DE3844648C2 - - Google Patents
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- H01L21/3221—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections of silicon bodies, e.g. for gettering
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- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/906—Cleaning of wafer as interim step
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Oberflächenbehandlung
von Halbleiter-Wafern nach dem Oberbegriff des Patentanspruches
1 sowie einer Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
nach dem Oberbegriff des Patentanspruches 8.
Insbesondere dreht es sich um Verfahren und Vorrichtung zum
Reinigen oder Gettern von Halbleiter-Wafern.
Bei der Herstellung von Halbleiteranordnungen muß man die
Halbleiter-Wafer reinigen. Diese Reinigung wird normalerweise
über eine Reinigungsvorrichtung derart ausgeführt, die
schematisch in Fig. 11 dargestellt ist. Wie in dieser
Abbildung gezeigt, läßt man eine rotierende Bürste B über die
Oberfläche eines Halbleiter-Wafers W in Richtung des Pfeiles T
laufen und sich dabei in der mit dem Pfeil R gezeigten Richtung
drehen. Gleichzeitig wird hochreines Wasser auf die Oberfläche
des Wafers W über eine Düse N aufgeprüht.
Bei diesem herkömmlichen Verfahren besteht das Problem, daß
man nur äußerst schwierig ultrafeine Kontaminations-Partikel
entfernen kann, die einen Durchmesser in der Größenordnung von
10 µm oder darunter aufweisen. Weiterhin wird aufgrund der
Reibung zwischen der Bürste B und dem Wafer W die Bürste B
verschlissen und Partikel der Bürste B bleiben an der Oberfläche
des Wafers W hängen. Dies bedeutet, daß die Bürste B
selbst zur Kontaminationsquelle wird. Weiterhin generiert
die Reibung zwischen der Bürste B und der Oberfläche des
Wafers W statische Elektrizität, die dazu führen, daß
Kontaminantien von der Waferoberfläche aufgenommen werden und
die Reinigungs-Effektivität verringern. Aus diesem Grund
besteht ein Bedürfnis für eine Reinigungsmethode, durch welche
ultrafeine Kontraminations-Partikel entfernt werden können,
ohne dabei eine weitere Kontamination oder statische
Elektrizität zu erzeugen.
Die herkömmlichen Getter-Verfahren für Halbleiter-Wafer leiden
unter ähnlichen Problemen. Von außen angreifendes Gettern
eines Halbleiter-Wafers kann über eine Vielzahl von Verfahren
durchgeführt werden. Gemäß einem Verfahren strahlt man
Silizium-Partikel auf die Rückseite des Halbleiter-Wafers
und bildet dadurch eine Verletzungsschicht, die Kristalldefekte
enthält. Bei einer anderen Methode erzeugt man eine Verletzungsschicht
unter Zuhilfenahme einer Quarzbürste. Bei der Strahl-
Methode unter Verwendung von Silizium-Partikeln hängen sich
die Partikel leicht an die Rückseite des Wafers und kontaminieren
den Wafer während darauffolgender Bearbeitungsschritte. Bei der
Methode unter Verwendung einer Quarzbürste werden Partikel
der Bürste über den Kontakt mit dem Wafer abgetragen und neigen
dazu, sich an den Wafer anzuhängen und ihn zu kontaminieren.
Aus der US 46 31 250 ist ein Verfahren nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 bekannt, bei dem man Halbleiter-Wafer
durch Bestrahlung mit einer Mischung aus gefrorenem Kohlendioxid
und Wasser - jeweils als kleine Partikel vorliegend -
reinigt. Die Reinigungswirkung der bekannten Vorrichtung
wird jedoch insofern als nicht vollkommen erachtet, als zumindest
durch elektrostatische Aufladung Kontaminationspartikel an
den Halbleiter-Wafern haften bleiben.
Aus der US 36 76 963 ist es bekannt, daß man Gegenstände mit
Eispartikeln, die ggf. darin gelöste Substanzen enthalten,
bestrahlen und dadurch reinigen kann.
Aus der DE-OS 25 43 019 ist es bekannt, daß die Verwendung von
Kohlendioxid Nachteile mit sich bringen kann, wenn das Kohlendioxid
zusammen mit Wasser verwendet wird.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, Verfahren und Vorrichtung
der eingangs genannten Art dahingehend weiterzubilden,
daß eine verbesserte Reinigungswirkung erzielbar ist.
Diese Aufgabe wird verfahrensmäßig durch die im Kennzeichen des
Anspruches 1 und vorrichtungsmäßig durch die im Kennzeichen des
Anspruches 8 angegebenen Merkmale gelöst.
Bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung ergeben sich aus den
Unteransprüchen.
Im folgenden werden bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung
anhand von Abbildungen näher erläutert. Hierbei zeigen
Fig. 1 eine schematische Darstellung einer ersten
bevorzugten Ausführungsform einer Behandlungsvorrichtung
für Wafer zum Reinigen eines
Halbleiter-Wafers;
Fig. 2 eine schematische Darstellung einer zweiten
bevorzugten Ausführungsform der Erfindung
ebenfalls zum Reinigen eines Halbleiter-
Wafers;
Fig. 3 eine schematische Darstellung einer dritten
bevorzugten Ausführungsform der Erfindung
zum Reinigen von Halbleiter-Wafern;
Fig. 4 eine schematische Darstellung einer vierten
bevorzugten Ausführungsform der Erfindung
zum Gettern eines Halbleiter-Wafers;
Fig. 5 eine schematische Darstellung einer fünften
bevorzugten Ausführungsform der Erfindung,
die sowohl zum Gettern als zum Reinigen
eines Halbleiter-Wafers verwendet werden kann;
Fig. 6 eine schematische Darstellung von Eis-überzogenen
Strahl-Partikeln, die bei der Ausführungsform
nach Fig. 6 erzeugt werden;
Fig. 7 eine schematische Darstellung einer sechsten
bevorzugten Ausführungsform der Erfindung
zum Reinigen eines Halbleiter-Wafers;
Fig. 8 eine graphische Darstellung der Beziehung
zwischen Durchmesser von gefrorenen Partikeln,
die bei einer Anordnung nach Fig. 8 entstehen
und der Temperatur innerhalb der Frierkammer;
Fig. 9 eine photomikroskopische Aufnahme von Eispartikeln,
die mit einer Anordnung nach Fig. 2
hergestellt wurden;
Fig. 10 eine photomikroskopische Aufnahme von Eispartikeln,
die mit einer Vorrichtung nach
Fig. 8 erzeugt wurden; und
Fig. 11 eine schematische, perspektivische Ansicht
einer herkömmlichen Anordnung zum Reinigen
eines Halbleiter-Wafers mittels einer
rotierenden Bürste.
In den Abbildungen werden für entsprechende Teile dieselben
Bezugsziffern verwendet.
Im folgenden wird eine erste bevorzugte Ausführungsform einer
Bearbeitungsvorrichtung für Halbleiter-Wafer aufgezeigt, wobei
Bezug auf Fig. 1 genommen wird, die eine schematische Darstellung
dieser ersten bevorzugten Ausführungsform einer Reinigungsvorrichtung
für Halbleiter-Wafer zeigt. Wie in Fig. 1 dargestellt,
ist eine Frierkammer 1 mit einem Reservoir 2 für flüssigen
Stickstoff verbunden, die flüssigen Stickstoff 3 der Innenseite
der Frierkammer 1 zuführt. Die Frierkammer 1 weist einen Querschnitt
von 400 mm×400 mm und eine Höhe von 1200 mm auf.
Der flüssige Stickstoff 3 füllt die Frierkammer 1 (teilweise)
bis zu einer Höhe von 500 mm. Ein Diffusor 4, der im flüssigen
Stickstoff 3 untergetaucht ist, ist mit dem Reservoir 2 für
den flüssigen Stickstoff über einen Wärmetauscher 5 verbunden.
Flüssiger Stickstoff, der durch den Wärmetauscher 5 fließt,
verdampft und bildet Stickstoffgas, das aus dem Diffusor 4 mit
einer Rate von etwa 300 Litern pro m² pro Minute ausgeblasen
wird, so daß sich Wellen mit einer Höhe von wenigen Millimetern
auf der Oberfläche des flüssigen Stickstoffes 3 bilden. Ein
Vernebler 6 ist an der Oberseite der Frierkammer 1 montiert.
Reines Wasser aus einem Reservoir 7 für reines Wasser wird
dem Vernebler 6 mit einem Druck von 0,196 MPa (2 kp/cm²) und einer Rate von
0,1 Litern pro Minute zugeführt und zwar zusammen mit Stickstoffgas,
das im Wärmetauscher 5 aus dem flüssigen Stickstoff
gebildet wurde, wobei das Gas einen Druck von 0,196 MPa (2 kp/cm²) und
eine Rate von 8 l pro Minute bei 0,981 bar (8 "Normalliter") aufweist. Das reine Wasser aus
dem Behälter 7 wird vom Vernebler 6 in Richtung auf den
flüssigen Stickstoff 3 in Form eines Nebels ausgeblasen.
Beim Eintritt in den flüssigen Stickstoff 3 friert der Nebel
aus reinem Wasser unmittelbar und bildet ultrafeine Eispartikel
8. Unter den gegebenen Verneblerbedingungen weisen die Partikel
8 einen Durchmesser in der Größenordnung von 10 µm auf. Der
Durchmesser der Eispartikel 8 kann durch Veränderung der Verneblerbedingungen
oder durch Veränderung der Verweildauer im
flüssigen Stickstoff 3 variiert werden.
Der Boden der Frierkammer 1 ist mit einem Bunker 10 über einen
Schneckenförderer 9 verbunden, der Eispartikel 8 aus der Frierkammer
1 in den Bunker 10 fördert. Der Bunker 10 ist weiterhin
mit einer Hochdruckgasejektor-Strahldüse 11 verbunden. Die
Eispartikel 8 aus dem Bunker 10 werden der Strahldüse 11 zugeführt
und aus der Düse 11 mit einer Rate von 0,3 Litern pro Minute
über Hochdruckstickstoffgas ausgestrahlt, das der Düse
11 aus dem Behälter 2 für flüssigen Stickstoff über den Wärmetauscher
5 mit einem Gasdruck von 0,49 MPa (5 kp/cm²) und einer Rate von
1 m³ pri Minute bei 0,981 bar ("Normalkubikmeter") zugeführt wird. Die Strahldüse 11 ist über
der Oberfläche eines Halbleiter-Wafers 12 derart befestigt,
daß der Strahl von Eispartikeln 8 aus der Düse 11 die Oberfläche
des Wafers 12 trifft.
Es gibt keine Beschränkungen bei der Positionierung der
Strahldüse 11. Vorzugsweise ist diese jedoch so positioniert,
daß die feinen Eispartikel 8 die Oberfläche des Halbleiter-
Wafers 12 unter einem Winkel von 30 bis 80° relativ zur Oberfläche
des Wafers 12 treffen, so daß der Impuls der Eispartikel 8
gegenüber dem Wafer 12 vergrößert wird. Wenn die Strahldüse 11
rechtwinklig zur Oberfläche des Wafers 12 angeordnet ist, so
ergibt sich eine Verminderung der Energie der Partikel 8.
Dies rührt daher, daß nach dem Ausstrahlen der feinen Eispartikel
8 zusammen mit dem Stickstoffgas aus der Strahldüse 11
diese auf die Oberfläche des Wafers 12 auftreffen und in den
Weg der einfallenden Partikel 8 zurückgeworfen werden. Wenn
die Düse 11 jedoch bezüglich des Wafers 12 wie in Fig. 2
gezeigt geneigt angeordnet ist, so kommen die Eispartikel 8
und das Stickstoffgas, die von der Oberfläche des Wafers 12
zurückgeworfen werden, nicht in Kollision mit den einfallenden
Eispartikeln 8, so daß die Energie der einfallenden Eispartikel
8 maximiert werden kann, wodurch wiederum der Reinigungseffekt
der Eispartikel 8 gesteigert wird.
Feine Verunreinigungspartikel 8, die an der Oberfläche des
Halbleiter-Wafers 12 hängen, werden durch den Impuls der feinen
Eispartikel 8 fortgeblasen, die aus der Strahldüse 11 ausgeblasen
werden. Gleichzeitig schmelzen die Eispartikel 8 teilweise
und bilden Wasser, das als Spülmittel für die Verunreinigungen
auf der Oberfläche des Wafers 12 dient. Das Wasser
lädt außerdem die statische Elektrizität von der Oberfläche
des Wafers 12 ab und verhindert die Entstehung von Staub.
Da bei der Reinigungsvorrichtung keine
Reinigungsbürste Verwendung findet, wird der Halbleiter-Wafer
12 nicht durch Partikel kontaminiert, die von der Bürste abgetragen
werden. Dadurch kann die Oberfläche des Wafers 12
effektiver als bisher gereinigt werden. Darüber hinaus ergibt
sich keine statische Elektrizität durch eine Reibung zwischen
dem Wafer 12 und einer Reinigungsbürste.
Gemäß Anspruch 1
bildet man die Eispartikel 8 aus ultrareinem Wasser,
das Kohlendioxidgas (gelöst) enthält. Durch das Einführen von
Kohlendioxidgas in das ultrareine Wasser sinkt der spezifische
Widerstand der Eispartikel bis unter 1 MOhm · cm oder darunter.
Wenn das Eis schmilzt, so weist das Wasser einen sehr niedrigen
spezifischen Widerstand auf, was wiederum die Entstehung von
statischer Elektrizität in noch effektiverer Weise verhindert.
Darüber hinaus kann Wasser, das Kohlendioxid enthält, Mikroorganismen
abtöten, was insbesondere ein Zuwachsen der
verschiedenen Vorrichtungsteile verhindert.
Fig. 2 zeigt schematisiert eine zweite bevorzugte Ausführungsform
der Erfindung, die ebenfalls zur Reinigung von Halbleiter-
Wafern dient. Diese Ausführungsform unterscheidet sich von der
nach Fig. 1 darin, daß ein Gebläseheizer 14a vorgesehen ist,
der so angeordnet ist, daß er saubere, warme Luft 15 über
den zu behandelnden Halbleiter-Wafer 12 und gegen die Eispartikel
8 bläst, wenn sich diese auf ihrem Weg von der Strahldüse 11
zur Oberfläche des Wafers 12 befinden. Die warme Luft 15 weist
eine Temperatur von etwa 5 bis 80°C auf. Diese warme Luft 15
dient dazu, die Eispartikel 8 auf ihrem Weg in Richtung auf
den Wafer 12 anzuschmelzen und in ihrem Durchmesser zu verkleinern.
Als Resultat des Schmelzprozesses kann der Durchmesser
der Eispartikel 8 auf ein Zehntel bis ein Hundertstel des
Durchmessers gebracht werden, den die Eispartikel beim Verlassen
der Strahldüse 11 aufweisen. Durch Kontrolle der Geschwindigkeit
und der Temperatur der warmen Luft 15 kann der
Durchmesser der Partikel auf jede gewünschte Größe gebracht
werden. Dadurch, daß man den Durchmesser der Eispartikel 8
reduziert, ist es möglich, ultrafeine Verunreinigungspartikel
18 von der Oberfläche des Wafers 12 zu entfernen, die einen
Durchmesser unterhalb 1 µm aufweisen. Im übrigen entspricht
die Wirkungsweise dieser bevorzugten Ausführungsform derjenigen
nach Fig. 2.
Fig. 3 zeigt eine schematische Darstellung einer dritten
bevorzugten Ausführungsform der Erfindung, die von derjenigen
nach Fig. 2 sich dadurch unterscheidet, daß das Heizgebläse 14a
durch eine Wärmeplatte 14b ersetzt ist, die unter dem zu
reinigenden Halbleiter-Wafer 12 sitzt. Mittels der Heizplatte 14b
wird die Wafer-Temperatur so geregelt, daß sie zwischen Raumtemperatur
und etwa 200°C liegt. Durch die Einstellung der
Wafer-Temperatur kann der Durchmesser der Eispartikel 8,
welche die Oberfläche des Wafers 12 treffen, gesteuert werden.
Durch eine geeignete Reduzierung des Durchmessers der Eispartikel
8 können ultrafeine Verunreinigungspartikel 18 vom
Wafer 12 entfernt werden.
Auch bei den Ausführungsformen nach den Fig. 2 und 3 werden die
Eispartikel 8 aus ultrareinem Wasser hergestellt, das
Kohlendioxid enthält, um den spezifischen Widerstand der
Eispartikel 8 zu verringern. Solche Eispartikel 8 bieten dieselben
Vorteile, wie sie in Zusammenhang mit Fig. 1 bereits
beschrieben wurden.
Fig. 4 zeigt eine schematisierte Darstellung einer weiteren
bevorzugten Ausführungsform der Erfindung, wobei diese Anordnung
zum Außen-Gettern eines Halbleiter-Wafers 12 dient.
Die Struktur dieser Ausführungsform unterscheidet sich von
der Ausführungsform nach Fig. 1 lediglich darin, daß die
Strahldüse 11 nunmehr feine Eispartikel 8 auf die Rückseite
des Halbleiter-Wafers 12 strahlt anstatt auf die Vorderfläche.
Wie bei der vorherigen Ausführungsform ist die Strahldüse 11
vorzugsweise in einem Winkel von 30 bis 80° zur Oberfläche
des Wafers 12 geneigt. Der Durchmesser der Eispartikel 8 kann
über die Vernebelungsbedingungen leicht gesteuert werden.
Wenn man z. B. reines Wasser dem Vernebler mit einem Druck
von 0,196 MPa (2 kp/cm²) und einer Rate von 0,1 Liter pro Minute zusammen
mit Stickstoffgas unter einem Druck von 0,118 MPa (1,2 kp/cm²) und einer
Rate von 4,5 l pro Minute bei 0,981 bar (4,5 "Normalliter") zuführt, so entstehen Eispartikel 8
mit einem Durchmesser in der Größenordnung von 70 bis 80 µm.
Wenn solche Eispartikel 8 aus der Strahldüse 11 auf die
Rückseite des Wafers 12 gestrahlt werden und auf den Wafer 12
auftreffen, so entsteht eine Verletzungsschicht 12 a mit
Gitterdefekten auf der Rückseite des Wafers 12 und der Getter-
Prozeß kann sehr effektiv durchgeführt werden.
Bei dieser Ausführungsform werden Eispartikel 8 anstelle von
Siliziumpartikeln oder einer Quarzbürste zur Herstellung von
Gittedefekten auf der Rückseite des Wafers 12 verwendet.
Aus diesem Grund ergeben sich beim Gettern keine Verunreinigungspartikel,
die den nachfolgenden Bearbeitungsprozeß stören
könnten.
Wie bei den zuvor beschriebenen Ausführungsformen stellt
man die Eispartikel 8 aus hochreinem Wasser
her, das Kohlendioxid enthält und einen spezifischen
Widerstand von höchstens 1 MOhm · cm aufweist.
Jede der zuvor gezeigten Ausführungsformen der vorliegenden
Erfindung kann entweder zum Reinigen oder zum Gettern eines
Halbleiter-Wafers dienen. Fig. 5 ist eine schematische Darstellung
einer fünften bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung, wobei diese Anordnung zur Durchführung
beider Prozesse dient. Wie in der Abbildung gezeigt, ist die
Frierkammer 20 durch eine Vertikaltrennung 20e in eine erste
Eismaschine 21 und eine zweite Eismaschine 22 unterteilt, die
beide 400 mm×400 mm im Querschnitt aufweisen und eine Höhe
von 1500 mm haben. Die erste Eismaschine 21 ist weiterhin
in zwei Kammern 20a und 20b über ein Sieb 27a geteilt, das
sich von den Wänden der Kammer 20a in Richtung auf deren
Zentren neigt. Die erste Eismaschine 21 bildet Eispartikel 28,
die Schleifpartikel 33 als Kerne aufweisen. Diese Eispartikel 33
werden im folgenden als Eis-überzogene Strahlpartikel bezeichnet.
Die zweite Eismaschine 22 ist ähnlich in zwei Kammern 20c und
20d durch ein weiteres Gitter 27b unterteilt. Die Kammer 20e
weist eine Auslaßöffnung 37 auf, die sich aus der Frierkammer 20
erstreckt. Die zweite Eismaschine 22 bildet ultrareine Eispartikel
29 aus ultrareinem Wasser 34.
Ein Luftfilter 38 ist am oberen Abschnitt der Trennwand 20e
vorgesehen, so daß Gas aus der ersten Eismaschine 21 in die
zweite Eismaschine 22 strömen kann. Ein erster Vernebler 23
ist am Oberende der Kammer 20e der ersten Eismaschine 21
angebracht, ein zweiter Vernebler 24 ist an der Oberseite der
Kammer 20c der zweiten Eismaschine 22 angebracht. Eine Einlaßöffnung
des ersten Verneblers 23 ist mit einem Druckgefäß 4
verbunden, das eine unter Druck befindliche Mischung von
Wasser 46 und Schleifpartikeln 33, wie z. B. Siliziumpulver
enthält. Ein Einlaß des zweiten Verneblers 24 ist mit einem
Druckgefäß 26 verbunden, das unter Druck stehendes ultrareines
Wasser 34 enthält. Die Innenseite der Druckgefäße 25 und 26
sind mit Stickstoffgas unter Druck gesetzt, das von einer
nicht gezeigten Quelle zugeführt wird. Das Druckgefäß 25
für die Mischung aus Wasser und Schleifpartikeln umfaßt einen
Diffusor 32 unter der Oberfläche der Mischung. Stickstoffgas
wird in den Diffusor 32 von der Stickstoffgasquelle eingeführt.
Ein Auslaßventil 45, das mit der Innenseite und der Außenseite
des Druckgefäßes 25 in Verbindung steht, ist auf der Oberseite
des Gefäßes angebracht, und zwar oberhalb des Oberflächenpegels
der Mischung.
Der Bodenabschnitt der Kammer 20b der ersten Eismaschine 21
ist dort, wo sich die Eis-überzogenen Strahlpartikel 28
ansammeln, mit einer ersten Strahldüse 35 verbunden, um dieser
Eis-überzogene Strahlpartikel 28 zuzuführen. Der Bodenabschnitt
der Kammer 20c der zweiten Eismaschine 22 ist mit einer zweiten
Strahldüse 36 verbunden, um dieser ultrareine Eispartikel 29
zuzuführen. Die Strahldüsen 35 und 36 sind Hochdruckgasstrahldüsen,
die mit einer nicht gezeigten Stickstoffgasquelle verbunden
sind. Ein Transportband 44 zum Transportieren von Halbleiterwafern
39 und zu deren Positionierung unterhalb der
Strahldüsen 35 und 36 ist unter der Frierkammer 20 angebracht.
In der Abbildung sind zwar die zwei Strahldüsen 35 und 36
vertikal angeordnet, jedoch sind sie vorzugsweise in einem
Winkel von 30 bis 80° bezüglich der Ebene der Halbleiter-Wafer
39 geneigt und zwar aus den Gründen, die bereist oben näher
erläutert wurden.
Die Kammer 20a der ersten Eismaschine 21 umschließt ein
Reservoir 30 für flüssigen Stickstoff. Das Reservoir 30 ist
mit flüssigem Stickstoff 31 gefüllt, der von einer nicht dargestellten
Quelle zugeführt wird. Ein Diffusor 32 ist im
flüssigen Stickstoff 31 untergetaucht und mit einer nicht
gezeigten Quelle für Stickstoffgas verbunden.
Die Wirkungsweise der Vorrichtung wird im folgenden beschrieben.
Stickstoffgas wird aus dem Diffusor 32 ausgeblasen in den
flüssigen Stickstoff 31 des Reservoirs 30 für flüssigen
Stickstoff. Ein Teil des flüssigen Stickstoffs 31 wird auf
diese Weise verdampft und bildet kaltes Stickstoffgas. Das
kalte Stickstoffgas dringt durch das Sieb 27a und tritt in
die Kammer 20b der ersten Eismaschine 21 ein.
Gleichzeitig wird im Druckgefäß 25 die Mischung aus Wasser
46 und Schleifpartikel 33 ständig gerührt, so daß die Schleifpartikel
durch das Stickstoffgas, das aus dem Diffusor 32
hochperlt, suspendiert bleiben. Die Perl-Rate des Stickstoffs
wird durch das Ausblasventil 34 gesteuert bzw. geregelt. Die
wäßrige Mischung wird dem ersten Vernebler 33 unter einem
Gasdruck von beispielsweise 0,392 MPa (4 kp/cm²) und mit einer Rate von
0,2 Liter pro Minute zugeführt. Gleichzeitig wird Stickstoffgas
dem ersten Vernebler 23 mit einem Gasdruck von 0,392 MPa (4 kp/cm²)
und einer Rate von 20 Litern pro Minute zugeführt. Als Resultat
wird eine Mischung von Wasser 46 und Schleifpartikeln 33 aus
dem ersten Vernebler 23 in die Kammer 20b als feiner Nebel
eingesprüht. Der Nebel unterliegt einem Wärmeaustausch mit
dem kalten Stickstoffgas, das in der Kammer 20a erzeugt
wurde und friert zu Eis-überzogenen Strahlpartikeln 28, die
sich auf dem Sieb 27a sammeln.
Unter diesen Vernebelungsbedingungen weisen die Eis-überzogenen
Strahlpartikel 28 einen Partikeldurchmesser von etwa 70 µm
auf. Die Anzahl von Schleifpartikeln 33 in jedem der Eis-
überzogenen Schleifpartikel 28 hängt von der Größe der Schleifpartikel
33 ab, jedoch sind im allgemeinen mehrere Schleifpartikel
33 darin enthalten. Die Anzahl von Schleifpartikeln 33
in jedem Eis-überzogenen Schleifpartikel 28 kann durch Einstellung
des Verhältnisses von Wasser 46 zu Schleifpartikeln 33
im Druckgefäß 25 eingestellt werden. Weiterhin kann der
Partikeldurchmesser der Eis-überzogenen Schleifpartikel 28
durch Steuerung der Rate eingestellt werden, mit welcher die
wäßrige Mischung und Stickstoffgas dem ersten Vernebler 23
zugeführt werden. Die Fig. 6 zeigt schematisch einen Eis-
überzogenen Schleifpartikel 28, der von der ersten Eismaschine
21 erzeugt wird.
Das kalte Stickstoffgas, das zur Bildung der Eis-überzogenen
Schleifpartikel 28 verwendet wurde, gelangt dann durch das
Luftfilter 38 in die Kammer 20c der zweiten Eismaschine 22.
Gleichzeitig wird ultrareines Wasser 34 aus dem Druckgefäß 46
dem zweiten Vernebler 24 unter einem Flüssigkeitsdruck von 0,392 MPa (4 kp/cm²)
mit einer Rate von 0,1 Liter pro Minute zugeführt.
Stickstoffgas wird weiterhin unter einem Gasdruck von 0,392 MPa (4 kp/cm²)
mit einer Rate von 40 Litern pro Minute zugeführt. Ein Nebel
von ultrareinem Wasser wird dadurch vom zweiten Vernebler 24
in die Kammer 20c eingeblasen. Der Nebel von ultrareinem
Wasser unterliegt einem Wärmeaustausch mit dem kalten Stickstoffgas
und friert zu ultrareinen Eispartikeln 29, die sich
auf dem Sieb 27b am Boden der Kammer 20c ansammeln. Das kalte
Stickstoffgas, das zur Bildung der Partikel verwendet wurde,
gelangt durch das Netz 27b und wird von der Kammer 20d über
die Auslaßöffnung 37 abgezogen. Unter den gegebenen Sprühbedingungen
weisen die gebildeten ultrareinen Eispartikel 29
einen Durchmesser von etwa 40 µm auf. Der Partikeldurchmesser
kann durch Variation der Rate eingestellt werden, mit welcher
ultrareines Wasser 34 und Stickstoffgas dem zweiten Vernebler
24 zugeführt werden.
Das Gettern und Reinigen des Halbleiter-Wafers mittels der
gezeigten Vorrichtung läuft wie folgt ab. Eine Anzahl von
Halbleiter-Wafern 39 wird auf dem Transportband 44 positioniert
und zwar mit ihrer Rückseite nach oben. Das Transportband 44
transportiert jeden Wafer 39 in eine vorbestimmte Position
in der Nähe der ersten Strahldüse 35 und Eis-überzogene Strahlpartikel
28, die sich auf dem Sieb 27a gesammelt haben, werden
von der ersten Strahldüse 35 auf die Rückseite der Wafer 39
über Stickstoffgas gestrahlt. Stickstoffgas wird der ersten
Strahldüse 35 unter einem Gasdruck von 0,49 MPa (5 kp/cm²), mit einer Rate
von 1 m³ pro Minute zugeführt und Eis-überzogene Strahlpartikel
28 werden mit einer Rate von 0,3 Litern pro Minute ausgestoßen.
Die Partikel 28 schlagen auf die Rückseite der Wafer 39 auf
und führen den Getter-Prozeß aus, indem sie eine Störschicht
47 mit Kristalldefekten erzeugen.
Nach dem Gettern kann eine geringe Menge von Fragmenten 43
der Schleifpartikel 33 auf der Rückseite der Halbleiter-Wafer
39 haften. Dementsprechend werden die gerade dem Getter-Prozeß
unterworfenen Halbleiter-Wafer 39 vom Transportband 44 in
Pfeilrichtung verfahren und zwar in vorgeschriebene Positionen
in der Nähe der zweiten Strahldüse 36. In dieser Position
werden ultrareine Eispartikel 29 auf die Rückseite der Wafer 39
über die zweite Strahldüse 36 aufgestrahlt und alle Verunreinigungen
werden so vom Wafer 39 abgewaschen.
Durch eine entsprechende Trennung zwischen der ersten Strahldüse
35 und der zweiten Strahldüse 36 oder durch eine Trennwand
oder einen Luftvorhang 47 zwischen den Düsen kann man
gleichzeitig den Getter- und den Reinigungsprozeß an zwei
verschiedenen Halbleiter-Wafern 37 durchführen, ohne daß
Eis-überzogene Strahlpartikel 28 aus der ersten Strahldüse 35
auf einen Wafer 39 fallen, der gerade von der zweiten Strahldüse
36 gereinigt wird.
Die Eis-überzogenen Strahlpartikel 28, die bei dieser Ausführungsform
der Erfindung zur Einbringung von Gitterdefekten
verwendet werden, wirken wesentlich vorteilhafter als Schleifpartikel
alleine, da sie zwar dieselben Auftreffimpulskräfte
erzeugen wie Schleifpartikel, die Beschichtung mit Eis über
den Schleifpartikeln aber ein Eindringen in die Oberfläche der
Wafer 39 verhindern, so daß die nachfolgende Reinigung der
Waferoberfläche leichter wird. Weiterhin bricht dann, wenn
die Eis-überzogenen Strahlpartikel 28 auf die Oberfläche des
Wafers 39 treffen, die Eisbeschichtung und die daraus entstehenden
Eisfragmente unterstützen das Abwaschen der Partikel
33 von der Oberfläche des Wafers 39. Wenn die Eisfragmente
schmelzen, so wirken sie als Spülmittel für die Verunreinigungen
und unterdrücken zusätzlich die Bildung von Staub. Die ultrareinen
Eispartikel 29, die zum Reinigen der Oberfläche des
Wafers 39 verwendet werden, bieten dieselben Effekte wie bei
den vorbeschriebenen Ausführungsformen der Erfindung.
Auch bei dieser Ausführungsform der Erfindung wird
zur Bildung von ultrareinen
Eispartikeln 28 und Eis-überzogenen Strahlpartikeln 29 ultrareines
Wasser verwendet, das Kohlendioxid enthält und
das einen spezifischen Widerstand von höchstens 1 MOhm · cm
aufweist, wobei dieselben Vorteile wie oben beschrieben erzielt
werden.
Bei den Ausführungsformen nach den Fig. 1 bis 5 werden Eispartikel
gebildet, indem man einen Wassernebel in flüssigen
Stickstoff sprüht. Bei der so beschriebenen Methode zur Herstellung
von Eispartikeln besteht eine praktische Grenze
des erreichbaren Minimalpartikeldurchmessers. Es ist hier sehr
schwer, den Partikeldurchmesser bis unter 20 µm zu senken.
Um jedoch ultrafeine Verunreinigungspartikel mit einem
Partikeldurchmesser im Bereich von unter 1 µm zu entfernen,
zum Entgraten und zum Behandeln empfindlicher Teile, die
präzis bearbeitet werden müssen oder von Teilen, die geringstfügige
Oberflächenunregelmäßigkeiten aufweisen, muß man
Partikel verwenden, die einen Durchmesser von höchstens einigen
Mikrometern aufweisen.
Weiterhin weisen die mit den in den Fig. 1 bis 5 beschriebenen
Vorrichtungen erzeugten Partikel eine große Streubreite
hinsichtlich des Partikeldurchmessers auf, so daß diese
Streubreite beim Reinigen und beim Gettern wieder zum Vorschein
tritt. Insbesondere dann, wenn empfindliche Teile
behandelt werden, besteht die Gefahr einer Verletzung der
behandelten Oberfläche durch Partikel mit größerem Durchmesser.
Fig. 7 zeigt eine sechste bevorzugte Ausführungsform der
Erfindung zum Reinigen eines Halbleiter-Wafers, die ultrafeine
Eispartikel mit extrem uniformen Partikeldurchmesser unterhalb
1 µm herstellen kann. Wie in dieser Figur gezeigt, ist eine
abgedichtete Verdampfungskammer 50 teilweise mit einer
Flüssigkeit gefüllt, die in gefrorene Partikel überführt
werden soll, in diesem Fall mit Wasser 51. Eine Heizanordnung
54 zum Verdampfen des Wassers 51 ist unter dem Boden der
Verdampfungskammer 50 angeordnet. Ein Thermometer 52 und ein
Druckmeßfühler 53 zum Messen von Temperatur bzw. Druck des
Dampfes in der Kammer 50 sind außerhalb der Verdampfungskammer
50 angeordnet mit ihren Fühlabschnitten im Inneren der Verdampfungskammer
50 über dem Oberflächenpegel des Wassers 51.
Die Menge von gesättigtem Wasserdampf in der Verdampfungskammer
50 hängt von der Temperatur und dem Druck in der Verdampfungskammer
50 ab. Bei dieser Ausführungsform der Erfindung wird
die Menge von gesättigtem Wasserdampf über eine Einstellung
der Wärmeleistung des Heizers 54 in Übereinstimmung mit der
Temperatur und dem Druck eingestellt, die über das Thermometer
52 bzw. den Druckfühler 53 gemessen werden.
Der obere Abschnitt der Verdampfungskammer 50 ist mit einer
Frierkammer 55 über ein Steuerventil 56 verbunden. Die
Frierkammer 55 weist im wesentlichen die Form eines stumpfen
Kegels auf. Wasserdampf aus der Verdampfungskammer 50, der
durch das Fluß-Steuerventil 56 gelangt, tritt in die Frierkammer
55 über ein Reduzierstück 57 ein, das an seinem einen
Ende mit der Kammer 55, am anderen Ende mit der Auslaßseite
des Ventils 56 verbunden ist. Der Innendurchmesser des Reduzierstücks
57 nimmt progressiv von dem Ende, an dem es mit dem
Fluß-Steuerventil 56 verbunden ist, in Richtung auf das Ende
ab, das mit der Frierkammer 55 verbunden ist, so daß ein
Druckgefälle zwischen der Verdampfungskammer 50 und der
Frierkammer 55 entsteht. Ein Heizer 59 ist in der Nähe des
Steuerventils 56 und des Reduzierstücks 57 angeordnet, so daß
er den dort durchfließenden Dampf aufheizen kann. Das entgegengesetzte
Ende der Frierkammer 55 ist mit einer Strahldüse
61 verbunden. Eine Zweiphasen-Kühlmischung umfassend flüssigen
Stickstoff und Stickstoffgas wird der Innenseite der Frierkammer
55 über eine Kühlmittelzuführung 58 zugeführt. Der
Innendruck der Kühlkammer 55 wird über einen Druckfühler 60
überwacht, der mit der Frierkammer 55 verbunden ist.
Das Fluß-Steuerventil 56 und der Heizer 59 bilden zusammen
Mittel zum Steuern des Druckes des Wasserdampfes, der in
der Frierkammer 55 eintritt. Der Druck des Wasserdampfes
kann entweder durch die Einstellung der Flußrate von Wasserdampf
eingestellt werden, indem man die Öffnung des Fluß-
Steuerventils 56 verändert, oder aber durch Einstellung der
Temperatur des Wasserdampfes mittels des Heizers 59. Der
Heizer 59 verhindert außerdem eine Kondensation des Wasserdampfes,
wenn dieser durch das Fluß-Steuerventil 56 und das
Reduzierstück 57 strömt. Nachdem sowohl das Fluß-Steuerventil
56 als auch der Heizer 59 den Dampfdruck kontrollieren können,
kann man - falls gewünscht - eines der beiden Elemente fortlassen.
Ein Halbleiter-Wafer 62 wird in der Nähe der Strahldüse 61
positioniert, so daß ultrafeine Eispartikel, die aus der
Strahldüse 61 ausgeworfen werden, die Oberfläche des Wafers
62 treffen. Wenn bei dieser Ausführungsform die Strahldüse 61
auch relativ zum Wafer 62 rechtwinklig angeordnet ist, so ist
es doch von Vorteil, wenn - wie bei den zuvor gezeigten
Ausführungsformen der Erfindung - die Strahldüse 61 in einem
Winkel von 30 bis 70° bezüglich der Oberfläche des Wafers 62
geneigt ist.
Die Wirkungsweise bei dieser Ausführungsform der Erfindung
ist wie folgt. Anfänglich ist das Fluß-Steuerventil 56
geschlossen und Wasser 51 wird über den Heizer 54 aufgeheizt,
so daß Wasserdampf entsteht. Beim Aufheizen werden Temperatur
und Druck in der Verdampfungskammer 50 über das Thermometer 52
und den Druckfühler 53 überwacht. Wenn der Dampfdruck in der
Verdampfungskammer 50 einen geeigneten Wert erreicht, der
über das Thermometer 52 und den Druckfühler 53 überwacht wird,
so wird das Fluß-Steuerventil 56 geöffnet. Gleichzeitig wird
der Heizer 59 angeschaltet, so daß das Fluß-Steuerventil 56
und das Reduzierstück 57 auf eine geeignete Temperatur aufgeheizt
werden. Wenn das Fluß-Steuerventil 56 geöffnet wird,
so tritt in der Verdampfungskammer 50 erzeugter Dampf in die
Frierkammer 55 über das Fluß-Steuerventil 56 und das Reduzierstück
57. Gleichzeitig wird die Kühlmischung aus flüssigem
Stickstoff und Stickstoffgas in die Frierkammer 55 über die
Kühlmittelzuführung 58 eingelassen. Der Wasserdampf, der in
die Frierkammer 55 eintritt, wird äußerst schnell über die
Kühlmischung gekühlt und gefriert zu ultrafeinen Eispartikeln.
Der Partikeldurchmesser der dabei entstehenden Eispartikel
hängt von der Kühlrate des Wasserdampfes innerhalb der Kühlkammer
55 ab. Je höher die Kühlrate, desto geringer ist der
Partikeldurchmesser. Wenn man somit eine hohe Kühlrate verwendet,
so kann man ultrafeine Eispartikel erzeugen.
Mit der in Fig. 7 gezeigten Ausführungsform der Erfindung
wurden Experimente durchgeführt, wobei das Kühlmittel eine
Mischung aus flüssigem Stickstoff und Stickstoffgas war,
um die Beziehung zwischen Partikeldurchmesser der in der
Frierkammer 55 gebildeten Eispartikel und der Kühlrate festzustellen.
Wenn alle übrigen Bedingungen konstant bleiben,
so nimmt der Partikeldurchmesser mit abnehmender Temperatur
logarithmisch ab, vergl. die Fig. 8. Durch Steuerung der Kühlgeschwindigkeit
kann der Partikeldurchmesser der Eispartikel leicht zwischen
0,1 und 10 µm eingestellt werden. Der Partikeldurchmesser
ist weiterhin eine Funktion der Geschwindigkeit, der Flußrate
und des Druckes des Wasserdampfes, der in die Frierkammer 55
eintritt. Aus diesem Grund kann man den Partikeldurchmesser
durch eine geeignete Einstellung folgender Elemente (einzeln
oder zusammen) bestimmen: Fluß-Steuerventil 56; Wärmeleistung
des Heizers 54 für die Verdampfungskammer 50; Wärmeleistung
des Heizers 59 für das Fluß-Steuerventil 56.
Die ultrafeinen Eispartikel, die in der Frierkammer 55 gebildet
werden, werden aus der Strahldüse 61 zusammen mit der Kühlmischung
auf die Oberfläche des Halbleiter-Wafers 62 ausgeblasen
und reinigen dabei die Oberfläche des Wafers 62
ebenso wie oben bereits beschrieben. Die Rate, mit welcher
ultrafeine Eispartikel auf die Wafer 62 gestrahlt werden,
wird durch die Öffnung der Strahldüse 61 und die Rate bestimmt,
mit der die Gaskomponente der Kühlmischung (z. B. Stickstoffgas)
zugeführt wird. Da die Zuführung von Wasserdampf aus der
Verdampfungskammer 50 zur Frierkammer 55 durch die Druckdifferenz
zwischen den zwei Kammern bestimmt ist, muß man
bei einem Ansteigen des Strahldruckes aus der Strahldüse 61
entsprechend den Innendruck der Verdampfungskammer 50 anheben.
Der Innendruck der Verdampfungskammer 50 ist gleich dem Dampfdruck
des Wassers 51 in der Verdampfungskammer 50. Wenn das
Fluß-Steuerventil 56 geschlossen ist, so beträgt der Dampfdruck
von Wasserdampf, der innerhalb der Verdampfungskammer 50 erzeugt
wird, etwa 1,275 MPa (13 kp/cm²) bei 190°C. Aus diesem Grund kann der
Druck, bei dem Eispartikel aus der Frierkammer 55 ausgeblasen
werden, d. h. also der Druck in der Kammer 55, leicht bei einem
Pegel von 0,49 bis 0,748 MPa (5 bis 8 kp/cm²) gehalten werden.
Bei dieser Ausführungsform der Erfindung wird ebenfalls ultrareines Wasser, das Kohlendioxid enthält, Wasser 51
als Flüssigkeit verwendet.
Wenn Wasser als zu frierende Flüssigkeit verwendet wird und
die Temperatur in der Frierkammer 55 auf -100°C gesetzt wird,
so entstehen bei Verwendung der Vorrichtung nach Fig. 7
ultrafeine Eispartikel mit einem gleichmäßigen Partikeldurchmesser
von etwa 1 bis 2 µm. Fig. 9 ist eine mikroskopische
Aufnahme von Eispartikeln, die mit einer Vorrichtung erzeugt
wurden, welche in Fig. 1 beschrieben ist, bei der ein Nebel
in flüssigen Stickstoff eingeblasen wird. Fig. 10 zeigt eine
mikroskopische Aufnahme von Eispartikeln unter Verwendung
einer Vorrichtung nach Fig. 7. Die Eispartikel nach Fig. 9
weisen einen mittleren Partikeldurchmesser in der Größenordnung
von 100 µm auf, wobei die Partikel sehr unregelmäßig hinsichtlich
ihrer Größen sind. Im Gegensatz dazu sind die Eispartikel in
Fig. 10 wesentlich uniformer und weisen sehr viel geringe
Partikeldurchmesser auf.
Unter Verwendung dieser Ausführungsform der Erfindung kann
man somit Verunreinigungspartikel mit Größen unterhalb von
1 µm von der Oberfläche eines Halbleiter-Wafers entfernen.
Weiterhin kann man auch sehr empfindliche Teile bearbeiten,
die einer Präzisionsbearbeitung bedürfen.
Da weiterhin die Kühlmischung, die zum Frieren des Wasserdampfes
verwendet wird, gleichzeitig als Träger für die
Eispartikel verwendet wird, wenn diese aus der Strahldüse 61
ausgeblasen werden, ergibt sich nur ein geringer Kühlmittelverlust.
Nachdem weiterhin die Eispartikel und das Trägergas
zusammen der Strahldüse 61 zugeführt werden, kann die Struktur
der Vorrichtung als wesentlich vereinfacht und kleiner bauend
ausgeführt werden.
Auch bei dem soeben beschriebenen Ausführungsbeispiel wird
ultrareines Wasser verwendet,
das Kohlendioxidgas enthält und einen spezifischen Widerstand
von höhstens 1 MOhm · cm aufweist, wobei man dann die gleichen
Vorteile erzielt wie zuvor beschrieben.
Weiterhin können die Partikel nicht nur - wie soeben beschrieben -
zum Reinigen von Wafern sondern auch zum Gettern verwendet
werden.
Claims (25)
1. Verfahren zur Oberflächenbehandlung eines Halbleiter-Wafers,
bei dem gefrorene Partikel zusammen mit einem Gasstrom auf die
zu behandelnde Oberfläche geblasen werden,
dadurch gekennzeichnet,
daß die gefrorenen Partikel Eispartikel sind, die aus ultrareinem,
zur Erhöhung der Leitfähigkeit gelöstes Kohlendioxid
enthaltendem Wasser gebildet werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß der spezifische Widerstand des ultrareinen, gelöstes Kohlendioxid
enthaltenden Wassers höchstens 1 MOhm · cm beträgt.
3. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Eispartikel unter einem Winkel von 30°-80°
bezüglich der Oberfläche des Halbleiter-Wafers auf die Oberfläche
geblasen werden.
4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Partikeldurchmesser der Eispartikel zwischen
1 µm und 100 µm liegt.
5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Gas Stickstoff ist.
6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Wasser
Schleifpartikel enthält.
7. Verfahren nach Anspruch 6,
dadurch gekennzeichnet,
daß die
Schleifpartikel aus Siliziumpuder bestehen.
8. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1
mit Frier-Einrichtungen (1, 20, 55) zum Bilden von
Eispartikeln (8, 28, 29) und mit Strahlmitteln (11, 35, 36), die
Mittel umfassen um die Eispartikel (8, 28, 29)
zusammen mit einem Gas auf die Oberfläche des Halbleiter-
Wafers (12) aufzublasen,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Frier-Einrichtungen (1, 20, 55) zum Bilden von Eispartikeln
(8, 28, 29) zur Erhöhung der Leitfähigkeit gelöstes
Kohlendioxid enthaltendes ultrareines Wasser verwenden.
9. Vorrichtung nach Anspruch 8,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Strahlmittel (11, 35, 36) Hochdruck-Gasejektorstrahldüsen
sowie Mittel umfassen, um die
Eispartikel und das Gas unter hohem Druck zu den Düsen zuzuführen.
10. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 8 oder 9,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Gas Stickstoff ist.
11. Vorrichtung nach Anspruch 8,
dadurch gekennzeichnet,
daß der spezifische Widerstand des ultrareinen, gelöstes
Kohlendioxid enthaltenden Wassers höchstens 1 MOhm · cm beträgt.
12. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 8 bis 11,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Strahlmittel (11, 35, 36) relativ zum Halbleiter-Wafer
(12) so positioniert sind, daß die Eispartikel (8, 28,
29) unter einem Winkel von 30°-80° bezüglich der Oberfläche
des Halbleiter-Wafers (12) auf die Oberfläche auftreffen.
13. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 8 bis 12,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Friermittel eine Frierkammer (1, 20) umfassen, die
kaltes Gas enthält, und daß Mittel (6, 23, 24) vorgesehen
sind, um das
Wasser zu vernebeln und so in die Frierkammer
(1, 20) einzusprühen, daß es dort mit dem
kalten Gas einem Wärmeaustausch unterzogen wird und friert.
14. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 8 bis 13,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Wasser
Schleifpartikel
enthält.
15. Vorrichtung nach Anspruch 14,
dadurch gekennzeichnet,
daß die
Schleifpartikel aus Siliziumpuder bestehen.
16. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 8 bis 12,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Friermittel Dampferzeugungsmittel (50, 54) umfassen,
um Dampf aus dem Wasser zu bilden, das in die
Eispartikel überführt werden soll, und daß Friermittel (55)
vorgesehen sind, um den Dampf zu frieren und
Eispartikel durch einen Wärmeaustausch mit einem Kühlmittel zu
erzeugen.
17. Vorrichtung nach Anspruch 16,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Dampferzeugungsmittel eine Verdampfungskammer (50)
umfassen, die das Wasser (51) enthält,
sowie Heizmittel (54), um das Wasser (51) aufzuheizen und
zu verdampfen, und daß die Friermittel eine Frierkammer (55)
umfassen, die einen Einlaß aufweist, der mit der Verdampfungskammer
(50) so verbunden ist, daß Dampf in die Frierkammer
(55) aus der Verdampfungskammer (50) gelangen kann, wobei ein
Auslaß vorgesehen ist, der mit den Strahlmitteln verbunden ist
und wobei Mittel vorgesehen sind, um ein Kühlmittel in die
Frierkammer (55) einzuführen.
18. Vorrichtung nach Anspruch 17,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Kühlmittel eine Zweiphasenmischung aus einer flüssigen
und einer Gasphase umfaßt.
19. Vorrichtung nach Anspruch 18,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Kühlmittel eine Mischung aus flüssigem Stickstoff und
Stickstoffgas ist.
20. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 17 bis 19,
dadurch gekennzeichnet,
daß weiterhin Druck/Steuer-Regelmittel (56, 57) vorgesehen
sind, um den Druck des Dampfes einzustellen, der in die Frierkammer
(55) eintritt.
21. Vorrichtung nach Anspruch 20,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Druck/Steuermittel ein einstellbares Flußsteuerventil
(56) umfassen, das zwischen der Verdampfungskammer (50) und
dem Einlaß der Frierkammer (55) angebracht ist.
22. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 20 oder 21,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Druck/Steuermittel Mittel (59) umfassen, um die Temperatur
des Dampfes einzustellen, der zwischen der Verdampfungskammer
(50) und dem Einlaß der Frierkammer (55) strömt.
23. Vorrichtung nach Anspruch 22,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Druck/Steuermittel einen Heizer (59) umfassen, der
zwischen der Verdampfungskammer (50) und der Frierkammer (55)
angeordnet ist.
24. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 20 bis 23,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Druck/Steuermittel ein einstellbares Druck/Steuerventil
(56) umfassen, das zwischen der Verdampfungskammer (50)
und dem Einlaß der Frierkammer (55) vorgesehen ist, sowie Mittel
(59) zum Steuern der Temperatur des Dampfes, wenn dieser
durch das Flußsteuerventil (56) strömt.
25. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 17 bis 24,
dadurch gekennzeichnet,
daß zwischen dem Einlaß der Frierkammer (55) und dem Auslaß
des Flußsteuerventils (56) ein Reduzierstück (57) vorgesehen
ist.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15606187A JPS641238A (en) | 1987-06-23 | 1987-06-23 | Method and apparatus for introducing lattice defect |
JP62313667A JPH081345B2 (ja) | 1987-12-11 | 1987-12-11 | 超微細凍結粒子の生成装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3844648C2 true DE3844648C2 (de) | 1992-02-20 |
Family
ID=26483904
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE3844649A Expired - Fee Related DE3844649C2 (de) | 1987-06-23 | 1988-02-15 | |
DE3844648A Expired - Fee Related DE3844648C2 (de) | 1987-06-23 | 1988-02-15 | |
DE3804694A Granted DE3804694A1 (de) | 1987-06-23 | 1988-02-15 | Verfahren zur oberflaechenbearbeitung fuer halbleiter-wafer und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE3844649A Expired - Fee Related DE3844649C2 (de) | 1987-06-23 | 1988-02-15 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE3804694A Granted DE3804694A1 (de) | 1987-06-23 | 1988-02-15 | Verfahren zur oberflaechenbearbeitung fuer halbleiter-wafer und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US4932168A (de) |
DE (3) | DE3844649C2 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111890230A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-11-06 | 南通仁隆科研仪器有限公司 | 一种安全、环保、高效的物理除锈设备 |
Families Citing this family (93)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0622224B2 (ja) * | 1988-03-05 | 1994-03-23 | 大阪酸素工業株式会社 | パーティクルが少ないか又は含まない液化二酸化炭素の供給 |
JPH0222822A (ja) * | 1988-07-11 | 1990-01-25 | Kyushu Electron Metal Co Ltd | 半導体基板の製造方法 |
JPH03116832A (ja) * | 1989-09-29 | 1991-05-17 | Mitsubishi Electric Corp | 固体表面の洗浄方法 |
JPH03180814A (ja) * | 1989-12-08 | 1991-08-06 | Taiyo Sanso Co Ltd | 液晶表示素子の配向処理方法 |
JP2890599B2 (ja) * | 1990-02-06 | 1999-05-17 | ソニー株式会社 | 加工方法 |
JP2529431B2 (ja) * | 1990-02-09 | 1996-08-28 | 大陽酸素株式会社 | 洗浄装置 |
JPH0435872A (ja) * | 1990-05-30 | 1992-02-06 | Mitsubishi Electric Corp | 凍結粒子を使用した研磨装置 |
JPH0744166B2 (ja) * | 1990-07-31 | 1995-05-15 | 三菱電機株式会社 | 半導体ウエハ洗浄装置 |
JP2529468B2 (ja) * | 1990-11-30 | 1996-08-28 | 大陽酸素株式会社 | 半導体ウエハの洗浄装置及び洗浄方法 |
JP2618104B2 (ja) * | 1991-03-25 | 1997-06-11 | 三菱電機株式会社 | 超微細凍結粒子の製造装置及び製造方法 |
US5175124A (en) * | 1991-03-25 | 1992-12-29 | Motorola, Inc. | Process for fabricating a semiconductor device using re-ionized rinse water |
US5599223A (en) * | 1991-04-10 | 1997-02-04 | Mains Jr.; Gilbert L. | Method for material removal |
US5222332A (en) * | 1991-04-10 | 1993-06-29 | Mains Jr Gilbert L | Method for material removal |
US5203794A (en) * | 1991-06-14 | 1993-04-20 | Alpheus Cleaning Technologies Corp. | Ice blasting apparatus |
FR2678527B1 (fr) * | 1991-07-05 | 1993-09-10 | Commissariat Energie Atomique | Appareil de stockage et de projection de billes de glace. |
US5108512A (en) * | 1991-09-16 | 1992-04-28 | Hemlock Semiconductor Corporation | Cleaning of CVD reactor used in the production of polycrystalline silicon by impacting with carbon dioxide pellets |
US5244819A (en) * | 1991-10-22 | 1993-09-14 | Honeywell Inc. | Method to getter contamination in semiconductor devices |
US5782253A (en) * | 1991-12-24 | 1998-07-21 | Mcdonnell Douglas Corporation | System for removing a coating from a substrate |
US5613509A (en) * | 1991-12-24 | 1997-03-25 | Maxwell Laboratories, Inc. | Method and apparatus for removing contaminants and coatings from a substrate using pulsed radiant energy and liquid carbon dioxide |
JP2732392B2 (ja) * | 1992-03-17 | 1998-03-30 | 信越半導体株式会社 | 半導体ウェーハの処理方法 |
AU4302893A (en) * | 1992-06-01 | 1993-12-30 | Ice Blast International Ltd. | Particle blasting utilizing crystalline ice |
US5306345A (en) * | 1992-08-25 | 1994-04-26 | Particle Solutions | Deposition chamber for deposition of particles on semiconductor wafers |
JPH06132273A (ja) * | 1992-10-19 | 1994-05-13 | Mitsubishi Electric Corp | ウエハ洗浄装置 |
JPH06246636A (ja) * | 1993-02-26 | 1994-09-06 | Eikichi Yamaharu | ブラスト装置およびこれを利用した金型仕上げ装置 |
US5545073A (en) * | 1993-04-05 | 1996-08-13 | Ford Motor Company | Silicon micromachined CO2 cleaning nozzle and method |
WO1994023896A1 (en) * | 1993-04-16 | 1994-10-27 | Ice Blast International, Inc. | Ice blast particle transport system for ice fracturing system |
US5354384A (en) * | 1993-04-30 | 1994-10-11 | Hughes Aircraft Company | Method for cleaning surface by heating and a stream of snow |
DE4318663C1 (de) * | 1993-06-04 | 1994-10-13 | Siemens Solar Gmbh | Verfahren zur Maskierung und Bearbeitung einer Oberfläche eines Substrates |
US5366156A (en) * | 1993-06-14 | 1994-11-22 | International Business Machines Corporation | Nozzle apparatus for producing aerosol |
US5372652A (en) * | 1993-06-14 | 1994-12-13 | International Business Machines Corporation | Aerosol cleaning method |
US5377911A (en) * | 1993-06-14 | 1995-01-03 | International Business Machines Corporation | Apparatus for producing cryogenic aerosol |
US5400603A (en) * | 1993-06-14 | 1995-03-28 | International Business Machines Corporation | Heat exchanger |
US5364474A (en) * | 1993-07-23 | 1994-11-15 | Williford Jr John F | Method for removing particulate matter |
US5405283A (en) * | 1993-11-08 | 1995-04-11 | Ford Motor Company | CO2 cleaning system and method |
US5390450A (en) * | 1993-11-08 | 1995-02-21 | Ford Motor Company | Supersonic exhaust nozzle having reduced noise levels for CO2 cleaning system |
US5514024A (en) * | 1993-11-08 | 1996-05-07 | Ford Motor Company | Nozzle for enhanced mixing in CO2 cleaning system |
US5378312A (en) * | 1993-12-07 | 1995-01-03 | International Business Machines Corporation | Process for fabricating a semiconductor structure having sidewalls |
US5456629A (en) * | 1994-01-07 | 1995-10-10 | Lockheed Idaho Technologies Company | Method and apparatus for cutting and abrading with sublimable particles |
US5651723A (en) * | 1994-04-13 | 1997-07-29 | Viratec Thin Films, Inc. | Method and apparatus for cleaning substrates in preparation for deposition of thin film coatings |
US5931721A (en) | 1994-11-07 | 1999-08-03 | Sumitomo Heavy Industries, Ltd. | Aerosol surface processing |
US5967156A (en) * | 1994-11-07 | 1999-10-19 | Krytek Corporation | Processing a surface |
JP3200528B2 (ja) * | 1995-01-19 | 2001-08-20 | 三菱電機株式会社 | ドライエッチングの後処理方法 |
US5679062A (en) * | 1995-05-05 | 1997-10-21 | Ford Motor Company | CO2 cleaning nozzle and method with enhanced mixing zones |
US5645382A (en) * | 1995-09-13 | 1997-07-08 | Cargill Detroit Corporation | Controlled atmosphere machining |
US5601430A (en) * | 1995-09-15 | 1997-02-11 | Kreativ, Inc. | Process for the removal of soft tooth decay using a unique abrasive fluid stream |
US6239038B1 (en) | 1995-10-13 | 2001-05-29 | Ziying Wen | Method for chemical processing semiconductor wafers |
US5785581A (en) * | 1995-10-19 | 1998-07-28 | The Penn State Research Foundation | Supersonic abrasive iceblasting apparatus |
US5616067A (en) * | 1996-01-16 | 1997-04-01 | Ford Motor Company | CO2 nozzle and method for cleaning pressure-sensitive surfaces |
US5810942A (en) * | 1996-09-11 | 1998-09-22 | Fsi International, Inc. | Aerodynamic aerosol chamber |
US6039059A (en) * | 1996-09-30 | 2000-03-21 | Verteq, Inc. | Wafer cleaning system |
US5766061A (en) * | 1996-10-04 | 1998-06-16 | Eco-Snow Systems, Inc. | Wafer cassette cleaning using carbon dioxide jet spray |
US5896870A (en) * | 1997-03-11 | 1999-04-27 | International Business Machines Corporation | Method of removing slurry particles |
US6099396A (en) * | 1997-03-14 | 2000-08-08 | Eco-Snow Systems, Inc. | Carbon dioxide jet spray pallet cleaning system |
US5778713A (en) * | 1997-05-13 | 1998-07-14 | Waterjet Technology, Inc. | Method and apparatus for ultra high pressure water jet peening |
US6036786A (en) * | 1997-06-11 | 2000-03-14 | Fsi International Inc. | Eliminating stiction with the use of cryogenic aerosol |
US5961732A (en) * | 1997-06-11 | 1999-10-05 | Fsi International, Inc | Treating substrates by producing and controlling a cryogenic aerosol |
US6004400A (en) * | 1997-07-09 | 1999-12-21 | Phillip W. Bishop | Carbon dioxide cleaning process |
FR2766738B1 (fr) * | 1997-08-01 | 1999-09-03 | Air Liquide | Procede et dispositif de pulverisation sequentielle d'un liquide cryogenique, procede et installation de refroidissement en comportant application |
US6214138B1 (en) | 1997-08-18 | 2001-04-10 | Breed Automotive Technology, Inc. | Ignition enhancer composition for an airbag inflator |
US6572457B2 (en) | 1998-09-09 | 2003-06-03 | Applied Surface Technologies | System and method for controlling humidity in a cryogenic aerosol spray cleaning system |
US6273790B1 (en) * | 1998-12-07 | 2001-08-14 | International Processing Systems, Inc. | Method and apparatus for removing coatings and oxides from substrates |
US6740247B1 (en) | 1999-02-05 | 2004-05-25 | Massachusetts Institute Of Technology | HF vapor phase wafer cleaning and oxide etching |
US6227944B1 (en) | 1999-03-25 | 2001-05-08 | Memc Electronics Materials, Inc. | Method for processing a semiconductor wafer |
JP2000301456A (ja) * | 1999-04-19 | 2000-10-31 | Sharp Corp | 半導体膜表面の平坦化方法 |
FI113750B (fi) | 1999-05-21 | 2004-06-15 | Kojair Tech Oy | Menetelmä ja laitteisto puolijohdeteollisuuden työvälineiden pesemiseksi |
AUPQ158399A0 (en) * | 1999-07-12 | 1999-08-05 | Swinburne Limited | Method and apparatus for machining and processing of materials |
US6350183B2 (en) * | 1999-08-10 | 2002-02-26 | International Business Machines Corporation | High pressure cleaning |
DE10010192B4 (de) * | 2000-03-02 | 2005-07-21 | Messer Technogas S.R.O. | Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen von Oberflächen mittels Festkörperstrahlen |
US6676766B2 (en) * | 2000-05-02 | 2004-01-13 | Sprout Co., Ltd. | Method for cleaning a substrate using a sherbet-like composition |
CH694158A5 (fr) * | 2000-07-17 | 2004-08-13 | Cold Clean S A R L | Machine de sablage. |
JP2002172368A (ja) * | 2000-12-05 | 2002-06-18 | Canon Inc | ドライアイス洗浄方法及びドライアイス洗浄装置 |
US6536220B2 (en) * | 2001-05-11 | 2003-03-25 | Universal Ice Blast, Inc. | Method and apparatus for pressure-driven ice blasting |
US6719612B2 (en) * | 2001-05-14 | 2004-04-13 | Universal Ice Blast, Inc. | Ice blast cleaning cabinet |
DE10222943B4 (de) * | 2002-05-24 | 2010-08-05 | Karlsruher Institut für Technologie | Verfahren zur Reinigung eines Gegenstandes |
US6793007B1 (en) * | 2003-06-12 | 2004-09-21 | Gary W. Kramer | High flux heat removal system using liquid ice |
EP1718256B1 (de) | 2004-01-22 | 2011-12-28 | Thermocure | Atemsystem zur einleitung von therapeutischer hypothermie |
US7246497B2 (en) * | 2004-06-16 | 2007-07-24 | Lytron, Inc. | Mist generation, freezing, and delivery system |
TWI287752B (en) * | 2005-01-31 | 2007-10-01 | All Fine Technology Co Ltd | Composite equipment for automatic marking and reading |
US7654010B2 (en) * | 2006-02-23 | 2010-02-02 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing system, substrate processing method, and storage medium |
DE102006009965B4 (de) * | 2006-03-03 | 2011-07-07 | MAG IAS GmbH, 73033 | Absaug-Anlage für eine spanabhebende Bearbeitungs-Maschine |
US20080176487A1 (en) * | 2007-01-19 | 2008-07-24 | Armstrong Jay T | Portable cleaning and blasting system for multiple media types, including dry ice and grit |
US7837805B2 (en) * | 2007-08-29 | 2010-11-23 | Micron Technology, Inc. | Methods for treating surfaces |
KR100899159B1 (ko) | 2007-09-19 | 2009-05-27 | 주식회사 케이씨텍 | 포토 마스크 세정장치 및 방법 |
WO2010011183A1 (en) * | 2008-07-25 | 2010-01-28 | Sandeep Sharma | Method and system for removing contaminants |
WO2010065616A1 (en) * | 2008-12-02 | 2010-06-10 | Thermocure, Inc. | Systems and methods for delivery of a breathing gas with fine ice particles |
CN101856657B (zh) * | 2009-04-09 | 2013-08-28 | 宏达国际电子股份有限公司 | 清洁方法 |
CN103406322A (zh) * | 2013-07-22 | 2013-11-27 | 彩虹显示器件股份有限公司 | 一种用于清洗基板玻璃的装置及方法 |
US10238831B2 (en) | 2013-09-08 | 2019-03-26 | Qool Therapeutics, Inc. | Temperature measurement and feedback for therapeutic hypothermia |
EP3261593B1 (de) | 2015-02-23 | 2021-11-03 | Qool Therapeutics, Inc. | Systeme und verfahren zur endotrachealen freisetzung von gefrorenen partikeln |
CN105597622B (zh) * | 2016-03-09 | 2017-11-21 | 苏州大学 | 结冰温度可控的用于制备微米级冰球颗粒的喷雾冷冻塔 |
CN106823220A (zh) * | 2017-04-07 | 2017-06-13 | 山东宏达科技集团有限公司 | 一种灭火方法、灭火系统和设置该系统的消防车 |
CN108340290A (zh) * | 2018-04-24 | 2018-07-31 | 哈尔滨奥瑞德光电技术有限公司 | 一种蓝宝石碎晶清洗方法及装置 |
DE102022106559A1 (de) * | 2022-03-21 | 2023-09-21 | Muyo Oberflächentechnik GmbH | Verfahren und vorrichtung zur vorbehandlung eines bauteils vor einem beschichtungsprozess |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3676963A (en) * | 1971-03-08 | 1972-07-18 | Chemotronics International Inc | Method for the removal of unwanted portions of an article |
DE2543019A1 (de) * | 1974-09-27 | 1976-04-08 | Lockheed Aircraft Corp | Sandstrahlverfahren und einrichtung zu dessen durchfuehrung |
US4631250A (en) * | 1985-03-13 | 1986-12-23 | Research Development Corporation Of Japan | Process for removing covering film and apparatus therefor |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2699403A (en) * | 1952-05-24 | 1955-01-11 | Emmett J Courts | Means and methods for cleaning and polishing automobiles |
US3209428A (en) * | 1961-07-20 | 1965-10-05 | Westinghouse Electric Corp | Process for treating semiconductor devices |
US3162019A (en) * | 1962-11-16 | 1964-12-22 | Bethlehem Steel Corp | Method and apparatus for freezing liquids to be used in a freeze-drying process |
CH494591A (de) * | 1969-04-09 | 1970-08-15 | Transistor Ag | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterelementen mit bestimmter Lebensdauer der Ladungsträger |
GB1397102A (en) * | 1972-03-22 | 1975-06-11 | Carrier Drysys Ltd | Abrasive treatment of a surface of a metal substrate |
SE7512179L (sv) * | 1974-11-07 | 1976-05-10 | Jacques Guiller | Forfaringssett for omvandling av en massa i flytande form till kulor granuler eller andra mindre kroppar i djupfryst form, samt anordning for utovande av forfaringssettet |
US4402193A (en) * | 1980-05-05 | 1983-09-06 | Mcfee Richard | Dual open cycle heat pump and engine |
FR2494160A1 (fr) * | 1980-11-17 | 1982-05-21 | Chausson Usines Sa | Procede et dispositif pour le traitement d'objets par abrasion, notamment d'objets peints, et son application au traitement de depolissage de carrosseries de vehicules |
US4389820A (en) * | 1980-12-29 | 1983-06-28 | Lockheed Corporation | Blasting machine utilizing sublimable particles |
US4655847A (en) * | 1983-09-01 | 1987-04-07 | Tsuyoshi Ichinoseki | Cleaning method |
JPS6067077A (ja) * | 1983-09-19 | 1985-04-17 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | 被研掃物の研掃方法及び装置 |
US4731125A (en) * | 1984-04-19 | 1988-03-15 | Carr Lawrence S | Media blast paint removal system |
DD250613A1 (de) * | 1984-12-18 | 1987-10-14 | Karl Marx Stadt Tech Hochschul | Linearschrittmotor mit permanentmagnetischem stator |
JPS61159371A (ja) * | 1984-12-28 | 1986-07-19 | Fuji Seiki Seizosho:Kk | Icの基板用シリコンウェーハのブラスト装置 |
DE3505675A1 (de) * | 1985-02-19 | 1986-08-21 | Ernst Manfred Küntzel GmbH Malereibetrieb, 8000 München | Verfahren zum abtragen von oberflaechen |
EP0266859A1 (de) * | 1986-10-06 | 1988-05-11 | Taiyo Sanso Co Ltd. | Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung von sehr feinkörnigen, gefrorenen Partikeln |
DE3738344A1 (de) * | 1986-11-14 | 1988-05-26 | Mitsubishi Electric Corp | Anlage zum einfuehren von gitterstoerstellen und verfahren dazu |
US4744181A (en) * | 1986-11-17 | 1988-05-17 | Moore David E | Particle-blast cleaning apparatus and method |
JPS63156661A (ja) * | 1986-12-18 | 1988-06-29 | Fujitsu Ltd | ウエ−ハ研磨装置 |
US4806171A (en) * | 1987-04-22 | 1989-02-21 | The Boc Group, Inc. | Apparatus and method for removing minute particles from a substrate |
JPS6475300A (en) * | 1987-09-17 | 1989-03-20 | Ishikawa Prefecture | Method of transferring pottery requiring no baking |
-
1988
- 1988-02-15 DE DE3844649A patent/DE3844649C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1988-02-15 DE DE3844648A patent/DE3844648C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1988-02-15 DE DE3804694A patent/DE3804694A1/de active Granted
- 1988-04-05 US US07/177,784 patent/US4932168A/en not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-01-25 US US07/470,226 patent/US5025597A/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-01-25 US US07/470,372 patent/US5035750A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3676963A (en) * | 1971-03-08 | 1972-07-18 | Chemotronics International Inc | Method for the removal of unwanted portions of an article |
DE2543019A1 (de) * | 1974-09-27 | 1976-04-08 | Lockheed Aircraft Corp | Sandstrahlverfahren und einrichtung zu dessen durchfuehrung |
US4631250A (en) * | 1985-03-13 | 1986-12-23 | Research Development Corporation Of Japan | Process for removing covering film and apparatus therefor |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111890230A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-11-06 | 南通仁隆科研仪器有限公司 | 一种安全、环保、高效的物理除锈设备 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4932168A (en) | 1990-06-12 |
US5035750A (en) | 1991-07-30 |
DE3844649C2 (de) | 1992-04-23 |
DE3804694C2 (de) | 1992-02-27 |
US5025597A (en) | 1991-06-25 |
DE3804694A1 (de) | 1989-01-05 |
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DE3937221C2 (de) | ||
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Q172 | Divided out of (supplement): |
Ref country code: DE Ref document number: 3804694 |
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