DE4205752A1 - Secondary ion mass spectrometer for doped material depth profile measurement in semiconductor - has particle beam source and mass spectrometer for detecting secondary ions from specimen surface - Google Patents

Secondary ion mass spectrometer for doped material depth profile measurement in semiconductor - has particle beam source and mass spectrometer for detecting secondary ions from specimen surface

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Abstract

The appts. includes a particle beam source (1) and a mass spectrometer (6) as a secondary particle detector. The source can be directed at a layer of surface of a specimen (3) under investigation at an at least 45 deg. angle (4) to the surface normal. The mass spectrometer can be aligned at an angle (5) of greater than 90 deg. to the particle beam emitted by the source. The secondary particles emitted by the specimen are focussed in the mass spectrometer. USE/ADVANTAGE - For depth profile measurement of doped material distributions in semiconductors. Achieves optimal depth resolution, low detection limits and elimination or correction of pre-equilibrium error effects.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Anordung als Sekundär­ ionen-Massenspektrometer mit den Merkmalen des Anspruches 1.The present invention relates to an arrangement as a secondary Ion mass spectrometer with the features of claim 1.

Bei der Tiefenprofilmessung flacher Dotierstoffverteilungen bei Halbleiterbauelementen, z. B. in Silizium, mittels Sekundärionen-Massenspektrometrie (speziell Quadrupol-Massen­ spektrometrie) werden die folgenden bisher nicht gleichzeitig optimierbaren Anforderungen gestellt:When measuring the depth profile of flat dopant distributions in semiconductor devices, e.g. B. in silicon, by means of Secondary ion mass spectrometry (especially quadrupole masses spectrometry) the following are not yet simultaneous requirements that can be optimized:

  • a) Optimale Tiefenauflösung,a) optimal depth resolution,
  • b) niedrige Nachweisgrenzen und(b) low detection limits and
  • c) Eliminierung oder Korrektur der durch den sogenannten "pre­ equilibrium-Effekt" ("Anlaufeffekt") verursachten Ver­ fälschungen.c) Elimination or correction of the so-called "pre equilibrium effect "(" tarnishing effect ") caused ver fakes.

Es ist bekannt, daß sich die geforderte Tiefenauflösung z. B. durch Ionenbeschuß unter großem Einfallswinkel bezüglich der Normalen auf die Probenoberfläche, insbesondere einem Winkel größer als 45°, erreichen läßt. In herkömmlichen Quadrupol- Sekundärionen-Massenspektrometern ist mit dieser Betriebsweise jedoch ein Anstieg der Nachweisgrenzen um eine oder mehrere Zehnerpotenzen verbunden. Ursachen hierfür sind zum einen Transmissionsverluste infolge einer nachteiligen Anordnung der Eintrittsöffnung des Massenspektrometers und zum anderen die Verminderung der Sekundärionenausbeute infolge verminderten Einbaus von Primärionen (speziell Sauerstoff oder Cäsium) bei diesen Beschußwinkeln. Nach dem Stand der Technik muß also entweder ein Verlust an Nachweisempfindlichkeit oder ein Ver­ lust an Tiefenauflösung hingenommen werden. Die oben aufgeführte Anforderung c wird bisher meßtechnisch nicht zufriedenstellend erfüllt, soweit es die Sekundärionen-Massenspektrometrie be­ trifft. Bekannt ist, daß durch Einlaß von Sauerstoffgas in die SIMS-Untersuchungskammer eine Sättigung der Probenoberfläche mit Sauerstoff erreicht werden kann, wodurch sich dann auch der "Anlaufeffekt" eliminieren läßt. Diese Vorgehensweise bringt jedoch erhebliche Nachteile mit sich (hoher Sauer­ stoff-Partialdruck in der Kammer, schlechte Reproduzierbar­ keit, nur geringe Abtragungsgeschwindigkeiten möglich). Für Cäsium kennt man keine äquivalente Vorgehensweise.It is known that the required depth resolution z. B. by ion bombardment with a large angle of incidence with respect to the Normals on the sample surface, especially an angle greater than 45 °. In conventional quadrupole Secondary ion mass spectrometers is with this mode of operation however, an increase in the detection limits by one or more Powers of ten connected. The reasons for this are on the one hand Transmission losses due to an adverse arrangement of the Inlet opening of the mass spectrometer and the other Decrease in secondary ion yield due to decreased Incorporation of primary ions (especially oxygen or cesium) these angles of fire. According to the state of the art either a loss of detection sensitivity or a ver pleasure in depth resolution. The one listed above Requirement c has so far been unsatisfactory in terms of measurement technology as far as it be the secondary ion mass spectrometry meets. It is known that by admitting oxygen gas into the SIMS examination chamber a saturation of the sample surface can be achieved with oxygen, which then also  the "start-up effect" can be eliminated. This approach However, there are considerable disadvantages (high acidity Partial pressure in the chamber, poor reproducibility speed, only low removal speeds possible). For No equivalent procedure is known for cesium.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine verbesserte Anordnung zur Sekundärionenmassenspektrometrie anzugeben und insbesondere eine Anordnung, bei der die oben aufgeführten Punkte a) bis c) gleichzeitig optimiert werden können.The object of the present invention is to improve Specify the arrangement for secondary ion mass spectrometry and in particular an arrangement in which those listed above Points a) to c) can be optimized at the same time.

Diese Aufgabe wird mit der Anordnung mit den Merkmalen des An­ spruches 1 gelöst. Weitere Ausgestaltungen ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen.This task is accomplished with the arrangement with the features of the To Proverb 1 solved. Further configurations result from the dependent claims.

Bei der erfindungsgemäßen Anordnung wird der Teilchenstrahl aus einer Teilchenstrahlquelle oder "Kanone" unter einem Ein­ fallswinkel von mehr als 45° zur Normalen auf die Oberfläche der Probe gerichtet und das Massenspektrometer zu diesem Teilchenstrahl unter einem Winkel von mehr als 90° (vorzugs­ weise mehr als 120°) ausgerichtet. Um eine weitere Ver­ besserung der Sekundärteilchenausbeute zu erreichen, kann zu­ sätzlich eine Spiegel-Anordnung vorhanden sein oder eine zweite Teilchenstrahlquelle oder "Kanone", die während des Betriebes die obersten Atomlagen der Probe mit Primärteilchen (Ionen, Atomen, Molekülen) geeigneter Elemente anreichert, ohne die Probe nennenswert abzusputtern. Die Energie dieser Teilchen muß dazu einerseits hinreichend groß sein für eine Implantation in die obersten monoatomaren Lagen der Probe, andererseits aber hinreichend niedrig, um Sputtern des Proben­ materials weitgehend zu vermeiden (typisch 1 eV bis 50 eV). Eine Kombination von Spiegeloptik und zweiter Teilchenstrahl­ quelle ist besonders vorteilhaft.In the arrangement according to the invention, the particle beam from a particle beam source or "cannon" under an on fall angle of more than 45 ° to the normal to the surface the sample and the mass spectrometer to this Particle beam at an angle of more than 90 ° (preferred wise more than 120 °) aligned. To add another ver Achieving improvement in secondary particle yield can In addition, there may be a mirror arrangement or one second particle beam source or "cannon", which during the Operating the uppermost atomic layers of the sample with primary particles (Ions, atoms, molecules) accumulates suitable elements, without sputtering off the sample. The energy of this Particles must be large enough for one Implantation in the uppermost monoatomic layers of the sample, on the other hand, it is sufficiently low to prevent sputtering of the sample materials to be largely avoided (typically 1 eV to 50 eV). A combination of mirror optics and a second particle beam source is particularly advantageous.

Es folgt eine Beschreibung der erfindungsgemäßen Anordnung an­ hand der Figur, die alle erfindungsgemäßen Komponenten beispiel­ haft im Schema verdeutlicht. The following is a description of the arrangement according to the invention hand of the figure, all components of the invention example clearly illustrated in the diagram.  

Die erfindungsgemäße Anordnung umfaßt eine erste Teilchen­ strahlquelle oder Kanone 1, die z. B. eine herkömmliche, einen Ionenstrahl aussendende Ionenkanone ist, und ein Massenspektro­ meter 6, das mit seiner ionenoptischen Achse in einem Winkel 5 größer als 90° (vorzugsweise größer als 120°) gegenüber dem Einfallswinkel 4 des von der ersten Kanone 1 ausgesandten Teilchenstrahles angeordnet ist. Diese relative Ausrichtung bewirkt eine erhöhte Überführung von Sekundärionen bei relativ flachem Ionenbeschuß der Probe (Winkel 4 größer als 45°, vorzugs­ weise größer als 60°).The arrangement according to the invention comprises a first particle beam source or cannon 1 , the z. B. is a conventional, an ion beam emitting ion gun, and a mass spectrometer 6 , which is arranged with its ion-optical axis at an angle 5 greater than 90 ° (preferably greater than 120 °) relative to the angle of incidence 4 of the particle beam emitted by the first cannon 1 is. This relative orientation causes an increased transfer of secondary ions with a relatively flat ion bombardment of the sample (angle 4 greater than 45 °, preferably greater than 60 °).

Bei einer ersten Ausgestaltung der erfindungsgemäßen Anordnung ist als optische Einrichtung eine Spiegeloptik 7 bestehend aus einem oder mehreren metallischen Segmenten oder Elektroden mit geeigneter Formgebung und optimierten elektrischen Potentialen vorhanden. Diese Spiegeloptik 7 bewirkt eine weitere Erhöhung der Überführung von Sekundärionen. Zur Anpassung der Winkel­ charakteristik der in die Eintrittsöffnung des Massenspektro­ meters 6 eintretenden Sekundärionen an den Akzeptanzbereich des Massenspektrometers sind gegebenenfalls weitere ionen­ optische Elemente vorzusehen, wie z. B. eine Einzellinse, die aber in der Figur der Übersicht halber nicht eingezeichnet ist. Die erfindungsgemäße Spiegeloptik 7 aus Elektroden zur Bündelung eines Ionenstrahles kann auch durch eine her­ kömmliche optische Einrichtung (Linsen oder dgl.) ersetzt oder ergänzt sein.In a first embodiment of the arrangement according to the invention, a mirror optic 7 consisting of one or more metallic segments or electrodes with a suitable shape and optimized electrical potentials is provided as the optical device. This mirror optic 7 brings about a further increase in the transfer of secondary ions. To adapt the angular characteristic of the secondary ions entering the inlet opening of the mass spectrometer 6 to the acceptance range of the mass spectrometer, additional ion optical elements may have to be provided, such as, for. B. a single lens, but is not shown in the figure for clarity. The mirror optics 7 according to the invention made of electrodes for bundling an ion beam can also be replaced or supplemented by a conventional optical device (lenses or the like).

Bei einer zweiten Ausgestaltung der erfindungsgemäßen An­ ordnung umfaßt die Anordnung eine zweite Teilchenstrahlquelle oder "Kanone" 2, die die Probe 3 näherungsweise senkrecht be­ schießt. Diese zweite Kanone 2 erzeugt einen Strom nieder­ energetischer Teilchen einer Art, die geeignet ist, die Aus­ beute an Sekundärionen zu erhöhen, z. B. O2⁺, O-, O2, O, Cs⁺. Diese zweite Kanone 2 liefert also einen Strom von Primär­ teilchen zur Anreicherung der oberen Schichtanteile der Probe 3. Die Energie dieses Primärteilchenstrahles ist vorzugsweise kleiner zu wählen als die Schwellenenergie für das Sputtern, typischerweise also kleiner als 50 eV. Die Wirkung dieses Stromes von Primärteilchen besteht in der Anreicherung der obersten Schichtanteile bzw. Atomlagen der Probe 3 mit der jeweiligen Art Primärteilchen (in dem Beispiel Sauerstoff oder Cäsium). Die Energie ist dabei so gering, daß kein nennenswertes Sputtern, also keine Abtragung der Oberfläche der Probe auf­ tritt, daß jedoch die Teilchen in die obersten 1-3 Atomlagen des Festkörpers implantiert werden. Dabei sollte die Dichte des Teilchenstromes über einen Bereich, der größer als ein typischer durch Sputtern gebildeter Krater ist, hinreichend konstant sein. Vorteilhaft sind daher die kinetische Energie für den von der zweiten Kanone 2 ausgesandten Teilchenstrahl und dessen Stromstärke regelbar zu gestalten, und zwar so, daß eine Energie von mindestens 1 eV eingestellt werden kann. Bei jeder Messung werden diese Parameter auf die entsprechenden Parameter der ersten Kanone 1 abgestimmt. Durch diesen Teilchenstrahl aus der zweiten Kanone 2 wird der durch den schrägen Beschuß der Probe 3 auftretende starke Verlust an Sekundärionenausbeute weitgehend kompensiert. Da die Ober­ flächenanreicherung mit einem für die Sekundärionenausbeute förderlichen Element nicht durch den abtragenden Strahl der Kanone 1 bewirkt wird, sondern durch den (näherungsweise) nicht abtragenden Strahl der Kanone 2, ist diese Anordnung ebenfalls geeignet, die eingangs beschriebenen Verfälschungen (Punkt c) zu Beginn der Messung, wenn also aus der Oberfläche der Probe 3 Material abgetragen wird, zu minimieren. Durch die extrem flache Implantation der oberflächenaktiven Teilchenart (in dem Beispiel Sauerstoff oder Cäsium) durch Beschuß mit dieser Teilchenart aus der zweiten Kanone 2 stellt sich rasch ein stationäres Gleichgewicht ein. Im Extremfall kann die Ober­ fläche der Probe ab Beginn der Messung mit dieser Teilchenart gesättigt sein und bleiben (z. B. bei senkrechtem Beschuß einer Probe aus Silizium mit Sauerstoff), wenn diese Primärteilchenart von der zweiten Kanone 2 ständig nachge­ liefert wird. Dieses Ausführungsbeispiel kann wie in der Figur gezeigt zusätzlich mit der Spiegeloptik 7 oder mit einer optischen Einrichtung (z. B. Linsen) vergleichbarer Wirkung ausgestattet sein. In a second embodiment of the arrangement according to the invention, the arrangement comprises a second particle beam source or "cannon" 2 which shoots the sample 3 approximately vertically. This second cannon 2 generates a stream of low energy particles of a type which is suitable for increasing the prey of secondary ions, e.g. B. O 2 ⁺, O - , O 2 , O, Cs⁺. This second cannon 2 thus delivers a stream of primary particles for enriching the upper layer portions of the sample 3rd The energy of this primary particle beam should preferably be chosen to be less than the threshold energy for sputtering, typically less than 50 eV. The effect of this flow of primary particles consists in enriching the uppermost layer portions or atomic layers of sample 3 with the respective type of primary particles (in the example oxygen or cesium). The energy is so low that there is no significant sputtering, i.e. no removal of the surface of the sample, but that the particles are implanted in the uppermost 1-3 atomic layers of the solid. The density of the particle stream should be sufficiently constant over a region that is larger than a typical crater formed by sputtering. It is therefore advantageous to make the kinetic energy for the particle beam emitted by the second cannon 2 and its current strength controllable, in such a way that an energy of at least 1 eV can be set. With each measurement, these parameters are matched to the corresponding parameters of the first cannon 1 . This particle beam from the second cannon 2 largely compensates for the large loss in secondary ion yield which occurs due to the oblique bombardment of the sample 3 . Since the surface enrichment with an element that is conducive to the secondary ion yield is not caused by the ablating beam of the cannon 1 , but by the (approximately) non-ablating beam of the cannon 2 , this arrangement is also suitable for the falsifications described at the beginning (point c) Minimize the start of the measurement, i.e. if 3 material is removed from the surface of the sample. The extremely flat implantation of the surface-active particle type (in the example oxygen or cesium) by bombardment with this type of particle from the second cannon 2 quickly establishes a steady state equilibrium. In an extreme case, the surface of the sample can be saturated with this type of particle from the start of the measurement (e.g. when a sample of silicon is bombarded vertically with oxygen) if this type of primary particle is continuously supplied by the second cannon 2 . As shown in the figure, this exemplary embodiment can additionally be equipped with the mirror optics 7 or with an optical device (eg lenses) having a comparable effect.

Sollten die ionenoptisch erforderlichen Potentiale im Raume zwischen der Probe 3, der zweiten Kanone 2 und der Eintritts­ öffnung des Massenspektrometers 6, gegebenenfalls speziell die durch die Spiegeloptik 7 gegebenen Potentiale, nicht ver­ träglich sein mit der Ausrichtung eines niederenergetischen Ionenstrahles aus der zweiten Kanone 2, so können bei der er­ findungsgemäßen Anordnung folgende Verbesserungen vorgenommen werden:Should the ion-optically required potentials in the space between the sample 3 , the second cannon 2 and the entrance opening of the mass spectrometer 6 , possibly especially the potentials given by the mirror optics 7 , not be compatible with the alignment of a low-energy ion beam from the second cannon 2 , the following improvements can be made in the arrangement according to the invention:

  • a) Es ist ein gepulster Betrieb möglich. Dabei wird die zweite Kanone 2 alternierend, d. h. in durch Pausen unterbrochenen Intervallen, eingeschaltet und reichert die Oberfläche der Probe 3 mit Primärionen an. In den Zwischenintervallen wird diese zweite Kanone 2 abgeschaltet und stattdessen die erste Kanone 1 für die Messung eingeschaltet. Der aus der ersten Kanone 1 austretende Ionenstrahl trägt eine Schicht an der Oberfläche der Probe 3 ab und erzeugt dadurch Sekundärionen, die von dem Massenspektrometer 6 aufgefangen werden. Entsprechend sind die für diese Messung erforder­ lichen, aber den aus der zweiten Kanone 2 austretenden Primärionenstrahl störenden Potentiale während der Messung angeschaltet und während der Anreicherung der Oberfläche mit Primärionen abgeschaltet.a) Pulsed operation is possible. The second cannon 2 is switched on alternately, ie at intervals interrupted by pauses, and enriches the surface of the sample 3 with primary ions. In the intermediate intervals, this second cannon 2 is switched off and instead the first cannon 1 is switched on for the measurement. The ion beam emerging from the first cannon 1 removes a layer on the surface of the sample 3 and thereby generates secondary ions which are collected by the mass spectrometer 6 . The potentials required for this measurement are correspondingly switched on, but the potentials disrupting the primary ion beam emerging from the second cannon 2 are switched on during the measurement and switched off during the enrichment of the surface with primary ions.
  • b) Die zweite Kanone 2 wird als Quelle für Neutralteilchen gestaltet (z. B. FAB (fast atom bombardment) source).b) The second cannon 2 is designed as a source for neutral particles (e.g. FAB (fast atom bombardment) source).

Eine dritte Ausgestaltung einer erfindungsgemäßen Anordnung ist um ein zweites Massenspektrometer 8 erweitert, das unter einem Winkel 10 kleiner als 90° relativ zu dem Primärionen­ strahl, der aus der ersten Kanone 1 austritt, ausgerichtet ist. Mit diesem zweiten Massenspektrometer 8 können dann zusätzlich übliche Messungen, wie sie dem Stand der Technik entsprechen, vorgenommen werden. Dieses zweite Massenspektro­ meter 8 kann ebenfalls mit einer optischen Einrichtung (z. B. eine entsprechende Spiegeloptik 9) zur Erhöhung der Ausbeute an eingefangenen Sekundärionen ausgestattet sein. A third embodiment of an arrangement according to the invention is extended by a second mass spectrometer 8 , which is oriented at an angle 10 smaller than 90 ° relative to the primary ion that emerges from the first cannon 1 . With this second mass spectrometer 8 , customary measurements, such as those corresponding to the prior art, can then be carried out. This second mass spectrometer 8 can also be equipped with an optical device (for example a corresponding mirror optic 9 ) to increase the yield of captured secondary ions.

Mit der vorliegenden Erfindung eines Sekundärionen-Massen­ spektrometers ist erstmals eine Anordnung angegeben, die die eingangs erwähnten Anforderungen a bis c gleichzeitig zu optimieren gestattet. Die Leistungsfähigkeit einer der­ artigen Anordnung für die Messung flacher Profile, insbe­ sondere von Dotierstoffverteilungen, ist damit gegenüber dem Stand der Technik erheblich verbessert.With the present invention of a secondary ion mass For the first time, an arrangement has been specified for the spectrometer which Requirements a to c mentioned at the outset at the same time optimize allowed. The performance of one of the like arrangement for measuring flat profiles, esp special of dopant distributions, is compared to that State of the art significantly improved.

Claims (9)

1. Anordnung als Sekundärionen-Massenspektrometer mit einer Teilchenstrahlquelle (1) und mit einem Massenspektrometer (6) als Detektor von Sekundärteilchen, bei der diese Teilchen­ strahlquelle (1) relativ zu einer zu untersuchenden Schicht an einer Oberfläche einer Probe (3) so ausgerichtet werden kann, daß ein von dieser Teilchenstrahlquelle (1) ausgesandter Strahl von Teilchen auf diese Oberfläche unter einem Einfalls­ winkel (4) von mindestens 45° zu einer Normalen auf die Ober­ fläche auftrifft, und bei der das Massenspektrometer (6) in einem Winkel (5) von mehr als 90° zu diesem von der Teilchen­ strahlquelle (1) ausgesandten Teilchenstrahl ausgerichtet werden kann.1. Arrangement as a secondary ion mass spectrometer with a particle beam source ( 1 ) and with a mass spectrometer ( 6 ) as a detector of secondary particles, in which these particles beam source ( 1 ) are aligned relative to a layer to be examined on a surface of a sample ( 3 ) can that a particle beam emitted by this particle beam source ( 1 ) onto this surface at an angle of incidence ( 4 ) of at least 45 ° to a normal to the upper surface, and at which the mass spectrometer ( 6 ) at an angle ( 5 ) of more than 90 ° to this particle beam emitted by the particle beam source ( 1 ) can be aligned. 2. Anordnung nach Anspruch 1, bei der eine optische Einrichtung vorhanden ist, die von der Probe (3) ausgehende Sekundärteilchen in des Massen­ spektrometer (6) bündelt.2. Arrangement according to claim 1, in which there is an optical device which bundles outgoing secondary particles from the sample ( 3 ) in the mass spectrometer ( 6 ). 3. Anordnung nach Anspruch 2, bei der als optische Einrichtung eine Spiegeloptik (7) aus leitfähigen Segmenten vorhanden ist, die von der Probe (3) ausgehende Sekundärionen in das Massenspektrometer (6) bündelt.3. Arrangement according to claim 2, wherein the optical device is a mirror optic ( 7 ) made of conductive segments, which bundles secondary ions emanating from the sample ( 3 ) into the mass spectrometer ( 6 ). 4. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei der ein zweites Massenspektrometer (8) vorhanden ist, das unter einem Winkel (10) von weniger als 90° zur Richtung des von der Teilchenstrahlquelle (1) ausgehenden Teilchenstrahles ausgerichtet werden kann.4. Arrangement according to one of claims 1 to 3, wherein a second mass spectrometer ( 8 ) is present, which can be aligned at an angle ( 10 ) of less than 90 ° to the direction of the particle beam emanating from the particle beam source ( 1 ). 5. Anordnung nach Anspruch 4, bei der eine optische Einrichtung (9) vorhanden ist, die von der Probe (3) ausgehende Sekundärteilchen in das zweite Massenspektrometer (8) bündelt. 5. Arrangement according to claim 4, in which an optical device ( 9 ) is present which bundles secondary particles emanating from the sample ( 3 ) into the second mass spectrometer ( 8 ). 6. Anordnung nach Anspruch 5, bei der als optische Einrichtung eine Spiegeloptik (9) vor­ handen ist, die von der Probe (3) ausgehende Sekundärionen in das zweite Massenspektrometer (8) bündelt.6. Arrangement according to claim 5, in which a mirror optic ( 9 ) is present as the optical device which bundles secondary ions emanating from the sample ( 3 ) into the second mass spectrometer ( 8 ). 7. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bei der eine zweite Teilchenstrahlquelle (2) vorhanden ist, die so eingestellt und ausgerichtet werden kann, daß ein von dieser zweiten Teilchenstrahlquelle (2) ausgesandter weiterer Strahl von Teilchen mit einer solchen Energie auf die Ober­ fläche der Probe (3) trifft, daß die zu untersuchende Schicht mit Teilchen dieser Art angereichert wird.7. Arrangement according to one of claims 1 to 6, in which a second particle beam source ( 2 ) is present, which can be adjusted and aligned so that a further beam of particles emitted by this second particle beam source ( 2 ) with such energy on the Surface of the sample ( 3 ) hits that the layer to be examined is enriched with particles of this type. 8. Anordnung nach Anspruch 7, bei der die zweite Teilchenstrahlquelle (2) so angeordnet werden kann, daß der von ihr ausgesandte Teilchenstrahl zu­ mindest nahezu senkrecht auf die Oberfläche der Probe (3) auf­ trifft.8. Arrangement according to claim 7, in which the second particle beam source ( 2 ) can be arranged so that the particle beam emitted by it at least almost perpendicular to the surface of the sample ( 3 ). 9. Anordnung nach Anspruch 7 oder 8, bei der die Energie des von der zweiten Teilchenstrahlquelle (2) ausgesandten Teilchenstrahls so niedrig eingestellt werden kann, daß eine Abtragung der Oberfläche der Probe (3) allen­ falls in einem im Vergleich zu der Wirkung des von der ersten Teilchenstrahlquelle (1) ausgesandten Teilchenstrahles ver­ nachlässigbaren Ausmaß erfolgt.9. Arrangement according to claim 7 or 8, wherein the energy of the particle beam emitted by the second particle beam source ( 2 ) can be set so low that an ablation of the surface of the sample ( 3 ), if at all in comparison to the effect of the first particle beam source ( 1 ) is emitted particle beam ver negligible extent.
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