DE4316087A1

DE4316087A1 - Verfahren zum bildmäßigen Metallisieren von strukturierten Leiterplatten

Info

Publication number: DE4316087A1
Application number: DE4316087A
Authority: DE
Inventors: Klaus Dr Horn; Juergen Dr Lingnau; Gerald Dr Schuetze; Werner Hinter
Original assignee: Morton International LLC
Current assignee: Morton International LLC
Priority date: 1993-05-13
Filing date: 1993-05-13
Publication date: 1994-11-17
Also published as: US5484688A; EP0625001A2; CA2122868A1; EP0625001A3; EP0625001B1; CA2122868C

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum bildmäßigen, bevorzugt stromlosen Metallisieren von strukturierten Leiterplatten bzw. von gedruckten Schaltungen, die von einer Lötstoppmaske unter Aussparung von Lötaugen abgedeckt sind.

Derartige Schaltungen werden üblicherweise an den für Kontaktierungen vor gesehenen Anschlußstellen einem Schwall- bzw. Wellenlötprozeß unterworfen, bei dem an den freiliegenden, nicht von der Lötstoppmaske abgedeckten Kon taktstellen Lötmetall abgeschieden wird, das später teils zum Verbinden von übereinanderliegenden Mehrlagenschaltungen, teils zum Anlöten von Bau elementen dient. Um eine ausreichende Resistenz der Lötstoppmaske unter den Bedingungen des Wellenlötens und der weiteren Verarbeitungsschritte zu errei chen, ist es erforderlich, die lichtgehärtete Lötstoppmaske einer zusätzlichen thermischen Härtung zu unterwerfen. Dabei werden die in dieser Schablone enthaltenen thermisch vernetzbaren Verbindungen, z. B. Epoxyverbindungen, vernetzt und bilden so ein ausreichend resistentes Gebilde. In neuerer Zeit ist man mehr dazu übergeganten, die Kontaktstellen statt durch Wellenlöten durch stromlose Metallabscheidung, insbesondere von Zinn, Nickel oder Gold, aus entsprechenden Bädern herzustellen. Dieses Verfahren hat den Vorteil, daß die abgeschiedenen Metallschichten dünner und wesentlich gleichmäßiger sind als beim Wellenlöten. Es wird besonders dann angewendet, wenn elektronische Bauteile direkt auf die Oberfläche der Leiterplatte montiert werden ("Surface Mounted Device" (SMD)-Technik), denn für diese Technik ist eine besonders gleichmäßige und flache Oberfläche der Leiterplatten erforderlich. Dieses Erfor dernis läßt sich durch Lötverfahren, z. B. durch Heißverzinnen, nicht erfüllen. Es zeigte sich aber, daß solche Bäder dazu neigen, die ausgehärtete Lötstopp maske zu unterwandern, so daß sich unterhalb von deren Kanten Metall ab scheidet. Diese Erscheinung ist unerwünscht und führt zur örtlichen Lockerung der Lötstoppmasken, die sich ggf. durch Abheben beim Klebebandtest zu erkennen gibt.

Aufgabe der Erfindung war es, ein Verfahren zum bildmäßigen Metallisieren einer durch eine Lötstoppmaske bildmäßig abgedeckten strukturierten Leiterplatte vorzuschlagen, das die Technik der stromlosen Metallisierung nutzt, ohne daß die Lötschablone von der Metallisierungslösung unterwandert wird.

Die Erfindung geht aus von einem Verfahren zum bildmäßigen Metallisieren von strukturiertem Leiterplatten, bei dem die fertig strukturierte Leiterplatte mit einer Lötstoppmaske unter Aussparung der Lötkontaktstellen bedeckt, die Lötstopp maske thermisch gehärtet und an den freiliegenden Lötkontaktstellen Metall aus einem wäßrigen Bad abgeschieden wird.

Das erfindungsgemäße Verfahren ist dadurch gekennzeichnet, daß man die Lötstoppmaske vor der Metallabscheidung unter solchen Bedingungen erwärmt, daß noch keine vollständige Härtung erfolgt und daß die Kupferoberfläche der Leiterplatte praktisch nicht oxidiert wird, und daß man die Maske nach der Metallabscheidung ausreichend lange auf eine ausreichend hohe Temperatur erwärmt, daß die Maske vollständig durchgehärtet wird.

Die Metallabscheidung bei dem erfindungsgemäßen Verfahren erfolgt bevorzugt stromlos. Sie ist grundsätzlich auch galvanisch mit Hilfe des elektrischen Stroms möglich, jedoch ist hierbei der Kontaktanschluß schwieriger zu bewerkstelligen. Als abzuscheidende Metalle kommen insbesondere Zinn, Nickel und Gold in Betracht.

Die erste Erwärmungsstufe, die vor der Metallabscheidung erfolgt, führt zu einer unvollständigen thermischen Härtung der Lötstoppmaske. Diese Härtung reicht aus für die zur Metallabscheidung erforderliche Resistenz der Maske. Anderer seits wird offenbar durch diese teilweise thermische Härtung die gute Haftung der Maske an der Oberfläche der Leiterplatte nicht oder nur in so geringem Maße gemindert, daß die Maske während der Metallabscheidung nicht unter wandert wird.

Wie gefunden wurde, ist es wesentlich, daß bei der ersten, unvollständigen thermischen Härtung keine oxidative Veränderung der Kupferoberfläche der Schaltung erfolgt. Dies kann schon dadurch erreicht werden, daß die Härtung unter weniger drastischen Bedingungen als sonst üblich, also bei niedrigerer Temperatur oder nur über eine kürzere Zeit durchgeführt wird. Im allgemeinen dauert diese erste Härtung nicht länger als 15 Minuten bei einer Temperatur im Bereich von etwa 100-150°C. Härtungszeiten von 5 bis 12 Minuten werden bevorzugt. Mit Vorteil kann die Härtung unter Sauerstoffausschluß, z. B. in einer Schutzgasatmosphäre, z. B. aus Stickstoff oder Kohlendioxid, durchgeführt werden.

Die zweite Härtungsstufe bewirkt die vollständige Aushärtung der Lötstopp maske. Sie erfordert je nach der Natur der härtbaren Mischung Temperaturen im Bereich von etwa 120-180°C und Zeiten von etwa 15 bis 90, bevorzugt 30 bis 80 Minuten.

Geeignete Materialien für die Herstellung der Lötstoppmasken sind z. B. in der EP-A 418 733 und der älteren deutschen Patentanmeldung P 42 34 072.1 beschrieben. Solche Materialen weisen auf der fertig strukturierten Leiterplatte eine Schicht aus einem photopolymerisierbaren Gemisch auf, das

a) eine Verbindung mit mindestens einer, bevorzugt mindestens zwei endständigen ethylenisch ungesättigten Gruppen, die durch radika lisch initiierte Additionskettenpolymerisation ein vernetztes Polymeri sat zu bilden vermögen,
b) ein wasserunlösliches, in wäßrig-alkalischen Lösungen lösliches polymeres Bindemittel,
c) einen durch Strahlung aktivierbaren Polymerisationsinitiator oder eine Polymerisationsinitiatorkombination
d) eine Verbindung, die mit sich selbst, mit dem Bindemittel (b) oder mit dem Polymerisat der Verbindung (a) in der Wärme zu vernet zen vermag,
e) ggf. einen durch Wärme aktivierbaren Vernetzungsinitiator für die Verbindung (d) und
f) ggf. ein feinteiliges mineralisches Pigment enthält.

Als mineralisches Pigment sind vor allem Silikate oder Kieselsäuren geeignet. Der Mengenanteil des Pigments beträgt allgemein 20 bis 50, vorzugsweise 25 bis 40 Gew.-%.

Als monomere, polymerisierbare Verbindungen werden im allgemeinen Ester der Acryl- oder Methacrylsäure mit mehrwertigen, vorzugsweise primären, Alkoholen verwendet. Der Alkohol sollte bevorzugt mindestens zwei Hydroxygruppen enthalten, da durch mehrfach ungesättigte Verbindungen die erwünschte Ver netzungswirkung erreicht wird. Die Ester des Trimethylolpropans, Tri methylolethans, des Pentaerythrits und Dipentaerythrits sind bevorzugte Bei spiele. Das Monomere ist im allgemeinen in einer Menge von 10 bis 35, vorzugs weise von 15 bis 30 Gew.-%, bezogen auf den Gesamtgehalt an nichtflüchtigen Bestandteilen, in dem Gemisch enthalten.

Als polymere Bindemittel eignen sich vor allem Polymere mit seitenständigen Carboxyl- oder Carbonsäureanhydridgruppen. Besonders bevorzugt werden Copolymere der Acryl- und Methacrylsäure, die als Comonomere Acryl- oder Methacrylsäureester, Styrole, Acryl- oder Methacrylnitril, Acryl- oder Methacryla mid oder Vinylheterocyclen enthalten.

Als durch Strahlung aktivierbare Polymerisationsinitiatoren können zahlreiche Substanzen Verwendung finden. Beispiele sind Mehrkernchinone, wie 2-Ethylan thrachinon, Acridinderivate, wie 9-Phenylacridin oder Benzacridine, Phenazinderi vate, wie 9,10-Dimethylbenz(a)phenazin, Chinoxalin- oder Chinolinderivate, wie 2,3-Bis-(4-methoxyphenyl)chinoxalin oder 2-Styrylchinolin, Chinazolinverbindun gen oder Acylphosphinoxidverbindungen. Von Vorteil sind auch Photoinitiatoren, die durch Licht spaltbare Trihalogenmethylgruppen enthalten, insbesondere Verbindungen aus der Triazin- oder Thiazolinreihe.

Die Photoinitiatoren werden im allgemeinen in Mengenanteilen von 0,1 bis 15, vorzugsweise von 0,5 bis 10 Gew.-%, bezogen auf die nichtflüchtigen Bestand teile des Gemisches, zugesetzt.

Das erfindungsgemäße Gemisch enthält ferner eine thermisch vernetzbare Verbindung. Bevorzugt werden zwei- oder mehrwertige Epoxyverbindungen. Als Beispiele sind insbesondere Bisglycidylether von zweiwertigen Alkoholen und Phenolen, wie z. B. von Bisphenol A, von Polyethylenglykol- und Polypropylen glykolethern des Bisphenols A, von Butan-1,4-diol, Hexan-1,6-diol, Polyethylen glykol, Polypropylenglykol oder Polytetrahydrofuran geeignet.

Mit Vorteil können auch die in der älteren deutschen Patentanmeldung P 42 34 072.1 beschriebenen cycloaliphatischen Epoxyverbindungen eingesetzt werden. Dies sind Verbindungen, die mindestens einen cycloaliphatischen Ring und mindestens eine Epoxygruppe enthalten, wobei die Epoxygruppen vorzugs weise nicht durch Chlorwasserstoffabspaltung aus einem Chlorhydrin entstanden sind.

Auch Bisglycidylether von dreiwertigen Alkoholen, z. B. von Glycerin, können verwendet werden. Die Epoxide werden dem Gemisch gewöhnlich in einer Menge von etwa 10 bis 30, vorzugsweise 12 bis 25 Gew.-%, bezogen auf die nichtflüchtigen Bestandteile des Gemisches, zugesetzt.

Als weitere thermisch vernetzbaren Verbindungen sind solche mit kondensations fähigen N-Hydroxymethyl- oder N-Alkoxymethylgruppen geeignet. Beispiele sind Hexamethoxymethyl- und Hexahydroxymethylmelamin.

Wenn als Vernetzer Epoxyverbindungen eingesetzt werden, enthält das Gemisch bevorzugt einen Härter oder Additionsinitiator für Epoxygruppen. Der Härter ist bevorzugt eine Stickstoffbase, z. B. Triethylamin, 1,4-Diazabicyclo[2.2.2]octan (Dabco), Dibutylamin oder höher alkylierte Mono-, Di- und Triamine auf aliphati scher Basis. Die Menge der Base liegt im allgemeinen zwischen 0,15 und 1,5, vorzugsweise zwischen 0,2 und 1,0 Gew.-%.

Das Gemisch wird im allgemeinen in einem organischen Lösemittel gelöst und aus dieser Lösung auf die Oberfläche der strukturierten Leiterplatte, die norma lerweise aus Kupferleiterbahnen auf einer Isolierstoffplatte besteht, aufgebracht und getrocknet. Die weitere Verarbeitung erfolgt durch bildmäßige Belichtung der Schicht, wobei die Lötaugen abgedeckt werden, und Auswaschen der unbelich teten Schichtbereiche mit einem Entwickler.

Als Entwickler sind vorzugsweise wäßrig-alkalische Lösungen, z. B. von Alkalihy droxiden, -carbonaten oder -silikaten, geeignet, denen gegebenenfalls kleine Mengen, z. B. bis zu 10 Gew.-%, an mit Wasser mischbaren organischen Löse mitteln oder Netzmitteln zugesetzt werden können.

Fertig entwickelte Lötmasken des beschriebenen Typs werden vor dem Löt prozeß einer Temperaturbehandlung unterzogen. Dabei reagieren z. B. die Carboxylgruppen des Bindemittels mit dem mehrfunktionellen Epoxid zu einem interpenetrierenden Netzwerk. Integrierender Bestandteil dieses Netzwerkes ist auch der mineralische Feststoff.

Bei dem erfindungsgemäßem Verfahren erfolgt diese Wärmebehandlung in zwei Stufen. Dabei ist es entscheidend, daß die erste Stufe unter solchen Bedingun gen erfolgt daß die Kupferoberfläche noch nicht oder nicht in nennenswertem Maße oxidiert wird. Wann dies der Fall ist, läßt sich im einzelnen durch einfache Versuche ermitteln. In der Regel ist, wie oben erwähnt, eine Behandlung von weniger als 15 Minuten bei 150°C unschädlich. Die Gefahr der Oxidation wird durch Sauerstoffausschluß weiter gemindert; die angegebenen Regelwerte können daher in vielen Fällen auch ohne Nachteil überschritten werden. Anderer seits sollte eine thermische Härtung bis zu einem gewissen Mindestgrad erfol gen, da dann die Resistenz der Masken gegenüber den Metallisierungsbädern, die gewöhnlich bei erhöhter Temperatur, etwa zwischen 50 und 100°C, ein wirken gelassen werden, besser ist. Masken, die überhaupt nicht thermisch vorgehärtet sind, werden in diesen Bädern leicht ausgelaugt und die Bäder durch die entsprechenden löslichen Schichtbestandteile verunreinigt. In der Regel sollte eine Härtung von etwa 5 bis 12 Minuten bei einer Temperatur im Bereich von etwa 120 bis 150°C vorgenommen werden.

Anschließend erfolgt die Metallisierung in an sich bekannter Weise mit handels üblichen Metallisierungsbädern, wobei der Metallisierung gewöhnlich noch verschiedene Reinigungs- und Anätzschritte vorausgehen. Als Metallisierungs bäder werden insbesondere Zinn-, Nickel- und bzw. oder Goldbäder eingesetzt. Geeignete Bäder und Verfahren sind z. B. in "® Nimuden - Chemisch Nickel für anspruchsvolle Anwendungen" von Dr. Schenzel, Degussa-Hausmitteilungen, 1992; "Electroless Plating Fundamentals And Applications" von Glenn O. Mallory, American Electroplaters and Surface Finisher Society, 1990; und "Gold als Oberfläche" von F.H. Reid und W. Goldie, Leuze-Verlag, Saulgau, 1982, be schrieben.

Die zweite thermische Härtungsstufe folgt danach in wiederum üblicher Weise in dem oben erwähnten Umfang. Die Platte kann dann in bekannter Weise mit elektronischen Bauelementen bestückt werden.

Die folgenden Beispiele erläutern die Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens. Wenn nichts anderes angegeben ist, sind Prozentzahlen und Men genverhältnisse in Gewichtseinheiten zu verstehen. Die Mengen sind zumeist in Gewichtsteilen (Gt) angegeben.

Beispiel 1

In einem zylindrischen Gefäß wurden in 123,9 Gt 3-Methoxy-butanol-1

112,5 Gt Pentaerythrit-triacrylat,
128,9 Gt Trimethylolpropan-triacrylat,
27,5 Gt 9-Phenylacridin,
12,4 Gt Neozapongrün,
1,2 Gt eines blauen Azofarbstoffs,
2,5 Gt Triethylendiamin

mit einem hochtourigen Schnellrührer in Lösung gebracht. Dann wurden im Verlauf von 30 Minuten 396,7 Gt eines silikatischen Pigments, das ein natürliches Agglomerat von korpuskularem Quarz und laminarem Kaolinit ist, in die gerührte Lösung eingestreut. Dieser Suspension wurden anschließend 694,2 Gt einer 53%igen Lösung eines Terpolymeren aus Styrol, Methacrylsäure und n-Hexyl methacrylat (32 : 15 : 3) zugesetzt und die Mischung gut homogenisiert.

Der viskose Lack wurde in einer Glaskugelmühle vermahlen und dann durch ein 160 µm V2A-Gewebe-Druckfilter filtriert und abgefüllt.

252 Gt eines epoxydierten Phenol-Formaldehyd-Harzes mit dem Epoxid-Äqui valentgewicht 172 bis 179 wurden in 148 Gt 3-Methoxybutanol mittels eines Ankerrührers gelöst. Nach 15 Minuten Rührzeit lag eine klare Lösung mit 63% Feststoffgehalt vor.

100 Gt der ersten Lösung wurden mit 22,3 Gt der Epoxidharzlösung intensiv gemischt. Der Feststoffgehalt der Mischung betrug 67,5%.

Eine 24 × 36 cm große Platte aus Epoxidharz-Glasgewebe mit einem beidseitig aufgebrachten Schaltbild aus 0,2 bis 1,5 mm breiten und 50 bis 90 µm dicken Kupferbahnen und durchkontaktierten Bohrungen wurde mit der vorstehend beschriebenen Lösung mittels einer halbautomatischen Siebdruckmaschine vollflächig beschichtet. Die so beschichtete Leiterplatte wurde 5 Minuten bei Raumtemperatur belassen und anschließend 7 Minuten in einem Umlufttrocken schrank bei 80°C getrocknet. Nach dem Abkühlen auf Raumtemperatur wurde die beschichtete Leiterplatte durch eine Filmvorlage bildmäßig belichtet.

Entwickelt wurde innerhalb 90 s in einer Durchlaufsprühanlage mit 1%iger wäßriger Sodalösung bei 30°C mit 1,2 bar Sprühdruck.

Nach Waschen mit Wasser wurde die entwickelte Platte in einem Warmluftdurch lauftrockner getrocknet und anschließend in einem Umlufttrockenofen 10 Minuten bei 150°C getempert. Die teilweise ausgehärtete Platine wurde wie folgt behan delt:

Sie wurde 3 Minuten bei Raumtemperatur in ein handelsübliches saures Reini gungsbad (pH < 1) getaucht, mit Wasser gespült, dann 2 Minuten bei Raum temperatur in ein handelsübliches Mikroätzbad (pH < 1) getaucht, wiederum gespült, in 3%iger Schwefelsäure bei Raumtemperatur 1 Minute dekapiert, nochmals gespült, 5 Minuten in PdCl₂-Lösung aktiviert, gespült, dann wieder 1 Minute in 3%iger Schwefelsäure bei Raumtemperatur dekapiert, danach 30 Minuten bei 65°C in einem handelsüblichen Nickelbad (pH 5,5) behandelt, nochmals gespült und getrocknet. Nach dieser Behandlung war eine 5 µm dicke Nickelschicht auf den freigelegten Kontaktstellen abgeschieden. Die Nickel abscheidung war exakt durch die Lötstoppmaske begrenzt, es waren keine Unterwanderungen an den Rändern zu erkennen. Wenn ein handelsübliches druckempfindliches Klebeband auf die Randzone der Lötstoppmaske aufgepreßt und dann ruckartig abgerissen wurde, blieb die Maske unbeschädigt auf der Leiterplatte haften. Anschließend wurde die Platte durch 1 Stunde Erwärmen auf 150°C vollständig ausgehärtet.

Es wurden insgesamt 10 Platten in den gleichen Bädern behandelt. Die Bäder zeigten danach keinerlei Verfärbung oder Verunreinigung.

Vergleichsbeispiel 1

Eine gedruckte Schaltung wurde, wie in Beispiel 1 beschrieben, durch Photo resisttechnik hergestellt. Sie wurde nach dem Entwickeln 1 Stunde auf 150°C erwärmt, wonach die Lötstoppmaske vollständig ausgehärtet war. Auf der Platte wurde dann in gleicher Weise wie in Beispiel 1 eine 5 µm dicke Nickelschicht abgeschieden. Unter den Rändern der Maske hatte sich in unregelmäßiger Breite Nickel abgeschieden. Mit dem in Beispiel 1 angegebenen Klebebandtest wurden Teile der Randzonen der Maske von der Unterlage entfernt.

Die Bäder waren nach einer Behandlung von 10 in gleicher Weise vorbehan delten Platten weder verfärbt noch verunreinigt.

Vergleichsbeispiel 2

Eine gedruckte Schaltung wurde, wie in Beispiel 1 beschrieben, hergestellt. Sie wurde jedoch nach dem Entwickeln und vor der Metallabscheidung keiner Wärmebehandlung unterworfen. Wie in Beispiel 1 wurde eine 5 µm dicke Nickel schicht abgeschieden. Die Platte wurde dann 1 Stunde bei 150°C ausgehärtet.

Es war keine Unterwanderung der Maske durch abgeschiedenes Nickel zu erkennen. Auch im Klebebandtest blieb die Maske unbeschädigt.

Nach der Behandlung von 10 Platten in den gleichen Bädern waren diese, insbesondere das Nickelbad, deutlich verfärbt und getrübt, was auf heraus gelöste Bestandteile der ungehärteten Lötstoppmaske zurückzuführen war.

Beispiel 2

Eine gedruckte Schaltung wurde hergestellt und zur Metallisierung vorbereitet, wie es im Beispiel 1 beschrieben ist. Die Vernickelung erfolgte in einem handels üblichen Nickelbad, das 7 g/l Ni und 32 g/l Hypophosphit enthielt und ein pH von 4,8 hatte. Nach 20 Minuten Tauchen in das 90°C warme Bad waren 5 µm Nickel abgeschieden. Nach Spülen wurde die Platte in ein handelsübliches Goldbad getaucht, das 4 g Au/l enthielt und ein pH von 4,0 hatte. Die Platte wurde 20 Minuten in das 85°C warme Goldbad getaucht, wonach eine Gold schicht von 0,1 µm abgeschieden war.

Die Platte wurde wie in Beispiel 1 vor dem stromlosen Vernickeln und Vergolden 10 Minuten auf 150°C erwärmt. Nach der Metallabscheidung waren keine Unterwanderungen der Lötstoppmaske zu erkennen. Diese blieb im Klebeband test unbeschädigt. Die Bäder zeigten auch nach der Verarbeitung von 10 Platten keine Verfärbung oder Verunreinigung.

Vergleichsbeispiel 3

Eine gedruckte Schaltung wurde wie in Beispiel 2 beschrieben hergestellt, vernickelt und vergoldet. Jedoch wurde die Platte - analog Vergleichsbeispiel 1 - vor der Metallisierung 1 Stunde auf 150°C erwärmt. Ähnlich wie im Vergleichs beispiel 1 hatten sich unterhalb der Kanten der Lötstoppmaske Nickel und Gold abgeschieden. Im Klebebandtest wurden Teile der Maske abgerissen. Die Bäder waren auch nach der Verarbeitung von 10 Platten nicht verfärbt oder verunrei nigt.

Vergleichsbeispiel 4

Wie in Beispiel 2 wurde eine gedruckte Schaltung hergestellt, vernickelt und vergoldet. In diesem Fall wurde aber - analog Vergleichsbeispiel 2 - vor der Metallisierung überhaupt keine Temperung der Platte vorgenommen. Wie in Beispiel 2 war keine Unterwanderung der Maske mit Metall erfolgt im Klebe bandtest haftete die Maske fest an der Schaltung. Nach der Verarbeitung von 10 Platten waren das Nickel- und das Goldbad deutlich verfärbt und getrübt.

Ähnliche Ergebnisse wurden erhalten, wenn strukturierte, mit Lötstoppmasken abgedeckte Leiterplatten statt mit Nickel stromlos mit Zinn beschichtet wurden.

Claims

1. Verfahren zum bildmäßigen Metallisieren von strukturierten Leiterplatten, bei dem die fertig strukturierte Leiterplatte mit einer Lötstoppmaske unter Aussparung der Lötkontaktstellen bedeckt die Lötstoppmaske thermisch gehärtet und an den freiliegenden Lötkontaktstellen Metall aus einem wäßrigen Bad abgeschieden wird, dadurch gekennzeichnet, daß man die Lötstoppmaske vor der Metallabscheidung unter solchen Bedingungen erwärmt, daß noch keine vollständige Härtung erfolgt und daß die Kup feroberfläche der Leiterplatte praktisch nicht oxidiert wird, und daß man die Maske nach der Metallabscheidung ausreichend lange auf eine aus reichend hohe Temperatur erwärmt, daß die Maske vollständig durch gehärtet wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man die Lötstoppmaske herstellt, indem man eine Schicht aus einem durch Belich ten und durch Erwärmen härtbaren Gemisch auf die strukturierte Ober fläche aufbringt, bildmäßig unter Aussparung der Lötkontaktstellen belich tet und die unbelichteten Schichtbereiche durch Auswaschen mit einem Entwickler entfernt.

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man das Metall stromlos aus dem wäßrigen Bad abscheidet.

4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Metall Zinn, Nickel und/oder Gold ist.

5. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das durch Belichten und Erwärmen härtbare Gemisch

a) eine Verbindung mit mindestens einer endständigen ethyle nisch ungesättigten Gruppe, die durch radikalisch initiierte Additionskettenpolymerisation ein vernetztes Polymerisat zu bilden vermag,
b) ein wasserunlösliches, in wäßrig-alkalischen Lösungen lösli ches polymeres Bindemittel,
c) einen durch Strahlung aktivierbaren Polymerisationsinitiator oder eine Polymerisationsinitiatorkombination,
d) eine Verbindung, die mit sich selbst, mit dem Bindemittel (b) oder mit dem Polymerisat der Verbindung (a) in der Wärme zu vernetzen vermag, und
e) ggf. einen durch Wärme aktivierbaren Vernetzungsinitiator für die Verbindung (d)

enthält.

6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Gemisch zusätzlich

f) ein feinteiliges mineralisches Pigment enthält.

7. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man die Lötstoppmaske vor der Metallabscheidung bis zu 15 Minuten auf eine Temperatur im Bereich von 100 bis 150°C erwärmt.

8. Verfahren nach Anspruch 1 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß man die Lötstoppmaske vor der Metallabscheidung unter Sauerstoffausschluß erwärmt.

9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß man die Lötstoppmaske vor der Metallabscheidung unter einer Schutzgas atmosphäre erwärmt.

10. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man die Lötstoppmaske nach der Metallabscheidung 15 bis 90 Minuten auf eine Temperatur im Bereich von 120 bis 180°C erwärmt.