DE60127232T2 - Lineare antriebsvorrichtung zur anwendung in einer plasmabehandlungsvorrichtung - Google Patents

Lineare antriebsvorrichtung zur anwendung in einer plasmabehandlungsvorrichtung Download PDF

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Description

  • Hintergrund der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf Vorrichtungen und Verfahren zum Bearbeiten von Substraten, wie zum Beispiel Halbleitersubstraten zur Verwendung bei der Herstellung von integrierten Schaltungen, Platten oder Tafeln (zum Beispiel aus Glas, Kunststoff oder dergleichen) zur Verwendung bei Flachschirmanzeigeanwendungen. Im spezielleren betrifft die vorliegende Erfindung verbesserte Verfahrensweisen und Vorrichtungen zum Bewegen von Komponenten in Verbindung mit der Bearbeitung eines Substrats.
  • Plasmabearbeitungssysteme gibt es schon seit einiger Zeit. Über die Jahre sind Plasmabearbeitungssysteme, die induktiv gekoppelte Plasmaquellen, Elektronenzyklotronresonanz-(ECR-)Quellen, kapazitive Quellen und dergleichen verwenden, eingeführt worden, wobei diese in verschiedenartigem Umfang für die Bearbeitung von Halbleitersubstraten und Anzeigetafeln verwendet werden. Bei einer typischen Plasmabearbeitungsanwendung werden die Bearbeitungs-Quellgase (wie zum Beispiel die Ätzmittelgase oder die Aufbringquellengase) in eine Prozeßkammer eingebracht.
  • Anschließend wird Energie zugeführt, um ein Plasma in den Bearbeitungsquellengasen zu zünden. Nach dem Zünden des Plasmas wird dieses unter Zufuhr von zusätzlicher Energie aufrecht erhalten, wobei diese dem Plasma in verschiedenen allgemein bekannten Weisen zugeführt werden kann, wie zum Beispiel kapazitiv, induktiv, durch Mikrowellenenergie und dergleichen. Das Plasma wird dann bei einer Bearbeitungsaufgabe verwendet, beispielsweise zum selektiven Ätzen oder Aufbringen einer Schicht auf dem Substrat.
  • Während des Aufbringvorgangs werden Materialien auf eine Substratoberfläche (wie zum Beispiel die Oberfläche einer Glastafel oder eines Wafers) aufgebracht. Zum Beispiel können Aufbringschichten, wie zum Beispiel verschiedene Formen von Silizium, Siliziumdioxid, Siliziumnitrid, Metalle und dergleichen, auf der Oberfläche des Substrats gebildet werden. Umgekehrt dazu kann ein Ätzvorgang verwendet werden, um Materialien von vorbestimmten Bereichen auf der Substratoberfläche selektiv zu ent fernen. Zum Beispiel können geätzte Strukturen, wie zum Beispiel Durchgangslöcher, Kontakte oder Gräben, in den Schichten des Substrats gebildet werden.
  • Bei der Bearbeitung der Substrate besteht einer der wichtigsten Parameter, den die Ingenieure zu verbessern suchen, in der Gleichmäßigkeit der Prozesse. In der vorliegend verwendeten Weise ist unter dem Begriff Gleichmäßigkeit die Gleichmäßigkeit über die Oberfläche eines Substrats hinweg, die Gleichmäßigkeit zwischen verschiedenen, in der gleichen Prozeßkammer bearbeiteten Substraten sowie die Gleichmäßigkeit zwischen verschiedenen, in unterschiedlichen Prozeßkammern bearbeiteten Substraten zu verstehen.
  • Wenn der Prozeß sehr gleichmäßig abläuft, ist zum Beispiel zu erwarten, daß die Prozeßraten an verschiedenen Punkten auf dem Substrat sowie auch die Prozeßraten zwischen verschiedenen Substraten in einem Produktionslauf tendenziell im wesentlichen gleich sind. In beiden Fällen ist es weniger wahrscheinlich, daß ein Bereich des Substrats unangemessen überbearbeitet wird, während andere Bereiche unangemessen bearbeitet bleiben oder daß ein Substrat anders bearbeitet wird als ein anderes Substrat.
  • Wie zu erkennen ist, handelt es sich bei der Prozeß-Gleichmäßigkeit um einen wesentlichen bestimmenden Faktor hinsichtlich der Ausbeute, so daß sich ein hohes Maß an Prozeß-Gleichmäßigkeit tendenziell in geringeren Kosten für den Hersteller umsetzen läßt.
  • Bei vielen Anwendungen ist die Prozeß-Gleichmäßigkeit aufgrund von Schwankungen, die man bei verschiedenen Parametern in Verbindung mit der Bearbeitung eines Substrats vorfindet, nur schwer aufrechtzuerhalten. Beispielsweise kann der Wafer-Flächendruck (Wafer Area Pressure bzw. WAP), d.h. die die Oberfläche des Substrats umgebenden Druckwerte, während eines Laufs von Substraten aufgrund von Temperaturänderungen in der Nähe des Substrats schwanken.
  • Wie den Fachleuten allgemein bekannt ist, ist dann, wenn der Wafer-Flächendruck für ein Substrat höher ist und für ein anderes Substrat niedriger ist, die gewünschte Bearbeitungsgüte zwischen den Substraten tendenziell ungleichmäßig. Wenn der Wafer-Flächendruck über einem Bereich des Substrats höher ist und über einem anderen Bereich des Substrats niedriger ist, so ist ferner die gewünschte Bearbeitungsgüte über die Oberfläche des Substrats hinweg tendenziell ungleichmäßig.
  • Eine Technik zum Steuern des Wafer-Flächendrucks besteht in der Anordnung eines Begrenzungsrings im Inneren der Prozeßkammer. Der Begrenzungsring ist im allgemeinen derart konfiguriert, daß er das Substrat in dem aktiven Bereich umgibt, der sich typischerweise oberhalb von dem zu bearbeitenden Substrat befindet. Auf diese Weise erfolgt die Bearbeitung in abgegrenzterer Weise, und daher ist auch der Wafer-Flächendruck gleichmäßiger.
  • Obwohl diese Technik für eine Anzahl von Anwendungen gut funktioniert, wäre es bei vielen Anwendungen wünschenswert, eine besser kontrollierte Bearbeitungsumgebung zu schaffen, die sich in adaptiver Weise verändern läßt, um Schwankungen in dem Wafer-Flächendruck während der Bearbeitung eines einzelnen Substrats, während der Bearbeitung einer Vielzahl von Substraten in einem Produktionslauf oder während der Bearbeitung in verschiedenen Kammern Rechnung zu tragen.
  • Die US-A-5 354 413 offenbart die Verwendung von separat gesteuerten Motoren an jeder Ecke einer oberen und einer unteren Elektrode, wobei Codierer zum Überwachen der Position der oberen Elektrode verwendet werden.
  • In jüngerer Zeit sind einige Bestrebungen unternommen worden, um einen beweglichen Begrenzungsring zu schaffen, der die Abgasströmung und somit den Wafer-Flächendruck einstellen kann. Auf diese Weise kann der Wafer-Flächendruck gesteuert werden, um dadurch während der Bearbeitung möglicherweise auftretende Schwankungen zu reduzieren. Ein spezieller Ansatz (WO-A-9967807) verwendet ein Steuerflächensystem zum Bewegen des Begrenzungsrings nach oben und nach unten zwischen einer oberen und einer unteren Elektrode. Bei dieser Vorgehensweise wird ein kreisförmiges Steuerflächenelement mit variierenden Niveaus auf seiner Oberfläche in rechtwinkliger Weise mit einem Kolben-/Federmechanismus in Eingriff gebracht, der mit dem Begrenzungsring verbunden ist.
  • Bei der Drehung des Steuerflächenelements bewegt sich der Kolben nach oben oder nach unten, und zwar in Abhängigkeit von den verschiedenen Niveaus auf der Oberfläche des Steuerflächenelements, und infolgedessen bewegt sich der Begrenzungsring in entsprechender Weise nach oben oder nach unten. Somit kann der Steuerflächen mechanismus zum Steuern des Spalts zwischen dem Begrenzungsring und den unteren Elektroden konfiguriert werden, um dadurch die Austrittsströmung und somit dem Wafer-Flächendruck in dem aktiven Bereich oberhalb des Substrats zu steuern.
  • Obwohl diese Technik im allgemeinen gut funktioniert, besteht ein Problem darin, daß die herkömmliche Vorgehensweise mit dem Steuerflächenelement nur einen begrenzten Bereich der Drucksteuerung, eine geringe Ansprechempfindlichkeit und eine geringe Auflösung (d.h. eine geringe Präzision) schafft. Beispielsweise ist die Neigung oder das Niveau der Oberfläche des Steuerflächenelements durch die Kolben-/Steuerflächenelement-Grenzfläche begrenzt, da der Kolben hängenbleiben kann, wenn die Neigung zu groß ist.
  • Infolgedessen ist die von dem Kolben zurückgelegte Gesamtdistanz begrenzt, wobei dies zu einem begrenzten Bereich der Drucksteuerung führt. Ferner können bei dieser herkömmlichen Vorgehensweise mit Steuerflächenelement keine exakten Änderungen bei dem Druck während der Bearbeitung vorgenommen werden. Darüber hinaus kann es zu einem Verschleiß bei der Kolben-/Steuerflächenelement-Grenzfläche kommen, und die Feder kann an Federvermögen verlieren, wobei beide dieser Faktoren die Zuverlässigkeit des Systems tendenziell verringern.
  • Unter den wichtigen Punkten für die Hersteller befinden sich die Kosten aufgrund der Eigentümerschaft an dem Bearbeitungswerkzeug, wobei diese zum Beispiel die Kosten für den Erwerb und die Aufrechterhaltung des Systems, für die Häufigkeit der Kammerreinigung, die zum Aufrechterhalten eines akzeptablen Niveaus der Bearbeitungsleistung erforderlich ist, sowie die Langlebigkeit der Systemkomponenten und dergleichen beinhalten. Bei einem wünschenswerten Prozeß handelt es sich somit häufig um einen, der das rechte Gleichgewicht zwischen den unterschiedlichen Besitztumskosten und den Prozeßparametern in einer derartigen Weise trifft, daß sich ein Prozeß mit höherer Qualität zu niedrigeren Kosten ergibt.
  • Da die Strukturen auf dem Substrat immer kleiner werden und der Prozeß immer größere Herausforderungen stellt (zum Beispiel kleinere kritische Abmessungen, höhere Dimensionsverhältnisse, rascherer Durchsatz und dergleichen, suchen Ingenieure ständig nach neuen Verfahrensweisen und Vorrichtungen zum Erzielen von Bearbeitungsresultaten mit höherer Qualität zu niedrigeren Kosten.
  • In Anbetracht der vorstehenden Erläuterungen besteht ein Bedarf für verbesserte Verfahren und Vorrichtungen zum Bewegen von Komponenten (d.h. eines Begrenzungsrings) in Verbindung mit der Bearbeitung eines Substrats.
  • Kurzbeschreibung der Erfindung
  • Die Erfindung betrifft gemäß einer Ausführungsform ein Plasmabearbeitungssystem zum Bearbeiten eines Substrats, wie es im Anspruch 1 angegeben ist. Das Plasmabearbeitungssystem beinhaltet einen Komponente, die in Verbindung mit der Bearbeitung des Substrats vorgesehen ist. Zum Beispiel kann es sich bei der Komponente um einen Begrenzungsring oder eine Elektrode handeln. Das Plasmabearbeitungssystem beinhaltet ferner eine Zahnrad-Antriebsanordnung zum Bewegen der Komponente in einer linearen Richtung. Bei einigen Ausführungsformen ist die Zahnrad-Antriebsanordnung zum Bewegen des Begrenzungsrings konfiguriert, um den Druck oberhalb des Substrats zu steuern.
  • Die Zahnrad-Antriebsanordnung ist zum Bewegen einer Vielzahl von Komponenten konfiguriert. Die Zahnrad-Antriebsanordnung weist ein erstes Zahnrad, eine Vielzahl von zweiten Zahnrädern und eine Vielzahl von Positionierelementen auf. Das erste Zahnrad ist zum Antreiben der Vielzahl der zweiten Zahnräder konfiguriert, und die Vielzahl der zweiten Zahnräder sind zum Bewegen der Positionierelemente in einer linearen Richtung konfiguriert. Jedes Positionierelement ist ferner derart an der Komponente angebracht, daß bei einer Bewegung des Positionierelements in der linearen Richtung auch die Komponente in der linearen Richtung bewegt wird.
  • Die Erfindung betrifft bei einer Ausführungsform ein Plasmabearbeitungssystem zum Bearbeiten eines Substrats, wobei das Plasmabearbeitungssystem eine Elektrode zum Erzeugen eines elektrischen Feldes im Inneren einer Prozeßkammer sowie einen Begrenzungsring beinhaltet, um ein Plasma innerhalb der Prozeßkammer einzuschließen.
  • Bei einigen Ausführungsformen ist die Position des Begrenzungsrings zum Bilden eines Spaltes zwischen dem Begrenzungsring und dem Substrat konfiguriert, wenn das Substrat für die Bearbeitung in der Prozeßkammer angeordnet ist. Der Spalt ist zum Steuern der Strömung von Abgasen konfiguriert.
  • Bei einigen Ausführungsformen sind das erste Zahnrad und das zweite Zahnrad von der Prozeßkammer drehbar abgestützt. Außerdem befindet sich das zweite Zahnrad mit dem ersten Zahnrad betriebsmäßig in Eingriff. Ferner weist das zweite Zahnrad eine Achse sowie eine auf der Achse angeordnete erste Gewindefläche auf. Darüber hinaus weist das Positionierelement eine zweite Gewindefläche auf, die mit der ersten Gewindefläche des zweiten Zahnrads beweglich gekoppelt ist, um für eine Bewegung in einer linearen Richtung zu sorgen.
  • Bei einigen Ausführungsformen weist die Zahnrad-Antriebsanordnung eine Antriebsanordnung zum rotationsmäßigen Bewegen des ersten Zahnrads auf. Die Antriebsanordnung weist einen Motor und ein Antriebszahnrad auf, das mit dem Motor drehbar gekoppelt ist. Das Antriebszahnrad steht mit dem ersten Zahnrad betriebsmäßig in Eingriff, wobei dann, wenn der Motor das Antriebszahnrad rotationsmäßig bewegt, das Antriebszahnrad das erste Zahnrad rotationsmäßig antreibt und das erste Zahnrad das zweite Zahnrad rotationsmäßig antreibt, wobei das sich rotationsmäßig bewegende zweite Zahnrad eine Bewegung des Positionierelements in der linearen Richtung hervorruft.
  • Bei weiteren Ausführungsformen beinhaltet die Zahnrad-Antriebsanordnung ferner ein drittes Zahnrad und ein zweites Positionierelement. Das erste Zahnrad ist zum antriebsmäßigen Bewegen des dritten Zahnrads konfiguriert. Ferner ist das dritte Zahnrad zum Bewegen des zweiten Positionierelements in einer vorbestimmten Richtung konfiguriert. Außerdem ist das zweite Positionierelement an dem Begrenzungsring oder der Elektrode derart angebracht, daß der Begrenzungsring oder die Elektrode in der vorbestimmten Richtung bewegt wird, wenn das zweite Positionierelement durch das dritte Zahnrad bewegt wird.
  • Bei einer ähnlichen Ausführungsform beinhaltet die Zahnrad-Antriebsanordnung ferner ein Transferzahnrad, um das zweite Zahnrad oder das dritte Zahnrad mit dem ersten Zahnrad in Eingriff zu bringen bzw. von diesem zu trennen, wobei dann, wenn das zweite Zahnrad mit dem Transferzahnrad in Eingriff steht, das erste Positionierelement sich in der vorbestimmten Richtung bewegt, und wobei dann, wenn das dritte Zahnrad mit dem Transferzahnrad in Eingriff steht, das zweite Positionierelement sich in der vorbestimmten Richtung bewegt.
  • Bei einigen Ausführungsformen sind das erste Zahnrad, das zweite Zahnrad, das dritte Zahnrad und das Transferzahnrad von einer Prozeßkammer drehbar abgestützt. Das Transferzahnrad steht mit dem ersten Zahnrad betriebsmäßig in Eingriff. Das zweite Zahnrad weist eine Achse und eine auf der Achse angeordnete erste Gewindefläche auf.
  • Das erste Positionierelement weist eine zweite Gewindefläche auf, die mit der ersten Gewindefläche des zweiten Zahnrads beweglich bekoppelt ist, um für eine Bewegung in einer linearen Richtung zu sorgen. Das dritte Zahnrad weist eine Achse sowie eine auf der Achse angeordnete erste Gewindefläche auf. Das zweite Positionierelement weist eine zweite Gewindefläche auf, die mit der ersten Gewindefläche des dritten Zahnrads beweglich gekoppelt ist, um für eine Bewegung in einer linearen Richtung zu sorgen.
  • Die Erfindung betrifft gemäß einer weiteren Ausführungsform eine Linearantriebsanordnung zum Bewegen eines Körpers in Verbindung mit der Bearbeitung eines Substrats. Die Linearantriebsanordnung weist ein erstes Zahnrad und ein zweites Zahnrad auf, das mit dem ersten Zahnrad betriebsmäßig in Eingriff steht. Die Linearantriebsanordnung weist ferner ein Positionierelement mit einem ersten Bereich und einem zweiten Bereich auf. Der erste Bereich ist mit dem zweiten Zahnrad in einer linearen Richtung beweglich gekoppelt, und der zweite Bereich ist an dem Körper angebracht.
  • Bei einigen Ausführungsformen weist das Positionierelement eine mit einem Außengewinde versehene Oberfläche mit einer Steigung auf, und das zweite Zahnrad weist eine mit Innengewinde versehene Oberfläche mit einer Steigung auf, die mit der Steigung der mit Außengewinde versehenen Oberfläche identisch ist. Die mit Außengewinde versehene Oberfläche des Positionierelements ist in der mit Innengewinde versehenen Oberfläche des zweiten Zahnrads drehbar angebracht. Bei weiteren Ausführungsformen handelt es sich bei dem Positionierelement um eine lineare Eingriffseinrichtung (zum Beispiel eine Zahnstangen- und Ritzel-Anordnung).
  • Bei einigen Ausführungsformen weist die Linearantriebsanordnung einen Motor zum antriebsmäßigen Bewegen des ersten Zahnrads auf. Ferner beinhaltet die Linearantriebsanordnung eine Vielzahl von zweiten Zahnrädern und eine Vielzahl von Positionierelementen. Die zweiten Zahnräder und die Positionierelemente sind um den Umfang des ersten Zahnrads symmetrisch voneinander beabstandet. Zum Beispiel sind die zweiten Zahnräder um den Außenumfang des ersten Zahnrads symmetrisch beabstandet, wenn mit Außengewinde versehene Zahnräder verwendet werden, und sind die zweiten Zahnräder symmetrisch um den Innenumfang des ersten Zahnrads symmetrisch beabstandet, wenn mit Innengewinde versehene Zahnräder (zum Beispiel Planetenräder) verwendet werden.
  • Die Linearantriebsanordnung kann bei vielen verschiedenen Plasmabearbeitungssystemen verwendet werden, die kapazitiv gekoppelte, induktiv gekoppelte oder ECR-Reaktoren beinhalten. Bei einer zugehörigen Antriebsform kann die Linearantriebsanordnung zum Bewegen eines Begrenzungsrings im Inneren der Prozeßkammer des Plasmabearbeitungssystems konfiguriert sein. Darüber hinaus kann die Linearantriebsanordnung dafür konfiguriert sein, eine Elektrode im Inneren oder außerhalb von einer Prozeßkammer des Plasmabearbeitungssystems zu bewegen.
  • Ausführliche Beschreibung der Zeichnungen
  • Die vorliegende Erfindung ist anhand eines Beispiels und nicht in einschränkender Weise in den Figuren der Begleitzeichnungen dargestellt, wobei gleiche Bezugszeichen sich auf gleichartige Elemente beziehen; in den Zeichnungen zeigen:
  • 1 eine weggebrochene Perspektivansicht eines Plasmareaktors gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
  • 2 eine im Schnitt dargestellte Seitenaufrißansicht des Plasmareaktors gemäß der 1;
  • 3 eine im Schnitt dargestellte Draufsicht von oben auf den Plasmareaktor der 1;
  • 4 ein Flußdiagramm zur Erläuterung der relevanten Schritte bei der Bearbeitung eines Substrats in dem Plasmareaktor der 1 bis 3 gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
  • 5 eine weggebrochene Perspektivansicht eines Plasmareaktors gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
  • 6 eine weggebrochene Perspektivansicht eines Plasmareaktors gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung; und
  • 7 eine im Schnitt dargestellte Draufsicht von oben auf den Plasmareaktor der 6.
  • Ausführliche Beschreibung der bevorzugten Ausführungsbeispiele
  • Die vorliegende Erfindung wird im folgenden unter Bezugnahme auf einige bevorzugte Ausführungsbeispiele von dieser ausführlich beschrieben, wie diese in den Begleitzeichnungen dargestellt sind. In der nachfolgenden Beschreibung werden zahlreiche spezielle Details angegeben, um für ein gründliches Verständnis der vorliegenden Erfindung zu sorgen. Dem Fachmann ist jedoch klar, daß die vorliegende Erfindung auch ohne einige oder alle dieser speziellen Details ausgeführt werden kann. In anderen Fällen wiederum sind allgemein bekannte Prozeßschritte nicht ausführlich beschrieben worden, um die vorliegende Erfindung nicht unnötig zu beschweren.
  • Die vorliegende Erfindung schafft eine Linearantriebsanordnung, die in der Lage ist, einen Körper in Verbindung mit der Bearbeitung eines Substrats mit einem hohen Ausmaß an Bewegungssteuerung zu bewegen. Die Linearantriebsanordnung beinhaltet eine Vielzahl von Zahnrädern, die betriebsmäßig miteinander in Eingriff stehen. Ferner beinhaltet die Linearantriebsanordnung eine Vielzahl von Positionierelementen, die mit einem vorbestimmten Satz der Zahnräder beweglich gekoppelt sind und mit einem beweglichen Körper konstruktionsmäßig gekoppelt sind. Die Positionierelemente sind dafür konfiguriert, den Körper in einer linearen Richtung zu bewegen, wenn der vorbestimmte Satz von Zahnrädern rotationsmäßig bewegt wird.
  • Bei einer speziellen Anwendung handelt es sich bei den Positionierelementen um mit Außengewinde versehene Achsen, die zum Kämmen mit dem Innengewinde des vorbestimmten Satzes von Zahnrädern konfiguriert sind. Wenn der vorbestimmte Satz von Zahnrädern rotationsmäßig bewegt wird, führt somit die Rotationsbewegung der Zahnräder zu einer Rotation des Innengewindes, wobei dies wiederum eine Bewegung der Achse in der linearen Richtung hervorruft.
  • Die Verwendung von Zahnrädern und Gewinden schafft somit ein hohes Maß an Steuerung der linearen Bewegungen des Körpers. Zum Beispiel gestattet die Zahnrad- /Gewinde-Anordnung exaktere Bewegungen mit gesteigerter Auflösung, höherer Ansprechempfindlichkeit und höherer Zuverlässigkeit.
  • Die Erfindung betrifft gemäß einer Ausführungsform ein Plasmabearbeitungssystem, das zum Steuern der Bearbeitung mit einem hohen Maß an Gleichmäßigkeit in der Lage ist. Das Plasmabearbeitungssystem ist zum Bearbeiten eines Substrats konfiguriert und beinhaltet eine Prozeßkammer, eine untere Elektrode, eine obere Elektrode und einen Begrenzungsring, die sowohl zum Erzeugen des Plasmas als auch zum Einschließen des Plasmas für die Bearbeitungsaufgabe verwendet werden.
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung ist die lineare Bewegung der Linearantriebsanordnung dafür konfiguriert, den Spalt zwischen dem Begrenzungsring und der unteren Elektrode während der Bearbeitung zu steuern. Insbesondere ist die Linearantriebsanordnung dazu ausgebildet, den Begrenzungsring zwischen der oberen Elektrode und der unteren Elektrode nach oben und nach unten zu bewegen, um die Abgasströmung einzustellen.
  • Durch das Einstellen der Abgasströmung kann der Druck (d.h. WAP) im Inneren des aktiven Bereichs oberhalb des Substrats auf einem gewünschten Pegel für die Bearbeitung gehalten werden. Somit kann der Druck mit geringer Schwankung während der Bearbeitung gesteuert werden, um für eine gesteigerte Prozeß-Gleichmäßigkeit zu sorgen und dadurch wiederum den Substrat-Durchsatz zu erhöhen, die Ausfallquote von Vorrichtungen zu reduzieren sowie die Produktivität der bearbeiteten Substrate insgesamt zu steigern.
  • Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung ist die lineare Bewegung der Linearantriebsanordnung zum Steuern des Spalts zwischen der oberen Elektrode und dem Substrat während der Bearbeitung konfiguriert. Insbesondere ist die Linearantriebsanordnung dazu ausgebildet, die obere Elektrode nach oben und nach unten zu bewegen und dadurch das Volumen des aktiven Bereichs oberhalb des Substrats einzustellen.
  • Durch das Einstellen des Volumens können verschiedene Parameter in Verbindung mit der Plasmabearbeitung, wie zum Beispiel die Plasmadichte und der Druck, auf gewünschten Pegeln für die Bearbeitung aufrechterhalten werden. In ähnlicher Weise können die Plasmadichte und der Druck während der Bearbeitung mit geringer Schwankung gesteuert werden, um für eine gesteigerte Prozeß-Gleichmäßigkeit zu sorgen und dadurch den Substrat-Durchsatz zu erhöhen, die Ausfallquote von Vorrichtungen zu reduzieren sowie die Produktivität der bearbeiteten Substrate insgesamt zu erhöhen.
  • Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung ist die lineare Bewegung der Linearantriebsanordnung dazu konfiguriert, den Spalt zwischen dem Begrenzungsring und der unteren Elektrode sowie den Spalt zwischen der oberen Elektrode und dem Substrat während der Bearbeitung in unabhängiger Weise zu steuern. Bei dieser speziellen Ausführungsform ist die Linearantriebsanordnung anders konfiguriert und beinhaltet zusätzliche Zahnräder. Zum Beispiel beinhaltet die Linearantriebsanordnung auch einen zweiten Satz vorbestimmter Zahnräder und Positionierelemente.
  • Auf diese Weise ist der erste Satz von vorbestimmten Zahnrädern und Positionierelementen zum Bewegen des Begrenzungsrings konfiguriert, und der zweite Satz von vorbestimmten Zahnrädern und Positionierelementen ist zum Bewegen der oberen Elektrode konfiguriert. Weiterhin ist auch ein Transferzahnrad vorhanden, um die vorbestimmten Zahnräder mit dem ersten Zahnrad betriebsmäßig in Eingriff zu bringen oder von diesem zu trennen. Da somit beide Spalte gesteuert werden, hat der Prozeßingenieur eine verbesserte Kontrolle über die Bearbeitungsbedingungen im Umfeld des zu bearbeitenden Substrats.
  • Bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel wird die vorliegende Erfindung in einem Plasmareaktor ausgeführt, wie zum Beispiel dem kapazitiv gekoppelten Plasmareaktor, der von Lam Research Corporation, Freemont, Kalifornien, erhältlich ist. Obwohl im folgenden ein kapazitiv gekoppelter Plasmareaktor dargestellt und beschrieben wird, ist darauf hinzuweisen, daß die vorliegende Erfindung auch bei jedem beliebigen anderen Plasmareaktor realisiert werden kann, der zum Bilden eines Plasmas geeignet ist, wie zum Beispiel einem induktiv gekoppelten Reaktor oder einen ECR-Reaktor.
  • Die 1 und 2 veranschaulichen eine vereinfachte schematische Darstellung eines Plasmareaktors 100 gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung. Der Plasmareaktor 100 beinhaltet im allgemeinen eine Plasmabearbeitungskammer 102. Im Inneren der Kammer 102 sind eine obere Elektrode 104 und eine untere Elektrode 106 angeordnet.
  • Die obere Elektrode 104 ist oberhalb der unteren Elektrode 106 angeordnet und über ein passendes Netzwerk (zur Vereinfachung der Darstellung nicht gezeigt) mit einer ersten HF-Stromzufuhr 108 verbunden. Die erste HF-Stromzufuhr 108 ist dazu ausgebildet, der oberen Elektrode 104 HF-Energie zuzuführen. Ferner ist die untere Elektrode 106 mit einer zweiten HF-Stromzufuhr 110 gekoppelt, die zum Zuführen von HF-Energie zu der unteren Elektrode 106 konfiguriert ist.
  • Weiterhin bestimmt der Spalt 111 zwischen der oberen und der unteren Elektrode 104, 106 im allgemeinen das Volumen eines aktiven Bereichs während der Bearbeitung. Daher kann die Größe des Spalts 111 zum Steuern von verschiedenen Parametern, wie zum Beispiel den Druck und/oder die Plasmadichte, konfiguriert werden. Ohne sich an eine Theorie binden zu wollen, besteht die Ansicht, daß ein kleineres Volumen die Plasmadichte erhöhen kann und ein größeres Volumen die Plasmadichte vermindern kann.
  • Wie den Fachleuten allgemein bekannt ist, hat die Plasmadichte die Tendenz, die Bearbeitungsrate, wie zum Beispiel die Ätzrate, zu beeinträchtigen. In entsprechender Weise kann der Spalt derart konfiguriert werden, daß ein Gleichgewicht zwischen dem gewünschten Volumen und somit der gewünschten Ätzrate für die Bearbeitung geschaffen wird.
  • Darüber hinaus ist man im allgemeinen der Ansicht, daß der Spalt 111 eine wichtige Rolle beim Steuern des Drucks im Inneren des aktiven Bereichs oberhalb des Substrats spielt. Als allgemeine Regel ist der Druck umgekehrt proportional zu dem Volumen, wobei eine Verringerung des Volumens einer Erhöhung des Drucks entspricht und eine Erhöhung des Volumens einer Verminderung des Drucks entspricht. Daher ist die Größe des Spalts 111 vorzugsweise derart konfiguriert, daß ein Gleichgewicht zwischen dem gewünschten Volumen und den gewünschten Druckwerten für die Bearbeitung geschaffen wird.
  • Der Plasmareaktor 100 beinhaltet ferner ein Futter bzw. eine Halteeinrichtung 112, das bzw. die an der oberen Oberfläche der unteren Elektrode 106 angeordnet ist. Das Futter 112 ist zum Halten eines Substrats 114 während der Bearbeitung konfiguriert. Das Futter 112 kann zum Beispiel ein ESC-Futter (elektrostatisches Futter) darstellen, das das Substrat 114 durch elektrostatische Kraft an der Oberfläche des Futters festlegt. Ferner stellt das Substrat 114 das zu bearbeitende Werkstück dar, bei dem es sich zum Beispiel um ein Halbleitersubstrat, an dem ein Ätzvorgang, ein Aufbringvorgang oder eine anderweitige Bearbeitung vorgenommen werden soll, oder um eine Glastafel handeln kann, die zur Schaffung einer Flachbildschirmanzeige bearbeitet werden soll.
  • Ferner ist eine Gasöffnung 116 zum Freisetzen von gasförmigen Quellmaterialien, zum Beispiel den Ätzmittelquellengasen, in den aktiven Bereich zwischen der oberen Elektrode und dem Substrat typischerweise im Inneren der Prozeßkammer 102 vorgesehen. Wie in 2 gezeigt ist, ist die Gasöffnung 116 im Inneren der oberen Elektrode 104 angeordnet. Ferner ist eine Austrittsöffnung 118 zum Ausleiten von während der Bearbeitung gebildeten Nebenprodukt-Gasen im allgemeinen zwischen den Kammerwänden der Prozeßkammer und der unteren Elektrode 106 angeordnet. In 2 ist die Austrittsöffnung 118 mit einer Pumpe 120 gekoppelt, die sich am Boden der Kammer 102 befindet. Die Pumpe 120 ist im allgemeinen dazu ausgebildet, einen geeigneten Druck im Inneren der Kammer 102 aufrechtzuerhalten. Bei einer Ausführungsform wird eine Turbomolekularpumpe verwendet.
  • Beispielsweise wird zum Erzeugen eines Plasmas ein Prozeßgas durch die Gasöffnung 116 in die Kammer eingeleitet. Anschließend wird den Elektroden 104 und 106 Strom zugeführt, und es wird ein starkes elektrisches Feld zwischen der oberen und der unteren Elektrode 104 und 106 erzeugt. Wie in der Technik allgemein bekannt ist, verlieren die neutralen Gasmoleküle des Prozeßgases, wenn diese gegenüber solchen starken elektrischen Feldern ausgesetzt werden, Elektronen, wobei sie positiv geladene Ionen zurücklassen.
  • Infolgedessen sind positiv geladene Ionen, negativ geladene Elektronen und neutrale Gasmoleküle in dem Plasma enthalten. Außerdem wird eine Hüllspannung typischerweise direkt oberhalb des Substrats erzeugt, wobei diese eine Beschleunigung der Ionen in Richtung auf das Substrat hervorruft, wo diese in Kombination mit neutralen Teilchen die Bearbeitungsreaktion aktivieren.
  • Zur weiteren Veranschaulichung des Prozesses zeigt 4 ein Flußdiagramm der relevanten Vorgänge, die bei der Bearbeitung eines Substrats in einem Plasmareaktor (zum Beispiel dem Plasmareaktor 100) stattfinden. Vor der Bearbeitung werden herkömmliche vorbereitende Bearbeitungsvorgänge ausgeführt, die das Austragen und Einbringen von Substraten beinhalten können. Der exemplarische Prozeß beinhaltet typischerweise fünf Schritte.
  • Der erste Schritt 201 beinhaltet das Pumpen der Prozeßkammer auf den gewünschten Druck. Der Schritt 202 beinhaltet das Einströmenlassen eines Prozeßgases in die Prozeßkammer und eine Stabilisierung des Drucks. Sobald das Gas stabil ist, wird das Plasma in dem Prozeßgas in dem dritten Schritt 204 gezündet. Nach dem Zünden des Plasmas wird das Plasma in dem vierten Schritt 206 auf einen bestimmten Druck im Inneren der Kammer stabilisiert. Nachdem der Kammerdruck stabilisiert worden ist, wird das Substrat in dem fünften Schritt 208 bearbeitet.
  • Wie unter erneuter Bezugnahme auf die 1 und 2 ersichtlich, beinhaltet der Plasmabearbeitungsreaktor 100 ferner einen Begrenzungsring 130, der allgemein zum Einschließen eines Plasmas auf den Bereich oberhalb des Substrats 114 konfiguriert ist. Wie in 2 gezeigt, ist ein erster Bereich des Begrenzungsrings 130 um den äußeren Umfang der oberen Elektrode 104 herum positioniert, und ein zweiter Bereich ist den Spalt 111 zwischen der oberen Elektrode 104 und der unteren Elektrode 106 umgebend positioniert, so daß zumindest ein Teil des aktiven Bereichs oberhalb des Substrats 114 umschlossen ist. Der Begrenzungsring 130 ist ferner symmetrisch um den Umfang des Substrats 114 herum angeordnet, um eine gleichmäßigere Bearbeitung zu erzielen.
  • Wie im einzelnen dargestellt, ist ein Spalt 132 typischerweise zwischen einem unteren Rand 134 des Begrenzungsrings 130 und der unteren Elektrode 106 gebildet. Der Spalt 132 ist im allgemeinen dafür vorgesehen, um die Strömung von Austrittsgasen zu kontrollieren, während ein Plasma im wesentlichen auf das durch die obere Elektrode 104 und den Begrenzungsring 130 definierte Volumen begrenzt wird. Vorzugsweise ist der untere Rand des Begrenzungsrings 130 von der oberen Oberfläche der unteren Elektrode 106 gleichmäßig beabstandet (zum Beispiel parallel), so daß eine gleichmäßige Verteilung von Gasen an der Oberfläche des Substrats 113 aufrechterhalten werden kann.
  • Die Größe des Spalts 132 bestimmt im allgemeinen die Rate, mit der Abgase aus dem aktiven Bereich während der Bearbeitung ausgeleitet werden. Ohne sich an eine Theorie binden zu wollen, besteht die Ansicht, daß ein zu kleiner Spalt die Strömung der Gase behindern kann, wobei dies zu ungleichmäßigen Ätzraten sowie zu Partikelkontamination entlang des Umfangs des Substrats führen kann. Ferner ist man der Ansicht, daß ein zu großer Spalt das Plasma nicht angemessen auf ein geeignetes Volumen begrenzen kann, wobei dies ebenfalls zu ungleichmäßigen Ätzraten (zum Beispiel einem ungleichmäßigen Plasma) führen kann.
  • Darüber hinaus ist man im allgemeinen der Ansicht, daß der Spalt eine wichtige Rolle beim Steuern des Drucks innerhalb des aktiven Bereichs oberhalb des Substrats spielt. Das heißt, der Druck ist umgekehrt proportional zu der Austrittsrate, wobei eine Verringerung in der Strömung einem Anstieg des Drucks entspricht und ein Anstieg der Strömung einer Verringerung des Drucks entspricht. Somit ist die Größe des Spalts vorzugsweise derart konfiguriert, daß ein Gleichgewicht zwischen der gewünschten Strömung und den gewünschten Druckwerten erzielt wird.
  • Die 1 und 2 veranschaulichen ferner eine Linearantriebsanordnung 150, die zum Bewegen des Begrenzungsrings 130 zwischen der oberen Elektrode 104 und der unteren Elektrode 106 konfiguriert ist, gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Durch Bewegen des Begrenzungsrings 130 nach oben und nach unten während der Bearbeitung kann die Strömung des Ätzmittel-Quellgases aus der Plasmabearbeitungskammer 102 erhöht oder vermindert werden, um dadurch den Druck in den für die Bearbeitung gewünschten Druckbereichen zu halten.
  • Zum Beispiel kann der Druck derart eingestellt werden, daß Temperaturschwankungen Rechnung getragen wird, die während eines Laufs der Substrate auftreten, um dadurch eine gleichmäßige Bearbeitung von Substrat zu Substrat aufrechtzuerhalten. Ferner kann die Linearantriebsanordnung 150 dafür konfiguriert sein, den Begrenzungsring für das Einbringen und Ausbringen des Substrats 114 nach oben und nach unten zu bewegen.
  • Die Linearantriebsanordnung 150 weist im allgemeinen ein erstes Zahnrad 152 sowie eine Vielzahl von zweiten Zahnrädern 154 auf. Sowohl das erste Zahnrad 152 als auch die Vielzahl der zweiten Zahnräder 154 sind von einer Abdeckung 156 der Prozeßkammer 102 drehbar abgestützt. Ferner steht die Vielzahl der zweiten Zahnräder 154 in betriebsmäßigem Eingriff mit dem ersten Zahnrad 152. Die Linearantriebsanordnung 150 beinhaltet ferner eine Vielzahl von Positionierelementen 158, von denen jedes einen ersten Bereich 160 und einen zweiten Bereich 162 aufweist.
  • Die Positionierelemente 158 sind jeweils parallel zueinander. Die ersten Bereiche 160 sind jeweils mit einem der zweiten Zahnräder 154 beweglich gekoppelt, um eine Bewegung der Positionierelemente 158 in einer linearen Richtung 166 zu ermöglichen. Die zweiten Bereiche 162 sind jeweils an dem Begrenzungsring 130 festgelegt. Wie in 1 gezeigt, ist die lineare Richtung 166 rechtwinklig zu der durch die obere Ober fläche des Substrats 114 gebildeten Ebene. Ferner sind Dichtungen 175 im allgemeinen zwischen den Positionierelementen 158 und der Abdeckung 156 vorgesehen, um die Grenzfläche zur Eliminierung von Leckagen abzudichten.
  • Weiterhin weist die Linearantriebsanordnung einen Motor 161 und ein Antriebszahnrad 163 auf, das an dem Motor 161 angebracht ist. Motoren sind den Fachleuten allgemein bekannt und werden daher zur Verkürzung der Beschreibung nicht näher erläutert. Das Antriebszahnrad 163 steht mit dem ersten Zahnrad 152 in betriebsmäßigem Eingriff und ist zum antriebsmäßigen Bewegen des ersten Zahnrads 152 konfiguriert, wenn der Motor betätigt wird.
  • Genauer gesagt, es treibt der Motor 161 das Antriebszahnrad 163 an, das Antriebszahnrad 163 treibt das erste Zahnrad 152 an, das erste Zahnrad 152 treibt die Vielzahl der zweiten Zahnräder 154 an, und die Vielzahl der zweiten Zahnräder 154 bewegen die entsprechenden Positionierelemente 158 in der linearen Richtung 166, wobei infolgedessen der Begrenzungsring 130 in der linearen Richtung 166 zwischen der oberen Elektrode 104 und der unteren Elektrode 106 bewegt wird.
  • Die Richtung, in der sich die Positionierelemente 158 den linearen Weg entlang bewegen, wird im allgemeinen durch die Rotationsrichtung der zweiten Zahnräder 154 bestimmt. Zum Beispiel kann die Linearantriebsanordnung 150 derart konfiguriert sein, daß sie das Positionierelement 158 nach oben bewegt, wenn die zweiten Zahnräder 154 im Uhrzeigersinn rotationsmäßig bewegt werden, sowie nach unten bewegt, wenn die zweiten Zahnräder 154 im Gegenuhrzeigersinn rotationsmäßig bewegt werden.
  • Wie unter Bezugnahme auf 2 zu sehen ist, sind die zahlreichen Positionierelemente 158 mit der Vielzahl von zweiten Zahnrädern 154 gewindemäßig gekoppelt. Das heißt, die Positionierelemente 158 und die zweiten Zahnräder 154 sind mit Schraubgewinden ausgestattet, die die Positionierelemente 158 in der linearen Richtung bewegen, wenn die zweiten Zahnräder 154 rotationsmäßig bewegt werden.
  • Die zweiten Zahnräder 154 beinhalten im allgemeinen einen Mutterbereich 170 mit einer mit Innengewinde versehenen Oberfläche, und die Positionierelemente 158 weisen im allgemeinen einen Gewindebereich 172 auf, der eine mit Außengewinde versehene Oberfläche besitzt. Die mit Außengewinde versehene Oberfläche eines jeden Positionierelements 158 ist dafür konfiguriert, mit der mit Innengewinde versehenen Oberfläche eines entsprechenden zweiten Zahnrads 154 zu kämmen.
  • Bei einer Rotation der zweiten Zahnräder 154 bewegt sich somit der Gewindebereich 172 der Positionierelemente 158 durch den Mutterbereich 170 der rotierenden zweiten Zahnräder 154 hindurch. Ein spezieller Vorteil der Gewinde besteht darin, daß sie sich in konstantem Eingriff befinden und somit die Ausführung von sehr exakten Bewegungen zulassen.
  • Darüber hinaus ist die Anordnung aus Positionierelement und zweitem Zahnrad im allgemeinen derart ausgebildet, daß dann, wenn der Mutterbereich 170 eine Umdrehung ausgeführt hat, das Positionierelement 158 sich über eine volle Ganghöhe bewegt hat. Wie den Fachleuten allgemein bekannt ist, wird die Distanz zwischen entsprechenden Punkten auf einander benachbarten Gewindeerhebungen, gemessen entlang der Länge der Schraube, allgemein als Steigung bezeichnet. Wenn der Mutterbereich 170 eine Umdrehung ausführt, wird somit das Positionierelement 158 über die Distanz der Steigung bewegt.
  • Wenn zum Beispiel die Schraubengewinde mit 32 Gewindevorsprüngen pro Inch (1 Inch = 2,54 cm) geschnitten sind, ruft eine Umdrehung des zweiten Zahnrads (zum Beispiel des Mutterbereichs 170) eine Bewegung des Positionierelements 158 um 1/32 Inch hervor. Wie zu erkennen ist, kann der Schnitt der Gewinde zum Schaffen einer gesteigerten Auflösung ausgebildet werden. Das heißt, eine größere Anzahl von Gewindeerhebungen pro Inch erlaubt tendenziell kleinere inkrementelle Bewegungen des Positionierelements 158, wobei dies wiederum feinere Druckeinstellungen zuläßt.
  • Zum Beispiel funktioniert ein Gewinde mit zwischen ca. 10 bis ca. 40 Gewindevorsprüngen pro Inch gut. Es ist jedoch darauf hinzuweisen, daß dies keine Einschränkung darstellt und daß die Anzahl von Gewindevorsprüngen pro Inch in Abhängigkeit von der speziellen Ausbildung jeder Prozeßkammer variieren kann.
  • Zur weiteren Erläuterung der Merkmale der vorliegenden Erfindung veranschaulicht 3 eine von oben gesehene Draufsicht auf die Linearantriebsanordnung 150 des Plasmareaktors 100. Wie bereits erwähnt, weist die Linearantriebsanordnung 150 das erste Zahnrad 152, die Vielzahl der zweiten Zahnräder 154, die Positionierelemente 158 sowie das Antriebszahnrad 163 auf.
  • Die Vielzahl der zweiten Zahnräder 154 und das Antriebszahnrad 163 sind im allgemeinen um den Umfang des ersten Zahnrads 152 herum angeordnet. Zum größten Teil sind die Bewegungen der zweiten Zahnräder 154 miteinander synchronisiert. Das heißt, die Bewegungsrichtung (zum Beispiel im Uhrzeigersinn oder im Gegenuhrzeigersinn) und die Größe der Bewegung (zum Beispiel der Betrag, über den Zähne bewegt werden) sind gleich.
  • Während die Linearantriebsanordnung 150 unter Verwendung von Stirnrädern mit Außenverzahnung dargestellt und beschrieben wird, versteht es sich, daß auch andere Zahnradkonfigurationen verwendet werden können, um unterschiedlichen Prozeßkammern Rechnung zu tragen oder eine Anpassung an andere externe Faktoren zu schaffen, die zum Ermöglichen von linearen Bewegungen erforderlich sind. Zum Beispiel können auch mit Innengewinde versehene Zahnräder (zum Beispiel Planetenräder) gut funktionieren. Wenn mit Innengewinde versehene Zahnräder verwendet werden, sind die Vielzahl der zweiten Zahnräder und das Antriebszahnrad um den Innenumfang des ersten Zahnrads herum angeordnet.
  • Wie in 3 gezeigt ist, beinhaltet die Linearantriebsanordnung 150 drei zweite Zahnräder 154 und drei Positionierelemente. Wie den Fachleuten allgemein bekannt ist, definieren drei Punkte eine Ebene, so daß es bevorzugt ist, daß drei Positionierelemente den Begrenzungsring bewegen. Die drei Positionierelemente 158 sind dafür konfiguriert, den Begrenzungsring 130 orthogonal zu seinem Schwerpunkt zu bewegen, um dadurch den Begrenzungsring 130 im Gleichgewicht und eben zu halten.
  • Wie gezeigt, sind die Anordnungen aus den zweiten Zahnrädern/Positionierelementen jeweils symmetrisch um das erste Zahnrad 152 herum beabstandet, und die Positionierelemente 158 sind im Zentrum des entsprechenden zweiten Zahnrads 154 jeweils axial ausgerichtet. Es ist darauf hinzuweisen, daß die vorliegende Erfindung nicht auf drei Positionierelemente begrenzt ist, sondern daß eine beliebige Anzahl von Positionierelementen verwendet werden kann, wie diese zum Bewegen des Begrenzungsrings in einem Gleichgewichtszustand geeignet sind.
  • Wie den Fachleuten allgemein bekannt ist, ist zum angemessenen Kämmen von allen Zahnrädern, d.h. einer Drehbewegung von diesen ohne Schlupf, eine Konfiguration der Zahnräder mit zueinander ähnlichen Zähnen notwendig, die etwa die gleiche Größe aufweisen. Ferner ist ein kleiner Spalt zwischen den Zahnrädern typischerweise für gleichmäßigere und ruhigere Bewegungen zwischen miteinander kämmenden Zahnrädern vorgesehen. Ein spezieller Vorteil der Zahnradanordnung besteht darin, daß die Zahnräder konstant miteinander kämmen und dadurch im allgemeinen kein Wandern oder Schlupf auftritt und dadurch sehr exakte Bewegungen ausgeführt werden können.
  • Ein wesentlicher Faktor beim Bestimmen der Ansprechempfindlichkeit und der Auflösung der Linearantriebsanordnung besteht in der Auswahl der geeigneten Zahnradabmessungen (zum Beispiel der Zähne). Im allgemeinen ist man der Ansicht, daß die Auflösung um so größer ist, je größer die Anzahl der Zähne ist. Das heißt, je größer die Anzahl der Zähne ist, desto kleiner sind die inkrementellen Veränderungen bei der durch das Positionierelement zurückgelegten Distanz und desto kleiner sind die Veränderungen beim Druck.
  • Im wesentlichen hat jedes Zahnrad eine Auflösung mit einer Anzahl von Zähnen x. Zur weiteren Erläuterung kann die Anzahl von Zähnen in Form der einzelnen Segmente des Zahnrads beschrieben werden. Wenn zum Beispiel das zweite Zahnrad 10 Zähne aufweist, kann das zweite Zahnrad in 10 Segmente aufgebrochen werden. Diese Segmente entsprechen den inkrementellen Bewegungen des zweiten Zahnrads. Wenn nur ein Zahn bewegt wird, dann bewegt sich das zweite Zahnrad nur um ein Segment, und somit führt das zweite Zahnrad eine Rotationsbewegung von nur 1/10 aus.
  • Aufgrund des Eingriffs zwischen dem zweiten Zahnrad und dem Positionierelement bewegt sich das Positionierelement in entsprechender Weise nur um 1/10 der Steigung. Wenn die Steigung 1/32 eines Inch (0,8 mm) beträgt, dann bewegt sich das Positionierelement um 1/320 eines Inch (80 mm). Beispielweise funktioniert ein zweites Zahnrad gut, das zwischen etwa 10 und etwa 48 Zähnen aufweist. Es ist jedoch darauf hinzuweisen, daß dies keine Einschränkung darstellt, und daß die Anzahl der Zähne an dem zweiten Zahnrad in Abhängigkeit von der speziellen Ausbildung jeder Prozeßkammer variieren kann.
  • Die Zahnräder können aus jedem beliebigen geeignetem Material, wie zum Beispiel Metallen und Kunststoffen, gebildet sein und können unter Verwendung einer beliebigen bekannten Technik, wie zum Beispiel Gießen, Schmieden, Extrusion, Spritzgießen und dergleichen, hergestellt werden. Wenn die Zahnräder oder die Abdeckung der Prozeßkammer thermischer Expansion ausgesetzt werden (z. B. wenn die Temperatur hoch ist), kann es notwendig sein, diese aus Materialen mit im wesentlichen dem gleichen Wärmeausdehnungskoeffizienten zu bilden, so daß sie sich etwa mit der gleichen Rate ausdehnen.
  • Dieser Faktor spielt im allgemeinen keine Rolle, wenn die Wärmeausdehnung gering ist, da der Spalt zwischen den Zahnrädern typischerweise größer ist als der Betrag der Wärmeausdehnung. Ferner kann auch ein Schmiermittel oder Öl zwischen den Zahnrädern verwendet werden, um die Effekte der Wärmeausdehnung zu vermindern und auch Verschleiß zwischen miteinander kämmenden Zahnrädern zu reduzieren.
  • Wie bereits erwähnt, sind die Zahnräder durch die Prozeßkammer-Abdeckung drehbar abgestützt. Bei einem Ausführungsbeispiel werden Lagerräder verwendet, die eine freie Rotationsbewegung der Zahnräder zulassen. Wie in 3 gezeigt, ist das erste Zahnrad 152 als konzentrischer Ring konfiguriert, der einen Innenumfang aufweist, der mit einem Satz von Lagern 180 zusammenwirkt. Im spezielleren ist der Lagersatz 180 zwischen dem Innenumfang des ersten Zahnrads 152 und einem Bereich 182 der Abdeckung 156 angeordnet.
  • Somit kann der Bereich 182 der Abdeckung 150 als Passage für Gasöffnungen, Sensoren, Manometer, usw. verwendet werden. Lagerzahnräder sind allgemein bekannt und werden zur Verkürzung der Beschreibung an dieser Stelle nicht ausführlicher erläutert. Ferner sind die zweiten Zahnräder an der Abdeckung der Prozeßkammer starr festgelegt. Bei einer Ausführungsform werden Axiallager zum Festlegen der zweiten Zahnräder an der Abdeckung der Prozeßkammer verwendet.
  • Eine Linearantriebsanordnung (z. B. 150) ist im allgemeinen Bestandteil eines geschlossenen Regelsystems, das zum Reduzieren von Druckschwankungen im Inneren einer Prozeßkammer konfiguriert ist. Zum Beispiel kann eine Plasmabearbeitungsvorrichtung derart konfiguriert sein, daß sie einen Drucksensor zum Messen von Druckwerten innerhalb des aktiven Bereichs oberhalb eines Substrats sowie eine Steuerung oder eine zentrale CPU zum Überwachen der gemessenen Druckwerte aufweist.
  • Sowohl ein Motor der Linearantriebsanordnung als auch der Drucksensor sind mit der Steuerung betriebsmäßig gekoppelt. Der Drucksensor ist zum Erzeugen eines elektrischen Drucksignals konfiguriert, das dem gemessenen Druck entspricht. Die Steuerung ist dafür konfiguriert, das elektrische Drucksignal von dem Drucksensor zu empfangen und ein entsprechendes elektrisches Steuersignal, das zumindest teilweise auf das empfangene Signal basiert, an den Motor zu schicken.
  • Ferner ist der Motor dazu konfiguriert, das von der Steuerung geschickte elektrische Steuersignal zu empfangen und umzusetzen. Das elektrische Steuersignal betrifft im allgemeinen eine bestimmte Richtung und eine inkrementelle Änderung der Position für den Motor. Drucksensoren, Steuerungen und Motoren sind in der Technik allgemein bekannt und werden daher nicht ausführlich beschrieben.
  • Gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung ist die Linearbewegung einer Linearantriebsanordnung zum Steuern des Spalts zwischen der oberen Elektrode und dem Substrat konfiguriert. Bei diesem speziellen Ausführungsbeispiel sind die Positionierelemente an der oberen Elektrode festgelegt anstatt an dem Begrenzungsring. In entsprechender Weise ist die Linearantriebsanordnung dazu ausgebildet, die obere Elektrode nach oben und nach unten zu bewegen, um dadurch das Volumen des aktiven Bereichs oberhalb des Substrats einzustellen. Durch Einstellen des Volumens können verschiedene Parameter in Verbindung mit der Plasmabearbeitung, wie die Plasmadichte und der Druck, auf gewünschten Niveaus für die Bearbeitung gehalten werden.
  • Zur Vereinfachung der Diskussion dieses Aspekts der vorliegenden Erfindung veranschaulicht 5 einen Plasmareaktor 100, der eine Linearantriebsanordnung 700 aufweist, die zum Bewegen der oberen Elektrode 104 im Inneren der Prozeßkammer 102 konfiguriert ist. Bei dieser Figur ist die Linearantriebsanordnung 700 gemäß den Lehren der Erfindung ausgebildet, wie diese vorstehend in bezug auf die 1 bis 4 erläutert worden sind, so daß die Linearantriebsanordnung 700 nur kurz beschrieben wird.
  • Die Linearantriebsanordnung 700 weist im allgemeinen ein erstes Zahnrad 702 und eine Vielzahl von zweiten Zahnrädern 704 auf. Sowohl das erste Zahnrad 702 als auch die Vielzahl der zweiten Zahnräder 704 sind von der Abdeckung 156 der Prozeßkammer 102 drehbar abgestützt. Ferner befinden sich die zahlreichen zweiten Zahnräder 704 in betriebsmäßigem Eingriff mit dem ersten Zahnrad 702.
  • Die Linearantriebsanordnung 700 weist ferner eine Vielzahl von Positionierelementen 706 mit einem ersten Bereich 710 und einem zweiten Bereich 712 auf. Der erste Be reich 710 ist mit dem zweiten Zahnrad 704 in einer linearen Richtung 166 beweglich gekoppelt, und der zweite Bereich 712 ist an der oberen Elektrode 104 festgelegt. Wie dargestellt, ist die lineare Richtung 166 rechtwinklig zu der durch die obere Oberfläche des Substrats 110 gebildete Ebene.
  • Ferner sind die Positionierelemente 706 mit den zweiten Zahnrädern 704 gewindemäßig gekoppelt. Wie bereits erwähnt, sind die Positionierelemente 706 und die zweiten Zahnräder 704 mit Schraubgewinden ausgestattet, mittels der die Positionierelemente 706 in der linearen Richtung 166 bewegt werden, wenn das erste Zahnrad 702 rotationsmäßig bewegt wird.
  • Weiterhin weist die Linearantriebsanordnung 700 einen Motor 161 und ein Antriebszahnrad 163 auf, das an dem Motor 161 festgelegt ist. Das Antriebszahnrad 163 befindet sich in betriebsmäßigem Eingriff mit dem ersten Zahnrad 702 und ist zum Antreiben des ersten Zahnrads 702 konfiguriert, wenn der Motor 161 betätigt wird. Im wesentlichen treibt der Motor 161 das Antriebszahnrad 163 an, das Antriebszahnrad 163 treibt das erste Zahnrad 702 an, das erste Zahnrad 702 treibt die Vielzahl der zweiten Zahnräder 704 an und die Vielzahl der zweiten Zahnräder 704 bewegen die entsprechenden Positionierelemente 706 in der linearen Richtung 166, wobei infolgedessen die obere Elektrode 104 in der linearen Richtung 166 bewegt wird.
  • Obwohl die Linearantriebsanordnung in Verbindung mit der Bewegung eines Begrenzungsrings oder einer oberen Elektrode dargestellt und beschrieben worden ist, versteht es sich, daß auch andere Komponenten bewegt werden können, um unterschiedlichen Prozessen Rechnung zu tragen. Zum Beispiel kann die Linearantriebsanordnung zum Bewegen der unteren Elektrode verwendet werden. Außerdem ist darauf hinzuweisen, daß die vorliegende Erfindung nicht auf die Bewegung von Komponenten im Inneren der Prozeßkammer begrenzt ist.
  • Zum Beispiel kann die Linearantriebsanordnung auch zum Bewegen einer Antenne oder Elektrode verwendet werden, die außerhalb der Kammer angeordnet ist. Wenn dieser Systemtyp verwendet wird, ist die Linearantriebsanordnung im allgemeinen mit einem Rahmen des Plasmareaktors gekoppelt, anstatt in der dargestellten Weise mit der Abdeckung der Prozeßkammer gekoppelt zu sein.
  • Ferner versteht es sich, daß die Linearantriebsanordnung nicht auf die Bewegung von einer einzigen Komponente begrenzt ist, sondern auch zum Bewegen einer Vielzahl von Komponenten verwendet werden kann. Zum Beispiel kann die Linearantriebsanordnung zum Bewegen einer Vielzahl von Begrenzungsringen oder einer Kombination von Komponenten, wie zum Beispiel dem Begrenzungsring und der oberen Elektrode, ausgebildet sein.
  • Gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung ist die Linearbewegung der Linearantriebsanordnung zum Bewegen sowohl des Begrenzungsrings als auch der oberen Elektrode konfiguriert. Auf diese Weise kann man eine verbesserte Steuerung der verschiedenen Parameter in Verbindung mit der Bearbeitung erzielen. Zum Beispiel kann eine Bewegung des Begrenzungsrings und der oberen Elektrode den Druck und die Plasmadichte im Inneren des aktiven Bereichs oberhalb des Substrats verändern. Somit können beide dieser Körper bewegt werden, um die Gleichmäßigkeit von Substrat zu Substrat aufrechtzuerhalten.
  • Zur Vereinfachung der Diskussion von diesem Gesichtpunkt der vorliegenden Erfindung veranschaulichen die 6 und 7 einen Plasmareaktor 100 mit einer Linearantriebsanordnung 800, die zum Bewegen von mehreren Körpers innerhalb der Prozeßkammer 102 konfiguriert ist. Bei dieser Darstellung ist die Linearantriebsanordnung 800 gemäß den Lehren der Erfindung ausgebildet, wie diese vorstehend in bezug auf die 1 bis 5 erläutert worden sind.
  • Somit ist die Linearantriebsanordnung 800 zum Bewegen des Begrenzungsrings 130 zwischen der oberen und der unteren Elektrode 104 und 106 sowie zum Bewegen der oberen Elektrode 104 im Inneren der Prozeßkammer 102 (beides mit gesteigerter Bewegungskontrolle) konfiguriert, um verschiedene Parameter in Verbindung mit der Bearbeitung zu steuern.
  • Die Linearantriebsanordnung 800 weist im allgemeinen ein erstes Zahnrad 802 und eine Vielzahl von zweiten Zahnrädern 804 auf. Sowohl das erste Zahnrad 802 als auch die Vielzahl der zweiten Zahnräder 804 sind von der Abdeckung 156 der Prozeßkammer 102 drehbar abgestützt. Ferner befinden sich die zahlreichen zweiten Zahnräder 804 betriebsmäßig in Eingriff mit dem ersten Zahnrad 802.
  • Die Linearantriebsanordnung 800 beinhaltet ferner eine Vielzahl von dritten Zahnrädern 806 und eine Vielzahl von vierten Zahnrädern 808, die beide drehbar und starr von der Prozeßkammer 102 abgestützt sind. Ein erster Satz von Positionierelementen 810 ist mit dem dritten Satz von Zahnrädern 806 beweglich gekoppelt, und ein zweiter Satz von Positionierelementen 812 ist mit dem vierten Satz von Zahnrädern 808 beweglich gekoppelt.
  • Die beiden Sätze der Positionierelemente 810 und 812 sind in einer linearen Richtung 166 beweglich gekoppelt. Wie in der Zeichnung dargestellt, verläuft die lineare Richtung 166 rechtwinklig zu der durch die obere Oberfläche des Substrats 114 gebildeten Ebene. Ferner ist der erste Satz von Positionierelementen 810 an dem Begrenzungsring 130 festgelegt, und es ist der zweite Satz von Positionierelementen 812 an der oberen Elektrode 102 festgelegt.
  • Außerdem sind die zweiten Zahnräder 804 mit der Prozeßkammer 102 beweglich gekoppelt und dafür konfiguriert, mit den dritten Zahnrädern 806 und den vierten Zahnrädern 808 in Eingriff zu treten und sich von diesen zu trennen. Genauer gesagt, es besitzen die zweiten Zahnräder 704 zumindest zwei Positionen auf der Abdeckung der Prozeßkammer 102. Eine erste Position (wie dargestellt) bewirkt einen betriebsmäßigen Eingriff des zweiten Zahnrads 804 mit einem der dritten Zahnräder 806, und eine zweite Position bewirkt einen betriebsmäßigen Eingriff des zweiten Zahnrads 804 mit einem der vierten Zahnräder 808.
  • Bei einer Ausführungsform sind die zweiten Zahnräder 804 zur Ausführung einer Gleitbewegung zwischen diesen Positionen in einer in der Abdeckung 156 vorgesehenen Nut konfiguriert. Auch ist bei diesem Ausführungsbeispiel eine Kupplung vorgesehen, um die zweiten Zahnräder zwischen Positionen zum Verbinden und Trennen der zweiten Zahnräder mit bzw. von den dritten und den vierten Zahnrädern zu bewegen. Bei einer Ausführungsform ist die Kupplung als Bestandteil eines geschlossenen Regelungsprozesses konfiguriert, der die zweiten Zahnräder 804 automatisch in Eingriff bringt bzw. trennt. Kupplungen sind in der Technik allgemein bekannt und werden somit aus Gründen der Kürze nicht ausführlich beschrieben.
  • Weiterhin weist die Linearantriebsanordnung einen Motor 161 und ein Antriebszahnrad 163 auf, das an dem Motor 161 angebracht ist. Das Antriebszahnrad 163 befindet sich in betriebsmäßigem Eingriff mit dem ersten Zahnrad 802 und ist zum Antreiben des ersten Zahnrads 802 konfiguriert, wenn der Motor 161 betätigt wird. Wenn die zweiten Zahnräder 804 mit den dritten Zahnrädern 806 in Eingriff stehen, treibt der Motor 161 das Antriebszahnrad 163 an, das Antriebszahnrad 163 treibt das erste Zahnrad 802 an, das erste Zahnrad 802 treibt die Vielzahl der zweiten Zahnräder 804 an, und die Vielzahl der zweiten Zahnräder 804 treibt die Vielzahl der dritten Zahnräder 806 an, und die dritten Zahnräder bewegen die entsprechenden Positionierelemente 810 somit entsprechend in der linearen Richtung 166, wobei infolgedessen der Begrenzungsring 130 in der linearen Richtung 166 zwischen der oberen Elektrode und der unteren Elektrode 106 bewegt wird.
  • Wenn die zweiten Zahnräder 804 mit den vierten Zahnrädern 808 in Eingriff stehen, treibt der Motor 161 das Antriebszahnrad 163 an, das Antriebszahnrad 163 treibt das erste Zahnrad 802 an, das erste Zahnrad 802 treibt die Vielzahl der zweiten Zahnräder 804 an, und die Vielzahl der zweiten Zahnräder 804 treibt die Vielzahl der vierten Zahnräder 808 an, wobei die vierten Zahnräder 808 die entsprechenden Positionierelemente 812 in der linearen Richtung 166 in entsprechender Weise bewegen, wobei infolgedessen die obere Elektrode in der linearen Richtung 166 bewegt wird.
  • Zur weiteren Erläuterung ist der erste Satz von Positionierelementen 810 mit den dritten Zahnrädern 806 gewindemäßig gekoppelt und ist der zweite Satz von Positionierelementen 812 gewindemäßig mit den vierten Zahnrädern 808 gekoppelt. Wie bereits erwähnt, sind die Positionierelemente und die entsprechenden Zahnräder mit Schraubgewinden ausgestattet, so daß sich das Positionierelement in der linearen Richtung bewegt, wenn die entsprechenden Zahnräder rotationsmäßig bewegt werden.
  • Ferner sind die Vielzahl der zweiten Zahnräder 804 und das Antriebszahnrad 163 im allgemeinen um den Umfang des ersten Zahnrads 802 herum angeordnet. Die Bewegungen der zweiten Zahnräder sind somit miteinander synchronisiert. Das heißt, die Richtung der Bewegung (zum Beispiel im Uhrzeigersinn oder im Gegenuhrzeigersinn) und die Größe der Bewegung (zum Beispiel die Anzahl der Zähne, die bewegt werden) sind gleich.
  • Darüber hinaus ist der dritte Satz von Zahnrädern 806 im allgemeinen in der Nähe der zweiten Zahnräder 804 sowie oberhalb des Begrenzungsrings 130 angeordnet, und der vierte Satz von Zahnrädern 808 ist im allgemeinen in der Nähe der zweiten Zahnräder 804 und oberhalb der oberen Elektrode 102 angeordnet. Wie gezeigt, sind die Anord nungen aus den dritten Zahnrädern und den Positionierelementen sowie die Anordnungen aus den vierten Zahnrädern und den Positionierelementen jeweils symmetrisch um das erste Zahnrad beabstandet, wobei die Positionierelemente jeweils im Zentrum der entsprechenden Zahnräder axial ausgerichtet sind.
  • Wie bei der unter Bezugnahme 1 bis 5 beschriebenen Linearantriebsanordnung kann auch die unter Bezugnahme auf die 6 und 7 beschriebene Linearantriebsanordnung mit hoher Auflösung konfiguriert werden, indem die Anzahl der Zähne an den Zahnrädern sowie die Steigung der Positionierelemente eingestellt werden. Ferner kann die Linearantriebsanordnung der 6 und 7 auch Bestandteil eines Regelsystems sein, wie es vorstehend beschrieben worden ist.
  • Wie aus der vorstehenden Beschreibung erkennbar ist, bietet die vorliegende Erfindung zahlreiche Vorteile gegenüber dem Stand der Technik. Die verschiedenen Ausführungsbeispiele oder Ausführungen können einen oder mehrere der im folgenden genannten Vorteile aufweisen.
  • Ein Vorteil der Erfindung besteht darin, daß die Linearantriebsanordnung für exakte Bewegungen mit hoher Auflösung, hoher Ansprechempfindlichkeit und gesteigerter Zuverlässigkeit schafft. Infolgedessen können solche Komponenten, wie der Begrenzungsring und die obere Elektrode, mit einem größeren Bereich an Steuerbarkeit bewegt werden.
  • Somit können solche Parameter wie der Wafer-Flächendruck und die Plasmadichte gesteuert werden, um dadurch für eine gesteigerte Prozeß-Gleichmäßigkeit (d.h. Gleichmäßigkeit über die Oberfläche des Substrats sowie Gleichmäßigkeit von Substrat zu Substrat) zu schaffen, wobei dies wiederum den Substratdurchsatz erhöht, die Ausfallrate von Vorrichtungen vermindert und die Produktivität der bearbeiteten Substrate insgesamt steigert.
  • Ein weiterer Vorteil der Erfindung besteht darin, daß sie kostengünstig ist. Zum Beispiel kann die vorliegende Erfindung, die nur einen einzigen Motor verwendet, zum Bewegen von mehreren Körpern im Inneren der Prozeßkammer konfiguriert werden. Ferner reduziert die vorliegende Erfindung die Menge von sich aufbrauchenden Teilen (beispielsweise durch Verschleiß). Infolgedessen verringern sich die Kosten für den Erwerb und die Unterhaltung des Systems. Ein weiterer spezieller Vorteil der Erfin dung besteht darin, daß die Steuerung in Echtzeit erfolgt, d.h. daß die linearen Bewegungen während der Bearbeitung eines einzelnen Substrats ausgeführt werden können.
  • Während die vorliegende Erfindung im Hinblick auf mehrere bevorzugte Ausführungsbeispiele beschrieben worden ist, gibt es Änderungen, Modifikationen und Äquivalente, die im Umfang der vorliegenden Erfindung liegen. Zum Beispiel sind nur Stirnräder beschrieben und dargestellt worden, obwohl es sich versteht, daß auch andere Zahnradkonfigurationen, wie zum Beispiel Schraubenräder, pfeilverzahnte Zahnräder, Schneckenräder, Kegelräder, Sektorzahnräder, Gurte und/oder Ketten verwendet werden können.
  • Weiterhin kann die Anordnung aus Positionierelement und zweitem Zahnrad als Zahnstangen- und Ritzel-Anordnung konfiguriert werden, die zur Ausführung einer Bewegung in der linearen Richtung ausgebildet sind. Obwohl nur ein Motor mit einem Antriebszahnrad dargestellt und beschrieben worden ist, versteht es sich, daß auch andere Antriebsmechanismen verwendet werden können. Zum Beispiel kann der Motor mit dem ersten Zahnrad direkt gekoppelt sein oder mit dem ersten Zahnrad mittels Riemen oder Ketten indirekt gekoppelt sein.
  • Es ist ferner darauf hinzuweisen, daß viele verschiedene alternative Weisen zum Ausführen der Verfahren und Vorrichtungen der vorliegenden Erfindung möglich sind. Obwohl die Linearantriebsanordnung als Möglichkeit zum Bewegen des Begrenzungsrings und der oberen Elektrode beschrieben worden ist, versteht es sich, daß diese auch zum Bewegen von anderen Körpern, wie zum Beispiel der unteren Elektrode konfiguriert sein kann. Außerdem kann die lineare Richtung auch zum Bewegen von Körpern in anderen Richtungen als einer zu dem Substrat rechtwinkligen Richtung verwendet werden. Beispielsweise kann die Linearantriebsanordnung dazu verwendet werden, Körper parallel zu der Substratoberfläche zu bewegen.
  • Darüber hinaus ist es ins Auge gefaßt, die vorliegende Erfindung bei einem beliebigen Reaktor zu verwenden, der zum Ausführen von Ätzvorgängen oder Aufbringvorgängen geeignet ist. Zum Beispiel kann die vorliegende Erfindung bei einem beliebigen von mehreren verschiedenen geeigneten und bekannten Aufbringprozessen verwendet werden, wobei diese Prozesse die chemische Abscheidung aus der Dampfphase (CVD), die plasmaunterstützte chemische Abscheidung aus der Dampfphase (PECVD) und die physikalische Abscheidung aus der Dampfphase (PVD), wie zum Beispiel Sputtern, beinhalten.
  • Weiterhin kann die vorliegende Erfindung bei einem beliebigen von mehreren geeigneten und bekannten Ätzprozessen verwendet werden, einschließlich solcher, die für das Trockenätzen, das Plasmaätzen, das reaktive Ionenätzen (RIE), das magnetisch unterstützte reaktive Ionenätzen (MIRIE), die Elektronenzyklotronresonanz (ECR) oder dergleichen ausgebildet sind.

Claims (12)

  1. Plasmabearbeitungssystem zum Bearbeiten eines Substrats, wobei das System folgendes aufweist: eine Komponente (130), die die Bearbeitung des Substrats (114) bewerkstelligt; und eine Zahnrad-Antriebsanordnung zum Bewegen der Komponente in einer linearen Richtung, wobei die Zahnrad-Antriebsanordnung ein erstes Zahnrad (152), eine Vielzahl von zweiten Zahnrädern (154) und eine Vielzahl von Positionierelementen (158) aufweist, wobei jedes Positionierelement einem separaten zweiten Zahnrad (154) zugeordnet ist, das erste Zahnrad zum Antreiben der zweiten Zahnräder konfiguriert ist und jedes zweite Zahnrad zum Bewegen des zugeordneten Positionierelements in der linearen Richtung konfiguriert ist, wobei jedes Positionierelement derart an der Komponente angebracht ist, daß bei einer Bewegung des Positionierelements in der linearen Richtung auch die Komponente in der linearen Richtung bewegt wird.
  2. Plasmabearbeitungssystem nach Anspruch 1, wobei es sich bei der Komponente (130) um einen Begrenzungsring handelt, um ein Plasma innerhalb einer Prozeßkammer (102) einzuschließen.
  3. Plasmabearbeitungssystem nach Anspruch 2, wobei die Zahnrad-Antriebsanordnung zum Bewegen des Begrenzungsrings konfiguriert ist, um den Druck oberhalb des Substrats zu steuern.
  4. Plasmabearbeitungssystem nach Anspruch 1, wobei es sich bei der Komponente um eine Elektrode zum Erzeugen eines elektrischen Feldes im Inneren einer Prozeßkammer handelt.
  5. Plasmabearbeitungssystem nach Anspruch 4, wobei die Elektrode im Inneren der Prozeßkammer angeordnet ist.
  6. Plasmabearbeitungssystem nach Anspruch 1, wobei die Zahnrad-Antriebsanordnung zum Bewegen einer Vielzahl von Komponenten konfiguriert ist.
  7. Plasmabearbeitungssystem nach Anspruch 3, wobei die Position des Begrenzungsrings zum Bilden eines Spalts (132) zwischen dem Begrenzungsring und dem Substrat konfiguriert ist, wenn das Substrat für die Bearbeitung in der Prozeßkammer angeordnet ist, wobei der Spalt zum Steuern der Strömung von Abgasen konfiguriert ist.
  8. Plasmabearbeitungssystem nach Anspruch 1, wobei das Plasmabearbeitungssystem eine Prozeßkammer (102) aufweist und das erste Zahnrad (152) sowie jedes der zweiten Zahnräder (154) von der Prozeßkammer (156) drehbar abgestützt sind, wobei die zweiten Zahnräder mit dem ersten Zahnrad betriebsmäßig in Eingriff stehen, wobei die zweiten Zahnräder jeweils eine Achse sowie eine auf der Achse angeordnete erste Gewindefläche aufweisen, wobei jedes zugeordnete erste Positionierelement eine zweite Gewindefläche aufweist, die mit der ersten Gewindefläche des zweiten Zahnrads beweglich gekoppelt ist, um für eine Bewegung in einer linearen Richtung zu sorgen.
  9. Plasmabearbeitungssystem nach Anspruch 8, wobei die Zahnrad-Antriebsanordnung ferner eine Antriebsanordnung zum rotationsmäßigen Bewegen des ersten Zahnrads aufweist, wobei die Antriebsanordnung einen Motor (161) und ein Antriebszahnrad (163) aufweist, das mit dem Motor drehbar gekoppelt ist, wobei das Antriebszahnrad mit dem ersten Zahnrad betriebsmäßig in Eingriff steht, wobei dann, wenn der Motor das Antriebszahnrad rotationsmäßig bewegt, das Antriebszahnrad das erste Zahnrad rotationsmäßig antreibt und das erste Zahnrad die zweiten Zahnräder rotationsmäßig antreibt, wobei die sich rotationsmäßig bewegenden zweiten Zahnräder eine Bewegung der Positionierelemente in der linearen Richtung hervorrufen.
  10. Plasmabearbeitungssystem nach Anspruch 1, wobei die Zahnrad-Antriebsanordnung ferner ein Transferzahnrad (804) aufweist, um die zweiten Zahnräder mit dem ersten Zahnrad in Eingriff zu bringen und von diesem zu trennen, wobei dann, wenn ein bestimmtes der zweiten Zahnräder mit dem Transferzahnrad in Eingriff steht, das zugeordnete Positionierelement sich in der vorbestimmten Richtung bewegt.
  11. Plasmabearbeitungssystem nach Anspruch 1, wobei jedes Positionierelement eine mit einem Außengewinde versehene Oberfläche mit einer Steigung aufweist und jedes zweite Zahnrad eine mit Innengewinde versehene Oberfläche mit einer Steigung aufweist, die mit der Steigung der mit Außengewinde versehenen Oberfläche des zugeordneten Positionierelements identisch ist, wobei die mit Außengewinde versehene Oberfläche jedes Positionierelements in der mit Innengewinde versehenen Oberfläche des diesem Positionierelement zugeordneten zweiten Zahnrads drehbar angebracht ist.
  12. Plasmabearbeitungssystem nach Anspruch 1, wobei die zweiten Zahnräder und die zugeordneten Positionierelemente um den Umfang des ersten Zahnrads symmetrisch beabstandet sind.
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Families Citing this family (71)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0250853A (ja) * 1988-08-12 1990-02-20 Nec Corp 画像形成装置
US6350317B1 (en) * 1999-12-30 2002-02-26 Lam Research Corporation Linear drive system for use in a plasma processing system
WO2001052302A1 (en) * 2000-01-10 2001-07-19 Tokyo Electron Limited Segmented electrode assembly and method for plasma processing
GB0019848D0 (en) * 2000-08-11 2000-09-27 Rtc Systems Ltd Apparatus and method for coating substrates
US6492774B1 (en) 2000-10-04 2002-12-10 Lam Research Corporation Wafer area pressure control for plasma confinement
US6391787B1 (en) 2000-10-13 2002-05-21 Lam Research Corporation Stepped upper electrode for plasma processing uniformity
US20020142612A1 (en) * 2001-03-30 2002-10-03 Han-Ming Wu Shielding plate in plasma for uniformity improvement
US20030024900A1 (en) * 2001-07-24 2003-02-06 Tokyo Electron Limited Variable aspect ratio plasma source
US6806653B2 (en) * 2002-01-31 2004-10-19 Tokyo Electron Limited Method and structure to segment RF coupling to silicon electrode
US6926803B2 (en) * 2002-04-17 2005-08-09 Lam Research Corporation Confinement ring support assembly
US6936135B2 (en) * 2002-04-17 2005-08-30 Lam Research Corporation Twist-N-Lock wafer area pressure ring and assembly for reducing particulate contaminant in a plasma processing chamber
JP4847009B2 (ja) 2002-05-23 2011-12-28 ラム リサーチ コーポレーション 半導体処理プラズマ反応器用の多部品電極および多部品電極の一部を取り換える方法
ITBO20020411A1 (it) * 2002-06-27 2003-12-29 Sir Meccanica S R L Macchina alesatrice saldatrice portatile
KR100426816B1 (ko) * 2002-07-31 2004-04-14 삼성전자주식회사 진공압조절장치가 개선된 플라즈마 처리장치
JP2004119448A (ja) * 2002-09-24 2004-04-15 Nec Kyushu Ltd プラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法
US20040118344A1 (en) * 2002-12-20 2004-06-24 Lam Research Corporation System and method for controlling plasma with an adjustable coupling to ground circuit
US20040261712A1 (en) * 2003-04-25 2004-12-30 Daisuke Hayashi Plasma processing apparatus
US7296534B2 (en) * 2003-04-30 2007-11-20 Tokyo Electron Limited Hybrid ball-lock attachment apparatus
US20070286965A1 (en) * 2006-06-08 2007-12-13 Martin Jay Seamons Methods for the reduction and elimination of particulate contamination with cvd of amorphous carbon
US20060043067A1 (en) * 2004-08-26 2006-03-02 Lam Research Corporation Yttria insulator ring for use inside a plasma chamber
US7343842B2 (en) * 2004-10-28 2008-03-18 Axon Llc Apparatus for cutting film tubing
KR100790392B1 (ko) * 2004-11-12 2008-01-02 삼성전자주식회사 반도체 제조장치
KR100598988B1 (ko) * 2005-05-18 2006-07-12 주식회사 하이닉스반도체 오버레이 버니어 및 이를 이용한 반도체소자의 제조방법
US7897217B2 (en) * 2005-11-18 2011-03-01 Tokyo Electron Limited Method and system for performing plasma enhanced atomic layer deposition
JP4865352B2 (ja) * 2006-02-17 2012-02-01 三菱重工業株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US7824519B2 (en) * 2007-05-18 2010-11-02 Lam Research Corporation Variable volume plasma processing chamber and associated methods
JP5464753B2 (ja) * 2007-12-06 2014-04-09 インテバック・インコーポレイテッド 基板を両面スパッタエッチングするシステム及び方法
TWI516175B (zh) * 2008-02-08 2016-01-01 蘭姆研究公司 在電漿處理腔室中穩定壓力的方法及其程式儲存媒體
KR101606736B1 (ko) 2008-07-07 2016-03-28 램 리써치 코포레이션 플라즈마 프로세싱 챔버에서 플라즈마 불안정성을 검출하기 위한 패시브 용량성-결합된 정전식 (cce) 프로브 장치
US8221582B2 (en) 2008-07-07 2012-07-17 Lam Research Corporation Clamped monolithic showerhead electrode
US8161906B2 (en) 2008-07-07 2012-04-24 Lam Research Corporation Clamped showerhead electrode assembly
CN102084475B (zh) * 2008-07-07 2013-01-30 朗姆研究公司 用于等离子体处理室中的包括真空间隙的面向等离子体的探针装置
US8206506B2 (en) * 2008-07-07 2012-06-26 Lam Research Corporation Showerhead electrode
US8540844B2 (en) * 2008-12-19 2013-09-24 Lam Research Corporation Plasma confinement structures in plasma processing systems
CN102369332B (zh) * 2008-12-31 2014-07-02 奥马尔·F·希门尼斯 带有弯曲构件的挠性接头结构
US8628577B1 (en) 2009-03-19 2014-01-14 Ex Technology, Llc Stable device for intervertebral distraction and fusion
US8402918B2 (en) * 2009-04-07 2013-03-26 Lam Research Corporation Showerhead electrode with centering feature
US8272346B2 (en) 2009-04-10 2012-09-25 Lam Research Corporation Gasket with positioning feature for clamped monolithic showerhead electrode
IN2012DN00952A (de) 2009-07-22 2015-04-10 Spinex Tec Llc
KR20180049208A (ko) 2009-08-31 2018-05-10 램 리써치 코포레이션 무선 주파수 (rf) 접지 복귀 장치들
US8992722B2 (en) * 2009-09-01 2015-03-31 Lam Research Corporation Direct drive arrangement to control confinement rings positioning and methods thereof
US8419959B2 (en) * 2009-09-18 2013-04-16 Lam Research Corporation Clamped monolithic showerhead electrode
WO2011038344A2 (en) * 2009-09-28 2011-03-31 Lam Research Corporation Unitized confinement ring arrangements and methods thereof
JP3160877U (ja) * 2009-10-13 2010-07-15 ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation シャワーヘッド電極アセンブリの端部クランプ留めおよび機械固定される内側電極
US8636746B2 (en) 2009-12-31 2014-01-28 Spinex Tec, Llc Methods and apparatus for insertion of vertebral body distraction and fusion devices
US9184028B2 (en) * 2010-08-04 2015-11-10 Lam Research Corporation Dual plasma volume processing apparatus for neutral/ion flux control
US20130059448A1 (en) * 2011-09-07 2013-03-07 Lam Research Corporation Pulsed Plasma Chamber in Dual Chamber Configuration
US8573152B2 (en) 2010-09-03 2013-11-05 Lam Research Corporation Showerhead electrode
CN102595764A (zh) * 2012-03-13 2012-07-18 苏州爱因智能设备有限公司 用于电子直线加速器的自动频率控制驱动装置
US8895452B2 (en) 2012-05-31 2014-11-25 Lam Research Corporation Substrate support providing gap height and planarization adjustment in plasma processing chamber
JP5985338B2 (ja) * 2012-09-28 2016-09-06 小島プレス工業株式会社 プラズマcvd装置
JP5992288B2 (ja) 2012-10-15 2016-09-14 東京エレクトロン株式会社 ガス導入装置及び誘導結合プラズマ処理装置
TWI627305B (zh) * 2013-03-15 2018-06-21 應用材料股份有限公司 用於轉盤處理室之具有剛性板的大氣蓋
US8940049B1 (en) 2014-04-01 2015-01-27 Ex Technology, Llc Expandable intervertebral cage
US9486328B2 (en) 2014-04-01 2016-11-08 Ex Technology, Llc Expandable intervertebral cage
CN104900473B (zh) * 2015-04-24 2017-04-05 北京精诚铂阳光电设备有限公司 平行度调节装置及cvd生长膜装置
US10533251B2 (en) 2015-12-31 2020-01-14 Lam Research Corporation Actuator to dynamically adjust showerhead tilt in a semiconductor processing apparatus
KR101680850B1 (ko) * 2016-06-28 2016-11-29 주식회사 기가레인 배기유로의 크기가 조절되는 플라즈마 처리 장치
US9899193B1 (en) * 2016-11-02 2018-02-20 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. RF ion source with dynamic volume control
CN107339791A (zh) * 2017-07-25 2017-11-10 广东美的制冷设备有限公司 百叶驱动装置、空调器的百叶组件和空调器
US11670490B2 (en) * 2017-09-29 2023-06-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Integrated circuit fabrication system with adjustable gas injector
CN111586957B (zh) * 2019-02-19 2021-05-04 大连理工大学 一种容性耦合等离子体放电装置
US11234835B2 (en) 2019-03-05 2022-02-01 Octagon Spine Llc Transversely expandable minimally invasive intervertebral cage
US11497622B2 (en) 2019-03-05 2022-11-15 Ex Technology, Llc Transversely expandable minimally invasive intervertebral cage and insertion and extraction device
CN111863578B (zh) * 2019-04-28 2023-06-16 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种等离子体处理设备
WO2020257311A1 (en) * 2019-06-21 2020-12-24 Lam Research Corporation Bidirectional indexing apparatus
CN112309807B (zh) * 2019-08-02 2022-12-30 中微半导体设备(上海)股份有限公司 等离子体刻蚀设备
CN113035680A (zh) * 2019-12-24 2021-06-25 中微半导体设备(上海)股份有限公司 用于真空设备的调平机构和等离子体处理装置
WO2022164447A1 (en) * 2021-01-29 2022-08-04 Applied Materials, Inc. Cathode drive unit, deposition system, method of operating a deposition system and method of manufacturing a coated substrate
US20230113063A1 (en) * 2021-10-11 2023-04-13 Applied Materials, Inc. Dynamic processing chamber baffle
US20230114104A1 (en) * 2021-10-11 2023-04-13 Applied Materials, Inc. Dynamic processing chamber baffle

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5729577A (en) 1980-07-30 1982-02-17 Anelva Corp Automatic continuous sputtering apparatus
US4478701A (en) * 1983-12-30 1984-10-23 Rca Corporation Target support adjusting fixture
JPS61291032A (ja) 1985-06-17 1986-12-20 Fujitsu Ltd 真空装置
CN1008932B (zh) * 1985-11-08 1990-07-25 冶金工业部北京钢铁设计研究总院 数字式脉冲阀系统
JPS62158342A (ja) * 1986-01-06 1987-07-14 Oki Electric Ind Co Ltd 基板上下装置
JPS63193527A (ja) * 1987-02-06 1988-08-10 Mitsubishi Electric Corp エツチング装置
US4851095A (en) * 1988-02-08 1989-07-25 Optical Coating Laboratory, Inc. Magnetron sputtering apparatus and process
US4944860A (en) * 1988-11-04 1990-07-31 Eaton Corporation Platen assembly for a vacuum processing system
JPH07110991B2 (ja) * 1989-10-02 1995-11-29 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JPH03203317A (ja) * 1989-12-29 1991-09-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理装置
CN2068025U (zh) * 1990-04-30 1990-12-26 彭建国 多功能汽车半轴套管拉压机
US5178739A (en) * 1990-10-31 1993-01-12 International Business Machines Corporation Apparatus for depositing material into high aspect ratio holes
US5284561A (en) * 1991-11-13 1994-02-08 Materials Research Corporation Method and apparatus for sputter coating employing machine readable indicia carried by target assembly
WO1994021839A1 (en) * 1993-03-15 1994-09-29 Kabushiki Kaisha Kobeseikosho Apparatus and system for arc ion plating
US5354413A (en) 1993-03-18 1994-10-11 Advanced Micro Devices, Inc. Electrode position controller for a semiconductor etching device
JPH0786252A (ja) * 1993-09-20 1995-03-31 Fujitsu Ltd ドライエッチング装置とドライエッチング方法
US5552124A (en) 1994-06-22 1996-09-03 Applied Materials, Inc. Stationary focus ring for plasma reactor
US5534751A (en) 1995-07-10 1996-07-09 Lam Research Corporation Plasma etching apparatus utilizing plasma confinement
US5672882A (en) 1995-12-29 1997-09-30 Advanced Micro Devices, Inc. Ion implantation device with a closed-loop process chamber pressure control system
US5961798A (en) * 1996-02-13 1999-10-05 Diamond Black Technologies, Inc. System and method for vacuum coating of articles having precise and reproducible positioning of articles
US5889248A (en) * 1997-09-08 1999-03-30 Abb Power T&D Company Inc. Operating mechanism for combined interrupter disconnect switch
JP3161392B2 (ja) * 1997-11-28 2001-04-25 日本電気株式会社 プラズマcvd装置とそのドライクリーニング方法
US6019060A (en) 1998-06-24 2000-02-01 Lam Research Corporation Cam-based arrangement for positioning confinement rings in a plasma processing chamber
US6350317B1 (en) * 1999-12-30 2002-02-26 Lam Research Corporation Linear drive system for use in a plasma processing system

Also Published As

Publication number Publication date
CN1429398A (zh) 2003-07-09
AU2925701A (en) 2001-07-16
US6863784B2 (en) 2005-03-08
EP1243017A1 (de) 2002-09-25
US6350317B1 (en) 2002-02-26
KR100751748B1 (ko) 2007-08-27
JP2003519908A (ja) 2003-06-24
KR20020063599A (ko) 2002-08-03
US6669811B2 (en) 2003-12-30
US20040108301A1 (en) 2004-06-10
DE60127232D1 (de) 2007-04-26
JP4991069B2 (ja) 2012-08-01
CN100392792C (zh) 2008-06-04
EP1243017B1 (de) 2007-03-14
WO2001050498A9 (en) 2002-12-05
IL150254A0 (en) 2002-12-01
US20020100555A1 (en) 2002-08-01
WO2001050498A1 (en) 2001-07-12

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