DE4301889A1 - Verfahren zum Bestimmen charakteristischer Größen transparenter Schichten mit Hilfe der Ellipsometrie - Google Patents

Verfahren zum Bestimmen charakteristischer Größen transparenter Schichten mit Hilfe der Ellipsometrie

Info

Publication number
DE4301889A1
DE4301889A1 DE4301889A DE4301889A DE4301889A1 DE 4301889 A1 DE4301889 A1 DE 4301889A1 DE 4301889 A DE4301889 A DE 4301889A DE 4301889 A DE4301889 A DE 4301889A DE 4301889 A1 DE4301889 A1 DE 4301889A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
determined
layer thickness
refractive index
measured
ellipsometer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE4301889A
Other languages
English (en)
Inventor
Uwe Dipl Phys Wielsch
Uwe Dipl Phys Richter
Helmut Dr Rer Nat Witek
Albrecht Dr Rer Nat Krueger
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sentech Instruments GmbH
Original Assignee
Sentech Instruments GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sentech Instruments GmbH filed Critical Sentech Instruments GmbH
Priority to DE4301889A priority Critical patent/DE4301889A1/de
Priority to JP6002527A priority patent/JPH06317408A/ja
Priority to US08/181,950 priority patent/US5526117A/en
Publication of DE4301889A1 publication Critical patent/DE4301889A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/21Polarisation-affecting properties
    • G01N21/211Ellipsometry
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/02Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B11/06Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
    • G01B11/0616Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating
    • G01B11/0641Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating with measurement of polarization

Description

Die Erfindung betrifft die ellipsometrische Bestimmung transparenter dünner Schichten im Nanometerbereich, insbe­ sondere für die Anwendung in der Optik und in der Halblei­ tertechnik.
Bei den bekannten Ellipsometern wird eine Probe mit einem linear polarisierten Laserstrahl bestrahlt, wozu ein Laser mit einem Polarisator und einem Kompensator angeordnet ist. Der Laserstrahl fällt schräg auf die Probe, wird an deren Oberfläche reflektiert und als elliptisch polarisierter Strahl über einen rotierenden Analysator auf einen Fotode­ tektor gerichtet. Die Ausgangssignale des Fotodetektors werden in der Regel einem Rechner zur Auswertung der Meßsi­ gnale zugeführt. Gemessen wird bei der Ellipsometrie die Änderung des Polarisationszustandes des reflektierten Lichtes. Das Reflektionsverhältnis aus parallel und senk­ recht polarisiertem Licht ist u. a. eine Funktion der Schichtdicke (DE-OS 39 26 184, DE-OS 41 08 329).
Der Vorteil der Ellipsometrie im Vergleich z. B. zur Photome­ trie besteht darin, daß die unabhängige Messung von zwei Parametern in einem Meßvorgang möglich ist, z. B. der Dicke und des Brechungsindex. Weiterhin ist eine schnelle Messung mit hoher Genauigkeit möglich.
Der Nachteil einfacher Ellipsometer, die bei einer Wellen­ länge arbeiten, besteht darin, daß man keine spektralen Informationen erhält und daß die Messung der Schichtdicke nur innerhalb einer ellipsometrischen Periode möglich ist. Wenn kein Aussage über die Periode vorhanden ist, kann auch keine Aussage zur absoluten Schichtdicke gemacht werden.
Ein weiterer Nachteil besteht darin, daß die hohe Meßgenau­ igkeit von der Filmdicke abhängig ist, wenn der Brechungsin­ dex unbekannt ist. Der Zusammenhang wird in der Fig. 1 dargestellt. Dort sind die ellipsometrischen Winkel Psi und Delta für unterschiedliche Brechungsindices dargestellt. Im Bereich des Fokus, der bei einem Delta von 180° liegt, also bei der Messung von Schichten mit einer Dicke von ca. 220 bis 340 Nanometer, ist die unabhängige Messung der Schicht­ dicke und des Brechungsindex nicht möglich.
Für die Dickenmessung an transparenten Schichten sind weiterhin Spektralphotometer bekannt (DE-OS 39 26 184). Bei diesen wird die zu untersuchende Schicht mit weißem Licht, d. h. mit Licht eines genügend großen Wellenlängenbereiches bestrahlt. Wird eine derartige Strahlung von einer transpa­ renten Schicht reflektiert, legen die an der vorderen und hinteren Grenzfläche reflektierten Anteile unterschiedliche Wege zurück.
Bei ihrer Überlagerung entstehen Interferenzen, d. h. in Abhängigkeit von der optischen Schichtdicke und Wellenlänge wird die reflektierte Strahlung entweder verstärkt oder geschwächt bzw. ausgelöscht. Das Reflexionsvermögen ist eine Funktion des Produktes Brechungsindex mal Schicht­ dicke, so daß bei bekanntem Brechungsindex die Schichtdicke ermittelt werden kann.
Bei der Messung mit dem Spektralphotometer besteht der Nachteil, daß die gleichzeitige Bestimmung sowohl der Schichtdicke als auch des Brechungsindex wegen der spektra­ len Abhängigkeit vom Brechungsindex nicht in einer Messung möglich ist.
Die genannten Nachteile lassen sich durch die Verwendung eines Spektro-Ellipsometers vermeiden. Bei diesem werden die Messungen in einem kontinuierlich durchstimmbaren Spektrum durchgeführt.
Der Nachteil des Spektro-Ellipsometers besteht aber darin, daß dessen Aufbau sehr aufwendig und dadurch teuer ist.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, bei der ellipsome­ trischen Messung von transparenten Filmen auf reflektieren­ den Substraten bei einer Wellenlänge oder bei wenigen diskreten Wellenlängen mindestens zwei charakteristische Größen des Filmes, wie z. B. Schichtdicke und Brechungsindex sowie die Dispersion, mit hoher Genauigkeit auch bei Schichtdicken zu bestimmen, bei denen mindestens eine der charakteristischen Größen mit ellipsometrischen Messun­ gen bei einer Wellenlänge oder wenigen diskreten Wellenlän­ gen bisher nicht bzw. ungenau zu ermitteln gewesen ist, und zusätzlich die spektrale Abhängigkeit der charakteristi­ schen Größen zu ermitteln.
Erfindungsgemäß wird das durch die Merkmale des Anspruchs 1 erreicht.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren wird zunächst minde­ stens ein Paar der ellipsometrischen Winkel Psi und Delta bei mindestens einem Einfallswinkel der Lichtstrahlung auf die Probe für mindestens eine Ellipsometerwellenlänge gemessen, aus denen mit an sich bekannten Beziehungen mindestens eine charakteristische Größe des zu vermessenden transparenten Films für eine Ellipsometerperiode ermittelt wird. In einem zweiten Schritt wird photometrisch die wel­ lenlängenabhängige Reflexion der Probe in dem interessieren­ den Wellenlängenbereich gemessen und daraus mit einer bekannten Beziehung unter Zuhilfenahme einer im ersten Schritt bei der oder den diskreten Ellipsometerwellenlängen ermittelten charakteristischen Größe des transparenten Films als Startwert die spektrale Abhängigkeit der charakte­ ristischen Größen bestimmt.
Im ersten Schritt kann als charakteristische Größe die Schichtdicke d und der Brechungsindex n des zu vermessenden Films für eine Ellipsometerperiode ermittelt werden, wobei die ellipsometrische Ordnung zunächst unbekannt ist. Mit Hilfe der im zweiten Schritt ermittelten wellenlängenabhän­ gigen Reflexion der Probe wird anschließend mit einer bekannten Beziehung unter Annahme des konstanten und aus dem ersten Schritt bestimmten Brechungsindex näherungsweise die absolute Schichtdicke bestimmt. In einem weiteren Schritt wird mit der im zweiten Schritt bestimmten absolu­ ten Schichtdicke unter Zuhilfenahme der im ersten Schritt ermittelten Schichtdicke die im zweiten Schritt ermittelte Schichtdicke mit Hilfe einer bekannten Beziehung in ihrer Genauigkeit verbessert. Mit dieser Schichtdicke und dem ellipsometrisch bestimmten Brechungsindex als Startwert wird schließlich mit einer bekannten Beziehung die spektra­ le Abhängigkeit des Brechungsindex bestimmt.
Für den Fall, daß der Ellipsometerwinkel Delta im Bereich von 180° liegt, und damit aus den gemessenen Ellipsometer­ winkeln Psi und Delta nur das Produkt des Brechungsindex und der Schichtdicke n×d genau ermittelt werden kann, die Einzelgrößen n und d aber nur ungenau ermittelt werden können, werden erfindungsgemäß in einem ersten Schritt der Brechungsindex n und die Schichtdicke d ellipsometrisch mit der verfahrensbedingten großen Ungenauigkeit ermittelt. In einem zweiten Schritt wird die wellenabhängige Reflexion spektralphotometrisch gemessen. In einem dritten Schritt wird mit diesem gemessenen Reflexionswert und dem ellipsome­ trisch ermittelten Brechungsindex nach einer bekannten Beziehung ein genauerer Wert der Schichtdicke ermittelt. Mit dieser neu ermittelten Schichtdicke und dem ellipsome­ trisch ermittelten Brechungsindex wird in einem vierten Schritt ein verbesserter Wert des Brechungsindex ermittelt. In einem fünften Schritt wird mit diesem verbesserten Wert des Brechungsindex ein verbesserter Wert der Schichtdicke ermittelt. Die im vierten und fünften Schritt angegebenen Verfahrensschritte werden iterativ solange fortgesetzt, bis die zu ermittelnden Werte der Schichtdicke und des Bre­ chungsindex konstant bleiben und damit beide Werte mit ellipsometrischer Genauigkeit bestimmt sind.
Die bekannte Beziehung zwischen dem Brechungsindex und den übrigen Größen lautet:
n = ne + a (w2 - we 2) + b (w4 - we 4)
ne = n0 + a we 2 + b we 4
wobei bedeuten:
n
Brechungsindex des Films
ne Brechungsindex, der ellipsometrisch bei einer Wellenlänge ermittelt worden ist.
n₀, a, b Dispersions-Koeffizienten
w Wellenzahl
we Ellipsometer-Wellenzahl, bei der gemessen wird
Anhand von Diagrammen sollen die Zusammenhänge erläutert werden. Es zeigen:
Fig. 1 die Darstellung der ellipsometrischen Winkel Psi und Delta bei unterschiedlichen Brechungsindices,
Fig. 2 den Verlauf des Fehlers des Brechungsindex für unterschiedliche Ellipsometerwinkel.
Aus der Fig. 2 ist die Abhängigkeit der Schichtdicke von der Genauigkeit der Messung des Brechungsindex n ersicht­ lich. Es ist zu erkennen, daß bei Halbperioden und Peri­ oden, d. h. wenn der Ellipsometerwinkel 180° oder ganzzahli­ ge Vielfache davon betragen, der Brechungsindex ellipsome­ trisch nur sehr ungenau bestimmt werden kann. Dieser Nach­ teil wird durch das erfindungsgemäße Verfahren beseitigt. Bei der Einwinkelmessung wird der Verlauf 11 des Fehlers erzielt, der die genannten großen Fehler bei den Halbperi­ oden und Perioden hat. Bei der Mehrwinkelmessung reduziert sich der Fehler auf den Verlauf 12. Mit dem erfindungsgemä­ ßen Verfahren wird der Fehlerverlauf 13 erreicht und damit eine Fehlerminimierung bei den Halbperioden und Perioden.

Claims (3)

1. Verfahren zum Bestimmen charakteristischer Größen trans­ parenter Schichten mit Hilfe der Ellipsometrie, dadurch gekennzeichnet, daß zunächst mindestens ein Paar der ellip­ sometrischen Winkel Psi und Delta bei mindestens einem Ein­ fallswinkel der Lichtstrahlung auf die Probe für mindestens eine Ellipsometerwellenlänge gemessen wird, aus denen mit an sich bekannten Beziehungen mindestens eine charakteristi­ sche Größe des zu vermessenden transparenten Films für eine Ellipsometerperiode ermittelt wird, daß in einem zweiten Schritt spektralphotometrisch die wellenlängenabhängige Re­ flexion der Probe in dem interessierenden Wellenlängenbe­ reich gemessen und daraus mit einer bekannten Beziehung unter Zuhilfenahme einer im ersten Schritt bei der oder den diskreten Ellipsometerwellenlängen ermittelten charakteri­ stischen Größe des transparenten Films als Startwert die spektrale Abhängigkeit der charakteristischen Größen be­ stimmt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß im ersten Schritt als charakteristische Größe die Schicht­ dicke d und der Brechungsindex n des zu vermessenden Films für eine Ellipsometerperiode ermittelt wird, wobei die el­ lipsometrische Ordnung zunächst nicht ermittelbar ist, daß mit Hilfe der im zweiten Schritt ermittelten wellenlängenab­ hängigen Reflexion der Probe anschließend mit einer bekann­ ten Beziehung unter Annahme des konstanten und aus dem ersten Schritt ermittelten Brechungsindex näherungsweise die absolute Schichtdicke bestimmt wird, daß in einem weite­ ren Schritt mit der im zweiten Schritt bestimmten absoluten Schichtdicke unter Zuhilfenahme der im ersten Schritt ermittelten Schichtdicke die im zweiten Schritt ermittelte Schichtdicke mittels einer bekannten Beziehung in ihrer Genauigkeit verbessert wird, und daß mit dieser Schicht­ dicke und dem ellipsometrisch bestimmten Brechungsindex als Startwert schließlich mit einer bekannten Beziehung die spektrale Abhängigkeit des Brechungsindex bestimmt wird.
3. Verfahren zum Bestimmen charakteristischer Größen trans­ parenter Schichten mit Hilfe der Ellipsometrie, dadurch gekennzeichnet, daß für den Fall, daß der Ellipsometerwin­ kel Delta im Bereich von 180° liegt, und damit aus den ge­ messenen Ellipsometerwinkeln Psi und Delta nur das Produkt des Brechungsindex und der Schichtdicke n×d genau ermit­ telt werden kann, die Einzelgrößen n und d aber nur ungenau ermittelt werden können, in einem ersten Schritt der Bre­ chungsindex n und die Schichtdicke d ellipsometrisch mit der verfahrensbedingten großen Ungenauigkeit ermittelt werden, daß in einem zweiten Schritt die wellenlängenabhän­ gige Reflexion spetralphotometrisch gemessen wird, daß in einem dritten Schritt mit diesem gemessenen Reflexionswert und dem ellipsometrisch ermittelten Brechungsindex nach einer bekannten Beziehung ein genauerer Wert der Schicht­ dicke ermittelt wird, daß mit dieser neu ermittelten Schichtdicke und dem ellipsometrisch ermittel­ ten Brechungsindex in einem vierten Schritt ein verbesser­ ter Wert des Brechungsindex ermittelt wird, daß in einem fünften Schritt mit diesem verbesserten Wert des Brechungsindex ein verbesserter Wert der Schichtdicke ermittelt wird, und daß die im vierten und fünften Schritt angegebenen Verfahrensschritte iterativ solange fortgesetzt werden, bis die zu ermittelnden Werte der Schichtdicke und des Brechungsindex konstant bleiben und damit beide Werte mit ellipsometrischer Genauigkeit bestimmt sind.
DE4301889A 1993-01-14 1993-01-14 Verfahren zum Bestimmen charakteristischer Größen transparenter Schichten mit Hilfe der Ellipsometrie Withdrawn DE4301889A1 (de)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4301889A DE4301889A1 (de) 1993-01-14 1993-01-14 Verfahren zum Bestimmen charakteristischer Größen transparenter Schichten mit Hilfe der Ellipsometrie
JP6002527A JPH06317408A (ja) 1993-01-14 1994-01-14 偏光解析法を用いて透明層の特性値を決定するための方法
US08/181,950 US5526117A (en) 1993-01-14 1994-01-14 Method for the determination of characteristic values of transparent layers with the aid of ellipsometry

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4301889A DE4301889A1 (de) 1993-01-14 1993-01-14 Verfahren zum Bestimmen charakteristischer Größen transparenter Schichten mit Hilfe der Ellipsometrie

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE4301889A1 true DE4301889A1 (de) 1994-07-21

Family

ID=6478850

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE4301889A Withdrawn DE4301889A1 (de) 1993-01-14 1993-01-14 Verfahren zum Bestimmen charakteristischer Größen transparenter Schichten mit Hilfe der Ellipsometrie

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5526117A (de)
JP (1) JPH06317408A (de)
DE (1) DE4301889A1 (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5596406A (en) * 1993-07-16 1997-01-21 Therma-Wave, Inc. Sample characteristic analysis utilizing multi wavelength and multi angle polarization and magnitude change detection
DE19707926A1 (de) * 1997-02-27 1998-09-03 Gunther Dr Elender Abbildendes Mikro-Ellipsometer
WO2016162324A1 (de) 2015-04-09 2016-10-13 Ernst-Moritz-Arndt-Universität Greifswald Verfahren zum ermitteln von brechungsindex und schichtdicke einer transparenten schicht mittels ellipsometrie

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AUPN875296A0 (en) * 1996-03-19 1996-04-18 Manakato Pty Ltd Method and apparatus for monitoring materials processing
US5717490A (en) * 1996-10-17 1998-02-10 Lsi Logic Corporation Method for identifying order skipping in spectroreflective film measurement equipment
US6278519B1 (en) 1998-01-29 2001-08-21 Therma-Wave, Inc. Apparatus for analyzing multi-layer thin film stacks on semiconductors
US5798837A (en) 1997-07-11 1998-08-25 Therma-Wave, Inc. Thin film optical measurement system and method with calibrating ellipsometer
US6483580B1 (en) * 1998-03-06 2002-11-19 Kla-Tencor Technologies Corporation Spectroscopic scatterometer system
US6102707A (en) * 1998-03-12 2000-08-15 Gordon; Michael D. Educational vehicle for exploring and viewing earth's surface
US6414302B1 (en) 1998-08-11 2002-07-02 Interface Studies Inc High photon energy range reflected light characterization of solids
US6222199B1 (en) 1999-05-25 2001-04-24 Interface Studies Inc. Ultrathin layer measurement having a controlled ambient of light path
US6323947B1 (en) 1999-12-14 2001-11-27 Interface Studies Corporation Angle of incidence accuracy in ultrathin dielectric layer ellipsometry measurement
JP4421054B2 (ja) 2000-03-01 2010-02-24 Okiセミコンダクタ宮城株式会社 半導体薄膜の表面形状測定方法
US6713753B1 (en) 2001-07-03 2004-03-30 Nanometrics Incorporated Combination of normal and oblique incidence polarimetry for the characterization of gratings
AU2002360738A1 (en) * 2001-12-19 2003-07-09 Kla-Tencor Technologies Corporation Parametric profiling using optical spectroscopic systems
US6859119B2 (en) * 2002-12-26 2005-02-22 Motorola, Inc. Meso-microelectromechanical system package
US7268876B1 (en) 2003-07-05 2007-09-11 J.A. Woollam Co., Inc General virtual interface algorithm for in-situ spectroscopic ellipsometric data analysis
US7515253B2 (en) 2005-01-12 2009-04-07 Kla-Tencor Technologies Corporation System for measuring a sample with a layer containing a periodic diffracting structure

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0144115B1 (de) * 1983-12-07 1990-01-31 Tohoku University Ellipsometer
DE3926184A1 (de) * 1988-08-16 1990-02-22 Karl Marx Stadt Tech Hochschul Verfahren zur spektralphotometrischen schichtdickenbestimmung
DE4108329A1 (de) * 1991-03-14 1992-09-24 Plasmos Gmbh Prozesstechnik Ellipsometrische schichtfolgenbestimmung

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2605100B1 (fr) * 1986-10-10 1988-12-09 Labo Electronique Physique Dispositif optique d'eclairement d'un echantillon pour un ellipsometre spectroscopique a haute resolution laterale

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0144115B1 (de) * 1983-12-07 1990-01-31 Tohoku University Ellipsometer
DE3926184A1 (de) * 1988-08-16 1990-02-22 Karl Marx Stadt Tech Hochschul Verfahren zur spektralphotometrischen schichtdickenbestimmung
DE4108329A1 (de) * 1991-03-14 1992-09-24 Plasmos Gmbh Prozesstechnik Ellipsometrische schichtfolgenbestimmung

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
B. Kaspersick et al, tm 56, S. 149-153 (1989) *
F. Meyer, G.J. Loyen, Acta Electronica 18, S. 33-38 (1975) *
Rev.Sci.Instruments 61, S. 2029-2062 (1990) *
U.E.J. Neal, R.W. Fane, Journal of Physics E 6, S. 409-416 (1973) *

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5596406A (en) * 1993-07-16 1997-01-21 Therma-Wave, Inc. Sample characteristic analysis utilizing multi wavelength and multi angle polarization and magnitude change detection
DE19707926A1 (de) * 1997-02-27 1998-09-03 Gunther Dr Elender Abbildendes Mikro-Ellipsometer
WO2016162324A1 (de) 2015-04-09 2016-10-13 Ernst-Moritz-Arndt-Universität Greifswald Verfahren zum ermitteln von brechungsindex und schichtdicke einer transparenten schicht mittels ellipsometrie
DE102015105418A1 (de) 2015-04-09 2016-10-13 Ernst-Moritz-Arndt-Universität Verfahren zum Ermitteln von Brechungsindex und Schichtdicke einer transparenten Schicht mittels Ellipsometrie
DE102015105418B4 (de) 2015-04-09 2018-10-04 Universität Greifswald Verfahren zum Ermitteln des Brechungsindex einer transparenten Schicht mittels Ellipsometrie

Also Published As

Publication number Publication date
JPH06317408A (ja) 1994-11-15
US5526117A (en) 1996-06-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE4301889A1 (de) Verfahren zum Bestimmen charakteristischer Größen transparenter Schichten mit Hilfe der Ellipsometrie
DE3419463C1 (de) Vorrichtung zur Erfassung von Stoffeigenschaften von Probenoberflaechen
DE3103082C2 (de)
DE69917899T2 (de) Zerstoerungsfreie analyse eines halbleiters mittels reflektionsspektrometrie
EP0011708B1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Messung der Ebenheit, der Rauhigkeit oder des Krümmungsradius einer Messfläche
DE4115704C2 (de) Verfahren zum Messen von Glanzprofilen
EP0011723B1 (de) Verfahren und Einrichtung zur interferometrischen Messung von sich ändernden Schichtdicken
DE3908155A1 (de) Vorrichtung und verfahren zur vermessung duenner dielektrischer schichten
DE2853427C2 (de)
DE3240234C2 (de) Oberflächenprofil-Interferometer
EP0019088A1 (de) Ellipsometrisches Verfahren und ellipsometrische Vorrichtung zur Untersuchung der physikalischen Eigenschaften der Oberfläche einer Probe
DE2414034A1 (de) Verfahren zur messung der dicke mehrerer uebereinanderliegender schichten
EP0175142A2 (de) Ellipsometrische Vorrichtung zur Untersuchung der physikalischen Eigenschaften der Oberfläche einer Probe
DE3834948C2 (de) Verfahren zum Bestimmen des Brechungsindex der obersten Dünnschicht einer mehrlagigen Schicht
EP1287310B1 (de) Verfahren und vorrichtung zur bestimmung der dicke von transparenten organischen schichten
DE60210431T2 (de) Achromatisches Spektralellipsometer mit hoher räumlicher Auflösung
DE102007043937A1 (de) Verfahren zur Bestimmung der Dicke und des Brechungsindex von optisch transparenten Schichten auf optisch transparenten planparallelen Substraten
DE4001506C2 (de) Drei Verfahren zum Bestimmen des einzustellenden Meß-Einfallswinkels eines monochromatischen Meß-Lichtstrahls bei der Messung des Brechungsindex und der Dicke einer dünnen Schicht
DE10204943B4 (de) Verfahren zur Bestimmung von Schichtdicken
DE3737426C2 (de) Interferometer
DE3936541C2 (de) Verfahren zum Messen von mindestens zwei unbekannten physikalischen Größen einer einlagigen Dünnschicht oder der obersten Lage einer mehrlagigen Dünnschicht-Struktur
DE4108329C2 (de) Verfahren zum Bestimmen von Materialparametern, nämlich Dicke, Brechungsindex und Absorptionskoeffizient, einzelner Schichten
DE102005002267B4 (de) Verfahren zum Wellenlängenkalibrieren eines optischen Messsystems
DE10227376B4 (de) Verfahren zur Bestimmung von Schichtdickenbereichen
DE10119072C1 (de) Reflektometeranordnung und Verfahren zur Bestimmung des Reflexionsvermögens ausgewählter Messorte von spektral abhängig reflektierenden Messobjekten

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8125 Change of the main classification

Ipc: G01J 3/42

8139 Disposal/non-payment of the annual fee