DE3844649C2 - - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Oberflächenbearbeitung von Halbleiter-Wafern nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.

Insbesondere dreht es sich um eine Vorrichtung zum Reinigen und Gettern von Halbleiter-Wafern.

Bei der Herstellung von Halbleiteranordnungen muß man die Halbleiter-Wafer reinigen. Diese Reinigung wird normalerweise über eine Reinigungsvorrichtung derart ausgeführt, die schematisch in Fig. 3 dargestellt ist. Wie in dieser Abbildung gezeigt, läßt man eine rotierende Bürste B über die Oberfläche eines Halbleiter-Wafers W in Richtung des Pfeils T laufen und sich dabei in der mit dem Pfeil R gezeigten Richtung drehen. Gleichzeitig wird hochreines Wasser auf die Oberfläche des Wafers W über eine Düse N aufgesprüht.

Bei diesem herkömmlichen Verfahren besteht das Problem, daß man nur äußerst schwierig ultrafeine Kontaminations-Partikel entfernen kann, die einen Durchmesser in der Größenordnung von 10 µm oder darunter aufweisen. Weiterhin wird aufgrund der Reibung zwischen der Bürste B und dem Wafer W die Bürste B verschlissen und Partikel der Bürste B bleiben an der Oberfläche des Wafers W hängen. Dies bedeutet, daß die Bürste B selbst zur Kontaminationsquelle wird. Weiterhin genriert die Reibung zwischen der Bürste B und der Oberfläche des Wafers W statische Elektrizität, die dazu führen, daß Kontaminantien von der Waferoberfläche aufgenommen werden und die Reinigungs-Effektivität verringern. Aus diesem Grund besteht ein Bedürfnis für eine Reinigungsmethode, durch welche ultrafeine Kontaminations-Partikel entfernt werden können, ohne dabei eine weitere Kontamination oder statische Elektrizität zu erzeugen.

Die herkömmlichen Getter-Verfahren für Halbleiter-Wafer leiden unter ähnlichen Problemen. Von außen angreifendes Gettern eines Halbleiter-Wafers kann über eine Vielzahl von Verfahren durchgeführt werden. Gemäß einem Verfahren strahlt man Silizium-Partikel auf die Rückseite des Halbleiter-Wafers und bildet dadurch eine Verletzungsschicht, die Kristalldefekte enthält. Bei einer anderen Methode erzeugt man eine Verletzungsschicht unter Zuhilfenahme einer Quarzbürste. Bei der Strahl- Methode unter Verwendung von Silizium-Partikeln hängen sich die Partikel leicht an die Rückseite des Wafers und kontaminieren den Wafer während darauffolgender Bearbeitungsschritte. Bei der Methode unter Verwendung einer Quarzbürste werden Partikel der Bürste über den Kontakt mit dem Wafer abgetragen und neigen dazu, sich an den Wafer anzuhängen und ihn zu kontaminieren.

Eine Vorrichtung der eingangs genannten Art ist aus der US 46 31 250 bekannt. Mittels dieser Vorrichtung werden insbesondere Filme auf der Oberfläche von Halbleitersubstraten durch Aufstrahlen von CO₂-Partikeln oder einem Gemisch aus letzteren und Eis-Partikeln entfernt.

Eine ähnliche Vorrichtung ist aus der US 36 76 963 bekannt, die zur Reinigung unterschiedlichster Materialien durch das Aufstrahlen von Eis-Partikeln dienen soll. Diese Eis-Partikel können u. a. aus Wasser gebildet werden, das gelöste oder dispergierte Chemikalien enthält, um z. B. die Scharfkantigkeit der Eis-Partikel zu erhöhen.

Aus der DE 35 05 675 A1 ist es bekannt, Eis-Partikel unter Verwendung eisbildender Keime (wie z. B. Staub-Partikel) herzustellen und diese auf die Oberfläche des zu bearbeitenden Materials aufzustrahlen.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung der eingangs genannten Art dahingehend weiterzubilden, daß eine verbesserte Reinigungs- und Getter-Wirkung erzielbar ist.

Diese Aufgabe wird durch die im Kennzeichen des Patentanspruchs 1 angegebenen Merkmale gelöst. Bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.

Im nachfolgenden wird die Erfindung anhand von Abbildungen näher erläutert. Hierbei zeigt

Fig. 1 eine schematische Darstellung einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung, die sowohl zum Gettern als zum Reinigen eines Halbleiter-Wafers verwendet werden kann;

Fig. 2 eine schematische Darstellung von Eis-überzogenen Strahl-Partikeln, die bei der Ausführungsform nach Fig. 2 erzeugt werden;

Fig. 3 eine schematische, perspektivische Ansicht einer herkömmlichen Anordnung zum Reinigen eines Halbleiter-Wafers mittels einer rotierenden Bürste.

In den Abbildungen werden für entsprechende Teile dieselben Bezugsziffern verwendet.

Im folgenden wird eine erste bevorzugte Ausführungsform einer Bearbeitungsvorrichtung für Halbleiter-Wafer aufgezeigt, wobei Bezug auf Fig. 1 genommen wird.

Die gezeigte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann sowohl zum Reinigen als auch zum Gettern eines Halbleiter-Wafers dienen. Wie in der Abbildung gezeigt, ist die Frierkammer 20 durch eine Vertikaltrennung 20e in eine erste Eismaschine 21 und eine zweite Eismaschine 22 unterteilt, die beide 400 mm×400 mm im Querschnitt aufweisen und eine Höhe von 1500 mm haben. Die erste Eismaschine 21 ist weiterhin in zwei Kammern 20a und 20b über ein Sieb 27a geteilt, das sich von den Wänden der Kammer 20a in Richtung auf deren Zentren neigen. Die erste Eismaschine 21 bildet Eispartikel 28, die Schleifpartikel 33 als Kerne aufweisen. Diese Eispartikel 33 werden im folgenden als Eis-überzogene Strahlpartikel bezeichnet.

Die zweite Eismaschine 22 ist ähnlich in zwei Kammern 20c und 20d durch ein weiteres Gitter 27b unterteilt. Die Kammer 20e weist eine Auslaßöffnung 37 auf, die sich aus der Frierkammer 20 erstreckt. Die zweite Eismaschine 22 bildet ultrareine Eispartikel 29 aus ultrareinem Wasser 34.

Ein Luftfilter 38 ist am oberen Abschnitt der Trennwand 20e vorgesehen, so daß Gas aus der ersten Eismaschine 21 in die zweite Eismaschine 22 strömen kann. Ein erster Vernebler 23 ist am Oberende der Kammer 20e der ersten Eismaschine 21 angebracht, ein zweiter Vernebler 24 ist an der Oberseite der Kammer 20c der zweiten Eismaschine 22 angebracht. Eine Einlaßöffnung des ersten Verneblers 23 ist mit einem Druckgefäß 25 verbunden, das eine unter Druck befindliche Mischung von Wasser 46 und Schleifpartikeln 33, wie z. B. Siliziumpulver enthält. Ein Einlaß des zweiten Verneblers 24 ist mit einem Druckgefäß 26 verbunden, das unter Druck stehendes ultrareines Wasser 34 enthält. Die Innenseite der Druckgefäße 25 und 26 sind mit Stickstoffgas unter Druck gesetzt, das von einer nicht gezeigten Quelle zugeführt wird. Das Druckgefäß 25 für die Mischung aus Wasser und Schleifpartikeln umfaßt einen Diffusor 32 unter der Oberfläche der Mischung. Stickstoffgas wird in den Diffusor 32 von der Stickstoffgasquelle eingeführt. Ein Auslaßventil 45, das mit der Innenseite und der Außenseite des Druckgefäßes 25 in Verbindung steht, ist auf der Oberseite des Gefäßes angebracht, und zwar oberhalb des Oberflächenpegels der Mischung.

Der Bodenabschnitt der Kammer 20b der ersten Eismaschine 21 ist dort, wo sich die Eis-überzogenen Strahlpartikel 28 ansammeln, mit einer ersten Strahldüse 35 verbunden, um dieser Eis-überzogene Strahlpartikel 28 zuzuführen. Der Bodenabschnitt der Kammer 20c der zweiten Eismaschine 22 ist mit einer zweiten Strahldüse 36 verbunden, um dieser ultrareine Eispartikel 29 zuzuführen. Die Strahldüsen 35 und 36 sind Hochdruckgasstrahldüsen, die mit einer nicht gezeigten Stickstoffgasquelle verbunden sind. Ein Transportband 44 zum Transportieren von Halbleiterwafern 39 und zu deren Positionierung unterhalb der Strahldüsen 35 und 36 ist unter der Frierkammer 20 angebracht. In der Abbildung sind zwar die zwei Strahldüsen 35 und 36 vertikal angeordnet, jedoch sind sie vorzugsweise in einem Winkel von 30 bis 80° bezüglich der Ebene der Halbleiter-Wafer 39 geneigt und zwar aus Gründen, die unten näher erläutert werden.

Die Kammer 20a der ersten Eismaschine 21 umschließt ein Reservoir 30 für flüssigen Stickstoff. Das Reservoir 30 ist mit flüssigem Stickstoff 31 gefüllt, der von einer nicht dargestellten Quelle zugeführt wird. Ein Diffusor 32 ist im flüssigen Stickstoff 31 untergetaucht und mit einer nicht gezeigten Quelle für Stickstoffgas verbunden.

Die Wirkungsweise der Vorrichtung wird im folgenden beschrieben. Stickstoffgas wird aus dem Diffusor 32 ausgeblasen in den flüssigen Stickstoff 31 des Reservoirs 30 für flüssigen Stickstoff. Ein Teil des flüssigen Stickstoffs 31 wird auf diese Weise verdampft und bildet kaltes Stickstoffgas. Das kalte Stickstoffgas dringt durch das Sieb 27a und tritt in die Kammer 20b der ersten Eismaschine 21 ein.

Gleichzeitig wird im Druckgefäß 25 die Mischung aus Wasser 46 und Schleifpartikel 33 ständig gerührt, so daß die Schleifpartikel durch das Stickstoffgas, das aus dem Diffusor 32 hochperlt, suspendiert bleiben. Die Perl-Rate des Stickstoffs wird durch das Ausblasventil 45 gesteuert bzw. geregelt. Die wäßrige Mischung wird dem ersten Vernebler 23 unter einem Gasdruck von beispielsweise 0,392 MPa (4 kp/cm²) und mit einer Rate von 0,2 Litern pro Minute zugeführt. Gleichzeitig wird Stickstoffgas dem ersten Vernebler 23 mit einem Gasdruck von 0,392 MPa (4 kp/cm²) und einer Rate von 20 Litern pro Minute zugeführt. Als Resultat wird eine Mischung von Wasser 46 und Schleifpartikeln 33 aus dem ersten Vernebler 23 in die Kammer 20b als feiner Nebel eingesprüht. Der Nebel unterliegt einem Wärmeaustausch mit dem kalten Stickstoffgas, das in der Kammer 20a erzeugt wurde und friert zu Eis-beschichteten Strahlpartikeln 28, die sich auf dem Sieb 27a sammeln.

Unter diesen Vernebelungsbedingungen weisen die Eis-überzogenen Strahlpartikel 28 einen Partikeldurchmesser von etwa 70 µm auf. Die Anzahl von Schleifpartikeln 33 in jedem der Eis- überzogenen Schleifpartikel 28 hängt von der Größe der Schleifpartikel 33 ab, jedoch sind im allgemeinen mehrere Schleifpartikel 33 darin enthalten. Die Anzahl von Schleifpartikeln 33 in jedem Eis-überzogenen Schleifpartikel 28 kann durch Einstellung des Verhältnisses von Wasser 46 zu Schleifpartikeln 33 im Druckgefäß 25 eingestellt werden. Weiterhin kann der Partikeldurchmesser der Eis-überzogenen Schleifpartikel 28 durch Steuerung der Rate eingestellt werden, mit welcher die wäßrige Mischung und Stickstoffgas dem ersten Vernebler 23 zugeführt werden. Die Fig. 2 zeigt schematisch einen Eis- überzogenen Schleifpartikel 28, der von der ersten Eismaschine 21 erzeugt wird.

Das kalte Stickstoffgas, das zur Bildung der Eis-überzogenen Schleifpartikel 28 verwendet wurde, gelangt dann durch das Luftfilter 38 in die Kammer 20c der zweiten Eismaschine 22. Gleichzeitig wird ultrareines Wasser 34 aus dem Druckgefäß 2 dem zweiten Vernebler 24 unter einem Flüssigkeitsdruck von 0,392 MPa (4 kp/cm²) mit einer Rate von 0,1 Liter pro Minute zugeführt. Stickstoffgas wird weiterhin unter einem Gasdruck von 0,392 MPa (4 kp/cm²) mit einer Rate von 40 Litern pro Minute zugeführt. Ein Nebel von ultrareinem Wasser wird dadurch vom zweiten Vernebler 24 in die Kammer 20c eingeblasen. Der Nebel von ultrareinem Wasser unterliegt einem Wärmeaustausch mit dem kalten Stickstoffgas und friert zu ultrareinen Eispartikeln 29, die sich auf dem Sieb 27b am Boden der Kammer 20c ansammeln. Das kalte Stickstoffgas, das zur Bildung der Partikel verwendet wurde, gelangt durch das Netz 27b und wird von der Kammer 20d über die Auslaßöffnung 37 abgezogen. Unter den gegebenen Sprühbedingungen weisen die gebildeten ultrareinen Eispartikel 29 einen Durchmesser von etwa 40 µm auf. Der Partikeldurchmesser kann durch Variation der Rate eingestellt werden, mit welcher ultrareines Wasser 34 und Stickstoffgas dem zweiten Vernebler 24 zugeführt wird.

Das Gettern und Reinigen des Halbleiter-Wafers mittels der gezeigten Vorrichtung läuft wie folgt ab. Eine Anzahl von Halbleiter-Wafern 39 wird auf dem Transportband 44 positioniert und zwar mit ihrer Rückseite nach oben. Das Transportband 44 transportiert jenen Wafer 39 in eine vorbestimmte Position in der Nähe der ersten Strahldüse 35 und Eis-überzogene Strahlpartikel 28, die sich auf dem Sieb 27a gesammelt haben, werden von der ersten Strahldüse 35 auf die Rückseite der Wafer 39 über Stickstoffgas gestrahlt. Stickstoffgas wird der ersten Strahldüse 35 unter einem Gasdruck von 0,49 MPa (5 kp/cm²), mit einer Rate von 1 m³ pro Minute zugeführt und Eis-überzogene Strahlpartikel 28 werden mit einer Rate von 0,3 Litern pro Minute ausgestoßen. Die Partikel 28 schlagen auf die Rückseite der Wafer 39 auf und führen den Getter-Prozeß aus, indem sie eine Störschicht 42 mit Kristalldefekten erzeugen.

Nach dem Gettern kann eine geringe Menge von Fragmenten 43 der Schleifpartikel 33 auf der Rückseite der Halbleiter-Wafer 39 haften. Dementsprechend werden die gerade dem Getter-Prozeß unterworfenen Halbleiter-Wafer 39 vom Transportband 44 in Pfeilrichtung verfahren und zwar in vorgeschriebene Positionen in der Nähe der zweiten Strahldüse 36. In dieser Position werden ultrareine Eispartikel 29 auf die Rückseite der Wafer 39 über die zweite Strahldüse 36 aufgestrahlt und alle Verunreinigungen werden so vom Wafer 39 abgewaschen.

Durch eine entsprechende Trennung zwischen der ersten Strahldüse 35 und der zweiten Strahldüse 36 oder durch eine Trennwand oder einen Luftvorhang 47 zwischen den Düsen kann man gleichzeitig den Getter- und den Reinigungsprozeß an zwei verschiedenen Halbleiter-Wafern 37 durchführen, ohne daß Eis-überzogene Strahlpartikel 28 aus der ersten Strahldüse 35 auf einen Wafer 39 fallen, der gerade von der zweiten Strahldüse 36 gereinigt wird.

Die Eis-überzogenen Strahlpartikel 28, die bei dieser Ausführungsform der Erfindung zur Einbringung von Gitterdefekten verwendet werden, wirken wesentlich vorteilhafter als Schleifpartikel alleine, da sie zwar dieselben Auftreffimpulskräfte erzeugen wie Schleifpartikel, die Beschichtung mit Eis über den Schleifpartikeln aber ein Eindringen in die Oberfläche der Wafer 39 verhindern, so daß die nachfolgende Reinigung der Waferoberfläche leichter wird. Weiterhin bricht dann, wenn die Eis-überzogenen Strahlpartikel 28 auf die Oberfläche des Wafers 39 treffen, die Eisbeschichtung und die daraus entstehenden Eisfragmente unterstützen das Abwaschen der Partikel 33 von der Oberfläche des Wafers 39. Wenn die Eisfragmente schmelzen, so wirken sie als Spülmittel für die Verunreinigungen und unterdrücken zusätzlich die Bildung von Staub.

Es gibt keine Beschränkung bei der Positionierung der Strahldüsen 35 und 36. Vorzugsweise sind diese jedoch so positioniert, daß die Eispartikel die Oberfläche des Halbleiter- Wafers 39 bei einem Winkel von 30 bis 80° relativ zur Oberfläche des Wafers treffen, so daß der Impuls der Eispartikel gegenüber dem Wafer vergrößert wird. Wenn die Strahldüsen 35, 36 rechtwinklig zur Oberfläche des Wafers 39 angeordnet sind, so ergibt sich eine Verminderung der Energie der Partikel. Dies rührt daher, daß nach dem Ausstrahlen der feinen Eispartikel zusammen mit dem Stickstoffgas aus den Strahldüsen 35, 36 diese auf die Oberfläche des Wafers 39 auftreffen und in den Weg der einfallenden Partikel zurückgeworfen werden. Wenn die Düsen jedoch bezüglich des Wafers geneigt angeordnet sind, so kommen die Eispartikel und das Stickstoffgas, die von der Oberflläche des Wafers zurückgeworfen werden, nicht in Kollision mit den einfallenden Eispartikeln, so daß die Energie der einfallenden Eispartikel maximiert werden kann, wodurch wiederum der Reinigungseffekt der Eispartikel gesteigert wird.

Feine Verunreinigungspartikel, die an der Oberfläche des Halbleiter-Wafers hängen, werden durch den Impuls der feinen Eispartikel fortgeblasen, die aus der Strahldüse ausgeblasen werden. Gleichzeitig schmelzen die Eispartikel teilweise und bilden Wasser, das als Spülmittel für die Verunreinigungen auf der Oberfläche des Wafers dient. Das Wasser lädt außerdem die statische Elektrizität von der Oberfläche des Wafers ab und verhindert die Entstehung von Staub.

Da bei der Reinigungsvorrichtung keine Reinigungsbürste Verwendung findet, wird der Halbleiter-Wafer nicht durch Partikel kontaminiert, die von der Bürste abgetragen werden. Dadurch kann die Oberfläche des Wafers effektiver als bisher gereinigt werden. Darüber hinaus ergibt sich keine statische Elektrizität durch eine Reibung zwischen dem Wafer und einer Reinigungsbürste.

Bei dieser bevorzugten Ausführungsform der Erfindung werden die Eispartikel 28 und 29 aus reinem Wasser hergestellt. Vorzugsweise bildet man jedoch die Eispartikel 28, 29 aus ultrareinem Wasser, das Kohlendioxidgas (gelöst) enthält. Durch das Einführen von Kohlendioxidgas in das ultrareine Wasser sinkt der spezifische Widerstand der Eispartikel bis unter 1 MOhm · cm oder darunter. Wenn das Eis schmilzt, so weist das Wasser einen sehr niedrigen spezifischen Widerstand auf, was wiederum die Entstehung von statischer Elektrizität in noch effektiverer Weise verhindert. Darüber hinaus kann Wasser, das Kohlendioxid enthält, Mikroorganismen abtöten, was insbesondere ein Zuwachsen der verschiedenen Vorrichtungsteile verhindert.

Claims (12)

1. Vorrichtung zur Oberflächenbearbeitung von Halbleiter- Wafern (39) mit Friermitteln (21, 22) zum Herstellen von gefrorenen Partikel (28, 29) und mit Strahlmitteln (35, 36) zum Strahlen von gefrorenen Partikeln (28, 29) auf die zu behandelnde Oberfläche des Halbleiter-Wafers (39), dadurch gekennzeichnet, daß die Friermittel erste Friermittel (21) zum Herstellen von gefrorenen Partikeln (28) mit Schleifpartikeln (33) als Kernen zum Gettern der Rückseite eines Halbleiter- Wafers (39) und zweite Friermittel (22) umfassen, zum Bilden von gefrorenen Partikeln (29) ohne Kerne zum Säubern der Rückseite des Halbleiter-Wafers (39) nach dem Gettern, daß die ersten Friermittel (21) eine erste Frierkammer (20b) umfassen, die ein kaltes Gas enthält, daß ein erster Vernebler (23) vorgesehen ist, um eine Mischung aus einer ersten Flüssigkeit und den Schleifpartikeln (33) zu zerstäuben und die Mischung in die erste Frierkammer (20b) so einzusprühen, daß sie dort einem Wärmeaustausch mit dem kalten Gas unterliegt und dabei friert, und daß die zweiten Friermittel (22) eine zweite Frierkammer (20c) umfassen, die mit der ersten Frierkammer (20b) kommuniziert, und daß ein zweiter Vernebler (24) vorgesehen ist, um eine zweite Flüssigkeit zu vernebeln und die zweite Flüssigkeit in die zweite Frierkammer (20c) so einzusprühen, daß sie dort einem Wärmeaustausch mit dem Gas, das nach dem Wärmeaustausch mit der ersten flüssigen Mischung in die zweite Kammer (20c) eingetreten ist, unterliegt und friert.

2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Flüssigkeit Wasser und die zweite Flüssigkeit ultrareines Wasser ist, und daß die Schleifpartikel (33) Partikel von Siliziumpulver umfassen.

3. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Gas Stickstoff ist.

4. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß weiterhin Transportmittel (44) vorgesehen sind, um einen Halbleiter-Wafer (39) in eine erste Position zu bringen, in welcher die Rückseite des Wafers (39) mit gefrorenen Partikeln zum Gettern über die ersten Strahlmittel (35) bestrahlt werden kann und zum Weitertransportieren des Halbleiter- Wafers (39) in eine zweite Position, in welcher dessen Rückseite mit gefrorenen Partikeln (29) zum Reinigen durch die Strahlmittel (36) bestrahlt werden kann.

5. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das ultrareine Wasser Kohlendioxidgas enthält.

6. Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der spezifische Widerstand des ultrareinen Wassers mit darin gelöstem Kohlendioxid höchstens 1 MOhm · cm beträgt.

7. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Strahlmittel (35, 36) so relativ zum Halbleiter- Wafer (39) positioniert sind, daß die gefrorenen Partikel (28, 29) auf den Halbleiter-Wafer (39) in einem Winkel von 30 bis 80° zur Oberfläche auftreffen.

8. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß Heizmittel vorgesehen sind, die eine Vorrichtung umfassen, um warme Luft über die Halbleiter-Wafer (39) und die gefrorenen Partikel (28, 29) zu blasen, wenn diese sich auf ihrem Weg in Richtung auf den Halbleiter-Wafer (39) befinden.

9. Vorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Luft auf 5 bis 80°C aufgewärmt ist.

10. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Heizmittel eine Anordnung umfassen, um den Wafer (39) auf eine vorbestimmte Temperatur von seiner Unterseite her aufzuheizen.

11. Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die vorgeschriebene Temperatur zwischen Raumtemperatur und 200°C liegt.

12. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Heizmittel eine Heizplatte umfassen, die unter dem Halbleiter-Wafer (39) angeordnet ist.