DE60015513T2 - Verfahren und vorrichtung zum plattieren und polieren eines halbleiterbauelements - Google Patents

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    • H01L21/3212—Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]

Description

  • Gebiet der Erfindung
  • Diese Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Plattieren und Polieren eines leitenden Materials auf ein Halbleitersubstrat. Insbesondere richtet sich die Erfindung auf ein Verfahren und eine Vorrichtung, um mittels Verwendung einer einzigen Vorrichtung zuerst das leitende Material auf das Halbleitersubstrat zu plattieren und dann zu polieren. Darüberhinaus richtet sich die Erfindung auf ein Verfahren und eine Vorrichtung zum diskontinuierlichen Auftragen des leitenden Materials auf das Halbleitersubstrat sowie zum diskontinuierlichen Polieren des Substrats, wenn ein solches leitendes Material nicht auf das Substrat aufgebracht wird. Die Erfindung liefert auch ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Plattieren/Aufbringen und/oder Polieren eines leitenden Materials auf eine Substratfläche mittels einer neuartigen Pad-Anordnung
  • Hintergrund der Erfindung
  • Ein herkömmlicher Verfahrensschritt bei der Herstellung von integrierten Schaltungen und Vorrichtungen beinhaltet das Plattieren einer Metallschicht auf eine Halbleiterwaferoberfläche mittels einer Plattiervorrichtung. Normalerweise wurde die Waferoberfläche zuvor geätzt und enthält viele Löcher und/oder Rillen. Ein Ziel beim Waferplattieren besteht darin, die Löcher und Rillen gleichmäßig mit einem leitenden Material zufüllen. Es ist jedoch sehr schwierig, die Löcher und Rillen gleichmäßig zu füllen, so dass keine Hohlräume entstehen. Es ist wohlbekannt, dass bestehende Hohlräume eine schlechte Leistung und fehlerhafte Bauteile hervorbringen. Nach einem solchen Plattierschritt wird normalerweise ein Polierschritt mittels einer Poliervorrichtung ausgeführt, um eine generell flache Waferoberfläche zu erhalten.
  • Eine Plattier- und Poliervorrichtung zum wiederholten Ausführen von Plattieren und Polieren in aufeinander folgenden Verfahrensschritten ist in der EP 0903774 offenbart.
  • Das Plattieren der Waferoberfläche mit dem leitenden Material über einer Grundmetallschicht findet bedeutsame und breite Anwendung in der Halbleiterindustrie. Herkömmlicherweise werden Aluminium und andere Metalle als eine von vielen Metallschichten, die einen Halbleiterchip bilden, plattiert. In letzter Zeit jedoch besteht ein großes Interesse an Kupferablagerung für Zusammenschaltungen auf Halbleiterchips, da Kupfer im Vergleich zu Aluminium den elektrischen Widerstand reduziert und die Halbleiterchips schneller laufen und weniger Wärme erzeugen, wodurch die Chip-Kapazität und Effektivität bedeutend wachsen. Weiterhin ist Kupfer ein besserer Leiter als Aluminium.
  • Dünnfilm-Plattieren von Kupfer in Löcher und Rillen im Submikrometerbereich wird zunehmend schwieriger bei der ULSI Chip-Bearbeitung, insbesondere wenn die Objektgröße unterhalb 0,25μm liegt und das Längenverhältnis größer als 5 zu 1 ist. Herkömmliches CVD wird verwendet, um diese in Siliconsubstrate geätzte Löcher und Rillen zu füllen. Leider hat dieses Verfahren bis jetzt hohe Kosten für die Entwicklung und Integration von Zusammenschaltungen für die ULSI-Technik erzeugt.
  • Dementsprechend ist eine genauere, kosteneffektive und zuverlässige Weise zum Aufbringen eines leitenden Materials auf das Halbleitersubstrat erforderlich.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfahren und eine Vorrichtung bereitzustellen, mittels derer ein leitendes Material auf eine Halbleiter-Werkstückoberfläche plattiert/aufgebracht wird und dann diese Werkstückoberfläche poliert wird.
  • Eine weitere Aufgabe der Erfindung besteht darin, ein Verfahren und eine Vorrichtung bereitzustellen, mittels derer ein leitendes Material auf eine Werkstückoberfläche plattiert/aufgebracht wird mittels Pinselgalvanisieren oder elektrochemisch-mechanischer Ablagerung, und diese Werkstückoberfläche mittels Elektropolieren oder chemisch-mechanischem Polieren poliert wird.
  • Eine weitere Aufgabe der Erfindung besteht darin, ein Verfahren und eine Vorrichtung bereitzustellen, mit mehreren Kammern in einer einzelnen Vorrichtung zum Plattieren/Aufbringen des leitenden Materials und Polieren der Werkstückoberfläche.
  • Eine weitere Aufgabe besteht darin, ein Verfahren und eine Vorrichtung bereitzustellen, die neuartige Pad-Anordnungen haben, um sowohl das leitende Material zu plattieren/aufzubringen als auch die Werkstückoberfläche zu polieren.
  • Eine weitere Aufgabe besteht darin, ein Verfahren und eine Vorrichtung bereitzustellen, die ein leitendes Material auf eine Werkstückoberfläche plattieren/aufbringen ohne dass ein Pad oder ein anderes festes Objekt in direkten Kontakt mit der Werkstückoberfläche kommt.
  • Diese und andere Aufgaben der Erfindung werden erzielt durch Bereitstellen von separaten Plattier- und Polierschritten in direkter Nähe zueinander in einer einzigen Vorrichtung. Eine erste Kammer kann verwendet werden, um das leitende Material von einer Elektrolytlösung auf die Werkstückoberfläche zu plattieren/aufzubringen. Dies wird erzielt durch Bereitstellen eines Pads, das an einer zylindrischen Anode angeordnet ist und Aufbringen des leitenden Materials auf die Werkstückoberfläche mittels der auf dem Pad aufgebrachten Elektrolytlösung oder durch das Pad.
  • Eine Vorrichtung, die ein solches Plattieren ausführt, beinhaltet eine Anode und eine Kathode, ein Werkstück, oder ein Werkstück, das von der Anode beabstandet ist. Ein an der zylindrischen Anode angeordnetes Pad dreht sich um eine erste Achse und das Werkstück dreht sich um eine zweite Achse, und Metall von der Elektrolytlösung wird auf das Werkstück aufgebracht, wenn eine Potentialdifferenz zwischen dem Werkstück und der Anode angelegt wird.
  • Alternativ kann die Plattierkammer eine Anodenelektrode aufweisen, die von der Kathode oder dem Werkstück beabstandet ist. Durch Anlegen eines Stroms an die Anodenelektrode und Kathode wird die Elektrolytlösung, die in der Plattierkammer angeordnet ist, verwendet, um das leitende Material auf die Werkstückoberfläche aufzubringen.
  • In einer Polierkammer ist auch ein Pad an einer weiteren zylindrischen Anode oder einer zylindrischen Walze zum Polieren der Werkstückoberfläche befestigt. Polieren kann entweder mittels einem Elektropolierverfahren oder chemisch-mechanischem Polierverfahren ausgeführt werden. Polieren der Werkstückoberfläche verhindert vorzugsweise Ansammlung des leitenden Materials in bestimmten Bereichen des Werkstücks, während eine im allgemeinen planare Oberfläche geschaffen wird.
  • Die vorliegende Erfindung beschreibt weiterhin neue Anodenanordnungen mit einzelnen Anoden-Pad-Anordnungen, die verwendet werden können, um die Werkstückoberfläche zu plattieren und/oder polieren.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • Diese und andere Aufgaben und Vorteile der Erfindung werden deutlicher und besser gewürdigt in der folgenden detaillierten Beschreibung der momentan bevorzugten beispielhaften Ausführungsform der Erfindung in Verbindung mit den beiliegenden Zeichnungen.
  • 1 zeigt einen kennzeichnenden Durchgang, der mit einem Leiter gemäß der Erfindung zu füllen ist;
  • 2 zeigt eine perspektivische Darstellung einer ersten bevorzugten Ausführungsform der Erfindung;
  • 3 zeigt einen Querschnitt einer ersten bevorzugten Ausführungsform der Erfindung;
  • 4 zeigt eine perspektivische Darstellung einer zweiten bevorzugten Ausführungsform der Erfindung;
  • 5 zeigt eine Seiten-Querschnittsansicht einer zweiten bevorzugten Ausführungsform der Erfindung;
  • 6 zeigt eine perspektivische Darstellung einer ersten neuartigen Anodenanordnung gemäß der bevorzugten Ausführungsform der Erfindung;
  • 7 zeigt einen Querschnitt einer ersten neuartigen Anodenanordnung gemäß der bevorzugten Ausführungsform der Erfindung;
  • 8 zeigt eine perspektivische Ansicht einer zweiten neuartigen Anodenanordnung gemäß der bevorzugten Ausführungsform der Erfindung;
  • 9 zeigt einen Querschnitt einer zweiten neuartigen Anodenanordnung gemäß der bevorzugten Ausführungsform der Erfindung;
  • 10 zeigt einen Querschnitt einer „kontaktlosen Plattier“-Vorrichtung und -Verfahren gemäß der bevorzugten Ausführungsform der Erfindung;
  • 11 zeigt einen Querschnitt eines Substrats mit verschiedenen Schichten und darauf angeordneten Körnern; und
  • 12A–12B zeigen Querschnitte eines Verfahrens zum vorteilhaften Beeinflussen der Textur eines leitenden Materials gemäß der bevorzugten Ausführungsform der Erfindung.
  • Detaillierte Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen
  • Die bevorzugten Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung werden nun in Bezug auf 1–12 beschrieben. Wie zuvor erwähnt wurde, werden beim herkömmlichen Bearbeiten unterschiedliche Geräte zu unterschiedlichen Zeiten verwendet, um ein leitendes Material in Löchern und Rillen oder an anderen gewünschten Stellen auf der Oberfläche eines Halbleiterwafers, der viele unterschiedliche Halbleiterchips enthält, zu bringen. Dementsprechend können die Kosten für die Geräte zum Herstellen einer hochqualitativen integrierte Halbleiter-Schaltung unerschwinglich sein.
  • Die vorliegende Erfindung zieht unterschiedliche Ausführungsformen in Betracht, die es ermöglichen, dass dieselbe Vorrichtung zum Plattieren/Aufbringen eines leitenden Materials auf die Oberfläche und in den Kontakt, Durchgangslöcher und Rillen, sowie zum Polieren der Waferoberfläche verwendet werden kann. Während die vorliegende Erfindung mit jeglichem leitenden Material verwendet werden kann, ist sie besonders zur Verwendung mit Kupfer als Leiter geeignet sowie zur Verwendung bei der Herstellung von ULSI-Integrierten Schaltungen mit Strukturen im Submikrometerbereich mit großen Längenverhältnissen.
  • Obwohl ein Halbleiterwafer verwendet wird, um die bevorzugten Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung zu beschreiben, können weiterhin erfindungsgemäß andere Halbleiter-Werkstücke, wie flache Bauteile oder Magnetfilmköpfe verwendet werden.
  • 1 zeigt einen Ausschnitt eines Wafers 2, in dem ein Durchgang gebildet werden soll. Die Durchkontaktierung ist ein leitendes Material, das unterschiedliche Schaltungsschichten elektrisch koppelt, was bei Halbleitern bekannt ist. Wie in 1 gezeigt ist, enthält die Durchkontaktierung einen Leiter 8, der eine untere leitende Schicht 4 mit einer oberen leitenden Schicht 6 verbinden kann, wobei ein Isoliermaterial 10 um diese angeordnet ist. Es ist klar, dass die vorliegende Erfindung bei einer beliebigen Metallschicht eines mehrschichtigen Integrierten Schaltungschips verwendet werden kann.
  • 2 zeigt eine perspektivische Ansicht und 3 zeigt einen Querschnitt einer ersten bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. In Bezug zurück auf 2–3 wird ein leitendes Material, vorzugsweise Kupfer, in Durchgangslöcher, Rillen und/oder andere gewünschte Bereiche eines Wafers mittels einer Elektrolytlösung 11 von einer ersten Kammer 100 aufgebracht, während in einer zweiten Kammer 20 der Aufbau des leitenden Materials auf nicht erwünschten Bereichen verhindert oder zumindest minimiert wird aufgrund von Elektropolieren oder chemisch-mechanischem Polieren, das auf der Oberfläche des Wafers ausgeführt wird, jedoch nicht in dem Kontakt, Durchgangslöchern und Rillen. Die erste Kammer 100 ist von der zweiten Kammer 200 über eine mittlere Abtrennung 60 getrennt.
  • Die erste und zweite Kammer 100, 200 beinhalten jeweils eine Anodenanordnung 12, 14 mit einem kreisförmigen oder quadratischen mechanischen Pad 16, 18, das an einer zylindrischen Anode 20, 22 angeordnet ist, die sich um eine erste Achse 24 dreht und eine Waferkopfanordnung 26 mit einem Wafer 2, der sich um eine zweite Achse 28 dreht. Die gesamte Waferkopfanordnung 26 ist weiterhin so ausgebildet, dass sie sich von einer Seite zur anderen in Richtung des Pfeils 30 bewegt, so dass der Mittelbereich des Wafers 2 plattiert und poliert werden kann. Die zylindrischen Anoden 20, 22 sind mit Wellen 32, 34 zur Rotation um eine Achse 24 verbunden. Wie gezeigt ist, dreht sich der Wafer 2 in einem Bereich, der von den mechanischen Pads 16, 18 bedeckt ist, was im folgenden detaillierter beschrieben ist, wobei der Bereich in den Kammern 100, 200 liegt, welche die Elektrolytlösung 11 enthalten. Obwohl hier der Betrieb bei einem einzigen Wafer gezeigt ist, ist es klar, dass eine Vielzahl von Waferkopfanordnungen 26 mit der vorliegenden Erfindung verwendet werden könnte.
  • In Bezug auf 3 kann die Waferkopfanordnung 26 ein nicht leitendes, vorzugsweise kreisförmiges Futter 36 mit einem Hohlraum beinhalten, der vorzugsweise ein paar Millimeter tief ist an seinem Mittelpunkt und ein ruhendes Pad (nicht gezeigt) enthalten kann. Der Wafer 2 wird mit der Rückseite voraus in den Hohlraum geladen entgegen dem Ruhe-Pad mittels einer herkömmlichen Art von Transport- oder Vakuummechanismus, um sicherzustellen, dass der Wafer 2 in Bezug auf die Waferkopfanordnung 26 während des Gebrauchs stationär ist. Ein nicht leitender Haltering 40, beispielsweise ein O-Ring oder eine andere Art von Gummidichtung am Umfang der Waferkopfanordnung 26 und eine die Kathode berührende Elektrode 38 drücken jeweils gegen den Rand des Wafers 2 und halten den Wafer 2 an Ort und Stelle. Die gesamte Rückseite des Wafers 2, die gegen das Futter 36 drückt, das unter dem Haltering 40 ist, wird somit vor jeglichen Lösungen, einschließlich der Elektrolytlösung geschützt. Andere herkömmliche Waferkopfanordnungen können gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet werden.
  • Anstelle der Verwendung der beschriebenen Kathodenkontakte 38 kann das elektrische Potential an den Wafer mittels eines Ringleiters angelegt werden. Weiterhin können andere Verfahren zum Anlegen des elektrischen Potentials an den Wafer gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet werden. Ein Flüssigleiter oder ein aufblasbares Rohr, das mit einem leitenden Material überzogen ist, können bei der vorliegenden Erfindung verwendet werden.
  • Erfindungsgemäß kann die erste Kammer 100 zum Plattieren und die zweite Kammer 200 zum Polieren verwendet werden. Die zwei Kammern 100, 200 können austauschbar verwendet werden, wobei die erste Kammer 100 zum Polieren und die zweite Kammer 200 zum Plattieren verwendet werden kann. Wie oben beschrieben wurde, beinhaltet die erste Kammer 100 die erste Anodenanordnung 12 zum Plattieren und die zweite Kammer 200 beinhaltet die zweite Anodenanordnung 14 zum Elektropolieren. Elektrische Potentiale werden an die Anode 20, die Anode 22 und den Wafer 2 angelegt. Bei der vorliegenden Erfindung kann ein beliebiges bekanntes Verfahren zum Bereitstellen der elektrischen Potentiale an die zwei zylindrischen Anoden verwendet werden. In bekannter Weise bestimmt der Unterschied im Betrag des elektrischen Potentials, das an jede der zwei zylindrischen Anoden 20, 22 angelegt wird, welche Anodenanordnung zum Plattieren und welche zum Elektropolieren verwendet wird.
  • Eine Elektrolytlösung 11 strömt von unteren Öffnungen 50 der zwei Kammern 100, 200 bis die Lösung 11 in Kontakt mit den Pads 16, 18 kommt. Die Elektrolytlösung 11 zirkuliert weiterhin über Seitenöffnungen 52 zu dem Kanal 54 zu den unteren Öffnungen 50. Die Elektrolytlösung 11 kann ursprünglich in die erste und zweite Kammer 100, 200 über ein Reservoir (nicht gezeigt) durch einen Einlasskanal (nicht gezeigt) zugeführt werden.
  • In der ersten Kammer 100 ermöglicht eine erste elektrische Potentialdifferenz zwischen der zylindrischen Anode 20 und dem Kathodenwafer 2, dass das Metall in der Elektrolytlösung 11 auf die Waferoberfläche über ein Pad 16 plattiert wird. In der zweiten Kammer 200 wird der Wafer durch eine zweite elektrischen Potentialdifferenz zwischen der zylindrischen Anode 22 und dem Kathodenwafer 2 poliert.
  • Der Plattiervorgang der vorliegenden Erfindung kann ausgeführt werden mittels eines Pinselgalvanisierverfahrens oder eines „elektrochemisch-mechanischen Ablagerungs-Verfahrens“.
  • Der Poliervorgang der vorliegenden Erfindung kann mittels Elektropolieren oder durch chemisch-mechanisches Polieren erfolgen, was im folgenden detaillierter beschrieben wird. Bei Betrieb ist ersichtlich, dass das walzenförmige mechanische Pad 18 den Wafer in ähnlicher Weise poliert wie ein Walzenschleifer Farbe von einer Wand entfernt.
  • In der Polierkammer 200 kann das mechanische Pad 18 eine Größe haben, die einen Abschnitt des Wafers 2 zu jedem beliebigen Zeitpunkt poliert. Eine oder mehr Antriebsanordnungen (nicht gezeigt) sind ebenfalls vorgesehen, die die zylindrischen Anoden 20, 22 drehen und dadurch die mechanischen Pads 16, 18, so dass sie in Kontakt mit dem Abschnitt des Wafers 2 sind, der plattiert und poliert werden muss. Die mechanischen Pads 16, 18 sind vorzugsweise aus einem nicht leitenden, porösen Material wie Polyurethan gefertigt. Die mechanischen Pads 16, 18 haben auch vorzugsweise eine kreisförmige Form, können jedoch jegliche andere Form haben, so lange sie den Wafer effektiv plattieren und/oder polieren können.
  • 4 zeigt eine perspektivische Ansicht und 5 einen Querschnitt einer zweiten bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Die zweite bevorzugte Ausführungsform weist ebenfalls eine erste Kammer 300 zum Plattieren und eine zweite Kammer 400 zum Polieren des Wafers 2 auf. Die erste Kammer 300 ist von der zweiten Kammer 400 durch eine mittlere Abtrennung/Wand 460 getrennt.
  • In Bezug nun auf 5 beinhaltet die erste Kammer 300 eine Anodenplatte 306 unten in der Kammer 300. Jegliches bekannte Verfahren zum Befestigen der Anodenplatte 306 oder Form am Boden der Kammer 300 kann verwendet werden. Die Elektrolytlösung 11 wird über Ablaufkanäle 302 zu der unteren Öffnung 304 oder durch die Anodenplatte 306 zirkuliert.
  • Die zweite Kammer 400 beinhaltet ein mechanisches Pad 402, das an einer zylindrischen Walze 404 befestigt ist, um den Wafer 2 chemisch-mechanisch zu polieren (CMP). Die Walze wird mittels einer Welle 406 um die Achse 408 gedreht. CMP ist ein Materialebnungsverfahren, welches das chemische Entfernen von Halbleiterschichten, so wie Isolatoren oder Metall, mit mechanischem Puffern auf der Substratoberfläche kombiniert. CMP kann ein globales Ebnen der Waferoberfläche ermöglichen. Z.B. während des Wafer-Herstellungsprozesses wird CMP oft verwendet, um die Profile zu polieren, die sich bei mehrschichtigen Metall-Verbindungsschemen bilden.
  • Bei Betrieb gemäß der zweiten bevorzugten Ausführungsform der Erfindung legt die Vorrichtung mittels einer Energiequelle ein negatives Potential an den Kathodenkontakt 38 und ein positives Potential an die Anodenelektrode/Abschirmung 306 an. Wenn ein elektrischer Strom zwischen den zwei Elektroden hergestellt ist, wird das Metall in dem Elektrolyt auf die Oberfläche des Wafers 2 aufgebracht.
  • Nach diesem Aufbringen erfolgt ebenfalls mechanisch-chemisches Polieren des Wafers 2 mittels der mechanischen Pad-Anordnung 412. Ein Poliermittel oder Emulsion kann auf das Polierpad 402 über einen Emulsionskanal 410 aufgebracht werden, um den Wafer 2 zu polieren. Eine Mittelwand 420, die die zweite Kammer 400 von der ersten Kammer 300 trennt, sollte ausreichend hoch sein, so dass die Emulsion nicht in die erste Kammer 300 dringt. Andere herkömmliche Verfahren zum Verhindern, dass Emulsion in die Plattierkammer 300 gelangt, können bei der vorliegenden Erfindung verwendet werden. Aufgrund der Polier- oder Reibwirkung des mechanischen Pads 402 verhindert die mechanische Pad-Anordnung 412 im Wesentlichen, dass Metalle permanent auf die Oberflächen des Wafers 2 aufgebracht werden, wo dies unerwünscht ist. Dementsprechend wird Metall, z.B. Kupfer, in Durchgänge, Rillen und dergleichen, wo dies erwünscht ist, aufgebracht und es wird im Wesentlichen verhindert, dass es in unerwünschte Bereiche, wie die Oberfläche oder Feldbereich des Wafers, aufgebracht wird.
  • Die Waferkopfanordnung 26 weist in Richtung der mechanischen Padanordnung 412 und wird mit geregelter Kraft nach unten gedrückt. Die Waferkopfanordnung 26 ist ähnlich zu der in Bezug auf 2 und 3 beschriebenen und dreht sich um die Achse 28 mittels einer herkömmlichen motorisierten Spindel (nicht gezeigt). Die Waferkopfanordnung 26 ist ebenfalls so ausgebildet, dass sie sich von einer Seite zur anderen in Richtung des Pfeils 30 bewegt, so dass der mittlere Bereich des Wafers 2 plattiert und poliert werden kann.
  • Die vorliegende Erfindung kann den Bedarf an Impuls-erzeugenden Stromversorgungen reduzieren, da das mechanische Pulsieren, erzeugt durch die Bewegung des Pads, ausreichend Pulsieren erzeugt. Dieses mechanische Pulsieren entsteht als Folge dadurch, dass der Wafer in Kontakt mit dem Pad ist, wenn sich dieses in Bezug auf den Wafer bewegt. Der Nutzen des mechanischen Pulsierens besteht darin, dass es die Korngröße und Kupferfilmintegrität verbessert, ohne dass Stromversorgungen mit Pulsierfähigkeit bereitgestellt werden müssen.
  • Es wird darauf hingewiesen, dass der Umfang der vorliegenden Erfindung das Auswechseln der Plattierverfahren und Polierverfahren der ersten und zweiten bevorzugten Ausführungsform der Erfindung untereinander in Betracht zieht. Zum Beispiel kann das CMP-Verfahren der zweiten bevorzugten Ausführungsform mit dem Elektropolierverfahren der ersten bevorzugten Ausführungsform ausgewechselt werden. Entsprechend kann das Plattierverfahren der ersten Ausführungsform mit dem Plattierverfahren der zweiten Ausführungsform ausgewechselt werden.
  • Obwohl nur zwei Ausführungsformen der Erfindung im Detail beschrieben wurden, kann die vorliegende Erfindung mit einer beliebigen Anzahl von Behältern mittels verschiedener Plattier- und Polierverfahren verwendet werden, um die Aufgaben der Erfindung zu lösen. Es können z.B. drei Kammern bei der Erfindung verwendet werden, wobei die mittlere Kammer zum Polieren verwendet werden kann, während die linke und rechte Kammer zum Plattieren/Aufbringen verwendet werden können.
  • Die in 6–9 gezeigte Erfindung beschreibt weiterhin ein Verfahren und eine Vorrichtung zum diskontinuierlichen Aufbringen von leitendem Material auf das Halbleitersubstrat und ebenso diskontinuierlichem Polieren des Substrats, wenn ein solches leitendes Material nicht auf das Substrat aufgebracht wird. Beim diskontinuierlichen Aufbringen des leitenden Materials wird bei der vorliegenden Erfindung ein elektrischer Strom mit einer Potentialdifferenz zwischen dem Werkstück und der Anode angelegt, so dass das leitende Material auf das Werkstück aufgebracht werden kann, wenn ein solcher Strom angelegt ist. Weiterhin können Gegenstromimpulse zwischen den Werkstücken angelegt werden.
  • 6 zeigt eine perspektivische Ansicht und 7 einen Querschnitt einer ersten Anodenanordnung gemäß der Erfindung. Die Anodenanordnung 500 beinhaltet eine einzige Anodenpad-Anordnung zum Plattieren als auch Polieren des Werkstücks 802. Mehrere Streifen eines Pads 502 sind an einer zylindrische Anode 504 befestigt, geklebt oder maschinell bearbeitet, so dass das Pad 502 von der Außenfläche der Anode 504 vorsteht. Ein elektrischer Strom wird an die zylindrische Anode 504 und das Kathoden-Werkstück 802 angelegt. Wenn sich die zylindrische Anode 504 um eine erste Achse 510 dreht und das Werkstück 802 sich um eine zweite Achse 512 dreht, wird das Werkstück 802 plattiert, wenn die Anode 504 dem Werkstück (Kathode) 802 zugewandt ist und kein Pad dazwischen ist, und wird poliert, wenn das Pad 502 in mechanischem Kontakt mit dem Werkstück 802 ist. Das Werkstück 802 ist weiterhin so ausgebildet, dass es sich, falls erforderlich, von einer Seite zur anderen über die Werkstückkopfanordnung (nicht gezeigt) bewegt, was durch Pfeil 520 angedeutet ist. Dieses einmalige Plattieren und Polieren ergibt sich aus der Anodenanordnung 500 aufgrund der mechanischen Poliereffekte, die durch das Bürsten des Pads 502 gegen die Werkstückoberfläche bewirkt werden, und dem Plattieren von Metall von der Anode, dem Elektrolyt und der Werkstückkonfiguration.
  • 8 zeigt eine perspektivische Ansicht und 9 zeigt einen Querschnitt einer zweiten Anodenanordnung gemäß der Erfindung. Die Anodenanordnung 600 beinhaltet auch eine einzige Anoden-Pad-Anordnung sowohl zum Plattieren als auch Polieren des Werkstücks 802. Die Anodenanordnung 600 hat die Form eines Donuts oder eine kreisförmige Form mit einem Loch 606 in der Mitte. Mehrere Streifen des Pads 602 sind an der Anode 604 angebracht, so dass das Pad 602 von der Oberfläche der Anode 604 vorsteht. Wenn ein elektrischer Strom an die Anode 604 und das Kathodenwerkstück 802 angelegt wird, und wenn sich die Anode 604 um eine erste Achse 610 dreht und das Werkstück 802 sich um eine zweite Achse 612 dreht, wird das Werkstück 802 plattiert, wenn die Anode 604 dem Werkstück 802 zugewandt ist und kein Pad dazwischen vorgesehen ist, und wird poliert, wenn das Pad 602 in mechanischem Kontakt mit dem Werkstück 802 ist. Wie oben beschrieben ist, ergibt sich ein solches einmaliges Plattieren und Polieren aus der Anodenanordnung 600, aufgrund der mechanischen Poliereffekte, die durch das Bürsten des Pads 602 an der Werkstückoberfläche resultieren. Der Durchmesser oder die Größe der Anodenanordnung 600 kann auch kleiner sein als der Durchmesser oder Größe des Werkstücks 802.
  • Während des Betriebs der Anodenanordnungen in 6–9 kann der Elektrolyt oder eine andere Lösung in die mechanischen Pads 502, 602 aus einem Reservoir (nicht gezeigt) eingeführt werden, welches in der Nähe der Anoden 504, 604 angeordnet ist. Bei einer spezifischen Ausführungsform können die Anoden 504, 604 einen Einlasskanal haben, welcher Durchgänge in dem Mittelpunkt der Anoden 504, 604 beinhaltet und Löcher, die in der Anode 504, 604 vorgesehen sind, welche zusammen einen Pfad bilden, um die Lösung dem Spalt zwischen Anode und Kathode zuzuführen. Alternativ dazu kann die Elektrolytlösung direkt auf die Anodenanordnungen 500, 600 durch einen anderen Kanal gemäß den oben beschriebenen Verfahren aufgebracht werden.
  • Außerdem kann die Elektrolytlösung, wie in 7 gezeigt ist, in einer nicht leitenden Kammer 530 enthalten sein, die um das Werkstück herum angeordnet ist. O-Ringe und andere herkömmliche Strukturen, wie oben beschrieben, können verwendet werden, um die Lösung in der Kammer 530 bei dieser Ausführungsform zu halten.
  • Erfindungsgemäß ist bei jeder der Ausführungsformen, da ein mechanischer Prozess verwendet wird, um unerwünschte Ablagerung eines Leiters in nicht erwünschten Bereichen einer Waferoberfläche zu verhindern, der Bedarf an Egalisiermitteln reduziert oder in kleinerer Menge als herkömmlich erforderlich.
  • Bei einer weiteren Ausführungsform können die neuartigen in 6–9 gezeigten Anodenanordnungen verwendet werden, um zuerst das leitende Material auf die Werkstückoberfläche zu plattieren/aufzubringen, ohne diese Oberfläche zu polieren. Dies erfolgt, wenn das Pad oder ein anderer fester Punkt nur in Nähe der Werkstückoberfläche verwendet wird, um den Elektrolytmassetransfer zu verbessern.
  • 10 zeigt beispielsweise einen Querschnitt einer „kontaktlosen Plattier“-Vorrichtung und eines Verfahrens gemäß der vorliegenden Erfindung. 10 zeigt eine nicht leitende Kammer 700 mit darin enthaltener Elektrolytlösung 11. Die Kammer 700 beinhaltet die Anodenanordnung 500 mit mehreren Streifen des Pads 502 oder montierten festen oder maschinell bearbeiteten Objekten auf der zylindrischen Anode 504. Während des Betriebs, wenn die Padstreifen 502 um die Achse 510 rotieren und von dem Werkstück 802 beabstandet sind (die Padstreifen 502 sind nicht in direktem Kontakt mit dem Werkstück 802), wird das Werkstück 802 mittels der Elektrolytlösung 11 plattiert. Die Anode 510 und Padstreifen 502 sollten vorzugsweise mit einer solchen Geschwindigkeit rotieren, dass die Elektrolytlösung 11 kontinuierlich ist und auf das Werkstück 802 aufgebracht/gespritzt wird und somit einen geschlossenen elektrischen Kreis durch die Anodenanordnung 500, den Elektrolyt und das Werkstück (Kathode) 802 bilden. Wenn ein Spalt 800 ca. 0–5mm beträgt und eine Mensikus-Lösung eines Elektrolyts enthält, ergibt dies einen sehr hohen Massetransport, wodurch qualitativ hochwertige Metallfilme auf die Werkstückoberfläche aufgebracht werden. Darüberhinaus kann der Spalt 800 größer als 5mm sein je nach Art, Form und Struktur des Pads oder des festen Objekts, das an der zylindrischen Anode 504 befestigt ist.
  • Bei den hier beschriebenen Ausführungsformen ist die Härte des Pads oder Befestigung mit der relativen Bewegungsgeschwindigkeit des Pads zum Werkstück gekoppelt. Vorzugsweise sollte das Pad porös und hart sein, um eine optimale Leistung zu erzielen.
  • Die vorliegende Erfindung kann den Bedarf an Impuls-erzeugenden Stromversorgungen reduzieren, da das mechanische Pulsieren, das durch die Bewegung des Pads relativ zu der Fläche des Werkstücks erzeugt wird, ausreichendes Pulsieren erzeugt. Dieses mechanische Pulsieren wird als Folge davon erzeugt, dass der Wafer in der Nähe des Pads ist, wenn sich dieses in Bezug auf das Werkstück bewegt. Der Nutzen des mechanischen Pulsierens besteht darin, dass es die Korngröße, den Füllungsgrad der Kontaktlöcher, Durchgänge und Rillen und die Kupferfilmintegrität verbessert, ohne dass Stromversorgungen mit Pulsiervermögen erforderlich wären.
  • 11 und 12A–12B werden nun hinzugezogen, um eine verbesserte Ausführungsform der Erfindung zu beschreiben. Es wurde festgestellt, dass die vorliegende Erfindung auch die Textur eines leitenden Materials, das durch einen Plattiervorgang aufgebracht wurde, vorteilhaft beeinflussen kann. 11 zeigt ein herkömmliches Substrat 900, auf dem eine Sperrschicht 902 und eine epitaktische Grundschicht 904 aufgebracht wurden. Wie gezeigt ist, besteht die Grundschicht 904 aus einzelnen Körnern 906, die in vorbestimmter Weise ausgerichtet sind, wie z.B. einer <111> Kristallrichtung. Nach einem herkömmlichen Plattiervorgang werden die Atome, die die leitende Plattierschicht 908 bilden, die aufgebracht wird, mit der Zeit klumpen und Körner 910 bilden, welche die ursprüngliche Kristallausrichtung der darunter liegenden Grundschicht 904 beibehalten. Wenn die Grundschicht 904 eine <111> Kristallausrichtung hat, wird diese dementsprechend die leitende Plattierschicht 908 auch haben.
  • Im Gegensatz dazu hat sich bei der Erfindung herausgestellt, dass durch Plattieren und Polieren wie oben beschrieben das Polieren die Kristallausrichtung der aufgebrachten leitenden Plattierschicht ändert, so dass diese willkürlicher wird. Wie in 12A gezeigt ist, poliert der Polierer, z.B. das Pad 402 wie zuvor beschrieben, bei Aufbringen einer ersten Schicht 958A von Atomen in die Plattierschicht 958, die erste Ebene von Atomen und bewirkt freie Bindungen bei den Atomen in der ersten Schicht. Somit bildet sich wie in 12B gezeigt, die nächste Schicht von Atomen, die darüber aufgebracht wird, nicht in derselben Weise wie die erste Schicht. Es wurde festgestellt, das der Poliervorgang bewirkt, dass sich Atome so anordnen, dass mit der Zeit die Körner, die sich auf natürliche Weise bilden wenn die Atome klumpen, eine andere Textur haben, als sie anderenfalls hätten. Diese Textur zeigt sich typischerweise als willkürlicher. Dies ist in 12B mit den entstandenen Körnern 960 gezeigt. Somit hat die Plattierschicht 958 nicht dieselbe Kristallrichtung wie die Grundschicht.
  • Wenn der Vorgang wiederholt wird und Plattieren fortgesetzt wird, und die aufgebrachten Körner poliert werden, führt dies zu einer Plattierschicht 968 mit einer größeren Unregelmäßigkeit in der Kornschicht und dementsprechend zu einer Plattierschicht mit einheitlicheren Eigenschaften.
  • Es hat sich gezeigt, dass die ersten paar Schichten von Atomen, die über die Grundschicht 904 aufgetragen wurden, poliert werden können, was das resultierende Kornmuster effektiv ändert. Die während des Plattiervorgangs aufgebrachten Atome können auch weiterhin poliert werden, wodurch diese Wirkung weiter verstärkt wird.
  • Obwohl nur die obigen Ausführungsformen oben im Detail beschrieben wurden, ist es dem Fachmann klar, dass viele Modifikationen der beispielhaften Ausführungsformen im Rahmen der Erfindung, wie sie in den beiliegenden Ansprüchen definiert sind, möglich sind.

Claims (23)

  1. Verfahren zum Plattieren und Polieren einer Oberfläche eines Halbleiter-Werkstücks, wobei das Verfahren die folgenden Schritten aufweist: Plattieren eines leitfähigen Materials auf die Oberfläche des Werkstücks mittels einer Elektrolytlösung, die auf die Oberfläche des Werkstücks aufgebracht wird, wobei das Werkstück durch eine Kopfanordnung, die in der Nähe einer Anode angeordnet ist, gehalten wird; und Polieren der Oberfläche des Werkstücks zumindest während bestimmter Zeiten, während derer nicht plattiert wird, dadurch gekennzeichnet, dass ein Oberflächenabschnitt des Werkstücks wiederholt plattiert wird, während gleichzeitig ein anderer Oberflächenabschnitt des Halbleiter-Werkstücks wiederholt poliert wird.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Plattierschritt in einer ersten Kammer und der Polierschritt in einer zweiten Kammer ausgeführt wird.
  3. Verfahren nach Anspruch 2, wobei die erste Kammer und die zweite Kammer durch eine Abtrennung getrennt sind.
  4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Plattierschritt mittels Pinselgalvanisierung oder elektrochemisch-mechanischer Ablagerung ausgeführt wird.
  5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Polierschritt mittels einer Vorrichtung zum elektrolytischen Polieren oder einer Vorrichtung zum chemisch-mechanischen Polieren ausgeführt wird.
  6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Plattierschritt vor dem Polierschritt ausgeführt wird.
  7. Verfahren nach Anspruch 1, welches weiterhin den Schritt des Erzeugens einer relativen Bewegung zwischen dem Halbleiter-Werkstück und der Anode aufweist, wobei die relative Bewegung bereitstellt, dass ein Oberflächenabschnitt des Halbleiter-Werkstücks wiederholt poliert wird, während gleichzeitig ein anderer Oberflächenabschnitt des Halbleiters wiederholt plattiert wird.
  8. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 7, das weiterhin den Schritt aufweist, dass ein Pad-Streifen oder ein fester Punkt von einer Außenfläche der Anode vorsteht.
  9. Verfahren nach Anspruch 8, das umfasst: das Polieren eines Oberflächenabschnitts des Halbleiter-Werkstücks an einem Pad-Streifenbereich der Anode, wogegen ein anderer Oberflächenabschnitt des Halbleiters an einem offenen Bereich der Anode plattiert wird.
  10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei der Plattierschritt an einem offenen Bereich zwischen der Oberfläche des Halbleiterwerkstücks und der Anode stattfindet.
  11. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 10, wobei der Polierschritt zwischen dem Pad-Streifen oder dem festen Punkt der Anode und dem Halbleiter-Werkstück stattfindet.
  12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, wobei die Anode scheibenförmig ist.
  13. Verfahren nach Anspruch 12, welches den Schritt des Rotierens der Anode um eine erste Achse aufweist.
  14. Verfahren nach Anspruch 12, welches den Schritt des Rotierens des Halbleiter-Werkstücks um eine zweite Achse aufweist.
  15. Verfahren nach Anspruch 8, welches das Fließen des Elektrolyts auf den Pad-Streifen oder den festen Punkt aufweist.
  16. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 15, welches das Einbringen des Elektrolyts auf den Pad-Streifen aufweist.
  17. Anordnung zum Plattieren und Polieren eines Halbleiter-Werkstücks, wobei die Anordnung aufweist: eine Anode (504, 604) mit einer Außenfläche; und eine Mehrzahl von Pad-Streifen oder festen Punkten (502, 602), die an der Anode so befestigt sind, dass die Mehrzahl der Pad-Streifen (502, 602) von der Außenfläche der Anode (504, 604) vorsteht, dadurch gekennzeichnet, dass die Anode so ausgebildet ist, dass sie plattiert, wenn die Pad-Streifen oder festen Punkte in der Nähe des Werkstücks sind, und poliert, wenn die Pad-Streifen oder festen Punkte das Werkstück berühren.
  18. Anordnung nach Anspruch 17, wobei die Anode dazu ausgebildet ist, um eine erste Achse zu rotieren.
  19. Anordnung nach Anspruch 17 oder 18, wobei die Anode zylindrisch ist und so ausgebildet ist, dass sie plattiert, wenn die Pad-Streifen nicht in Kontakt mit dem Werkstück sind, und poliert, wenn die Pad-Streifen in Kontakt mit dem Werkstück sind.
  20. Anordnung nach den Ansprüchen 17 bis 19, wobei die Anode eine scheibenförmige Anode ist, die eine Außenfläche hat, wobei die Anode dazu ausgebildet ist, um eine erste Achse zu rotieren.
  21. Anordnung nach Anspruch 20, wobei das Werkstück dazu ausgebildet ist, um eine zweite Achse zu rotieren.
  22. Anordnung nach einem der Ansprüche 17 bis 21, wobei die Anode einen größeren Durchmesser als das Werkstück hat.
  23. Anordnung nach einem der Ansprüche 17 bis 22, wobei die Anode einen Innendurchmesser und einen Außendurchmesser beinhaltet und jeder Pad-Streifen oder fester Punkt zwischen den Innendurchmesser und dem Außendurchmesser der Anode befestigt ist.
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Families Citing this family (142)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7531079B1 (en) 1998-10-26 2009-05-12 Novellus Systems, Inc. Method and apparatus for uniform electropolishing of damascene IC structures by selective agitation
US7449098B1 (en) 1999-10-05 2008-11-11 Novellus Systems, Inc. Method for planar electroplating
US7686935B2 (en) * 1998-10-26 2010-03-30 Novellus Systems, Inc. Pad-assisted electropolishing
US6719615B1 (en) 2000-10-10 2004-04-13 Beaver Creek Concepts Inc Versatile wafer refining
US7204917B2 (en) 1998-12-01 2007-04-17 Novellus Systems, Inc. Workpiece surface influencing device designs for electrochemical mechanical processing and method of using the same
KR20010020807A (ko) * 1999-05-03 2001-03-15 조셉 제이. 스위니 고정 연마재 제품을 사전-조절하는 방법
JP2001188254A (ja) * 1999-10-21 2001-07-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 基板内選択的電気化学処理装置と基板内選択的化学処理装置及びアクティブ基板の検査修正方法
US6341998B1 (en) 1999-11-04 2002-01-29 Vlsi Technology, Inc. Integrated circuit (IC) plating deposition system and method
US6379223B1 (en) 1999-11-29 2002-04-30 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for electrochemical-mechanical planarization
US6299741B1 (en) 1999-11-29 2001-10-09 Applied Materials, Inc. Advanced electrolytic polish (AEP) assisted metal wafer planarization method and apparatus
US6612915B1 (en) * 1999-12-27 2003-09-02 Nutool Inc. Work piece carrier head for plating and polishing
US6547937B1 (en) * 2000-01-03 2003-04-15 Semitool, Inc. Microelectronic workpiece processing tool including a processing reactor having a paddle assembly for agitation of a processing fluid proximate to the workpiece
US6630059B1 (en) * 2000-01-14 2003-10-07 Nutool, Inc. Workpeice proximity plating apparatus
US7029365B2 (en) * 2000-02-17 2006-04-18 Applied Materials Inc. Pad assembly for electrochemical mechanical processing
US7059948B2 (en) * 2000-12-22 2006-06-13 Applied Materials Articles for polishing semiconductor substrates
US20050092621A1 (en) * 2000-02-17 2005-05-05 Yongqi Hu Composite pad assembly for electrochemical mechanical processing (ECMP)
US6962524B2 (en) 2000-02-17 2005-11-08 Applied Materials, Inc. Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing
US7303462B2 (en) * 2000-02-17 2007-12-04 Applied Materials, Inc. Edge bead removal by an electro polishing process
US7678245B2 (en) 2000-02-17 2010-03-16 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for electrochemical mechanical processing
US20040020789A1 (en) * 2000-02-17 2004-02-05 Applied Materials, Inc. Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing
US7374644B2 (en) * 2000-02-17 2008-05-20 Applied Materials, Inc. Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing
US7066800B2 (en) 2000-02-17 2006-06-27 Applied Materials Inc. Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing
US6991528B2 (en) * 2000-02-17 2006-01-31 Applied Materials, Inc. Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing
US6537144B1 (en) 2000-02-17 2003-03-25 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for enhanced CMP using metals having reductive properties
US7303662B2 (en) * 2000-02-17 2007-12-04 Applied Materials, Inc. Contacts for electrochemical processing
US7670468B2 (en) 2000-02-17 2010-03-02 Applied Materials, Inc. Contact assembly and method for electrochemical mechanical processing
US6991526B2 (en) 2002-09-16 2006-01-31 Applied Materials, Inc. Control of removal profile in electrochemically assisted CMP
US7125477B2 (en) * 2000-02-17 2006-10-24 Applied Materials, Inc. Contacts for electrochemical processing
US20040182721A1 (en) * 2003-03-18 2004-09-23 Applied Materials, Inc. Process control in electro-chemical mechanical polishing
US6848970B2 (en) 2002-09-16 2005-02-01 Applied Materials, Inc. Process control in electrochemically assisted planarization
US20080156657A1 (en) * 2000-02-17 2008-07-03 Butterfield Paul D Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing
US6653242B1 (en) 2000-06-30 2003-11-25 Applied Materials, Inc. Solution to metal re-deposition during substrate planarization
US7129160B2 (en) 2002-08-29 2006-10-31 Micron Technology, Inc. Method for simultaneously removing multiple conductive materials from microelectronic substrates
US7078308B2 (en) 2002-08-29 2006-07-18 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for removing adjacent conductive and nonconductive materials of a microelectronic substrate
US7153195B2 (en) 2000-08-30 2006-12-26 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for selectively removing conductive material from a microelectronic substrate
US7220166B2 (en) 2000-08-30 2007-05-22 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for electromechanically and/or electrochemically-mechanically removing conductive material from a microelectronic substrate
US6867448B1 (en) 2000-08-31 2005-03-15 Micron Technology, Inc. Electro-mechanically polished structure
US6464855B1 (en) * 2000-10-04 2002-10-15 Speedfam-Ipec Corporation Method and apparatus for electrochemical planarization of a workpiece
US7377836B1 (en) 2000-10-10 2008-05-27 Beaver Creek Concepts Inc Versatile wafer refining
JP4644926B2 (ja) * 2000-10-13 2011-03-09 ソニー株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
US20020104764A1 (en) * 2000-11-20 2002-08-08 Gautam Banerjee Electropolishing and chemical mechanical planarization
US6896776B2 (en) * 2000-12-18 2005-05-24 Applied Materials Inc. Method and apparatus for electro-chemical processing
US6613200B2 (en) 2001-01-26 2003-09-02 Applied Materials, Inc. Electro-chemical plating with reduced thickness and integration with chemical mechanical polisher into a single platform
US7201829B2 (en) 2001-03-01 2007-04-10 Novellus Systems, Inc. Mask plate design
US7189647B2 (en) 2001-04-05 2007-03-13 Novellus Systems, Inc. Sequential station tool for wet processing of semiconductor wafers
US6572755B2 (en) 2001-04-11 2003-06-03 Speedfam-Ipec Corporation Method and apparatus for electrochemically depositing a material onto a workpiece surface
US7344432B2 (en) * 2001-04-24 2008-03-18 Applied Materials, Inc. Conductive pad with ion exchange membrane for electrochemical mechanical polishing
US7137879B2 (en) * 2001-04-24 2006-11-21 Applied Materials, Inc. Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing
TWI224531B (en) 2001-09-11 2004-12-01 Ebara Corp Substrate processing apparatus and method
US6863794B2 (en) * 2001-09-21 2005-03-08 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for forming metal layers
US20030072639A1 (en) * 2001-10-17 2003-04-17 Applied Materials, Inc. Substrate support
US6838149B2 (en) * 2001-12-13 2005-01-04 3M Innovative Properties Company Abrasive article for the deposition and polishing of a conductive material
US6802955B2 (en) 2002-01-11 2004-10-12 Speedfam-Ipec Corporation Method and apparatus for the electrochemical deposition and planarization of a material on a workpiece surface
US6951599B2 (en) 2002-01-22 2005-10-04 Applied Materials, Inc. Electropolishing of metallic interconnects
US6837983B2 (en) * 2002-01-22 2005-01-04 Applied Materials, Inc. Endpoint detection for electro chemical mechanical polishing and electropolishing processes
US6935922B2 (en) 2002-02-04 2005-08-30 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for generating a two-dimensional map of a characteristic at relative or absolute locations of measurement spots on a specimen during polishing
US20030146102A1 (en) * 2002-02-05 2003-08-07 Applied Materials, Inc. Method for forming copper interconnects
US20050194681A1 (en) * 2002-05-07 2005-09-08 Yongqi Hu Conductive pad with high abrasion
US7774726B2 (en) * 2002-06-07 2010-08-10 Cadence Design Systems, Inc. Dummy fill for integrated circuits
US7712056B2 (en) * 2002-06-07 2010-05-04 Cadence Design Systems, Inc. Characterization and verification for integrated circuit designs
US7393755B2 (en) * 2002-06-07 2008-07-01 Cadence Design Systems, Inc. Dummy fill for integrated circuits
AU2003274370A1 (en) 2002-06-07 2003-12-22 Praesagus, Inc. Characterization adn reduction of variation for integrated circuits
US7124386B2 (en) * 2002-06-07 2006-10-17 Praesagus, Inc. Dummy fill for integrated circuits
US7152215B2 (en) * 2002-06-07 2006-12-19 Praesagus, Inc. Dummy fill for integrated circuits
US7363099B2 (en) * 2002-06-07 2008-04-22 Cadence Design Systems, Inc. Integrated circuit metrology
US20030229875A1 (en) * 2002-06-07 2003-12-11 Smith Taber H. Use of models in integrated circuit fabrication
US7853904B2 (en) * 2002-06-07 2010-12-14 Cadence Design Systems, Inc. Method and system for handling process related variations for integrated circuits based upon reflections
US6790336B2 (en) * 2002-06-19 2004-09-14 Intel Corporation Method of fabricating damascene structures in mechanically weak interlayer dielectrics
US20040072445A1 (en) * 2002-07-11 2004-04-15 Applied Materials, Inc. Effective method to improve surface finish in electrochemically assisted CMP
US7799200B1 (en) 2002-07-29 2010-09-21 Novellus Systems, Inc. Selective electrochemical accelerator removal
US7112270B2 (en) 2002-09-16 2006-09-26 Applied Materials, Inc. Algorithm for real-time process control of electro-polishing
US20050061674A1 (en) 2002-09-16 2005-03-24 Yan Wang Endpoint compensation in electroprocessing
US20040055873A1 (en) * 2002-09-24 2004-03-25 Digital Matrix Corporation Apparatus and method for improved electroforming
US6855239B1 (en) 2002-09-27 2005-02-15 Rahul Jairath Plating method and apparatus using contactless electrode
US6796887B2 (en) 2002-11-13 2004-09-28 Speedfam-Ipec Corporation Wear ring assembly
US6776885B2 (en) * 2002-11-14 2004-08-17 International Business Machines Corporation Integrated plating and planarization apparatus having a variable-diameter counterelectrode
US6773570B2 (en) * 2002-11-14 2004-08-10 International Business Machines Corporation Integrated plating and planarization process and apparatus therefor
US6835657B2 (en) 2002-12-02 2004-12-28 Applied Materials, Inc. Method for recrystallizing metal in features of a semiconductor chip
US7138039B2 (en) * 2003-01-21 2006-11-21 Applied Materials, Inc. Liquid isolation of contact rings
US7087144B2 (en) * 2003-01-31 2006-08-08 Applied Materials, Inc. Contact ring with embedded flexible contacts
US7704367B2 (en) * 2004-06-28 2010-04-27 Lam Research Corporation Method and apparatus for plating semiconductor wafers
US7025861B2 (en) * 2003-02-06 2006-04-11 Applied Materials Contact plating apparatus
US7842169B2 (en) 2003-03-04 2010-11-30 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for local polishing control
US7146994B2 (en) * 2003-03-17 2006-12-12 Novellus Systems, Inc. Active rinse shield for electrofill chemical bath and method of use
US7563356B2 (en) * 2003-03-19 2009-07-21 Ebara Corporation Composite processing apparatus and method
US7250103B2 (en) * 2003-04-14 2007-07-31 Novellus Systems, Inc. Method and apparatus for eliminating defects and improving uniformity in electrochemically processed conductive layers
US7025860B2 (en) * 2003-04-22 2006-04-11 Novellus Systems, Inc. Method and apparatus for the electrochemical deposition and removal of a material on a workpiece surface
US7371306B2 (en) * 2003-06-06 2008-05-13 Semitool, Inc. Integrated tool with interchangeable wet processing components for processing microfeature workpieces
US7390382B2 (en) * 2003-07-01 2008-06-24 Semitool, Inc. Reactors having multiple electrodes and/or enclosed reciprocating paddles, and associated methods
US20050050767A1 (en) * 2003-06-06 2005-03-10 Hanson Kyle M. Wet chemical processing chambers for processing microfeature workpieces
US7393439B2 (en) * 2003-06-06 2008-07-01 Semitool, Inc. Integrated microfeature workpiece processing tools with registration systems for paddle reactors
US20070144912A1 (en) * 2003-07-01 2007-06-28 Woodruff Daniel J Linearly translating agitators for processing microfeature workpieces, and associated methods
US20050016861A1 (en) * 2003-07-24 2005-01-27 Thomas Laursen Method for planarizing a work piece
US8158532B2 (en) * 2003-10-20 2012-04-17 Novellus Systems, Inc. Topography reduction and control by selective accelerator removal
US8530359B2 (en) 2003-10-20 2013-09-10 Novellus Systems, Inc. Modulated metal removal using localized wet etching
US20050121141A1 (en) * 2003-11-13 2005-06-09 Manens Antoine P. Real time process control for a polishing process
US7186164B2 (en) 2003-12-03 2007-03-06 Applied Materials, Inc. Processing pad assembly with zone control
US20050178666A1 (en) * 2004-01-13 2005-08-18 Applied Materials, Inc. Methods for fabrication of a polishing article
US7527723B2 (en) 2004-01-16 2009-05-05 Ebara Corporation Electrolytic processing apparatus and electrolytic processing method
US20060021974A1 (en) * 2004-01-29 2006-02-02 Applied Materials, Inc. Method and composition for polishing a substrate
US7390744B2 (en) * 2004-01-29 2008-06-24 Applied Materials, Inc. Method and composition for polishing a substrate
US7153777B2 (en) 2004-02-20 2006-12-26 Micron Technology, Inc. Methods and apparatuses for electrochemical-mechanical polishing
US7125324B2 (en) 2004-03-09 2006-10-24 3M Innovative Properties Company Insulated pad conditioner and method of using same
US20050218000A1 (en) * 2004-04-06 2005-10-06 Applied Materials, Inc. Conditioning of contact leads for metal plating systems
US7285195B2 (en) 2004-06-24 2007-10-23 Applied Materials, Inc. Electric field reducing thrust plate
US20060030156A1 (en) * 2004-08-05 2006-02-09 Applied Materials, Inc. Abrasive conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing
US7566391B2 (en) 2004-09-01 2009-07-28 Micron Technology, Inc. Methods and systems for removing materials from microfeature workpieces with organic and/or non-aqueous electrolytic media
US7084064B2 (en) * 2004-09-14 2006-08-01 Applied Materials, Inc. Full sequence metal and barrier layer electrochemical mechanical processing
WO2006039436A2 (en) * 2004-10-01 2006-04-13 Applied Materials, Inc. Pad design for electrochemical mechanical polishing
US7520968B2 (en) * 2004-10-05 2009-04-21 Applied Materials, Inc. Conductive pad design modification for better wafer-pad contact
US7655565B2 (en) * 2005-01-26 2010-02-02 Applied Materials, Inc. Electroprocessing profile control
US20060196778A1 (en) * 2005-01-28 2006-09-07 Renhe Jia Tungsten electroprocessing
US20060169674A1 (en) * 2005-01-28 2006-08-03 Daxin Mao Method and composition for polishing a substrate
US20060219663A1 (en) * 2005-03-31 2006-10-05 Applied Materials, Inc. Metal CMP process on one or more polishing stations using slurries with oxidizers
US7427340B2 (en) * 2005-04-08 2008-09-23 Applied Materials, Inc. Conductive pad
CN100575564C (zh) * 2005-10-12 2009-12-30 中国海洋大学 金属板的电解蚀刻装置
US20070153453A1 (en) * 2006-01-05 2007-07-05 Applied Materials, Inc. Fully conductive pad for electrochemical mechanical processing
US20070235344A1 (en) * 2006-04-06 2007-10-11 Applied Materials, Inc. Process for high copper removal rate with good planarization and surface finish
US20070251832A1 (en) * 2006-04-27 2007-11-01 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for electrochemical mechanical polishing of cu with higher liner velocity for better surface finish and higher removal rate during clearance
US7422982B2 (en) 2006-07-07 2008-09-09 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for electroprocessing a substrate with edge profile control
KR100795969B1 (ko) * 2006-07-11 2008-01-21 노바테크인더스트리 주식회사 패널의 박형화 장치 및 방법
US20080178460A1 (en) * 2007-01-29 2008-07-31 Woodruff Daniel J Protected magnets and magnet shielding for processing microfeature workpieces, and associated systems and methods
US20080181758A1 (en) * 2007-01-29 2008-07-31 Woodruff Daniel J Microfeature workpiece transfer devices with rotational orientation sensors, and associated systems and methods
US8012000B2 (en) * 2007-04-02 2011-09-06 Applied Materials, Inc. Extended pad life for ECMP and barrier removal
US20080293343A1 (en) * 2007-05-22 2008-11-27 Yuchun Wang Pad with shallow cells for electrochemical mechanical processing
US9117870B2 (en) * 2008-03-27 2015-08-25 Lam Research Corporation High throughput cleaner chamber
KR101170765B1 (ko) * 2009-02-11 2012-08-03 세메스 주식회사 기판 도금 장치 및 방법
DE102009048669A1 (de) * 2009-09-30 2011-03-31 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum elektrochemischen Beschichten eines Substrates durch Brush Plating und Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens
US8168540B1 (en) 2009-12-29 2012-05-01 Novellus Systems, Inc. Methods and apparatus for depositing copper on tungsten
US8562272B2 (en) 2010-02-16 2013-10-22 Lam Research Corporation Substrate load and unload mechanisms for high throughput
US8893642B2 (en) 2010-03-24 2014-11-25 Lam Research Corporation Airflow management for low particulate count in a process tool
US8282698B2 (en) * 2010-03-24 2012-10-09 Lam Research Corporation Reduction of particle contamination produced by moving mechanisms in a process tool
JP2013077588A (ja) * 2011-09-29 2013-04-25 Toshiba Corp 基板処理方法
US20140042030A1 (en) * 2012-08-10 2014-02-13 General Electric Company Sealed laminated structure, system and method for electrolytic processing the same
CN104440513A (zh) * 2013-09-22 2015-03-25 盛美半导体设备（上海）有限公司 硅片加工装置及方法
CN103510149B (zh) * 2013-10-14 2015-11-18 陈功 一种带电解抛光液的湿式自动抛光方法及其设备
US9393759B2 (en) 2013-10-24 2016-07-19 General Electric Company Metal laminate structures with systems and methods for treating
US20160230284A1 (en) 2015-02-10 2016-08-11 Arcanum Alloy Design, Inc. Methods and systems for slurry coating
CN106567130A (zh) * 2015-10-10 2017-04-19 盛美半导体设备（上海）有限公司 一种改善晶圆粗糙度的方法
WO2017201418A1 (en) 2016-05-20 2017-11-23 Arcanum Alloys, Inc. Methods and systems for coating a steel substrate
CN111515826B (zh) * 2020-05-14 2020-12-08 中山东运制版有限公司 一种金属棒材打磨电镀设备
US20220220628A1 (en) * 2021-01-13 2022-07-14 Corrdesa, LLC Electrochemical treatment system

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3395092A (en) 1965-05-24 1968-07-30 Ribes Vincent Dressing apparatus for diamond wheels
US3436259A (en) 1966-05-12 1969-04-01 Ibm Method for plating and polishing a silicon planar surface
DE2008664A1 (en) 1970-02-25 1971-09-09 Licentia Gmbh Galvanically or chemically assisted mechanic
US3959089A (en) 1972-07-31 1976-05-25 Watts John Dawson Surface finishing and plating method
US3890745A (en) * 1973-02-16 1975-06-24 Anthony R Geonnotti Angle diamond grinding wheel
JPS5039871B2 (de) 1973-09-07 1975-12-19
US4153523A (en) * 1978-05-04 1979-05-08 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Continuous electrochemical processing apparatus
JPS56112497A (en) * 1980-02-12 1981-09-04 Dainichi Nippon Cables Ltd Method and apparatus for production of electrodeposited wire
JPS60184695A (ja) * 1984-03-01 1985-09-20 Nippon Kokan Kk <Nkk> 合金電気メツキ用回転陽極
US4610772A (en) 1985-07-22 1986-09-09 The Carolinch Company Electrolytic plating apparatus
JPS63288620A (ja) * 1987-05-22 1988-11-25 Kobe Steel Ltd アルミニウムの電解複合超鏡面加工方法
US4948487A (en) * 1988-11-29 1990-08-14 Kawasaki Steel Corp. Electrolytic processing apparatus for metallic members
US4919769A (en) * 1989-02-07 1990-04-24 Lin Mei Mei Manufacturing process for making copper-plated aluminum wire and the product thereof
US5024735A (en) 1989-02-15 1991-06-18 Kadija Igor V Method and apparatus for manufacturing interconnects with fine lines and spacing
US5171412A (en) 1991-08-23 1992-12-15 Applied Materials, Inc. Material deposition method for integrated circuit manufacturing
JP3200468B2 (ja) 1992-05-21 2001-08-20 日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社 ウエーハ用めっき装置
DE4324330C2 (de) 1992-08-01 1994-11-17 Atotech Deutschland Gmbh Verfahren zum elektrolytischen Behandeln von insbesondere flachem Behandlungsgut, sowie Anordnung, insbesondere zur Durchführung dieses Verfahrens
EP0702615B1 (de) 1993-06-17 1997-10-22 Minnesota Mining And Manufacturing Company Gemusterte schleifartikel und verfahren zum herstellen derselben
US5650039A (en) 1994-03-02 1997-07-22 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing apparatus with improved slurry distribution
ATE186001T1 (de) 1994-08-09 1999-11-15 Ontrak Systems Inc Linear poliergerät und wafer planarisierungsverfahren
US5593344A (en) 1994-10-11 1997-01-14 Ontrak Systems, Inc. Wafer polishing machine with fluid bearings and drive systems
US5755859A (en) 1995-08-24 1998-05-26 International Business Machines Corporation Cobalt-tin alloys and their applications for devices, chip interconnections and packaging
CN1072737C (zh) 1995-10-17 2001-10-10 佳能株式会社 刻蚀方法
US5933753A (en) 1996-12-16 1999-08-03 International Business Machines Corporation Open-bottomed via liner structure and method for fabricating same
US5807165A (en) 1997-03-26 1998-09-15 International Business Machines Corporation Method of electrochemical mechanical planarization
US5930669A (en) 1997-04-03 1999-07-27 International Business Machines Corporation Continuous highly conductive metal wiring structures and method for fabricating the same
US5833820A (en) 1997-06-19 1998-11-10 Advanced Micro Devices, Inc. Electroplating apparatus
TW405158B (en) 1997-09-17 2000-09-11 Ebara Corp Plating apparatus for semiconductor wafer processing
US6004880A (en) 1998-02-20 1999-12-21 Lsi Logic Corporation Method of single step damascene process for deposition and global planarization
JPH11333703A (ja) 1998-05-28 1999-12-07 Speedfam-Ipec Co Ltd ポリッシング加工機
US6017820A (en) * 1998-07-17 2000-01-25 Cutek Research, Inc. Integrated vacuum and plating cluster system

Also Published As

Publication number Publication date
TW506022B (en) 2002-10-11
EP1169162B1 (de) 2004-11-03
KR20010111286A (ko) 2001-12-17
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JP2002541655A (ja) 2002-12-03
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KR100778131B1 (ko) 2007-11-21
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US20050034976A1 (en) 2005-02-17
US6328872B1 (en) 2001-12-11
US7309406B2 (en) 2007-12-18
AU3929200A (en) 2000-10-23
CN1268470C (zh) 2006-08-09
US6797132B2 (en) 2004-09-28
DE60015513D1 (de) 2004-12-09
US20020011417A1 (en) 2002-01-31

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