DE4141352A1 - Verfahren zur herstellung von mikrostrukturkoerpern - Google Patents
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Mikro
strukturkörpern mit Strukturtiefen von mehreren µm bis in den
mm-Bereich bei Lateralabmessungen im Mikrometerbereich durch
Bestrahlen von Polymeren mit Röntgenstrahlen und nachfolgender
Entwicklung mit geeigneten Entwicklermedien.
Die Entwicklung der Mikroelektronik hat gezeigt, daß die kon
sequente Miniaturisierung und Integration zu einer unüberschau
baren Vielfalt neuer Produkte mit entsprechenden Technologien
führt. Die Mikroelektronik hat in wenigen Jahren gegenüber
anderen Industriezweigen einen gewaltigen Vorsprung in der
Miniaturisierung gewonnen. Inzwischen zeichnet sich ab, daß in
Zukunft auch andere Mikrotechniken eine große Bedeutung erlangen
werden, wobei insbesondere die Mikromechanik und die integrierte
Optik zu erwähnen sind. Solche Techniken eröffnen in der Kombi
nation mit der Mikroelektronik eine unvorstellbare Zahl neuer
elektronischer, optischer, biologischer und mechanischer
Funktionselemente.
Bei einer Massenfertigung von nichtelektronischen Bauelementen,
Systemkomponenten und Subsystemen der Mikrotechnik wird man
naturgemäß die außerordentlich leistungsfähigen Fertigungs
methoden der Halbleitertechnik in möglichst großem Umfang nutzen.
Gleichzeitig muß man versuchen, klassische Methoden der Feinwerk
technik für die Mikromechanik zu ertüchtigen und mit entsprechend
modifizierten Halbleiterfertigungsmethoden zu verschmelzen, um so
die engen Grenzen der Siliciumplanartechnik verlassen und neue
Gestaltungsmöglichkeiten erschließen zu können, die auf einer
Vielfalt von Formen und Materialien aufbauen. Diese Forderung
wird z. B. in hohem Maße durch das LIGA-Verfahren erfüllt, das auf
den Fertigungsschritten
- - Lithographie,
- - Galvanoformung und
- - Abformung
aufgebaut und am Kernforschungszentrum Karlsruhe (KfK) entwickelt
worden ist.
Interessante Mikrostrukturprodukte sind Sensoren zur Messung von
Beschleunigung, Durchfluß, Ultraschall, Feuchte u.ä., Mikro
motoren, mikropneumatische Bauelemente, Mikrostecker für die
Mikroelektronik, mikrooptische Bauelemente, Faseroptiken, Mikro
elektroden, Spinndüsen, Mikrofilter, Gleitlager, Membrane und
vieles andere mehr.
Der wesentliche Fertigungsschritt des LIGA-Verfahrens ist die
strukturgenaue Bestrahlung des eingesetzten Polymeren. Die
prinzipielle Durchführbarkeit des LIGA-Verfahrens konnte anhand
einfacher Mikrostrukturen mit einem speziell hergestellten
Polymethylmethacrylat (im folgenden PMMA genannt) nachgewiesen
werden.
Bei der Herstellung komplexer dreidimensionaler Strukturen mit
Strukturtiefen von mehreren µm bis in den mm-Bereich nach dem
oben genannten LIGA-Verfahren hat sich gezeigt, daß PMMA einen
hohen Bestrahlungsaufwand erfordert.
Weiter hat sich gezeigt, daß bei der Entwicklung der bestrahlten
Polymeranteile mit einem geeigneten Entwicklermedium die unbe
strahlten Polymeranteile quellen, wobei feine Mikrostrukturen
zerstört werden können. Andererseits können gequollene Polymer
anteile beim Austrocknen zu Spannungsrissen führen, die bei der
Galvanik zu unbrauchbaren Mikrostrukturkörpern führen. Ursache
für diese Probleme ist die hohe Lösungsmittelempfindlichkeit des
PMMA.
Aufgabe der Erfindung war es, ein Polymer zu finden, welches
einen geringeren Bestrahlungsaufwand bei Bestrahlung mit
Synchrotronstrahlung erfordert, unter dem Einfluß von Röntgen
licht depolymerisiert und mit speziellen Entwicklern selektiv
entfernbar ist; das Polymere sollte ferner eine einfache Probe
körperherstellung, beispielsweise durch Spritzguß, Pressen,
Extrusion bzw. Gießen ermöglichen und keine Quellung, keine
Spannungsrisse und keine Fehlstellen aufweisen.
Außerdem sollte das Polymer mikrostrukturierbar sein, d. h. das
Polymer sollte auch als Mikrostruktur unter 5 bis 10 µm bei
gleichzeitig hohem Aspektverhältnis (= Strukturhöhe : Struktur
breite) von 5:1 bis 1000:1, vorzugsweise zwischen 20 : 1 bis 50 : 1,
ausreichende thermomechanische Festigkeit besitzen. Damit
Galvanikprozesse problemlos überstanden werden, sollte das
Polymer bis 60°C mechanisch stabil und gleichzeitig beständig
gegen z. B. Schwefelsäure und Amidoschwefelsäure sein.
Überraschenderweise wurde gefunden, daß aliphatische Polyester,
insbesondere Polyglycolid- und Polylactidhomo- und -copolymere
sowie Homo- und Copolymere der 3- und 4-Hydroxybuttersäure diese
Forderungen erfüllen.
Die Verwendbarkeit von Polyglycolid- und Polylactidhomo- und
-copolymeren zur Herstellung von Mikrostrukturkörpern, bei der es
auf ein hohes Aspektverhältnis ankommt, wie dies beispielsweise
für das LIGA-Verfahren erforderlich ist, und die sich dabei
ergebenden Vorteile waren überraschend und konnten aus den bisher
bekannten Druckschriften nicht hergeleitet werden.
Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zur
Herstellung von Mikrostrukturkörpern mit Strukturtiefen von
mehreren µm bis in den mm-Bereich durch bildmäßiges Bestrahlen
von Polymeren mit Röntgenstrahlen, das dadurch gekennzeichnet
ist, daß als Polymere aliphatische Polyester eingesetzt werden.
Hierfür bevorzugte aliphatische Polyester sind Polyglycolid,
Polylactid oder Glycolid-/Lactidcopolymere.
Als Röntgenstrahlung kann vorzugsweise Synchrotronstrahlung
eingesetzt werden.
Zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens können die
aliphatischen Polyester durch Spritzguß, Extrusion und/oder
Pressen auf einen Träger aufgebracht werden.
Nach dem erfindungsgemäßen Verfahren lassen sich Mikrostruktur
körper mit Strukturtiefen zwischen 3 µm und 2000 µm herstellen,
so daß durch Bestrahlung mit Synchrotronstrahlung und Einwirkung
selektiver Entwickler in einer Abtragstiefe von 10 µm bis 2000 µm
bei lateralen Abmessungen von unter 10 µm strukturiert werden
kann.
Als selektive Entwickler eignen sich vorzugsweise z. B. wäßrige
oder alkoholische Natriumhydroxidlösungen oder Amin enthaltende
Entwicklerlösungen.
Die Bestrahlung erfolgt beim erfindungsgemäßen Verfahren mittels
energiereicher paralleler Strahlung aus Röntgenstrahlquellen. Die
Wellenlängen dieser Strahlen liegen in einem Bereich von 0,1 bis
10 nm, vorzugsweise 0,1 bis 1,0 nm.
Derartige Bestrahlungen können beispielsweise an einem Synchro
tron mit speziellen Vorabsorbern, z. B. aus Beryllium oder Poly
imidfolie (z. B. Kapton® der Fa. Du Pont de Nemours) mit Be
strahlungszeiten von 1 min bis 300 min bei einem mittleren Ring
strom von 25 mA durchgeführt werden.
Der Bestrahlungsaufwand ist abhängig von der Elektronenenergie im
Elektronenspeicherring, der vom Synchrotron abgezweigt ist. Im
allgemeinen beträgt die Elektronenenergie 1,6 bis 2,3 GeV.
Zur bildmäßigen Bestrahlung werden üblicherweise spezielle Rönt
genmasken, beispielsweise aus einer Titanträgerfolie mit Gold
absorberstrukturen verwendet.
Als Polymere werden erfindungsgemäß aliphatische Polyester,
insbesondere Polyglycolid- und Polylactidhomo- und -copolymere
eingesetzt.
Polyglycolid- und Polylactidhomo- und -copolymere sind bekannt
und beispielsweise in US-A-47 44 365; EP-A 3 14 245; JP 1 22 643
(= J6 0014-861-A); EP-A 2 64 926; G. Rafler, L. Dahlmann,
I. Ruhnau, Acta Polymerica 41 (1990) 628; Ph. Dubois, C. Jacobs,
R. Jerome, Ph. Teyssie, Macromolecules 24 (1991) 2266;
R. Rafler, J. Dahlmann, Acta Polymerica 41 (1990) 611, sowie in
T. Masuda, A. Matsuda, S. Yamazaki, I. Takahashi, K. Sato,
Polymer Preprints, Japan 39 (1990) 5 beschrieben.
Für das erfindungsgemäße Verfahren besonders geeignet sind Poly
glycolide, D,L-Polylactid, D- und L-Polylactid und Copolymere,
d. h. Poly(glycolid-co-D,L-lactid), Poly(glycolid-co-D-lactid),
Poly(glycolid-co-L-lactid) und Poly-(L-lactid-co-D,L-lactid)e und
Poly-(D-lactid-co-D,L-lactid)e.
Außerdem sind Copolymere mit bis zu 50% ε-Caprolacton und/oder
Trimethylencarbonat als Aufbaukomponente geeignet, z. B. Poly-(L-
lactid-co-ε-caprolacton), Poly-(L-lactid-co-trimethylencarbonat),
Poly(glycolid-co-ε-caprolacton) und Poly(glycolid-co-trimethylen
carbonat). Geeignet sind auch 3- und 4-Hydroxybuttersäurehomo-
und -copolymere, beispielsweise Copolymere der 3- und 4-Hydroxy
buttersäure mit Hydroxyvaleriansäuren (Mengenverhältnis der Co
monomeren zueinander 100 : 5 bis 100 : 50, vorzugsweise 9 : 1 bis 7 : 3),
beispielsweise Biopol®-Polymere der Fa. ICI.
In der Regel haben die verwendeten aliphatischen Polyester ein
mittleres Molekulargewicht von 10 000 bis 1 000 000, vorzugsweise
200 000 bis 300 000 bzw. inhärente Viskositäten zwischen 2,5 und
9, vorzugsweise zwischen 7 und 9 dl/g.
Bevorzugt sind für das erfindungsgemäße Verfahren teilkristalline
Derivate mit Schmelzpunkten zwischen 140 und 230°C, z. B. Poly
glycolid, L- bzw. D-Polylactid und Copolymere wie Poly(glycolid
co-L,D-lactid) und Poly-(L-lactid-co-D,L-lactid).
Beispiele für derartige besonders bevorzugte aliphatische Poly
ester sind Poly-L-lactid (z. B. Resomer® L 214 der Fa. Boehringer,
Ingelheim) und Poly-L-lactid(9O)-co-D,L-lactid(10) (z. B.
Resomer LR 909).
Die Herstellung geeigneter aliphatischer Polyester kann vorzugs
weise durch ringöffnende Polymerisation von
durchgeführt werden (vgl. R. Rafler, J. Dahlmann, Acta Poly
merica 41 (1990) 611).
Polyglycolid kann jedoch auch aus Kohlenmonoxid und Formaldehyd
dargestellt werden (vgl. T. Masuda, Polymer Preprints, Japan 39
(1990) 5).
Wie bereits oben erwähnt, können zur Herstellung von Mikro
strukturkörpern die aliphatischen Polyester, insbesondere Poly
glycolid- und Polylactidhomo- und -copolymere als Granulat oder
in Pulverform nach üblichen Verfahren, wie z. B. durch Pressen,
Spritzguß und/oder Extrusion bei Temperaturen zwischen 20 und
240°C auf elektrisch leitende Metallträger, wie z. B. aus Nickel,
Kupfer oder Stahl, auf die gegebenenfalls eine 0,1 bis 50 µm
dicke Schicht aus einem weiteren Metall oder Metalloxid, z. B.
Titan, aufgebracht wurde, gegebenenfalls unter Mitverwendung
spezieller Haftlacke oder spezieller Haftvermittler aufgebracht
und fixiert werden. Die Schichtdicke der Homo- und Copolymeren
auf dem Metallträger liegt im allgemeinen zwischen 20 und 2000,
vorzugsweise 50 bis 800, insbesondere zwischen 100 und 500 µm.
Die Oberfläche der Homo- oder Copolymerschichten sollte zweck
mäßigerweise möglichst glatt sein.
Nach dem bildmäßigen Bestrahlen wird mit geeigneten Entwickler
medien entwickelt.
Als Entwickler können basische Entwickler, z. B. 0,1 bis 20%ige
Natriumhydroxidlösung in Wasser oder in Wasser/Isopropanol
gemischen eingesetzt werden. Es erfolgt kein Angriff auf unbe
strahlte Bereiche.
Auch organische Säuren - Ameisensäure, Essigsäure - oder
aminische Entwickler zeigen Abträge, die jedoch unterhalb denen
liegen, welche mit Natriumhydroxidlösungen erzielt werden.
Die so erhaltenen Mikrostrukturen zeigen im Vergleich zu
GG-Entwickler, wie in DE-C-30 39 110 für PMMA beschrieben, bei
gleichem Bestrahlungsaufwand erheblich größere Strukturtiefen. Es
ließen sich so Strukturen mit lateralen Abmessungen unter 10 µm
bei maximaler Strukturhöhe von mehreren hundert µm herstellen,
die keine Defekte aufwiesen.
Die so erhaltenen Mikrostrukturen zeigen scharfe, steile Kanten
und glatte Wände und sind beständig gegenüber den im LIGA-Prozeß
verwendeten Galvanikbädern, d. h. z. B. sauren Kupfer- bzw. Nickel
galvanikbädern. Bei Temperaturen zwischen 20 und 60°C bleiben die
Mikrostrukturen über 24 Stunden in den Galvanikbädern unver
ändert.
Der neben der Abtragstiefe größte Vorteil der erfindungsgemäß
eingesetzten aliphatischen Polyester im Vergleich zu PMMA als
Resist für den LIGA-Prozeß ist deren hervorragende Spannungsriß
beständigkeit in den Mikrostrukturen.
Die in den folgenden Beispielen genannten Teile und Prozente
sind, soweit nicht anders angegeben, Gewichtsteile bzw. Gewichts
prozente.
Ein L-Polylactid mit einer inhärenten Viskosität von 7 bis 9 dl/g
(z. B. das Handelsprodukt Resomer® L 214 der Firma Boehringer KG)
wurde als Probekörper mit den Abmessungen 30×10×2 mm an einem
Synchrotron mit 2,3 GeV Elektronenenergie 13,5 min bei einem
mittleren Ringstrom von 25 mA und einen Scannerhub von 10 mm
durch eine Röntgenmaske mit Teststrukturen bildmäßig bestrahlt.
Der Abtrag fand bei der nachfolgenden Entwicklung mit einer
1%igen Lösung von Natriumhydroxid in 1:1 Wasser/Isopropanol bei
25°C/30 min statt. Die Abtragstiefe betrug 350 µm. Das struktu
rierte L-Polylactid ist an typischen "Kerbspannungs"-Teststruk
turen vollig frei von Spannungsrissen. Feinstrukturen der Test
maske, wie 5 µm breite Gräben, Mikrozahnräder, Mikrospiralen,
Stege mit 25 µm Breite, und Säulen mit 25 µm Durchmesser sind
frei von singulären und statistischen Fehlstellen.
Ein Probekörper aus PMMA wurde unter den entsprechenden Bedin
gungen 13,5 min bestrahlt und mit dem für PMMA optimierten Ent
wickler (GG-Entwickler) strukturiert. Der Abtrag betrug nur
80 µm. Bei den "Kerbspannungs"-Teststrukturen, an den Mikro
zahnradkränzen und bei den Mikrospiralen treten Spannungsrisse
auf. Weitere Mikrostrukturen der Testmaske, wie 5 µm breite
Gräben, Stege mit 25 µm Breite, und Säulen mit 25 µm Durchmesser
sind frei von singulären und statistischen Fehlstellen.
Ein L-Polylactid mit einer inhärenten Viskosität von 2,9 dl/g
(z. B. das Handelsprodukt Resomer® LR 909 der Firma Boehringer KG)
wurde als Probekörper mit den Abmessungen 30×10×2 mm an einem
Synchrotron mit 2,3 GeV Elektronenenergie 13,5 min bei einem
mittleren Ringstrom von 25 mA und einen Scannerhub von 10 mm
durch eine Röntgenmaske mit Teststrukturen bildmäßig bestrahlt.
Der Abtrag fand bei der nachfolgenden Entwicklung mit einer
1-%igen Lösung von Natriumhydroxid in 1:1 Wasser/Isopropanol bei
25°C/30 min statt. Die Abtragstiefe betrug 380 µm. Das struktu
rierte L-Polylactid ist an typischen "Kerbspannungs"-Teststruk
turen völlig frei von Spannungsrissen. Mikrostrukturen der Test
maske, wie 5 µm breite Gräben, Zahnräder, Spiralen, Stege mit
25 µm Breite, und Säulen mit 25 µm Durchmesser sind frei von
singulären und statistischen Fehlstellen.
Ein Probekörper aus PMMA wurde unter den entsprechenden Bedin
gungen 13,5 min bestrahlt. Der Abtrag betrug nur 80 µm (Entwick
lung mit GG-Entwickler). Bei den "Kerbspannungs"-Teststrukturen
an den Mikrozahnradkränzen und bei den Mikrospiralen treten
Spannungsrisse auf. Weitere Mikrostrukturen der Testmaske, wie
5 µm breite Gräben, Stege mit 25 µm Breite, und Säulen mit 25 µm
Durchmesser sind frei von singulären und statistischen Fehl
stellen.
Ein L-Polylactid, wie es in Beispiel 1 verwendet wurde, wurde als
Probekörper mit den Abmessungen 30×10×2 mm an einem Synchrotron
mit 2,3 GeV Elektronenenergie 22,5 min bei einem mittleren Ring
strom von 25 mA und einen Scannerhub von 10 mm durch eine
Röntgenmaske mit Teststrukturen bildmäßig bestrahlt. Der Abtrag
fand bei der nachfolgenden Entwicklung mit einer 1 %igen Lösung
von Natriumhydroxid in 1:1 Wasser/Isopropanol bei 25°C/30 min
statt. Die Abtragstiefe betrug 475 µm. Das strukturierte L-Poly
lactid ist an typischen "Kerbspannungs"-Teststrukturen völlig
frei von Spannungsrissen. Feinstrukturen der Testmaske, wie 10 µm
breite Gräben, Mikrozahnräder, Mikrospiralen, Stege mit 25 µm
Breite, und Säulen mit 25 µm Durchmesser sind frei von singulären
und statistischen Fehlstellen.
Ein Probekörper aus PMMA wurde unter den entsprechenden Bedin
gungen 22,5 min bestrahlt. Der Abtrag betrug nur 150 µm (Ent
wicklung mit GG-Entwickler). Bei den "Kerbspannungs"-Teststruk
turen, an den Mikrozahnradkränzen und bei den Mikrospiralen
treten Spannungsrisse auf. Weitere Mikrostrukturen der Testmaske,
wie 10 µm breite Gräben, Stege mit 25 µm Breite, und Säulen mit
25 µm Durchmesser sind frei von singulären und statistischen
Fehlstellen.
Ein L-Polylactid wie es in Beispiel 2 verwendet wurde, wurde als
Probekörper mit den Abmessungen 30×10×2 mm an einem Synchrotron
mit 2,3 GeV Elektronenenergie 22,5 min bei einem mittleren Ring
strom von 25 mA und einen Scannerhub von 10 mm durch eine
Röntgenmaske mit Teststrukturen bildmäßig bestrahlt. Der Abtrag
fand bei der nachfolgenden Entwicklung mit einer 1%igen Lösung
von Natriumhydroxid in 1:1 Wasser/Isopropanol bei 25°C/30 min
statt. Die Abtragstiefe betrug 500 µm. Das strukturierte L-Poly
lactid ist an typischen "Kerbspannungs"-Teststrukturen völlig
frei von Spannungsrissen. Mikrostrukturen der Testmaske, wie
10 µm breite Gräben, Mikrozahnräder, Mikrospiralen, Stege mit
25 µm Breite, und Säulen mit 25 µm Durchmesser sind frei von
singulären und statistischen Fehlstellen.
Ein Probekörper aus PMMA wurde unter den entsprechenden Bedin
gungen 22,5 min bestrahlt. Der Abtrag betrug nur 150 µm (Ent
wicklung mit GG-Entwickler). Bei den "Kerbspannungs"-Test
strukturen, an den Mikrozahnradkränzen und bei den Mikrospiralen
treten Spannungsrisse auf. Weitere Mikrostrukturen der Testmaske,
wie 10 µm breite Gräben, Stege mit 25 µm Breite, und Säulen mit
25 µm Durchmesser sind frei von singulären und statistischen
Fehlstellen.
Ein L-Polylactid einer inhärenten Viskosität von 7 bis 9 dl/g
(Granulat; z. B. das Handelsprodukt Resomer® L 214 der Firma
Boehringer KG) wurde durch Erhitzen auf 200°C/2 min in einem
30×80 mm Metallrahmen durch Pressen (250 kg/cm2) auf eine Kupfer
trägerplatte mit 200 nm Oberflächenrauhigkeit aufgebracht. Die
Schichtdicke betrug 120 µm.
An einem Synchrotron mit 2,3 GeV Elektronenenergie wurde 13,5 min
bei einem mittleren Ringstrom von 25 mA und einen Scannerhub von
10 mm durch eine Röntgenmaske mit Teststrukturen bildmäßig be
strahlt. Der Abtrag fand bei der nachfolgenden Entwicklung mit
einer 1%igen Lösung von Natriumhydroxid in 1:1 Wasser/Iso
propanol bei 25°C/30 min statt. Der Abtrag betrug 120 µm, d. h.
die elektrisch leitfähige Trägerplatte war freigelegt. Das
strukturierte L-Polylactid ist an typischen "Kerbspannungs"-Test
strukturen völlig frei von Spannungsrissen. Feinstrukturen der
Testmaske, wie 5 µm breite Gräben, Mikrozahnräder, Mikrospiralen,
Stege mit 40 µm Breite, und Säulen mit 25 µm Durchmesser sind
frei von singulären und statistischen Fehlstellen.
PMMA kann auf einer Kupferplatte nicht entsprechend strukturiert
werden, weil der GG-Entwickler das Kupfer komplexiert und anlöst.
Ein L-Polylactid einer inhärenten Viskosität von 7 bis 9 dl/g
(Granulat; z. B. das Handelsprodukt Resomer® L 214 der Firma
Boehringer KG) wurde durch Erhitzen auf 200°C/2 min in einem
30×80 mm Metallrahmen durch Pressen (250 kg/cm2) auf eine Kupfer
trägerplatte mit einer Titanschicht von ca. 3 µm, welche ober
flächlich oxidiert war, aufgebracht. Die Oberflächenrauhigkeit
der Kupferplatte betrug ca. 200 nm. Die Resistschichtdicke betrug
350 µm.
An einem Synchrotron mit 2,3 GeV Elektronenenergie wurde 37,8 min
bei einem mittleren Ringstrom von 25 mA und einen Scannerhub von
28 mm durch eine Röntgenmaske mit Teststrukturen bildmäßig be
strahlt. Der Abtrag fand bei der nachfolgenden Entwicklung mit
einer 1-%igen Lösung von Natriumhydroxid in 1:1 Wasser/Iso
propanol bei 25°C/30 min statt. Der Abtrag betrug 350 µm, d. h.
die elektrisch leitfähige Trägerplatte war freigelegt. Das
strukturierte L-Polylactid ist an typischen "Kerbspannungs"-
Teststrukturen völlig frei von Spannungsrissen. Feinstrukturen
der Testmaske, wie 5 µm breite Gräben, Mikrozahnräder, Mikro
spiralen, Stege mit 25 µm Breite, und Säulen mit 40 µm Durch
messer sind frei von singulären und statistischen Fehlstellen.
Das strukturierte Laminat kann für galvanische Abscheidung von
Metallen nach dem LIGA-Verfahren verwendet werden.
Ein Laminat aus PMMA (350 µm) und dem in Beispiel 6 beschriebenen
Träger wurde mit den entsprechenden Bedingungen 37,8 min be
strahlt. Der Abtrag betrug nur 90 µm (Entwicklung mit GG-Entwick
ler). Die elektrisch leitfähige Trägerplatte war nicht freige
legt. Das strukturierte Laminat kann deshalb für galvanische
Abscheidungen von Metallen nach dem LIGA-Verfahren nicht ver
wendet werden.
Claims (7)
1. Verfahren zur Herstellung von Mikrostrukturkörpern mit
Strukturtiefen von mehreren µm bis in den mm-Bereich durch
bildmäßiges Bestrahlen von Polymeren mit Röntgenstrahlen,
dadurch gekennzeichnet, daß als Polymere aliphatische
Polyester eingesetzt werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als
aliphatische Polyester Polyglycolid, Polylactid oder
Glycolid-/Lactidcopolymere eingesetzt werden.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
daß als Röntgenstrahlen Synchrotronstrahlung eingesetzt
wird.
4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß der aliphatische Polyester durch Spritz
guß, Extrusion, Gießen und/oder Pressen auf einen Träger
aufgebracht wird.
5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß Mikrostrukturkörper mit Strukturtiefen
zwischen 3 µm und 2000 µm hergestellt werden.
6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß Mikrostrukturkörper mit Abtragstiefen
von 10 µm bis 2000 µm und lateralen Abmessungen von unter
10 µm durch Bestrahlung mit Synchrotronstrahlung und Ein
wirkung selektiver Entwickler hergestellt werden.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß als
selektive Entwickler wäßrige oder alkoholische Natrium
hydroxidlösungen oder Amin enthaltende Entwicklerlösungen
eingesetzt werden.
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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DE4229244A1 (de) * | 1992-09-02 | 1994-03-03 | Basf Ag | Verfahren zur Herstellung von Mikrostrukturkörpern |
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DE4424236A1 (de) * | 1994-07-09 | 1996-01-18 | Deutsche Bundespost Telekom | Verfahren zur Strukturierung der Oberfläche eines aus einem Polymer bestehenden Körpers und nach dem Verfahren hergestellte Anordnungen |
US6199318B1 (en) | 1996-12-12 | 2001-03-13 | Landec Corporation | Aqueous emulsions of crystalline polymers for coating seeds |
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SE515104C2 (sv) * | 1999-02-12 | 2001-06-11 | Aamic Ab | Metod för att framställa en formkropp samt en formkropp sålunda framställd |
US6946182B1 (en) | 1999-07-16 | 2005-09-20 | Allgeuer Thomas T | Fringed surface structures obtainable in a compression molding process |
EP1198338B1 (de) * | 1999-07-16 | 2003-12-17 | Advanced Design Concepts GmbH | Thermoplastische gegenstände mit einer oberflächenstreifenstruktur |
DE19950452A1 (de) * | 1999-10-20 | 2001-04-26 | Creavis Tech & Innovation Gmbh | Strukturierte Oberflächen mit zelladhäsions- und zellproliferationshemmenden Eigenschaften |
DE19953039A1 (de) | 1999-11-03 | 2001-05-23 | Hcd Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines mehrschichtigen oberflächenstrukturierten Halbzeugs aus thermoplastischen Kunststoffen |
US6872438B1 (en) | 2000-07-17 | 2005-03-29 | Advanced Design Concept Gmbh | Profile or molding having a fringed surface structure |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3039110A1 (de) * | 1980-10-16 | 1982-05-13 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren fuer die spannungsfreie entwicklung von bestrahlten polymethylmetacrylatschichten |
DE3246825A1 (de) * | 1982-02-24 | 1983-09-01 | Max Planck Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V., 3400 Göttingen | Positives resistmaterial |
US4744365A (en) * | 1986-07-17 | 1988-05-17 | United States Surgical Corporation | Two-phase compositions for absorbable surgical devices |
DE3778111D1 (de) * | 1986-10-24 | 1992-05-14 | Boehringer Ingelheim Kg | Verfahren zur herstellung und reinigung thermolabiler verbindungen. |
JPS63236321A (ja) * | 1987-03-25 | 1988-10-03 | Fujitsu Ltd | X線露光装置 |
NL8702563A (nl) * | 1987-10-28 | 1989-05-16 | Cca Biochem B V | Polymeer lactide, werkwijze voor het bereiden van een dergelijk polymeer lactide, alsmede een samenstelling, die een dergelijk polymeer lactide bevat. |
US5298367A (en) * | 1991-03-09 | 1994-03-29 | Basf Aktiengesellschaft | Production of micromoldings having a high aspect ratio |
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8130 | Withdrawal |