DE4209865A1 - Removal of metal residues from semiconductor surfaces - using aq. cleaning compsn. treated with carbon di:oxide and/or oxalic acid - Google Patents

Removal of metal residues from semiconductor surfaces - using aq. cleaning compsn. treated with carbon di:oxide and/or oxalic acid

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Abstract

The ability of aq. cleaning compsns. to remove metal-contg. residues from semiconductor surfaces, esp. Si wafers, is improved by treating the compsn. with CO2 and/or oxalic acid. The cleaning compsn. is pref. water or an aq. nonionic surfactant soln. CO2 is added in an amt. corresp. to 10-100% satn. at normal pressure and 10-50 deg.C. Oxalic acid is added in an amt. of 0.1-1 wt.% at 10-50 deg.C. ADVANTAGE - The ability of existing cleaning processes to remove metal (e.g. Fe, Zn and Cu) residues can be improved without great cost. In an example, Si wafers were washed with 'SCl' NH4OH-contg. cleaning soln. (RCA Review 31, 187, 1970) in a 'Megasonic' unit at 50 deg.C for 5 min. The wafers were rinsed with (a) high-purity water or (b) high-purity water satd. with CO2 at 25 deg.C for 5 min. in a 'Quick Dump Rinser'. VPD/AAS analysis indicated contaminant levels (10 power 10 atom/cm2) for Fe, Zn and Cu of (a) 16, 52 and 10 and (b) 0.6, 0.9 and 2 respectively

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Verbesserung der Wirksamkeit wässeriger Reinigungsmittel zum Entfernen metallhaltiger Rückstände auf Halbleiteroberflächen, insbe­ sondere Siliciumscheiben.The invention relates to a method for improving the Effectiveness of aqueous cleaning agents for removal metal-containing residues on semiconductor surfaces, esp special silicon wafers.

Mit der fortlaufenden Miniaturisierung der Strukturen von elektronischen Bauelementen, bei der inzwischen der Sub­ mikrometerbereich erreicht ist, sind die Anforderungen an die Reinheit der Substrate, aus denen die Bauelemente herge­ stellt werden, besonders gestiegen. Dies gilt insbesondere für die Halbleiterscheiben aus Silicium oder Galliumarsenid, in die in zahlreichen Verfahrensschritten elektronische Strukturen wie Transistoren und die sie verbindenden Leiter­ bahnen geätzt werden. Sind während dieses Prozesses Rück­ stände an der Scheibenoberfläche adsorbiert, deren Durchmes­ ser in der Größenordnung der kleinsten elektronischen Struk­ turen oder darüber liegt, so führt dies zu schwerwiegenden Funktionsstörungen bis hin zum Totalausfall des Schaltkrei­ ses. Die Hersteller der Halbleiterscheiben sind deshalb be­ strebt, Produkte auszuliefern, die möglichst frei von Rück­ ständen der kritischen Größe sind und es liegt im Interesse der Bauelementhersteller, Vorsorge zu treffen, daß die Scheibenoberflächen frei von solchen Rückständen bleiben. With the ongoing miniaturization of the structures of electronic components, in which the sub micrometer range is reached, the requirements are the purity of the substrates from which the components are made are particularly increased. This is especially true for the semiconductor wafers made of silicon or gallium arsenide, in the electronic in numerous process steps Structures like transistors and the conductors connecting them tracks are etched. Are back during this process were adsorbed on the surface of the disc, its diameter in the order of the smallest electronic structure ture or above, this leads to serious Malfunctions up to total failure of the circuit ses. The manufacturers of the semiconductor wafers are therefore strives to deliver products that are as free from return as possible are of critical size and it is in the interest the component manufacturer to take precautions that the Disc surfaces remain free of such residues.  

Dennoch werden sowohl bei der Scheiben- als auch bei der Bauelementherstellung wiederholt Prozeßschritte nötig, wäh­ rend derer störende Rückstände erzeugt werden. So entstehen durch die mechanische Oberflächenbehandlung durch Läppen oder Polieren, oder die chemische Behandlung durch alka­ lisch-oxidatives oder saueres Ätzen Teilchen aus Silicium, Siliciumdioxid, Metalloxid, Metallhydroxid oder Kunststoff, die umso stärker an der Oberfläche adsorbieren, je kleiner sie sind. Besonders fest haften Teilchen, deren Durchmesser unter 1 µm liegen (M. R. Kurz, A. Busnaina, F. E. W. Kern Jr., Proc. of Inst. of Environ. Sci, 340-344, 1989). Metallhal­ tige Verunreinigungen auf Halbleiteroberflächen sind jedoch so gering als möglich zu halten, weil Fremdmetalle die elek­ tronischen Verhältnisse im späteren Bauelement empfindlich stören. Die Ablagerungen von Metallhydroxiden sind besonders schwierig zu entfernen, da die Si(OH)-Gruppen der geätzten Scheibenoberfläche ausgezeichnete Adsorptionszentren für die Niederschläge darstellen (H. Hiratsuka, M. Tanaka, T. Tada, R. Yoshimura, Y. Matsushita, Proc. of 11th Workshop on ULSI Ultra Clean Technology, June 1991 Tokyo, pp. 5-20).Nevertheless, both the disc and the Component manufacturing repeated process steps necessary, wuh disturbing residues are generated. So arise by the mechanical surface treatment by lapping or polishing, or chemical treatment by alka Lisch-oxidative or acidic etching particles made of silicon, Silicon dioxide, metal oxide, metal hydroxide or plastic, which adsorb more strongly on the surface, the smaller you are. Particles adhere particularly firmly, their diameter less than 1 µm (M. R. Kurz, A. Busnaina, F. E. W. Kern Jr., Proc. of Inst. of Environ. Sci, 340-344, 1989). Metallhal However, there are contaminants on semiconductor surfaces to be kept as low as possible because foreign metals reduce the elec tronic conditions in the later component sensitive to disturb. The deposits of metal hydroxides are special difficult to remove because the Si (OH) groups of the etched Excellent adsorption centers for the Represent precipitation (H. Hiratsuka, M. Tanaka, T. Tada, R. Yoshimura, Y. Matsushita, Proc. of 11th Workshop on ULSI Ultra Clean Technology, June 1991 Tokyo, pp. 5-20).

Es wurden verschiedene Reinigungsmethoden entwickelt, um die genannten Rückstände und auch Staubteilchen aus der Raumluft, die sich auf den Scheibenoberflächen niederge­ schlagen haben, wieder zu entfernen. Allen gemeinsam ist, daß ein flüssiges Reinigungsmittel auf die Scheibenober­ flächen einwirkt. Bei den wirksamsten Reinigungsmethoden wird das Entfernen von Rückständen durch einen Energieein­ trag unterstützt. So dienen bei der Megasonic- und bei der Ultrasonic-Reinigung Schallwellen dazu, Teilchen von der Scheibenoberfläche in das Reinigungsmittel zu befördern (J. L. Rooney, D. Y. H. Puy, D. C. Grant, Microcontam. 37-99, May 1990). Bei der sogenannten "Scrubber"-Methode wird über Wal­ zenstöcke ein stark strömender Reinigungsmittelfilm erzeugt, der sehr wirksam oberflächlich anhaftende Teilchen ablöst (W. C. Krusell, D. I. Golland, Proc. Electrochem. Soc. 23-32, 1990).Various cleaning methods have been developed to the residues mentioned and also dust particles from the Indoor air that settles on the pane surfaces have to remove again. Common to all that a liquid detergent on the disc top areas. With the most effective cleaning methods will be the removal of residues by an energy support supported. So serve at the Megasonic and at the Ultrasonic cleaning to remove sound waves from the particles Convey the surface of the pane into the cleaning agent (J.L. Rooney, D.Y.H. Puy, D.C. Grant, Microcontam. 37-99, May 1990). In the so-called "scrubber" method, Wal zensticks creates a strongly flowing detergent film, which effectively removes particles adhering to the surface  (W.C. Krusell, D.I. Golland, Proc. Electrochem. Soc. 23-32, 1990).

Reinigungsmittel auf der Basis organischer Lösemittel haben den Nachteil, umweltbelastend zu sein und sie stellen erhöhte Anforderungen an die Sicherheit im Umgang, was sich letztendlich in einer Verteuerung des Reinigungsverfahrens niederschlägt. Organische Reinigungsmittel spielen deshalb nur eine untergeordnete Rolle.Have cleaning agents based on organic solvents the disadvantage of being polluting and they pose increased safety requirements when dealing with what ultimately in the cost of the cleaning process precipitates. Organic cleaning agents therefore play only a subordinate role.

Bei den wässerigen Reinigungsmitteln haben sich besonders solche bewährt, deren pH-Wert im alkalischen Bereich liegt. Ein bekanntes Beispiel hierfür sind NH4OH und H2O2 enthalten­ de wässerige Lösungen, die im als RCA-Reinigung bezeichneten Reinigungsverfahren verwendet werden (W. Kern, D. A. Puotinen, RCA Review, vol. 31, p. 187 (1970)).In the case of aqueous cleaning agents, those whose pH is in the alkaline range have proven particularly useful. A well-known example of this are aqueous solutions containing NH 4 OH and H 2 O 2 , which are used in the cleaning process referred to as RCA cleaning (W. Kern, DA Puotinen, RCA Review, vol. 31, p. 187 (1970)) .

Es ist allerdings nachteilig, daß die oben erwähnten metall­ haltigen Rückstände mit herkömmlichen wässerigen Reinigungs­ mitteln nur ungenügend entfernbar sind, und im Fall des Ein­ satzes alkalischer Reinigungsmittel Metallhydroxidnieder­ schläge neu entstehen und auf der Scheibenoberfläche adsor­ biert werden.However, it is disadvantageous that the metal mentioned above containing residues with conventional aqueous cleaning means are insufficiently removable, and in the case of on set of alkaline detergents new blows arise and adsor on the disc surface beers.

Die Aufgabe der Erfindung bestand deshalb darin, ein Verfah­ ren anzugeben, das die Wirksamkeit wässeriger Reinigungsmit­ tel zum Entfernen metallhaltiger Rückstände auf Halbleiter­ oberflächen, insbesondere Siliciumscheiben verbessert.The object of the invention was therefore a method to indicate that the effectiveness of aqueous cleaning agents to remove metal-containing residues from semiconductors surfaces, especially silicon wafers improved.

Die Aufgabe wird durch ein Verfahren der genannten Art ge­ löst, das dadurch gekennzeichnet ist, daß das wässerige Reinigungsmittel vor der Benutzung mit Kohlendioxid und/oder mit Oxalsäure beaufschlagt wird. The task is ge by a method of the type mentioned dissolves, which is characterized in that the aqueous Detergent before use with carbon dioxide and / or is charged with oxalic acid.  

Überraschenderweise wurde gefunden, daß mit dieser Maßnahme die Wirksamkeit des wässerigen Reinigungsmittels beim Ent­ fernen metallhaltiger Rückstände auf Halbleiteroberflächen nahezu unabhängig von dessen chemischen Zusammensetzung ver­ bessert wird.Surprisingly, it was found that this measure the effectiveness of the aqueous cleaning agent in Ent distant metal-containing residues on semiconductor surfaces ver almost independent of its chemical composition is improved.

Das Zudosieren von Kohlendioxid und/oder Oxalsäure, die im folgenden als Hilfsstoffe bezeichnet werden, geschieht vor­ zugsweise unmittelbar vor der Benutzung des Reinigungsmit­ tels. Selbstverständlich kann die Zudosierung aber auch frü­ her erfolgen und das modifizierte Reinigungsmittel gelagert werden. Die verbesserte Reinigungswirkung des Reinigungsmit­ tels wird schon alleine durch den Zusatz eines der Hilfs­ stoffe erreicht, so daß das Zudosieren beider nur in Ausnah­ mefällen zweckmäßig ist. Grundsätzlich kann das Reinigungs­ mittel mit dem Hilfsstoff in Konzentrationen bis zur Sätti­ gung beaufschlagt werden. In Verbindung mit energieeintra­ genden Maßnahmen während der Reinigung kann es jedoch gün­ stiger sein, mit Konzentrationen unterhalb der Sättigung zu arbeiten. Besonders vorteilhaft sind Kohlendioxid-Konzentra­ tionen von 10 bis 100% des Sättigungswertes, wobei in der Regel während der Reinigung Normaldruck und Temperaturen von 10 bis 50°C vorherrschen. Oxalsäure wird bevorzugt in Kon­ zentrationen von 0,1 bis 1% (gewichtsbezogen) dem Reini­ gungsmittel als Hilfsstoff zudosiert. Beim Einsatz schall­ unterstützter Reinigungsverfahren werden die günstigsten Konzentrationen zweckmäßigerweise in Abhängigkeit der einge­ brachten Leistung an Hand von Vorversuchen ermittelt.The addition of carbon dioxide and / or oxalic acid, which in the are referred to as auxiliary substances preferably immediately before using the cleaning agent tels. Of course, the metering can also be done early forth and stored the modified cleaning agent will. The improved cleaning effect of the cleaning agent tels is made by adding one of the help substances reached, so that the metering of both only in exceptional cases cases is appropriate. Basically, cleaning can medium with the auxiliary in concentrations up to saturation be acted upon. In connection with energy intra However, it may be necessary to take measures during cleaning be higher with concentrations below saturation work. Carbon dioxide concentrations are particularly advantageous tions from 10 to 100% of the saturation value, whereby in the Usually during cleaning normal pressure and temperatures of Prevail 10 to 50 ° C. Oxalic acid is preferred in Kon concentrations of 0.1 to 1% (by weight) of the Reini agent added as auxiliary. Sound when used supported cleaning procedures will be the cheapest Concentrations expediently depending on the performed based on preliminary tests.

Die Reinheit der verwendeten Hilfsstoffe muß den in der Halbleiterindustrie üblichen Anforderungen an dort verwende­ te Reagenzien genügen. Zweckmäßigerweise wird das Kohlen­ dioxid durch einen mit dem Reinigungsmittel gefüllten Behäl­ ter solange geleitet, bis die angestrebte Konzentration er­ reicht ist. Es ist aber auch möglich, die Scheibenreinigung in einer Kohlendioxidatmosphäre auszuführen, so daß das Koh­ lendioxid über Diffusion in das Reinigungsmittel gelangt. Im Fall von Oxalsäure als Hilfsstoff erfolgt die Zudosierung am besten in Form einer konzentrierten wässerigen Lösung oder in Pulverform.The purity of the auxiliaries used must be in the Semiconductor industry use the usual requirements there reagents are sufficient. This is expediently coal dioxide through a container filled with the cleaning agent ter until the desired concentration is reached is enough. But it is also possible to clean the windows  perform in a carbon dioxide atmosphere so that the Koh Diffusion into the cleaning agent. in the In the case of oxalic acid as an adjuvant, the addition takes place on best in the form of a concentrated aqueous solution or in powder form.

Erfindungsgemäß sind zwar Kohlendioxid und Oxalsäure beson­ ders geeignete Hilfsstoffe, um die Wirksamkeit wässeriger Reinigungsmittel zum Entfernen metallhaltiger Rückstände auf Halbleiteroberflächen zu verbessern, jedoch ist es selbst­ verständlich nicht ausgeschlossen, mit nahe verwandten Ver­ bindungen, wie beispielsweise Ameisensäure, eine ähnlich günstige Wirkung zu erzielen.According to the invention, carbon dioxide and oxalic acid are special suitable auxiliaries to make the effectiveness more watery Detergent to remove residues containing metal To improve semiconductor surfaces, but it is itself understandably not excluded, with closely related ver bonds, such as formic acid, a similar to achieve a favorable effect.

Die Zudosierung des Hilfsstoffes beeinflußt die Wirksamkeit eines wässerigen Reinigungsmittels nahezu unabhängig von dessen chemischer Zusammensetzung günstig. Besonders vor­ teilhaft ist es, reines Wasser erfindungsgemäß mit einem oder beiden der Hilfsstoffe zu beaufschlagen. Beispielsweise sind nach einer alkalisch-oxidativen Reinigung die üblichen Spülschritte mit Wasser durch den Hilfsstoffzusatz wesent­ lich wirksamer, da auch die fest an der Oberfläche haftenden metallhydroxidhaltigen Rückstände entfernt werden. Vermut­ lich beruht dieser Effekt darauf, daß die Hilfsstoffe sowohl die Adsorptionskapazität der Halbleiteroberfläche als auch die Hydrathülle der Metallionen verändern und so für die Adsorption und die Bildung von Metallhydroxid-Niederschlä­ gen ungünstige Verhältnisse schaffen. Überraschenderweise wurde gefunden, daß mit Kohlendioxid versetztes Wasser auch in der Lage ist, säurehaltige Reinigungsmittel, wie bei­ spielsweise verdünnte Salzsäure, bei vergleichbarer Reini­ gungswirkung vollkommen zu ersetzen. Korrosionsprobleme, die im Umgang mit Salzsäure hinlänglich bekannt sind, sind des­ halb durch die Verwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens ohne Qualitätsverlust vermeidbar. Die Zudosierung eines oder beider Hilfsstoffe vermag aber nicht nur besonders die Wirk­ samkeit von reinem Wasser, sondern auch die nichtionische Tenside enthaltender, wässeriger Reinigungsmittel mit neu­ tralem oder sauerem pH-Wert zu verbessern.The metering of the excipient influences the effectiveness of an aqueous cleaning agent almost independent of its chemical composition favorable. Especially before it is partial, pure water according to the invention with a or to apply both of the auxiliaries. For example are the usual after an alkaline-oxidative cleaning Rinsing steps with water through the auxiliary additive Lich more effective, since even those adhering firmly to the surface residues containing metal hydroxide are removed. Guess Lich this effect is based on the fact that the auxiliaries both the adsorption capacity of the semiconductor surface as well change the hydration shell of the metal ions and so for the Adsorption and the formation of metal hydroxide precipitates create unfavorable conditions. Surprisingly it was found that water mixed with carbon dioxide is able to use acidic detergents, such as for example dilute hydrochloric acid, with comparable Reini completely replace the effect. Corrosion problems that are well known in dealing with hydrochloric acid, are the half by using the method according to the invention avoidable without loss of quality. The addition of one or  Both auxiliaries are not only particularly effective of pure water, but also the non-ionic Aqueous cleaning agent containing surfactants with new improve tralem or acidic pH.

Zweckmäßigerweise wird der Reinigungserfolg an Hand einer, die wichtigsten metallischen Kontaminanten erfassenden Spu­ renanalytik, nachgewiesen. Besonders geeignet ist die Atomabsorptionsspektroskopie in Verbindung mit einem chemi­ schen Aufschluß der oxidischen Verbindungen auf der Schei­ benoberfläche durch die Einwirkung von Fluorwasserstoff­ dämpfen bei Raumtemperatur. Die Methode ist unter dem Kürzel VPD/AAS dem Fachmann bekannt und liefert ein zuverlässiges Bild über den Fremdmetallgehalt auf der Scheibenoberfläche.The cleaning success is expediently based on a the main metallic contaminants renal analysis, proven. The is particularly suitable Atomic absorption spectroscopy in connection with a chemi digestion of the oxidic compounds on the Schei surface due to the action of hydrogen fluoride steam at room temperature. The method is under the abbreviation VPD / AAS known to the expert and delivers a reliable Image of the foreign metal content on the surface of the pane.

Im folgenden wird an vier Beispielen die Leistungsfähigkeit des erfindungsgemäßen Verfahrens gezeigt.The following is four examples of performance shown the inventive method.

Beispiel 1example 1

Zweimal je 25 polierte Siliciumscheiben (Ansätze A und B) mit einem Durchmesser von 150 mm wurden in einer Reinigungs­ anlage mit einer aus dem RCA-Verfahren unter dem Namen SC1- Lösung bekannten, ammoniakhaltigen Reinigungslösung gespült. Die Entfernung von oberflächlich adsorbierten, metallhalti­ gen Rückständen wurde durch eine handelsübliche Megasonic- Anlage unterstützt. Die Behandlung dauerte 5 Minuten bei einer Reinigungsmitteltemperatur von 50°C. Anschließend wur­ den die Scheiben in einem sogenannten "Quick Dump Rinser" (QDR) weitere 5 Minuten mit 25°C warmen Reinstwasser nach­ gespült und zum Schluß im Argonstrom getrocknet. Im Gegen­ satz zu Ansatz A war im Ansatz B zum Reinstwasser Kohlen­ dioxid bis zur Sättigung zudosiert worden. Die abschließende Analyse (VPD/AAS) der Hauptkontaminanten Eisen, Zink und Kupfer ergab folgendes Ergebnis:Twice 25 polished silicon wafers (approaches A and B) with a diameter of 150 mm were cleaned system with one from the RCA process under the name SC1- Known solution, ammonia-containing cleaning solution rinsed. The removal of superficially adsorbed, metal-containing residues was removed by a standard Megasonic Facility supported. The treatment lasted 5 minutes a detergent temperature of 50 ° C. Then was the discs in a so-called "quick dump rinser" (QDR) for another 5 minutes with 25 ° C ultrapure water rinsed and finally dried in a stream of argon. In the opposite batch to batch A was coal in batch B to ultrapure water dioxide has been added to saturation. The final one Analysis (VPD / AAS) of the main contaminants iron, zinc and Copper gave the following result:

Beispiel 2Example 2

Zweimal je 25 polierte Siliciumscheiben (Ansätze C und D) mit einem Durchmesser von 150 mm wurden in einem handelsüb­ lichen "Spray Acid Processor" zunächst mit einer SC1-Lösung bei 50°C gespült. Anschließend wurden die Scheibenober­ flächen 3 Minuten lang mit Reinstwasser besprüht. Die Was­ sertemperatur betrug 25°C. Im Unterschied zu Ansatz C er­ folgte die Wasserzufuhr bei Ansatz D in einer Kohlendi­ oxidatmosphäre. Die Oberflächenanalyse der abschließend im Argonstrom getrockneten Scheiben ergab folgende Kontamina­ tionswerte:Twice 25 polished silicon wafers (approaches C and D) with a diameter of 150 mm were in a commercial "Spray Acid Processor" first with an SC1 solution rinsed at 50 ° C. Then the disc was top sprayed with ultrapure water for 3 minutes. The what temperature was 25 ° C. In contrast to approach C er followed the water supply in approach D in a coal di oxide atmosphere. The surface analysis of the final in Argon flow dried slices gave the following contamina values:

Beispiel 3Example 3

Zweimal je 25 polierte Siliciumscheiben (Ansätze E und F) mit einem Durchmesser von 150 mm wurden, wie in Beispiel 1 beschrieben, mit einer RC1-Lösung behandelt. Während die Scheiben von Ansatz E anschließend analog wie die Scheiben von Ansatz A mit Reinstwasser im QDR gespült wurden, wurde in Ansatz F dem Reinstwasser beim Spülvorgang im QDR 0,1% Oxalsäure zudosiert. Der Spülvorgang mit dem oxalsäurehalti­ gen Reinigungsmittel dauerte 3 Minuten. Anschließend wurden die Scheiben des Ansatzes F weitere 5 Minuten mit Reinstwas­ ser gespült und im Argonstrom getrocknet. Die VPD/AAS-Analyse der gereinigten Scheibenoberflächen ergab folgende Kon­ taminationswerte:Twice 25 polished silicon wafers (approaches E and F) with a diameter of 150 mm, as in Example 1 described, treated with an RC1 solution. While the  Slices from approach E then analogous to the slices from batch A were rinsed with ultrapure water in the QDR in approach F the ultrapure water during the rinsing process in the QDR 0.1% Oxalic acid metered in. The rinsing process with the oxalic acid Detergent took 3 minutes. Then were the slices of batch F for a further 5 minutes with ultrapure water rinsed and dried in a stream of argon. The VPD / AAS analysis the cleaned disc surfaces gave the following con tamination values:

Beispiel 4Example 4

Zweimal je 25 polierte Siliciumscheiben (Ansätze G und H) mit einem Durchmesser von 150 mm wurden in einem handelsüb­ lichen Spray Acid Prozessor mit SC1-Lösung 2 Minuten bei 50°C behandelt, 3 Minuten mit kohlendioxid-gesättigtem Reinstwasser sprühgespült und anschließend auf einem Wafer- Scrubber mit einer Tensidlösung gereinigt und im Argonstrom getrocknet. Bei Ansatz H war im Unterschied zu Ansatz G der Tensidlösung Kohlendioxid in Sättigungskonzentration zudo­ siert worden. Die VPD/AAS-Analyse der getrockneten Scheiben­ oberflächen ergab folgende Kontaminationswerte:Twice 25 polished silicon wafers (approaches G and H) with a diameter of 150 mm were in a commercial Spray Acid processor with SC1 solution for 2 minutes Treated 50 ° C, 3 minutes with carbon dioxide saturated Ultra-pure water spray-washed and then on a wafer Scrubber cleaned with a surfactant solution and in a stream of argon dried. In contrast to approach G, approach H was Add surfactant solution carbon dioxide in saturation concentration been settled. The VPD / AAS analysis of the dried slices surfaces resulted in the following contamination values:

Durch das erfindungsgemäße Verfahren wird die Wirksamkeit von Wasser oder gängiger wässeriger Reinigungsmittel zum Entfernen metallhaltiger Rückstände wesentlich verbessert. Das erfindungsgemäße Verfahren kann ohne großen Aufwand in bestehende Prozeßabläufe einbezogen werden. Außerdem können problembehaftete Reinigungsmittel, beispielsweise solche auf der Basis von Salzsäure ohne Qualitätsverlust durch salz­ säurefreie Reinigungsmittel, deren Reinigungswirkung erfin­ dungsgemäß gesteigert worden ist, ersetzt werden.The effectiveness of the process according to the invention of water or common aqueous cleaning agents for Removal of metal-containing residues significantly improved. The method according to the invention can be carried out without great effort existing process flows are included. You can also problematic cleaning agents, such as those the basis of hydrochloric acid without loss of quality due to salt acid-free cleaning agents, whose cleaning effect is invented has been increased in accordance with, be replaced.

Claims (5)

1. Verfahren zur Verbesserung der Wirksamkeit wässeriger Reinigungsmittel zum Entfernen metallhaltiger Rückstän­ de auf Halbleiteroberflächen, insbesondere Silicium­ scheiben, dadurch gekennzeichnet, daß das wässerige Reinigungsmittel mit Kohlendioxid und/oder mit Oxalsäure beaufschlagt wird.1. A method for improving the effectiveness of aqueous cleaning agents for removing metal-containing residues on semiconductor surfaces, in particular silicon wafers, characterized in that the aqueous cleaning agent is acted upon with carbon dioxide and / or with oxalic acid. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Kohlendioxid in einer Konzentration von 10 bis 100% der Sättigungskonzentration bei Normaldruck und einer Tempe­ ratur von 10 bis 50°C zum wässerigen Reinigungsmittel dosiert wird.2. The method according to claim 1, characterized in that Carbon dioxide in a concentration of 10 to 100% of Saturation concentration at normal pressure and one temperature temperature of 10 to 50 ° C to the aqueous cleaning agent is dosed. 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Oxalsäure in einer Konzentration von 0,1 bis 1% (ge­ wichtsbezogen) bei einer Temperatur von 10 bis 50°C zum wässerigen Reinigungsmittel dosiert wird.3. The method according to claim 1, characterized in that Oxalic acid in a concentration of 0.1 to 1% (ge based on weight) at a temperature of 10 to 50 ° C aqueous detergent is dosed. 4. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß Wasser als Reinigungsmit­ tel verwendet wird.4. The method according to one or more of claims 1 to 3, characterized in that water as a cleaning agent tel is used. 5. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß wässerige Lösungen nicht­ ionischer Tenside als Reinigungsmittel verwendet wer­ den.5. The method according to one or more of claims 1 to 3, characterized in that aqueous solutions are not ionic surfactants used as cleaning agents the.
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