DE4332843A1 - Mikromechanische Vorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft eine mikromechanische Vorrichtung und ein Verfahren zu ihrer Herstellung.

Mikromechanische Vorrichtungen wie Sensoren oder Aktuatoren finden zunehmend Eingang in alle Bereiche der Technik, z. B. in Navigationssysteme und Kraftfahrzeuge, insbesondere in Verbindung mit Sicherheitssystemen. Einen großen Teil der­ artiger Vorrichtungen bilden Druck- und Beschleunigungssen­ soren. Gefragt sind zuverlässige, kleine, einfach herzustel­ lende und dabei preiswerte Sensoren mit einer hohen Meßge­ nauigkeit und einer guten Proportionalität zwischen Meßgröße und Ausgangssignal. Dies gilt entsprechend für Aktuatoren, so daß nachfolgend der Einfachheit halber lediglich auf Sensoren eingegangen wird.

Die meisten heute verwendeten Druck- oder Beschleunigungs­ sensoren werden feinmechanisch oder mittels KOH-Ätztechnik auf Siliziumbasis (bulk-micromachining) hergestellt. Die Auswertung des bislang meist mittels des Piezoeffekts er­ zeugten Sensorsignals erfolgt getrennt vom Sensor. Der Trend geht jedoch zum intelligenten Sensor, bei dem der Sensor so­ wie die Schaltung zur Auswertung des Sensorsignals und gege­ benenfalls eine Testschaltung auf Basis der Siliziumplanar­ technologie auf einem Chip integriert sind. Die Auswertung des piezoresistiven oder kapazitiven Sensorsignals sowie die Linearisierung und Verstärkung erfolgen mit Halbleiter­ schaltkreisen bekannter Technologien. Ein derartiger Sensor ist beispielsweise aus der Veröffentlichung F. Goodenough: Airbags Boom When IC Accelerometer Sees 50 G, Electronic De­ sign, August 8, 1991, pp. 45-56 bekannt.

Während konventionell hergestellte mikromechanische Sensoren relativ groß, teuer und ungenau sind, beschreibt die vorste­ hend genannte Veröffentlichung eine verbesserte Ausführungs­ form. Dieser bekannte sogenannte oberflächen-mikromechani­ sche Sensor (surface micromachining) benötigt, wie insbeson­ dere aus der diesbezüglichen weiteren Veröffentlichung: Ana­ log Devices Combines Micromachining and BICMOS, Semicon­ ductor International, Okt. 1991 hervorgeht, zu seiner Her­ stellung 21 Masken, nämlich 6 Masken für den Sensorprozeß und 15 Masken für einen 4 µm-BICMOS-Prozeß. Das zur Ausbil­ dung des kapazitiven Sensors kammförmige Sensorelement be­ steht aus einem 2 µm-dicken Polysiliziumelement und ist über Federn, die ebenfalls aus Polysilizium sind, mit der Substratoberfläche verbunden.

Eine weitere kapazitive Struktur ist aus der US-A-5 025 346 bekannt.

Das Herstellverfahren für die bekannten Sensoren bzw. Aktua­ toren ist außerordentlich aufwendig und teuer. Darüberhinaus ist unsicher, ob die für die mechanisch bewegten Teile eines Sensors verwendeten Polysiliziumschichten eine ausreichende mechanische Langzeitstabilität aufweisen. Neben dieser möglichen zeitlichen Degradation sind die mechanischen Eigenschaften wie der Elastizitätsmodul oder intrinsischer Streß von Polysilizium sensibel von den jeweiligen Prozeßbedingungen während der Herstellung abhängig. Die thermische Ausheilung des intrinsischen Stresses erfordert im Herstellungsprozeß zusätzliche Temperschritte, was sich nachteilig auf die gleichzeitig in dem Sensor integrierte elektronische Schaltung auswirkt. Zudem sind im Herstel­ lungsprozeß zusätzliche Abscheidungen von Halbleiterschich­ ten notwendig. Bei einem denkbaren Einsatz von modernen Sub­ µm-BICMOS-Schaltungen für die Auswerteschaltung des Sensors ist es aufgrund der dabei verwendeten niedrigen Prozeßtempe­ raturen nicht mehr möglich, streßfreie Polysiliziumschichten herzustellen.

Ein Problem betrifft die Verarbeitung von mikromechanischen, gegebenenfalls integrierten mikromechanischen Vorrichtungen, die auf einem Halbleiterwafer hergestellt sind. Zum Verein­ zeln der Chips wird der Wafer dünngeschliffen und anschlie­ ßend werden die einzelnen Chips gesägt. Dabei muß das fili­ grane Gebilde der mikromechanischen Vorrichtung auf deren Vorderseite mit einer Folie abgedeckt werden. Für die Verar­ beitung ist ein Reinraum erforderlich, damit nicht Partikel in die mikromechanische Vorrichtung gelangen können, die deren Brauchbarkeit beeinträchtigen oder die Vorrichtung unbrauchbar lassen werden könnten. Diese Verarbeitungsweise ist teuer und auch bei großen Stückzahlen wenig praktikabel.

Eine als Chip vereinzelte mikromechanische Vorrichtung muß zum Schutz gegen äußere Einflüsse in ein Gehäuse eingebracht werden. Für bekannte Vorrichtungen scheidet ein Plastikge­ häuse aus, da bei der Plastikummantelung des Chips Verpreß­ drücke bis zu 80 bar auftreten können, die zur Zerstörung der mikromechanischen Vorrichtung führen würden. Üblicher­ weise wird deshalb ein mikromechanischer Chip in ein Hohl­ raumgehäuse eingebaut, das allerdings etwa um den Faktor 10 teurer als ein Plastikgehäuse ist.

Aus den Veröffentlichungen K. Ikeda et. al.: Silicon pressure sensor with resonant strain gauge built into diaphragm, Proc. of the 7th Sensor Symp., Tokyo, Japan, 1988, pp. 55-58 und K. Ikeda et. al.: Three-dimensional micromachining of silicon pressure sensor integrating resonant strain gauge on diaphragm, Sensors and Actuators, A21-A23, 1990, pp. 1007-1010 sind mikromechanische Drucksen­ soren mit einem Polysilizium-Diaphragma bekannt, auf dem ein auf mechanische Spannungen reagierender Resonator angeordnet ist. Bei einer Verbiegung des Diaphragmas ändert sich die Resonanzfrequenz des Resonators auf Grund der mechanischen Spannungen. Damit der von außen ausgeübte Druck nicht direkt auf den Resonator wirken und auf diese Weise zu Meßsignal­ verfälschungen führen kann, ist der Resonator auf dem Dia­ phragma mit einer Kappe abgedeckt. Auch ein derartiger Sen­ sor muß zum Schutz gegen Umwelteinflüsse in ein Hohlraumge­ häuse eingebaut werden.

Die Erfindung hat die Aufgabe, eine einfacher und kostengün­ stiger herzustellende mikromechanische Vorrichtung und ein Verfahren zu deren Herstellung anzugeben.

Gemäß eines Aspekts der Erfindung sind bei einem Verfahren zur Herstellung einer mikromechanischen Vorrichtung folgende Schritte vorgesehen:

• - ein Körper, bei dem auf einem Träger eine erste Isolier­ schicht und darüber eine Siliziumschicht angeordnet ist, wird gebildet,
• - die Siliziumschicht wird strukturiert, wobei Öffnungen bis auf die erste Isolierschicht gebildet werden,
• - eine Isolierschichtzone und eine flächige weitere Schicht werden aufgetragen,
• - die weitere Schicht wird strukturiert, wobei Öffnungen bis auf die Isolierschichtzone gebildet werden,
• - die Isolierschichtzone und die darunter liegenden Bereiche der ersten Isolierschicht werden selektiv geätzt,
• - über der weiteren Schicht wird flächig eine zweite Iso­ lierschicht als Abdeckung aufgetragen.

Gemäß eines weiteren Aspekts der Erfindung ist eine mikrome­ chanische Vorrichtung vorgesehen, die auf einem Träger einen mikromechanischen Bereich enthält, wobei auf dem Träger eine flächige Abdeckung des mikromechanischen Bereichs angeordnet ist.

Die Erfindung hat den Vorteil, daß die auf einem Chip reali­ sierte mikromechanische Vorrichtung bereits auf dem Chip eine Abdeckung hat, die in der Prozeßlinie in Verbindung mit der Herstellung der mikromechanischen Vorrichtung herge­ stellt wird. Bei der Verarbeitung des Wafers mit den mikro­ mechanischen Vorrichtungen, d. h. u. a. beim Herstellen von Anschlußverbindungen, beim Läppen und beim Vereinzeln der Chips ist deshalb keine Reinraumatmosphäre mehr erforder­ lich. Darüber hinaus braucht der Chip nicht mehr in einem Hohlraumgehäuse montiert zu werden, sondern kann mit einem preisgünstigen Plastikgehäuse ummantelt werden. Es ergibt sich eine wesentlich erhöhte Zuverlässigkeit der mikromecha­ nischen Vorrichtung, da die Vorrichtung unmittelbar nach der Herstellung noch auf dem Wafer mit einer Abdeckung versehen ist und somit für die nachfolgenden Verfahrensschritte aus­ reichend geschützt ist.

Die Erfindung hat den weiteren Vorteil, daß sie sich sowohl für bekannte mikromechanische Vorrichtungen, die in polykri­ stallinem Silizium verwirklicht sind, als auch für Vorrich­ tungen eignet, in denen der aktive Bereich in einkristalli­ nem Silizium realisiert ist. Einkristallines Silizium be­ sitzt genau bekannte mechanische Eigenschaften, die nicht von den jeweiligen Parametern des Herstellungsprozesses abhängen. Zudem sind die mechanischen Eigenschaften keiner zeitlichen Degradation unterworfen, so daß die Langzeitsta­ bilität sehr groß ist.

Die Erfindung hat den weiteren Vorteil, daß sie unter Ver­ wendung bekannter und verfügbarer Grabenätz- und Auffüllver­ fahren in vollem Umfang VLSI-kompatibel ist. Weiterhin ist die erfindungsgemäße Vorrichtung mechanisch robust, da sich die beweglichen Teile in der Siliziumschicht befinden und nicht auf der Chipoberfläche.

Wenn die Elektroden des Sensors senkrecht zur Chipoberfläche stehen ergibt sich eine hohe spezifische Kapazität (Packungsdichte) des Sensors. Gleichzeitig wird das Stick­ ing-Problem, d. h. eine Adhäsion von Flächen beim oder nach einem Spülvorgang entschärft, da die Steifigkeit der Sensor­ vorrichtung senkrecht zur Schwingungsrichtung sehr groß ist.

Schließlich bietet die erfindungsgemäße Vorrichtung bei einer Integration der Auswerteschaltung den erheblichen Vorteil, daß bei der Verwendung eines bipolaren oder eines BICMOS-Prozesses die Maskenzahl zur Herstellung der Vor­ richtung gegenüber einem Standardprozeß in diesen Technolo­ gien nicht oder nur unwesentlich erhöht wird.

Ausgestaltungen der Erfindung sind in Unteransprüchen ge­ kennzeichnet.

Die Erfindung wird nachfolgend anhand zweier Ausführungsbei­ spiele in den Figuren der Zeichnung näher erläutert, in denen gleiche Elemente gleiche Bezugszeichen haben. Es zei­ gen:

Fig. 1 bis 5 Querschnitte durch eine erste erfindungsgemäße Vorrichtung bei verschiedenen Herstellungsverfahrensschritten,

Fig. 6 einen Querschnitt durch einen Teilbereich einer kapazitiven Vorrichtung,

Fig. 7 einen Schnitt durch eine kapazitive Vorrichtung gemäß Fig. 6 in einem größeren Ausschnitt,

Fig. 8 einen Querschnitt durch eine zweite erfindungsgemäße Vorrichtung und

Fig. 9 einen anders liegenden Querschnitt durch die Vorrichtung von Fig. 8.

Fig. 1 zeigt an einem ersten Ausführungsbeispiel einen bei der Herstellung der mikromechanischen Vorrichtung gebildeten Grundkörper. Auf einem Träger oder Substrat 1 ist eine erste Isolierschicht 2 und auf dieser Isolierschicht eine einkristalline Siliziumschicht 3 angeordnet. Das Substrat kann ebenfalls aus Silizium bestehen. Typischerweise wird die Dicke der ersten Isolierschicht 2 zwischen 0,5 und 1 µm gewählt, während die Schichtdicke der Siliziumschicht 3 z. B. zwischen 5 und 20 µm betragen kann. Die Kristallorientie­ rung und Dotierung des Substrats ist beliebig. Die Orientie­ rung und Dotierung der Siliziumschicht 3 entspricht der bei der Herstellung der mikromechanischen Vorrichtung und einer integrierten Halbleiterschaltungsanordnung verwendeten Ba­ sistechnologie.

Gemäß Fig. 1 ist die der Isolierschicht 2 bzw. die der unteren Grenzfläche der Siliziumschicht zugewandte Seite der Siliziumschicht 3 n⁺-dotiert, während die von der Iso­ lierschicht 2 abgewandte Oberflächenzone der Siliziumschicht n⁻-dotiert ist. Die Dotierung der Siliziumschicht 3 ist für das eigentliche Sensorelement nicht notwendig, sondern richtet sich ausschließlich nach der Technologie, die für die zu integrierende Schaltungsanordnung verwendet werden soll.

Der Grundkörper gemäß Fig. 1 kann z. B. eine DWB-Scheibe sein, wobei DWB Direct-Wafer-Bonding bedeutet. Derartige Scheiben sind aus zwei Halbleiterscheiben zusammengeklebt und lassen sich mit hoher Qualität mit den in Fig. 1 ge­ zeigten Schichtdicken und Dotierungen am Markt erwerben. Ei­ ne weitere Möglichkeit zur Herstellung des in Fig. 1 ge­ zeigten Grundkörpers ist die Verwendung des sogenannten SI- MOX-Verfahrens (I. Ruge, H. Mader: Halbleiter-Technologie, Springer-Verlag, 3. Auflage, 1991, Seite 237). Dabei wird eine Isolierschicht aus Siliziumoxid durch tiefe Ionenim­ plantation von Sauerstoffatomen in einkristallines Silizium gebildet. Daran kann sich ein Epitaxieschritt anschließen. Eine dritte Möglichkeit zur Herstellung des Grundkörpers gemäß Fig. 1 macht von der Rekristallisation Gebrauch, bei der eine über einer einkristallinen Siliziumschicht und einer darauf angeordneten Siliziumoxidschicht zunächst amorph oder polykristallin abgeschiedene Siliziumschicht durch Aufschmelzen mit einem Laserstrahl rekristallisiert wird.

In einem nächsten Schritt werden in die einkristalline Sili­ ziumschicht 3 Gräben bis auf die Oberfläche der Isolier­ schicht 2 geätzt, beispielsweise durch eine anisotrope Trockenätzung. Anschließend werden die Gräben mit einem do­ tierenden Isolierstoff aufgefüllt. Im Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 2 kann Phosphorglas (PSG) oder Borphosphorglas (BPSG) verwendet werden. Die Erzeugung derartiger Glas­ schichten ist beispielsweise aus D. Widmann, H. Mader, H. Friedrich: Technologie hochintegrierter Schaltungen, Sprin­ ger-Verlag, 1988, Seite 80 ff. bekannt. Bei einer entspre­ chenden Temperaturbehandlung diffundieren Phosphor und gege­ benenfalls Bor aus dem Phosphorglas in das Silizium der Gra­ benwände der Siliziumschicht 3 ein. Damit ergibt sich die in Fig. 2 gezeigte Struktur, bei der die Isolierschicht 2 und die dotierende Isolierschicht 4 am Fuß der zuvor geätzten Gräben aufeinanderstoßen. Die Grabenwände sind entsprechend der an der Isolierschicht 2 angrenzenden Zone der Silizium­ schicht 3 dotiert, d. h. im Ausführungsbeispiel n⁺-dotiert.

Durch das Ätzen von Gräben in der Siliziumschicht und das Dotieren der Grabenwände werden sowohl der Bereich SB, in dem der eigentliche Sensor vorgesehen ist, als auch der Be­ reich TB, in dem die elektronische Auswerteschaltung, zumin­ dest aber eine Transistoranordnung für die Verarbeitung des Sensorsignals vorgesehen ist, strukturiert und gegeneinander isoliert. Der Bereich TB beinhaltet eine oder mehrere iso­ lierte Wannen, in die je nach Vorgabe CMOS-, Bipolar- oder sonstige Bauelemente eingebaut werden. Wenn die im Bereich TB zu realisierende Transistoranordnung z. B. ein bipolarer Transistor ist, ist mit der in Fig. 2 gezeigten Struktur des Bereichs TB bereits eine vergrabene Kollektorzone und ein niederohmiger Kollektor-Anschluß in Form der dotierten Grabenwände erzeugt. Gegenüber Anordnungen aus dem Stand der Technik erfordert die Erzeugung der in Fig. 2 gezeigten Struktur keine separaten Masken- und Dotierungsprozesse für die vergrabene Zone, für einen Kanalstopper und für einen Kollektor. Ein Epitaxieprozeß kann ebenfalls entfallen.

Ausgehend von der Struktur der Fig. 2 werden anschließend in den Bereichen TB und SB Isolationszonen, insbesondere Feldoxidbereiche durch lokale Oxidation und eine Transi­ storanordnung in dem Bereich TB erzeugt. Diese Transistoran­ ordnung kann mit einem standardmäßigen bipolaren oder BICMOS-Prozeß hergestellt werden. Beispiel für derartige Prozesse sind z. B. aus der vorgenannten Veröffentlichung Widmann/Mader/Friedrich: Technologie hochintegrierter Schal­ tungen bekannt. Bei einer bipolaren Transistorstruktur kann z. B., ausgehend von Fig. 2, zunächst die Basiszone, bei einem BICMOS-Prozeß zunächst die p-bzw. n-Wanne erzeugt werden.

Selbstverständlich ist es möglich, ausgehend von der Struk­ tur der Fig. 2 auch eine MOS-Transistoranordnung in dem Grundkörper zu realisieren. Auch in diesem Fall beginnt der standardmäßige Prozeß mit der Erzeugung einer p- bzw. n- Wanne in dem für die Transistorstrukturen vorgesehenen Be­ reich TB.

Die Herstellung der Feldoxidbereiche durch lokale Oxidation erfolgt mit den für den Transistorprozeß vorgesehenen Pro­ zeßschritten gleichzeitig auch im Sensorbereich SB. Die Bereiche des Sensors, in denen die beweglichen Elemente bzw. Elektroden der Vorrichtung vorgesehen sind, erhalten ein Feldoxid IS, während die dazwischen angeordneten Bereiche von der lokalen Oxidation (LOCOS) ausgenommen werden. Gege­ benenfalls werden vor dem LOCOS-Prozeß die Grabenfüllungen teilweise wieder entfernt, so daß nach dem Oxidationsprozeß der zwischen zwei Feldoxidbereichen liegende Oberflächenbe­ reich, in dem keine beweglichen Elemente der Vorrichtung vorgesehen sind, niedriger liegt als die Oberfläche des Feldoxids über dem beweglichen Element, aber höher als die auf diesem Element untere Grenzfläche des Feldoxids, Fig. 3, Bereich SB.

Während der Erzeugung der Transistoranordnung wird der Be­ reich SB, der für das Sensorelement vorgesehen ist, soweit erforderlich durch eine entsprechende Maske abgedeckt. Gemäß Fig. 3 ergibt sich z. B. ein bipolarer Transistor, dessen Kollektor C niederohmig über die vergrabene Zone BL und die hochdotierten niederohmigen Grabenwände CA mit dem Kollek­ toranschluß K verbunden sind. Die p-dotierte Basis ist mit dem Basisanschluß B verbunden. Entsprechend ist der Emit­ teranschluß E über der hochdotierten n⁺⁺-Zone angeordnet. Basis-, Emitter- und Kollektorbereiche des Transistors sind über Isolationszonen I1 bis I3, vorzugsweise aus Silizi­ umoxid SiO₂, gegeneinander isoliert. Anschließend wird über der gesamten Anordnung, d. h. den Bereichen TB und SB, eine Passivierungsschicht P aufgebracht. Beispielsweise kann die Passivierungsschicht aus Siliziumnitrid Si₃N₄ bestehen.

Im Anschluß an die Erzeugung der Transistoranordnung und der Passivierungsschicht P wird die Passivierungsschicht P in den Bereichen über dem Sensorbereich SB, in denen Feldoxid gebildet ist, mit Hilfe einer Lackmaske entfernt. Es entste­ hen Fenster F, Fig. 4, mit einem Durchmesser von etwa 0,7 bis 1,5 µm. Danach werden selektiv das Feldoxid IS, der dotierende Isolierstoff 4 in den darunter liegenden Gräben des Sensorbereichs und die Isolierschicht 2 zumindest in Teilzonen des Sensorbereichs SB entfernt. Dies kann z. B. durch einen naßchemischen oder einen Trocken-Ätzprozeß ohne Lackabdeckung erfolgen. Die Isolierschicht 2 wird dabei unter den beweglichen Elektroden BE1, BE2 des Sensorelements vollständig und unter den nicht beweglichen Elektroden FE1 bis FE3 des Sensorelements nicht vollständig entfernt, so daß letztere weiterhin mechanisch mit dem Substrat 1 über Isolierstege 2a verbunden sind.

Um ein möglicherweise bei der Entfernung der Isolierschicht 2 unter dem Bereich der beweglichen Elektroden BEi auftre­ tendes Adhäsionsproblem (Sticking) zu lösen, können subli­ mierende Chemikalien, z. B. Cyclohexan oder Dichlorbenzol verwendet werden.

Es schließt sich die Abscheidung einer Abdeckschicht, z. B. aus Nitrid bzw. Plasmanitrid, PSG, BPSG oder Polysilizium an, z. B. mit konformer Abbildung, wobei eine schlechte Kantenbe­ deckung erwünscht ist, um die Fenster F zu schließen. Ge­ ringe Abscheidungen auf den Elektroden BE1, BE2, FE1 bis FE3 sowie der Substratoberfläche sind zulässig und erwünscht, weil es als Antistickingmaßnahme (Anti-Kaltverschweiß-Maß­ nahme) dient.

Fig. 5 zeigt im Querschnitt eine Anordnung nach dem Entfer­ nen des Isolierstoffs 4 und der Isolierschicht 2 neben und unter den beweglichen Elektroden BE1, BE2 des Sensorbereichs SB, während unter den festen Elektroden FE1, FE2 und FE3 die Isolierschicht 2a noch teilweise vorhanden ist. Über der An­ ordnung gemäß Fig. 5 ist eine Abdeckung D aus (Plasma)Nitrid, PSG, BPSG oder Polysilizium vorhanden, die die mikromechanische Vorrichtung und die integrierte Transi­ storanordnung vollständig gegen äußere Einflüsse schützen kann.

Der in Fig. 5 gezeigte Querschnitt B-B stellt eine Sensor­ struktur dar, die Fig. 6 im Querschnitt A-A zeigt. In Fig. 7 ist schematisch ein größerer Ausschnitt aus dem Sensorbe­ reich skizziert. Es handelt sich um einen Beschleunigungs­ sensor, der ein bewegliches Masseteil M hat, das über Feder­ elemente F1, F2 und weitere nicht dargestellte Federelemente an der Siliziumschicht 3 aufgehängt ist. Das Masseteil M hat fingerförmige bewegliche Elektroden BE1, BE2 bzw. BE10, BE11 und BE1i, die frei in Bereiche zwischen festen Elektroden FE1 bis FE3 bzw. FE10 bis FE13 sowie FE1i, hineinragen. Zwischen den beweglichen Elektroden BEi bzw. BEÿ und den festen Elektroden FEi bzw. FEÿ sind, da die Grabenwände der Elektroden hochdotiert sind, Kapazitäten gebildet, die in den Fig. 5 bis 7 rein symbolisch dargestellt sind. Um bei der Herstellung des Sensorteils die Isolierschicht unter dem Masseteil zuverlässig entfernen zu können, enthält das Masseteil M Löcher L. Die Lochöffnungen betragen etwa 0,7 bis 1,5 µm (kreisförmig bzw. elliptisch), der Lochmit­ tenabstand etwa 5 bis 8 µm. Grundsätzlich sind die Löcher jedoch nicht zwingend erforderlich. In Fig. 7 ist der Bereich der Sondermaske, die für die Erzeugung der Sensor­ strukturen verwendet wird, skizziert. Innerhalb des durch die Sondermaske SM definierten Bereichs erfolgt das Entfer­ nen des dotierenden Isolierstoffs aus den Gräben und der Isolierschicht neben und unterhalb der beweglichen Elektro­ den, des Masseteils und der Federn vollständig.

Fig. 7b) zeigt das mit der Sensorstruktur von Fig. 5 bzw. Fig. 6 erhaltene Ersatzschaltbild. Die beweglichen Elektro­ den BEi, d. h. BE10 bis BE1i sind über das Masseteil M und die Feder Fi mit einem Anschluß BEA verbindbar. Die festen Elektroden sind paarweise mit Anschlüssen AE und CE verbun­ den, die den festen Platten eines Kondensators entsprechen. Die beweglichen Elektroden bilden eine bewegliche Platte des Kondensators, so daß Fig. 7b) einen Differentialkondensator darstellt.

In den Spalten S zwischen den beweglichen und festen Elek­ troden wird der Isolierstoff vollständig entfernt, Fig. 6. Aus den Zwischenräumen ZR zwischen zwei festen Elektroden, Fig. 7, kann der dotierende Isolierstoff entfernt werden. Es ist jedoch auch möglich, daß die Zwischenräume ZR der fe­ sten Elektroden und die darunterliegende Isolierschicht, die den jeweiligen festen Elektroden zugewandt ist, erhalten bleiben. Voraussetzung ist eine andere Maske, mit der sich nur die Isolierschicht und der dotierende Isolierstoff unterhalb und zwischen den beweglichen Elektroden entfernen lassen.

Die festen Elektroden können alternativ zu der Struktur von Fig. 6 bzw. Fig. 7 in ähnlicher Weise wie in der zuvor zi­ tierten Veröffentlichung Electronic Design mit dem Substrat 1 bzw. der Isolierschicht 2 mechanisch verbunden sein. Die Befestigung über einen Anker hat freitragende Elektroden zur Konsequenz, was bedeutet, daß die festen Elektroden hin­ sichtlich auf sie wirkender Beschleunigungskräfte ausrei­ chend biegesteif sein müssen, damit zusätzliche Meßfehler nicht negativ auf die Meßgenauigkeit wirken.

Die in den Fig. 6 und 7 dargestellte Sensoranordnung reagiert sensibel auf Bewegungen des Masseteils M in der angedeuteten Pfeilrichtung. Die zulässige Auslenkung der fingerförmigen kapazitiven beweglichen Elektroden beträgt weniger als der Spaltabstand zu einer festen Elektrode, d. h. weniger als etwa 1 bis 1,5 µm. Vorzugsweise ist deshalb die Auswerteschaltung der Sensorvorrichtung als Regelkreis derart ausgestaltet, daß eine Regelspannung einer Auslenkung des Masseteils in dem Sinne entgegenwirkt, daß die durch den Differentialkondensator gebildeten Teilkapazitäten jeweils gleich sind. Dieses Verfahren hat den Vorteil, daß es ein Nullpunktverfahren ist und deshalb in der Regel genauer ist als ein absolutes Verfahren zur Bestimmung der Kapazitäts­ änderungen.

Eine zweidimensionale Beschleunigungsmessung ist möglich, wenn zwei Sensoranordnungen gemäß Fig. 6 bzw. Fig. 7 ver­ wendet werden, die zueinander um 90° versetzt sind. Die Schwingungsrichtung der jeweiligen Masseteile liegt dabei in der Schwingungsrichtung der Chipebene in zwei zueinander senkrechten Richtungen. Die beschriebene Technik läßt sich in ähnlicher Weise auf die Herstellung von Differenzdruck­ sensoren anwenden.

Bei größeren abzudeckenden Bereichen der Vorrichtung, für die keine freitragende Abdeckung D möglich ist, sind Stützen vorgesehen, die von den beweglichen Elektroden vollständig getrennt sind. (Zur Ausführung wird auf das zweite Ausfüh­ rungsbeispiel verwiesen.)

Die Erfindung nach dem ersten Ausführungsbeispiel hat zu­ sätzlich zu den sich mit der Abdeckung D ergebenden Vortei­ len folgende weitere Vorteile:

Das Sensormasseteil, die Elektroden und der Biegebalken, d. h. die Aufhängefedern des Sensors bestehen aus Monosilizium, so daß für die beweglichen Teile die von Polysilizium her bekannten Verbiegungen und Spannungen entfallen.

Masseteil des Sensors und die Federkonstante des Biegebal­ kens sowie bei einem kapazitiven Sensor die Sensorkapazität sind unabhängig voneinander einstellbar, so daß sich gut Sensorarrays realisieren lassen. Die Sensoranordnung erlaubt eine hohe Packungsdichte des Sensors, da die Elektroden senkrecht zur Chipoberfläche stehen, so daß sich eine große kapazitive Fläche erzielen läßt. Die Steifigkeit der Elek­ troden senkrecht zur Schwingungsrichtung ist sehr groß, da das Widerstandsmoment proportional zur 3. Potenz der Elek­ trodendicke ist. Aus diesem Grund tritt gegebenenfalls kein Adhäsions- bzw. Stickingproblem auf, so daß gegenwirkende Chemikalien nicht erforderlich sind.

Da sich die beweglichen Teile des Sensors im Silizium bzw. in der Siliziumschicht befinden und nicht auf der Chipober­ fläche ist der Sensor mechanisch außerordentlich robust. Durch die Anordnung der Elektroden und des Masseteils in der Chipebene ist außerdem automatisch eine Überlastsicherung in der Chipebene gegeben.

Bei Verwendung eines bipolaren oder eines BICMOS-Standard­ prozesses als Basistechnologie für die Auswerteschaltung des intelligenten Sensors wird die Maskenzahl nicht erhöht. Da­ durch lassen sich erhebliche Kosten sparen und der Herstel­ lungsprozeß insgesamt vereinfachen.

Grundsätzlich ist das erfindungsgemäße Verfahren bzw. die Sensorvorrichtung kombinierbar mit allen bekannten Technolo­ gien. Insbesondere ist die Sensorvorrichtung VLSI-kompati­ bel, so daß Strukturbreiten unter 1 µm erzielt werden können. Verwendung bei der Herstellung können deshalb die aus der Halbleitertechnologie bekannten Grabenätz- und Auffüllver­ fahren sowie die üblichen Halbleiterverfahren finden.

Die Fig. 8 und 9 zeigen ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung. Es handelt sich um einen Beschleunigungssen­ sor mit einem Masseteil MT, das über Federelemente F20 bzw. F21 in einem Halbleiterkörper aufgehängt ist. Das Masseteil MT kann ähnlich wie bei der in Fig. 7 gezeigten Anordnung als bewegliche Elektrode eines Differentialkondensators aufgefaßt werden. Das Masseteil ist gemäß Fig. 8 mit einem Anschluß BEA verbunden, während die beiden festen Elektroden 10 und 14 mit entsprechenden Anschlüssen FEA 1 bzw. FEA 2 verbunden sind. Die feste Elektrode 10 besteht aus einem Halbleitersubstrat, in dem eine n⁺-leitende Wanne 10a ein­ gebettet ist.

Bei den vergleichsweise großen Abmessungen des Sensors sind im Bereich des Masseteils MT Stützen ST für den Deckel D vorgesehen. Die Fig. 8 und 9 zeigen entsprechende Schnit­ te durch die markierten Ebenen. Die Stützen ST sind durch einen Luftspalt LS vollständig von dem beweglichen Masseteil MT getrennt. In dem Masseteil sind Löcher L vorgesehen, die beim Herstellungsprozeß zum Freiätzen des Sensorteils die­ nen.

Die Struktur gemäß Fig. 8 wird folgendermaßen hergestellt:
Auf einem Substrat 10 mit der hochdotierten Zone 10a wird zunächst ganzflächig eine erste Isolierschicht 11, bei­ spielsweise durch lokale Oxidation (LOCOS) erzeugt. Danach wird eine Polysiliziumschicht aufgetragen, aus der durch Strukturieren die Bereiche 12 und das Masseteil MT entste­ hen. Bei der Strukturierung werden die Löcher L bzw. die Ringaussparungen LS geätzt. Anschließend wird ganzflächig ein Hilfsoxid oder ein Phosphorglas (PSG oder PBSG) als Isolierschichtzone aufgetragen. Anschließend wird wiederum ganz flächig eine Polysiliziumschicht abgeschieden, die so als Schicht 14 strukturiert wird, daß vorzugsweise über den Löchern L des Masseteils gleichgeartete Löcher Lp entstehen. Die Löcher L, LS bzw. Lp in den Schichten 12, MT und 14 müssen durch die jeweils zugeordneten Polysiliziumschichten durchgehen. Anschließend werden durch die Löcher in der Schicht 14 die Isolierschichtzone 13 und durch die Löcher L und LS in den Bereichen 12 und MT die Oxidationsschicht 11 selektiv geätzt. Dadurch wird das Masseteil MT freigelegt, so daß es nur noch an den Federelementen F 20 und F 21 auf­ gehängt ist. In den Stützenbereichen ST bleibt über dem Substrat 10 eine Stütze bestehen, die gemäß Fig. 8 aus der Schichtenfolge Oxidschicht 11, Polysiliziumzone 12 und Iso­ lierschichtzone 13 besteht. Diese Stütze ist eine durchge­ hende mechanische Verbindung zwischen dem Substrat 10 und der Polysiliziumschicht 14. Eine ähnliche Stützenkonstruk­ tion ist beim ersten Ausführungsbeispiel möglich.

Nachfolgend wird über der Polysiliziumschicht 14 eine Ab­ deckschicht als Abdeckung D, z. B. eine Isolierschicht aufge­ tragen. Diese Abdeckschichtschicht kann aus Nitrid, d. h. Plasmanitrid oder Passivierungsnitrid, aus Phophorglas (PSG oder BPSG) bestehen oder eine TEOS-Schicht sein. Die Ab­ scheidung erfolgt beispielsweise durch konforme Abbildung. Entscheidend ist, daß die Löcher in der Schicht 14 durch diese Schicht verschlossen werden. Eventuelle Abscheidungen AS, die bei diesem Prozeßschritt auf dem Substrat 10 oder auf der beweglichen Elektrode MT entstehen, sind nicht nach­ teilig, sondern erwünscht, da dadurch die Elektroden des Sensors allerhöchstens punktuell aufliegen können und so ein Sticking-Problem ohne weitere chemische Prozeßschritte weit­ gehend vermieden wird.

Die auf diese Weise erzeugte Abdeckung D kann weiter ver­ stärkt werden, indem zusätzliche Schichten, beispielsweise eine Mehrlagenmetallisierung aufgetragen bzw. abgeschieden wird. Üblicherweise wird als obere abdeckende Schicht eine Passivierungsschicht aufgetragen. Die Dicke der über Polysi­ liziumschicht 14 abgeschiedenen Deckelschicht sollte etwa 3 bis 4 mm betragen.

Die in Fig. 8 gezeigten Abmessungen ergeben sich aus den lateralen Ätzweiten bei der selektiven Freiätzung des Masse­ teils MT unter der Berücksichtigung, daß Stützen ST stehen­ bleiben müssen. So ist bei einer Lochöffnung d des Lochs L von etwa 0,7 bis 1,5 mm und einer lateralen Ätzweite a ent­ sprechend ungefähr b/2 von 3 bis 4 mm ein Lochmittenabstand von 5 bis 8 mm vorgesehen. Die Breite c des Stützenfußes sollte etwa 3 bis 4 mm betragen, der Stützenabstand etwa 10 bis 25 µm. Bei der Herstellung des Deckels D kann in übli­ cher Weise durch eine Temperaturbehandlung eine Verdichtung des Materials erfolgen.

Die Erfindung hat den Vorteil, daß in allen drei Dimensionen eine mechanische Überlastsicherung vorhanden ist. Grundsätz­ lich eignet sich die Erfindung zum Eingraben in einem Substrat mittels CVD-Oxid, Plasma-Nitrid, selektiver Epita­ xie oder anderen Verfahren. Damit ist eine billige Plastik­ montage und eine Standardbehandlung vereinzelter Chips bei der Gehäuseherstellung möglich. Insbesondere bei einem hohen Integrationsgrad, d. h. bei einem Sensor mit Auswertelektro­ nik und Ausgangs-Leistungstransistoren ergibt sich so eine erhebliche Verbilligung des integrierten Sensors. Dies ist für Massenanwendungen, beispielsweise für Zündpillen bei Airbag-Systemen oder bei anderen Sensorsystemen von aus­ schlaggebender Bedeutung.

Weiterhin eignet sich die Erfindung sowohl für bekannte Sensoranordnungen mit Polysilizium als Sensorelementen als auch für Monosilizium-Sensorelemente. Die Erfindung ist unter Verwendung bekannter und verfügbarer Ätz- und Auffüll­ verfahren vollständig VLSI-kompatibel. Sie kann grundsätz­ lich mit allen bekannten Halbleitertechnologien kombiniert werden. Insbesondere bei der im ersten Ausführungsbeispiel dargestellten Technologie ist eine integrierte Sensorher­ stellung ohne wesentliche Erhöhung der erforderlichen Mas­ kenzahl möglich. Daraus ergeben sich weitere erhebliche Kostenvorteile.

Claims (16)

1. Verfahren zur Herstellung einer mikromechanischen Vor­ richtung mit folgenden Schritten:

• - ein Körper, bei dem auf einem Träger (1, 10) eine erste Isolierschicht (2, 11) und darüber eine Siliziumschicht (3, 12) angeordnet ist, wird gebildet,
• - die Siliziumschicht (3, 12) wird strukturiert, wobei Öff­ nungen (L, LS) bis auf die erste Isolierschicht gebildet werden,
• - eine Isolierschichtzone (IS, 13) und eine flächige weitere Schicht (P, 14) werden aufgetragen,
• - die weitere Schicht (P, 14) wird strukturiert, wobei Öff­ nungen bis auf die Isolierschichtzone (IS, 13) gebildet werden,
• - die Isolierschichtzone und die darunter liegenden Bereiche der ersten Isolierschicht werden selektiv geätzt,
• - über der weiteren Schicht wird flächig eine zweite Iso­ lierschicht als Abdeckung (D) aufgetragen.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Siliziumschicht eine einkristalline oder eine polykri­ stalline Schicht vorgesehen sind.

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß nach dem Strukturieren der Siliziumschicht die Öffnungen mit einem Isolierstoff aufgefüllt werden.

4. Verfahren nach einem der Absprüche 1 bis 3, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die Isolierschichtzone zumindest in dem Bereich gebildet wird, der für bewegliche Elemente der Vor­ richtung vorgesehen ist.

5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die Isolierschichtzone durch lokale Oxida­ tion gebildet wird.

6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die weitere Schicht als Passivierungs­ schicht gebildet wird.

7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die weitere Schicht als Nitridschicht, Siliziumnitridschicht, Phosphorglasschicht oder als Oxid­ schicht gebildet wird.

8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch ge­ kennzeichnet, daß als Isolierschichtzone eine Polysilizium­ schicht, eine Nitridschicht oder eine Phosphorglasschicht aufgetragen wird.

9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch ge­ kennzeichnet, daß in einem beweglichen Teil der Vorrichtung Stützen (ST) für die Abdeckung (D) gebildet werden, die von dem umgebenden beweglichen Teil (MT) getrennt sind.

10. Mikromechanische Vorrichtung, die auf einem Träger (1, 10) einen mikromechanischen Bereich enthält, gekennzeichnet durch eine auf dem Träger angeordnete flächige Abdeckung (D) des Bereichs.

11. Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß der Bereich eine mikromechanische Anordnung in einer einkristallinen Halbleiterschicht enthält.

12. Vorrichtung nach Anspruch 10 oder 11, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Abdeckung (D) eine Polysiliziumschicht und/oder eine Nitridschicht und/oder eine Phosphorglas­ schicht enthält.

13. Vorrichtung nach einem der Absprüche 10 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß unter der Abdeckung eine strukturierte Passivierungsschicht oder eine strukturierte Polysilizium­ schicht vorgesehen ist.

14. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 10 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Abdeckung (D) durch Stützen (ST), die durch Öffnungen (LS) in einem beweglichen Teil (MT) des mikromechanischen Bereichs gehen, und durch einen nicht beweglichen Teil des mikromechanischen Bereichs getragen wird.

15. Vorrichtung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Stützen eine Schichtenfolge aus einer ersten Isolier­ schicht (11), einer Siliziumschicht (12) und einer Isolier­ schichtzone (13) enthalten, wobei die Siliziumschicht mit dem beweglichen Teil (MT) des mikromechanischen Bereichs hergestellt ist.

16. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 10 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß eine Transistoranordnung mit der mikro­ mechanischen Vorrichtung integriert ist.