DE4203822A1

DE4203822A1 - Verfahren zum texturieren von polykristallinem silizium

Info

Publication number: DE4203822A1
Application number: DE4203822A
Authority: DE
Inventors: Mark E Tuttle
Original assignee: Micron Technology Inc
Current assignee: Micron Technology Inc
Priority date: 1991-02-11
Filing date: 1992-02-10
Publication date: 1992-08-13
Also published as: US5102832A; JPH0590528A

Description

Die Erfindung betrifft die Halbleiterherstellung und befaßt sich mit einem Verfahren, mit dem einer polykristallinen Siliziumschicht eine texturierte Oberfläche verliehen wird.

Ein Verfahren zum Texturieren von polykristallinem Silizium (nachfolgend auch "Polysilizium" oder "Poly" genannt) wird diskutiert in einem Artikel mit dem Titel "Rugged Surface Poly-Si Electrode and Low Temperature Deposited Si3N4 for 64 Mb and Bey ond STC DRAM Cell", verfaßt von M. Yoshimaru et al, Oki Electric Industry Co., Ltd., VLSI R & D Labora tory 550-1, Higashiasakawa, Hachioji, Tokyo 193, Japan. Gemäß diesem Artikel bewirkt die Verwendung einer Temperatur von 570°C für das Niederschlagen von Poly, daß die Poly-Schicht zerklüftet (oder texturiert) wird. In diesem Artikel (3. Ansatz auf Seite 1) wird ausgeführt, daß das Anwenden dieser Technik auf die Bildung einer Speicherknotenzellen platte eines Speicherstapelkondensators eines dyna mischen Speichers mit Lese- und Schreibzugriff (DRAM) zu einer Vergrößerung der Zellenplattenober fläche bis auf eine Fläche führt, die bis zu 2,5 mal so groß ist wie die einer standardmäßigen Stapelkondensatorzelle (STC).

Dieses Verfahren hat zwei Nachteile:

1) Die Temperatur muß während des Niederschlagens zur Bildung der zerklüfteten Poly-Oberfläche präzise gesteuert werden (innerhalb +/-3°C von 500°C).
2) Wird das zerklüftete Poly in nachfolgenden Verfahrensschritten Temperaturen oberhalb 570°C ausgesetzt, bewirkt dies, daß die zer klüftete Oberfläche wieder eingeebnet wird.

Mit der vorliegenden Erfindung wird eine stabile und gleichmäßige texturierte Poly-Oberfläche er zeugt, die ihre texturierte Oberfläche über den Einsatz herkömmlicher DRAM-Herstellungsverfahren beibehält.

Bei der vorliegenden Erfindung handelt es sich um ein Verfahren zum Texturieren einer Schicht aus polykristallinem Silizium (Polysilizium oder Poly), die verwendet werden soll als eine Speicherknoten zellenplatte eines Kondensators in Halbleitervor richtungen wie Speichervorrichtungen und insbeson dere dynamische Speicher mit Schreib- und Lesezu griff oder DRAMs. Die folgende Erläuterung konzen triert sich auf die Verwendung des erfindungsge mäßen Verfahrens während des Herstellungsprozesses eines herkömmlichen Stapelkondensator-DRAM. Dies dient aber lediglich als Beispiel. Die Erfindung ist in für den Fachmann selbstverständlicher Weise bei einer Vielzahl von Halbleitervorrichtungen verwendbar, bei denen Polysilizium verwendet wird und bei denen der Wunsch besteht, daß das Polysili zium eine texturierte Oberfläche annimmt.

Es wird ein Halbleiterwafer hergestellt, bevor eine Poly-Schicht niedergeschlagen wird, die als eine Speicherknotenzellenplatte eines Kondensators in einer DRAM-Anordnung dienen soll. Bei diesem Sei spiel ist eine Öffnung für einen verdeckten oder vergrabenen Ziffernleitungskontakt vorbereitet worden für einen nachfolgenden Niederschlag von Polysilizium, das Kontakt zu dem aktiven Bereich einer Zugriffsvorrichtung herstellen soll und das später in Musterform gebracht und dotiert wird, um als Speicherknotenzellenplatte eines Stapelkonden sators zu dienen.

Das Polysilizium wird texturiert, indem die Wafer oberfläche vor dem Poly-Niederschlag vorbereitet wird durch Bedecken der Oberfläche mit extrem kleinen Partikeln (3-30 nm im Durchmesser), wie Siliziumdioxid (SiO2) oder Silizium (Si). Die Wa feroberfläche würde auch vorbereitet dadurch, daß man sie Verunreinigungen wie H₂O oder verschiedenen Kohlenwasserstoffverbindungen aussetzt. Das Vorhan densein dieser kleinen Partikel oder der absicht lich eingebrachten Verunreinigungen bewirkt bei nachfolgend niedergeschlagenem Poly, daß es dort vorzugsweise zur Kristallisationskeimbildung kommt, wodurch auf der Waferoberfläche Poly-Knötchen gebildet werden. Während das Niederschlagen weiter läuft, fährt das Poly fort, die Poly-Knötchen zu bedecken, was zu einer texturierten Polysilizium- Oberfläche führt.

Polysilizium, das mit dem erfindungsgemäßen Verfah ren texturiert worden ist, kann in einer Vielzahl Anwendungen benutzt werden und speziell zur Ver größerung der DRAM-Zellenkapazität.

Erfindungsgemäße Verfahren sind in den nebengeord neten Ansprüchen angegeben. Weiterbildungen sind den Unteransprüchen entnehmbar.

Die Erfindung wird nun anhand eines Ausführungsbei spiels näher erläutert. In den Zeichnungen zeigen:

Fig. 1 eine Querschnittsansicht eines Wafer teils, der sich aus dem erfindungsgemäßen Verfahren ergibt;

Fig. 2 eine Querschnittsansicht eines Teils eines Siliziumwafers, der bis zu dem Verfahrensschritt vor der Bildung einer Speicherknotenzellenplatte aus Poly für eine DRAM-Anordnung erzeugt worden ist;

Fig. 3 eine Querschnittsansicht des in Fig. 2 gezeigten Bereichs des Siliziumwafers nach einer Vorbehandlung der Silizium wafer-Oberfläche; und

Fig. 1 ist eine Querschnittsansicht des in Fig. 3 gezeigten Bereichs des Siliziumwafers nach einem konformen Niederschlag von Polysilizium.

Eine bevorzugte Ausführungsform des erfindungs gemäßen Texturier-Verfahrens in Anwendung bei einer DRAM-Speicheranordnung umfaßt Verfahrensschritte, die in der Reihenfolge der Fig. 2, 3 und 1 beschrieben werden.

Bei dem in Fig. 2 gezeigten Verfahrensstand ist ein Siliziumwafer 10 bis zu einem Verfahrensschritt hergestellt worden, der vor der Erzeugung einer Poly-Speicherknotenzellenplatte in einer Speicher anordnung liegt. Mit dem herkömmlichen Herstel lungsverfahren zur Erzeugung einer standardmäßigen Stapelkondensatorzelle ist ein Feld-Oxid 12 gebil det worden, das Ziffernleitungen 13 von einem Siliziumsubstrat 10 trennt. Die Ziffernleitungen 13 sind getrennt mittels vertikaler dielektrischer Abstandselemente 14, einer dielektrischen Schicht 18 und einer konformen dielektrischen Schicht 15. Eine vergrabene Kontaktstelle 16 ist geöffnet worden, um Zutritt zu einem aktiven Bereich 17 für eine in folgenden Schritten herzustellende Speicherknoten-Kondensatorzellenplatte zu erzeugen.

Gemäß Fig. 3 sind Partikel 21 (vorzugsweise etwa 10 nm in Durchmesser) gleichförmig auf freiliegende Oberflächen des Dielektrikums 15, der vertikalen Abstandselemente 14, der dielektrischen Schicht 18 und des aktiven Bereichs 17 aufgebracht. Beispielsweise können diese Partikel Silizium (Si) oder Siliziumdioxid (SiO2) sein, die auf die frei liegende Waferoberfläche mittels eines Zerstäubers gleichmäßig fein aufgesprüht werden. Als zweite Alternative wird die Waferoberfläche Wasser oder verschiedenen Kohlenwasserstoffen oder irgendeiner chemischen Substanz ausgesetzt, die Verunreinigun gen einbringt, die auf der Oberfläche verbleiben. Als dritte Alternative werden SiO2- oder Si-Parti kel gemischt in einer Flüssigkeitslösung, wie einem Lösungsmittel auf Alkoholbasis, und durch Zentrifu gierschleudern auf die Waferoberfläche aufgebracht, unter Verwendung herkömmlicher Methoden zum Auf schleudern von Flüssigkeit durch Zentrifugieren, wie der Methode, wie sie zum Aufschleudern von Photoresist verwendet wird. Nachdem die mit den Partikeln versetzte Flüssigkeit durch Zentrifugie ren aufgeschleudert worden ist, wird der Wafer getrocknet, wodurch die Lösung verdampft und nur die an der Waferoberfläche haftenden Partikel übrigbleiben. Als eine vierte Alternative wird ein Wafer in einen Flüssigkeitsbehälter getaucht, der eine kolloide Suspension der Partikel enthält. Der Wafer wird aus dem Behälter entfernt und getrock net, was die an der Waferoberfläche haftenden Par tikel zurückläßt. Das Vorhandensein solcher erwähn ter Partikel beeinflußt die Anfangsstufen des Poly- Niederschlages, indem die Partikel beschichtet werden, um Poly-Knötchen zu bilden, was als nächstes erläutert werden wird.

Gemäß Fig. 1 wird eine Schicht aus Polysilizium 31 mittels chemischer Dampfphasenabscheidung nieder geschlagen. In den Frühstadien des Niederschlages des Polysiliziums 31 bewirkt das Vorhandensein der Partikel 21 oder anderer absichtlich aufgebrachter chemischer Verunreinigungen eine Kristallkeimbil dung des Poly 31, wodurch Poly-Knötchen 32 gebildet werden. Mit fortschreitendem Niederschlag werden die Poly-Knötchen 32 wiederholt bedeckt, um eine texturierte Oberfläche des Poly 31 zu erzeugen.

Von diesem Verfahrensstand aus wird der Stapelkon densator fertiggestellt unter Verwendung herkömm licher Herstellungsmethoden von Stapelkondensatoren für DRAMs.

Die bevorzugte Ausführungsform richtet sich zwar auf die Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens während des Herstellungsprozesses eines herkömm lichen Stapelkondensator-DRAM. Für den Fachmann ist jedoch klar, daß die erfindungsgemäße Methode bei verschiedenen Halbleiterherstellungsprozessen angewendet werden kann, bei den Polysilizium verwendet wird und es erwünscht ist, daß das Poly silizium eine texturierte Oberfläche annimmt.

Claims

1. Verfahren zum Texturieren von polykristallinem Silizium, das auf einer existierenden Siliziumwafer-Oberfläche niedergeschlagen wird, gekennzeichnet durch folgende Schritte:

a) Die Waferoberfläche wird mit Partikeln (21) vorbehandelt, die einen Durchmesser von 3-30 nm aufweisen und über die Waferoberfläche verteilt werden, wobei im Rahmen dieser Vorbehandlung die in eine Flüssigkeitslösung gemischten Partikel (21) mittels eines Zentrifugieraufschleu derns von Flüssigkeit gleichmäßig ver teilt werden und der Wafer getrocknet wird, um die Flüssigkeit zu verdampfen, wodurch die Partikel (21) an der Wafer oberfläche haften und zurückbleiben;
b) es wird eine anfängliche Schicht des polykristallinen Siliziums (31) auf der Waferoberfläche niedergeschlagen, wobei das Vorhandensein der Partikel (21) dazu führt, daß die anfängliche Schicht (31) aus polykristallinem Silizium die Parti kel (21) beschichtet und dadurch Poly- Knötchen (32) bildet;
c) es werden nachfolgende konforme poly kristalline Siliziumschichten (31) über der Waferoberfläche niedergeschlagen, wodurch die Poly-Knötchen (32) beschich tet werden und bewirkt wird, daß das Polysilizium eine texturierte Struktur annimmt.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Flüssigkeitslösung ein Lösungsmittel auf Alkoholbasis ist.

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Flüssigkeitslösung eine kolloidale Suspension der Partikel ist.

4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Flüssigkeitslösung ein Brei ist.

5. Verfahren zum Texturieren von polykristallinem Silizium, das auf einer existierenden Siliziumwafer-Oberfläche niedergeschlagen wird, gekennzeichnet durch folgende Schritte:

a) Die Waferoberfläche wird mit Partikeln (21) vorbehandelt, die einen Durchmesser von 3-30 nm aufweisen und über die Waferoberfläche verteilt sind, wobei im Rahmen der Vorbehandlung der Wafer in einen Flüssigkeitsbehälter getaucht wird, der eine kolloide Suspension der Partikel enthält, und der Wafer getrocknet wird, wodurch die Partikel (21) an der Wafer oberfläche haftend übrigbleiben;
b) es wird eine anfängliche Schicht des polykristallinen Siliziums (31) auf der Waferoberfläche niedergeschlagen, wobei die Anwesenheit der Partikel (21) bewirkt, daß die anfängliche polykristal line Siliziumschicht (31) die Partikel (21) bedeckt und dadurch Poly-Knötchen (32) entstehen;
c) es werden nachfolgende konforme poly kristalline Siliziumschichten (31) über der Waferoberfläche niedergeschlagen, wodurch die Poly-Knötchen (32) beschich tet werden und bewirkt wird, daß das Polysilizium eine texturierte Struktur annimmt.

6. Verfahren zum Texturieren von polykristallinem Silizium, das auf der Oberfläche eines existierenden Siliziumwafers niedergeschlagen wird, gekennzeichnet durch folgende Schritte:

a) Die Waferoberfläche wird mit Partikeln (21) vorbehandelt, die einen Durchmesser von 3-30 nm aufweisen und über die Waferoberfläche verteilt werden, wobei im Rahmen der Vorbehandlung die Waferober fläche Wasser ausgesetzt wird;
b) es wird eine anfängliche Schicht des polykristallinen Siliziums (31) auf der Waferoberfläche niedergeschlagen, wobei die Anwesenheit der Partikel (21) bewirkt, daß die anfängliche polykristal line Siliziumschicht (31) die Partikel (21) bedeckt und dadurch Poly-Knötchen bildet (32);
c) es werden nachfolgende konforme poly kristalline Siliziumschichten (31) über der Waferoberfläche niederschlagen, wodurch die Poly-Knötchen (32) beschich tet werden und bewirkt wird, daß das Polysilizium eine texturierte Struktur annimmt.

7. Verfahren zum Texturieren von polykristallinem Silizium, das auf einer Siliziumwafer-Ober fläche niedergeschlagen wird, gekennzeichnet durch folgende Schritte:

a) Die Waferoberfläche wird mit Partikeln (21) vorbehandelt, die einen Durchmesser von 3-30 nm aufweisen und über der Waferoberfläche verteilt werden, wobei im Rahmen der Vorbehandlung die Waferober fläche Kohlenwasserstoff ausgesetzt wird;
b) es wird eine anfängliche Schicht des polykristallinen Siliziums (31) auf der Waferoberfläche niedergeschlagen, wobei die Anwesenheit der Partikel (21) bewirkt, daß die anfängliche polykristal line Siliziumschicht (31) die Partikel (21) bedeckt und dadurch Poly-Knötchen (2) bildet;
c) es werden nachfolgende konforme poly kristalline Siliziumschichten (31) über der Waferoberfläche niedergeschlagen, wodurch die Poly-Knötchen (32) beschich tet werden und das Polysilizium eine texturierte Struktur annimmt.

8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1, 5, 6 und 7, dadurch gekennzeichnet, daß es sich bei den Partikeln (21) um Si handelt.

9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1, 5, 6 und 7, dadurch gekennzeichnet, daß es sich bei den Partikeln (21) um SiO2 handelt.

10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1, 5, 6 und 7, dadurch gekennzeichnet, daß mit der Polysilizium-Struktur eine Konden satorzellen-Speicherknotenplatte in einer dynamischen Speichervorrichtung mit Schreib- und Lesezugriff hergestellt wird.