DE3823765A1 - Verfahren zur konservierung der oberflaeche von siliciumscheiben - Google Patents
Verfahren zur konservierung der oberflaeche von siliciumscheibenInfo
- Publication number
- DE3823765A1 DE3823765A1 DE3823765A DE3823765A DE3823765A1 DE 3823765 A1 DE3823765 A1 DE 3823765A1 DE 3823765 A DE3823765 A DE 3823765A DE 3823765 A DE3823765 A DE 3823765A DE 3823765 A1 DE3823765 A1 DE 3823765A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- polishing
- reagent
- solution
- silicon wafers
- vol
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02046—Dry cleaning only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Konservierung der
Oberfläche von Siliciumscheiben durch Aufbringen von Schutz
schichten.
Es ist bekannt, daß beim Polieren von Siliciumscheiben die
beim Poliervorgang erzeugte einwandfreie Oberfläche bereits
unmittelbar nach dessen Beendigung einer Vielzahl von Ein
flüssen ausgesetzt ist, die eine Verschlechterung der Ober
flächenqualität bewirken können. Beispielhaft seien hier die
Einwirkung von Poliermittelresten, Waschwasser, Waschlösun
gen oder die umgebende Atmosphäre genannt. Diese Effekte
kommen insbesondere bei der Zweiseitenpolitur zum Tragen,
bei der die Scheibenentnahme nach Beendigung des Poliervor
ganges verhältnismäßig zeitaufwendig ist.
Üblicherweise werden daher im Anschluß an den Poliervorgang
die Siliciumscheiben nach ihrer Entnahme aus dem Poliergerät
einer oxidierenden Reinigung, beispielsweise durch Eintau
chen in eine Ammoniak/Wasserstoffperoxidlösung, unterworfen,
um derartige Beeinträchtigungen der Oberflächenqualität zu
verhindern oder zu beseitigen. Die dabei gebildete Oxid
schicht kann jedoch ihrerseits wieder Alterungseffekten
unterworfen sein und beispielsweise bei nachgeschalteten
thermischen Oxidationsschritten die Bildung der als "haze"
bezeichneten schleierartigen Eintrübungen auf der polierten
Oberfläche verursachen, die z.B. im gebündelten Licht als
diffuse Reflexionen auf der Scheibenoberfläche sichtbar
werden.
In der DE-A-35 40 469 bzw. der entsprechenden US-A-47 24 171
wurde deshalb vorgeschlagen, die Siliciumscheiben im
Anschluß an den Poliervorgang zunächst einer oxidierenden
Reinigung zu unterziehen und anschließend die Oberfläche mit
Hexamethyldisilazan zu behandeln. Die dadurch erzielte
Schutzwirkung beruht darauf, daß die auf der oxidierten
Siliciumoberfläche vorhandenen OH-Gruppen unter Trimethyl
silylierung reagieren und sich somit auf der Oberfläche ein
dünner Schutzfilm ausbildet, durch den schädliche Einwirkun
gen von der eigentlichen polierten Scheibe ferngehalten
werden. Bei diesem Verfahren ist jedoch nicht völlig auszu
schließen, daß im Zeitraum zwischen dem Abschluß des Polier
vorganges und dem Beginn der oxidierenden Reinigung auf der
Scheibenoberfläche entstandene Störungen wie etwa Anätzungen
und dergleichen nur unvollständig entfernt und unter dem
Schutzfilm weitergeschleppt werden.
Aufgabe der Erfindung war es, ein Verfahren anzugeben, das
vielseitig einsetzbar ist und eine wirksame Konservierung
der Scheibenoberfläche ermöglicht, und zwar sowohl in der
Phase zwischen dem Abschluß des Poliervorganges und dem
Beginn nachgeschalteter Reinigungsschritte, als auch gegebe
nenfalls erst im Anschluß an eine Reinigungsbehandlung der
Scheiben.
Gelöst wird die Aufgabe durch ein Verfahren, welches dadurch
gekennzeichnet ist, daß in einem ersten Schritt eine hydro
phobe Scheibenoberfläche erzeugt und in einem daran ange
schlossenen Schritt die Oberfläche mit einem aus der Gruppe
der aliphatischen Alkohole, Organosilane oder insbesondere
Silanole ausgewählten Reagens behandelt wird.
Kennzeichnend für die Oberfläche von hydrophoben Silicium
scheiben ist das Vorliegen von hauptsächlich Si-H und Si-
CH x -Gruppen, während Sauerstoff im wesentlichen nicht vor
handen ist. Diese Sachverhalte sind in einem Artikel von M.
Grundner und H. Jacob, Investigations on Hydrophilic and
Hydrophobic Silicon (100) Wafer Surfaces by X-Ray Photo
electron and High-Resolution Electron Energy Loss-Spectro
scopy, Appl. Phys. A 39, p. 73ff. (1986), näher erläutert.
Für die Erzeugung solcher im wesentlichen oxidfreier, Sili
cium-Wasserstoffbindungen aufweisender Scheibenoberflächen
kommen hauptsächlich zwei Methoden in Frage. Zum einen ist
dies insbesondere bei auf ihrer Oberfläche eine Oxidschicht
aufweisenden Siliciumscheiben eine Behandlung mit wässriger
oder gasförmiger Flußsäure, durch welche die oxidischen Pha
sen von der Oberfläche abgelöst werden, wobei entstehende
freie Bindungen am Silicium zumindest teilweise mit Wasser
stoff abgesättigt werden.
Die Behandlung kann beispielsweise dadurch erfolgen, daß die
Scheiben in ein wässrige Flußsäure enthaltendes Bad einge
taucht werden und bis zur weitgehenden oder vollständigen
Ablösung der Oxidschicht dort belassen werden. Gleichfalls
möglich ist es z.B., die Scheibenoberfläche mit Flußsäure zu
besprühen oder zu spülen. Zweckmäßig wird anschließend die
überschüssige Flußsäure durch Abwaschen mit deionisiertem
Wasser entfernt. Geeignete Verfahrensabläufe und -parameter
sind beispielsweise in dem o.g. Artikel angesprochen und
auch von den üblichen Reinigungsprozessen her bekannt, bei
denen eine Abfolge verschiedener naßchemischer Behandlungs
schritte, darunter meist auch eine oder mehrere Flußsäure
behandlungen, auf die Oberfläche von polierten Silicium
scheiben einwirkt. Als Beispiel sei der von W. Kern und D.
Puotinen in RCA Review, June 1970, S. 187-206 beschriebene
Prozeß genannt. Diese bekannten Methoden und Bedingungen für
die Behandlung mit Flußsäure, beispielsweise was Konzen
trationen, Temperaturen, Einwirkungsart und -dauer betrifft,
können analog auch bei dem erfindungsgemäßen Verfahren
eingesetzt werden.
Die zweite hauptsächliche und im Rahmen der Erfindung bevor
zugte Methode besteht darin, die Siliciumscheiben einem
chemomechanischen Polierschritt zu unterwerfen. Ein solcher
Schritt kann dabei in der bekannten und im Rahmen der Schei
benherstellung üblichen Art und Weise durchgeführt werden;
mögliche Ausführungsformen sind beispielsweise in einem in
Solid State Technology 10 (27), 1967, S. 27-39 erschienenen
Artikel von E. Mendel oder in der Patentliteratur erläutert,
beispielsweise in der US-A-40 70 799, der US-A-38 74 129,
der US-A-42 70 316 oder der US-A-47 39 589 sowie in den dort
zitierten Druckschriften. Die Poliervorgänge können ein
oder mehrstufig sowie als Ein- oder Zweiseitenprozesse zur
Ausführung kommen, wobei die jeweils geeignete Methode nach
Maßgabe der beabsichtigten Weiterverarbeitung der Scheiben
ausgewählt wird. In vielen Fällen haben sich Verfahren
bewährt, bei denen alkalische, ein Kieselsäuresol enthalten
de Poliermittel während des Poliervorganges auf das über die
Scheibenoberfläche bewegte Poliertuch aufgebracht werden.
Die Erzeugung einer hydrophoben Scheibenoberfläche mit Hilfe
eines Poliervorganges hat den Vorteil, daß der nachfolgende
zweite und die eigentliche Konservierung bewirkende Schritt
ohne Verfahrensunterbrechung angeschlossen und unmittelbar
im Poliergerät durchgeführt werden kann. Dadurch kann die
beim Polieren gebildete, einwandfreie und hydrophobe Ober
fläche sofort und ohne eine ggf. Beeinträchtigungen bewir
kende Zwischenphase mit einer Schutzschicht versehen werden.
Dies kommt insbesondere bei der Zweiseitenpolitur zum Tra
gen, bei der die Entnahme der Scheiben nach beendetem Polie
ren zeitaufwendiger ist. Grundsätzlich ist es jedoch
gleichfalls nicht ausgeschlossen, nach dem Polierschritt die
Scheiben zunächst anderen Prozessen zu unterwerfen und erst
im Anschluß daran in der vorher beschriebenen Art mittels
Flußsäure die Scheibenoberfläche in den hydrophoben Zustand
zu versetzen.
Neben diesen beiden hauptsächlichen Methoden kommen für die
Erzeugung von hydrophoben Scheibenoberflächen grundsätzlich
auch noch verschiedene andere, allerdings meist aufwendigere
Verfahren in Frage, wie etwa Plasmaätzen, reaktives Ionen-
Ätzen oder epitaktische Verfahren, wie Molekularstrahlepi
taxie, homogene und heterogene Gasphasenabscheidung oder
Flüssigphasenepitaxie.
Für den zweiten Verfahrensschritt werden zur Behandlung der
Scheibenoberfläche vorzugsweise wässrige Lösungen einge
setzt, die als Reagens aliphatische Alkohole, Organosilane
oder insbesondere Silanole enthalten, wobei sowohl Gemische
verschiedener als auch bevorzugt einzelne Verbindungen für
sich in Frage kommen. Dabei hat es sich besonders bewährt,
jeweils solche Reagenzien auszuwählen, deren Löslichkeit in
Wasser einerseits gewährleistet, daß am Einsatzort, d.h. auf
der Scheibenoberfläche, eine ausreichende Menge des Reagens
zur Verfügung gestellt wird, dieses aber auch in genügendem
Maße von der wässrigen Phase freigegeben wird, um mit der
Oberfläche wechselwirken und von ihr gebunden werden zu
können. Dabei wurde gefunden, daß diesen Anforderungen am
besten von solchen Reagenzien entsprochen wird, die mit
Wasser bis zu einem Anteil von ca. 15 Vol%, vorzugsweise bis
zu etwa 8 Vol%, jeweils bezogen auf die Gesamtmenge,
mischbar sind.
Es ist jedoch neben dem Einsatz wässriger Lösungen in man
chen Fällen auch nicht ausgeschlossen, die Reagenzien in
gasförmigem Zustand auf die Scheibenoberfläche einwirken zu
lassen, beispielsweise in Begasungskammern und günstig im
Anschluß an epitaktische oder Plasmaätzprozesse.
Aus Gründen der Arbeitssicherheit werden vorteilhaft solche
Reagenzien ausgewählt, die einen möglichst geringen Dampf
druck aufweisen, um das Risiko der Ausbildung zündfähiger
Gemische, oder gesundheitlicher Gefährdung des Bedienungs
personals durch Einatmen schädlicher Dämpfe niedrig zu
halten.
Zweckmäßig werden Lösungen eingesetzt, deren Anteil an
Reagens auf 0.1 bis 10 Vol%, bevorzugt 0.2 bis 5 Vol% einge
stellt ist. Grundsätzlich können anstelle homogener Phasen
auch zweiphasige Gemische eingesetzt werden, bei denen eine
wässrige und eine organische Phase nebeneinander vorliegen,
z.B. als Emulsion oder Dispersion. Die Anwendungstemperatu
ren liegen in der Regel zwischen 10 und 80°C, vorzugsweise
20 und 50°C.
Geeignete Reagentien aus der Gruppe der aliphatischen Alko
hole sind z.B. geradkettige einwertige Alkanole wie Ethanol,
Propanol oder Butanol. Auch zweiwertige Alkohole wie etwa
Ethylenglykol oder dreiwertige Alkohole wie etwa Glycerin
können eingesetzt werden. Ebenso lassen sich höhere Organo
silane der Formel R3SiOH, R₂Si(OR′)2, HO(SiR2O) n mit R=
CH3, C2H5, C3H7, R′=CH3, C2H5 und n=10-15 verwenden.
Bevorzugt werden Trialkylsilanole eingesetzt, die als
Alkylgruppen Ethyl- und/oder Propylgruppen, mit besonderem
Vorteil aber auch oder nur Methylgruppen enthalten. Die
besten Ergebnisse werden mit Trimethylsilanol als Reagens
erzielt, wobei sich der Konzentrationsbereich von ca. 0.2
bis 5 Vol% als besonders günstig erwiesen hat. Der Vorteil
der Trialkylsilanole, insbesondere des Trimethylsilanols
liegt darin, daß bei ihrem Einsatz besonders niedrige Ätz
fleckenanteile festzustellen sind und daß sie wegen der
Geruchsfreiheit und niedrigen Flüchtigkeit auch äußerst
problemlos handzuhaben ist.
Die Behandlung der gemäß der bevorzugten Ausführungsform der
Erfindung durch Polieren hydrophobierten Siliciumscheiben
kann zweckmäßig dadurch erfolgen, daß nach Abschluß des
Poliervorganges die Scheiben in der Poliermaschine belassen
werden und sofort nach Beendigung der Poliermittelzufuhr mit
der das jeweils ausgewählte Reagens enthaltenden wässrigen
Lösung gespült werden. Die Lösung kann dabei über ein eige
nes Leitungs- und Pumpensystem oder aber über die Poliermit
telzuleitungen zugeführt werden. Vorteilhaft wird bei diesem
Spülvorgang in der Zeiteinheit die zugeführte Menge Lösung
gegenüber der vorher zugeführten Poliermittelmenge erhöht,
um sämtliche Scheiben möglichst rasch zu behandeln und
gleichzeitig Poliermittelreste von der Poliertuchoberfläche
zu verdrängen, wobei sich eine Erhöhung um das 1.5- bis 20
fache in den meisten Fällen als ausreichend erwiesen hat.
Der Abschluß des Poliervorganges kann grundsätzlich in der
Weise erfolgen, daß die Poliermaschine und die Poliermittel
zufuhr gestoppt wird. Bevorzugt wird der Poliervorgang
jedoch dadurch abgeschlossen, daß bei Zufuhr der Lösung ein
oder mehrere Verfahrensparameter bei ansonsten weiterlaufen
der Maschine so abgeändert werden, daß die Polierwirkung
vollständig aufhört oder gegen null geht. Besonders vorteil
haft kann dies dadurch bewirkt werden, daß der Polierdruck
deutlich verringert wird, und zwar günstig in den Bereich
von unterhalb 0.1 bar, bevorzugt unterhalb 0.06 bar. Diese
Verfahrensweise hat den Vorteil, daß durch die fortgesetzte
Relativbewegung zwischen Scheiben und Poliergerät die zuge
führte Lösung besonders rasch über die Scheibenoberflächen
verteilt wird und dementsprechend schnell zur Wirkung kommen
kann.
Scheiben, die in dem ersten Schritt mittels Flußsäure behan
delt wurden, lassen sich zweckmäßig durch Eintauchen in ein
die jeweils ausgewählte Lösung enthaltendes, ggf. auch
temperiertes Bad an ihrer Oberfläche konservieren. Andere
Möglichkeiten bestehen beispielsweise darin, die Lösung
durch Sprühen oder Spülen auf die Scheibenoberflächen aufzu
bringen. Grundsätzlich gelten für diese geeigneten Verfah
rensweisen die bereits vorher im Zusammenhang mit der
Flußsäurebehandlung gemachten Aussagen.
Unabhängig davon, wie die Siliciumscheiben im ersten Schritt
mit einer hydrophoben Oberfläche versehen wurden, ist für
den daran angeschlossenen Schritt in den meisten Fällen
erfahrungsgemäß eine Behandlungsdauer von wenigen, vorzugs
weise 0.3 bis 10 Minuten, ausreichend. Die danach erhaltenen
Scheiben besitzen eine hydrophobe Oberfläche, d.h. sie
werden von Wasser nicht benetzt, können dadurch von ätzenden
wässrigen Phasen nicht mehr angegriffen werden und sind
gleichzeitig auch gegenüber Einwirkungen der Umgebungs
atmosphäre geschützt.
Die auf der Scheibenoberfläche gebildete, konservierende
Schutzschicht kann vor anschließenden Weiterverarbeitungs
schritten durch eine oxidierende Behandlung beseitigt und in
eine oxidische Schicht umgewandelt werden. Eine solche
Oxidation kann beispielsweise bei 800 bis 1200°C in Sauer
stoffatmosphäre durchgeführt werden. Grundsätzlich ist auch
ein elektro- oder naßchemischer Oxidationsschritt, bei
spielsweise mit den aus Reinigungsprozessen bekannten Agen
tien wie Ammoniak/Wasserstoffperoxidlösung möglich.
Oxidische Schichten werden ohnehin bei den meisten Weiter
verarbeitungsprozessen im ersten Verfahrensschritt erzeugt,
so daß diese letztendlich durch die Schutzschicht nicht
gestört werden.
Das erfindungsgemäße Verfahren wird mit besonderem Vorteil
für die Konservierung von polierten Siliciumscheiben in der
Zwischenphase zwischen Politur und anschließender Endreini
gung eingesetzt; die solchermaßen behandelten Scheiben
lassen sich nämlich problemlos und ohne die Gefahr von
Beeinträchtigungen der Oberflächenqualität transportieren
und/oder über Monate hinweg lagern. Damit ermöglicht es auch
eine größere innerbetriebliche Flexibilität bei der Pro
zeßabfolge Polieren-Endreinigung. Weitere Anwendungsmöglich
keiten liegen in der Vorbehandlung von für die Epitaxie
vorgesehenen Siliciumscheiben, wie auch in der Konservierung
von in hydrophobem Zustand vorliegenden Scheibenoberflächen.
Nachstehend wird die Erfindung an Hand von Ausführungsbei
spielen näher erläutert:
In einer handelsüblichen Apparatur zum beidseitigen Polieren
von Halbleiterscheiben wurden 36 Siliciumscheiben (Durchmes
ser ca. 150 mm, Dicke ca. 650 µm, (100)-Orientierung) ca. 30
min lang poliert. Während des Poliervorganges wurde eine
handelsübliche alkalische, ein SiO2-Sol enthaltende Polier
lösung auf das Poliertuch aufgebracht; die Temperatur war
auf ca. 40°C eingestellt, der Polierdruck betrug ca. 0.5
bar.
Danach wurde bei weiterlaufender Maschine der Druck vermin
dert, bis der Vorgang drucklos, d.h. nur noch mit dem durch
das Eigengewicht der auf den Scheiben aufliegenden Apparate
teile ausgeübten Druck ablief, wobei anstelle des Poliermit
tels eine ca. 1 Vol% Trimethylsilanol enthaltende, auf ca.
40°C eingestellte wässrige Lösung mit einer Zugaberate von
etwa 20 l/min auf das Poliertuch gegeben wurde. Nach etwa 3
min wurde dieser Behandlungsschritt beendet und die Appara
tur angehalten. Die Scheiben wurden entnommen, mit deioni
siertem Wasser gespült und getrocknet. Die Scheiben zeigten
dabei hydrophobes Verhalten, d.h. sie wurden von dem Wasser
nicht benetzt. Anschließend wurden alle Scheiben im kolli
mierten Licht unter dem Mikroskop untersucht. Alle Oberflä
chen erwiesen sich als einwandfrei und zeigten weder
Ätzflecken noch feine Polierkratzer.
In einem Vergleichsversuch wurden nun 36 weitere Silicium
scheiben derselben Abfolge von Verfahrensschritten unterwor
fen, mit dem Unterschied, daß bei der 3-minütigen drucklosen
Behandlung nur deionisiertes Wasser auf das Poliertuch
gegeben wurde, und zwar wieder mit einer Zugaberate von 20
l/min.
Diese Scheiben zeigten bei der Untersuchung im kollimierten
Licht unter dem Mikroskop vielfach schwach sichtbare runde
Flecken mit Durchmessern von bis zu 10 µm, die sich als
Ätzflecken erwiesen. Darüber hinaus konnten häufig sehr
feine Kratzer festgestellt werden, die offensichtlich aus
der Endphase des Poliervorganges herrührten.
Analog dem in Beispiel 1 beschriebenen Verfahren und unter
Einhaltung der gleichen Verfahrensparameter wurden erneut 36
Siliciumscheiben derselben Spezifikation durch Zweiseiten
politur mit einer hydrophoben Oberfläche versehen.
Im zweiten Behandlungsschritt wurde jedoch die Poliermaschi
ne drucklos 10 min lang weiterlaufen gelassen, wobei eine 5
Vol% n-Butanol enthaltende wässrige Lösung mit ca. 18 l/min
auf das Poliertuch aufgebracht wurde.
Danach wurden die Scheiben mit deionisiertem Wasser gespült
und getrocknet; sie zeigten dabei hydrophobes Verhalten. Bei
der abschließenden Untersuchung im kollimierten Licht unter
dem Mikroskop ließen sich weder Ätzflecken noch feine Krat
zer nachweisen.
Bei ansonsten dem vorstehenden Beispiel entsprechender
Arbeitsweise wurde der 10-minütige drucklose zweite Behand
lungsschritt unter Zugabe einer 0.1 Vol% Tripropylsilanol
enthaltenden wässrigen Lösung durchgeführt. Die entnommenen,
mit deionisiertem Wasser gespülten und getrockneten Scheiben
wiesen bei der Untersuchung im kollimierten Licht unter dem
Mikroskop weder Ätzflecken noch feine Polierkratzer auf.
50 einseitig polierte Siliciumscheiben (Durchmesser ca. 100
mm, Dicke etwa 525 µm, (100)-Orientierung) wurden über meh
rere Wochen hinweg in einer üblichen Halbleiterverpackung
gelagert und hatten sich dabei mit einer dünnen Oberflä
chenoxidschicht ("native oxide") überzogen. Diese Scheiben
wurden nun einer Reinigung unterzogen, indem sie zunächst in
einer handelsüblichen Sprühreinigungskammer ca. 5 min lang
mit einer etwa 2 gew%igen wässrigen Flußsäurelösung besprüht
wurden, um das Oxid zu entfernen und eine hydrophobe Schei
benoberfläche zu schaffen. Daran schloß sich eine ca. einmi
nütige Spülung mit deionisiertem Wasser an.
25 Scheiben wurden nun in einem zweiten Behandlungsschritt
für etwa 3 min mit einer ca. 1 Vol% Trimethylsilanol enthal
tenden wässrigen Lösung und abschließend wieder etwa 1 min
lang mit deionisiertem Wasser besprüht.
Die anderen 25 Scheiben wurden im zweiten Schritt weiter für
ca. 4 min nur mit deionisiertem Wasser besprüht.
Beide Scheibengruppen wurden danach getrocknet und eine
Woche lang an Luft bei 45% Luftfeuchtigkeit gelagert. Wäh
rend auf den nur mit Wasser behandelten Scheiben bereits
nach 3 Tagen die Bildung von kleinen Flecken (Durchmesser
ca. 2 µm) einsetzte, waren die mit der Trimethylsilanol-
Lösung behandelten Scheiben auch nach einer Woche noch
völlig fleckenfrei.
Claims (8)
1. Verfahren zur Konservierung der Oberfläche von Silicium
scheiben durch Aufbringen einer Schutzschicht, dadurch
gekennzeichnet, daß in einem ersten Schritt eine hydro
phobe Scheibenoberfläche erzeugt und in einem daran an
geschlossenen Schritt die Oberfläche mit einem aus der
Gruppe der aliphatischen Alkohole, Organosilane oder
insbesondere Silanole ausgewählten Reagens behandelt
wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß der erste Schritt ein chemomechanischer Polier
vorgang ist.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß der erste Schritt eine Behandlung mit Flußsäure
ist.
4. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1
bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Reagens in
wässriger Lösung eingesetzt wird.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet,
daß der Anteil des Reagens an der Lösung auf 0.1 bis
10 Vol%, bezogen auf die Gesamtmenge, eingestellt
wird.
6. Verfahren nach den Ansprüchen 4 oder 5, dadurch ge
kennzeichnet, daß ein Reagens ausgewählt wird, wel
ches mit Wasser bis zu einem Anteil von 15 Vol%,
bezogen auf die Gesamtmenge, mischbar ist.
7. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1
bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß als Reagens ein
Trialkylsilanol ausgewählt wird.
8. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1
bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß als Reagens Tri
methylsilanol ausgewählt wird.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3823765A DE3823765A1 (de) | 1988-07-13 | 1988-07-13 | Verfahren zur konservierung der oberflaeche von siliciumscheiben |
US07/368,579 US4973563A (en) | 1988-07-13 | 1989-06-20 | Process for preserving the surface of silicon wafers |
EP89112833A EP0353518B1 (de) | 1988-07-13 | 1989-07-13 | Verfahren zur Konservierung der Oberfläche von Siliciumscheiben |
JP1179184A JPH0278467A (ja) | 1988-07-13 | 1989-07-13 | ケイ素ウェファー表面の保護方法 |
DE58907710T DE58907710D1 (de) | 1988-07-13 | 1989-07-13 | Verfahren zur Konservierung der Oberfläche von Siliciumscheiben. |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3823765A DE3823765A1 (de) | 1988-07-13 | 1988-07-13 | Verfahren zur konservierung der oberflaeche von siliciumscheiben |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3823765A1 true DE3823765A1 (de) | 1990-01-18 |
Family
ID=6358597
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE3823765A Withdrawn DE3823765A1 (de) | 1988-07-13 | 1988-07-13 | Verfahren zur konservierung der oberflaeche von siliciumscheiben |
DE58907710T Expired - Fee Related DE58907710D1 (de) | 1988-07-13 | 1989-07-13 | Verfahren zur Konservierung der Oberfläche von Siliciumscheiben. |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE58907710T Expired - Fee Related DE58907710D1 (de) | 1988-07-13 | 1989-07-13 | Verfahren zur Konservierung der Oberfläche von Siliciumscheiben. |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4973563A (de) |
EP (1) | EP0353518B1 (de) |
JP (1) | JPH0278467A (de) |
DE (2) | DE3823765A1 (de) |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4018984A1 (de) * | 1990-06-13 | 1991-12-19 | Wacker Chemitronic | Verfahren zur herstellung lagerstabiler oberflaechen von polierten siliciumscheiben |
US5219613A (en) * | 1990-06-13 | 1993-06-15 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fur Elektronik-Grundstoffe Mbh | Process for producing storage-stable surfaces of polished silicon wafers |
DE4139205A1 (de) * | 1991-11-28 | 1993-06-03 | Wacker Chemitronic | Verfahren zur herstellung lagerstabiler oberflaechen von siliciumscheiben mit vorteilhaften oxidationseigenschaften |
US5366924A (en) * | 1992-03-16 | 1994-11-22 | At&T Bell Laboratories | Method of manufacturing an integrated circuit including planarizing a wafer |
US5352328A (en) * | 1992-12-15 | 1994-10-04 | At&T Bell Laboratories | Control of time-dependent haze in the manufacture of integrated circuits |
US5580828A (en) * | 1992-12-16 | 1996-12-03 | Semiconductor Physics Laboratory Rt | Method for chemical surface passivation for in-situ bulk lifetime measurement of silicon semiconductor material |
US5733175A (en) | 1994-04-25 | 1998-03-31 | Leach; Michael A. | Polishing a workpiece using equal velocity at all points overlapping a polisher |
US5607341A (en) | 1994-08-08 | 1997-03-04 | Leach; Michael A. | Method and structure for polishing a wafer during manufacture of integrated circuits |
US5516730A (en) * | 1994-08-26 | 1996-05-14 | Memc Electronic Materials, Inc. | Pre-thermal treatment cleaning process of wafers |
US6640816B2 (en) | 1999-01-22 | 2003-11-04 | Micron Technology, Inc. | Method for post chemical-mechanical planarization cleaning of semiconductor wafers |
US5679169A (en) * | 1995-12-19 | 1997-10-21 | Micron Technology, Inc. | Method for post chemical-mechanical planarization cleaning of semiconductor wafers |
JP3324455B2 (ja) * | 1997-07-18 | 2002-09-17 | 信越半導体株式会社 | 珪素系半導体基板の清浄化方法 |
JP2001525612A (ja) * | 1997-11-28 | 2001-12-11 | アリゾナ ボード オブ リージェンツ、アクティング オン ビハーフ オブ アリゾナ ステイト ユニバーシティ | Si、SixGe1−x、GaAsおよび他の半導体上で、長距離に配列された、SiO2含有エピタキシャル酸化物、材料合成とその応用 |
US6884721B2 (en) * | 1997-12-25 | 2005-04-26 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Silicon wafer storage water and silicon wafer storage method |
DE19813757C2 (de) * | 1998-03-27 | 2000-12-14 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung einer mit Fluor belgten Halbleiteroberfläche |
US6168961B1 (en) | 1998-05-21 | 2001-01-02 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process for the preparation of epitaxial wafers for resistivity measurements |
US6220934B1 (en) * | 1998-07-23 | 2001-04-24 | Micron Technology, Inc. | Method for controlling pH during planarization and cleaning of microelectronic substrates |
US6416391B1 (en) | 2000-02-28 | 2002-07-09 | Seh America, Inc. | Method of demounting silicon wafers after polishing |
KR20020006735A (ko) * | 2000-07-13 | 2002-01-26 | 이형도 | 미세 디바이스의 표면처리물질 및 표면처리방법 |
US6361407B1 (en) | 2000-08-02 | 2002-03-26 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method of polishing a semiconductor wafer |
US6709981B2 (en) * | 2000-08-16 | 2004-03-23 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method and apparatus for processing a semiconductor wafer using novel final polishing method |
DE10058305A1 (de) * | 2000-11-24 | 2002-06-06 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur Oberflächenpolitur von Siliciumscheiben |
JP3901094B2 (ja) * | 2001-03-16 | 2007-04-04 | 信越半導体株式会社 | シリコンウエーハの保管用水及び保管方法 |
US6695572B2 (en) | 2001-09-28 | 2004-02-24 | Agere Systems Inc. | Method and apparatus for minimizing semiconductor wafer contamination |
JP4973133B2 (ja) * | 2005-11-10 | 2012-07-11 | 株式会社Sumco | エピタキシャル層の前処理方法およびエピタキシャル層の評価方法並びにエピタキシャル層の評価装置 |
JP4940737B2 (ja) * | 2006-04-11 | 2012-05-30 | 株式会社Sumco | 少数キャリア拡散長測定方法およびシリコンウェーハの製造方法 |
WO2012038457A1 (en) | 2010-09-23 | 2012-03-29 | Nanolith Sverige Ab | Manufacture of structures comprising silicon dioxide on a surface |
CN114664977A (zh) * | 2022-04-01 | 2022-06-24 | 江苏捷捷半导体新材料有限公司 | 一种perc太阳能单晶电池碱抛正面保护工艺 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2900702A (en) * | 1955-12-19 | 1959-08-25 | Bell Telephone Labor Inc | Method of treating silicon surfaces |
DE2247067C3 (de) * | 1972-09-26 | 1979-08-09 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fuer Elektronik-Grundstoffe Mbh, 8263 Burghausen | Verwendung einer Poliersuspension zum schleierfreien Polieren von Halbleiteroberflächen |
JPS5218098B2 (de) * | 1973-05-04 | 1977-05-19 | ||
JPS5613729A (en) * | 1979-07-16 | 1981-02-10 | Oki Electric Ind Co Ltd | Drying method for semiconductor wafer |
US4599243A (en) * | 1982-12-23 | 1986-07-08 | International Business Machines Corporation | Use of plasma polymerized organosilicon films in fabrication of lift-off masks |
US4608097A (en) * | 1984-10-05 | 1986-08-26 | Exxon Research And Engineering Co. | Method for producing an electronically passivated surface on crystalline silicon using a fluorination treatment and an organic overlayer |
DE3517665A1 (de) * | 1985-05-15 | 1986-11-20 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen | Verfahren zum polieren von siliciumscheiben |
DE3540469A1 (de) * | 1985-11-14 | 1987-05-21 | Wacker Chemitronic | Verfahren zum schutz von polierten siliciumoberflaechen |
JPS6345821A (ja) * | 1986-08-13 | 1988-02-26 | Hitachi Tokyo Electron Co Ltd | 蒸気処理装置 |
US4705725A (en) * | 1986-11-28 | 1987-11-10 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Substrates with sterically-protected, stable, covalently-bonded organo-silane films |
JPH084063B2 (ja) * | 1986-12-17 | 1996-01-17 | 富士通株式会社 | 半導体基板の保存方法 |
DE3735158A1 (de) * | 1987-10-16 | 1989-05-03 | Wacker Chemitronic | Verfahren zum schleierfreien polieren von halbleiterscheiben |
-
1988
- 1988-07-13 DE DE3823765A patent/DE3823765A1/de not_active Withdrawn
-
1989
- 1989-06-20 US US07/368,579 patent/US4973563A/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-07-13 JP JP1179184A patent/JPH0278467A/ja active Pending
- 1989-07-13 EP EP89112833A patent/EP0353518B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-07-13 DE DE58907710T patent/DE58907710D1/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0353518A1 (de) | 1990-02-07 |
DE58907710D1 (de) | 1994-06-30 |
JPH0278467A (ja) | 1990-03-19 |
US4973563A (en) | 1990-11-27 |
EP0353518B1 (de) | 1994-05-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3823765A1 (de) | Verfahren zur konservierung der oberflaeche von siliciumscheiben | |
DE19525521B4 (de) | Verfahren zum Reinigen von Substraten | |
DE60304389T2 (de) | Prozess und Zusammensetzung für Rückstandentfernung von der Mikrostruktur eines Objekts | |
EP0438727A2 (de) | Verfahren zur Nasschemischen Behandlung von Halbleiteroberflächen und Lösung zu seiner Durchführung | |
EP2229431B1 (de) | Textur- und reinigungsmedium zur oberflächenbehandlung von wafern und dessen verwendung | |
EP1160360B1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer epitaxierten Halbleiterscheibe | |
DE2822901C2 (de) | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen | |
EP0698917B1 (de) | Verfahren zum Reinigen von Halbleiterscheiben | |
DE112012002437B4 (de) | Verfahren zum Reinigen eines Halbleiterwafers | |
EP2335275A1 (de) | Verfahren zur chemischen behandlung eines substrats | |
EP0344764B1 (de) | Verfahren zur nasschemischen Oberflächenbehandlung von Halbleiterscheiben | |
DE19806406C1 (de) | Verfahren zum Rauhätzen einer Halbleiter-Oberfläche | |
DE102007030957A1 (de) | Verfahren zum Reinigen einer Halbleiterscheibe mit einer Reinigungslösung | |
DE10046933C2 (de) | Verfahren zur Politur von Siliciumscheiben | |
DE69635427T2 (de) | Verfahren zum Trocknen von Substraten | |
DE102004062355A1 (de) | Verfahren zum Behandeln einer Halbleiterscheibe mit einem gasförmigen Medium sowie damit behandelte Halbleiterscheibe | |
EP0742583A2 (de) | Verfahren zum Entfernen beschädigter Kristallbereiche von Siliziumscheiben | |
EP0222400B1 (de) | Verfahren zum Schutz von polierten Siliciumoberflächen | |
AT516576A2 (de) | Verfahren zum Verbinden von zwei Substraten | |
DE2951237A1 (de) | Verfahren zur behandlung von halbleitersubstraten | |
DE69632107T2 (de) | Reinigungslösung für Halbleiteranordnung und Reinigungsmethode | |
DE102017219312A1 (de) | 2-stufiger Trockenätzprozess zur Texturierung kristalliner Siliziumscheiben | |
DE10064081A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe | |
DE10212657A1 (de) | Verfahren zur Reinigung einer Siliciumscheibe nach der Politur | |
DE102018206980A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Reinigung von geätzten Oberflächen eines Halbleitersubstrats |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |