DE4441166A1 - Verfahren zur Herstellung eines Kondensators einer Halbleiterspeichervorrichtung - Google Patents

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstel­ lung einer hochintegrierten Halbleiterspeichervorrichtung, und insbesondere ein Verfahren zur Herstellung einer Halblei­ terspeichervorrichtung, mit der selbst dann, wenn ein Spei­ cherzellenbereich reduziert oder verkleinert wird, eine aus­ reichende Speicherkapazität erhalten werden kann.

Allgemein umfaßt eine Halbleiterspeichervorrichtung, wie bei­ spielsweise ein dynamischer Direktzugriffspeicher (DRAM) eine Mehrzahl von Speicherzellen derart, daß eine große Informa­ tionsmenge abgespeichert werden kann. Jede der Speicherzellen der Halbleiterspeichervorrichtung umfaßt einen Kondensator zum darin Abspeichern von elektrischen Ladungen, und einen Feldeffekttransistor zum Öffnen und Schließen von Aufladungs- und Entladungspassagen des Kondensators. Da ein derartiger DRAM einen höheren Integrationsgrad hat, ist es schwierig, eine ausreichende Speicherkapazität sicherzustellen. Dies ist deshalb der Fall, weil jede Speicherzelle des DRAM einen ab­ rupt oder schlagartig reduzierten besetzten Bereich hat, weil der DRAM einen höheren Integrationsgrad hat. Eine derartige Reduzierung oder Verminderung oder Verkleinerung des besetz­ ten Bereichs der Speicherzelle führt zu einer Verminderung des Oberflächenbereichs einer Speicherelektrode, die in jedem Kondensator enthalten ist. Die Speicherelektrode jedes Kon­ densators, die jede Speicherzelle zusammen mit jedem Feld­ effekttransistor bildet, ist in Form einer planen oder ebenen Plattengestalt über dem Feldeffekttransistor ausgebildet. Aufgrund einer derartigen Gestalt hat die Speicherelektrode einen Oberflächenbereich, der abrupt reduziert wird, wenn die Speicherzelle einen reduzierten besetzten Bereich hat. In dieser Hinsicht haben herkömmliche Verfahren zur Herstellung von Speicherzellen Schwierigkeiten, den Oberflächenbereich einer Speicherelektrode zu vergrößern, weil sie die Ausbil­ dung einer Speicherelektrode mit einer ebenen Plattengestalt vorsehen.

In Fig. 1 ist eine Halbleitervorrichtung gezeigt, die in Übereinstimmung mit den herkömmlichen Verfahren hergestellt ist. In Fig. 1 ist eine Halbleitervorrichtung 1 gezeigt, die einen Feldoxidfilm 2 umfaßt, der auf einem vorbestimmten Ab­ schnitt des Halbleitersubstrats 1 ausgebildet ist, und einen Gate-Isolierfilm 3 und eine Wortleitung 4, die auf einem Ele­ mentbereich des Halbleitersubstrats 1 ausgebildet ist, der durch den Feldoxidfilm 2 festgelegt ist. Oxidfilmabstandhal­ ter 5 sind an Seitenwänden der Wortleitung 4 jeweils ausge­ bildet. An freiliegenden Oberflächenabschnitten des Halblei­ tersubstrats 1, der durch die Oxidfilmabstandhalter 5 festge­ legt ist, sind Source/Drain-Diffusionsbereiche 6 und 6′ aus­ gebildet, von denen jeder eine geringfügig dotierte Drain(LDD)struktur hat. Die Source/Drain-Diffusionsbereiche 6 und 6′ sind durch primäres Implantieren von Verunreinigungs- oder Fehlstellenionen in das Halbleitersubstrat 1 unter der Bedingung ausgebildet, daß die Wortleitung 4 als Maske ver­ wendet wird, wobei Oxidfilmabstandhalter an den Seitenwänden der Wortleitung 4 jeweils ausgebildet werden, und woraufhin sekundär Verunreinigungsionen in das Halbleitersubstrat 1 un­ ter der Bedingung implantiert werden, daß die Oxidfilmab­ standhalter 5 als Maske verwendet werden. Zusammen mit der Wortleitung 4 bilden die Source/Drain-Diffusionsbereiche 6 und 6′ einen Feldeffekttransistor.

Über die gesamte freiliegende Oberfläche der resultierenden Struktur, die mit dem Feldeffekttransistor ausgebildet ist, wird ein isolierender Oxidfilm 7 aufgetragen. Auf dem isolie­ renden Oxidfilm 7 ist eine Speicherelektrode 11 angeordnet, die in Kontakt mit einem ausgewählten der Source/Drain-Diffu­ sionsbereiche 6 und 6′ steht. Die Speicherelektrode 11 wird durch selektives Ätzen des isolierenden Oxidfilms 7 ausgebil­ det, wodurch ein Kontaktloch ausgebildet wird, das durch ei­ nen der Source/Drain-Diffusionsbereiche 6 und 6′ freiliegt, wobei eine Polysiliciumschicht über der gesamten freiliegen­ den Oberfläche der resultierenden Struktur ausgebildet wird, die nach der Ausbildung des Kontaktlochs erhalten wird, und woraufhin die Polysiliciumschicht unter Verwendung einer Maske mit einem Muster versehen wird. Auf der oberen Oberflä­ che und den Seitenwänden der Speicherelektrode 11 wird ein dielektrischer Film 14 unter Verwendung eines Aufwachsprozes­ ses ausgebildet. Der dielektrische Film 14 hat eine zusammen­ gesetzte Struktur eines NO-Typs, der durch einen Nitridfilm und einen Oxidfilm gebildet ist, oder eines ONO-Typs, der durch einen Oxidfilm, einen Nitridfilm und einen weiteren Oxidfilm gebildet ist. Eine Plattenelektrode 15 ist über der gesamten freiliegenden Oberfläche der resultierenden Struktur angeordnet, die nach der Ausbildung des dielektrischen Films 14 erhalten wird. Die Plattenelektrode 15 wird durch Ausbil­ den einer zweiten Polysiliciumschicht ausgebildet, die mit einer Verunreinigung über der gesamten freiliegenden Oberflä­ che der resultierenden Struktur dotiert ist, die nach der Ausbildung des dielektrischen Films 14 erhalten wird, worauf­ hin die zweite Polysiliciumschicht für eine vorbestimmte Ab­ messung mit einem Muster versehen wird.

Wie aus der vorstehenden Beschreibung hervorgeht, hat die Halbleitervorrichtung, die gemäß dem Verfahren von Fig. 1 hergestellt ist, die Speicherelektrode mit der ebenen Plat­ tengestalt. Aufgrund einer derartigen ebenen Plattengestalt der Speicherelektrode ist es unmöglich, eine ausreichende Speicherkapazität zu erhalten, wenn die Speicherzelle einen reduzierten besetzten Bereich hat. Es ist deshalb für die herkömmliche Halbleiterspeichervorrichtung schwierig, auf­ grund der unzureichenden Speicherkapazität einen hohen Inte­ grationsgrad zu haben.

Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht deshalb darin, ein Verfahren zum Herstellen eines Kondensators einer Halb­ leitervorrichtung zu schaffen, mit der selbst dann, wenn ein Speicherzellenbereich reduziert ist, eine ausreichende Spei­ cherkapazität erhalten werden kann, wodurch der Integrations­ grad der Halbleiterspeichervorrichtung verbessert wird.

Gemäß der vorliegenden Erfindung wird diese Aufgabe gelöst durch ein Verfahren zur Herstellung eines Kondensators einer Halbleiterspeichervorrichtung, umfassend die Schritte: Zube­ reiten eines Halbleitersubstrats, das mit einem Transistor ausgebildet ist, der einen Verunreinigungs-Diffusionsbereich hat, aufeinanderfolgendes Ausbilden eines eingeebneten Iso­ lieroxidfilms, einer Sperrschicht und einer ersten Elektro­ denschicht über dem Halbleitersubstrat, Ätzen jeweils vorbe­ stimmter Abschnitte der ersten Elektrodenschicht, der Sperr­ schicht und des Isolieroxidfilms in fortgesetzter Weise gemäß einem Ätzprozeß unter Verwendung einer Kontaktlochmaske, wo­ durch ein erstes Kontaktloch ausgebildet wird, Ausbilden von Elektrodenmaterialabstandhaltern jeweils an Seitenwänden des ersten Kontaktlochs derart, daß der Isolieroxidfilm teilweise durch einen Bereich freigelegt ist, der durch die Elektroden­ materialabstandhalter festgelegt ist, Ausbilden eines zweiten Kontaktlochs zum Freilegen des Verunreinigungs-Diffusionsbe­ reichs gemäß einem selektiven Ätzprozeß unter Verwendung der ersten Elektrodenschicht und der Elektrodenmaterialabstand­ halter als Ätzbarriere, Ausbilden einer zweiten Elektroden­ schicht über der gesamten freiliegenden Oberfläche der resul­ tierenden Struktur, die nach der Ausbildung des zweiten Kon­ taktlochs erhalten wird, derart, daß die zweite Elektroden­ schicht sich in elektrischem Kontakt mit dem Verunreinigungs- Diffusionsbereich befindet.

Ausbilden eines Opferoxid-Filmmusters mit einer Vogelschna­ belgestalt auf einem Abschnitt der zweiten Elektrodenschicht, der um das erste Kontaktloch herum angeordnet ist, aufeinan­ derfolgendes Ätzen der zweiten Elektrodenschicht und der er­ sten Elektrodenschicht unter der Bedingung, daß das Opfer­ oxid-Filmmuster als Ätzbarriere verwendet wird, bis eine obere Oberfläche der Sperrschicht freiliegt, wodurch ein zweites Elektrodenschichtmuster und ein erstes Elektroden­ schichtmuster ausgebildet werden, Naßätzen des Opferoxid- Filmmusters, wodurch eine obere Oberfläche des zweiten Elek­ trodenschichtmusters vollständig freigelegt wird, und aufein­ anderfolgendes Ausbilden eines Dielektrizitätsfilms und einer Plattenelektrode über den freiliegenden Oberflächen des er­ sten Elektrodenschichtmusters und des zweiten Elektroden­ schichtmusters.

Gelöst wird die Aufgabe ferner durch die Merkmale der An­ sprüche 6, 13 und 18. Vorteilhafte Weiterbildung der Erfin­ dung sind in den Unteransprüchen angegeben.

Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Zeichnungen näher erläutert; es zeigen:

Fig. 1 eine Schnittansicht einer Halbleiterspeichervorrich­ tung, die gemäß einem herkömmlichen Verfahren hergestellt ist,

Fig. 2 eine Aufsicht der Positionen von Maskenmustern, die bei der Herstellung eines Kondensators einer Halbleiterspei­ chervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet wird,

Fig. 3A bis 3E Schnittansichten, die jeweils ein Verfahren zur Herstellung eines Kondensators einer Halbleiterspeicher­ vorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegen­ den Erfindung zeigen, und

Fig. 4 eine Schnittansicht eines Verfahrens zur Herstellung eines Kondensators einer Halbleiterspeichervorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.

Fig. 2 zeigt eine Aufsicht der Positionen von Maskenmustern, die bei der Herstellung eines Kondensators einer Halbleiter­ speichervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung verwen­ det werden. In Fig. 2 sind verschiedene Bereiche a bis e ge­ zeigt. Der erste Bereich a gibt das Muster einer Speicher­ elektrodenmaske zum Festlegen eines Ladungsspeicherbereichs wieder, während der zweite Bereich b das Muster einer Maske für eine aktive Bereichsisolierung wiedergibt, die dazu aus­ gelegt ist, einen Bereich zu isolieren, wo eine Speicherzelle angeordnet ist. Der dritte Bereich c gibt das Muster einer Maske wieder, das dazu ausgelegt ist, zur Ausbildung eines Kontaktlochs verwendet zu werden, während der vierte Bereich d das Muster einer Maske wiedergibt, das dazu ausgelegt ist, zur Ausbildung einer Gate-Elektrode und einer Wortleitung verwendet zu werden. Andererseits legt der fünfte Bereich e das Muster einer Maske zum Festlegen eines Opferoxid-Filmmu­ sters fest, das bei der Herstellung des Kondensators gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet wird.

Die Fig. 3A bis 3E zeigen jeweils Schnittansichten zur Ver­ deutlichung eines Verfahrens zur Herstellung eines Kondensa­ tors einer Halbleiterspeichervorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Die Figuren zei­ gen Querschnittsansichten entlang der Linie A-A′ von Fig. 2. In den Fig. 3A bis 3E sind den Elementen von Fig. 1 entspre­ chende Elemente mit denselben Bezugsziffern bezeichnet.

Gemäß diesem Verfahren wird ein Halbleitersubstrat 1 zuberei­ tet, das an seinem vorbestimmten Abschnitt, wo eine P-Quelle (oder N-Quelle) ausgebildet ist, mit einem Feldoxidfilm 2 ausgebildet, wie in Fig. 3A gezeigt. Der Feldoxidfilm 2 ist durch Aufwachsen eines Oxidfilms auf den vorbestimmten Ab­ schnitt des Halbleitersubstrats 1 in Übereinstimmung mit ei­ nem lokalen Siliciumoxidationsprozeß (LOCOS) unter Verwendung einer Maske ausgebildet, die als die Maske b für die aktive Bereichsisolierung verwendet werden kann. Das Halbleiter­ substrat 1 ist außerdem mit einem Gate-Isolierfilm 3 und ei­ ner Wortleitung 4 an einem Elementbereich ausgebildet, der durch den Feldoxidfilm 2 festgelegt ist. Die Wortleitung 4 ist zusammen mit einer Gate-Elektrode durch Niederschlagen eines Polysiliciumfilms über dem Halbleitersubstrat 1 ausge­ bildet, das mit dem Feldoxidfilm 2 ausgebildet ist, wobei Verunreinigungsionen in den Polysiliciumfilm implantiert wer­ den, und wobei der Polysiliciumfilm unter Verwendung einer Maske für die Gate-Elektrode/Wortleitung mit einem Muster versehen ist, bei der es sich um die Maske c handeln kann. Oxidfilmabstandhalter 5 werden jeweils an Seitenwänden der Wortleitung 4 ausgebildet. An freiliegenden Oberflächenab­ schnitten des Halbleitersubstrats 1, die durch die Oxidfilm­ abstandhalter 5 festgelegt sind, werden Source/Drain-Diffu­ sionsbereiche 6 und 6′ ausgebildet, von denen jeder eine LDD- Struktur hat. Die Source/Drain-Diffusionsbereiche 6 und 6′ werden durch primäres Implantieren von Verunreinigungsionen geringer Konzentration in das Halbleitersubstrat 1 unter der Bedingung ausgebildet, daß die Gate-Elektrode und die Wort­ leitung 4 als Maske verwendet werden, wobei Oxidfilmabstand­ halter an Seitenwänden der Gate-Elektrode und der Wortleitung 4 jeweils ausgebildet werden, woraufhin Verunreinigungsionen höherer Konzentration in das Halbleitersubstrat 1 unter der Bedingung sekundär implantiert werden, daß die Oxidfilmab­ standhalter 5 als Maske verwendet werden. Zusammen mit der Wortleitung 4 bilden die Source/Drain-Diffusionsbereiche 6 und 6′ einen Feldeffekttransistor.

Über der gesamten freiliegenden Oberfläche der resultierenden Struktur, die mit dem Feldeffekttransistor ausgebildet ist, werden ein eingeebneter Isolieroxidfilm 7, eine Sperrschicht 8, eine erste Elektrodenschicht 9 und eine zweite Elektroden­ schicht 11 in aufeinanderfolgender Weise ausgebildet, wie in Fig. 3B gezeigt. Elektrodenmaterialabstandhalter werden eben­ falls zwischen dem Isolieroxidfilm 7 und der zweiten Elektro­ denschicht 11 ausgebildet. Der Isolieroxidfilm 7 wird durch Niederschlagen eines Isoliermaterials mit einer vorbestimmten Dicke über der gesamten freiliegenden Oberfläche der resul­ tierenden Struktur ausgebildet, die mit dem Feldeffekttransi­ stor ausgebildet ist, woraufhin ein vorbestimmter Abschnitt des Isoliermaterialfilms vollständig geätzt wird. Die Sperr­ schicht 8 wird durch Auftragen eines Siliciumnitrids mit ei­ ner vorbestimmten Dicke über den Isolieroxidfilm 7 ausgebil­ det. Die erste Elektrodenschicht 9 wird durch Niederschlagen von Polysilicium über die Sperrschicht 8 ausgebildet. Die Elektrodenmaterialabstandhalter 10 werden durch aufeinander­ folgendes Ätzen vorbestimmter Abschnitte der ersten Elektro­ denschicht 9, der Sperrschicht 8 und eines oberen Abschnitts des Isolieroxidfilms 7 ausgebildet, um ein erstes Kontaktloch unter Verwendung einer Maske auszubilden, bei der es sich um die Kontaktlochmaske c von Fig. 2 handeln kann, Niederschla­ gen von Polysilicium mit einer vorbestimmten Dicke über der gesamten freiliegenden Oberfläche der resultierenden Struk­ tur, die nach der Ausbildung des ersten Kontaktlochs erhalten wird, und daraufhin anisotropes Ätzen der Polysilicium­ schicht. Andererseits füllt die zweite Elektrodenschicht 11 einen Raum aus, der durch die Elektrodenmaterialabstandhalter 10 und das erste Kontaktloch festgelegt ist, das in dem Iso­ lieroxidfilm 7 ausgebildet ist, so daß es in elektrischem Kontakt mit einem ausgewählten der Source/Drain-Diffusionsbe­ reiche 6 und 6′ steht. Die zweite Elektrodenschicht 11 wird durch Ätzen eines freiliegenden Bereichs des Isolieroxidfilms 7 ausgebildet, der durch die Elektrodenmaterialabstandhalter 10 festgelegt ist, um ein zweites Kontaktloch zu bilden, durch welches der ausgewählte der Source/Drain-Diffusionsbe­ reiche 6 und 6′ freigelegt wird, und daraufhin Niederschlagen von mit einer Verunreinigung dotiertem Polysilicium über der gesamten freiliegenden Oberfläche der resultierenden Struk­ tur, die nach der Ausbildung des zweiten Kontaktlochs erhal­ ten wird. Die erste Elektrodenschicht 9 und die Elektrodenma­ terialabstandhalter 10 sind jeweils aus reinem Polysilicium hergestellt, um die Ätzselektivität gegenüber dem Oxidfilm 7 zu verbessern. Die erste Elektrodenschicht 9 und die Elektro­ denmaterialabstandhalter 10 enthalten eine Verunreinigung, die durch aufeinanderfolgendes Ausbilden eines Dielektrizi­ tätsfilms von der zweiten Elektrodenschicht 11 diffundiert wird.

Über der zweiten Elektrodenschicht 11 wird ein kissenförmiges (pad) Oxid-Filmmuster 12, ein Siliciumnitrid-Filmmuster 13 und ein Opferoxid-Filmmuster 14 ausgebildet, wie in Fig. 3C gezeigt. Die Ausbildung des kissenförmigen Oxid-Filmmusters 12 und des Siliciumnitrid-Filmmusters 13 wird durch aufeinan­ derfolgendes Ausbilden eines kissenförmigen Oxidfilms einer vorbestimmten Dicke und eines Siliciumnitridfilms einer vor­ bestimmten Dicke über der zweiten Elektrodenschicht 11 erhal­ ten, und daraufhin selektives Ätzen des kissenförmigen Oxid­ films und des Siliciumnitridfilms in aufeinanderfolgender Weise unter Verwendung einer Maske, bei der es sich um die Opferoxid-Filmmustermaske e von Fig. 2 handeln kann. Das Op­ feroxid-Filmmuster 14 wird durch Aufwachsen eines Oxidfilms in der Form eines Vogelschnabels (bird′s beak) auf einem freiliegenden Oberflächenbereich der zweiten Elektroden­ schicht 11 ausgebildet, der nicht unter dem kissenförmigen Oxid-Filmmuster 12 und dem Siliciumnitrid-Filmmuster 13 ange­ ordnet ist, unter Verwendung eines Hochtemperaturoxidations­ prozesses. Während des Hochtemperaturoxidationsprozesses wird die Oxidation entlang Polysiliciumkörnern der zweiten Elek­ trodenschicht 11 erzeugt. Die zweite Elektrodenschicht 11 hat dadurch an ihrem Abschnitt eine rauhe Oberfläche, der sich in Kontakt mit dem Opferoxid-Filmmuster befindet. Das Opferoxid- Filmmuster 14 hat Musterabschnitte, die jeweils in beiden Seiten eines Bereichs angeordnet sind, wo das erste Kontakt­ loch festgelegt ist. Nach der Ausbildung des Opferoxid-Film­ musters 14 werden sowohl das Siliciumnitrid-Filmmuster 13 wie das kissenförmige Oxid-Filmmuster 12 entfernt.

Daraufhin werden ein drittes Elektrodenschichtmuster 15 und ein Photoresistmuster 16 ausgebildet, wie in Fig. 3D gezeigt. Die Ausbildung des dritten Elektrodenschichtmusters 15 wird durch Niederschlagen von mit einer Verunreinigung dotiertem Polysilicium über der gesamten freiliegenden Oberfläche der resultierenden Struktur erhalten, die nach der Entfernung der Muster 12 und 13 erhalten wird, Ausbilden des Photoresistmu­ sters 16 auf der niedergeschlagenen Polysiliciumschicht, näm­ lich der dritten Elektrodenschicht, und darauf folgendes Ent­ fernen eines freiliegenden Bereichs der Polysiliciumschicht, der nicht unter dem Photoresistmuster 16 angeordnet ist, durch einen Ätzprozeß. Die Ausbildung des Photoresistmusters 16 wird durch Auftragen eines Photoresistfilms über der Poly­ siliciumschicht erreicht, die für das dritte Elektrodenmuster 15 niedergeschlagen ist, selektives Belichten des Photore­ sistfilms durch Verwendung einer Maske, bei der es sich um die Speicherelektrodenmaske a von Fig. 2 handeln kann, und darauf folgendes Entwickeln des selektiv belichteten Photore­ sistfilms. Nach der Ausbildung des dritten Elektrodenschicht­ musters 15 werden sowohl die zweite Elektrodenschicht 11 wie die erste Elektrodenschicht 9 selektiv gemäß einem Ätzprozeß unter Verwendung des Photoresist-Filmmusters 16 und des Opferoxid-Filmmusters 14 als Ätzbarriere entfernt, wodurch ein zweites Elektrodenschichtmuster 11A und ein erstes Elek­ trodenschichtmuster 9A ausgebildet werden. Nach der Ausbil­ dung der Muster 9A und 11A wird das Photoresist-Filmmuster 16 entfernt. Das dritte Elektrodenschichtmuster 15 wird dadurch an seiner oberen Oberfläche freigelegt. Darauffolgend wird das Opferoxid-Filmmuster 14 ebenfalls unter Verwendung eines Naßätzprozesses entfernt, wodurch die obere Oberfläche des zweiten Elektrodenschichtmusters 11A und die untere Oberflä­ che des dritten Elektrodenschichtmusters 15 freigelegt wer­ den. Dadurch wird eine Speicherelektrode 20 erhalten, die durch das erste Elektrodenschichtmuster 9A, das zweite Elek­ trodenschichtmuster 11A, das dritte Elektrodenschichtmuster 15 und die Elektrodenmaterialabstandhalter 10 gebildet ist, die sämtlich integral miteinander ausgebildet sind.

Über der gesamten freiliegenden Oberfläche der Speicherelek­ trode 20 wird ein dielektrischer Film 18 daraufhin ausgebil­ det, wie in Fig. 3E gezeigt. Die Ausbildung des dielektri­ schen Films 18 wird durch Aufwachsen einer dielektrischen Kompositfilmstruktur von NO oder ONO über der gesamten frei­ liegenden Oberfläche der Speicherelektrode 20 erhalten. Eine Plattenelektrode 19 wird daraufhin auf dem Dielektrizitäts­ film 18 ausgebildet. Die Ausbildung der Plattenelektrode 19 wird durch Niederschlagen von mit einer Verunreinigung do­ tiertem Polysilicium über die gesamte freiliegende Oberfläche der resultierenden Struktur erhalten, die nach der Ausbildung des dielektrischen Films 18 erhalten wird, und darauf folgend Vorsehen eines Musters auf der niedergeschlagenen Polysilici­ umschicht mit einer vorbestimmten Abmessung. Das erste Elek­ trodenschichtmuster 9A und die Elektrodenmaterialabstandhal­ ter 10 enthalten eine Verunreinigung, die aus dem zweiten Elektrodenschichtmuster 11A bei einem nachfolgenden Schritt diffundiert wird, der den Schritt zur Ausbildung des dielek­ trischen Films 18 und der Plattenelektrode 19 umfaßt. Durch die Verunreinigung, die aus dem zweiten Elektrodenschichtmu­ ster 11A diffundiert wird, haben das erste Elektrodenschicht­ muster 9A und die Elektrodenmaterialabstandhalter 10 eine Leitungs- oder Leitfähigkeitseigenschaft.

Andererseits kann die zweite Elektrodenschicht 11 aus reinem Polysilicium anstelle des mit einer Verunreinigung dotiertem Polysiliciums hergestellt werden. In diesem Fall enthält das zweite Elektrodenschichtmuster 11A eine Verunreinigung, die aus dem dritten Elektrodenschichtmuster 15 bei einem darauf­ folgenden Schritt diffundiert wird, der den Schritt zur Aus­ bildung des dielektrischen Films 18 und der Plattenelektrode 19 umfaßt. Das erste Elektrodenschichtmuster 9A und die Elek­ trodenmaterialabstandhalter 10 enthalten demnach die Verun­ reinigung, die aus dem dritten Elektrodenschichtmuster 15 über das zweite Elektrodenschichtmuster 11A diffundiert wird.

Die Speicherelektrode 20 hat einen großen Oberflächenbereich, der durch starkes Vergrößern des Bereichs des Opferoxid-Film­ musters 14 erhalten wird, das die Vogelschnabelform hat. Dies resultiert aus der Struktur, demnach die Speicherelektrode 20 unter einem minimalen Abstand von der (nicht gezeigten) Spei­ cherelektrode einer benachbarten Speicherzelle beabstandet ist. Der Bereich des Opferoxid-Filmmusters 14 kann durch Ver­ ändern der Dicke des Opferoxid-Filmmusters 14 gesteuert wer­ den.

Fig. 4 zeigt eine Schnittansicht zur Verdeutlichung des Ver­ fahrens zur Herstellung eines Kondensators einer Halbleiter­ speichervorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Gemäß dem Verfahren von Fig. 4 werden dieselben Schritte durchgeführt, wie diejenigen, die in den Fig. 3A bis 3C gezeigt sind. Die folgende Beschreibung wird deshalb in Verbindung mit den Verfahrensschritten, denjenigen folgend, die in den Fig. 3A bis 3C gezeigt sind, vorgenommen. In Fig. 4 werden Elemente, die denjenigen in den Fig. 3A bis 3E entsprechen, mit denselben Bezugsziffern bezeichnet.

Wie in Fig. 4 gezeigt, bilden das erste Elektrodenschichtmu­ ster 9A, das zweite Elektrodenschichtmuster 11A und die Elek­ trodenmaterialabstandhalter 10 zusammen eine Speicherelek­ trode 21. Unter dieser Bedingung werden ein zweites Elektro­ denschichtmuster 11A und ein erstes Elektrodenschichtmuster 9A durch selektives Entfernen der zweiten Elektrodenschicht 11 und der ersten Elektrodenschicht 9 gemäß dem Ätzprozeß un­ ter Verwendung des Opferoxid-Filmmusters 14 mit der Vogel­ schnabelgestalt als Ätzbarriere derart ausgebildet, daß die Sperrschicht 8 freigelegt wird. Daraufhin wird das Opferoxid- Filmmuster 14 gemäß einem Ätzprozeß unter Verwendung der Sperrschicht 8 als Ätzbarriere entfernt. Das zweite Elektro­ denschichtmuster 11 wird dadurch an seiner oberen Oberfläche freigelegt. Über der gesamten freiliegenden Oberfläche der Speicherelektrode 21 werden daraufhin ein Dielektrizitätsfilm 18 und eine Plattenelektrode 19 in aufeinanderfolgender Weise ausgebildet. Die Ausbildung des Dielektrizitätsfilms 18 wird durch Aufwachsen einer dielektrischen Kompositfilmstruktur von NO oder ONO über der gesamten freiliegenden Oberfläche der Speicherelektrode 21 erreicht. Andererseits wird die Plattenelektrode 19 durch Niederschlagen von mit einer Verun­ reinigung dotiertem Polysilicium über der gesamten freilie­ genden Oberfläche der resultierenden Struktur erhalten, die nach der Ausbildung des Dielektrizitätsfilms 18 erhalten wird, und daraufhin mit einem Muster versehen der niederge­ schlagenen Polysiliciumschicht mit einer vorbestimmten Abmes­ sung. Anstelle des mit einer Verunreinigung dotierten Polysi­ liciums besteht die Plattenelektrode 19 aus Polycid (polycide).

Wie aus der vorstehenden Beschreibung hervorgeht, schafft die vorliegende Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines Kondensators einer Halbleiterspeichervorrichtung, das dazu in der Lage ist, eine Speicherelektrode zu schaffen, das einen großen effektiven Oberflächenbereich im Vergleich zu einem begrenzten besetzten Bereich einer herkömmlichen Speicher­ zelle durch Ausbilden der Speicherelektrode durch eine Dop­ pelelektrodenschichtmusterstruktur hat, Ausbilden einer rau­ hen Oberfläche der oberen Oberfläche der Elektrodenschichtmu­ sterstruktur und Ausbilden gekrümmter Oberflächen an oberen und unteren Oberflächen jedes Musters der Elektrodenschicht­ musterstruktur. Mittels des großen Oberflächenbereichs der Speicherelektrode hat der gemäß dem erfindungsgemäßen Verfah­ ren hergestellte Kondensator eine große Speicherkapazität im Vergleich zu dem begrenzten besetzten Bereich der entspre­ chenden Speicherzelle. Dadurch ist es möglich, eine Verbesse­ rung des Integrationsgrads der Halbleiterspeichervorrichtung zu erzielen.

Obwohl die bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung, die in den Fig. 3A bis 3E und Fig. 4 gezeigt sind, beispielhaft erläutert worden sind, erschließt sich dem Fachmann, daß ver­ schiedene Abwandlungen, Zusätze und Ersätze möglich sind, ohne vom Umfang und Geist der in den anliegenden Ansprüchen beanspruchten Erfindung abzuweichen.

Beispielsweise kann die Speicherelektrode durch zumindest drei Elektrodenschichtmuster gebildet sein. In diesem Fall werden zumindest zwei zusätzliche Elektrodenschichten und zu­ mindest ein Opferoxid-Filmmuster mit der Vogelschnabelform in abwechselnder Weise über der gesamten Struktur ausgebildet, die nach Beendigung des in Fig. 3C gezeigten Schritts erhal­ ten wird, nämlich der Struktur, die die zweite Elektroden­ schicht 11 und das Opferoxid-Filmmuster 14 umfaßt. Die zu­ sätzlichen Elektrodenschichten werden daraufhin gemäß einem Ätzprozeß unter Verwendung des zusätzlichen Opferoxid-Filmmu­ sters als Ätzbarriere mit einem Muster versehen, um die Sperrschicht 8 freizulegen.

Die Sperrschicht 8, die beim Schritt von Fig. 3B ausgebildet wird, kann weggelassen werden. In diesem Fall wird der Iso­ lieroxidfilm 7, der beim Schritt von Fig. 3B gebildet wird, durch Naßätzen des Opferoxid-Filmmusters 14 beim Schritt von Fig. 3E oder Fig. 4 derart unterschnitten, daß der Kantenab­ schnitt der unteren Oberfläche des ersten Elektrodenschicht­ musters 9A freigelegt wird.

Claims (21)

1. Verfahren zur Herstellung eines Kondensators einer Halb­ leiterspeichervorrichtung, umfassend die Schritte:
Zubereiten eines Halbleitersubstrats, das mit einem Tran­ sistor ausgebildet ist, der einen Verunreinigungs-Diffu­ sionsbereich hat,
aufeinanderfolgendes Ausbilden eines eingeebneten Iso­ lieroxidfilms, einer Sperrschicht und einer ersten Elek­ trodenschicht über dem Halbleitersubstrat,
Ätzen jeweils vorbestimmter Abschnitte der ersten Elek­ trodenschicht, der Sperrschicht und des Isolieroxidfilms in fortgesetzter Weise gemäß einem Ätzprozeß unter Ver­ wendung einer Kontaktlochmaske, wodurch ein erstes Kon­ taktloch ausgebildet wird,
Ausbilden von Elektrodenmaterialabstandhaltern jeweils an Seitenwänden des ersten Kontaktlochs derart, daß der Iso­ lieroxidfilm teilweise durch einen Bereich freigelegt ist, der durch die Elektrodenmaterialabstandhalter fest­ gelegt ist,
Ausbilden eines zweiten Kontaktlochs zum Freilegen des Verunreinigungs-Diffusionsbereichs gemäß einem selektiven Ätzprozeß unter Verwendung der ersten Elektrodenschicht und der Elektrodenmaterialabstandhalter als Ätzbarriere,
Ausbilden einer zweiten Elektrodenschicht über der gesam­ ten freiliegenden Oberfläche der resultierenden Struktur, die nach der Ausbildung des zweiten Kontaktlochs erhalten wird, derart, daß die zweite Elektrodenschicht sich in elektrischem Kontakt mit dem Verunreinigungs-Diffusions­ bereich befindet,
Ausbilden eines Opferoxid-Filmmusters mit einer Vogel­ schnabelgestalt auf einem Abschnitt der zweiten Elektro­ denschicht, der um das erste Kontaktloch herum angeordnet ist,
Aufeinanderfolgendes Ätzen der zweiten Elektrodenschicht und der ersten Elektrodenschicht unter der Bedingung, daß das Opferoxid-Filmmuster als Ätzbarriere verwendet wird, bis eine obere Oberfläche der Sperrschicht freiliegt, wo­ durch ein zweites Elektrodenschichtmuster und ein erstes Elektrodenschichtmuster ausgebildet werden,
Naßätzen des Opferoxid-Filmmusters, wodurch eine obere Oberfläche des zweiten Elektrodenschichtmusters vollstän­ dig freigelegt wird, und
aufeinanderfolgendes Ausbilden eines Dielektrizitätsfilms und einer Plattenelektrode über den freiliegenden Ober­ flächen des ersten Elektrodenschichtmusters und des zwei­ ten Elektrodenschichtmusters.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es den Schritt des Ausbildens von zumindest zwei zusätzli­ chen Elektrodenschichten und zumindest eines zusätzlichen Opferoxid-Filmmusters mit Vogelschnabelgestalt in abwech­ selnder Weise sowohl auf der zweiten Elektrodenschicht wie auf dem Opferoxid-Filmmuster umfaßt.

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektrodenmaterialabstandhalter und die erste Elek­ trodenschicht zur Verbesserung einer Ätzselektivität in Bezug auf den Isolieroxidfilm aus Polysilicium bestehen.

4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Elektrodenschicht zum Schaffen einer guten Leitfähigkeitseigenschaft eine Verunreinigung enthält, wobei die Verunreinigung in die Elektrodenmaterialab­ standhalter und die erste Elektrodenschicht beim Schritt des Ausbildens des dielektrischen Films diffundiert wird.

5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Opferoxid-Filmmuster längs Polysiliciumkörnern der zweiten Elektrodenschicht gemäß einem Hochtemperaturoxi­ dationsprozeß derart aufgewachsen wird, daß das zweite Elektrodenschichtmuster eine rauhe obere Oberfläche hat.

6. Verfahren zur Herstellung eines Kondensators einer Halb­ leiterspeichervorrichtung, umfassend die Schritte:
Zubereiten eines Halbleitersubstrats, das mit einem Tran­ sistor ausgebildet ist, der einen Verunreinigungs-Diffu­ sionsbereich hat,
aufeinanderfolgendes Ausbilden eines eingeebneten Iso­ lieroxidfilms und einer ersten Elektrodenschicht über dem Halbleitersubstrat,
Ätzen jeweils vorbestimmter Abschnitte der ersten Elek­ trodenschicht und des Isolieroxidfilms in fortgesetzter Weise gemäß einem Ätzprozeß unter Verwendung einer Kon­ taktlochmaske, wodurch ein erstes Kontaktloch ausgebildet wird,
Ausbilden von Elektrodenmaterialabstandhaltern jeweils an Seitenwänden des ersten Kontaktlochs derart, daß der Iso­ lieroxidfilm teilweise durch einen Bereich freigelegt ist, der durch die Elektrodenmaterialabstandhalter fest­ gelegt ist,
Ausbilden eines zweiten Kontaktlochs zum Freilegen des Verunreinigungs-Diffusionsbereichs gemäß einem selektiven Ätzprozeß unter Verwendung der ersten Elektrodenschicht und der Elektrodenmaterialabstandhalter als Ätzbarriere, Ausbilden einer zweiten Elektrodenschicht über der gesam­ ten freiliegenden Oberfläche der resultierenden Struktur, die nach der Ausbildung des zweiten Kontaktlochs derart erhalten wird, daß die zweite Elektrodenschicht sich in elektrischem Kontakt mit dem Verunreinigungs-Diffusions­ bereich befindet,
Ausbilden eines Opferoxid-Filmmusters mit Vogelschnabel­ gestalt auf einem Abschnitt der zweiten Elektroden­ schicht, der um das erste Kontaktloch herum angeordnet ist,
aufeinanderfolgendes Ätzen der zweiten Elektrodenschicht und der ersten Elektrodenschicht unter der Bedingung, daß das Opferoxid-Filmmuster als Ätzbarriere verwendet wird, bis eine obere Oberfläche des Isolieroxidfilms freigelegt ist, wodurch ein zweites Elektrodenschichtmuster und ein erstes Elektrodenschichtmuster ausgebildet werden,
Naßätzen des Opferoxid-Filmmusters, wodurch eine obere Oberfläche des zweiten Elektrodenschichtmusters vollstän­ dig freigelegt wird, und
aufeinanderfolgendes Ausbilden eines dielektrischen Films und einer Plattenelektrode über freiliegenden Oberflächen des ersten Elektrodenschichtmusters und des zweiten Elek­ trodenschichtmusters.

7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Isolieroxidfilm durch Entfernen des Opferoxid-Filmmu­ sters derart unterschnitten wird, daß das erste Elektro­ denschichtmuster an einem Kantenabschnitt seiner unteren Oberfläche freigelegt wird.

8. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß es den Schritt des Ausbildens von zumindest zwei zusätzli­ chen Elektrodenschichten und zumindest eines zusätzlichen Opferoxid-Filmmusters in Vogelschnabelgestalt in abwech­ selnder Weise sowohl auf der zweiten Elektrodenschicht wie auf dem Opferoxid-Filmmuster umfaßt.

9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Isolieroxidfilm durch Entfernen des Opferoxid-Filmmu­ sters derart unterschnitten wird, daß das erste Elektro­ denschichtmuster an einem Kantenabschnitt seiner unteren Oberfläche freigelegt wird.

10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektrodenmaterialabstandhalter und die erste Elek­ trodenschicht zur Verbesserung ihrer Ätzselektivität ge­ genüber dem Isolieroxidfilm aus Polysilicium hergestellt werden.

11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Elektrodenschicht zum Schaffen einer guten Leitfähigkeitseigenschaft eine Verunreinigung enthält, wobei die Verunreinigung in die Elektrodenmaterialab­ standhalter und die erste Elektrodenschicht beim Schritt des Ausbildens des dielektrischen Films diffundiert wird.

12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß das Opferoxid-Filmmuster längs Polysiliciumkörnern der zweiten Elektrodenschicht gemäß einem Hochtemperaturoxi­ dationsprozeß derart aufgewachsen wird, daß das zweite Elektrodenschichtmuster eine rauhe obere Oberfläche hat.

13. Verfahren zur Herstellung eines Kondensators einer Halb­ leiterspeichervorrichtung, umfassend die Schritte:
Zubereiten eines Halbleitersubstrats, das mit einem Tran­ sistor ausgebildet ist, der einen Verunreinigungs-Diffu­ sionsbereich hat,
aufeinanderfolgendes Ausbilden eines eingeebneten Iso­ lieroxidfilms und einer ersten Elektrodenschicht über dem Halbleitersubstrat,
Ätzen jeweils vorbestimmter Abschnitte der ersten Elek­ trodenschicht, der Sperrschicht und des Isolieroxidfilms in fortgesetzter Weise gemäß einem Ätzprozeß unter Ver­ wendung einer Kontaktlochmaske, wodurch ein Kontaktloch ausgebildet wird,
Ausbilden einer zweiten Elektrodenschicht über der gesam­ ten freiliegenden Oberfläche der resultierenden Struktur, die nach der Ausbildung des Kontaktlochs erhalten wird, derart, daß die zweite Elektrodenschicht sich in elektri­ schem Kontakt mit dem Verunreinigungs-Diffusionsbereich befindet,
Ausbilden eines Opferoxid-Filmmusters in Vogelschnabelge­ stalt auf einem Abschnitt der zweiten Elektrodenschicht, der um das Kontaktloch herum angeordnet ist,
Ausbilden einer dritten Elektrodenschicht über der gesam­ ten freiliegenden Oberfläche der resultierenden Struktur, die nach der Ausbildung des Opferoxid-Filmmusters erhal­ ten wird,
Ausbilden eines Photoresist-Filmmusters auf der dritten Elektrodenschicht derart, daß das Photoresist-Filmmuster einen Bereich überlappt, der um das Kontaktloch herum festgelegt ist, und einen vorbestimmten Abschnitt des Opferoxid-Filmmusters,
Ätzen der dritten Elektrodenschicht unter Verwendung des Photoresist-Filmmusters als Ätzbarriere, bis das Opfer­ oxid-Filmmuster freigelegt ist, wodurch ein drittes Elek­ trodenschichtmuster ausgebildet wird,
aufeinanderfolgendes Ätzen der zweiten Elektrodenschicht und der ersten Elektrodenschicht unter der Bedingung, daß das Photoresistmuster und ein freiliegender Abschnitt des Opferoxid-Filmmusters als Ätzbarriere verwendet wird, bis der Isolieroxidfilm freigelegt ist, wodurch ein zweites Elektrodenschichtmuster und ein erstes Elektrodenschicht­ muster ausgebildet werden,
Entfernen des Photoresistmusters, wodurch eine obere Oberfläche des dritten Elektrodenschichtmusters freige­ legt wird,
Naßätzen des Opferoxid-Filmmusters, wodurch eine obere Oberfläche des zweiten Elektrodenschichtmusters und eine untere Oberfläche des dritten Elektrodenschichtmusters vollständig freigelegt werden, und
aufeinanderfolgendes Ausbilden eines Dielektrizitätsfilms und einer Plattenelektrode über freiliegenden Bereichen des ersten Elektrodenschichtmusters, des zweiten Elektro­ denschichtmusters und des dritten Elektrodenschichtmu­ sters.

14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß der Isolieroxidfilm durch Entfernen des Opferoxid-Filmmu­ sters derart unterschnitten wird, daß das erste Elektro­ denschichtmuster an einem Kantenabschnitt seiner unteren Oberfläche freigelegt wird.

15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß die dritte Elektrodenschicht zur Schaffung einer guten Leitfähigkeitseigenschaft aus einem Polysilicium herge­ stellt ist, das eine Verunreinigung enthält, und daß die ersten und zweiten Elektrodenschichten aus reinem Polysi­ licium hergestellt sind, wobei die Verunreinigung der dritten Elektrodenschicht in das reine Polysilicium der ersten und zweiten Elektrodenschichten beim Schritt der Ausbildung des dielektrischen Films diffundiert werden.

16. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß das Opferoxid-Filmmuster längs Polysiliciumkörnern der zweiten Elektrodenschicht gemäß einem Hochtemperaturoxi­ dationsprozeß derart aufgewachsen wird, daß das zweite Elektrodenschichtmuster eine rauhe obere Oberfläche hat.

17. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß es den Schritt des Ausbildens von zumindest zwei zusätz­ lichen Elektrodenschichten und zumindest eines zusätzli­ chen Opferoxid-Filmmusters in Vogelschnabelgestalt in ab­ wechselnder Weise sowohl auf der zweiten Elektroden­ schicht wie auf dem Opferoxid-Filmmuster umfaßt.

18. Verfahren zur Herstellung eines Kondensators einer Halb­ leiterspeichervorrichtung, umfassend die Schritte:
Zubereiten eines Halbleitersubstrats, das mit einem Tran­ sistor ausgebildet ist, der einen Verunreinigungs-Diffu­ sionsbereich hat,
aufeinanderfolgendes Ausbilden eines eingeebneten Iso­ lieroxidfilms, einer Sperrschicht und einer ersten Elek­ trodenschicht über dem Halbleitersubstrat,
Ätzen jeweils vorbestimmter Abschnitte der ersten Elek­ trodenschicht, der Sperrschicht und des Isolieroxidfilms in fortgesetzter Weise gemäß einem Ätzprozeß unter Ver­ wendung einer Kontaktlochmaske, wodurch ein erstes Kon­ taktloch ausgebildet wird,
Ausbilden von Elektrodenmaterialabstandhaltern jeweils an Seitenwänden des ersten Kontaktlochs derart, daß der Iso­ lieroxidfilm teilweise durch einen Bereich freigelegt wird, der durch die Elektrodenmaterialabstandhalter fest­ gelegt ist,
Ausbilden eines zweiten Kontaktlochs zum Freilegen des Verunreinigungs-Diffusionsbereichs gemäß einem selektiven Ätzprozeß unter Verwendung der ersten Elektrodenschicht und der Elektrodenmaterialabstandhalter als Ätzbarriere, Ausbilden einer zweiten Elektrodenschicht über der gesam­ ten freiliegenden Oberfläche der resultierenden Struktur, die nach der Ausbildung des zweiten Kontaktlochs erhalten wird, derart, daß die zweite Elektrodenschicht sich in elektrischem Kontakt mit dem Verunreinigungs-Diffusions­ bereich befindet,
Ausbilden eines Opferoxid-Filmmusters in Vogelschnabelge­ stalt auf einem Abschnitt der zweiten Elektrodenschicht, der um das erste Kontaktloch herum angeordnet ist,
Ausbilden einer dritten Elektrodenschicht über der gesam­ ten freiliegenden Oberfläche der resultierenden Struktur, die nach der Ausbildung des Opferoxid-Filmmusters erhal­ ten wird,
Ausbilden eines Photoresist-Filmmusters auf der dritten Elektrodenschicht derart, daß das Photoresist-Filmmuster einen Bereich überlappt, der um das erste Kontaktloch herum festgelegt ist, und einen vorbestimmten Abschnitt des Opferoxid-Filmmusters,
Ätzen der dritten Elektrodenschicht unter Verwendung des Photoresistmusters als Ätzbarriere, bis das Opferoxid- Filmmuster teilweise freigelegt ist, wodurch ein drittes Elektrodenschichtmuster ausgebildet wird,
Entfernen des Photoresistmusters, wodurch eine obere Oberfläche des dritten Elektrodenschichtmusters freige­ legt wird,
aufeinanderfolgendes Ätzen der zweiten Elektrodenschicht und der ersten Elektrodenschicht unter der Bedingungen, daß das Photoresistmuster und der freiliegende Abschnitt des Opferoxid-Filmmusters als Ätzbarriere verwendet wird, bis die Sperrschicht freigelegt ist, wodurch ein zweites Elektrodenschichtmuster und ein erstes Elektrodenschicht­ muster ausgebildet werden,
Entfernen des Photoresistmusters, wodurch eine obere Oberfläche des dritten Elektrodenschichtmusters freige­ legt wird,
Naßätzen des Opferoxid-Filmmusters, wodurch eine obere Oberfläche des zweiten Elektrodenschichtmusters und eine untere Oberfläche des dritten Elektrodenschichtmusters vollständig freigelegt werden, und
aufeinanderfolgendes Ausbilden eines dielektrischen Films und einer Plattenelektrode über freiliegenden Oberflächen des ersten Elektrodenschichtmusters, des zweiten Elektro­ denschichtmusters und des dritten Elektrodenschichtmu­ sters.

19. Verfahren nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß die dritte Elektrodenschicht zur Schaffung einer guten Leitfähigkeitseigenschaft aus Polysilicium besteht, das eine Verunreinigung enthält, und daß die ersten und zwei­ ten Elektrodenschichten und die Elektrodenmaterialab­ standhalter aus reinem Polysilicium hergestellt sind, wo­ bei die Verunreinigung der dritten Elektrodenschicht in das reine Polysilicium der ersten und zweiten Elektroden­ schichten und der Elektrodenmaterialabstandhalter bei dem Schritt diffundiert werden, bei dem der dielektrische Film ausgebildet wird.

20. Verfahren nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, daß das Opferoxid-Filmmuster längs Polysiliciumkörnern der zweiten Elektrodenschicht gemäß einem Hochtemperaturoxi­ dationsprozeß derart aufgewachsen werden, daß das zweite Elektrodenschichtmuster eine rauhe obere Oberfläche hat.

21. Verfahren nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daß es den Schritt des Ausbildens von zumindest zwei zusätz­ lichen Elektrodenschichten und zumindest eines zusätzli­ chen Opferoxid-Filmmusters in Vogelschnabelgestalt in ab­ wechselnder Weise sowohl auf der zweiten Elektroden­ schicht wie dem Opferoxid-Filmmuster umfaßt.