eine 98-prozentige
Lösung von Dimethyldichlorsilan von 15°C getaucht. Nach der
Tauchbehandlung wird die Linse mit einer Geschwindigkeit
von 1 cm/sec in eine Atmosphäre von 60 Prozent Luftfeuchtigkeit
und 25°C gezogen. Anschliessend wird die Linse
30 Minuten bei 60°C an der Atmosphäre belassen und mit Trichloräthylen
gewaschen. Nach dem letzten Waschvorgang wird
eine Beobachtung wahrnehmbarer Veränderungen im äusseren
Aussehen und in den Antireflexionseigenschaften durchgeführt.
Die Qualität der erhaltenen Überzugsschicht wird
folgendermassen ermittelt:
- (1) Tendenz zur Bildung von Wasserflecken: Auf die Oberfläche der Überzugsschicht wird Leitungswasser getropft. Der Rückstand wird mit einem Tuch weggewischt. Das Ergebnis wird folgendermassen bewertet: A = rückstandsfreies Abwischen, B = partielle Rückstandsbildung und C = Rückstandbildung.
- (2) Kontaktwinkel: Der Kontaktwinkel zwischen dem Wassertropfen und der Oberfläche wird mit einer Kontaktwinkel- Messvorrichtung (CA-D der Firma Kyowa Kagaku Kabushiki Kaisha) unter Anwendung des Tropfverfahrens (reines Wasser) gemessen.
Auf die Oberfläche einer Linse aus Crownglas wird Aluminiumoxid
vom Brechungsindex 1,60 in einer Dicke von 1 µm
unter Argonplasma nach dem Ionenplattierungsverfahren aufgebracht.
Die erhaltene Linse wird mit reinem Wasser gewaschen und
gründlich getrocknet. Anschliessend wird die Linse etwa
1 Minute in eine Lösung von Diäthyldichlorsilan, die mit
Methylenchlorid auf 10 Prozent verdünnt worden ist, getaucht.
Sodann wird die Linse mit einer Geschwindigkeit
von 10 cm/sec in eine Umgebung von 80 Prozent relativer
Feuchtigkeit und einer Temperatur von 25°C gezogen. Die
Linse wird mit Methylenchlorid gewaschen.
Das äussere Aussehen der Linse nach dem Waschen zeigt
keinen Unterschied zum Zustand vor dieser Behandlung.
Gemäss Beispiel 1 wird eine Antireflexionsschicht gebildet.
Die Oberfläche der SiO2-Deckschicht wird 1 Minute
mit Argongasplasma behandelt. Anschliessend wird 2 Minuten
lang Methyl-3,3,3-trifluorpropyldichlorsilan in die Vakuumkammer
mit einer Geschwindigkeit von 5 cm3/min eingeleitet.
Die Oberflächentemperatur der Linse wird dabei auf 55°C
gehalten. Sodann wird die Linse an die Atmosphäre gebracht
und mit Tetrahydrofuran gewaschen.
Nach dem Waschen lassen sich fast keine Änderungen des
äusseren Aussehens der Linse feststellen.
Gemäss Beispiel 1 wird eine Antireflexionsschicht auf der
Oberfläche der Kunstharzlinse gebildet, und die Linse
wird in eine Vakuumkammer gebracht. Ein Gasgemisch aus
Argon und Wasser wird in einem Verhältnis von 100 : 5 in
die Vakuumkammer eingeleitet, bis der Druck in der Kammer
0,1 Torr beträgt. Die Atmosphäre wird unter Einsatz eines
elektrischen Hochfrequenzfelds von 13,56 MHz in ein Plasma
verwandelt. Die Linse wird 30 Sekunden in dieser Atmosphäre
bei einer Plasmaleistung von 300 W behandelt.
Sodann wird die Linse in die Vakuumkammer gebracht und an
der Oberfläche mit 1,7-Dichloroctamethyltetrasiloxan beschichtet.
Anschließend wird die Linse mit 1,2,2-Trichlor-
1,2,2-trifluoräthan gewaschen.
Nach dem Waschen lässt sich keine Veränderung des äusseren
Aussehens der Linse feststellen.
Eine aus Diäthylenglykol-bis-(allylcarbonat) hergestellte
Linse wird mit Isopropylalkohol gewaschen und anschliessend
5 Minuten bei Raumtemperatur mit einer 5-prozentigen
wässrigen Natriumhydroxidlösung behandelt. Anschliessend
wird die vorstehend beschriebene Beschichtungslösung auf
die Linsenoberfläche nach dem Tauchverfahren aufgebracht,
wobei die Lösungstemperatur 5°C und die Entnahmegeschwindigkeit
40 cm/min beträgt. Sodann wird die Linse erwärmt
und mit einem Heisslufttrockner 30 Minuten bei 80°C und
2 Stunden bei 130°C gehärtet.
Die Beschichtungslösung wird auf folgende Weise hergestellt:
206 g Äthanol, 396 g einer Äthanoldispersion von
kolloidalem Siliciumdioxid (Oscal 1232, Produkt der Firma
Shokubai Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha, Feststoffgehalt
30 Prozent), 312 g partiell hydrolysiertes γ-Glycidoxypropyltrimethoxysilan,
0,2 g Fliesshilfsmittel (L-7604,
Produkt der Firma Nippon Unicar Kabushiki Kaisha) und
8,6 g einer 0,05 n wässrigen Essigsäurelösung werden in
einen mit einer Rührvorrichtung ausgerüsteten Reaktionsbehälter
gegeben und zur Herstellung einer Beschichtungslösung
3 Stunden bei Raumtemperatur gerührt.
Die Linsenoberfläche wird gemäss Beispiel 1 einer Antireflexionsbehandlung
unterzogen. Anschliessend wird ebenfalls
mit Dimethyldichlorsilan behandelt.
Nach dem Waschen lässt sich keine Veränderung des äusseren
Aussehens der Linse feststellen.
Gemäss Beispiel 1 stellt man eine Linse mit einer Antireflexionsbeschichtung
her, wäscht mit Isopropylalkohol
und trocknet ausreichend. Anstelle der Behandlung mit Dimethyldichlorsilan
wird die Linse 3 Minuten bei 10°C in
ein Lösungsgemisch aus 50 g Dimethyldiäthoxysilan, 450 g
Isopropylalkohol und 20 g 0,05 n Salzsäure getaucht. Nach
der Tauchbehandlung wird die Linse 15 Minuten in einer
Atmosphäre von 75 Prozent relativer Luftfeuchtigkeit und
einer Temperatur von 50°C belassen und sodann mit Aceton
gewaschen.
Nach dem Waschen lassen sich keine bemerkenswerten Änderungen
des äusseren Aussehens und der Antireflexionseigenschaften
der Linse feststellen.
Gemäss dem Verfahren von Beispiel 1 wird eine Linse hergestellt,
wobei jedoch anstelle der Behandlung mit der Silanverbindung
die Linse auf folgende Weise behandelt wird:
Die Linse wird 30 Sekunden bei 20°C in ein Lösungsgemisch
aus 100 g Diphenylsilan und 300 g Tetrahydrofuran getaucht,
1 Minute in Diäthylamindampf belassen und mit Wasser gewaschen.
Die Eigenschaften der erhaltenen Überzugsschicht werden
gemäss Beispiel 1 bestimmt.
Man verfährt wie in Beispiel 2 und stellt eine Glaslinse
her. Anstelle der Behandlung mit der Silanverbindung wird
die Glaslinse 1 Minute bei 10°C in ein Lösungsgemisch aus
10 g 1,1,3,3,5,5-Hexamethyltrisiloxan, 5 g Äthylalkohol
und 200 g N,N-Dimethylformamid getaucht und anschliessend
5 Minuten in einer Atmosphäre von 80 Prozent relativer
Luftfeuchtigkeit und einer Temperatur von 60°C belassen.
Sodann wird die Linse mit Aceton gewaschen.
Die Eigenschaften der erhaltenen Überzugsschicht werden gemäss
Beispiel 1 bestimmt.
Gemäss Beispiel 1 wird eine Linse hergestellt. Nach Bildung
der SiO2-Deckschicht wird die Oberfläche dieser
SiO2-Schicht 1 Minute mit einem Argonplasma behandelt.
Sodann wird in die Vakuumkammer 2 Minuten mit einer Geschwindigkeit
von 5 cm/min Trimethylsilanol eingeführt.
Die Oberflächentemperatur zu diesem Zeitpunkt beträgt
60°C. Sodann wird die Linse aus der Kammer an die Atmosphäre
gebracht.
Nach der Behandlung lässt sich fast keine Veränderung des
äusseren Aussehens der Linse feststellen.
Die Eigenschaften der erhaltenen Linse werden gemäss Beispiel 1
ermittelt.
Eine mit Isopropylalkohol gewaschene Acrylplatte wird
durch Tauchbeschichtung mit der nachstehend angegebenen
Überzugslösung beschichtet, wobei die Lösungstemperatur
50°C und die Entnahmegeschwindigkeit 20 cm/min betragen
Anschliessend wird die Platte erwärmt und mit einem Heisslufttrockner
5 Stunden bei 70°C gehärtet. Sodann wird sie
mit einer Entkeimungslampe (GL-10, Produkt der Firma Tokyo
Shibaura Denki Kabushiki Kaisha) 30 Sekunden bestrahlt,
wobei der Abstand zwischen Acrylplatte und Lampe 10 cm beträgt.
Die Beschichtungslösung wird auf folgende Weise hergestellt:
200 g Äthanol, 180 g einer Äthanoldispersion von kolloidalem
Siliciumdioxid (Oscal 1232, Produkt der Firma Shokubai
Kasai Kogyo Kabushiki Kaisha), 45 g γ-Methacryloxypropyltrimethoxysilan,
30 g γ-Glycidoxypropyltrimethoxysilan,
0,5 g Fliessregelungsmittel und 40 g 0,05 n Salpetersäure
werden in einen mit einer Rührvorrichtung versehenen Reaktionsbehälter
gebracht und zur Bildung der Beschichtungslösung
2 Stunden bei Raumtemperatur gerührt.
Die erhaltene Acrylplatte wird gemäss Beispiel 1 einer
Antireflexionsbehandlung unterzogen.
Sodann wird die Platte 2 Minuten bei 10°C in ein Lösungsgemisch
aus 15 g Dimethoxyäthyl-3,3,3-trifluorpropylsilan,
5 g 3,3,3-Trifluorpropyltrimethoxysilan, 240 g Methylcellosolve
und 10 g 0,05 n Salzsäure getaucht und anschliessend
10 Minuten in einer Atmosphäre von 70 Prozent
relativer Luftfeuchtigkeit und 40°C belassen. Sodann wird
die Linse mit Wasser und Aceton gewaschen.
Nach dem Waschen lassen sich keine bemerkenswerten Veränderungen
des äusseren Aussehens der Linse feststellen.
Die Eigenschaften der Linse werden gemäss Beispiel 1 ermittelt.
Gemäss Beispiel 1 wird eine Linse hergestellt. Die Linse
wird mit Isopropylalkohol gewaschen und ausreichend getrocknet.
Anschliessend wird die Linse 5 Minuten bei 20°C
in eine Lösung von Bis-(dimethylamino)-methylsilan getaucht.
Nach der Tauchbehandlung wird die Linse 10 Minuten
in einer Atmosphäre von 50 Prozent relativer Luftfeuchtigkeit
und 25°C belassen und sodann mit Aceton gewaschen.
Nach dem Waschen lassen sich keine bemerkenswerten Veränderungen
des äusseren Aussehens und der Antireflexionseigenschaften
der Linse feststellen.
Gemäss Beispiel 1 wird eine Linse hergestellt. Anstelle
der Behandlung mit der Silanverbindung wird folgende Behandlung
durchgeführt: Die Linse wird 10 Minuten in eine
Hexamethyldisilazan-Lösung getaucht und 30 Minuten in einer
Atmosphäre von 50°C belassen. Sodann wird die Linse
mit Aceton gewaschen.
Die Eigenschaften der erhaltenen Überzugsschicht werden
gemäss Beispiel 1 ermittelt.
Gemäss Beispiel 2 wird eine Linse aus Crownglas hergestellt
und mit Isopropylalkohol gewaschen. Sodann wird
die Linse 10 Minuten in eine Lösung von 1,1,3,3,5,5,7,7-
Octamethylcyclotetrasilazan, die mit 1,2,2-Trichlor-1,2,2-trifluoräthan
auf 30 Prozent verdünnt worden ist, getaucht.
Sodann wird die Linse 1 Stunde in einer Atmosphäre von
40 Prozent relativer Luftfeuchtigkeit und 150°C belassen
und mit 1,3,3-Trifluortrichloräthan gewaschen.
Nach dem Waschen lassen sich keine Veränderungen des
äusseren Aussehens der Linse feststellen.
Eine Linse wird gemäss Beispiel 1 hergestellt, mit der
Abänderung, dass die SiO2-Deckschicht auf folgende Weise
gebildet wird:
Mittels einer Elektronenkanone geschmolzenes SiO2 wird in
einer Kammer mit einem Gasgemisch aus Alkohol und Methylaminotrimethylsilan
in einem Verhältnis von 9 : 1 bis zu
einem druck von 0,01 Torr versetzt. Anschliessend wird die
Atmosphäre in der Kammer durch Anlegen eines elektrischen
Hochfrequenzfelds und 13,56 MHz in ein Plasma verwandelt.
An die Basisplatte wird eine Spannung von 300 V angelegt.
Durch reaktives Ionenplattieren mit einer Hochfrequenzleistung
von 300 W wird eine SiO2-Schicht gebildet.
Gemäss dem Verfahren von Beispiel 5 wird eine Linse hergestellt,
die 30 Minuten bei Raumtemperatur in eine Lösung
von Bis-(diäthylamino)-dimethylsilan getaucht wird. Anschliessend
wird die Linse 1 Stunde in einer Atmosphäre
von 50°C und einer relativen Luftfeuchtigkeit von 40 Prozent
belassen und mit Tetrahydrofuran gewaschen. Nach dem Waschen
lassen sich fast keine Veränderungen des äusseren Aussehens
der Linse beobachten.
Gemäss Beispiel 1 wird eine Linse hergestellt, mit Isopropylalkohol
gewaschen und gründlich getrocknet. Die Linse
wird sodann in eine 5-prozentige Hexanlösung von 3,3,4,4,5,5,5-
Heptafluorpentylisocyanat, die 30 Sekunden bei 10°C entwässert
worden ist, getaucht. Anschliessend wird die Linse
1 Minute in trockener Luft von 30°C belassen, sodann in
Isopropylalkohol getaucht und von nicht-umgesetztem Isocyanat
durch Waschen befreit. Sodann wird der Isopropylalkohol
von der Linse abgedampft.
Nach dem Waschen und Trocknen lassen sich keine bemerkenswerten
Veränderungen des äusseren Aussehens und der Antireflexionseigenschaften
der Linse feststellen.
Gemäss Beispiel 2 wird eine Linse hergestellt, die mit
Äthylalkohol gewaschen und sodann 1 Minute bei 25°C in
eine 10-prozentige Tetrahydrofuranlösung von 3,3,4,4,5,5,6,6,6-
Nonafluorhexylmethylammoniumjodid getaucht wird.
Die Linse wird aus dem Tauchbad entnommen und 10 Minuten
in getrockneter Luft von 60°C belassen. Sodann wird die
Linse ausreichend mit reinem Wasser gewaschen und getrocknet.
Nach dieser Behandlung lassen sich fast keine Veränderungen
des äusseren Aussehens der Linse feststellen.
Gemäss Beispiel 1 wird eine Linse hergestellt, wobei die
SiO2-Deckschicht mit Argongasplasma behandelt
wird. Anschliessend wird die Linse sofort 2 Minuten bei
50°C in einer Tetrahydrofuranlösung mit einem Gehalt an
10 Prozent Perfluor-(2-methyl-3-oxohexanoylfluorid) getaucht,
mit Tetrahydrofuran getrocknet.
Anschliessend lassen sich keine Veränderungen des äusseren
Aussehens der Linse feststellen.
Gemäss Beispiel 5 wird eine Linse hergestellt und 3 Sekunden
bei 35°C in 96-prozentige konzentrierte Schwefelsäure
mit einem Gehalt an 20 Prozent CaF2 von 250 bis 300 mesh
getaucht. Anschliessend wird die Linse in der angegebenen
Reihenfolge mit Wasser, einer gesättigten wässrigen NaHCO3-
Lösung und reinem Wasser gewaschen und getrocknet.
Es lassen sich fast keine Veränderungen des äusseren Aussehens
der Linse feststellen.
Gemäss Beispiel 1 wird eine Linse hergestellt. Nach Bildung
der SiO2-Deckschicht wird die Linse 5 Sekunden bei 10°C
in 15-prozentiger Fluorwasserstoffsäure getaucht. Sodann
wird die Linse in der angegebenen Reihenfolge mit Wasser,
gesättigter wässriger NaHCO3-Lösung und reinem Wasser gewaschen
und getrocknet.
Es lassen sich fast keine Veränderungen des äusseren Aussehens
der Linse feststellen.
Gemäss Beispiel 1 wird eine Kunstharzlinse mit einer Antireflexionsbeschichtung
hergestellt, wobei die Behandlung
mit der Silanverbindung unterbleibt.
Gemäss Beispiel 2 wird eine Glaslinse mit einer Aluminiumoxidbeschichtung
hergestellt, wobei die Behandlung mit
der Silanverbindung unterbleibt.
Gemäss Beispiel 10 wird eine Acrylplatte mit einer Antireflexionsbeschichtung
hergestellt, wobei die Behandlung
mit der Silanverbindung unterbleibt.
Die Eigenschaften der Produkte der Beispiele 1 bis 20 und
der Vergleichsbeispiele 1 bis 3 sind in Tabelle I zusammengestellt.
Wie vorstehend bereits ausgeführt, wird erfindungsgemäss
eine wasserabstossende Ausrüstung der Oberfläche von anorganischen
Überzugsschichten erzielt. Die Oberflächenenergie
sowie die Affinität sowohl zwischen Wasser und
der Oberfläche als auch zwischen Verunreinigungen im Wasser
und der Oberfläche werden vermindert, wodurch die Bildung
von Wasserflecken verhindert wird. Ausserdem wird es in
Verbindung mit der Verringerung der Oberflächenenergie
leicht möglich, Schmutzflecken, die durch organische Materialien,
wie Schweiss, Fett, Speiseöl und dergl., verursacht
werden, leicht mit Seidenpapier abzuwischen.
Das erfindungsgemässe Verfahren zur Verbesserung der Oberflächenbeschaffenheit
von anorganischen Überzugsschichten
kann in breitem Umfang auf Gegenstände mit anorganischen
Beschichtungen angewandt werden, z. B. Linsen aus Kunstharz
und Glas, optische Gläser für Präzisionsmaschinen,
Anzeigetafeln, Uhrendeckgläser, Glasfenster und dergl. Es
ist zu erwarten, dass sich die Anwendung der Erfindung
auch auf zahlreiche andere Gebiete ausdehnen lässt.
Claims (5)
1. Verfahren zur Behandlung eines anorganischen Überzugs,
dadurch gekennzeichnet, daß er mit einem Material behandelt
wird, das nach Umsetzung oder Adsorption an der zu behandelnden
Oberfläche eine wasserabstoßende Wirkung erzeugt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
das Material
- (1) eine Halogensilanverbindung,
- (2) eine Silanverbindung mit wenigestens einer der Strukturen Si-H, Si-OH, Si-OR, Si-SH und Si-SR (R bedeutet einen organischen Rest),
- (3) eine Silanverbindung mit wenigstens einer der Strukturen (R1, R2 und R3 bedeuten Wasserstoff oder organische Reste) oder
- (4) eine reaktive organische Verbindung mit einer fluorhaltigen Gruppe, Fluorwasserstoff oder einem Metallfluorid
enthält.
3. Verwendung des Verfahrens nach Anspruch 1 oder 2 zur
Behandlung anorganischer Überzüge auf optischen Materialien.
4. Anorganischer Überzug, behandelt mit einem Material, das
nach Umsetzung oder Adsorption eine wasserabstoßende Wirkung
der behandelten Oberfläche erzeugt.
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61010468A JP2622541B2 (ja) | 1986-01-21 | 1986-01-21 | 光学物品の製造方法 |
JP61021382A JP2590310B2 (ja) | 1986-02-03 | 1986-02-03 | 無機コ−ト膜を有する光学物品の製造方法 |
JP61021381A JP2678592B2 (ja) | 1986-02-03 | 1986-02-03 | 光学物品 |
JP61091568A JP2782707B2 (ja) | 1986-04-21 | 1986-04-21 | 光学物品の製造方法 |
JP5007902A JP2812121B2 (ja) | 1986-01-21 | 1993-01-20 | 光学物品の製造方法 |
JP5007901A JP2655036B2 (ja) | 1986-01-21 | 1993-01-20 | 光学物品の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3701654A1 true DE3701654A1 (de) | 1987-07-23 |
DE3701654C2 DE3701654C2 (de) | 1993-02-25 |
Family
ID=27548088
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19873701654 Granted DE3701654A1 (de) | 1986-01-21 | 1987-01-21 | Verfahren zur behandlung anorganischer ueberzuege |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5622784A (de) |
DE (1) | DE3701654A1 (de) |
FR (1) | FR2598520B1 (de) |
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0402473A1 (de) * | 1988-10-31 | 1990-12-19 | Sumitomo Cement Co. Ltd. | Antireflexionsgegenstände, herstellungsverfahren und beschichtungszusammensetzungen |
EP0426037A2 (de) * | 1989-10-31 | 1991-05-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Kathodenstrahlröhre |
EP0452723A1 (de) * | 1990-04-03 | 1991-10-23 | Ppg Industries, Inc. | Chemisch behandelte Glasoberfläche |
EP0476510A1 (de) * | 1990-09-17 | 1992-03-25 | Nissan Motor Company Limited | Verfahren zur wasserabstossenden Behandlung von Glasoberflächen |
DE4112632A1 (de) * | 1991-04-18 | 1992-10-22 | Kurasawa Optical Industry Co | Eine schmutzabweisende substanz und das verfahren, sie herzustellen |
EP0513727A2 (de) * | 1991-05-13 | 1992-11-19 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Wasserabweisendes Glas und Verfahren zu seiner Herstellung |
US5218268A (en) * | 1989-10-31 | 1993-06-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical filter for cathode ray tube |
US5424130A (en) * | 1991-05-13 | 1995-06-13 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Water repellent glass and process for producing the same |
US5674967A (en) * | 1990-04-03 | 1997-10-07 | Ppg Industries, Inc. | Water repellent surface treatment with integrated primer |
US5707740A (en) * | 1990-04-03 | 1998-01-13 | Ppg Industries, Inc. | Water repellent surface treatment with acid activation |
US5759643A (en) * | 1987-01-16 | 1998-06-02 | Seiko Epson Corporation | Polarizing plate and method of production |
US5783299A (en) * | 1986-01-21 | 1998-07-21 | Seiko Epson Corporation | Polarizer plate with anti-stain layer |
EP0864622A2 (de) * | 1991-01-23 | 1998-09-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | Wasser- und Ölabweisendes Produkt |
EP0770699A3 (de) * | 1995-10-26 | 1998-11-11 | MERCK PATENT GmbH | Herstellung von wasserabweisenden Beschichtungen auf optischen Substraten |
US6025025A (en) * | 1990-04-03 | 2000-02-15 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Water-repellent surface treatment |
US6277444B1 (en) * | 1992-03-02 | 2001-08-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Chemically adsorber film and method of manufacturing the same |
WO2002094729A1 (de) * | 2001-05-18 | 2002-11-28 | Schott Glas | Leicht reinigbare beschichtung |
US7211329B2 (en) | 2001-05-18 | 2007-05-01 | Schott Ag | Process for making a product with a long-lasting easily cleaned surface and product thereof |
Families Citing this family (87)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5851674A (en) * | 1997-07-30 | 1998-12-22 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Antisoiling coatings for antireflective surfaces and methods of preparation |
US5989462A (en) * | 1997-07-31 | 1999-11-23 | Q2100, Inc. | Method and composition for producing ultraviolent blocking lenses |
US6277485B1 (en) | 1998-01-27 | 2001-08-21 | 3M Innovative Properties Company | Antisoiling coatings for antireflective surfaces and methods of preparation |
US6419873B1 (en) * | 1999-03-19 | 2002-07-16 | Q2100, Inc. | Plastic lens systems, compositions, and methods |
US6582823B1 (en) * | 1999-04-30 | 2003-06-24 | North Carolina State University | Wear-resistant polymeric articles and methods of making the same |
US6372354B1 (en) * | 1999-09-13 | 2002-04-16 | Chemat Technology, Inc. | Composition and method for a coating providing anti-reflective and anti-static properties |
US6723260B1 (en) | 2000-03-30 | 2004-04-20 | Q2100, Inc. | Method for marking a plastic eyeglass lens using a mold assembly holder |
US6716375B1 (en) | 2000-03-30 | 2004-04-06 | Q2100, Inc. | Apparatus and method for heating a polymerizable composition |
US6698708B1 (en) | 2000-03-30 | 2004-03-02 | Q2100, Inc. | Gasket and mold assembly for producing plastic lenses |
US6528955B1 (en) | 2000-03-30 | 2003-03-04 | Q2100, Inc. | Ballast system for a fluorescent lamp |
US6632535B1 (en) | 2000-06-08 | 2003-10-14 | Q2100, Inc. | Method of forming antireflective coatings |
US7018057B2 (en) | 2000-08-23 | 2006-03-28 | Vtec Technologies, Llc | Transparent plastic optical components and abrasion resistant polymer substrates and methods for making the same |
US6676398B2 (en) | 2001-02-20 | 2004-01-13 | Q2100, Inc. | Apparatus for preparing an eyeglass lens having a prescription reader |
US6612828B2 (en) | 2001-02-20 | 2003-09-02 | Q2100, Inc. | Fill system with controller for monitoring use |
US6840752B2 (en) * | 2001-02-20 | 2005-01-11 | Q2100, Inc. | Apparatus for preparing multiple eyeglass lenses |
US6712331B2 (en) | 2001-02-20 | 2004-03-30 | Q2100, Inc. | Holder for mold assemblies with indicia |
US6758663B2 (en) | 2001-02-20 | 2004-07-06 | Q2100, Inc. | System for preparing eyeglass lenses with a high volume curing unit |
US6702564B2 (en) | 2001-02-20 | 2004-03-09 | Q2100, Inc. | System for preparing an eyeglass lens using colored mold holders |
US7139636B2 (en) * | 2001-02-20 | 2006-11-21 | Q2100, Inc. | System for preparing eyeglass lenses with bar code reader |
US6790024B2 (en) | 2001-02-20 | 2004-09-14 | Q2100, Inc. | Apparatus for preparing an eyeglass lens having multiple conveyor systems |
US6790022B1 (en) | 2001-02-20 | 2004-09-14 | Q2100, Inc. | Apparatus for preparing an eyeglass lens having a movable lamp mount |
US6808381B2 (en) | 2001-02-20 | 2004-10-26 | Q2100, Inc. | Apparatus for preparing an eyeglass lens having a controller |
US6709257B2 (en) | 2001-02-20 | 2004-03-23 | Q2100, Inc. | Eyeglass lens forming apparatus with sensor |
US7083404B2 (en) * | 2001-02-20 | 2006-08-01 | Q2100, Inc. | System for preparing an eyeglass lens using a mold holder |
US7124995B2 (en) * | 2001-02-20 | 2006-10-24 | Q2100, Inc. | Holder for mold assemblies and molds |
US6752613B2 (en) | 2001-02-20 | 2004-06-22 | Q2100, Inc. | Apparatus for preparing an eyeglass lens having a controller for initiation of lens curing |
US6676399B1 (en) | 2001-02-20 | 2004-01-13 | Q2100, Inc. | Apparatus for preparing an eyeglass lens having sensors for tracking mold assemblies |
US6655946B2 (en) | 2001-02-20 | 2003-12-02 | Q2100, Inc. | Apparatus for preparing an eyeglass lens having a controller for conveyor and curing units |
US6726463B2 (en) | 2001-02-20 | 2004-04-27 | Q2100, Inc. | Apparatus for preparing an eyeglass lens having a dual computer system controller |
US7051290B2 (en) * | 2001-02-20 | 2006-05-23 | Q2100, Inc. | Graphical interface for receiving eyeglass prescription information |
SE0101702D0 (sv) * | 2001-05-15 | 2001-05-15 | Ardenia Investments Ltd | Novel potentiating compounds |
US6737105B2 (en) * | 2001-07-27 | 2004-05-18 | Vtec Technologies, Inc. | Multilayered hydrophobic coating and method of manufacturing the same |
US6942924B2 (en) | 2001-10-31 | 2005-09-13 | Chemat Technology, Inc. | Radiation-curable anti-reflective coating system |
US7044429B1 (en) * | 2002-03-15 | 2006-05-16 | Q2100, Inc. | Methods and systems for coating eyeglass lens molds |
US6464484B1 (en) | 2002-03-30 | 2002-10-15 | Q2100, Inc. | Apparatus and system for the production of plastic lenses |
US20040142185A1 (en) * | 2002-11-06 | 2004-07-22 | Pentax Corporation | Anti-reflection spectacle lens and its production method |
JP2004166055A (ja) * | 2002-11-14 | 2004-06-10 | Pentax Corp | デジタルカメラ機能付き双眼鏡 |
DE102004056965A1 (de) * | 2004-11-25 | 2006-06-08 | Rodenstock Gmbh | Verbesserung der Haftung von hydrophoben Beschichtungen auf Brillengläsern |
US7875556B2 (en) | 2005-05-16 | 2011-01-25 | Air Products And Chemicals, Inc. | Precursors for CVD silicon carbo-nitride and silicon nitride films |
US7875312B2 (en) * | 2006-05-23 | 2011-01-25 | Air Products And Chemicals, Inc. | Process for producing silicon oxide films for organoaminosilane precursors |
US8530361B2 (en) * | 2006-05-23 | 2013-09-10 | Air Products And Chemicals, Inc. | Process for producing silicon and oxide films from organoaminosilane precursors |
US7902080B2 (en) * | 2006-05-30 | 2011-03-08 | Applied Materials, Inc. | Deposition-plasma cure cycle process to enhance film quality of silicon dioxide |
US7825038B2 (en) * | 2006-05-30 | 2010-11-02 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition of high quality flow-like silicon dioxide using a silicon containing precursor and atomic oxygen |
US7790634B2 (en) * | 2006-05-30 | 2010-09-07 | Applied Materials, Inc | Method for depositing and curing low-k films for gapfill and conformal film applications |
US20070277734A1 (en) * | 2006-05-30 | 2007-12-06 | Applied Materials, Inc. | Process chamber for dielectric gapfill |
US8232176B2 (en) * | 2006-06-22 | 2012-07-31 | Applied Materials, Inc. | Dielectric deposition and etch back processes for bottom up gapfill |
US7745352B2 (en) * | 2007-08-27 | 2010-06-29 | Applied Materials, Inc. | Curing methods for silicon dioxide thin films deposited from alkoxysilane precursor with harp II process |
US7867923B2 (en) * | 2007-10-22 | 2011-01-11 | Applied Materials, Inc. | High quality silicon oxide films by remote plasma CVD from disilane precursors |
US7803722B2 (en) * | 2007-10-22 | 2010-09-28 | Applied Materials, Inc | Methods for forming a dielectric layer within trenches |
US7943531B2 (en) * | 2007-10-22 | 2011-05-17 | Applied Materials, Inc. | Methods for forming a silicon oxide layer over a substrate |
US8357435B2 (en) * | 2008-05-09 | 2013-01-22 | Applied Materials, Inc. | Flowable dielectric equipment and processes |
US20100081293A1 (en) * | 2008-10-01 | 2010-04-01 | Applied Materials, Inc. | Methods for forming silicon nitride based film or silicon carbon based film |
US8980382B2 (en) * | 2009-12-02 | 2015-03-17 | Applied Materials, Inc. | Oxygen-doping for non-carbon radical-component CVD films |
US8741788B2 (en) * | 2009-08-06 | 2014-06-03 | Applied Materials, Inc. | Formation of silicon oxide using non-carbon flowable CVD processes |
US7935643B2 (en) * | 2009-08-06 | 2011-05-03 | Applied Materials, Inc. | Stress management for tensile films |
US7989365B2 (en) * | 2009-08-18 | 2011-08-02 | Applied Materials, Inc. | Remote plasma source seasoning |
US20110136347A1 (en) * | 2009-10-21 | 2011-06-09 | Applied Materials, Inc. | Point-of-use silylamine generation |
US8449942B2 (en) | 2009-11-12 | 2013-05-28 | Applied Materials, Inc. | Methods of curing non-carbon flowable CVD films |
CN102687252A (zh) | 2009-12-30 | 2012-09-19 | 应用材料公司 | 以可变的氮/氢比所制造的自由基来生长介电薄膜的方法 |
US8329262B2 (en) * | 2010-01-05 | 2012-12-11 | Applied Materials, Inc. | Dielectric film formation using inert gas excitation |
WO2011084812A2 (en) | 2010-01-06 | 2011-07-14 | Applied Materials, Inc. | Flowable dielectric using oxide liner |
SG182333A1 (en) | 2010-01-07 | 2012-08-30 | Applied Materials Inc | In-situ ozone cure for radical-component cvd |
WO2011109148A2 (en) * | 2010-03-05 | 2011-09-09 | Applied Materials, Inc. | Conformal layers by radical-component cvd |
US8236708B2 (en) | 2010-03-09 | 2012-08-07 | Applied Materials, Inc. | Reduced pattern loading using bis(diethylamino)silane (C8H22N2Si) as silicon precursor |
US7994019B1 (en) | 2010-04-01 | 2011-08-09 | Applied Materials, Inc. | Silicon-ozone CVD with reduced pattern loading using incubation period deposition |
US8476142B2 (en) | 2010-04-12 | 2013-07-02 | Applied Materials, Inc. | Preferential dielectric gapfill |
US8912353B2 (en) | 2010-06-02 | 2014-12-16 | Air Products And Chemicals, Inc. | Organoaminosilane precursors and methods for depositing films comprising same |
US8524004B2 (en) | 2010-06-16 | 2013-09-03 | Applied Materials, Inc. | Loadlock batch ozone cure |
US8318584B2 (en) | 2010-07-30 | 2012-11-27 | Applied Materials, Inc. | Oxide-rich liner layer for flowable CVD gapfill |
WO2012030945A2 (en) * | 2010-09-01 | 2012-03-08 | Honeywell International Inc. | Ophthalmic lenses, ophthalmic lens coating compositions, and methods for manufacturing ophthalmic lenses |
US9285168B2 (en) | 2010-10-05 | 2016-03-15 | Applied Materials, Inc. | Module for ozone cure and post-cure moisture treatment |
US8664127B2 (en) | 2010-10-15 | 2014-03-04 | Applied Materials, Inc. | Two silicon-containing precursors for gapfill enhancing dielectric liner |
US10283321B2 (en) | 2011-01-18 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma |
US8450191B2 (en) | 2011-01-24 | 2013-05-28 | Applied Materials, Inc. | Polysilicon films by HDP-CVD |
US8716154B2 (en) | 2011-03-04 | 2014-05-06 | Applied Materials, Inc. | Reduced pattern loading using silicon oxide multi-layers |
US8445078B2 (en) | 2011-04-20 | 2013-05-21 | Applied Materials, Inc. | Low temperature silicon oxide conversion |
US8771807B2 (en) | 2011-05-24 | 2014-07-08 | Air Products And Chemicals, Inc. | Organoaminosilane precursors and methods for making and using same |
US8466073B2 (en) | 2011-06-03 | 2013-06-18 | Applied Materials, Inc. | Capping layer for reduced outgassing |
US9404178B2 (en) | 2011-07-15 | 2016-08-02 | Applied Materials, Inc. | Surface treatment and deposition for reduced outgassing |
US8617989B2 (en) | 2011-09-26 | 2013-12-31 | Applied Materials, Inc. | Liner property improvement |
US8551891B2 (en) | 2011-10-04 | 2013-10-08 | Applied Materials, Inc. | Remote plasma burn-in |
US8889566B2 (en) | 2012-09-11 | 2014-11-18 | Applied Materials, Inc. | Low cost flowable dielectric films |
US9018108B2 (en) | 2013-01-25 | 2015-04-28 | Applied Materials, Inc. | Low shrinkage dielectric films |
US10453675B2 (en) | 2013-09-20 | 2019-10-22 | Versum Materials Us, Llc | Organoaminosilane precursors and methods for depositing films comprising same |
US9412581B2 (en) | 2014-07-16 | 2016-08-09 | Applied Materials, Inc. | Low-K dielectric gapfill by flowable deposition |
DE102015209794B4 (de) * | 2015-05-28 | 2017-07-27 | Carl Zeiss Vision International Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines optischen Glases mit Antifog-Beschichtung und optisches Glas mit Antifog-Beschichtung |
KR102415046B1 (ko) * | 2016-08-08 | 2022-06-29 | 쉬르픽스 베붸 | 고체 표면의 개질 방법 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2263480A1 (de) * | 1972-01-24 | 1973-08-02 | Balzers Hochvakuum | Schutzschicht auf unterlagen zum schutz gegen mechanische und chemische einfluesse |
US4137365A (en) * | 1975-11-21 | 1979-01-30 | Nasa | Oxygen post-treatment of plastic surfaces coated with plasma polymerized silicon-containing monomers |
DE2306766C3 (de) * | 1972-02-17 | 1980-09-18 | Mitsubishi Gas Chemical Co., Inc., Tokio | Lösungsmittelhaltige Beschichtungsmittel auf Basis von Silanen |
US4267213A (en) * | 1978-04-11 | 1981-05-12 | Minnesota Mining & Manufacturing Company | Sulfonato-organosilanol compounds and aqueous solutions thereof |
EP0051405A1 (de) * | 1980-10-24 | 1982-05-12 | Toray Industries, Inc. | Das Beschlagen verhindernder Beschichtungsfilm |
US4410563A (en) * | 1982-02-22 | 1983-10-18 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Repellent coatings for optical surfaces |
DE3335575A1 (de) * | 1983-09-30 | 1985-04-25 | Hermann Hans 8750 Aschaffenburg Urlberger | Vorrichtung zum arretieren eines gegenueber einer welle drehbaren teils sowie anwendung der vorrichtung |
EP0203730A2 (de) * | 1985-04-30 | 1986-12-03 | Toray Industries, Inc. | Optisches Gerät und Verfahren zu dessen Herstellung |
EP0303246A2 (de) * | 1987-08-12 | 1989-02-15 | The B.F. Goodrich Company | Hydrogenierte, ringgeöffnete Cycloolefinpolymere |
Family Cites Families (52)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2553314A (en) * | 1944-07-01 | 1951-05-15 | Gen Electric | Method of rendering materials water repellent |
US3012006A (en) * | 1958-04-24 | 1961-12-05 | Dow Corning | Fluorinated alkyl silanes and their use |
US3244541A (en) * | 1961-02-03 | 1966-04-05 | 29 West Fifteenth Street Corp | Water-repellent compositions and methods of making same |
US3442664A (en) * | 1966-04-26 | 1969-05-06 | Minnesota Mining & Mfg | Treating composition,method of treating and treated surfaces |
US3579540A (en) * | 1968-11-01 | 1971-05-18 | Howard G Ohlhausen | Method for protecting nonporous substrates and for rendering them water repellent |
FR2158119A1 (en) * | 1971-11-03 | 1973-06-15 | Massin Michel | Treatment of surfaces - with dimethylpolysiloxane deriv to prevent sealing |
US3900672A (en) * | 1973-04-04 | 1975-08-19 | Hoya Lens Co Ltd | Process for coating an optical material and the resulting product |
UST954010I4 (en) * | 1973-08-24 | 1977-01-04 | International Business Machines Corporation | Method of coating oxidized inorganic substrates with polyimide |
US3959563A (en) * | 1973-11-02 | 1976-05-25 | General Electric Company | Method for rendering vitreous surfaces water repellant and dirt deposit resistant and articles produced thereby |
JPS511387A (de) * | 1974-05-23 | 1976-01-08 | Canon Kk | |
SE435297B (sv) * | 1975-08-22 | 1984-09-17 | Bosch Gmbh Robert | Optiska reflektorer framstellda genom att reflektorytan belegges med ett skyddsskikt |
DE2728127A1 (de) * | 1976-06-23 | 1978-01-05 | Nippon Kogaku Kk | Antireflexbelag fuer ein kunststoffsubstrat |
JPS5423557A (en) * | 1977-07-23 | 1979-02-22 | Ito Kougaku Kougiyou Kk | Optical parts of plastics and method of manufacturing same |
US4338377A (en) * | 1979-10-10 | 1982-07-06 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Sulfonato-organosilanol compounds and aqueous solutions thereof |
JPS5747330A (en) * | 1980-09-04 | 1982-03-18 | Toray Ind Inc | Production of transparent material with antireflexion properties |
JPS5686980A (en) * | 1979-12-18 | 1981-07-15 | Taihoo Kogyo Kk | Antifogging treatment and antifogging agent |
US4609267A (en) * | 1980-12-22 | 1986-09-02 | Seiko Epson Corporation | Synthetic resin lens and antireflection coating |
JPS5830250A (ja) * | 1981-08-17 | 1983-02-22 | Oki Electric Ind Co Ltd | 伝送方式 |
JPS58172245A (ja) * | 1982-04-02 | 1983-10-11 | Asahi Glass Co Ltd | ガラスの表面処理剤 |
JPS58211701A (ja) * | 1982-06-04 | 1983-12-09 | Asahi Glass Co Ltd | 低反射率ガラス |
JPS5913201A (ja) * | 1982-07-15 | 1984-01-24 | Hitachi Ltd | 合成樹脂製レンズに反射防止膜を設ける方法 |
JPS5939714A (ja) * | 1982-08-31 | 1984-03-05 | Matsumoto Seiyaku Kogyo Kk | 珪素酸化物被覆形成法 |
JPS59231501A (ja) * | 1983-06-14 | 1984-12-26 | Seiko Epson Corp | 合成樹脂製レンズ |
JPH0642003B2 (ja) * | 1983-09-20 | 1994-06-01 | オリンパス光学工業株式会社 | 光学部品の反射防止膜とその形成方法 |
JPS60258190A (ja) * | 1984-06-06 | 1985-12-20 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 新規なシクロトリシラザン |
JPS61130902A (ja) * | 1984-11-30 | 1986-06-18 | Asahi Glass Co Ltd | 汚れのとれやすい反射防止膜付プラスチツクレンズ |
JPH065324B2 (ja) * | 1985-04-30 | 1994-01-19 | 東レ株式会社 | 反射防止性を有する光学物品及びその製造方法 |
JPS6280603A (ja) * | 1985-10-04 | 1987-04-14 | Toray Ind Inc | 反射防止性を有する光学物品及びその製造方法 |
JPS62146962A (ja) * | 1985-12-20 | 1987-06-30 | Teikoku Kako Kk | 酸化鉄被覆無機球状体 |
JPS649222A (en) * | 1986-09-18 | 1989-01-12 | Agency Ind Science Techn | Highly conductive poly-2,5-thienylenevinylene composition |
JPH07113682B2 (ja) * | 1987-03-03 | 1995-12-06 | 株式会社ニコン | 汚れが付着しにくいレンズ |
JPS63228101A (ja) * | 1987-03-17 | 1988-09-22 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 防汚性を有する帯電防止無反射板 |
JPS6486101A (en) * | 1987-06-18 | 1989-03-30 | Toray Industries | Production of antireflecting article |
JPH02671A (ja) * | 1987-10-20 | 1990-01-05 | Asahi Optical Co Ltd | 反射防止膜の表面処理剤及び表面処理法 |
JPH01110588A (ja) * | 1987-10-24 | 1989-04-27 | Ito Kogaku Kogyo Kk | プラスチツクレンズの防汚性処理方法 |
JPH01149808A (ja) * | 1987-12-04 | 1989-06-12 | Daikin Ind Ltd | 含フツ素ポリマー及びその用途 |
JPH01200203A (ja) * | 1988-02-04 | 1989-08-11 | Nitto Denko Corp | ゴーグル用フイルムレンズ |
JP2678008B2 (ja) * | 1988-03-22 | 1997-11-17 | 日東電工株式会社 | 反射防止板の製造方法 |
JPH01257801A (ja) * | 1988-04-07 | 1989-10-13 | Nitto Denko Corp | 反射防止膜 |
JPH01309003A (ja) * | 1988-06-07 | 1989-12-13 | Toray Ind Inc | 撥水性を有する帯電防止物品 |
JPH02197801A (ja) * | 1988-08-18 | 1990-08-06 | Nidek Co Ltd | 水やけ防止コート膜付き光学素子 |
JPH0287101A (ja) * | 1988-09-22 | 1990-03-28 | Nitto Denko Corp | 反射防止膜の製造法 |
JPH02130501A (ja) * | 1988-11-10 | 1990-05-18 | Nitto Denko Corp | 反射防止シート |
JPH02181701A (ja) * | 1989-01-07 | 1990-07-16 | Nitto Denko Corp | 反射防止膜の製造方法 |
JPH0781024B2 (ja) * | 1989-03-22 | 1995-08-30 | 旭硝子株式会社 | 撥水性.防汚性を有する透明基材およびそれを装着した構造物 |
JPH03148603A (ja) * | 1989-11-04 | 1991-06-25 | Nitto Denko Corp | 偏光板 |
JPH03195757A (ja) * | 1989-12-26 | 1991-08-27 | Asahi Glass Co Ltd | コーティング用含フッ素重合体組成物及びその用途 |
JPH03266801A (ja) * | 1990-03-16 | 1991-11-27 | Nitto Denko Corp | 反射防止フィルター |
JP2858440B2 (ja) * | 1990-07-09 | 1999-02-17 | 株式会社東京製品開発研究所 | 真空中で気化し得る有機系被膜形成物質を含浸固化させた多孔性セラミックス材料およびそれを用いた有機物質系蒸着被膜の形成方法 |
US5061769A (en) * | 1990-12-17 | 1991-10-29 | Allied-Signal Inc. | Fluoropolymers and fluoropolymer coatings |
US5225244A (en) * | 1990-12-17 | 1993-07-06 | Allied-Signal Inc. | Polymeric anti-reflection coatings and coated articles |
US5178955A (en) * | 1990-12-17 | 1993-01-12 | Allied-Signal Inc. | Polymeric anti-reflection coatings and coated articles |
-
1987
- 1987-01-13 FR FR8700257A patent/FR2598520B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1987-01-21 DE DE19873701654 patent/DE3701654A1/de active Granted
-
1994
- 1994-01-18 US US08/183,105 patent/US5622784A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2263480A1 (de) * | 1972-01-24 | 1973-08-02 | Balzers Hochvakuum | Schutzschicht auf unterlagen zum schutz gegen mechanische und chemische einfluesse |
DE2306766C3 (de) * | 1972-02-17 | 1980-09-18 | Mitsubishi Gas Chemical Co., Inc., Tokio | Lösungsmittelhaltige Beschichtungsmittel auf Basis von Silanen |
US4137365A (en) * | 1975-11-21 | 1979-01-30 | Nasa | Oxygen post-treatment of plastic surfaces coated with plasma polymerized silicon-containing monomers |
US4267213A (en) * | 1978-04-11 | 1981-05-12 | Minnesota Mining & Manufacturing Company | Sulfonato-organosilanol compounds and aqueous solutions thereof |
EP0051405A1 (de) * | 1980-10-24 | 1982-05-12 | Toray Industries, Inc. | Das Beschlagen verhindernder Beschichtungsfilm |
US4410563A (en) * | 1982-02-22 | 1983-10-18 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Repellent coatings for optical surfaces |
DE3335575A1 (de) * | 1983-09-30 | 1985-04-25 | Hermann Hans 8750 Aschaffenburg Urlberger | Vorrichtung zum arretieren eines gegenueber einer welle drehbaren teils sowie anwendung der vorrichtung |
EP0203730A2 (de) * | 1985-04-30 | 1986-12-03 | Toray Industries, Inc. | Optisches Gerät und Verfahren zu dessen Herstellung |
EP0303246A2 (de) * | 1987-08-12 | 1989-02-15 | The B.F. Goodrich Company | Hydrogenierte, ringgeöffnete Cycloolefinpolymere |
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
Aufsatz: "Plasma Polymerization of Organosilicon on Plastic for Protective Coating" erschienen in: Proceedings of the International Ion Engineering Congress, September 1983 abgedruckt in Proceedingsof the International Ion, S.1441 * |
REUTHER,H.: "Silikone, ihre Eigenschaften u. ihre Anwendungsmöglichkeiten" 1969, 133-137 * |
ROCHOW,G.: Einführung in die Chemie der Silikone, 1952, S.136-142 * |
Cited By (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5783299A (en) * | 1986-01-21 | 1998-07-21 | Seiko Epson Corporation | Polarizer plate with anti-stain layer |
US5759643A (en) * | 1987-01-16 | 1998-06-02 | Seiko Epson Corporation | Polarizing plate and method of production |
EP0402473A1 (de) * | 1988-10-31 | 1990-12-19 | Sumitomo Cement Co. Ltd. | Antireflexionsgegenstände, herstellungsverfahren und beschichtungszusammensetzungen |
EP0402473A4 (en) * | 1988-10-31 | 1991-12-04 | Sumitomo Cement Co. Ltd. | Antireflection articles, process for their production and coating composition |
US5218268A (en) * | 1989-10-31 | 1993-06-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical filter for cathode ray tube |
EP0426037A2 (de) * | 1989-10-31 | 1991-05-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Kathodenstrahlröhre |
EP0426037A3 (en) * | 1989-10-31 | 1992-01-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Cathode ray tube |
US6025025A (en) * | 1990-04-03 | 2000-02-15 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Water-repellent surface treatment |
US5674967A (en) * | 1990-04-03 | 1997-10-07 | Ppg Industries, Inc. | Water repellent surface treatment with integrated primer |
US5707740A (en) * | 1990-04-03 | 1998-01-13 | Ppg Industries, Inc. | Water repellent surface treatment with acid activation |
US5980990A (en) * | 1990-04-03 | 1999-11-09 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Water repellent surface treatment with acid activation |
EP0452723A1 (de) * | 1990-04-03 | 1991-10-23 | Ppg Industries, Inc. | Chemisch behandelte Glasoberfläche |
EP0476510A1 (de) * | 1990-09-17 | 1992-03-25 | Nissan Motor Company Limited | Verfahren zur wasserabstossenden Behandlung von Glasoberflächen |
EP0864622A3 (de) * | 1991-01-23 | 2000-04-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | Wasser- und Ölabweisendes Produkt |
EP0864622A2 (de) * | 1991-01-23 | 1998-09-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | Wasser- und Ölabweisendes Produkt |
DE4112632A1 (de) * | 1991-04-18 | 1992-10-22 | Kurasawa Optical Industry Co | Eine schmutzabweisende substanz und das verfahren, sie herzustellen |
EP0513727A3 (en) * | 1991-05-13 | 1993-09-01 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Water repellent glass and process for producing the same |
US5424130A (en) * | 1991-05-13 | 1995-06-13 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Water repellent glass and process for producing the same |
EP0513727A2 (de) * | 1991-05-13 | 1992-11-19 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Wasserabweisendes Glas und Verfahren zu seiner Herstellung |
US6277444B1 (en) * | 1992-03-02 | 2001-08-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Chemically adsorber film and method of manufacturing the same |
US6410152B2 (en) | 1992-03-02 | 2002-06-25 | Matsushita Electric Industrial., Co., Ltd. | Chemically adsorbed film and method of manufacturing the same |
US6593000B2 (en) | 1992-03-02 | 2003-07-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Chemically adsorbed film and method of manufacturing the same |
EP0770699A3 (de) * | 1995-10-26 | 1998-11-11 | MERCK PATENT GmbH | Herstellung von wasserabweisenden Beschichtungen auf optischen Substraten |
WO2002094729A1 (de) * | 2001-05-18 | 2002-11-28 | Schott Glas | Leicht reinigbare beschichtung |
US7211329B2 (en) | 2001-05-18 | 2007-05-01 | Schott Ag | Process for making a product with a long-lasting easily cleaned surface and product thereof |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5622784A (en) | 1997-04-22 |
DE3701654C2 (de) | 1993-02-25 |
FR2598520A1 (fr) | 1987-11-13 |
FR2598520B1 (fr) | 1994-01-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3701654C2 (de) | ||
JP4681094B2 (ja) | フルオル有機官能性シラン及び/又はシロキサンを有する組成物、その製法、その使用及び表面変性された支持体 | |
DE69911431T2 (de) | Wasserabstossende zusammensetzung, verfahren zur herstellung einer beschichtung und produkt mit dieser beschichtung | |
EP0897898B1 (de) | Verfahren zur Abscheidung optischer Schichten | |
CA2099892C (en) | Coating compositions | |
WO2006114321A1 (de) | Entspiegelungsschicht und verfahren zu deren aufbringung | |
EP0770699A2 (de) | Herstellung von wasserabweisenden Beschichtungen auf optischen Substraten | |
EP0011738A1 (de) | Verfahren zur Herabsetzung der Porosität und der Oberflächenrauhigkeit einer keramischen Unterlage und Beschichtungsmasse dafür | |
JP3549440B2 (ja) | 光学基材上に撥水性コーティングを作成するための組成物 | |
EP0697135B1 (de) | Anzeigevorrichtung mit einem mit einer licht absorbierenden schicht versehenen bildschirm | |
JP6112753B2 (ja) | 透明被膜形成用塗布液ならびに透明被膜付基材、および疎水性金属酸化物粒子の製造方法 | |
CA2178892A1 (en) | Hydrated zinc stannate sols, coating compositions and optical elements | |
JPH11172152A (ja) | ハードコート膜形成用塗布液およびハードコート膜付基材 | |
JP3031571B2 (ja) | ハードコート膜およびハードコート膜付基材 | |
WO2001028948A1 (de) | Beschichtungszusammensetzung auf basis organisch modifizierter anorganischer kondensate | |
JP2782707B2 (ja) | 光学物品の製造方法 | |
JPH07119842B2 (ja) | 無機コート膜を有する光学物品及びその製造方法 | |
DE3706782C2 (de) | ||
JP2590310B2 (ja) | 無機コ−ト膜を有する光学物品の製造方法 | |
DE3537626A1 (de) | Beschichtungsloesungen | |
JPH1026703A (ja) | 撥水処理されたレンズ | |
JP2622541B2 (ja) | 光学物品の製造方法 | |
JP2017140748A (ja) | 積層体、及び積層体の形成方法 | |
JP3120371B2 (ja) | 光学物品の製造方法 | |
JP2812121B2 (ja) | 光学物品の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
D2 | Grant after examination | ||
8363 | Opposition against the patent | ||
8328 | Change in the person/name/address of the agent |
Free format text: HOFFMANN, E., DIPL.-ING., PAT.-ANW., 82166 GRAEFELFING |
|
8331 | Complete revocation |