DE4126043A1 - Halbleiterbauelement - Google Patents

Halbleiterbauelement

Info

Publication number
DE4126043A1
DE4126043A1 DE4126043A DE4126043A DE4126043A1 DE 4126043 A1 DE4126043 A1 DE 4126043A1 DE 4126043 A DE4126043 A DE 4126043A DE 4126043 A DE4126043 A DE 4126043A DE 4126043 A1 DE4126043 A1 DE 4126043A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
conductors
leads
conductor
housing body
semiconductor element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE4126043A
Other languages
English (en)
Other versions
DE4126043C2 (de
Inventor
Kazunari Michii
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Publication of DE4126043A1 publication Critical patent/DE4126043A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE4126043C2 publication Critical patent/DE4126043C2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49517—Additional leads
    • H01L23/49527—Additional leads the additional leads being a multilayer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49534—Multi-layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49558—Insulating layers on lead frames, e.g. bridging members
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0555—Shape
    • H01L2224/05552—Shape in top view
    • H01L2224/05554—Shape in top view being square
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45139—Silver (Ag) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/49105—Connecting at different heights
    • H01L2224/49109—Connecting at different heights outside the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49175—Parallel arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/30107—Inductance

Description

Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement, insbesondere ein mit Harz umgossenes Halbleiterbauelement, das durch her­ metisches Abdichten eines Halbleiterelements mit einem Harz gebildet ist.
Fig. 1 ist eine Draufsicht auf ein konventionelles Halblei­ terbauelement. Dabei hat ein Halbleiterelement 1 eine Viel­ zahl von Elektroden 2 in seinem Außenbereich und ist auf einer Chipkontaktstelle 3 angeordnet. Innere Zuleitungen 4 sind um das Halbleiterelement 1 herum vorgesehen und jeweils durch Metalldrähte wie Au-Drähte 5 mit den Elektroden 2 des Halbleiterelements 1 verbunden. Die Teile wie das Halbleiter­ element 1, die inneren Zuleitungen 4 und dergleichen sind mit einem Abdichtharz unter Freilassung der äußeren Enden der inneren Zuleitungen 4 hermetisch abgedichtet, so daß ein Gehäusekörper 6 gebildet ist. In Fig. 1 ist das Abdichtharz nicht gezeigt.
Bei dem so ausgelegten konventionellen Halbleiterbauelement wird im Gebrauch vom Halbleiterelement 1 Wärme erzeugt und geht durch die inneren Zuleitungen 4 und den Gehäusekörper 6 zur Außenseite des Halbleiterbauelements.
Da die Größe des Gehäusekörpers 6 mit der Zahl der inneren Zuleitungen 4 zunimmt, werden bei einem solchen Halbleiter­ bauelement die inneren Zuleitungen 4 im Gehäusekörper 6 lang und dünn. Das bewirkt eine Erhöhung der Induktivität von Masse- und Stromleitern und führt zu dem Problem der Erzeu­ gung von Schaltgeräuschen im Hochgeschwindigkeitsbetrieb sowie zu Funktionsstörungen.
Wenn ferner die Zahl der Anschlußstifte erhöht wird, wird durch den höheren Integrationsgrad die vom Halbleiterbau­ element erzeugte Wärmemenge erhöht. Da jedoch das Epoxidharz oder dergleichen, das den Gehäusekörper 6 bildet, ein schlechter Wärmeleiter ist, wird die vom Halbleiterelement 1 erzeugte Wärme nur ungenügend zur Außenseite des Halbleiter­ bauelements abgeführt und bleibt somit im Bauelement. Dadurch ergibt sich das Problem, daß ein Halbleiterelement mit hohem Wärmewert zu Funktionsstörungen führt, die durch eine Tempe­ raturerhöhung des Halbleiterelements 1 bedingt sind, was wie­ derum zu einer verminderten Zuverlässigkeit des Halbleiter­ bauelements führt.
Wenn ferner der eine Vielschichtstruktur aufweisende Gehäuse­ körper aus einem Keramikmaterial besteht, dessen Wärmeleitfä­ higkeit höher als diejenige von Harzen ist, können zwar die Wärmefreisetzungseigenschaften und die elektrischen Charakte­ ristiken des Halbleiterbauelements verbessert werden. Es gibt jedoch das Problem, daß die Herstellungskosten des Halblei­ terbauelements wegen des hohen Preises von Keramikmaterial steigen.
Die Erfindung soll die vorstehend beschriebenen Probleme lö­ sen, und es ist Aufgabe der Erfindung, ein kostengünstiges Halbleiterbauelement anzugeben, das ausgezeichnete elektri­ sche Charakteristiken und Wärmefreisetzungseigenschaften hat.
Zur Lösung dieser Aufgabe wird durch die Erfindung ein Halb­ leiterbauelement angegeben, das aufweist: Stromleiter, die sich großflächig in einen Gehäusekörper erstrecken; Masselei­ ter, die angrenzend an die Stromleiter vorgesehen sind und sich großflächig in den Gehäusekörper erstrecken; eine Viel­ zahl von Signalleitern, die am Außenrand der Stromleiter und der Masseleiter vorgesehen sind; ein Halbleiterelement, das auf den Masseleitern angeordnet ist und eine Vielzahl von Elektroden aufweist; ein Isolatorsubstrat, das um das Halb­ leiterelement herum vorgesehen ist; eine Vielzahl von auf dem Isolatorsubstrat vorgesehenen Zuleitungen, die an ihren äuße­ ren Enden mit den Signalleitern verbunden sind; Metalldrähte zum Verbinden der inneren Enden der Zuleitungen und der Elek­ troden; und ein Abdichtharz zum hermetischen Abdichten eines Teils der Signalleiter und der übrigen Teile unter Bildung eines Gehäusekörpers.
Die Erfindung wird nachstehend auch hinsichtlich weiterer Merkmale und Vorteile anhand der Beschreibung von Ausfüh­ rungsbeispielen und unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen näher erläutert. Die Zeichnungen zeigen in:
Fig. 1 eine Draufsicht auf ein konventionelles Halbleiter­ bauelement;
Fig. 2 eine Draufsicht auf ein Halbleiterbauelement gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung;
Fig. 3 einen seitlichen Schnitt durch das Halbleiterbau­ element von Fig. 2;
Fig. 4 eine schematische Perspektivansicht, die die Zulei­ tungen und das Isolatorsubstrat des Halbleiterbau­ elements der Fig. 2 und 3 zeigt; und
Fig. 5 eine schematische Perspektivansicht, die die Masse-, die Strom- und die Signalleiter des Halb­ leiterbauelements der Fig. 2 und 3 zeigt.
Fig. 2 zeigt ein Ausführungsbeispiel des Halbleiterbauele­ ments. Dabei haben die Bezugszeichen 1, 2, 5 und 6 die glei­ che Bedeutung wie bei dem konventionellen Halbleiterbauele­ ment. Ein aus einem Cu-Material bestehender Leiterrahmen weist Masseleiter 7, Stromleiter 8, Signalleiter 9 und Zu­ leitungen 10 auf. Der Leiterrahmen umfaßt zwei Lagen von Leitern. Die Leiter der ersten Lage umfassen die Masseleiter 7 und die Stromleiter 8, die so geformt sind, daß sie breit im Gehäusekörper 6 verlaufen, und die Signalleiter 9, die an der Außenseite der Masseleiter 7 und der Stromleiter 8 gebil­ det sind. Die Leiter der zweiten Lage umfassen die Zuleitun­ gen 10, die auf dem Isolatorsubstrat 11 gebildet sind, das um das Halbleiterelement 1 herum vorgesehen ist.
Die Masseleiter 7 und die Stromleiter 8 sind jeweils in brei­ ter Form in dem Gehäusekörper 6 gebildet, so daß sie als Strahler wirken. Die Signalleiter 9 sind in großer Zahl in der Peripherie der Masseleiter 7 und der Stromleiter 8 ge­ bildet und mit den Elektroden 2 des Halbleiterelements 1 durch die Zuleitungen 10 und die Au-Drähte 5 verbunden. In Fig. 2 ist ein Abdichtharz 6a nicht gezeigt.
Fig. 3 ist ein Schnitt durch das Halbleiterbauelement von Fig. 2. Die Zeichnung zeigt einen Zustand, in dem eine Viel­ zahl von Zuleitungen 10 auf dem Isolatorsubstrat 11, das bei­ spielsweise ein Polyimidband ist, gebildet ist.
Fig. 4 ist eine schematische Perspektivansicht, die die Zu­ leitungen 10 und das Isolatorsubstrat 11 des Halbleiterbau­ elements der Fig. 2 und 3 zeigt. Die schematische Perspektiv­ ansicht von Fig. 5 zeigt die Masseleiter 7, die Stromleiter 8 und die Signalleiter 9 des Halbleiterbauelements. Dabei sind die äußeren Enden der auf dem Isolatorsubstrat 11 gebildeten Zuleitungen 10 jeweils mit den Signalleitern 9 verbunden. Das Halbleiterelement 1 ist auf die Masseleiter 7 gelegt, und die Elektroden 2 des Halbleiterelements 1 sind mit den inneren Enden der Zuleitungen 10 durch die Au-Drähte 5 verbunden. Wie Fig. 2 zeigt, sind die oben beschriebenen Teile mit dem Ab­ dichtharz 6a, das beispielsweise ein Epoxidharz ist, abge­ dichtet unter Bildung des Gehäusekörpers 6, von dem die Signalleiter 9 zur Außenseite hin teilweise freigelegt sind.
Bei dem so ausgelegten Halbleiterbauelement wird die vom Halbleiterelement 1 im Betrieb erzeugte Wärme hauptsächlich zu den Masseleitern 7 und den Stromleitern 8, die sehr gute Wärmeleitfähigkeit aufweisen, übertragen und gelangt von dort in effektiver Weise zur Außenseite des Halbleiterbauelements. Es ist also möglich, ein Halbleiterelement 1 zu verwenden, das einen hohen Stromverbrauch, d. h. einen hohen Wärmewert, hat. Da ferner die Masseleiter 7 und die Stromleiter 8 eine große Fläche einnehmen, kann die Induktivität des von der Stromquelle zu Masse gehenden Energiesystems reduziert werden.
Wie vorstehend beschrieben, sind bei der Erfindung die brei­ ten Strom- und Masseleiter vorgesehen, die als Strahler die­ nen und in dem Gehäusekörper angeordnet sind, so daß sich durch die Erfindung die Auswirkung ergibt, daß ein kostengün­ stiges Halbleiterbauelement mit ausgezeichneten Wärmefreiset­ zungseigenschaften und elektrischen Charakteristiken erhalten wird.

Claims (1)

  1. Halbleiterbauelement, gekennzeichnet durch
    Stromleiter (8), die großflächig in einem Gehäusekörper (6) verlaufen;
    Masseleiter (7), die angrenzend an die Stromleiter (8) vorgesehen sind und großflächig in dem Gehäusekörper (6) verlaufen;
    eine Vielzahl von Signalleitern (9), die in der Peripherie der Stromleiter (8) und Masseleiter (7) vorgesehen sind,
    ein auf den Masseleitern (7) angeordnetes Halbleiterele­ ment (1) mit einer Vielzahl von Elektroden (2);
    ein um das Halbleiterelement (1) herum vorgesehenes Isola­ torsubstrat (11);
    eine Vielzahl von Zuleitungen (10), die auf dem Isolator­ substrat (11) vorgesehen und mit den Signalleitern (9) an deren äußeren Enden verbunden sind;
    Metalldrähte (5) zum Verbinden der inneren Enden der Zu­ leitungen (10) mit den Elektroden (2); und
    ein Abdichtharz (6a) zum hermetischen Abdichten eines Teils der Signalleiter (9) und der übrigen Teile unter Bildung des Gehäusekörpers (6).
DE4126043A 1990-08-08 1991-08-06 Gekapseltes Halbleiterbauelement Expired - Fee Related DE4126043C2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2208213A JP2744685B2 (ja) 1990-08-08 1990-08-08 半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE4126043A1 true DE4126043A1 (de) 1992-02-20
DE4126043C2 DE4126043C2 (de) 1998-04-09

Family

ID=16552551

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE4126043A Expired - Fee Related DE4126043C2 (de) 1990-08-08 1991-08-06 Gekapseltes Halbleiterbauelement

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5105257A (de)
JP (1) JP2744685B2 (de)
DE (1) DE4126043C2 (de)
FR (1) FR2665799B1 (de)

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2966067B2 (ja) * 1990-09-04 1999-10-25 新光電気工業株式会社 多層リードフレーム
JPH04280462A (ja) * 1991-03-08 1992-10-06 Mitsubishi Electric Corp リードフレームおよびこのリードフレームを使用した半導体装置
JPH05136327A (ja) * 1991-11-12 1993-06-01 Toshiba Corp 半導体パツケージ
DE69120282T2 (de) * 1991-12-19 1996-12-05 Ibm Ersetzungsverfahren für Chips
US5286999A (en) * 1992-09-08 1994-02-15 Texas Instruments Incorporated Folded bus bar leadframe
US5283717A (en) * 1992-12-04 1994-02-01 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Circuit assembly having interposer lead frame
US5545923A (en) * 1993-10-22 1996-08-13 Lsi Logic Corporation Semiconductor device assembly with minimized bond finger connections
US5965936A (en) 1997-12-31 1999-10-12 Micron Technology, Inc. Multi-layer lead frame for a semiconductor device
WO1996015555A1 (en) * 1994-11-10 1996-05-23 Micron Technology, Inc. Multi-layer lead frame for a semiconductor device
US5801440A (en) * 1995-10-10 1998-09-01 Acc Microelectronics Corporation Chip package board having utility rings
US5818102A (en) * 1995-12-29 1998-10-06 Lsi Logic Corporation System having integrated circuit package with lead frame having internal power and ground busses
US6054754A (en) 1997-06-06 2000-04-25 Micron Technology, Inc. Multi-capacitance lead frame decoupling device
US6159764A (en) * 1997-07-02 2000-12-12 Micron Technology, Inc. Varied-thickness heat sink for integrated circuit (IC) packages and method of fabricating IC packages
US6515359B1 (en) 1998-01-20 2003-02-04 Micron Technology, Inc. Lead frame decoupling capacitor semiconductor device packages including the same and methods
US6114756A (en) * 1998-04-01 2000-09-05 Micron Technology, Inc. Interdigitated capacitor design for integrated circuit leadframes
US6069403A (en) * 1998-10-06 2000-05-30 Intersil Corporation Power module with lowered inductance and reduced voltage overshoots
US6894399B2 (en) 2001-04-30 2005-05-17 Intel Corporation Microelectronic device having signal distribution functionality on an interfacial layer thereof
US6888240B2 (en) * 2001-04-30 2005-05-03 Intel Corporation High performance, low cost microelectronic circuit package with interposer
US20020167804A1 (en) * 2001-05-14 2002-11-14 Intel Corporation Polymeric encapsulation material with fibrous filler for use in microelectronic circuit packaging
US7071024B2 (en) * 2001-05-21 2006-07-04 Intel Corporation Method for packaging a microelectronic device using on-die bond pad expansion
US7183658B2 (en) * 2001-09-05 2007-02-27 Intel Corporation Low cost microelectronic circuit package
USD721047S1 (en) * 2013-03-07 2015-01-13 Vlt, Inc. Semiconductor device
JP1563812S (de) * 2016-04-11 2016-11-21
JP1580899S (de) * 2016-11-15 2017-07-10
JP1577511S (de) * 2016-11-15 2017-05-29

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3146796A1 (de) * 1980-11-28 1982-06-16 Western Electric Co., Inc., 10038 New York, N.Y. "verkapselung fuer ein halbleiterchip mit integrierter schaltung"
EP0247775A2 (de) * 1986-05-27 1987-12-02 AT&T Corp. Halbleiterpackung mit Eingang/Ausgang-Verbindungen hoher Dichte
US4891687A (en) * 1987-01-12 1990-01-02 Intel Corporation Multi-layer molded plastic IC package

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58107659A (ja) * 1981-12-21 1983-06-27 Seiko Keiyo Kogyo Kk Ｉｃの実装装置
GB2199988B (en) * 1987-01-12 1990-04-25 Intel Corp Multi-layer molded plastic ic package
JPH01124244A (ja) * 1987-11-09 1989-05-17 Nec Corp リードフレーム
US4972253A (en) * 1988-06-27 1990-11-20 Digital Equipment Corporation Programmable ceramic high performance custom package

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3146796A1 (de) * 1980-11-28 1982-06-16 Western Electric Co., Inc., 10038 New York, N.Y. "verkapselung fuer ein halbleiterchip mit integrierter schaltung"
EP0247775A2 (de) * 1986-05-27 1987-12-02 AT&T Corp. Halbleiterpackung mit Eingang/Ausgang-Verbindungen hoher Dichte
US4891687A (en) * 1987-01-12 1990-01-02 Intel Corporation Multi-layer molded plastic IC package

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
R. Paul: "Elektronische Halbleiterbauelemente", Verl. Teubner Stuttgart (1986), S. 230-231 *

Also Published As

Publication number Publication date
DE4126043C2 (de) 1998-04-09
JPH0492462A (ja) 1992-03-25
FR2665799B1 (fr) 1995-03-17
US5105257A (en) 1992-04-14
JP2744685B2 (ja) 1998-04-28
FR2665799A1 (fr) 1992-02-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE4126043A1 (de) Halbleiterbauelement
DE3134343C2 (de) Halbleiteranordnung
DE2542518C3 (de)
DE19845316C2 (de) Stapelbares Ball-Grid-Array-Halbleitergehäuse und Verfahren zu dessen Herstellung
DE1615957C3 (de)
DE19747105B4 (de) Bauelement mit gestapelten Halbleiterchips
DE2910959C2 (de) Leistungs-Halbleiterbauelement mit einer Ausgleichsplatte
DE69727373T2 (de) Halbleitervorrichtung
DE1933731A1 (de) Verbindungselemente fuer Halbleiterschaltungselemente und integrierte Schaltungsanordnungen
DE3913221A1 (de) Halbleiteranordnung
DE4301915A1 (de) Mehrfachchip-Halbleitervorrichtung
DE10147955A1 (de) Halbleitervorrichtung
DE3233195A1 (de) Halbleitervorrichtung
DE4019848A1 (de) Halbleitereinrichtung mit einer eine pufferschicht aufweisenden anschlussflaeche
DE2536270A1 (de) Mii oeffnungen versehene halbleiterscheibe
DE102012105177B4 (de) Induktionsspule für Post Passivation Interconnect
DE4230187A1 (de) Baueinheit mit speicher-ic, sowie verfahren zum herstellen einer solchen baueinheit
DE102006003137A1 (de) Elektronikpackung und Packungsverfahren
DE3428881A1 (de) Verfahren zum herstellen einer integrierten schaltungsvorrichtung
DE19651122A1 (de) Halbleiterbauelement
DE4444584A1 (de) Halbleiterwafer
DE2451211A1 (de) Dichte packung fuer integrierte schaltungen
DE19737261A1 (de) Leiterrahmen für gekapselte integrierte Schaltkreise
DE102008031511A1 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung derselben
DE19652395A1 (de) Integrierte Schaltkreisanordnung

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee