DE4423187A1 - Abstimmbare optische Anordnung - Google Patents
Abstimmbare optische AnordnungInfo
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- H01S3/0812—Construction or shape of optical resonators or components thereof comprising three or more reflectors incorporating a dispersive element, e.g. a prism for wavelength selection using a diffraction grating
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft eine abstimmbare optische
Anordnung nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
In der modernen Kommunikation, Telekommunikation,
Datenkommunikation etc., jedoch auch bei anderen Systemen ist
das Bedürfnis nach abstimmbaren Einrichtungen groß. Die
Kapazität von bereits bestehenden, wie auch von zukünftigen
optischen Faserleitungen, kann durch Wellenlängenmultiplexen
(wavelength division multiplexing = WDM) erhöht werden.
Systeme, die WDM einsetzen, können die große
Wellenlängendomäne (oder Frequenzdomäne) verwenden, die in
einer optischen Faser zur Verfügung steht, indem
unterschiedliche Wellenlängen unterschiedlichen Kanälen
zugeordnet werden. Es ist wichtig, daß das System so flexibel
wie möglich ist. Ein wichtiger Faktor ist der, daß die
lasernde Wellenlänge (d. h. die Wellenlänge, bei welcher der
Lasereffekt auftritt) in einer integrierten Einrichtung
ausgewählt wird, und daß es möglich ist, beispielsweise eine
genaue Auswahl derjenigen Wellenlängen zu erzielen, die von
dem System benötigt werden. Eine Art eines
Wellenlängenmultiplexsystems umfaßt die sogenannten High-
Density-Wellenlängenmultiplexsysteme. Grundsätzlich ist dies
für eine Reihe von unterschiedlichen Anwendungen in einem
System nur einer Art, wie auch in sehr unterschiedlichen
Systemen, wichtig.
Es sind eine Reihe von Einrichtungen bekannt, die auf die
eine oder andere Weise abstimmbar sind. Beispiele von
abstimmbaren Einrichtungen sind abstimmbare Laser und
abstimmbare Filter. Beispielsweise ist es bei
Kommunikationssystemen mit kohärentem Wellenlängenmultiplexen
vorteilhaft, Einrichtungen zu verwenden, die abstimmbar sind,
wodurch die Systeme flexibler werden. Beispielsweise ist es
nützlich, Laser zu haben, die auf die Wellenlängen von
verschiedenen Kanälen abgestimmt werden können, anstatt einen
Laser mit einer bestimmten Wellenlänge für jeden Kanal zu
haben. Es ist vorteilhaft, zumindest einen bestimmten
kontinuierlichen Abstimmbereich um jeden Kanal herum zu
besitzen, um die Wellenlänge präzise einstellen zu können.
Was die Laser betrifft, können abstimmbare Laser
grundsätzlich in drei unterschiedliche Kategorien von
abstimmbaren Halbleiterlasern eingeteilt werden.
Die erste Kategorie betrifft die sogenannten Laser mit
äußerem Hohlraum.
Für eine Reihe von Anwendungen sind diese jedoch nicht sehr
praktisch. Laser mit äußerem Hohlraum sind beispielsweise in
der EP-A-525 752 und in der EP-A-242 445 beschrieben.
Die zweite Kategorie von abstimmbaren Halbleiterlasern
verwendet abstimmbare Bragg-Beugungsgitter. In T.L. Koch und
U. Koren, "Semiconductor lasers for coherent optical fibre
communications", J. Lightwave Technol., Vol. B (3), März
1990, Seiten 274-293, sind Laser mit verteilten Bragg-
Reflektoren (DBR-Laser) mit zwei Abschnitten und drei
Abschnitten gezeigt. Die gleiche Literaturstelle beschreibt
ferner sogenannte DFB-Laser (multisection distributed
feedback). Weitere Beispiele von abstimmbaren Lasern der
zweiten Kategorie sind in V. Jayaraman et al, "Demonstration
of broadband tunability in a semiconductor laser using
sampled gratings", Appl. Phys. Lett., Vol. 60 (19), 11. Mai
1992, Seiten 2321-2323; V. Jayaraman et al, "Very wide tuning
range in a sampled grating DBR laser", 13. IEEE International
laser conference, 21.-25. September 1992, Post-Deadline
Paper 11; Y. Tohmori et al, "Ultrawide wavelength tuning with
single longitudinal mode by super structure grating (SSG) DBR
laser", 13. International laser conference, 21.-25.
September 1992, Beitrag 0-6. Diese Laser besitzen den
Nachteil, daß sie begrenzte Abstimmbereiche besitzen.
Eine dritte Kategorie von abstimmbaren Halbleiterlasern
umfaßt die sogenannten C³-Laser, die ebenfalls in der oben
beschriebenen ersten Literaturstelle T.L. Koch und U. Koren,
"Semiconductor lasers for coherent optical fibre
communications", J. Lightwave Technol., Vol. 8 (3), März
1990, Seiten 274-293, beschrieben sind, sowie der sogenannte
Y-Junctionlaser, der in M. Schilling et al, "Integrated
interferometric injection laser: Novel fast and broadband
tunable monolithic light source", IEEE J. Quantum Electron.,
Vol. 27 (6), Juni 1991, Seiten 1616-1624 beschrieben ist.
Keine der beschriebenen Einrichtungen arbeitet jedoch
vollständig zufriedenstellend. Beispielsweise ist der
sogenannte C³-Laser schwierig zu reproduzieren und auch
schwierig zu steuern. Auch die Y-Junctionlaser sind schwierig
zu steuern. Eine abstimmbare Lasereinrichtung ist der
sogenannte MAGIC-Laser, der in J.B.D. Soole, K. Poguntke, A.
Scherer, H.P. LeBlanc, C. Chang-Hasnain, J.R. Hayes, C.
Caneau, R. Bhat und M.A. Koza, "Multistripe array grating
integrated cavity (MAGIC) laser: a new semiconductor laser
for WDM applications", Electronics Lett., Vol. 28 (19),
10. Sept. 1992, Seiten 1805-1807 beschrieben ist. Darin wird
die lasernde Wellenlänge in einer integrierten Einrichtung
durch Verwendung eines Beugungsgitters in einer Rowland-
Kreisanordnung als einer der Spiegel ausgewählt. Dies bildet
gewissermaßen eine integrierte Version eines oben
beschriebenen Lasers mit externem Hohlraum, bei dem jedoch
der externe Hohlraum durch einen plattenförmigen Wellenleiter
ersetzt ist, der das Licht in einer Richtung begrenzt, jedoch
ermöglicht, daß das Licht in der Querrichtung gebrochen wird.
Der Halbleiterlaser wird durch monolithische Integration
eines Feldes aus aktiven Streifen für den passiven planaren
Wellenleiter gebildet, die ein geätztes Beugungsgitter
tragen. Die Laseremission tritt an unterschiedlichen Streifen
bei verschiedenen, genau festgelegten Wellenlängen auf. Auf
diese Weise kann die lasernde Wellenlänge genau an dem
gewünschten Zustand eingestellt werden. Verglichen mit dem
oben beschriebenen Laser mit sogenanntem äußerem Hohlraum
werden aktive Verstärkungsstreifen an unterschiedlichen
Positionen in Form eines Feldes in Kombination mit einem fest
integrierten Beugungsgitter verwendet, anstelle daß ein
einzelnes aktives Element und ein rotierendes Beugungsgitter
verwendet werden. Das Beugungsgitter wird durch Ätzen des
plattenförmigen Wellenleiters hergestellt und es ist an die
Position der freiliegenden Seitenwand angepaßt. Jedoch kann
das Lasern nur bei einer bestimmten Zahl von Wellenlängen
auftreten, die gleich der Anzahl der Wellenleiterstreifen
ist, und ferner erscheint das Ausgangssignal für jede
Wellenlänge bei einem anderen Streifen, was nicht sehr
praktisch ist.
Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine
abstimmbare Einrichtung zu schaffen, die leicht abgestimmt
werden kann, die leicht gesteuert und reproduziert werden
kann und die für unterschiedliche Funktionen und
unterschiedliche Systeme leicht anwendbar ist. Es ist auch
eine Aufgabe der Erfindung, eine Einrichtung zu schaffen,
deren Abstimmbereich groß ist und die billig und leicht
herzustellen und zu handhaben ist. Eine weitere Aufgabe der
Erfindung ist es, eine abstimmbare Einrichtung zu schaffen,
bei der im Falle eines Lasers das Lasern kontinuierlich
hervorgerufen werden kann, und nicht nur bei einer bestimmten
Anzahl von Wellenlängen, und eine Einrichtung und eine
Anordnung zu schaffen, bei denen lediglich ein
Verstärkungsstreifen erforderlich ist, so daß das
Ausgangssignal für eine Reihe von Wellenlängen an ein und
demselben Streifen auftritt.
Diese und weitere Aufgaben werden durch eine Anordnung mit
den Merkmalen des Patentanspruchs 1 gelöst.
Weitere Aufgaben und Vorteile der vorliegenden Erfindung sind
aus der nachfolgenden Beschreibung der Erfindung näher
ersichtlich. Bevorzugte Ausführungsformen sind durch die
abhängigen Ansprüche gekennzeichnet.
Gemäß den bevorzugten Ausführungsformen kann die
Beugungsgitteranordnung eines, zwei oder mehrere feste
Beugungsgitter aufweisen. Die Einrichtung kann auch eine
Spiegelanordnung aufweisen, die gemäß einer Ausbildung vor
dem variablen Prisma angeordnet ist, um auf dieses einen
einfallenden Strahl zu leiten. Sie kann auch nach einem
letzten Beugungsgitter angeordnet sein, um den austretenden
Strahl auf ein zweites Element oder zwischen unterschiedliche
Beugungsgitter zu richten. Es ist vorteilhaft, die
Einrichtung oder Anordnung mit einem
Wellenlängenmultiplexsystem anzuwenden.
Nach den bevorzugten Ausführungsformen kann die Einrichtung
oder Anordnung zum Abstimmen der Wellenlänge verschiedener
Kanäle kontinuierlich in einem Bereich um jeden Kanal herum
verwendet werden, um die Wellenlänge genau einzustellen, oder
kontinuierlich für den gesamten Wellenlängenbereich.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform ist das Prisma mit
variablem Index, das einen variablen Brechungsindex besitzt,
durch Verändern des Brechungsindex eines Bereichs des
plattenförmigen Wellenleiters hergestellt. Vorzugsweise sind
die Grenzen dieses Bereichs, an denen der Strahl in den
Bereich eintritt und diesen verläßt, geradlinig. Nach einem
weiteren Ausführungsbeispiel hat das Prisma mit variablem
Index beispielsweise die Form eines Dreiecks.
Gemäß unterschiedlichen Ausführungsformen kann der Index
eines Bereichs, beispielsweise durch Ladungsträgerinjektion,
Ladungsträgerverarmung oder durch Verwendung einer
sogenannten BRAQWET-Struktur oder durch Temperaturabstimmen
oder durch Anwendung des quantum confinement-Starkeffekts,
verändert werden. Nach einer bestimmten Ausführungsform
umfaßt die Einrichtung einen Laser. Vorzugsweise umfaßt das
erste Element einen aktiven Verstärkungsstreifen.
Insbesondere kann die Beugungsgitteranordnung eines oder
mehrere feste Beugungsgitter umfassen, wobei durch Verändern
des Einfallswinkels auf die Gitter die Wellenlänge des
zurückreflektierten Lichts verändert werden kann, wobei die
Wellenlängenänderung Δλ für kleine Ablenkwinkel ψ ungefähr
ist. Bei dieser Ausführungsform muß das Prisma nahe bei dem
Beugungsgitter angeordnet werden, um den größten
Abstimmbereich zu bekommen. Wenn jedoch eine bessere
Wellenlängenselektivität des reflektierten Strahls gewünscht
wird, muß eine große Zahl von Beugungsperioden abgedeckt
werden. Dies würde bei der oben beschriebenen Ausführungsform
eine größere Prismengröße erfordern, was manchmal unpassend
ist. Gemäß weiteren Ausführungsformen umfaßt die
Beugungsgitteranordnung mehrere Beugungsgitter, wobei die
Wellenlänge, welche das rückreflektierte Licht verändert,
gegeben ist durch
Durch die Verwendung von mehreren Beugungsgittern ist es
möglich, die Strahlbreite zu verringern und somit auch die
Größe des Prismas zu verringern, während dennoch eine gute
Wellenlängenauflösung beibehalten wird.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung umfaßt die
Einrichtung einen Filter, insbesondere einen
Reflexionsfilter. Gemäß einer Ausführungsform davon kann das
erste Element ein passiver Wellenleiter sein, jedoch kann das
erste Element auch gemäß einer weiteren Ausführungsform ein
Verstärkungsstreifen sein, der von dem zweiten
Verstärkungsstreifen getrennt ist, der einen Eingang bzw.
einen Ausgang bildet, wobei das Eingangs- und Ausgangsende
der Verstärkungsstreifen eine Antireflexschicht aufweisen.
Vorzugsweise sind der Eingang und der Ausgang voneinander
getrennt und insbesondere bilden das erste Element und das
zweite Element unterschiedliche Wellenleiter oder
Verstärkungsstreifen.
Diese und weitere Ausführungsformen sind durch die
beigefügten Unteransprüche gegeben.
Nachfolgend wird die Erfindung unter Bezugnahme auf
Beispiele, die den Schutzumfang jedoch nicht beschränken, und
unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben,
wobei:
Fig. 1 einen abstimmbaren Laser mit einem Beugungsgitter
zeigt;
Fig. 2 einen abstimmbaren Laser mit mehreren
Beugungsgittern zeigt;
Fig. 3 einen einfachen abstimmbaren (Reflexions-)Filter
zeigt; und
Fig. 4 einen abstimmbaren (Transmissions-)Filter mit
mehreren Beugungsgittern zeigt.
Fig. 1 zeigt einen abstimmbaren Laser 10, der ein erstes
aktives Element 1a in Form eines Verstärkungsstreifens
aufweist. Wenn der Verstärkungsstreifen 1a beispielsweise
injektionsgepumpt ist, tritt das Lasern (d. h. ein
Lasereffekt) auf, wobei die Laserfrequenz durch die
Veränderung bestimmt wird, die der Einfallswinkel des Strahls
durch das Beugungsgitter erfährt, d. h. durch die Veränderung
der Wellenlänge des rückreflektierten Lichts. Zwischen dem
Verstärkungsstreifen 1a und einem festen Beugungsgitter 5a,
das in diesem Fall die Beugungsgitteranordnung 2a bildet, ist
ein sogenanntes variables Prisma 3a angeordnet. Dieses
variable Prisma 3a bildet das wellenlängenabstimmbare Element
mit einem variablen Brechungsindex. Aufgrund seines variablen
Brechungsindex ist der Ablenkungswinkel des auf das
Beugungsgitter 5 einfallenden Strahls variabel.
Fig. 1 zeigt eine einfache Ausführungsform des
erfindungsgemäßes Konzeptes. Gemäß dieser Ausführungsform mit
einer Beugungsgitteranordnung 2, die lediglich ein einziges
Beugungsgitter 5 aufweist, ist die Wellenlängenänderung für
kleine Ablenkwinkel ψ
Hierbei ist n der Brechungsindex des Ausbreitungsmediums, m
ist die Ordnung der Brechung des Beugungsgitters und d ist
die Beugungsperiode. Die Abstände P, D sind in der Figur
dargestellt, d. h. P ist der Abstand zwischen dem Eingang des
Wellenleiters bis zur Mitte des Prismas, und D ist der
Abstand zwischen dem Eingang des Wellenleiters und dem
Beugungsgitter G und G₂, wie in Fig. 1 definiert. Bei dieser
bestimmten Ausführungsform muß jedoch das Prisma 3a nahe bei
dem Beugungsgitter 5 angeordnet werden, um einen
Abstimmbereich zu erhalten, der so groß wie möglich ist. Die
Fig. 1 und 2 legen Prismenwinkel fest und, wie oben
erwähnt, bildet ψ den Ablenkwinkel, wohingegen R1 und R2 die
abgelenkten Winkel bezeichnen, d. h. mit einer dem Prisma
auferlegten Indexveränderung, und den nicht-abgelenkten
Strahl, d. h. ohne induzierte Veränderungen des Index in dem
Prisma, wie in Fig. 1 festgelegt, welche der Strahl mit der
Senkrechten auf das Beugungsgitter 5 bildet. Wenn jedoch eine
bessere Wellenlängenauflösung des reflektierten Strahls
erforderlich ist, muß der Strahl eine Vielzahl von
Beugungsperioden abdecken. Um dies zu erreichen, wäre ein
großes Prisma erforderlich, und dies kann in manchen Fällen,
beispielsweise aufgrund des zur Verfügung stehenden Platzes,
aufgrund Herstellungsverfahren, etc. unpassend sein.
Eine Ausführungsform, welche diese Komplikation vermeidet,
ist in Fig. 2 gezeigt. Die Lasereinrichtung 20 von Fig. 2
umfaßt eine Beugungsgitteranordnung 2b, die mehrere
Beugungsgitter umfaßt, in diesem Fall zwei Beugungsgitter 5b,
5b′. Durch die Verwendung von mehreren Beugungsgittern (oder
zwei Beugungsgittern 5b, 5b′) ist es möglich, die
Strahlbreite zu verringern und somit auch die Größe des
Prismas zu verringern, während eine gute
Wellenlängenauflösung beibehalten wird. Ein Spiegel 6b ist
zwischen dem Verstärkungsstreifen 1b angeordnet. Der
einfallende Strahl wird durch den Spiegel 6b auf das variable
Prisma 3b gerichtet, wo der Strahl abgelenkt wird, wonach er
auf dem Beugungsgitter 5b und dem Beugungsgitter 5b′
auftrifft. R1, R2 und R3 bilden die Winkel zwischen dem
einfallenden Strahl und der Senkrechten auf die
Beugungsgitter 5b bzw. 5b′. In diesem Fall ist die
Wellenlängenänderung Δλ gegeben durch
wobei mi die Ordnungen der Brechung der Gitter sind und di
die Perioden sind. Die Winkel wurden bereits oben und in der
Figur definiert.
Der Spiegel und die Beugungsgitter können nach bekannten
Verfahren hergestellt werden, beispielsweise gemäß dem
Verfahren, das beschrieben ist in J.B.D. Soole, K. Poguntke,
A. Scherer, H.P. LeBlanc, O. Chang-Hasnan, J.R. Hayes, C.
Caneau, R. Bhat und M.A. Koza, "Multistripe array grating
integrated cavity (MAGIC) laser: a new semiconductor laser
for WDM applications", Electronics Lett., Vol. 28 (19), 10.
Sept. 1992, Seiten 1805-1807. Der Spiegel und die
Beugungsgitter werden in diesem Fall durch Verwendung von
Standardlithographie oder Elektronenstrahllithographie
festgelegt, und reaktives Ionenstrahlätzen wird eingesetzt,
um den plattenförmigen Wellenleiter zu ätzen. Eine
Metallschicht, beispielsweise Al, wird an der Seitenwand
abgelagert, um eine hohe Reflektivität zu erzielen. Der
Verstärkungsstreifen kann durch bekannte
Standardlaserdiodentechniken hergestellt werden. Hinsichtlich
der Abmessungen der Einrichtung (S) werden einige Werte
lediglich zur besseren Darstellung gegeben, und natürlich ist
eine Vielzahl von anderen Möglichkeiten und unterschiedlichen
Größen möglich. Jedoch sind gemäß einer Ausführungsform die
Verstärkungsstreifen 1a, 1b zwischen 200 µm und 1 mm lang und
besitzen eine Breite von ca. 1-5 µm. Ein einfacher Laser 10
kann einen Abstand zwischen dem Verstärkungsstreifen 1a und
dem Beugungsgitter 2a von ca. 1 mm oder mehr besitzen und die
Strahlbreite an dem Beugungsgitter 5 beträgt typischerweise
einige hundert Mikrometer. Dies bedeutet, daß die gesamte
Einrichtung 10 einige Millimeter lang ist und ca. 500 µm
breit ist.
Bei der zweiten Ausführungsform des Lasers 20 ist der Abstand
zwischen den Beugungsgittern und zwischen dem ersten
Beugungsgitter 5b und dem zweiten Beugungsgitter 5b′ und dem
Spiegel in der Größenordnung von 300-600 µm. In diesem Fall
könnte die gesamte Einrichtung weniger als 1 mm lang sein und
eine Breite von ca. 400 µm besitzen.
In Fig. 3 ist eine weitere Alternative der Erfindung gezeigt,
wobei die Einrichtung einen abstimmbaren Reflexionsfilter 30
bildet. Diese Anordnung ähnelt der Anordnung von Fig. 1,
wobei das erste Element die Form eines Verstärkungsstreifens
1c besitzt, der eine Antireflexbeschichtung 11 an seinem
äußeren Ende besitzt. In der in Fig. 3 dargestellten
Ausführungsform ist der Ausgang von dem Eingang getrennt und
der Strahl wird in einen anderen Wellenleiter, das zweite
Element 1c′, reflektiert. Anstelle eines ersten und zweiten
Elements 1c; 1c′ können diese durch passive Wellenleiter
ersetzt werden.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform (nicht gezeigt) können
die in den Fig. 1 und 2 dargestellten Einrichtungen
geändert werden, um abstimmbare Reflexionsfilter durch
Auftragen einer Antireflexbeschichtung auf das Ausgangsende
des jeweiligen Verstärkungsstreifens zu bilden. Der
Verstärkungsstreifen kann auf diese Weise dazu verwendet
werden, die Verluste zu kompensieren (während man noch
unterhalb der Schwelle bleibt) oder er kann durch einen
passiven Wellenleiter ersetzt werden. Es kann gezeigt werden,
daß das Durchlaßband des Filters in etwa ein Gauß′sches ist.
Fig. 4 zeigt einen Filter mit mehreren Beugungsgittern, der
eine Beugungsgitteranordnung 2d mit einem ersten
Beugungsgitter und einem zweiten Beugungsgitter 5d, 5d′
umfaßt. Sie umfaßt auch zwei Spiegelanordnungen, einen ersten
Spiegel, der den einfallenden Lichtstrahl auf das variable
Prisma 3d richtet, und einen zweiten Spiegel, der den Strahl
von dem zweiten Gitter 5d′ auf das zweite Element 1d′
richtet. Die in den Fig. 3 und 4 dargestellten
Ausführungsformen stellen somit zwei Ausführungsbeispiele
dar, bei denen der Strahl in einen anderen Wellenleiter
reflektiert wird. Das Prinzip ist auch das gleiche wie bei
dem abstimmbaren Laser, jedoch mit dem Unterschied, daß
anstelle von Rückreflexionen wie im Falle des Lasers der
Strahl beispielsweise in einen anderen Wellenleiter
reflektiert wird.
Die Prismen mit variablem Index 3a; 3b; 3c; 3d können auf
vielerlei Weise hergestellt werden. Grundsätzlich werden sie
durch Veränderung des Brechungsindex eines Bereichs des
plattenförmigen Wellenleiters hergestellt. Die Grenzen, an
denen der Strahl in den Bereich eintritt und diesen verläßt,
müssen geradlinig sein, jedoch ist im übrigen die Form und
Ausbildung des Bereichs nicht wichtig. Eine vorteilhafte Form
ist die eines Dreiecks, jedoch sind natürlich auch andere
Formen und Ausbildungen möglich, solange die Grenzlinien
geradlinig verlaufen. Im Falle eines Dreiecks, d. h. der in
Fig. 1 beschriebenen Ausführungsform und mit den
Prismenwinkeln Φ1 und Φ2 ist der Ablenkungswinkel ψ ungefähr
gegeben durch
wobei n der Brechungsindex außerhalb des Prismas und (n+Δn)
der Brechungsindex innerhalb des Prismas ist. Diese Näherung
ist für kleine Δn ausreichend.
Der Brechungsindex in einem Bereich kann auf unterschiedliche
Weise durch Verwendung der an sich bekannten Verfahren
verändert werden. Gemäß einem Verfahren ist es möglich,
Ladungsträgerinjektion zu verwenden, wobei Elektronen und
Löcher durch positives Vorspannen einer p-i-n-
heterostrukturellen Veränderung des Brechungsindex injiziert
werden. Bei InGaAsP/Inp ist es auch möglich, die
Veränderungen des Brechungsindex in der Größenordnung von
-0,02 oder mehr für injizierte Ladungsträgerdichten in der
Größenordnung von 2×10¹⁸ cm-3 zu erzielen. Dieses Verfahren
ist ferner beschrieben in J.-P. Weber, "Optimization of the
carrier-induced effective index change in InGaAsP/InP
waveguides - Application to tunable Bragg filters",
eingereicht zur Veröffentlichung in IEEE J. Quantum
Electronics. Mit einem effektiven Index in der Größenordnung
von 3,25, wird Δn/n ca. -6,1×10-3, wobei dies die relative
Indexveränderung ist. Für kleine Indexveränderungen sind die
Ablenkwinkel ψ proportional dazu und deshalb ist dies eine
Messung der Funktion des Verfahrens.
Gemäß einem weiteren Verfahren kann die sogenannte
Ladungsträgerverarmung verwendet werden. Hierbei wird die
gleiche p-i-n Struktur wie bei der Ladungsträgerinjektion (in
InGaAsP/InP) verwendet, jedoch mit einem dotierten Material,
das eine kleinere Bandlücke aufweist, ist es möglich,
Ladungsträger durch umgekehrtes Vorspannen der Diodenstruktur
herauszudrängen. Vernünftige Dotierungspegel sind maximal in
der Größenordnung von 10¹⁸ cm-3. Auf diese Weise würde eine
Indexveränderung des Materials von ca. +0,01 erzielt werden,
was eine effektive Indexveränderung von ca. +0,005 geben
würde. Wenn der effektive Index sich in der Größenordnung von
3,25 befindet, ist Δn/n ca. +1,5×10-3.
Gemäß einer weiteren Methode ist es möglich, sogenannte
BRAQWETS (Blockaded Reservoir And Quantum-Well Electron-
Transfer Structures) zu verwenden, die
Majoritätsladungsträgerelemente (hier Elektronen) sind.
Dieses Verfahren ist ferner beschrieben in M.K. Chin, T.Y.
Chang und W.S.C. Chang, "Generalized Blockaded Reservoir And
Quantum-Well Electron-Transfer Structures (BRAQWETS):
Modeling and design considerations for high performance
waveguide phase modulators", IEEE J. Quantum Electron., Vol.
28(11), November 1992, Seiten 2596-2611. Mit dem gleichen
effektiven Index wie oben wird Δn/n ca. +9,2×10-4.
Nach einem weiteren Verfahren ist es möglich,
Temperaturabstimmung in InP zu verwenden und dadurch eine
Indexänderung zu erzielen. In J.-P. Weber, "Optimization of
the carrier-induced effective index change in InGaAsP/InP
waveguides - Application to tunable Bragg filters",
eingereicht zur Veröffentlichung in IEEE J. Quantum
Electronics, bekommen wir ∂n/∂T=1,81×10-4 [K-1] für InP bei
ca. 300 K und ∂n/∂T=3,53×10-4 [K-1] für 1,42 µm Bandlücke
InGaAsP. In der Praxis kann dies durch Anordnen eines
Heizwiderstands auf der Oberseite des plattenförmigen
Wellenleiters (mit einer dielektrischen Schicht als
elektrischer Isolator) erfolgen. Wenn als Beispiel ein
Wellenleiter mit 0,3 µm von 1,3 µm InGaAsP mit InP
Mantelschichten genommen wird, ist die effektive
Indexveränderung für einen Temperaturanstieg von 300 K auf
350 K ca. +0,01. Dies gibt wiederum einen effektiven Index in
der Größenordnung von 3,25, wobei Δn/n≈3,1×10-3 ist.
Gemäß einem weiteren Verfahren kann Temperaturabstimmung in
SiO₂ verwendet werden. Anstatt daß ein Halbleitermaterial für
alle Elemente verwendet wird, ist es möglich, eine
Hybridherstellungstechnik mit nur einem Verstärkungsstreifen
aus einem Halbleitermaterial und dem Rest aus SiO₂ zu
verwenden. Das Abstimmen kann dann durch Veränderung der
Temperatur mit einem Heizwiderstand auf der Oberseite des
plattenförmigen Wellenleiters erzielt werden. Für SiO₂ ist
∂n/∂T=1×10-5 [K-1]. Somit beträgt bei einem Temperaturanstieg
von 50 K der Anstieg des Brechungsindex ca. 5×10-4. Der
Brechungsindex ist ca. 1,47, N. Takato, T. Kominato, A.
Sugita, K. Jinguji, H. Toba und M. Kawachi, "Silicabased
integrated optic Mach-Zender multi/demultiplexer family with
channel spacing of 0,01-250 nm", IEEE J. Selected Areas in
Communications", Vol. 8(6), August 1990, Seiten 1120-1127,
was ein Δn/n≈3,4×10-4 ergibt.
Eine weitere Methode basiert auf dem Quantum-Confinement-
Stark-Effekt. Die Verschiebung des Energieniveaus aufgrund
des Stark-Effektes in quantum wells bewirkt Veränderungen des
Brechungsindex. Diese Veränderungen sind eine Funktion des
Abklingens des Niveaus, jedoch in der Größenordnung von 0,01
für ein elektrisches Feld von ca. 100 kV/cm für InGaAsP wells
mit einem InP Substrat (vgl. J.E. Zucker, I. Bar-Joseph, B.I.
Miller, U. Koren und D.S. Chemla, "Quaternary quantum wells
for electro-optic intensity and phase modulation at 1,3 and
1,55 µm", Appl. Phys. Lett., Vol. 54 (1), 2. Januar 1989,
Seiten 10-12). Dies trifft für Licht zu, das senkrecht auf
die Schichten auftrifft. In einem Wellenleiter wird dies
durch den Begrenzungsfaktor reduziert, so daß bestenfalls die
Hälfte der Indexveränderung erwartet werden kann. Dies gibt
somit Δn/n≈1,5×10-3 (wiederum für einen Brechungsindex von
3,25). Dieser Effekt besitzt jedoch eine große
Wellenlängenabhängigkeit, was Probleme verursachen könnte. Es
gibt auch einen Elektro-Absorptionseffekt, der die
Indexveränderung begleitet, jedoch verringert sich dieser
wesentlich schneller mit dem Abklingen als dies die
Indexveränderung tut.
Die Erfindung ist nicht auf die dargestellten
Ausführungsbeispiele begrenzt, sondern kann innerhalb des
Schutzumfangs der beigefügten Ansprüche frei verändert
werden.
Claims (24)
1. Abstimmbare optische Anordnung (10; 20; 30; 40) mit
mindestens einem passiven oder aktiven Eingangselement
(1a; 1b; 1c, 1c′; 1d, 1d′), einer integrierten
Beugungsgitteranordnung (2a; 2b; 2c; 2d) innerhalb des
Strahlenganges eines einfallenden Strahls, der
abgestimmt werden soll, dadurch gekennzeichnet, daß die
Anordnung (10; 20; 30; 40) ferner eine
Abstimmeinrichtung (3a; 3b; 3c; 3d) zum Steuern und
Verändern des Einfallwinkels des Strahls umfaßt, der auf
die Beugungsgitteranordnung (2a; 2b; 2c; 2d) auftrifft,
wobei die Abstimmeinrichtung (3a; 3b; 3c; 3d) ein Prisma
mit variablem Brechungsindex umfaßt, das zwischen dem
ersten aktiven oder passiven Element (1a; 1b; 1c; 1d)
und der Beugungsgitteranordnung (2a; 2b; 2c; 2d)
angeordnet ist.
2. Abstimmbare Anordnung nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß die Wellenlängen des einfallenden
Lichtstrahls, die durch die Beugungsgitteranordnung (2a;
2b; 2c; 2d) rückreflektiert oder reflektiert werden,
durch Veränderung des Einfallwinkels des Strahls auf die
Beugungsgitteranordnung (2a; 2b; 2c; 2d) verändert
werden.
3. Abstimmbare Anordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch
gekennzeichnet, daß die Beugungsgitteranordnung (2a; 2b;
2c; 2d) mindestens ein festes Beugungsgitter umfaßt.
4. Abstimmbare Anordnung nach einem der vorstehenden
Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß diese mindestens
eine Spiegelanordnung (6b; 6d, 6d′) umfaßt.
5. Abstimmbare Anordnung nach Anspruch 4, dadurch
gekennzeichnet, daß die Spiegelanordnung (6b; 6d) vor
dem Prisma mit variablem Index (3b; 3d) angeordnet ist
und den einfallenden Strahl auf das Prisma mit variablem
Index (3b; 3d) richtet.
6. Abstimmbare Anordnung nach einem der vorstehenden
Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß diese in einem
Wellenlängenmultiplexsystem verwendet wird, das
beispielsweise in der Telekommunikation oder
Datenkommunikation verwendet wird.
7. Abstimmbare Anordnung nach Anspruch 6, dadurch
gekennzeichnet, daß diese zum Abstimmen der Wellenlängen
unterschiedlicher Kanäle verwendet wird, entweder
kontinuierlich in einem Bereich um jeden Kanal herum, um
die Wellenlänge genau einzustellen, oder kontinuierlich
über den gesamten Bereich der Wellenlängen.
8. Abstimmbare Anordnung nach einem der vorstehenden
Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Prisma mit
variablem Index (3a; 3b; 3c; 3d), das einen variablen
Brechungsindex besitzt, durch Verändern des
Brechungsindex über einen Bereich eines plattenförmigen
Wellenleiters hergestellt ist.
9. Abstimmbare Anordnung nach Anspruch 8, dadurch
gekennzeichnet, daß die Grenzen des Bereichs, in den der
Strahl eintritt und den der Strahl verläßt, geradlinig
verlaufen.
10. Abstimmbare Anordnung nach Anspruch 9, dadurch
gekennzeichnet, daß das Prisma mit variablem Index (3a;
3b; 3c; 3d) die Form eines Dreiecks besitzt.
11. Abstimmbare Anordnung nach einem der Ansprüche 8 bis 10,
dadurch gekennzeichnet, daß der Index eines Bereichs
durch Ladungsträgerinjektion, Ladungsträgerverarmung
oder durch Verwenden einer sogenannten BRAQWET-Struktur
verändert wird.
12. Abstimmbare Anordnung nach einem der Ansprüche 8 bis 10,
dadurch gekennzeichnet, daß die Indexveränderung durch
Temperaturabstimmen oder durch den quantum confinement-
Stark-Effekt oder eine andere geeignete Methode bewirkt
wird.
13. Abstimmbare Anordnung nach einem der vorstehenden
Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß diese einen Laser
(10; 20) aufweist.
14. Anordnung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß
das erste Element (1a; 1b) einen aktiven
Verstärkungsstreifen umfaßt.
15. Abstimmbare Anordnung (10) nach Anspruch 13 oder 14,
dadurch gekennzeichnet, daß die Beugungsgitteranordnung
(2a) ein festes Beugungsgitter (5a) aufweist, wobei
durch Verändern des Einfallswinkels auf das
Beugungsgitter (5a) die Wellenlänge des
rückreflektierten Lichts verändert wird, wobei die
Wellenlängenänderung Δλ für kleine Ablenkungswinkel ψ
ungefähr
ist.
16. Abstimmbare Anordnung (20) nach Anspruch 13 oder 14,
dadurch gekennzeichnet, daß die Beugungsgitteranordnung
(2b) mehrere Beugungsgitter (5b, 5b′) aufweist, wobei
die Veränderung der Wellenlänge des rückreflektierten
Lichts gegeben ist durch
17. Abstimmbare Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 12,
dadurch gekennzeichnet, daß diese einen Filter (30; 40)
aufweist.
18. Anordnung nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß
diese einen Reflexionsfilter (30) aufweist.
19. Anordnung nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß
diese einen Transmissionsfilter (40) aufweist.
20. Anordnung nach einem der Ansprüche 17 bis 19, dadurch
gekennzeichnet, daß diese ferner ein zweites
Ausgangselement (1c′; 1d′) aufweist.
21. Anordnung nach einem der Ansprüche 17 bis 20, dadurch
gekennzeichnet, daß zumindest das erste Eingangselement
(1c; 1d) ein passiver Wellenleiter ist.
22. Abstimmbare Anordnung (30) nach einem der Ansprüche 17
bis 21, dadurch gekennzeichnet, daß das erste Element
(1c) ein Verstärkungsstreifen ist, der von einem zweiten
Verstärkungsstreifen (1a′) getrennt ist, der einen
Ausgang bildet, wobei das Eingangsende und das
Ausgangsende der Verstärkungsstreifen (1c, 1c′) eine
Antireflexbeschichtung (11) aufweisen.
23. Abstimmbare Anordnung nach einem der Ansprüche 17 bis
22, dadurch gekennzeichnet, daß der Eingang und der
Ausgang voneinander getrennt sind.
24. Abstimmbare Anordnung (40) nach einem der Ansprüche 17
und 19 bis 23, dadurch gekennzeichnet, daß der über eine
erste Spiegelanordnung durch das erste Element (1d)
einfallende Strahl über zumindest die
Beugungsgitteranordnung (2d) in ein zweites Element
(1d′) reflektiert wird, das einen separaten Wellenleiter
bildet.
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---|---|---|---|
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---|---|
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GB (1) | GB2280040B (de) |
SE (1) | SE501495C2 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10146006A1 (de) * | 2001-09-19 | 2003-04-03 | Cube Optics Ag | Verfahren zur Temperaturkompensation einer optischen WDM-Komponente sowie optische WDM-Komponente mit Temperaturkompensation |
US7068880B2 (en) | 2000-09-05 | 2006-06-27 | Cube Optics Ag | Coupling device and method for manufacture thereof |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6687043B2 (en) | 2001-03-19 | 2004-02-03 | Metrophotonics Inc. | Multi-frequency Raman amplifier pump source |
US7280722B2 (en) * | 2004-01-30 | 2007-10-09 | Texas Tech University | Temperature compensated optical multiplexer |
KR100679241B1 (ko) | 2004-12-14 | 2007-02-05 | 한국전자통신연구원 | 광 편향기를 구비한 파장가변 다중화기, 역다중화기 및 파장가변 레이저 |
JP3989939B2 (ja) * | 2005-07-02 | 2007-10-10 | 韓國電子通信研究院 | 光増幅器、ビーム操縦器及び凹回折格子が集積された波長可変光源素子 |
JP5121150B2 (ja) * | 2006-02-28 | 2013-01-16 | サンテック株式会社 | 波長可変レーザ光源 |
US10840670B2 (en) * | 2017-02-13 | 2020-11-17 | Mitsubishi Electric Corporation | Laser oscillator |
CN109698462A (zh) * | 2019-03-07 | 2019-04-30 | 西南大学 | 一种波长可变换的调q激光源 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1274758B (de) * | 1963-01-25 | 1968-08-08 | Siemens Ag | System zur UEbertragung von Informationen mit einem optischen Sender (Laser) |
US3638139A (en) * | 1964-09-29 | 1972-01-25 | Bell Telephone Labor Inc | Frequency-selective laser devices |
GB1076096A (en) * | 1965-02-02 | 1967-07-19 | Secr Aviation | Improvements in or relating to electro-optical light deflectors |
US3454902A (en) * | 1968-04-01 | 1969-07-08 | Bell Telephone Labor Inc | Continuously tunable parametric oscillator |
CA944466A (en) * | 1970-01-26 | 1974-03-26 | Western Electric Company, Incorporated | Guided raman devices |
US3959739A (en) * | 1975-02-03 | 1976-05-25 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Electro-optic tuning of organic dye laser |
US3991383A (en) * | 1975-03-28 | 1976-11-09 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Franz-Keldysh effect tuned laser |
US4006967A (en) * | 1975-04-23 | 1977-02-08 | Battelle Memorial Institute | Directing optical beam |
US3970963A (en) * | 1975-05-01 | 1976-07-20 | Hughes Aircraft Company | Waveguide laser arrangement for generating and combining a plurality of laser beams |
US4217561A (en) * | 1978-06-26 | 1980-08-12 | Xerox Corporation | Beam scanning using radiation pattern distortion |
FR2517484B2 (fr) * | 1981-05-08 | 1986-03-28 | Comp Generale Electricite | Dispositif laser a frequences d'emission multiples |
JPS5987436A (ja) * | 1982-11-11 | 1984-05-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光バルブ |
US4494235A (en) * | 1983-09-27 | 1985-01-15 | Gte Government Systems Corporation | Multiple wavelength laser |
US4660204A (en) * | 1984-08-02 | 1987-04-21 | Hughes Aircraft Company | CO2 TEA laser utilizing an intra-cavity prism Q-switch |
US4773732A (en) * | 1984-12-21 | 1988-09-27 | Max-Planck-Gesellschaft Zur Foederung Der Wissenschaften E.V | Optical interferometric apparatus with an electrically controllable intensity transmission factor |
DE3508707A1 (de) * | 1985-03-12 | 1986-09-18 | Battelle-Institut E.V., 6000 Frankfurt | Anordnung zur schnellen umschaltung zwischen verschiedenen wellenlaengen bei lasern |
US4710635A (en) * | 1986-04-14 | 1987-12-01 | Becton, Dickinson And Company | Dual laser excitation from single laser source |
GB2202404B (en) * | 1987-03-13 | 1991-01-02 | Plessey Co Plc | Apparatus for optical wavelength division multiplexing |
US5140599A (en) * | 1990-08-01 | 1992-08-18 | Hewlett-Packard Company | Optical oscillator sweeper |
US5177750A (en) * | 1991-07-30 | 1993-01-05 | Hewlett-Packard Company | Misalignment-tolerant, grating-tuned external-cavity laser with enhanced longitudinal mode selectivity |
US5351317A (en) * | 1992-08-14 | 1994-09-27 | Telefonaktiebolaget L M Ericsson | Interferometric tunable optical filter |
-
1993
- 1993-07-02 SE SE9302294A patent/SE501495C2/sv not_active IP Right Cessation
-
1994
- 1994-06-28 CA CA002126882A patent/CA2126882C/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-07-01 US US08/269,769 patent/US5666374A/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-07-01 DE DE4423187A patent/DE4423187A1/de not_active Ceased
- 1994-07-01 JP JP18421694A patent/JP3811770B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1994-07-01 FR FR9408174A patent/FR2708351B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1994-07-01 GB GB9413329A patent/GB2280040B/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7068880B2 (en) | 2000-09-05 | 2006-06-27 | Cube Optics Ag | Coupling device and method for manufacture thereof |
DE10146006A1 (de) * | 2001-09-19 | 2003-04-03 | Cube Optics Ag | Verfahren zur Temperaturkompensation einer optischen WDM-Komponente sowie optische WDM-Komponente mit Temperaturkompensation |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
SE501495C2 (sv) | 1995-02-27 |
JPH0758392A (ja) | 1995-03-03 |
GB9413329D0 (en) | 1994-08-24 |
SE9302294L (sv) | 1995-01-03 |
CA2126882C (en) | 2005-08-09 |
CA2126882A1 (en) | 1995-01-03 |
FR2708351B1 (fr) | 1996-11-08 |
GB2280040A (en) | 1995-01-18 |
SE9302294D0 (sv) | 1993-07-02 |
JP3811770B2 (ja) | 2006-08-23 |
FR2708351A1 (fr) | 1995-02-03 |
GB2280040B (en) | 1997-04-16 |
US5666374A (en) | 1997-09-09 |
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