DE3814469A1 - Halbleiteranordnung und verfahren zu ihrer herstellung - Google Patents
Halbleiteranordnung und verfahren zu ihrer herstellungInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine Halbleiteranordnung, insbesondere
eine solche Halbleiteranordnung, bei der ein Halbleiterchip
auf ein schichtförmiges Trägerband aufkontaktiert wird, sowie
ein Verfahren zur Herstellung von derartigen Halbleiter
anordnungen.
Eine herkömmliche Halbleiteranordnung dieser Art hat einen
Aufbau, der in Fig. 14A und 14B dargestellt ist. Eine
Schicht 1, die aus einem Kunstharz auf Polyimid-Basis
hergestellt ist, hat an einem zentralen Ort einen recht
eckigen Öffnungsbereich 2, der auch als "zentrales Loch
der Anordnung" bezeichnet wird. Eine Vielzahl von
Leitungen 3 in einem vorgegebenen Muster sind auf der
Schicht 1 angeordnet. Der vordere Endbereich von jeder der
Leitungen 3 steht in den Öffnungsbereich 2 der Schicht 1 vor
und dient als innere Leitung 3 a, während ihr rückseitiger
Bereich von dem Außenumfang der Schicht 1 vorsteht und eine
äußere Leitung 3 b bildet. Ein Halbleiterchip 5 ist mit jeder
der inneren Leitungen 3 A über einen Kontakthöcker 4 verbunden.
Der Halbleiterchip 5 ist zusammen mit der Schicht 1 mit einem
Harz 6 eingeformt.
Die herkömmliche Halbleiteranordnung mit einem Aufbau der
oben beschriebenen Art wird in der nachstehend beschriebenen
Weise hergestellt. Zuerst wird eine erforderliche Anzahl
von Leitungen 3 an der Schicht 1 befestigt, die folgendes
aufweist: Perforationen 7, die regelmäßig an ihren beiden
Seitenbereichen angeordnet sind, einen Öffnungsbereich 2,
der in ihrem mittleren Bereich ausgebildet ist, und äußere
Leitungslöcher 8, die um den Umfang des Öffnungsbereiches 2
ausgebildet sind, wie es Fig. 15A zeigt. Die so befestigten
Leitungen 3 werden von Stützbereichen 9 abgestützt, die sich
zwischen dem Öffnungsbereich 2 und den äußeren Leitungslöchern
8 befinden und sie haben jeweils einen Testanschluß 3 c an
der Rückseite ihrer äußeren Leitung 3 b, die sich über dem
entsprechenden äußeren Leitungsloch 8 befindet.
Anschließend wird ein Halbleiterchip 5 in den Öffnungsbereich 2
der Schicht 1 eingesetzt, und Kontakthöcker 4, die auf
Elektroden des Halbleiterchips 5 vorgesehen sind, werden mit
den inneren Leitungen 3 a verbunden, vgl. Fig. 15B, 16A und 16B.
In diesem Zustand werden verschiedene Tests durchgeführt,
bei denen die Zustände der verschiedenen Verbindungen getestet
werden, indem man die Testanschlüsse 3 c verwendet, wobei
die Wirkungsweise des Halbleiterchips 5 geprüft wird. Danach
werden die Leitungen 3 in bestimmten Bereichen zwischen ihren
äußeren Leitungen 3 b und den Testanschlüssen 3 c geschnitten,
und die Schicht 1 wird an ihren Brückenbereichen 10 geschnitten,
die sich zwischen benachbarten äußeren Leitungslöchern 8
befinden. Schließlich wird der Halbleiterchip 5 mit einem
Harz 6 eingeformt, so daß sich eine Halbleiteranordnung ergibt,
die in den Fig. 14A und 14B dargestellt ist.
Das Harz hat jedoch im allgemeinen eine geringe Wärmeleit
fähigkeit. Infolgedessen ist es bei der herkömmlichen Halb
leiteranordnung, bei der der Halbleiterchip 5 vollständig
mit dem Kunstharz 6 eingeformt ist, so, daß die meiste
von dem Halbleiterchip 5 während des Betriebes der Anordnung
erzeugte Wärme sich unvermeidlicherweise in dem Harz 6 sammelt.
Dies bringt die Gefahr mit sich, daß die Temperatur des
Halbleiterchips 5 innerhalb des Harzes ansteigt, was die
Eigenschaften und die Betriebszuverlässigkeit der Halbleiter
anordnung verschlechtert.
Aufgabe der Erfindung ist es, eine Halbleiteranordnung
anzugeben, bei der die Wärme, die von dem Halbleiterchip
während des Betriebes der Halbleiteranordnung erzeugt wird,
in wirksamer Weise nach außen abgegeben bzw. abgestrahlt wird.
Weiteres Ziel der Erfindung ist es, ein Verfahren zur Herstellung
einer derartigen Halbleiteranordnung anzugeben.
Gemäß einem Aspekt der Erfindung wird eine Halbleiteranordnung
angegeben, die folgendes aufweist: einen Halbleiterchip mit
ersten und zweiten Oberflächen; Leitungen, die jeweils mit
einem ihrer Enden mit einer Elektrode auf der ersten Ober
fläche des Halbleiterchips verbunden sind; Wärmestrahlungs
einrichtungen, die in Kontakt mit der zweiten Oberfläche des
Halbleiterchips angeordnet sind; und einen Formkörper zum
Einformen des Halbleiterchips in der Weise, daß die anderen
Enden der Leitungen und die Wärmestrahlungseinrichtungen
nach außen freiliegen.
Gemäß diesem Aspekt der Erfindung ist die Wärmestrahlungsein
richtung in Kontakt mit dem Halbleiterchip so angeordnet,
daß sie zur Außenseite frei zugänglich ist. Somit kann die
vom Halbleiterchip erzeugte Wärme in wirksamer Weise nach
außen abgestrahlt werden.
Gemäß einem anderen Aspekt der Erfindung wird ein Verfahren
zur Herstellung einer Halbleiteranordnung angegeben, das
folgende Schritte umfaßt:
- - Einführen eines Halbleiterchips mit ersten und zweiten Oberflächen in einen Öffnungsbereich, der in einer ersten Schicht ausgebildet ist;
- - Verbinden von Elektroden, die auf der ersten Oberfläche des Halbleiterchips vorgesehen sind, mit Leitungen, die auf die erste Schicht aufkontaktiert sind und in den Öffnungsbereich vorstehen;
- - Ausfluchten der Position einer zweiten Schicht, die mit der Wärmestrahlungseinrichtungen versehen ist, mit der der ersten Schicht;
- - Verbinden der Wärmestrahlungseinrichtung mit der zweiten Oberfläche des Halbleiterchips und Verbinden der zweiten Schicht mit der ersten Schicht; und
- - Einformen des Halbleiterchips in der Weise, daß die Wärmestrahlungseinrichtung nach außen frei zugänglich ist.
Die Erfindung wird nachstehend, auch hinsichtlich weiterer
Merkmale und Vorteile, anhand der Beschreibung von Ausführungs
beispielen und unter Bezugnahme auf die beiliegende Zeichnung
näher erläutert. Die Zeichnung zeigt in
Fig. 1 eine Schnittansicht zur Erläuterung einer
Halbleiteranordnung gemäß einer ersten
Ausführungsform der Erfindung;
Fig. 2A, 2B und 3 schematische Darstellungen zur Erläuterung
der Schritte eines erfindungsgemäßen Ver
fahrens zur Herstellung der Halbleiter
anordnung gemäß Fig. 1;
Fig. 4 bis 13 schematische Darstellungen zur Erläuterung
von weiteren Ausführungsformen gemäß der
Erfindung;
Fig. 14A und 14B Darstellungen zur Erläuterung einer her
kömmlichen Halbleiteranordnung; und in
Fig. 15A, 15B, 16A und 16B schematische Darstellungen zur Erläuterung
der Schritte zur Herstellung einer her
kömmlichen Halbleiteranordnung.
Wie in Fig. 1 dargestellt, hat eine Halbleiteranordnung
gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung eine erste
Schicht 11, die beispielsweise aus einem Kunstharz auf Poly
imidbasis hergestellt ist. Ein rechteckiger Öffnungsbereich 12
ist in dem zentralen Bereich der ersten Schicht 11 ausgebildet.
Die erste Schicht 11 hat eine Oberfläche 11 a, auf der eine
Vielzahl von Leitungen 13 angeordnet sind. Der vordere End
bereich von jeder Leitung 13 steht in den Öffnungsbereich 12
vor und dient als innere Leitung 13 a, während der hintere
Bereich jeder Leitung 13 vom Außenumfang der ersten Schicht 11
vorsteht und als äußere Leitung 13 b dient. Ein Halbleiterchip
5 ist im Inneren des Öffnungsbereiches 12 angeordnet, und
Kontakthöcker oder Bondhügel 14 sind auf der einen Oberfläche
5 a des Halbleiterchips 5 vorgesehen und jeweils mit der
jeweiligen inneren Leitung 13 a verbunden.
Eine zweite Schicht 15, die aus einem Metallmaterial herge
stellt ist, das eine hohe Wärmeleitfähigkeit besitzt, ist
mit seiner einen Oberfläche 15 a mit der anderen Oberfläche 11 b
der ersten Schicht 11 verbunden. Die zweite Schicht 15 hat
einen Öffnungsbereich 16, der an einem Ort ausgebildet ist,
der dem des Öffnungsbereiches 12 der ersten Schicht 11 ent
spricht und die gleiche Öffnung hat wie dieser Öffnungs
bereich 12. Ein Kühlkörper oder Wärmestrahlungskörper 17
ist auf der anderen Oberfläche 15 b der zweiten Schicht 15
vorgesehen. Der Wärmestrahlungskörper 17 hat eine schicht
förmige Konfiguration und besteht aus einem Metallmaterial,
welches das gleiche wie das der zweiten Schicht 15 ist.
Der Umfangsbereich des Wärmestrahlungskörpers 17 ist mit
dem Bereich der zweiten Schicht 15 verbunden, der um den
Umfang des Öffnungsbereiches 16 herum ausgebildet ist,
während der zentrale Bereich des Wärmestrahlungskörpers 17
mit der gegenüberliegenden Oberfläche 5 b des Halbleiterchips
5 verbunden ist, beispielsweise mit einem Klebstoff 18,
z. B. einem Epoxyharz. Der Öffnungsbereich 16 der zweiten
Schicht 15 wird durch den Wärmestrahlungskörper 17 ver
schlossen.
Ein Formkörper 19, der aus einem Kunstharz hergestellt ist,
beispielsweise aus einem Epoxyharz oder Silikonharz, ist in
den übrigen Teilen der Öffnungsbereiche 12 und 16 der ersten
und zweiten Schichten 11 bzs. 15 sowie dem Halbleiterchip 5
vorgesehen. Somit ist der Halbleiterchip 5 mit dem Harz des
Formkörpers 19 und dem Wärmestrahlungskörper 17 eingeformt.
Mit anderen Worten, der Halbleiterchip 5 ist mit der einen
Oberfläche 17 a des Wärmestrahlungskörpers 17 verbunden,
während die andere Oberfläche 17 b des Wärmestrahlungskörpers
17 zur Außenseite der Anordnung frei zugänglich ist.
Da bei der Halbleiteranordnung mit dem vorstehend beschriebenen
Aufbau der Wärmestrahlungskörper 17 nach außen gerichtet ist,
kann Wärme, die von dem Halbleiterchip 5 während des Betriebes
der Halbleiteranordnung erzeugt wird, in wirksamer Weise
nach außen abgestrahlt werden durch den Wärmestrahlungskörper
17 hoher Wärmeleitfähigkeit. Somit wird jegliches Ansteigen
der Temperatur des Halbleiterchips 5 verhindert und damit
ein stabiler Betrieb der Anordnung gewährleistet.
Als nächstes wird ein Verfahren zur Herstellung einer Halb
leiteranordnung mit dem vorstehend beschriebenen Aufbau
erläutert.
Zunächst wird, wie in Fig. 2A dargestellt, eine erforderliche
Anzahl von Leitungen 13 mit gewünschtem Muster an der einen
Oberfläche 11 a einer ersten Schicht 11 befestigt, die folgendes
aufweist: Perforationen 20, die in regelmäßiger Anordnung
an ihren beiden Seitenbereichen ausgebildet sind, einen
Öffnungsbereich 12, der in ihrem zentralen Bereich ausgebildet
ist, und äußere Leitungslöcher 21, die um den Umfang des
Öffnungsbereiches 12 ausgebildet sind.
Die so befestigten Leitungen 13 werden mit Stützbereichen 22
abgestützt, die sich zwischen dem Öffnungsbereich 12 und den
äußeren Leitungslöchern 21 befinden. Die Leitungen 13 haben
jeweils eine innere Leitung 13 a, eine äußere Leitung 13 b,
die sich am rückseitigen Ende der inneren Leitung 13 a befindet
und die sich über dem entsprechenden äußeren Leitungsloch 21
befindet, sowie einen Testanschluß 13 c, der sich ganz am
hinteren Ende der äußeren Leitung 13 b befindet.
Anschließend wird ein Halbleiterchip 5 in den Öffnungsbereich
12 der ersten Schicht 11 eingesetzt, und Kontakthöcker oder
Bondhügel 14, die an Elektroden des Halbleiterchips 5 vorge
sehen sind, werden mit den inneren Leitungen 13 a verbunden.
In diesem Zustand werden verschiedene Tests durchgeführt.
Beispielsweise werden die Zustände von verschiedenen Ver
bindungen unter Verwendung der Testanschlüsse 13 c getestet,
und die Wirkungsweise des Halbleiterchips 5 wird geprüft.
Weiterhin wird, wie in Fig. 2B dargestellt, eine zweite
Schicht 15 mit der gleichen Größe und Konfiguration wie die
erste Schicht 11 hergestellt. Genauer gesagt, die zweite
Schicht 15 hat Perforationen 23, die regelmäßig in ihren
beiden Seitenbereichen angeordnet sind, einen Öffnungsbereich
16, der in ihrem zentralen Bereich ausgebildet ist, sowie
äußere Leitungslöcher 24, die um den Umfang des Öffnungs
bereiches 16 ausgebildet sind. Anschließend wird ein Wärme
strahlungskörper 17 auf der einen Oberfläche 15 b der zweiten
Schicht 15 in der Weise angeordnet, daß er den Öffnungsbereich
16 verschließt, und der Umfangsbereich des Wärmestrahlungs
körpers 17 wird mit den Stützbereichen 25 verbunden, die
sich zwischen dem Öffnungsbereich 16 und den äußeren Leitungs
löchern 24 befinden.
Ein Teil des Wärmestrahlungskörpers 17 innerhalb des Öffnungs
bereiches 16 der zweiten Schicht 15 wird mit einem Klebstoff 18
überzogen. Anschließend werden, wie in Fig. 3 dargestellt,
die erste Schicht 11 und die zweite Schicht 15 in der Weise
positioniert, daß ihre entsprechenden Öffnungsbereiche 12 und
16 richtig ausgefluchtet werden, und die andere Oberfläche 5 b
des Halbleiterchips 5 wird mit der mit Klebstoff beschichteten
Oberfläche des Wärmestrahlungskörpers 17 verbunden, während
die anderen Oberflächen 11 b und 15 a der ersten und der zweiten
Schichten 11 bzs. 15 miteinander verbunden werden.
Anschließend wird der Halbleiterchip 5, der über dem Wärme
strahlungskörper 17 angeordnet ist, mit Kunstharz eingeformt,
das einen Formkörper 19 ergibt. Anschließend werden die
Leitungen 13 in bestimmten Bereichen zwischen ihren äußeren
Leitungen 13 b und den Testanschlüssen 13 c durchgeschnitten,
und die ersten und zweiten Schichten 11 und 15 werden in
Brückenbereichen 26 und 27, die sich zwischen benachbarten
äußeren Leitungslöchern 21 und 24 befinden, durchgeschnitten.
Auf diese Weise wird eine Halbleiteranordnung gemäß Fig. 1
erhalten.
Obwohl die zweite Schicht 15 bei der obigen Ausführungsform
aus einem Metallmaterial besteht, ist die Erfindung keinesfalls
darauf beschränkt. Vielmehr kann die zweite Schicht 15 alternativ
aus einem Kunstharzmaterial hergestellt werden, in ähnlicher
Weise wie die erste Schicht 11.
Bei der oben beschriebenen Ausführungsform ist der Wärme
strahlungskörper 17 auf der einen Oberfläche 15 b der zweiten
Schicht 15 angeordnet. Alternativ kann, wie in Fig. 4 darge
stellt, der Wärmestrahlungskörper 17 auf der anderen Ober
fläche 15 a der zweiten Schicht 15 angeordnet sein, die mit
der ersten Schicht 11 verbunden ist, wobei die Oberfläche 17 a
des Wärmestrahlungskörpers 17, die mit der zweiten Schicht
15 verbunden ist, freiliegt, und zwar über dem Öffnungs
bereich 16.
Bei der Herstellung einer Halbleiteranordnung mit einem
derartigen Aufbau wird, wie in Fig. 5A dargestellt, ein
Halbleiterchip 5 auf einer ersten Schicht 11 in gleicher
Weise montiert, wie es in Fig. 2A dargestellt ist. Ein
Wärmestrahlungskörper 17 wird jedoch mit einer Oberfläche 15 a
einer zweiten Schicht 15 verbunden, die als Oberflächenver
bindung mit der ersten Schicht 11 dient, wie es Fig. 5B
zeigt. Die andere Oberfläche 5 b des Halbleiterchips 5 wird
mit der Oberfläche 17 b des Wärmestrahlungskörpers 17 mit
einem Klebstoff 18 verbunden, vgl. Fig. 6.
Dann wird die Oberfläche 15 a der zweiten Schicht 15 mit der
Oberfläche 11 b der ersten Schicht 11 längs eines Bereiches
außerhalb des Wärmestrahlungskörpers 17 verbunden. Zu diesem
Zweck werden die Brückenbereiche 27 der Schicht 15 etwas
nach unten gebogen, damit die Oberfläche 11 b der ersten
Schicht 11 und die Oberfläche 15 a der zweiten Schicht 15
miteinander in Kontakt kommen können.
Wenn die zweite Schicht 15 aus einem Material hergestellt
wird, das eine ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit besitzt,
wie z. B. Metall, kann die zweite Schicht 15 selbst als
Wärmestrahlungseinrichtung verwendet werden, wie es Fig. 7
zeigt, anstatt einen Wärmestrahlungskörper 17 zu verwenden,
der mit der zweiten Schicht verbunden wird. Bei der Herstellung
einer Halbleiteranordnung mit einem derartigen Aufbau gemäß
Fig. 7 wird die andere Oberfläche 5 b eines Halbleiterchips 5
direkt mit einer zweiten Schicht 15 in der oben beschriebenen
Weise verbunden. Genauer gesagt, ein Halbleiterchip 5 wird,
wie in Fig. 8A dargestellt, auf einer ersten Schicht 11 in
gleicher Weise montiert, wie es Fig. 2A zeigt.
Wie in Fig. 8B dargestellt, wird jedoch eine zweite Schicht 15
verwendet, die in ihrem zentralen Bereich 15 c keinen Öffnungs
bereich hat, und dieser zentrale Bereich 15 c wird als Wärme
strahlungseinrichtung verwendet. Das bedeutet, ein Klebstoff
18 wird auf den zentralen Bereich 15 c der zweiten Schicht 15
aufgebracht, und die andere Oberfläche 5 b des Halbleiterchips 5
wird mit dieser mit Klebstoff beschichteten Oberfläche ver
bunden, während bestimmte Bereiche der ersten und zweiten
Schichten 11 und 15 miteinander verbunden werden, vgl. Fig. 9.
Wie in Fig. 10 dargestellt, kann eine Vielzahl von Kühlrippen
28 auf der freiliegenden Oberfläche eines Wärmestrahlungs
körpers 17 vorgesehen sein, so daß der Wärmeabstrahlungs
effekt weiter verbessert wird. Bei der Herstellung wird eine
zweite Schicht 15, die mit Wärmeabstrahlungs- oder Kühlrippen
28 versehen ist, mit einer ersten Schicht 11 verbunden, auf
der ein Halbleiterchip 5 montiert wird, wie es Fig. 11 zeigt.
Es gibt verschiedene Arten von Wärmeabstrahlungs- oder Kühl
rippen, die sich verwenden lassen. Beispielsweise kann, wie
in Fig. 12 dargestellt, eine Gruppe 30 von Wärmeabstrahlungs-
oder Kühlrippen verwendet werden, die eine Vielzahl von
scheibenförmigen Rippen 29 aufweisen und eine mehrschichtige
Anordnung bilden. In diesem Falle kann die Herstellung in der
Weise durchgeführt werden, daß, nachdem die ersten und zweiten
Schichten 11 und 15 miteinander verbunden worden sind und
die Gehäusebildung erfolgt ist, eine Gruppe 30 von Wärmeab
strahlungs- oder Kühlrippen mit der freiliegenden Oberfläche
eines Wärmestrahlungskörpers 17 verbunden wird, beispiels
weise mit einem weiteren Klebstoff 18.
Die Wärmeabstrahlungs- oder Kühlrippen können sowohl bei der
Ausführungsform gemäß Fig. 10, bei der die zweite Schicht 15
auch als Wärmeabstrahlungseinrichtung dient, als auch bei der
Ausführungsform gemäß Fig. 12 verwendet werden, bei der die
zweite Schicht 15 und der Wärmeabstrahlungskörper 17 getrennte
Teile sind. Es wird bevorzugt, daß die Wärmeabstrahlungs-
oder Kühlrippen 28 und 29 aus einem Material hergestellt sind,
das eine ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit besitzt, wie z. B.
Metall.
Der Klebstoff 18, der verwendet wird, um den Halbleiterchip 5
und den Wärmestrahlungskörper 17 zu verbinden oder um den
Wärmestrahlungskörper 17 und die Wärmestrahlungsrippen 28
oder 29 zu verbinden, braucht nicht notwendigerweise ein
Klebstoff auf der Basis von Epoxyharz zu sein. Der Klebstoff 18
kann aus jedem anderen geeigneten Material bestehen.
Beispielsweise kann ein Lötmittel zur Herstellung der Verbin
dung verwendet werden.
Claims (11)
1. Halbleiteranordnung,
gekennzeichnet durch
- - einen Halbleiterchip (5) mit ersten und zweiten Oberflächen (5 a, 5 b);
- - Leitungen (13), die jeweils mit ihrem einen Ende (13 a) mit einer Elektrode auf der ersten Oberfläche (5 a) des Halb leiterchips (5) verbunden sind;
- - eine Wärmestrahlungs- bzw. Kühleinrichtung, die in Kontakt mit der zweiten Oberfläche (5 b) des Halbleiterchips (5) angeordnet ist; und
- - einen Formkörper (19), mit dem der Halbleiterchip (5) in der Weise eingeformt ist, daß die anderen Enden (13 b) der Leitungen (13) und die Wärmestrahlungs- bzw. Kühlein richtung (17) zur Außenseite hin freiliegen.
2. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Wärmestrahlungs- bzw. Kühleinrichtung (17) aus einem
wärmeleitenden Material besteht und eine schichtförmige
Konfiguration hat.
3. Halbleiteranordnung nach Anspruch 2,
dadurch gekennzeichnet,
daß das wärmeleitfähige Material ein Metall ist.
4. Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Wärmestrahlungs- bzw. Kühleinrichtung (17) Wärme
strahlungs- bzw. Kühlrippen (28, 29) auf derjenigen Ober
fläche (17 a) aufweist, die zur Außenseite hin freiliegt.
5. Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung,
gekennzeichnet durch folgende Schritte:
- - Einführen eines Halbleiterchips mit ersten und zweiten Oberflächen in einen Öffnungsbereich, der in einer ersten Schicht ausgebildet ist;
- - Verbinden von Elektroden, die auf der ersten Oberfläche des Halbleiterchips vorgesehen sind, mit Leitungen, die mit der ersten Schicht verbunden sind und die in den Öffnungsbereich vorstehen;
- - Ausfluchten der Position einer zweiten Schicht mit einer Wärmestrahlungseinrichtung mit derjenigen der ersten Schicht;
- - Verbinden der Wärmestrahlungseinrichtung mit der zweiten Oberfläche des Halbleiterchips, während die zweite Schicht mit der ersten Schicht verbunden wird; und
- - Einformen des Halbleiterchips in der Weise, daß die Wärme strahlungseinrichtung nach außen freiliegt.
6. Verfahren nach Anspruch 5,
dadurch gekennzeichnet,
daß eine zweite Schicht mit einem Öffnungsbereich verwendet wird
und die Wärmestrahlungseinrichtung mit der zweiten Schicht
in der Weise verbunden wird, daß sie den Öffnungsbereich der
zweiten Schicht schließt.
7. Verfahren nach Anspruch 5 oder 6,
dadurch gekennzeichnet,
daß eine Wärmestrahlungseinrichtung aus einem wärmeleitenden
Material und mit einer schichtförmigen Konfiguration verwendet
wird.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 7,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Wärmestrahlungseinrichtung mit der Oberfläche der
zweiten Schicht verbunden wird, die mit der ersten Schicht
verbunden wird.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 7,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Wärmestrahlungseinrichtung mit der Oberfläche der
zweiten Schicht längs der Oberfläche der zweiten Schicht
verbunden wird, die nicht mit der ersten Schicht verbunden
wird.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 9,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Wärmestrahlungseinrichtung aus der zweiten Schicht
selbst gebildet wird.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 10,
dadurch gekennzeichnet,
daß eine zweite Schicht aus einem wärmeleitenden Material
verwendet wird.
Applications Claiming Priority (1)
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---|---|---|---|
JP62109327A JPH0740600B2 (ja) | 1987-04-30 | 1987-04-30 | 半導体装置 |
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DE3814469C2 DE3814469C2 (de) | 1992-12-03 |
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