DE4006063C2 - Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte

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Mitsuhiro Kondo
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Ibiden Co Ltd
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Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Aus der DE 31 19 884 C1 ist ein derartiges Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte bekannt. Die Leiterplatte wird durch Laminieren einer Isolierschicht unter Zuhilfenahme einer Klebefolie mit einer Metallschicht hergestellt. Dabei werden in vorbestimmten Bereichen der Metallschicht vor dem Laminieren entsprechende Trennmasken zwischen der Isolierschicht und den Bereichen der Metallschicht, die den später freiliegenden Bereichen entsprechen sollen, angeordnet. Anschließend wird ein Teil der Isolierschicht im Bereich der Trennmaske herausgearbeitet. Zuletzt wird der auf der Trennmaske verbleibende Bereich der Isolierschicht gemeinsam mit der Trennmaske abgelöst. Als nachteilig hat sich bei diesem Verfahren dessen Ausgestaltung insgesamt herausgestellt. Demnach wird die Trennmaske bei diesem Verfahren zwischen der Klebefolie und dem Bereich der Isolierschicht, die später gemeinsam entfernt werden sollen, angeordnet. Dies hat zum einen die Folge, daß die Trennmaske aus einem ganz speziellen, nicht haftenden Material gebildet sein muß, um ein Anhaften der Trennmaske an der Klebefolie sicher zu vermeiden und somit ein reibungsloses Abheben der Trennmaske zusammen mit dem darüberliegenden Bereich der Isolierschicht zu ermöglichen. Insoweit ist bei diesem Verfahren auch ein mit Polytetrafluoräthylen beschichtetes Blech als Trennmaske vorgesehen. Dies aber hat zum anderen die Folge, daß der unter der Trennmaske liegende Bereich der Klebefolie, der der später freiliegende Bereich der Metallschicht werden soll, eben in diesem Bereich verbleibt. Um einen freiliegenden Bereich der Metallschicht zu erhalten, ist die Klebefolie daher bei diesem Verfahren in einem gesonderten Arbeitsschritt zu entfernen. Eine solche Entfernung der Klebefolie aber ist verhältnismäßig schwierig, daß die eingeschnittenen Nuten, deren Außenränder mit der Außenkontur der Trennmaske fluchten, an der Oberfläche der Trennmaske bzw. in der Trennmaske selbst enden. Die Klebefolie ist insoweit vor deren Entfernung noch zusätzlich gesondert mit Trennschnitten zu versehen. Dieses Verfahren gestaltet sich daher alles in allem als verhältnismäßig aufwendig.
Weiterhin ist in der DE 31 40 061 C1 ein Verfahren zur Herstellung von Leiterplatten beschrieben, bei dem die Isolierschicht vor dem Verpressen von starren und flexiblen Lagen entlang bestimmter Grenzlinien mittels eines CO₂-Lasers bis auf eine mit der Isolierschicht festverbundene Metallkaschierung durchtrennt wird. Zur Vermeidung einer Beeinträchtigung der Metallkaschierung durch den Laserstrahl ist in diesem Zusammenhang eine entsprechende Fokussierung des Laserstrahls und entsprechende Auswahl der Schrittgeschwindigkeit sowie Kühlung der Metallkaschierung während der Laserbearbeitung der Isolierschicht vorgeschlagen.
Schließlich ist in der JP-OS 61-95 792 noch ein Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte beschrieben, das sich zur Bildung einer Ausnehmung in einer Isolier- bzw. Substratschicht der Leiterplatte eines Laserstrahles bedient. Obschon sich dieses Verfahren zur Bildung kleiner Ausnehmungen ausgesprochen gut eignet, lassen sich große Bereiche der Substratschicht zur Freilegung der darunterliegenden Metallschicht allenfalls unter Inkaufnahme einer langen Zeitdauer erreichen. Dieses Verfahren ist insoweit ausgesprochen teuer und somit zur Herstellung einer Leiterplatte, die in der heutigen Zeit einen Massenartikel darstellt, nicht wirtschaftlich.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren der eingangs genannten Art bereitzustellen, mittels welchem sich die Herstellung einer Leiterplatte unter Einsatz üblicher Materialien für die Trennmaske wesentlich vereinfacht.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die kennzeichnenden Merkmale des Anspruchs 1 gelöst.
Durch die erfindungsgemäße Ausgestaltung läßt sich ein ausgesprochen einfaches Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte erhalten, und zwar unter Einsatz üblicher Materialien für die Trennmaske. So ist es durch die Anordnung der Trennmaske zwischen einerseits der Klebefolie und andererseits dem Bereich der Metallschicht, der der später freiliegende Bereich werden soll, möglich, daß die Trennmaske aus üblichen, nicht besonders gearteten Materialien bestehen kann. Die Trennmaske nämlich läßt sich ohne Schwierigkeit jederzeit von der darunterliegenden Metallschicht abheben bzw. entfernen. Zusätzlich ist hierdurch sichergestellt, daß mit gemeinsamer Ablösung der Trennmaske und dem auf der Trennmaske verbleibenden Bereich der Isolierschicht gleichzeitig auch die Klebefolie in diesem Bereich entfernt wird. Ein gesonderter Arbeitsschritt, um einen freiliegenden Bereich der Metallschicht zu erhalten, ist insoweit bei dem Verfahren gemäß der Erfindung nicht notwendig. Des weiteren ergeben sich durch das Herausschneiden eines sich der Außenkontur der Trennmaske unmittelbar anschließenden Teiles der Isolierschicht mit einem CO₂-Laser weitere Vorteile des erfindungsgemäßen Verfahrens. Einerseits wird durch die Verwendung eines CO₂-Lasers, der einen Laserstrahl mit einer Wellenlänge erzeugt, die im allgemeinen für Metalle hochreflektiv ist, eine Beschädigung der Metallschicht, welche mit der Isolierschicht laminiert ist, wirksam vermieden. Andererseits wird die Klebefolie aufgrund der Führung des CO₂-Lasers entlang eines sich der Außenkontur der Trennmaske unmittelbar anschließenden Teiles der Isolierschicht sicher und äußerst genau getrennt. Aufgrund dessen ist eine ungewollte Verbindung zwischen dem auf der Trennmaske verbleibenden Bereich der Isolierschicht und den übrigen auf der Metallschicht verbleibenden Bereichen der Isolierschicht auch durch zum Beispiel Ungenauigkeiten, die durch das Laminieren resultieren, ausgeschlossen.
Vorteilhafte Ausgestaltungen des Verfahrens zur Herstellung einer Leiterplatte sind in den Ansprüchen 2 bis 4 beschrieben.
Weitere Merkmale, Vorteile und Einzelheiten des erfindungsgemäßen Verfahrens ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung einiger bevorzugter Ausführungsformen der Erfindung sowie anhand der Zeichnung. Hierbei zeigt
Fig. 1a bis 1c teilweise vergrößerte Schnittansichten, die jeweils einen Zwischenschritt bei der Her­ stellung einer Leiterplatte zur Aufnahme elek­ tronischer Bausteine gemäß einem Herstellungs­ verfahren nach der Erfindung zeigen;
Fig. 2 eine teilweise vergrößerte Draufsicht auf ein Beispiel der Leiterplatte zur Aufnahme elek­ tronischer Bausteine, die nach dem Herstel­ lungsverfahren der Erfindung hergestellt ist;
Fig. 3 einen Schnitt II-II nach Fig. 2;
Fig. 4a bis 4c teilweise vergrößerte Schnittansichten, die jeweils einen Zwischenschritt bei der Herstel­ lung der Leiterplatte nach den Fig. 2 und 3 zeigen;
Fig. 5 eine Perspektivansicht eines anderen Beispiels der Leiterplatte für die Aufnahme elektroni­ scher Bausteine, die nach der Erfindung her­ gestellt ist; und
Fig. 6a bis 6c teilweise vergrößerte Schnittansichten, die jeweils einen Zwischenschritt bei der Herstel­ lung der Leiterplatte nach Fig. 5 zeigen.
Da moderne hochintegrierte elektronische Bausteine nicht so, wie sie sind, zum Aufbau verschiedener elektronischer Geräte verwendet werden können, müssen sie auf Leiterplat­ ten montiert werden. Dazu wurden bereits verschiedene Arten von Leiterplatten zur Aufnahme elektronischer Bausteine entwickelt und vorgeschlagen.
Eine Leiterplatte zur Aufnahme elektronischer Bausteine, wobei ein elektronischer Baustein mit Anschlüssen wie etwa Anschlußleitern verbunden ist, um ihn extern anzuschließen, ist als Leiterplatte in solcher Weise aufgebaut, daß eine Isolierschicht, die aus einem Harz od. dgl. besteht und sehr gute Isoliereigenschaften hat, mit einer Metallschicht vereinigt wird, die als Leiterschicht, Zuleitung, Wärme­ übertragungsschicht od. dgl. dient, und daß auf der Vorder­ seite oder im Inneren der Isolierschicht Leiterbahnab­ schnitte od. dgl. ausgebildet werden.
Bei einer solchen Leiterplatte 10 zur Aufnahme elektronischer Bausteine ist es allgemein üblich (Fig. 5), eine Metall­ schicht 11 an einer Isolierschicht 12 freizulegen, um z. B. eine Ausnehmung 13 zum Befestigen eines elektroni­ schen Bausteins 20 daran sowie einen Wärmeabstrahlungsbereich 18 zur Ableitung der von dem elektronischen Baustein 20 erzeugten Wärme zu bilden, jeweils mit einem freigelegten Bereich 11A der Metallschicht 11.
Der Grund für die Bildung der Ausnehmung 13 zur Aufnahme des elektronischen Bausteins und des Wärmeabstrahlungsbereichs 18 mit von der Isolierschicht 12 befreiten Metallschicht 11 ist, daß die bei Aktivierung des elektronischen Bau­ steins 20 erzeugte Wärme direkt auf die hoch wärmeleitfä­ hige Metallschicht 11 übertragen und von dem Wärmeabstrah­ lungsteil 18 weiter zur Atmosphäre abgeleitet werden kann, wodurch die Wärmeableitung des elektronischen Bausteins 20 verbessert wird, oder daß die Leiterplatte 10 zur Aufnahme elektronischer Bausteine mit der von der Isolierschicht 12 befreiten Metallschicht 11 und dem daran befestigten elek­ tronischen Baustein 20 insgesamt dünner gemacht werden kann.
Bei dem Verfahren nach der Erfindung entsprechend Fig. 1(a) wird zuerst eine Trennmaske 16 zwischen der Isolierschicht 12 und dem Bereich einer Metallschicht 11, der ein freiliegender Bereich 11A werden soll, angeordnet, um die Isolierschicht und diesen Bereich der Metallschicht an einer Vereinigung zu hindern, während jedoch die Isolierschicht 12 und der Rest der Metallschicht 11 vereinigt werden können.
Dabei kann jede Art von Trennmaske 16 eingesetzt werden, voraus­ gesetzt sie verformt sich nicht unter Einwirkung von Wärme­ oder Druckstößen etc., die während der Schrittfolge zur Herstellung der Leiterplatte 10 auftreten, z. B. dem Schritt der Vereinigung bzw. des Laminierens der Isolierschicht mit der Metallschicht 11; außerdem muß die Trennmaske 16 schließlich mit irgend­ welchen Mitteln von der Metallschicht 11 ablösbar sein. Beispiele dafür sind Harzfilme oder -folien mit vergleichsweise hoher Wärmestabilität sowie Metallfolien.
Ferner werden die Metallschicht 11 und die Isolierschicht 12 in solcher Weise vereinigt, daß, während ein härtbares Harz vor dem vollständigen Aushärten in innigem Kontakt mit der Metallschicht 11 gehalten wird, es für eine geeignete Zeitdauer auf eine geeignete Temperatur erwärmt wird, so daß die Metallschicht 11 und die Isolierschicht 12 mit­ einander verbunden werden. Als Vereinigungs- oder Verbin­ dungsverfahren wird beispielsweise ein Verfahren angewandt, bei dem eine Prepregschicht 12b (vgl. Fig. 6) auf die Metallschicht 11 geschichtet und durch Thermokompressionsbonden in einer Presse od. dgl. damit verbunden wird, so daß die Prepreg­ schicht 12b zu der Isolierschicht 12 geformt wird; ferner kann ein Verfahren angewandt werden, bei dem eine Klebefolie 12a (vgl. Fig. 6) in halbgehärtetem Zustand zwischen der Metallschicht 11 und der Isolierschicht 12 angeordnet und mittels Thermo­ kompressionsbonden in einer Presse od. dgl. damit verbunden wird, wodurch die Isolierschicht 12 mit der Metallschicht vereinigt bzw. laminiert wird; oder es kann ein Spritzgießverfahren ange­ wandt werden, bei dem warmhärtbares Harz in eine Metall­ form, in der die Metallschicht 11 gehalten ist, gespritzt und durch Warmhärten zu den Isolierschichten 12 geformt wird.
Wie Fig. 1(b) zeigt, wird anschließend ein Laserstrahl LB von außerhalb der oben beschriebenen Isolierschicht 12 auf denjenigen Teil derselben projiziert, der sich der Außenkontur der Trennmaske 16 auf der Metallschicht 11 unmittelbar anschließt.
Der hier angewandte Laserstrahl LB muß die Isolierschicht 12 ohne Beschädigung der Metallschicht 11 schneiden. Er sollte daher vorteilhaft eine Wellenlänge haben, die für Metalle hochreflektiv ist. Bei Verwendung eines CO2-Lasers mit einer Laserwellenlänge von 10,6 µm kann die Isolierschicht 12 ohne jede Beschädigung der Metallschicht 11 durchtrennt werden.
Auf diese Weise wird derjenige Teil der Isolierschicht 12 auf der Metallschicht 11, der die Trennmaske 16 unmittelbar umgibt, von dem Laserstrahl LB durchtrennt, wobei ein Einschnitt um die Trennmaske 16 herum entsteht (Fig. 1(b)), der den über der Trennmaske 16 liegenden Bereich der Isolierschicht 12 zuverlässig von der übrigen Isolierschicht 12 trennt.
Nach Bildung eines solchen die Trennmaske 16 umgebenden Ein­ schnitts ist der über der Trennmaske 16 liegende Bereich der Isolier­ schicht 12 vollständig von der übrigen Isolierschicht 12 getrennt. Da ferner die Trennmaske 16 und die Metallschicht 11 nicht haftend miteinander verbunden sind, kann die Trennmaske 16 leicht abgelöst werden.
Nach den obigen Schritten wird der über der Trennmaske 16 lie­ gende Bereich der Isolierschicht 12 von der Metallschicht 11 gemeinsam mit der Trennmaske 16 abgelöst, so daß der freiliegende Bereich 11A der Metallschicht 11 fertiggestellt ist, wie Fig. 1(c) zeigt.
Wenn der freiliegende Bereich 11A der Metallschicht 11 der Leiterplatte 10 zur Aufnahme elektronischer Bausteine 20 mit diesem Verfahren hergestellt ist, werden die folgenden Funktionen erhalten.
An dem Bereich, der zum freiliegenden Bereich 11A der Metallschicht 11 wird, ist die Vereinigung zwischen Isolierschicht 12 und Metall­ schicht 11 durch die Trennmaske 16 unterbunden. Auch wenn z. B. eine Klebefolie 12a zum Verbinden der Isolierschicht 12 und der Metallschicht 11 eingesetzt wird, die während des Ther­ mokompressionsbondens ein hohes Fließvermögen hat, ist es aufgrund des Vorhandenseins der Trennmaske 16 möglich, ein Herausfließen der Klebefolie 12a auf die Oberfläche des freiliegenden Bereichs 11A der Metallschicht 11 zu verhindern. Daher kann eine Klebefolie 12a eingesetzt werden, die sehr gute Bestän­ digkeit gegen Wärme, Feuchtigkeit und Chemikalien aufweist.
Insbesondere bei Anwendung eines CO2-Lasers mit einer Laserwellenlänge von 10,6 µm kann ferner ein Laserstrahl LB mit hohem Reflexionsvermögen für Metalle erhalten werden, der außerdem Harz, Glasgewebe etc. gut durchtrennt. Wenn also der Laserstrahl LB von der Seite der Isolierschicht 12 zu der Seite der Metallschicht 11 projiziert wird, wird nur die Isolierschicht 12 selektiv durchtrennt, ohne daß die Metallschicht 11 beschädigt wird. Auch in einem Fall, in dem die Dicke der Isolierschicht 12 etwas schwankt, hört daher der Trennvorgang mit dem Laserstrahl LB zuverlässig an der Oberfläche der Metallschicht 11 auf, und dadurch kann die Schnittiefe leicht und präzise eingestellt werden.
Ferner kann die Bearbeitung mit dem Laserstrahl LB für den­ jenigen Teil der Isolierschicht 12 auf der Metallschicht 11, der die Trennmaske 16 umgibt, durchgeführt werden, und der über der Trennmaske 16 liegende Bereich der Isolierschicht 12 braucht überhaupt nicht behandelt zu werden. Daher wird der Bearbeitungsvorgang in sehr kurzer Zeit ausgeführt.
Da ferner die Bearbeitung mit dem Laserstrahl LB eine kontakt­ lose Bearbeitung ist, entfällt jede Werkzeugbeschädigung während des Bearbeitungsvorgangs, so daß eine gleichmäßige Bearbeitung durchführbar ist.
Das Herstellungsverfahren nach der Erfindung wird nachste­ hend im einzelnen unter Bezugnahme auf die in der Zeichnung gezeigten Ausführungsbeispiele erläutert.
Ausführungsbeispiel 1
Dieses Ausführungsbeispiel 1 ist in den Fig. 2, 3 und 4(a)-(c) gezeigt.
Die Fig. 2 und 3 zeigen eine Leiterplatte 10 zur Aufnahme elektronischer Bausteine 20, wobei eine Mehrzahl von äußeren Zuleitungen 17a einheitlich mit inneren Anschlußteilen 11C an der Innenseite der äußeren Zuleitungen 17a ausgebildet ist und die inneren Anschlußteile 11C auf beiden Seiten ein­ heitlich mit einer Isolierschicht 12 versehen sind, wobei die einzelnen äußeren Zuleitungen 17a von der Isolier­ schicht 12 vorstehen und die äußeren Zuleitungen 17a und auf wenigstens einer Seite der Isolierschicht gebildete Leiter­ bahnabschnitte 14 elektrisch miteinander verbunden sind.
Die Leiterplatte 10 zur Aufnahme elektronischer Bausteine 20 ist von dem Typ, bei dem die elektrischen Anschlüsse zwi­ schen einem elektronischen Baustein 20 und den äußeren Zu­ leitungen 17a durch die auf der Isolierschicht 12 gebil­ deten Leiterbahnabschnitte 14 hergestellt werden. Insbesondere wird eine Metallschicht 11 verwendet, in der die äußeren Zulei­ tungen 17a und die inneren Anschlußteile 11C einheitlich ausgebildet sind. Daher ist bei der Leiterplatte 10 die Isolierschicht 12 einheitlich auf beiden Seiten der inneren Anschlußteile 11C, die die Metallschicht 11 bilden, vorge­ sehen, wobei die äußeren Zuleitungen 17a von der Isolier­ schicht 12 nach außen abstehen. Hierbei ist die Leiterplat­ te 10 dadurch gekennzeichnet, daß die Leiterbahnabschnitte 14 auf der Isolierschicht 12 und die äußeren Zuleitungen 17a über Durchkontaktierungen 15 miteinander verbunden sind, die die inneren Anschlußteile 11C durchsetzen.
Ein Verfahren zur Herstellung der Leiterplatte 10 zur Auf­ nahme elektronischer Bausteine 20 wird unter Bezugnahme auf die Fig. 4(a)-(c) beschrieben.
(1) Ein Leiterrahmen 17 (der der Metallschicht 11 ent­ spricht) wird durch Ätzen eines Leiterrahmenmaterials ge­ bildet. Trennmasken 16 werden so angeordnet, daß sie beide Oberflächen des Leiterrahmens 17, der eine äußere Zuleitung 17a werden soll, überdecken. Ferner werden eine Prepregschicht und eine Kupferfolie auf die Außenseite jeder Trennmaske 16 in der genannten Reihenfolge geschichtet, und die Schichtbestandteile werden in einer Presse thermo­ kompressionsgebondet, so daß sie zu einem einheitlichen Laminat gemacht werden. Somit ist eine Leiterplatte 10 einer Form gebildet, bei der gemäß Fig. 4(a) der Leiterrahmen 17 in der Isolierschicht 12 derart vergraben ist, daß die Teile, die die äußeren Zuleitungen 17a werden sollen, von den Trennmasken 16 daran gehindert sind, mit der Isolierschicht 12 zu einer Einheit laminiert zu werden.
Bei einem Beispiel des Ausführungsbeispiels 1 war das ver­ wendete Leiterrahmenmaterial ein Kupferlegierungsblech von 0,25 mm Dicke, und das verwendete Prepreg war ein sogenann­ tes "Glas-Triazin-Prepreg", wobei Glasgewebe mit einem Bismaleinimid-Triazinharz getränkt wurde, das dann in einen halbgehärteten Zustand gebracht wurde.
Die verwendete Trennmaske 16 war ein Polyphenylensulfidfilm, d. h. ein sogenannter PPS-Film bzw. -Folie einer Dicke von 50 µm.
(2) Anschließend wurden die Durchkontaktierungen 15 zur elektrischen Verbindung der äußeren Zuleitungen 17a mit den Leiterbahnabschnitten 14, die auf der Oberfläche der Isolierschicht 12 zu bilden sind, mit einem Werkzeug herge­ stellt, und die Innenwandungen der Durchkontaktierungen 15 werden verkupfert.
Dann werden auf der Oberfläche der Isolierschicht 12 die Leiterbahnabschnitte 14 durch Ätzen der Kupferfolien ge­ bildet, so daß eine Leiterplatte 10 entsprechend Fig. 4(b) erhalten wird.
(3) Anschließend werden diejenigen Teile der Isolier­ schicht 12 auf der Metallschicht 11, die die Trennmasken 16 um­ geben, unter Anwendung eines CO2-Lasers herausgeschnitten, wobei um die jeweiligen Trennmasken 16 Einschnitte gebildet werden, die die Bereiche der Isolierschicht 12 über den Trennmasken 16 zuverlässig den übrigen Bereichen der Isolierschicht 12 tren­ nen. Da die jeweiligen Trennmasken 16 und die entsprechenden äußeren Zuleitungen 17a nicht gebondet sind, gelangen die Trennmaske 16 und die über den äußeren Zuleitungen 17a liegenden Bereiche der Isolierschicht 12 in einen Zustand, in dem sie von den übrigen Bereichen vollständig getrennt sind.
Wenn eine gleichartige Laserbearbeitung auch an der Unter­ seite der Isolierschicht 12 durchgeführt wird, wird eine Leiterplatte 10 entsprechend Fig. 4(c) erhalten.
(4) Schließlich werden die Trennmasken 16 und die über und unter den äußeren Zuleitungen 17a liegenden Bereiche der Isolier­ schicht 12 abgelöst. Damit ist die Leiterplatte 10 zur Aufnahme elektronischer Bausteine 20 entsprechend Fig. 3 her­ gestellt.
Bei der mit diesem Verfahren hergestellten Leiterplatte 10 zur Aufnahme elektronischer Bausteine 20 sind die äußeren Zu­ leitungen 17a nicht durch den Laserstrahl LB beschädigt. Somit werden die physikalischen Eigenschaften der äußeren Zuleitungen 17a wie Biegefestigkeit und Ausreißfestigkeit nicht verschlechtert.
Ausführungsbeispiel 2
Unter Bezugnahme auf die Fig. 5 und 6(a)-(c) wird ein zwei­ tes Ausführungsbeispiel der Erfindung beschrieben.
Die Leiterplatte 10 nach Fig. 5 zur Aufnahme elektronischer Bausteine 20 hat eine Aussparung 13 zur Befestigung eines elektronischen Bausteins 20 sowie Wärmeabstrahlungsbereiche 18 zur Ableitung der von dem elektronischen Baustein 20 er­ zeugten Wärme zur Atmosphäre. Unter Bezugnahme auf die Fig. 6(a)-(c) wird das Verfahren zur Herstellung dieser Leiter­ platte 10 erläutert.
(1) Auf einem Abschnitt einer 1,0 mm dicken Aluminiumplatte 11B, der ein freiliegender Bereich 11A der Metallschicht 11 werden soll, wird eine Trennmaske 16 angeordnet. Eine Klebefolie 12a und eine Isolierschicht 12 werden an den Außenseiten der resultieren­ den Aluminiumplatte 11B aufeinandergeschichtet, und die Schichtbestandteile werden in einer Presse thermokompres­ sionsgebondet, so daß die Aluminiumplatte 11B und die Isolierschichten 12 ein einheitliches Laminat ergeben. Damit erhält man eine Leiterplatte 10 entsprechend Fig. 6(a).
Bei einem Beispiel des Ausführungsbeispiels 2 war die ver­ wendete Trennmaske 16 eine 25 µm dicke Aluminiumfolie, und die Klebefolie 12a war ein halbgehärteter Film bzw. eine halbgehärtete Folie, der bzw. die als Haupt­ bestandteil ein Epoxidharz enthielt. Ferner war die ver­ wendete Isolierschicht 12 ein vollständig ausgehärtetes Glas-Epoxid-Prepreg.
(2) Anschließend wird der Bereich der Isolierschicht 12, der über der Metallschicht 11 (Aluminiumplatte 11B) liegt und die Trennmaske 16 umgibt, mit einem CO2-Laser abgetrennt unter Bildung einer Leiterplatte 10 entsprechend Fig. 6(b).
(3) Schließlich werden die Trennmaske 16 und der Bereich der Isolierschicht 12, der über dem freiliegenden Bereich 11A der Metallschicht 11 liegt, abgelöst unter Bildung der Aussparung 13 zur Auf­ nahme des elektronischen Bausteins 20 oder zur Bildung des Wärmeabstrah­ lungsbereichs 18, wobei die Metallschicht 11 freiliegt, wie Fig. 6(c) zeigt.
Selbstverständlich können die Wärmeabstrahlungsbereiche 18 auf beiden Oberflächen der Leiterplatte 10 für elektronische Bausteine 20 gebildet werden, wodurch eine bessere Wärmeabstrahlung erreicht wird.
Auch wenn also nur ein teilweises Herausschneiden mit dem Laser­ strahl LB stattfindet, kann doch die Bildung des freiliegenden Bereichs 11A der Metallschicht 11 in der Leiterplatte 10 für elektronische Bausteine 20 zuverlässig und in kurzer Zeit über eine ver­ gleichsweise große Fläche ohne Beschädigung der Metall­ schicht 11 durchgeführt werden.
Abgesehen davon, daß der freiliegende Bereich 11A der Metallschicht 11 zur Bildung der Leiterplatte 10 für elektronische Bausteine 20 zuverlässig und in kurzer Zeit herstellbar ist, kann auf­ grund der kontaktlosen Bearbeitung mit dem Laserstrahl LB eine Beschädigung des Werkzeugs während der Bearbeitung voll­ ständig außer acht gelassen werden.
Die Trennmaske 16 ist ferner auf dem Bereich angeordnet, der der freiliegende Bereich 11A der Metallschicht 11 wird, so daß bei einer Vereini­ gung der Metallschicht 11 und der Isolierschicht 12 das Harz nicht an der Oberfläche des Bereichs, der zum Bereich 11A wird, haftet. Dadurch ist es nunmehr möglich, z. B. eine Klebefolie einzusetzen, die ein relativ hohes Fließvermögen während des Thermokompressionsbondens hat. Somit kann also eine Klebefolie mit überlegenen Eigenschaften hinsichtlich der Beständigkeit gegen Wärme, Chemikalien und Feuchtigkeit eingesetzt werden, so daß eine hochzuverlässige Leiter­ platte 10 für elektronische Bausteine 20 herstellbar ist.
Da ferner ein Laserstrahl LB wesentlich besser zum Herausschneiden von Harzen als von Metallen geeignet ist, wird die Metall­ schicht 11 auch dann nicht beschädigt, wenn die Isolier­ schicht 12 vollständig durchtrennt ist. Daher kann die Schnittiefe zuverlässig eingestellt werden, und die physische Festigkeit der Metallschicht 11 wird nicht nachteilig be­ einflußt.

Claims (4)

1. Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte (10), die durch Laminieren einer Isolierschicht (12) unter Zuhilfenahme einer Klebefolie (12b) mit einer Metallschicht (11) hergestellt wird, wobei in vorbestimmten Bereichen (11A) der Metallschicht (11) vor dem Laminieren entsprechende Trennmasken (16) zwischen der Isolierschicht (12) und den Bereichen der Metallschicht (11), die den später freiliegenden Bereichen (11A) entsprechen sollen, angeordnet werden, anschließend ein Teil der Isolierschicht (12) im Bereich der Trennmaske (16) herausgearbeitet und schließlich der auf der Trennmaske (16) verbleibende Bereich der Isolierschicht (12) gemeinsam mit der Trennmaske (16) abgelöst wird, dadurch gekennzeichnet,
daß die Trennmaske (16) zwischen der Klebefolie (12a) und dem Bereich der Metallschicht (11), der der später freiliegende Bereich (11A) werden soll, angeordnet wird und
daß ein sich der Außenkontur der Trennmaske (16) unmittelbar anschließender Teil der Isolierschicht (12) mit einem CO₂-Laser herausgeschnitten wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Isolierschicht (12) aus einem Glas-Harz-Prepreg oder einer Harzfolie besteht.
3. Verfahren nach Anspruch 1 und/oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallschicht (11) ein Kupferlegierungsblech und die Trennmaske (16) eine Harzfolie ist.
4. Verfahren nach Anspruch 1 und/oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallschicht (11) eine Aluminiumplatte und die Trennmaske (16) eine Metallfolie ist.
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