DE60021909T2

DE60021909T2 - Prägeform-lithographie

Info

Publication number: DE60021909T2
Application number: DE60021909T
Authority: DE
Inventors: Grant Carlton WILLSON; Earl Matthew COLBURN
Original assignee: University of Texas System
Current assignee: University of Texas System
Priority date: 1999-03-11
Filing date: 2000-03-03
Publication date: 2006-05-24
Anticipated expiration: 2020-03-04
Also published as: EP1228401A1; ATE301846T1; DE60021909D1; US20010040145A1; US6334960B1; US6719915B2; WO2000054107A9; EP1228401B1; WO2000054107A1; JP2002539604A; US20050236739A1; US20120133078A1

Description

Gebiet der Erfindung
Die Erfindung betrifft allgemein die Verwendung von Lithographie-Techniken bei der Herstellung verschiedener Mikrostrukturen.
Hintergrund der Erfindung
Es gibt gegenwärtig eine starke Entwicklung in Richtung auf die Herstellung kleiner Strukturen und die Verkleinerung bestehender Strukturen, was man gewöhnlich als Mikrofabrikation bezeichnet. Ein Bereich, in welchem Mikrofabrikation eine beträchtliche Bedeutung gehabt hat, ist der mikroelektronische Bereich. Insbesondere die Verkleinerung mikroelektronischer Strukturen hat es allgemein ermöglicht, dass die Strukturen preiswerter sind, höhere Leistung haben, einen geringeren Energieverbrauch aufweisen und mehr Komponenten bei einer vorgegeben Dimension besitzen, im Vergleich zu konventionellen elektronischen Vorrichtungen. Obwohl Mikrofabrikation in der Elektronikindustrie viel genutzt worden ist, ist sie auch bei andere Anwendungen wie der Biotechnologie, Optik, mechanischen System, Fühlelementen und Reaktoren eingesetzt worden.
Lithographische Techniken werden häufig bei der Mikrofabrikation von Vorrichtungen eingesetzt. Siehe S. Wolf et al., Silicon Processing for the VLSI Era, Volume I-Process Technology, (1986), Seiten 407–413. Beispielsweise werden mittels der Mikroschaltkreis-Herstellung Photoresist-Materialien auf ein Substrat aufgebracht. Als Nächstes wird die Resistschicht selektiv einer Strahlungsform ausgesetzt. Es werden häufig eine Expositions-Vorrichtung und Maske verwendet, um die gewünschte selektive Exposition zu bewirken. Es werden Muster in dem Resist gebildet, wenn das Substrat einem anschließenden "Entwicklungs-Schritt" unterzogen wird. Die Resist-Bereiche, die nach der Entwicklung verbleiben, schützen die Substratregionen, die sie bedecken. Stellen, von de nen Resist entfernt worden ist, können einer Vielzahl von Additiven (z. B. Lift-off) oder Substraktiv-Verfahren (z. B. Ätzen) unterworfen werden, welche das Muster auf die Substratoberfläche übertragen.
Es gibt gegenwärtig eine Bewegung in Richtung auf die Entwicklung von Photolithographie-Techniken, die es ermöglichen können, dass Mikromaßstabvorrichtungen mit kleineren Merkmalen gebildet werden. Whiteside et al., Angew. Chem. Int. Ed., 1998, 37, Seiten 550–575, schlagen verschiedene Techniken vor. Eine vorgeschlagene Technik schließt die Selbst-Aggregation von Monoschichten ein. Selbst-aggregierte Monoschichten (SAMs) bilden sich typischer Weise spontan durch Chemisorption und Selbstorganisation funktionalisierter, langkettiger organischer Moleküle auf den Oberflächen geeigneter Substrate. SAMs werden gewöhnlich hergestellt durch das Tauchen eines Substrats in eine Lösung, die einen Liganden enthält, der gegenüber der Oberfläche reaktiv ist, oder durch Exposition des Substrats mit einem Dampf der reaktiven Spezies. Die Selbst-Aggregation von Monoschichten ist potentiell vorteilhaft, weil sich schnell geordnete Strukturen bilden können.
Ein Präge-Lithographie-Verfahren, das die Herstellung von Nanostrukturen mit einer Merkmalsgröße von 10 nm lehrt, wird von Chou et al., Microelectronic Engineering, 35, (1997), Seiten 237–240, vorgeschlagen. Insbesondere lehren Chou et al. das Pressen einer Form, die darin ausgebildete Nanostrukturen besitzt, in einen dünnen Resist-Abguss, der sich auf der Oberfläche eines Substrats befindet. Der Resist-Abguss ist so ausgebildet, dass er an die Gestalt der Form angepasst ist. Die Form wird dann von dem Resist-Abguss entfernt und das Substrat, auf dem sich der Resist-Abguss befindet, wird derart geätzt, dass das Muster der Form auf das Substrat übertragen wird.
Chou lehrt die Verwendung von (Poly)methylmethacrylat für den Resist-Abguss. Die Verwendung dieses Materials kann jedoch deshalb nachteilig sein, weil es möglicherweise schwierig ist, einige Strukturen mit variierenden Musterdichten zu bilden. Weiterhin ist bemerkt worden, dass es sein kann, dass die Ätz-Selektivität für die übliche Bearbeitung mikroelektronischer Vorrichtungen potentiell nicht wünschenswert ist.
Im Hinblick auf das Obige besteht in der Technik ein Bedarf an einem Präge-Lithographie-Verfahren, welches die Bildung von Nanostrukturen erlaubt, die eine hohe Auflösung für einen weiten Bereich von Musterdichten besitzen. Es wäre insbesondere wünschenswert, wenn die Nanostrukturen in effizienterer Art, im Vergleich zum Stand der Technik, gebildet werden könnten.
Zusammenfassung der Erfindung
Die vorliegende Erfindung befasst sich mit den potentiellen Problemen des Standes der Technik und stellt in einem Aspekt ein Verfahren zur Bildung eines Reliefbildes in einer Struktur bereit, die ein Substrat und eine darauf gebildete Transferschicht umfasst. Das Verfahren bezieht sich auf die Bildung von Strukturen mit Nanomaßstab-Mustern. Das Verfahren umfasst das Bedecken der Transferschicht mit einer polymerisierbaren flüssigen Zusammensetzung; das in Kontakt bringen der polymerisierbaren flüssigen Zusammensetzung mit einer Form, welche eine darin ausgebildete Reliefstruktur besitzt, so dass die polymerisierbare flüssige Zusammensetzung die Reliefstruktur in der Form ausfüllt; Aussetzen der Zusammensetzung Bedingungen, um die polymerisierbare flüssige Zusammensetzung zu polymerisieren und daraus ein verfestigtes Polymermaterial auf der Transferschicht zu bilden; Abtrennung der Form von dem verfestigten Polymermaterial, so dass ein Abbild der Reliefstruktur in der Form in dem verfestigten Polymermaterial gebildet wird und abschließend das Aussetzen der Transferschicht und des verfestigten Polymermaterials einer Umgebung, die das selektive Ätzen der Transferschicht relativ zu dem verfestigten Polymermaterial gestattet, so dass ein Reliefbild in der Transferschicht gebildet wird.
Kurze Beschreibung der Zeichnungen
1 veranschaulicht ein Verfahren zur Bildung einer Reliefstruktur in einem Substrat in Übereinstimmung mit der Erfindung.
Detaillierte Beschreibung der bevorzugten Ausführungsbeispiele
Die vorliegende Erfindung wird nun nachfolgend ausführlicher unter Bezugnahme auf die beigefügte Zeichnung und Beschreibung beschrieben, in welcher bevorzugte Ausführungsbeispiele der Erfindung gezeigt werden. Diese Erfindung kann jedoch in vielen verschiedenen Formen ausgeführt werden und sollte nicht als durch die hierin dargelegten Ausführungsbeispiele begrenzt verstanden werden. Stattdessen werden diese Ausführungsbeispiele bereitgestellt, damit diese Offenbarung genau und vollständig wird und einem Durchschnittsfachmann der Geltungsbereich der Erfindung vollständig vermittelt wird. In den Zeichnungen wird die Dicke der Schichten und Bereiche überhöht. Gleiche Zahlen bezeihen sich durchweg auf gleiche Elemente. Es wird auch begreiflich sein, dass wenn eine Schicht als "auf" einer anderen Schicht oder einem anderen Substrat bezeichnet wird, sie sich direkt auf der anderen Schicht oder dem anderen Substrat befinden kann oder auch Zwischenschichten vorhanden sein können.
In einem Aspekt betrifft die Erfindung wenigstens ein Verfahren zur Bildung eines Reliefbildes in einer Struktur, die ein Substrat und eine darauf gebildete Transferschicht umfasst. Das Verfahren umfasst das Bedecken der Transferschicht mit einer polymerisierbaren flüssigen Zusammensetzung. Die polymerisierbare flüssige Zusammensetzung wird dann mit einer Form in Kontakt gebracht, die eine darin ausgebildete Reliefstruktur besitzt, so dass die polymerisierbare flüssige Zusammensetzung die Reliefstruktur in der Form ausfüllt. Die polymerisierbare flüssige Zusammensetzung wird dann Bedingungen ausgesetzt, um die polymerisierbare flüssige Zusammensetzung zu polymerisieren und daraus ein verfestigtes Polymermaterial auf der Transferschicht zu bilden. Anders ausgedrückt, wird die polymerisierbare flüssige Zusammensetzung chemisch vernetzt oder gehärtet, um ein duroplastisches Material (d. h. verfestigtes Polymermaterial) zu bilden. Die Form wird dann von dem verfestigten Polymermaterial abgetrennt, so dass ein Abbild der Reliefstruktur in der Form in dem verfestigten Polymermaterial gebildet wird. Die Transferschicht und das verfestigte Polymermaterial werden dann einer Umgebung ausgesetzt, so dass die Transferschicht selektiv geätzt wird, relativ zum verfestigten Polymermaterial. Als Ergebnis wird in der Transferschicht ein Reliefbild gebildet. Das erfindungsgemäße Verfahren ist vorteilhaft, weil dadurch eine Anzahl von Vorrichtungen unter Nutzung von einem Durchschnittsfachmann bekannten Verfahren hergestellt werden können, wie, aber nicht begrenzt auf, mikroelektronische Vorrichtungen, Informationsspeicher-Vorrichtungen, Leiterplatten, Flachbildschirme, Mikromaschinen und Ladungskopplungsspeicher.
Das in der obigen Erfindung verwendete Substrat kann eine Anzahl verschiedener Materialien umfassen, wie, aber nicht begrenzt auf, Silizium, Kunststoff, Galliumarsenid, Quecksilbertellurid und deren Gemische. Die Transferschichten werden aus Materialien gebildet, die im Stand der Technik bekannt sind, wie zum Beispiel duroplastische Polymere, thermoplastische Polymere, Polyepoxis, Polyamide, Polyurethane, Polycarbonate, Polyester und deren Kombinationen. Die Transferschicht wird derart hergestellt, dass sie eine kontinuierliche, weiche, relativ fehlerfreie Oberfläche besitzt, die exzellente Adhäsion an die polymerisierbare Flüssigkeit zeigen kann. Wie ein Durch schnittsfachmann gut verstehen wird, bezieht sich der Begriff "Transferschicht" auf eine Schicht, die Material enthält, das geätzt werden kann, um ein Bild von der polymerisierbaren flüssigen Zusammensetzung auf das darunter liegende Substrat zu übertragen, wie es hierin im Detail beschrieben wird.
Die polymerisierbare flüssige Zusammensetzung, die in Übereinstimmung mit den erfindungsgemäßen Verfahren polymerisiert und verfestigt wird, umfasst gewöhnlich ein polymerisierbares Material, ein Verdünnungsmittel und andere Materialien, die in polymerisierbaren Flüssigkeiten eingesetzt werden, wie, aber nicht begrenzt auf, Initiatoren und andere Materialien. Polymerisierbare (oder vernetzbare) Materialien, die in den erfindungsgemäßen Verfahren verwendet werden können, umfassen verschiedene Silizium-enthaltende Materialien, die häufig in Form von Polymeren vorliegen. Die Silizium-enthaltende Materialien schließen ein, sind aber nicht begrenzt auf, Silane, Silylether, Silylester, funktionalisierte Siloxane, Silsesquioxane und deren Mischungen. Silizium-enthaltenden Materialien, die bevorzugt eingesetzt werden, sind siliziumorganische Verbindungen. Die Silizium-enthaltenden Materialien enthalten das Element Silizium bevorzugt in einer Menge, die größer ist als ungefähr 8 Prozent, bezogen auf das Gewicht der polymerisierbaren flüssigen Zusammensetzung, und stärker bevorzugt größer ist als ungefähr 10 Gewichtsprozent.
Die Polymere, die in der polymerisierbaren flüssigen Zusammensetzung vorliegen können, schließen bevorzugt verschiedene reaktive Seitengruppen ein. Beispiele für Seitengruppen schließen ein, sind aber nicht begrenzt auf, Epoxygruppen, Ketenacetylgrupen, Acrylatgruppen, Methacrylatgruppen und Kombinationen der Obigen ein. Obwohl nicht gewünscht wird, auf irgendeine Theorie festgelegt zu werden, wird angenommen, dass die polymerisierbare flüssige Zusammensetzung gemäß einer Vielzahl von Reakti onsmechanismen reagieren kann, wie, aber nicht begrenzt auf, Säurekatalyse, radikalische Katalyse oder 2 + 2-Photozykloaddition.
Die in den erfindungsgemäßen Verfahren verwendete Form kann aus verschiedenen konventionellen Materialien hergestellt werden. Gewöhnlich werden die Materialien derart ausgewählt, dass die Form transparent ist, wodurch es ermöglicht wird, die polymerisierbare flüssige Zusammensetzung, welche von der Form bedeckt wird, einer externen Strahlungsquelle auszusetzen. Beispielsweise kann die Form Materialien umfassen, wie, ist aber nicht begrenzt auf, Quarz, Silizium, organische Polymere, Siloxan-Polymere, Borosilicatglas, Fluorcarbon-Polymere, Metall und Kombinationen der Obigen. Bevorzugt umfasst die Form Quarz. Um die Ablösung der Form von dem festen Polymermaterial zu erleichtern, kann die Form mit einem oberflächenmodifizierenden Agens behandelt werden. Oberflächenmodifizierende Agenzien, die eingesetzt werden können, schließen jene ein, die im Stand der Technik bekannt sind. Ein Beispiel eines oberflächenmodifizierenden Agens ist ein Fluorkohlenwasserstoff-Silylierungsmittel. Diese oberflächenmodifizierenden Agenzien oder Ablösungsmittel können zum Beispiel angewendet werden mittels Plasmaquellen, einem chemischen Aufdampfungs-Verfahren (CVD), wie zum Beispiel Analoga von Paralene, oder einer Behandlung, die eine Lösung einschließt.
Es wird begreiflich sein, dass ein Durchschnittsfachmann das Substrat, die Form, die polymerisierbare flüssige Zusammensetzung, das oberflächenmodifizierende Agens, wie auch jedes andere Material auswählen kann, so dass das erfindungsgemäße Verfahren optimal gemäß der spezifischen Bedürfnisse des Endverbrauchers arbeitet.
Die erfindungsgemäßen Verfahren werden nun detaillierter in Bezug auf die beigefügte Zeichnung beschrieben, in welcher ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel der Erfindung gezeigt wird. 1a veranschaulicht eine schrittweise Abfolge zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens. Es liegt eine Struktur 30 vor, welche ein Substrat 10 einschließt, das eine darauf befindliche Transferschicht 20 besitzt. Wie gezeigt wird, ist Form 40 derart über der Transferschicht 20 ausgerichtet, dass die Aussparung 50 zwischen der Form 40 und Transferschicht 20 gebildet wird. Form 40 hat eine darin ausgebildete Reliefstruktur im Nanomaßstab, die ein Längenverhältnis besitzt, das bevorzugt von ungefähr 0,1 bis 10, und stärker bevorzugt von ungefähr 0,5 bis ungefähr 2 reicht. Insbesondere haben die Reliefstrukturen in der Form bevorzugt eine Breite w₁, die von ungefähr 10 nm bis ungefähr 5000 μm reicht. Die Reliefstrukturen sind durch einen Abstand d₁ von einander getrennt, der von ungefähr 10 nm bis ungefähr 5000 μm reicht.
Eine polymerisierbare flüssige Zusammensetzung 60 kommt dann mit der Transferschicht 20 und Form 40 in Kontakt, um die dazwischen befindliche Aussparung 50 zu füllen, wie in 1b gezeigt wird. Die polymerisierbare flüssige Zusammensetzung kann eine niedrige Viskosität besitzen, so dass sie die Aussparung auf effiziente Weise füllen kann. Bevorzugt reicht die Viskosität der polymerisierbaren flüssigen Zusammensetzung von ungefähr 0,01 cps bis ungefähr 100 cps, gemessen bei 25°C, und stärker bevorzugt von ungefähr 0,01 cps bis ungefähr 1 cps, bei dieser Temperatur gemessen.
Nun bezugnehmend auf 1c, wird dann die Form dichter an die Transferschicht 20 bewegt um überschüssige polymerisierbare flüssige Zusammensetzung 60 hinauszudrängen, so dass die Kanten 41a bis 41f der Form 40 in Kontakt mit der Transferschicht 20 kommen. Die polymerisierbare flüssige Zusammensetzung 60 wird dann Bedingungen ausgesetzt, die ausreichend sind, die Flüssigkeit zu polymerisieren. Bevorzugt wird die polymerisierbare flüssige Zusammensetzung 60 Strahlung ausgesetzt, die ausreichend ist um die flüssige Zusammensetzung zu polymerisie ren und ein verfestigtes Polymermaterial zu bilden, das durch 70 in 1c repräsentiert wird. Genauer gesagt, wird die polymerisierbare flüssige Zusammensetzung ultraviolettem Licht ausgesetzt, obwohl auch andere Mittel für die Polymerisierung der Flüssigkeit eingesetzt werden können, wie zum Beispiel Wärme oder andere Strahlungsformen. Die Auswahl eines Verfahrens zur Einleitung der Polymerisation der flüssigen Zusammensetzung ist einem Durchschnittsfachmann bekannt und hängt gewöhnlich von der spezifischen Anwendung ab, die gewünscht wird.
Die Form 40 lässt dann das verfestigte Polymermaterial 70 auf der Transferschicht 20 zurück, wie in 1d gezeigt wird. Die Transferschicht 20 wird dann selektiv relativ zu dem festen Polymermaterial 70 geätzt, so dass ein Reliefbild 80, korrespondierend zu dem Bild in der Form 40 in der Transferschicht 20 gebildet wird. Der Ätzschritt wird durch 1c dargestellt. Die Ätzselektivität der Transferschicht 20, relativ zu dem festen Polymermaterial 70, liegt im Bereich von ungefähr 1,5 bis ungefähr 100. Beispielsweise kann das selektive Ätzen oder Ionenfräsen durchgeführt werden, indem die Transferschicht 20 und das feste Polymermaterial 70 einer Umgebung ausgesetzt werden, wie, aber nicht begrenzt auf, einem Argonstrom, einem Sauerstoff-enthaltendem Plasma, einem reaktiven Ionenätzgas, einem Halogen-enthaltenden Gas, einem Schwefeldioxid-enthaltendem Gas und Kombinationen der Obigen.
Restmaterial (als 90 bezeichnet), welches vorliegen kann in Form von: (1) einem Anteil der polymerisierbaren flüssigen Zusammensetzung, (2) einem Anteil des festen Polymermaterials oder (3) Kombinationen von (1) und (2), könnte in den Aussparungen innerhalb des Reliefbildes 80 vorliegen. Das erfindungsgemäße Verfahren kann deshalb weiterhin den Schritt umfassen, bei dem das Restmaterial 90 Bedingungen ausgesetzt wird, so dass das Restmaterial 90 entfernt wird (z. B. Reinigungsätzen). Das Reinigungs ätzen kann unter Verwendung bekannter Verfahren durchgeführt werden. Zusätzlich sollte verständlich sein, dass dieser Schritt während verschiedener Stufen des erfindungsgemäßen Verfahrens durchgeführt werden kann. Zum Beispiel kann das Entfernen des Restmaterials vor dem Schritt durchgeführt werden, bei dem die Transferschicht und das feste Polymermaterial einer Umgebung ausgesetzt werden, in der die Transferschicht selektiv relativ zu dem festen Polymermaterial geätzt wird. Es können werden während des Reinigungsätzens verschiedene Umgebungen eingesetzt, wie beispielsweise Argonionenfräsen, ein Fluorenthaltendes Plasma, ein reaktives Ionenätzgas und deren Kombinationen.
In den Zeichnungen und der Beschreibung sind typische Ausführungsbeispiele der Erfindung offenbart worden und obwohl spezifische Begriffe verwendet werden, werden diese nur in einem allgemeinen und deskriptiven Sinn verwendet, und nicht zum Zweck der Begrenzung; der Geltungsbereich der Erfindung wird in den folgenden Ansprüchen dargelegt.

Claims

Verfahren zur Bildung eines Reliefbildes in einer Struktur, die ein Substrat und eine darauf gebildete Transferschicht umfasst, wobei dieses Verfahren umfasst: Bedeckung der Transferschicht mit einer polymerisierbaren flüssigen Zusammensetzung; in Kontakt bringen der polymerisierbaren flüssigen Zusammensetzung mit einer Form, die eine darin ausgebildete Reliefstruktur besitzt, so dass die polymerisierbare flüssige Zusammensetzung im Wesentlichen die Reliefstruktur in der Form ausfüllt; Unterwerfen der polymerisierbaren flüssigen Zusammensetzungen Bedingungen, um die polymerisierbare flüssige Zusammensetzung zu polymerisieren und daraus ein verfestigtes Polymermaterial auf der Transferschicht auszubilden; Abtrennung der Form vom festen Polymermaterial, so dass ein Abdruck der Reliefstruktur aus der Form in dem verfestigten Polymermaterial gebildet wird; und Aussetzen der Transferschicht und des verfestigten Polymermaterials einer Umgebung, um selektiv die Transferschicht relativ zu dem verfestigten Polymermaterial derart zu ätzen, dass ein Reliefbild in der Transferschicht gebildet wird.
Verfahren gemäß Anspruch 1, das weiterhin den Schritt der Fertigung einer Vorrichtung aus der Struktur umfasst, wobei die Vorrichtung ausgewählt ist aus einer mikroelektronischen Vorrichtung, einer Informationsspeicher-Vorrichtung, einer Leiterplatte, einem Flachbildschirm, einer Mikromaschine und einem Ladungskopplungsspeicher.
Verfahren gemäß Anspruch 1 oder 2, worin die polymerisierbare flüssige Zusammensetzung ein Silizium enthaltendes Material oder ein Organosilan umfasst.
Verfahren gemäß Anspruch 3, worin das Organosilan elementares Silizium in einer Menge enthält, die größer ist als ungefähr 8 Gewichtsprozent, bezogen auf das Gewicht der polymerisierbaren flüssigen Zusammensetzung.
Verfahren gemäß irgendeinem der vorangehenden Ansprüche, worin die polymerisierbare flüssige Zusammensetzung eine reaktive Seitengruppe einschließt, ausgewählt aus einer Epoxygruppe, einer Ketenacetylgruppe, einer Acrylatgruppe, einer Methacrylatgruppe und deren Kombinationen.
Verfahren gemäß irgendeinem der vorangehenden Ansprüche, worin die Transferschicht ein Material umfasst, ausgewählt aus einem organischen duroplastischen Polymer, einem thermoplastischen Polymer, einem Polyepoxy, einem Polyamid, einem Polyurethan, einem Polycarbonat, einem Polyester und deren Kombinationen.
Verfahren gemäß irgendeinem der vorangehenden Ansprüche, worin die Form ein Material umfasst, ausgewählt aus Metall, Silizium, einem organischen Polymer, einem Siloxan-Polymer, Borosilicatglas, einem Fluorcarbon-Polymer und deren Kombinationen.
Verfahren gemäß irgendeinem der vorangehenden Ansprüche, worin die Form Quarz umfasst.
Verfahren gemäß irgendeinem der vorangehenden Ansprüche, das weiterhin den Schritt der Behandlung der Form mit einem oberflächenmodifizierenden Agens umfasst.
Verfahren gemäß Anspruch 9, worin das oberflächenmodifizierende Agens ein Fluorkohlenwasserstoff-Silylierungsmittel ist.
Verfahren gemäß Anspruch 9 oder Anspruch 10, worin der genannte Schritt der Behandlung der Form durchgeführt wird, indem eine Technik angewandt wird, ausgewählt aus einer Plasma-Technik, einer chemischen Aufdampfungs-Technik, einer Lösungsglühungs-Technik und deren Mischungen.
Verfahren gemäß irgendeinem der vorangehenden Ansprüche, worin die Form transparent ist und worin der genannte Schritt des Unterwerfens der polymerisierbaren flüssigen Zusammensetzung umfasst, dass man die polymerisierbare flüssige Zusammensetzung Strahlung unterwirft, die ausreichend ist, um die flüssige Zusammensetzung zu polymerisieren und ein festes Polymermaterial zu bilden.
Verfahren gemäß irgendeinem der vorangehenden Ansprüche, worin der genannte Schritt der Aussetzung der Transferschicht und des festen Polymermaterials einer Umgebung umfasst, dass man die Transferschicht und das feste Polymermaterial einer Umgebung aussetzt, die einen Argonionenstrom, ein Sauerstoff-enthaltendes Plasma, ein reaktives Ionenätzgas, ein Halogen enthaltendes Gas, ein Schwefeldioxid enthaltendes Gas und deren Kombinationen umfasst.
Verfahren gemäß irgendeinem der vorangehenden Ansprüche, worin das Restmaterial, ausgewählt aus einem Anteil der polymerisierbaren flüssigen Zusammensetzung, einem Anteil des festen Polymermaterials und deren Kombinationen im Anschluss an den genannten Schritt vorliegt, bei dem man die polymerisierbare flüssige Zusammensetzung Bedingungen unterwirft, um ein festes Polymermaterial zu bilden, und das genannte Verfahren weiterhin den Schritt umfasst, bei dem das Restmaterial Bedingungen unterworfen wird, so dass das Restmaterial entfernt wird.
Verfahren gemäß Anspruch 14, worin der genannte Schritt des Unterwerfens des Restmaterials vor dem genannten Schritt erfolgt, bei dem man die Transferschicht und das feste Polymermaterial einer Umwelt aussetzt, um selektiv die Transferschicht relativ zu dem festen Polymermaterial zu ätzen.
Verfahren gemäß Anspruch 14 oder Anspruch 15, worin der genannte Schritt, bei dem man das Restmaterial Bedingungen aussetzt, so dass das Restmaterial entfernt wird, umfasst, dass man das Restmaterial einer Umgebung aussetzt, die ausgewählt ist aus einem Argonionenstrom, einem Fluorid enthaltenden Plasma, einem reaktiven Ionenätzgas und deren Mischungen.