DE602004007608T2 - Lithographischer Projektionsapparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung - Google Patents

Lithographischer Projektionsapparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung Download PDF

Info

Publication number
DE602004007608T2
DE602004007608T2 DE602004007608T DE602004007608T DE602004007608T2 DE 602004007608 T2 DE602004007608 T2 DE 602004007608T2 DE 602004007608 T DE602004007608 T DE 602004007608T DE 602004007608 T DE602004007608 T DE 602004007608T DE 602004007608 T2 DE602004007608 T2 DE 602004007608T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
elements
arrangement
individually controllable
array
radiation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE602004007608T
Other languages
English (en)
Other versions
DE602004007608D1 (de
Inventor
Pieter Williem Herman De Jager
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ASML Netherlands BV
Original Assignee
ASML Netherlands BV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ASML Netherlands BV filed Critical ASML Netherlands BV
Publication of DE602004007608D1 publication Critical patent/DE602004007608D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE602004007608T2 publication Critical patent/DE602004007608T2/de
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70275Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70283Mask effects on the imaging process
    • G03F7/70291Addressable masks, e.g. spatial light modulators [SLMs], digital micro-mirror devices [DMDs] or liquid crystal display [LCD] patterning devices
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70866Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70916Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70933Purge, e.g. exchanging fluid or gas to remove pollutants

Landscapes

  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen lithographischen Apparat und ein Verfahren zur Herstellung eines Bausteins.
  • Ein lithographischer Apparat ist ein Gerät, das ein gewünschtes Muster auf einen Zielabschnitt eines Substrates aufbringt. Lithographische Apparate können beispielsweise bei der Herstellung von integrierten Schaltkreisen (ICs), Flachbildschirmen und anderen Bausteinen mit Feinstrukturen verwendet werden. Bei einem herkömmlichen lithographischen Apparat kann eine Bemusterungsvorrichtung, die alternativ auch als Maske oder Retikel bezeichnet wird, verwendet werden, um ein Schaltkreismuster zu erzeugen, das einer einzelnen Schicht des integrierten Schaltkreises (IC) (oder eines anderen Bausteins) entspricht, und dieses Muster kann auf einen Zielabschnitt (beispielsweise mit einem Teil eines Plättchens, einem ganzen Plättchen oder mehreren Plättchen) auf einem Substrat (beispielsweise einem Silizium-Wafer oder einer Glasplatte) abgebildet werden, das eine Schicht aus strahlungsempfindlichem Material (Resist) aufweist. Anstelle einer Maske kann die Bemusterungsvorrichtung eine Anordnung einzeln steuerbarer Elemente umfassen, die dazu dienen, das Schaltkreismuster zu erzeugen.
  • Im allgemeinen enthält ein einzelnes Substrat ein Netz aneinander angrenzender Zielabschnitte, die nacheinander belichtet werden. Bekannte lithographische Apparate besitzen auch sogenannte Stepper, wobei jeder Zielabschnitt bestrahlt wird, indem ein ganzes Muster auf dem Zielabschnitt in einem Durchgang belichtet wird, und sogenannte Scanner, wobei jeder Zielabschnitt bestrahlt wird, indem das Muster durch den Projektionsstrahl in einer bestimmten Richtung abgetastet wird (der "Abtastrichtung"), während das Substrat gleichzeitig parallel oder antiparallel zu dieser Richtung abgetastet wird.
  • In vielen Fällen kann die Speicherdichte der einzeln steuerbaren Elemente innerhalb einer Anordnung einzeln steuerbarer Elemente relativ niedrig sein (d.h. der aktive Bereich jedes Elementes, der den Projektionsstrahl der Strahlung modulieren kann, stellt einen relativ kleinen Bruchteil vom Gesamtbereich des Elementes dar). Deshalb kann ein großer Anteil der Strahlung innerhalb des Projektionsstrahls der Strahlung nicht moduliert werden. Mit anderen Worten, diese Strahlung wird entweder durch die Anordnung einzeln steuerbarer Elemente reflektiert oder durch Anordnung einzeln steuerbarer Elemente absorbiert, und zwar unabhängig von dem Muster auf der Anordnung.
  • Das amerikanische Patent US 6,424,404 B , das als der nächste Stand der Technik in Bezug auf den Gegenstand von Patentanspruch 1 angesehen wird, offenbart den lithographischen Projektionsapparat gemäß Anspruch 1, bis auf die erste Anordnung von Fokussierelementen.
  • Es wurde zuvor vorgeschlagen, eine Mikrolinsen-Anordnung in das Strahlungssystem zu integrieren, um einen Projektionsstrahl bereitzustellen, der aus einer Vielzahl von Punkten besteht, und diesen Strahl dann auf die aktiven Bereiche der Anordnung einzeln steuerbarer Elemente zu projizieren.
  • Die europäische Patentanmeldung EP 1 480 086 A , die gemäß Artikel 54 (3) EPC zum Stand der Technik gehört, offenbart eine solche Mikrolinsen-Anordnung. Die veröffentlichte amerikanische Patentanmeldung US 2002/097495 A offenbart (16) ein Strahlungssystem mit einer Mikrolinsen-Anordnung, die derart angeordnet ist, dass ein Projektionsstrahl auf eine lichtdurchlässige Anordnung einzeln steuerbarer Elemente projiziert wird.
  • Doch die Projektion eines solchen Projektionsstrahls der Strahlung auf die Anordnung einzeln steuerbarer Elemente und die anschließende Projektion des bemusterten Strahls auf das Substrat erfordert ein komplexes und folglich teures Projektionssystem.
  • Was benötigt wird, ist deshalb eine Möglichkeit, nur aktive Bereiche einer Anordnung einzeln steuerbarer Elemente zu beleuchten, ohne dass ein komplexes Projektionssystem erforderlich ist.
  • Die vorliegende Erfindung stellt folgendes bereit: einen lithographischen Projektionsapparat mit einem Beleuchtungssystem zur Aufbereitung eines Projektionsstrahls der Strahlung, eine Anordnung einzeln steuerbarer Elemente, die dazu dienen, den Projektionsstrahl mit einem Muster in seinem Querschnitt zu versehen, und einen Substrattisch zum Halten eines Substrates. Der Apparat besitzt auch eine erste und eine zweite Anordnung einzeln steuerbarer Elemente und ein Projektionssystem. Jedes Fokussierelement in der ersten Anordnung ist so angeordnet, dass es einen Teil des Projektionsstrahls auf eines der einzeln steuerbaren Elemente lenkt und Strahlung, die von ihm reflektiert wird, erfasst. Das Projektionssystem ist so angeordnet, dass es ein Bild der ersten Anordnung von Fokussierelementen auf die zweite Anordnung von Fokussierelementen projiziert. Die zweite Anordnung ist so angeordnet, dass die Strahlung, die von einem der einzeln steuerbaren Elemente reflektiert wird, über eines der Fokussierelemente in der ersten Anordnung von Fokussierelementen und das Projektionssystem auf eines der Fokussierelemente in der zweiten Anordnung, die die Strahlung auf einen Punkt auf dem Substrat fokussiert, projiziert wird.
  • Die vorliegende Erfindung liefert auch ein Verfahren zur Bemusterung eines Substrates. Das Verfahren umfasst mindestens die folgenden Schritte: Bemusterung eines Projektionsstrahls von einem Beleuchtungssystem unter Verwendung einer Anordnung einzeln steuerbarer Elemente zur Bemusterung; Lenkung eines Teils des Projektionsstrahls direkt auf eines der einzeln steuerbaren Elemente und Erfassung der Strahlung, die von ihm reflektiert wird, unter Verwendung jeweils einer von einer ersten Anordnung von Fokussierelementen und Projektion eines Bildes der ersten Anordnung von Fokussierelementen auf eine zweite Anordnung von Fokussierelementen unter Verwendung eines Projektionssystems, so dass die Strahlung, die von einem der einzeln steuerbaren Elemente reflektiert wird, über eines der zugehörigen Fokussierelemente in der ersten Anordnung von Fokussierelementen und das Projektionssystem auf eines der Fokussierelemente in der zweiten Anordnung, die ihrerseits die Strahlung auf einen Punkt auf dem Substrat fokussiert, projiziert wird.
  • Die vorliegende Erfindung liefert auch ein Verfahren zur Herstellung eines Bausteins, das mindestens die folgenden Schritte umfasst: Bereitstellung eines Substrates; Aufbereitung eines Projektionsstrahls der Strahlung, bei dem ein Beleuchtungssystem verwendet wird; Verwendung einer Anordnung einzeln steuerbarer Elemente, um den Projektionsstrahl zu bemustern; Verwendung einer ersten Anordnung von Fokussierelementen, um jeweils einen Teil des Projektionsstrahls direkt auf eines der einzeln steuerbaren Elemente zu lenken und die Strahlung, die von ihm reflektiert wird, zu erfassen; und Verwendung eines Projektionssystems, um ein Bild der ersten Anordnung von Fokussierelementen auf eine zweite Anordnung von Fokussierelementen zu projizieren, wobei die zweite Anordnung derart angeordnet ist, dass die Strahlung, die von einem der einzeln steuerbaren Elemente reflektiert wird, über eines der Fokussierelemente in der ersten Anordnung von Fokussierelementen und das Projektionssystem auf eines der Fokussierelemente in der zweiten Anordnung, die die Strahlung auf einen Punkt auf dem Substrat fokussiert, projiziert wird.
  • In den Ausführungsarten können die Projektionsoptik, die zur Projektion des Strahls auf die erste Anordnung von Fokussierelementen verwendet wird, und die Anforderungen an das Projektionssystem zum Projizieren des bemusterten Strahls auf die zweite Anordnung von Fokussierelementen dieselben sein, wie sie verwendet werden würden, wenn die Anordnung der einzeln steuerbaren Elemente gleichmäßig belichtet und auf das Substrat projiziert werden würde. Doch die erste Anordnung von Fokussierelementen kann immer noch einen Teil des Projektionsstrahls der Strahlung auf jedes der einzeln steuerbaren Elemente fokussieren und dadurch ermöglichen, dass ein größerer Anteil des Projektionsstrahls der Strahlung moduliert wird.
  • Die erste Anordnung von Fokussierelementen kann neben der Anordnung einzeln steuerbarer Elemente angeordnet werden und wird gleichmäßig beleuchtet. Die erste Anordnung von Fokussierelementen kann eine Anordnung von Mikrolinsen sein, wobei jede Mikrolinse dazu verwendet wird, einen Teil des Projektionsstrahls der Strahlung auf eines der einzeln steuerbaren Elemente zu fokussieren, insbesondere auf den aktiven Teil des einzeln steuerbaren Elementes. Auf diese Art und Weise handelt es sich bei der Anordnung von Fokussierelementen um das abschließende Element in dem Strahlengang, bevor er in die Anordnung einzeln steuerbarer Elemente einfällt.
  • Jedes der einzeln steuerbaren Elemente kann ein diffraktiver, optischer MEMS-Baustein (mikroelektromechanischer Baustein) sein. Jedes Element dieses Bausteins kann in mindestens zwei Einstellungen angeordnet werden: in der ersten Einstellung wirkt die aktive Fläche als ebener Reflektor, der eine Strahlung nullter Ordnung in das entsprechende Element der Fokussierelemente zurückreflektiert; bei der zweiten Einstellung bildet seine aktive Fläche ein Gitter, das die Strahlung erster Ordnung weg von dem entsprechenden Element der Fokussierelemente beugt.
  • Das Projektionssystem ist so angeordnet, dass es ein Bild der Anordnung von Fokussierelementen auf die zweite Anordnung von Fokussierelementen projiziert. Das Projektionssystem kann beispielsweise so angeordnet sein, dass Strahlung nullter Ordnung, die von einem der einzeln steuerbaren Elemente reflektiert wird, über das entsprechende Element der Fokussierelemente in der ersten Anordnung durch das Projektionssystem und auf ein entsprechendes Element der Fokussierelemente in der zweiten Anordnung projiziert wird. Das entsprechende Fokussierelement in der zweiten Anordnung fokussiert die Strahlung auf einen Punkt auf dem Substrat. In einer Ausführungsart kann es sich bei der zweiten Anordnung von Fokussierelementen um eine Anordnung von Mikrolinsen handeln.
  • Die Anordnung einzeln steuerbarer Elemente kann auf einer Seite eines Substrates montiert werden und die erste Anordnung von Fokussierelementen kann auch an dem Substrat montiert werden, so dass eine gasdichte Einfassung um die einzeln steuerbaren Elemente gebildet wird. Alternativ kann eine Platte, die die für den Projektionsstrahl der Strahlung im wesentlichen durchlässig ist, an dem Substrat montiert werden, so dass eine gasdichte Einfassung um die einzeln steuerbaren Elemente herum gebildet wird. Die erste Anordnung von Fokussierelementen kann ebenfalls innerhalb der gasdichten Einfassung montiert werden.
  • Die gasdichte Einfassung, die die einzeln steuerbaren Elemente umgibt, kann entleert oder mit einem im wesentlichen reinen und sauberen Gas gefüllt sein. Wenn die gasdichte Einfassung mit diesem Gas gefüllt ist, kann der Apparat einen Gaseintritt zur Verbindung zwischen der gasdichten Einfassung und einer Gasquelle und einen Gasaustritt aus der Einfassung umfassen, so dass das Gas durch die Einfassung gespült werden kann und Unreinheiten und/oder Schmutzstoffe entfernt werden.
  • Ein Stellantrieb zum Verstellen der Position der ersten Anordnung von Fokussierelementen in Bezug auf die Anordnung einzeln steuerbarer Elemente kann bereitgestellt werden, um sicherzustellen, dass die Strahlung ordnungsgemäß auf jedes der einzeln steuerbaren Elemente fokussiert ist. Die erste Anordnung von Fokussierelementen kann auch Stellantriebe zum Verstellen der Positionen jedes der Fokussierelemente zueinander umfassen, um sicherzustellen, dass die Strahlung richtig auf den aktiven Teil jedes der einzeln steuerbaren Elemente fokussiert ist. Die Erfindung wird durch die Ansprüche definiert.
  • Weitere Ausführungsarten, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung, sowie der Aufbau und die Funktionsweise der verschiedenen Ausführungsarten der vorliegenden Erfindung werden nachstehend unter Bezugnahme auf die Begleitzeichnungen im Detail beschrieben. Es zeigen:
  • 1 einen lithographischen Projektionsapparat gemäß einer Ausführungsart der Erfindung;
  • 2 eine schematische Anordnung zur Beleuchtung der Anordnung einzeln steuerbarer Elemente und zur Projektion des bemusterten Strahls auf das Substrat;
  • 3 einen Aufbau der Anordnung einzeln steuerbarer Elemente, die zur Verwendung in der vorliegenden Erfindung geeignet sind;
  • 4 einen alternativen Aufbau zu dem in 3 gezeigten Aufbau; und
  • 5 einen weiteren, alternativen Aufbau zu dem in 3 und 4 gezeigten Aufbau.
  • Die Ausführungsarten der vorliegenden Erfindung werden nun unter Bezugnahme auf die Begleitzeichnungen beschrieben. In den Zeichnungen können gleiche Bezugsziffern identische oder funktional ähnliche Elemente anzeigen. Außerdem kann es sein, dass die Ziffer(n), die in einer Bezugsziffer ganz links steht (stehen), die Zeichnungen angeben, in der die Bezugsziffer erstmals erscheint.
  • Der Begriff "Anordnung einzeln steuerbarer Elemente", wie er hier verwendet wird, sollte allgemein als sich auf beliebige Vorrichtungen beziehend interpretiert werden, die dazu verwendet werden können, einen hereinkommenden Projektionsstrahl der Strahlung mit einem bemusterten Querschnitt zu versehen, so dass ein gewünschtes Muster in einem Zielabschnitt des Substrates erzeugt werden kann; die Begriffe "Lichtventil" und "räumlicher Lichtmodulator" (SLM) können in diesem Zusammenhang ebenfalls verwendet werden. Beispiele für diese Bemusterungsvorrichtungen sind:
    • – eine programmierbare Spiegelanordnung. Diese kann eine matrixadressierbare Oberfläche mit einer viskoelastischen Kontrollschicht und einer reflektierenden Oberfläche umfassen. Das Grundprinzip hinter einem solchen Apparat besteht darin, dass (beispielsweise) adressierte Bereiche der reflektierenden Oberfläche einfallendes Licht als gebeugtes Licht reflektieren, während nicht adressierte Bereiche einfallendes Licht als nicht gebeugtes Licht reflektieren. Wenn man einen entsprechenden räumlichen Filter verwendet, kann das nicht gebeugte Licht aus dem reflektierten Strahl herausgefiltert werden, so dass lediglich das gebeugte Licht zurückbleibt, welches das Substrat erreicht; auf diese Art und Weise wird der Strahl entsprechend dem Adressiermuster der matrix-adressierbaren Oberfläche bemustert. Es wird klar sein, dass der Filter als Alternative das gebeugte Licht ausfiltern kann und das nicht gebeugte Licht zurückbleibt, welches das Substrat erreicht. Auf diese Art und Weise kann auch eine Anordnung diffraktiver, optischer MEMS-Bausteine in entsprechender Art und Weise verwendet werden. Jeder diffraktive, optische MEMS-Baustein besteht aus einer Vielzahl reflektierender Bänder, die zueinander verformt werden können, und ein Gitter bilden, das einfallendes Licht als gebeugtes Licht reflektiert. Bei einer weiteren, alternativen Ausführungsart einer programmierbaren Spiegelanordnung wird ein Matrixaufbau von kleinen Spiegeln verwendet, die jeweils einzeln um eine Achse geneigt werden können, indem ein geeignetes, lokalisiertes, elektrisches Feld angewendet oder piezoelektrische Betätigungselemente verwendet werden. Auch hier sind die Spiegel wieder matrixadressierbar, so dass adressierte Spiegel einen hereinkommenden Projektionsstrahl der Strahlung in eine andere Richtung reflektieren werden als nicht adressierte Spiegel; auf diese Art und Weise wird der reflektierte Strahl gemäß dem Adressiermuster der matrixadressierbaren Spiegel bemustert. Die erforderliche Matrixadressierung kann unter Verwendung geeigneter elektronischer Einrichtungen durchgeführt werden. In beiden oben beschriebenen Situationen kann die Anordnung einzeln steuerbarer Elemente eine oder mehrere programmierbare Spiegelanordnung(en) umfassen. Weitere Informationen über Spiegelanordnungen, wie sie hier erwähnt werden, können beispielsweise in den amerikanischen Patenten US 5,296,891 und US 5,523,193 und in den PCT-Patentanmeldungen WO 98/38597 und WO 98/33096 nachgelesen werden.
    • – eine programmierbare LCD-Anordnung. Ein Beispiel für eine solche Konstruktion wird in dem US-Patent US 5,229,872 genannt.
  • Es wird darauf hingewiesen, dass beispielsweise bei der Verwendung der Vorspannung von Merkmalen, Strukturen der Naheffekt-Korrektur, Phasenvariationstechniken und Mehrfachbelichtungstechniken das Muster, das auf der Anordnung einzeln steuerbarer Elemente "gezeigt" wird, sich wesentlich von dem Muster unterscheiden kann, das schließlich auf eine Schicht des Substrates oder auf das Substrat übertragen wird. In ähnlicher Art und Weise kann es sein, dass das Muster, das schließlich auf dem Substrat erzeugt wird, nicht dem Muster entspricht, das zu irgendeinem Zeitpunkt auf der Anordnung einzeln steuerbarer Elemente gebildet wird. Dies kann bei einem Aufbau der Fall sein, bei dem das letztendliche Muster, das an jedem Teil des Substrates gebildet wird, über einen bestimmten Zeitraum oder eine bestimmte Anzahl von Belichtungen aufgebaut wird, während derer sich das Muster auf der Anordnung einzeln steuerbarer Elemente und/oder die relative Position des Substrates ändert.
  • Auch wenn in diesem Text speziell auf die Verwendung des lithographischen Apparates bei der Herstellung von ICs (integrierten Schaltungen) Bezug genommen wird, so wird darauf hingewiesen, dass der hierin beschriebene lithographische Apparat auch andere weitere Anwendungsmöglichkeiten haben kann, wie beispielsweise die Herstellung von integrierten optischen Systemen, Führungs- und Erfassungsmodellen für Magnetblasenspeicher, Flachbildschirmen, Dünnschicht-Magnetköpfen etc. Der Fachmann wird wissen, dass im Kontext dieser alternativen Anwendungen die Ver wendung der Begriffe "Wafer" oder "Plättchen" (engl. die) in diesem Text synonym für die allgemeineren Begriffe "Substrat" bzw. "Zielabschnitt" angesehen werden kann. Das hierin in Bezug genommene Substrat kann vor oder nach der Belichtung beispielsweise in einem track (einem Werkzeug, dass meistens eine Resist-Schicht auf ein Substrat aufbringt und den belichteten Resist entwickelt) oder in einem Mess- oder Prüfwerkzeug bearbeitet werden. Wo zutreffend, kann diese Offenlegung auf dieses und andere Substrat-Verarbeitungswerkzeuge angewendet werden. Außerdem kann das Substrat mehr als ein Mal bearbeitet werden, beispielsweise, um eine integrierte Schaltung (IC) mit mehreren Schichten zu erzeugen, so dass sich der Begriff Substrat, wie er hierin verwendet wird, auch auf ein Substrat beziehen kann, das bereits mehrere, bearbeitete Schichten enthält.
  • Die hierin verwendeten Begriffe "Strahlung" und "Strahl" umfassen sämtliche Arten elektromagnetischer Strahlung, einschließlich Ultraviolettstrahlung (UV) (z.B. mit einer Wellenlänge von 408, 355, 365, 248, 193, 157 oder 126 nm) und Extrem-Ultraviolettstrahlung (EUV) (z.B. mit einer Wellenlänge im Bereich zwischen 5 und 20 nm).
  • Der Begriff "Projektionssystem", wie er hierin verwendet wird, sollte umfassend interpretiert werden und beinhaltet verschiedene Arten von Projektionssystemen, einschließlich lichtbrechende optische Systeme, reflektierende optische Systeme und katadioptrische optische Systeme, wie sie beispielsweise für die verwendete Belichtungsstrahlung oder für andere Faktoren, wie die Verwendung einer Tauchflüssigkeit oder die Verwendung eines Vakuums, geeignet sind. Die Verwendung des Begriffes "Linse" in diesem Text kann als Synonym für den allgemeineren Begriff "Projektionssystem" angesehen werden.
  • Das Beleuchtungssystem kann auch verschiedene Arten optischer Komponenten, einschließlich lichtbrechende, reflektierende und katadioptrische optische Komponenten zum Lenken, Formen oder Steuern des Projektionsstrahls der Strahlung umfassen, und diese Komponenten können nachstehend ebenfalls zusammen oder einzeln als "Linse" bezeichnet werden.
  • Der lithographische Apparat kann außerdem derart ausgeführt sein, dass er zwei (zweistufig) oder mehr Substrattische besitzt. Bei diesen "mehrstufigen" Vorrichtungen können die zusätzlichen Tische parallel genutzt werden oder an einem Tisch oder an mehreren Tischen kann bzw. können Vorbereitungsschritte durchgeführt werden, während ein anderer Tisch oder mehrere andere Tische für die Belichtung verwendet werden.
  • Der lithographische Apparat kann auch derart ausgeführt sein, dass das Substrat in eine Flüssigkeit mit einem relativ hohen Brechungsindex, z.B. Wasser, getaucht wird, um einen Raum zwischen dem abschließenden Element des Projektionssystems und dem Substrat zu füllen. Tauchflüssigkeiten können auch in anderen Zwischenräumen in dem lithographischen Apparat angewendet werden, beispielsweise zwischen der Anordnung einzeln steuerbarer Elemente und dem ersten Element des Projektionssystems. Tauchverfahren sind in dem Fachgebiet zur Erhöhung der Blendenzahl von Projektionssystemen wohl bekannt.
  • AUSFÜHRUNGSARTEN
  • 1 zeigt in schematischer Art und Weise einen lithographischen Projektionsapparat gemäß einer speziellen Ausführungsart der Erfindung. Der Apparat umfasst:
    • – ein Beleuchtungssystem (Illuminator) IL zur Aufbereitung eines Projektionsstrahls der Strahlung PB (z.B. UV-Strahlung);
    • – eine Anordnung einzeln steuerbarer Elemente PPM (z.B. eine programmierbare Spiegelanordnung), um ein Muster auf den Projektionsstrahl aufzubringen; im allgemeinen wird die Position der Anordnung einzeln steuerbarer Elemente in Bezug auf Teil PL befestigt; doch für ihre korrekte Positionierung in Bezug auf Teil PL kann sie stattdessen auch mit Positioniervorrichtungen verbunden werden;
    • – einen Substrattisch (z.B. einen Wafertisch) WT zum Halten eines Substrates (z.B. eines Wafers mit Resistüberzug) W, verbunden mit einer Positioniervorrichtung PW zur korrekten Positionierung des Substrates in Bezug auf Teil PL; und
    • – ein Projektionssystem ("Linse") PL zum Abbilden eines Musters, mit dem der Projektionsstrahl der Strahlung PB versehen wurde, und zwar durch die Anordnung einzeln steuerbarer Elemente PPM auf einen Zielabschnitt C (z.B. mit einem oder mehreren Plättchen) des Substrates W; das Projektionssystem kann die Anordnung einzeln steuerbarer Elemente auf das Substrat abbilden; alternativ kann das Projektionssystem sekundäre Quellen abbilden, für die die Elemente der Anordnung einzeln steuerbarer Elemente als Shutter wirken; das Projektionssystem kann auch eine Anordnung von Fokussierelementen umfassen wie eine Mikrolinsen-Anordnung (bekannt als MLA) oder eine Fresnel-Linsen-Anordnung, um beispielsweise die sekundären Quellen zu bilden und um Mikropunkte auf das Substrat abzubilden.
  • Wie hier dargestellt, handelt es sich um einen reflektierenden Apparat (d.h. mit einer reflektierenden Anordnung einzeln steuerbarer Elemente).
  • Der Illuminator IL empfängt einen Projektionsstrahl der Strahlung von einer Strahlungsquelle SO. Bei der Quelle und dem lithographischen Apparat kann es sich um separate Gebilde handeln, beispielsweise, wenn die Quelle ein Excimer-Laser ist. In diesen Fällen wird die Quelle nicht so angesehen als wäre sie ein Teil des lithographischen Apparates und der Projektionsstrahl der Strahlung wird mit Hilfe eines Strahlweiterleitungssystems BD von der Quelle SO zu dem Illuminator IL geleitet, wobei das Strahlweiterleitungssystem beispielsweise geeignete Richtspiegel und/oder einen Strahl-Expander besitzt. In anderen Fällen kann die Quelle ein integrierter Bestandteil des Apparates sein, beispielsweise, wenn es sich bei der Quelle um eine Quecksilberlampe handelt. Die Quelle SO und der Illuminator IL können zusammen mit dem Strahlweiterleitungssystem BD, sofern erforderlich, als Strahlungssystem bezeichnet werden.
  • Der Illuminator IL kann Verstelleinrichtungen AM für die Einstellung der Winkelintensitätsverteilung des Strahls besitzen. Im allgemeinen kann zumindest die äußere und/oder innere radiale Reichweite (im allgemeinen als σ-outer bzw. σ-inner bezeichnet) der Intensitätsverteilung in einer Pupillenebene des Illuminators verstellt werden. Zusätzlich besitzt der Illuminator IL im allgemeinen verschiedene andere Komponenten, wie einen Integrator IN und einen Kondensator CO. Der Illuminator liefert einen aufbereiteten Projektionsstrahl der Strahlung, der als Projektionsstrahl PB bezeichnet wird, der eine gewünschte Gleichmäßigkeit und Intensitätsverteilung in seinem Querschnitt besitzt.
  • Der Strahl PB fängt anschließend die Anordnung einzeln steuerbarer Elemente PPM ab. Nachdem er von der Anordnung einzeln steuerbarer Elemente PPM reflektiert worden ist, verläuft der Strahl PB durch das Projektionssystem PL, das den Strahl PB auf einen Zielabschnitt C des Substrates W fokussiert. Mit Hilfe der Positioniervorrichtungen PW (und der interferometrischen Messeinrichtung IF) kann der Substrattisch WT exakt bewegt werden, z.B. um verschiedene Zielabschnitte C in dem Strahlengang PB zu positionieren. Wo sie eingesetzt werden, können die Positioniervorrichtungen für die Anordnung einzeln steuerbarer Elemente dazu verwendet werden, die Position der Anordnung einzeln steuerbarer Elemente PPM in Bezug auf den Strahlengang PB, beispielsweise während einer Abtastung, exakt zu positionieren. Im allgemeinen erfolgt die Bewegung des Objekttisches WT mit Hilfe eines langhubigen Moduls (grobe Positionierung) und eines kurzhubigen Moduls (Feinpositionierung), die in 1 nicht ausdrücklich dargestellt sind. Ein ähnliches System kann ebenfalls verwendet werden, um die Anordnung einzeln steuerbarer Elemente zu positionieren. Es wird auch klar sein, dass der Projektionsstrahl alternativ/zusätzlich auch bewegt werden kann, während der Objekttisch und/oder die Anordnung einzeln steuerbarer Elemente eine feste Position haben kann, um die erforderliche, relative Bewegung zu liefern. Als eine weitere Alternative, die besonders bei der Herstellung von Flachbildschirmen angewendet werden kann, kann die Position des Substrattisches und des Projektionssystems fest sein und das Substrat kann derart angeordnet sein, dass es in Bezug auf den Substrattisch bewegt wird. Der Substrattisch kann beispielsweise mit einem System zur Abtastung über das Substrat in einer im wesentlichen konstanten Geschwindigkeit versehen werden.
  • Auch wenn der lithographische Apparat gemäß der Erfindung hier als für die Belichtung eines Resist auf einem Substrat bestimmt beschrieben wird, wird klar sein, dass die Erfindung nicht auf diese Verwendung beschränkt ist, und der Apparat kann zur Projektion eines bemusterten Projektionsstrahls der Strahlung beim Einsatz in der Lithographie ohne Resist verwendet werden.
  • Der beschriebene Apparat kann in vier bevorzugten Arten verwendet werden:
    • 1. Step-Modus: die Anordnung einzeln steuerbarer Elemente versieht den Projektionsstrahl der Strahlung mit einem ganzen Muster, das in einem Durchgang (d.h. in einer einzelnen, statischen Belichtung) auf einen Zielabschnitt C projiziert wird. Der Substrattisch WT wird dann in X- und/oder Y-Richtung verschoben, so dass ein anderer Zielabschnitt C belichtet werden kann. Im Step-Modus begrenzt die maximale Größe des Belichtungsfeldes die Größe des Zielabschnittes C, der in einer einzelnen, statischen Belichtung abgebildet wird.
    • 2. Scan-Modus: die Anordnung einzeln steuerbarer Elemente kann mit einer Geschwindigkeit v in eine vorgegebene Richtung (die sogenannte "Scan-Richtung", z.B. die Y-Richtung) bewegt werden, so dass der Projektionsstrahl PB dazu gebracht wird, die Anordnung einzeln steuerbarer Elemente abzutasten; gleichzeitig dazu wird der Substrattisch WT mit einer Geschwindigkeit V = Mv in die gleiche oder in die entgegengesetzte Richtung bewegt, wobei M die Vergrößerung der Linse PL ist. Im Scan- Modus begrenzt die maximale Größe des Belichtungsfeldes die Breite des Zielabschnittes (in Nichtabtastrichtung) in einer einzelnen, dynamischen Belichtung, während die Länge der Abtastbewegung die Höhe des Zielabschnittes (in Abtastrichtung) bestimmt.
    • 3. Puls-Modus: die Anordnung einzeln steuerbarer Elemente wird im wesentlichen stationär gehalten und das gesamte Muster wird unter Verwendung einer gepulsten Strahlungsquelle auf einen Zielabschnitt C des Substrates projiziert. Der Substrattisch WT wird mit einer im wesentlichen konstanten Geschwindigkeit bewegt, so dass der Projektionsstrahl PB dazu gebracht wird, eine Linie quer über das Substrat W abzutasten. Das Muster an der Anordnung einzeln steuerbarer Elemente wird zwischen Impulsen des Strahlungssystems, wie erforderlich, aktualisiert und die Impulse werden zeitlich festgelegt, so dass aufeinanderfolgende Zielabschnitte C an den erforderlichen Stellen an dem Substrat belichtet werden. Folglich kann der Projektionsstrahl quer über das Substrat W abtasten, um das komplette Muster für einen Streifen des Substrates zu belichten. Das Verfahren wird wiederholt, bis das komplette Substrat Linie für Linie belichtet wurde.
    • 4. Kontinuierlicher Scan-Modus: im wesentlichen dasselbe wie der Puls-Modus, außer dass eine im wesentlichen konstante Strahlungsquelle verwendet wird und das Muster an der Anordnung einzeln steuerbarer Elemente aktualisiert wird, wenn der Projektionsstrahl quer über das Substrat abtastet und es belichtet.
  • Kombinationen und/oder Variationen zu den oben beschriebenen Verwendungsarten oder völlig andere Verwendungsarten können ebenfalls angewendet werden.
  • Ein Aufbau zur Beleuchtung der Anordnung einzeln steuerbarer Elemente, um den Projektionsstrahl der Strahlung zu bemustern, ist in 2 gezeigt. Der Projektionsstrahl 10 der Strahlung von dem Strahlungssystem wird mittels eines Strahlteilers 11 auf eine Anordnung von Fokussierelementen 12 projiziert. Es wird klar sein, dass ein alternativer Aufbau verwendet werden könnte, um die Strahlung auf die Anordnung von Fokussierelementen zu projizieren. Die Strahlung kann beispielsweise in einem leicht nicht telezentrischen Winkel projiziert werden. Vorzugsweise handelt es sich bei der Anordnung von Fokussierelementen um eine Mikrolinsen-Anordnung. Doch auch hier kann, wenn erforderlich, ein alternativer Aufbau verwendet werden, beispielsweise eine Fresnel-Linse oder eine Zonenplattenlinse. Jedes der Elemente innerhalb der Anordnung von Fokussierelementen 12 fokussiert einen Teil des Projektionsstrahls 10 direkt auf eines der einzeln steuerbaren Elemente innerhalb der Anordnung von einzeln steuerbaren Elementen 13. Vorzugsweise ist die Anordnung von Fokussierelementen 12 so angeordnet, dass die Strahlung nur auf die aktiven Flächen der einzeln steuerbaren Elemente fokussiert ist. Deshalb wird die gesamte Strahlung auf Teile der Anordnung einzeln steuerbarer Elemente 13 gelenkt, die zur Modulation der Strahlung verwendet werden können, selbst wenn die einzeln steuerbaren Elemente 13 locker verdichtet sind, beispielsweise aufgrund der Notwendigkeit, eine Steuerung für jedes der einzeln steuerbaren Elemente 13 zu liefern.
  • Unter fortgesetzter Bezugnahme auf 2 kehrt die Strahlung, die von der Anordnung einzeln steuerbarer Elemente 13 reflektiert wird, durch die Anordnung von Fokussierelementen 12 zurück, verläuft durch den Strahlteiler 11 und dann durch die Projektionslinse 14. Der bemusterte Strahl fällt in diesem Aufbau dann auf eine Feldlinse 16 ein. Die Feldlinse 16 lenkt den bemusterten Strahl auf eine zweite Anordnung von Fokussierelementen 17, die die Strahlung auf das Substrat 18 fokussiert. Auf diese Art und Weise wird die erste Anordnung von Fokussierelementen 12 auf die zweite Anordnung von Fokussierelementen 17 abgebildet.
  • Es wird klar sein, dass ein alternativer Aufbau zu dem oben gezeigten und beschriebenen verwendet werden kann, um die erste Anordnung von Fokussierelementen 12 auf die zweite Anordnung von Fokussierelementen 17 abzubilden. Vorzugsweise handelt es sich bei der zweiten Anordnung von Fokussierelementen 17 um eine Mikrolinsen-Anordnung (auch wenn, wie oben, andere Vorrichtungen benutzt werden können, mit denen eine ähnliche Wirkung erzielt wird). Es wird klar sein, dass die Beziehung zwischen dem Abstand der ersten und zweiten Anordnung von Fokussierelementen 12 und 17 durch die Vergrößerung des Systems bestimmt wird, das die erste Anordnung auf die zweite Anordnung 17 abbildet.
  • In dem bevorzugten Aufbau, der in 2 schematisch dargestellt ist, besitzt jedes einzeln steuerbare Element innerhalb der Anordnung einzeln steuerbarer Elemente 13 ein zugehöriges Fokussierelement in der Anordnung von Fokussierelementen 12. Dieses Fokussierelement fokussiert Strahlung von einem Teil des Projektionsstrahls 10 auf den aktiven Teil des einzeln steuerbaren Elementes und erfasst die von ihm reflektierte Strahlung. Diese reflektierte Strahlung wird dann durch das Projektionssystem 14 und die Feldlinse 16 auf ein entsprechendes der Fokussierelemente in der zweiten Anordnung von Fokussierelementen 17 projiziert. Dieses letztere Fokussierelement fokussiert dann diesen Teil des bemusterten Strahls auf einen Punkt auf dem Substrat 18. Wie beschrieben, ist jedes der einzeln steuerbaren Elemente in der Anordnung von einzeln steuerbaren Elementen 13 mit einem der Fokussierelemente in jeweils der ersten und zweiten Anordnung von Fokussierelementen 12, 17 verbunden. Deshalb kann der Projektionsstrahl einfach gleichmäßig auf die erste Anordnung von Fokussierelementen 12 beleuchtet werden und die erste Anordnung von Fokussierelementen 12 muss nur einfach auf die zweite Anordnung von Fokussierelementen 17 abgebildet werden. Deshalb ist die Projektionsoptik relativ einfach.
  • Vorzugsweise besteht die Anordnung einzeln steuerbarer Elemente 13 aus einer Anordnung diffraktiver, optischer MEMS-Bausteine. Jeder der diffraktiven, optischen MEMS-Bausteine besteht aus einer reflektierenden Oberfläche oder aus reflektierenden Oberflächen, die in mindestens zwei Zuständen angeordnet werden können.
  • In dem ersten Zustand handelt es sich bei dem diffraktiven, optischen MEMS-Baustein um einen ebenen Reflektor und die Strahlung, die durch ein Fokussierelement in der ersten Anordnung von Fokussierelementen 12 auf ihn fokussiert wird, wird einfach reflektiert (d.h. Reflexion nullter Ordnung). Diese reflektierte Strahlung wird durch das zugehörige Fokussierelement in der Anordnung von Fokussierelementen 12 erfasst und durch die Projektionslinse 14 und die Feldlinse 16 auf eines der Fokussierelemente in der zweiten Anordnung von Fokussierelementen 17, wie oben beschrieben, projiziert. Das letztere Fokussierelement fokussiert die Strahlung auf einen Punkt auf dem Substrat 18.
  • Wenn sich der diffraktive, optische MEMS-Baustein in dem zweiten Zustand befindet, bildet er ein Gitter. Dies kann dadurch erreicht werden, dass der diffraktive, optische MEMS-Baustein aus einer Vielzahl von bandartigen Reflektoren besteht, die derart betätigt werden können, dass jeder zweite Reflektor in eine Richtung senkrecht zu der Oberfläche der reflektierenden Flächen verschoben wird. Alternativ kann es sich bei der reflektierenden Fläche um eine kontinuierliche Fläche handeln, die jedoch von ihrer planaren oder ebenen Form beispielsweise in eine Sinusform verschoben wird. Unabhängig von der Art und Weise, wie dies erreicht wird, verhält sich der diffraktive, optische MEMS-Baustein in diesem zweiten Zustand wie ein Gitter für den Teil des Projektionsstrahls der Strahlung, der durch das Fokussierelement innerhalb der Anordnung von Fokussierelementen 12 auf ihn fokussiert wird. Folglich ist die Strahlung von dem diffraktiven, optischen MEMS-Baustein aufgrund der Beugung eine gebeugte Strahlung erster Ordnung, die nicht direkt in das zugehörige Element der Fokussierelemente in der Anordnung von Fokussierelementen 12 zurückreflektiert. Stattdessen kann sie in eines der benachbarten Fokussierelemente in der Anordnung von Fokussierelementen 12 gelenkt werden und wird die Anordnung von Fokussierelementen deshalb in einem großen Winkel verlassen. Diese Strahlung wird in der Pupille 15 der Projektionsoptik blockiert und erreicht deshalb die zweite Anordnung von Fokussierelementen 17 nicht und wird nicht auf das Substrat 18 fokussiert. Wie oben beschrieben, wird die Strahlung, die auf diffraktive, optische MEMS-Bausteine in dem ersten Zustand fokussiert ist, dagegen in nullter Ordnung reflektiert und verläuft im wesentlichen parallel zu der optischen Achse des Apparates. Sie verläuft deshalb durch die Pupille 15 und wird durch eines der Fokussierelemente in der zweiten Anordnung von Fokussierelementen 17 auf das Substrat 18 fokussiert. Folglich wird nur Strahlung im Zusammenhang mit diffraktiven, optischen MEMS-Bausteinen in dem ersten Zustand auf das Substrat 18 projiziert, wodurch das erforderliche Muster erzeugt wird.
  • Die einzeln steuerbaren Elemente in der ersten Anordnung einzeln steuerbarer Elemente 13 können innerhalb eines Gehäuses eingeschlossen sein, um sie vor Kontamination durch Gase zu schützen, die ihnen Schaden zufügen können, oder durch Schmutzpartikel, die ihren Betrieb stören könnten. 3 zeigt eine solche Vorrichtung 25.
  • In 3 besteht eine Anordnung einzeln steuerbarer Elemente 26 aus einem Substrat 27, wobei die einzeln steuerbaren Elemente 28 auf einer Seite des Substrates 27 montiert sind. Die Anordnung von Fokussierelementen 29 besteht aus Fokussierelementen 30 wie Mikrolinsen, die innerhalb eines Halters 31 montiert sind. Die Anordnung von Fokussierelementen 29 ist an der Anordnung einzeln steuerbarer Elemente montiert und bildet eine gasdichte Einfassung 32. Wie gezeigt, kann dies durch Montagewände 33 erreicht werden. Es wird jedoch klar sein, dass diese Elemente durch Vorsprünge aus dem Substrat 27 der Anordnung einzeln steuerbarer Elemente und/oder durch Vorsprünge aus dem Substrat 31 der Anordnung von Fokussierelementen ersetzt werden können. Auf jeden Fall können die Komponenten durch eutektisches Bonden oder eine andere, bekannte Präzisions-Bondtechnik verbunden werden. Auf diese Art und Weise wird die Anordnung von Fokussierelementen 29 als eine Seite der gasdichten Einfassung verwendet.
  • 4 zeigt einen alternativen Aufbau dieser Vorrichtung 35, bei der die gasdichte Einfassung 42 aus der Kombination von Substrat 37 (auf dem die einzeln steuerbaren Elemente 38 der Anordnung von einzeln steuerbaren Elementen 36 montiert sind), Seitenwänden 43 und einer Platte 44 aus einem Material, das für die verwendete Strahlung im wesentlichen lichtdurchlässig ist, hergestellt ist. Die Anordnung von Fokussierelementen 39, die, wie oben, aus Fokussierelementen 40 und einem Halter 41 besteht, wird innerhalb der gasdichten Einfassung 42 montiert. Wie oben, können die Seitenwände ein Teil des Substrates oder der strahlungsdurchlässigen Platte sein.
  • 5 zeigt eine weitere Variante der Vorrichtungen 25, 35, die in 3 und 4 gezeigt ist. In diesem Fall verläuft die Wand 53 derart, dass die gasdichte Einfassung aus der Wand 53 und der strahlungsdurchlässigen Platte 54 gebildet wird. Die Anordnung einzeln steuerbarer Elemente 46 und die Anordnung von Fokussierelementen 49 sind innerhalb der gasdichten Einfassung separat montiert.
  • Die gasdichte Einfassung kann vorzugsweise auf unter 100 mTorr entleert oder mit einem im wesentlichen reinen, sauberen Gas (beispielsweise Stickstoff, Argon oder anderen inerten Gasen) gefüllt werden. Wenn dies erforderlich sein sollte, kann die gasdichte Einfassung mit dem Gas durchspült werden. Es kann beispielsweise ein Gaseintritt und ein Gasaustritt vorhanden sein, die mit der gasdichten Einfassung verbunden sind. Der Gaseintritt kann dann mit einer Quelle sauberen Gases verbunden werden, um die gasdichte Einfassung durchzuspülen, so dass sichergestellt ist, dass die Menge an Schmutzstoffen gering bleibt, selbst wenn die gasdichte Einfassung nicht perfekt ist, und nur eine geringe Menge an Schmutzstoffen eindringen kann, oder wenn Schmutzstoffe innerhalb der gasdichten Einfassung erzeugt werden.
  • Um eine korrekte Ausrichtung der Fokussierelemente 30, 40, 50 zu den entsprechenden einzeln steuerbaren Elementen 28, 38, 48 zu gewährleisten, können Stellantriebe bereitgestellt werden, um die Position der Anordnung von Fokussierelementen 29, 39, 49 zu der Anordnung einzeln steuerbarer Elemente 26, 36, 46 zu verstellen. Außerdem oder alternativ kann eine Vielzahl von Stellantrieben bereitgestellt werden, um die Position der Fokussierelemente 30, 40, 50 zueinander zu verstellen. Bei den verwendeten Stellantrieben kann es sich um piezoelektrische Stellantriebe handeln, insbesondere in dem Fall von Stellantrieben für die Verstellung der Position der Fokussierelemente 30, 40, 50 zueinander, oder es kann sich um Lorentz-Stellantriebe handeln, insbesondere im Fall der Verstellung der Position der Anordnung von Fokussierelementen 29, 39, 49 zu der Anordnung einzeln steuerbarer Elemente 26, 36, 46. Es wird klar sein, dass andere bekannte Vorrichtungen zur präzisen Kontrolle der Position ebenfalls verwendet werden können, beispielsweise die thermoelektronische Betätigung oder akustische Modulation.
  • Es wurden oben verschiedene Ausführungsarten der vorliegenden Erfindung beschrieben. Doch es sollte klar sein, dass diese nur beispielhaft vorgestellt wurden und nicht einschränkend zu verstehen sind. Somit sollte der Geltungsbereich der vorlie genden Erfindung durch die oben beschriebenen, beispielhaften Ausführungsarten nicht eingeschränkt werden, sondern sollte nur durch die folgenden Ansprüche definiert werden.

Claims (18)

  1. Lithographischer Projektionsapparat mit: einem Beleuchtungssystem (IL), das angeordnet ist, um einen Projektionsstrahl der Strahlung (PB; 10) aufzubereiten; einer Anordnung (13; 26; 36; 46) einzeln steuerbarer Elemente (28; 28; 48), die angeordnet sind, um den Projektionsstrahl in seinem Querschnitt mit einem Muster zu versehen; einem Substrattisch (WT) zum Halten eines Substrates (18); einer ersten Anordnung von Fokussierelementen (30; 40; 50), wobei die Elemente derart angeordnet sind, dass jedes einen Teil des Projektionsstrahls direkt auf eines der einzeln steuerbare Elemente lenkt und Strahlung, die von ihm reflektiert wird, erfasst; einem Projektionssystem (PL; 14), das ein Bild der ersten Anordnung von Fokussierelementen auf eine zweite Anordnung von Fokussierelementen projiziert, wobei die zweite Anordnung operativ so angeordnet ist, dass die Strahlung, die von einem der einzeln steuerbaren Elemente reflektiert wird, über eines der zugehörigen Fokussierelemente in der ersten Anordnung der Fokussierelemente und das Projektionssystem auf eines der Fokussierelemente in der zweiten Anordnung, die die Strahlung auf einen Punkt auf dem Substrat (18) fokussiert, projiziert wird.
  2. Apparat nach Anspruch 1, wobei der Teil oder Abschnitt des Projektionsstrahls der Strahlung, der auf jedes einzeln steuerbare Element gelenkt wird, auf einen aktiven Teil des steuerbaren Elements fokussiert wird.
  3. Apparat nach Anspruch 1 oder 2, wobei die erste Anordnung der Fokussierelemente neben der Anordnung einzeln steuerbarer Elemente angeordnet ist und das Beleuchtungssystem die Anordnung der Fokussierelemente im wesentlichen gleichmäßig beleuchtet.
  4. Apparat nach Anspruch 1, 2 oder 3, wobei die erste Anordnung von Fokussierelementen eine Anordnung von Mikrolinsen aufweist, und wobei jede Mikrolinse so angeordnet ist, dass sie die Strahlung auf eines der einzeln steuerbaren Elemente fokussiert.
  5. Apparat nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die erste Anordnung von Fokussierelementen so positioniert ist, dass es sich dabei um ein ab schließendes Element in einem Strahlengang handelt, bevor er in die Anordnung einzeln steuerbarer Elemente einfällt.
  6. Apparat nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei es sich bei jedem der einzeln steuerbaren Elemente um einen diffraktiven, optischen MEMS-Baustein handelt, bei dem in einer ersten Einstellung eine aktive Fläche des MEMS-Bausteins als ebener Reflektor wirkt, der eine Strahlung nullter Ordnung in das entsprechende Element der Fokussierelemente in der ersten Anordnung von Fokussierelementen zurückreflektiert, und bei dem in einer zweiten Einstellung die aktive Fläche des MEMS-Bausteins ein Gitter bildet, das die Strahlung erster Ordnung weg von dem Element der entsprechenden Fokussierelemente in der ersten Anordnung der Fokussierelemente beugt.
  7. Apparat nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die zweite Anordnung der Fokussierelemente eine Anordnung von Mikrolinsen aufweist.
  8. Apparat nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Anordnung einzeln steuerbarer Elemente und die erste Anordnung von Fokussierelementen in einer gasdichten Einfassung (32; 42; 52) montiert sind.
  9. Apparat nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Anordnung einzeln steuerbarer Elemente ein Substrat (27; 37; 47) umfasst, wobei die einzeln steuerbaren Elemente auf einer Seite dieses Substrats montiert sind; und die erste Anordnung von Fokussierelementen an der Anordnung einzeln steuerbarer Elemente montiert ist, so dass eine gasdichte Einfassung (32; 42; 52) um die einzeln steuerbaren Elemente herum gebildet wird.
  10. Apparat nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei: die Anordnung einzeln steuerbarer Elemente ein Substrat (27; 37; 47) umfasst, wobei die einzeln steuerbaren Elemente auf einer Seite dieses Substrats montiert sind; ein Platte (44; 54), die für den Projektionsstrahl der Strahlung im wesentlichen durchlässig ist, an dem Substrat montiert wird, so dass eine gasdichte Einfassung (42; 52) um die einzeln steuerbaren Elemente herum gebildet wird; und die erste Anordnung von Fokussierelementen in der gasdichten Einfassung montiert wird.
  11. Apparat nach Anspruch 8, 9 oder 10, wobei die gasdichte Einfassung im wesentlichen entleert wird.
  12. Apparat nach Anspruch 8, 9 oder 10, wobei die gasdichte Einfassung auf weniger als ungefähr 100 mTorr entleert wird.
  13. Apparat nach Anspruch 8, 9 oder 10, wobei die gasdichte Einfassung mit einem im wesentlichen reinen, sauberen Gas gefüllt ist.
  14. Apparat nach Anspruch 13, der auch einen Gaseintritt zwischen der Einfassung und einer Gasquelle sowie einen Gasaustritt aus der Einfassung umfasst, so dass das Gas durch die Einfassung gespült werden kann.
  15. Apparat nach einem der vorhergehenden Ansprüche, der weiterhin einen Stellantrieb umfasst, mit dem eine Position der ersten Anordnung von Fokussierelementen in Bezug die Anordnung einzeln steuerbarer Elemente verstellt wird.
  16. Apparat nach einem der vorhergehenden Ansprüche, der weiterhin Stellantriebe umfasst, mit denen Positionen eines jeden der Fokussierelemente innerhalb der ersten Anordnung in Bezug auf eine andere verstellt werden.
  17. Verfahren zur Herstellung eines Bausteins mit: der Bereitstellung eines Substrates (W; 18) der Aufbereitung eines Projektionsstrahls der Strahlung (P8; 10), bei dem ein Beleuchtungssystem (IL) verwendet wird; der Verwendung einer Anordnung (13; 26; 36; 46) von einzeln steuerbaren Elementen (28; 38; 48), um den Projektionsstrahl zu bemustern; der Verwendung einer ersten Anordnung (12; 29; 39; 49) von Fokussierelemente (30; 40; 50), um jeweils einen Teil des Projektionsstrahls direkt auf eines der einzeln steuerbaren Elemente zu lenken und die Strahlung, die von ihm reflektiert wird, zu erfassen; und der Verwendung eines Projektionssystems (PL; 14), um ein Bild der ersten Anordnung von Fokussierelementen auf eine zweite Anordnung von Fokussierelementen (17) zu projizieren, wobei die zweite Anordnung derart angeordnet ist, dass die Strahlung, die von einem der einzeln steuerbaren Elemente reflektiert wird, über eines der zugehörigen Fokussierelemente in der ersten Anordnung von Fokussierelementen und das Projektionssystem auf eines der Fokussierelemente in der zweiten Anordnung, die die Strahlung auf einen Punkt auf dem Substrat fokussiert, projiziert wird.
  18. Verfahren zur Bemusterung eines Substrates (18) mit: der Bemusterung eines Projektionsstrahls (P8; 10) von einem Beleuchtungssystem (IL) unter Verwendung einer Anordnung (13; 26; 36; 46) von einzeln steuerbarer Elemente (28; 38; 48) zur Bemusterung; der Lenkung eines Teils des Projektionsstrahls direkt auf eines der einzeln steuerbaren Elemente und Erfassung der Strahlung, die von ihm reflektiert wird, unter Verwendung einer ersten Anordnung (12; 29; 39; 49) von Fokussierelementen; der Projektion eines Bildes der ersten Anordnung von Fokussierelementen auf eine zweite Anordnung von Fokussierelementen (17) unter Verwendung eines Projektionssystems (PL; 14), so dass die Strahlung, die von einem der einzeln steuerbaren Elemente reflektiert wird, über eines der zugehörigen Fokussierelemente in der ersten Anordnung von Fokussierelementen und das Projektionssystem auf eines der Fokussierelemente in der zweiten Anordnung, die die Strahlung auf einen Punkt auf dem Substrat fokussiert, projiziert wird.
DE602004007608T 2003-12-22 2004-12-15 Lithographischer Projektionsapparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung Expired - Fee Related DE602004007608T2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US740836 2003-12-22
US10/740,836 US6995830B2 (en) 2003-12-22 2003-12-22 Lithographic projection apparatus and device manufacturing method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE602004007608D1 DE602004007608D1 (de) 2007-08-30
DE602004007608T2 true DE602004007608T2 (de) 2008-04-10

Family

ID=34552800

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE602004007608T Expired - Fee Related DE602004007608T2 (de) 2003-12-22 2004-12-15 Lithographischer Projektionsapparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung

Country Status (8)

Country Link
US (2) US6995830B2 (de)
EP (1) EP1548505B1 (de)
JP (1) JP4246692B2 (de)
KR (1) KR100747783B1 (de)
CN (1) CN100468197C (de)
DE (1) DE602004007608T2 (de)
SG (1) SG112970A1 (de)
TW (1) TWI269124B (de)

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2408143B (en) * 2003-10-20 2006-11-15 Ims Nanofabrication Gmbh Charged-particle multi-beam exposure apparatus
US6995830B2 (en) * 2003-12-22 2006-02-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and device manufacturing method
US20060198018A1 (en) * 2005-02-04 2006-09-07 Carl Zeiss Smt Ag Imaging system
US7342641B2 (en) * 2005-02-22 2008-03-11 Nikon Corporation Autofocus methods and devices for lithography
US20070046917A1 (en) * 2005-08-31 2007-03-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method that compensates for reticle induced CDU
US7601967B2 (en) * 2005-12-21 2009-10-13 Searete Llc Multi-stage waveform detector
US7391032B1 (en) * 2005-12-21 2008-06-24 Searete Llc Multi-stage waveform detector
US7427762B2 (en) * 2005-12-21 2008-09-23 Searete Llc Variable multi-stage waveform detector
US7649182B2 (en) * 2006-10-26 2010-01-19 Searete Llc Variable multi-stage waveform detector
US7649180B2 (en) * 2005-12-21 2010-01-19 Searete Llc Multi-stage waveform detector
US8207907B2 (en) 2006-02-16 2012-06-26 The Invention Science Fund I Llc Variable metamaterial apparatus
DE102006019963B4 (de) * 2006-04-28 2023-12-07 Envisiontec Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines dreidimensionalen Objekts durch schichtweises Verfestigen eines unter Einwirkung von elektromagnetischer Strahlung verfestigbaren Materials mittels Maskenbelichtung
DE102006019964C5 (de) * 2006-04-28 2021-08-26 Envisiontec Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines dreidimensionalen Objekts mittels Maskenbelichtung
CN103345128B (zh) 2007-02-06 2017-04-12 卡尔蔡司Smt有限责任公司 微光刻投射曝光设备的照明系统
DE102007034652A1 (de) * 2007-07-25 2009-01-29 Carl Zeiss Smt Ag Vorrichtung zur Temperatureinstellung eines optischen Elements
US8048359B2 (en) 2008-10-20 2011-11-01 3D Systems, Inc. Compensation of actinic radiation intensity profiles for three-dimensional modelers
TWI448830B (zh) 2010-02-09 2014-08-11 Asml Netherlands Bv 微影裝置及元件製造方法
US8134719B2 (en) * 2010-03-19 2012-03-13 Carestream Health, Inc. 3-D imaging using telecentric defocus
NL2006573A (en) * 2010-05-18 2011-11-21 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
US8767170B2 (en) * 2011-06-03 2014-07-01 Silicon Light Machines Corporation Flow through MEMS package
US8691476B2 (en) 2011-12-16 2014-04-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. EUV mask and method for forming the same
US8982481B2 (en) * 2011-12-30 2015-03-17 Asml Holding N.V. Catadioptric objective for scatterometry
KR102120624B1 (ko) * 2013-04-04 2020-06-10 삼성디스플레이 주식회사 Glv를 이용한 디지털 노광기 및 dmd를 이용한 디지털 노광기
US10399179B2 (en) 2016-12-14 2019-09-03 General Electric Company Additive manufacturing systems and methods
CN114415480B (zh) * 2022-03-08 2022-09-09 广东科视光学技术股份有限公司 一种光刻机光源发生装置

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5523193A (en) 1988-05-31 1996-06-04 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for patterning and imaging member
US6219015B1 (en) 1992-04-28 2001-04-17 The Board Of Directors Of The Leland Stanford, Junior University Method and apparatus for using an array of grating light valves to produce multicolor optical images
JP3224041B2 (ja) 1992-07-29 2001-10-29 株式会社ニコン 露光方法及び装置
US5729331A (en) 1993-06-30 1998-03-17 Nikon Corporation Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus
JP3339149B2 (ja) 1993-12-08 2002-10-28 株式会社ニコン 走査型露光装置ならびに露光方法
US5677703A (en) 1995-01-06 1997-10-14 Texas Instruments Incorporated Data loading circuit for digital micro-mirror device
US5530482A (en) 1995-03-21 1996-06-25 Texas Instruments Incorporated Pixel data processing for spatial light modulator having staggered pixels
DE69729659T2 (de) 1996-02-28 2005-06-23 Johnson, Kenneth C., Santa Clara Mikrolinsen-rastereinrichtung für mikrolithografie und für konfokale mikroskopie mit grossem aufnahmefeld
US6177980B1 (en) 1997-02-20 2001-01-23 Kenneth C. Johnson High-throughput, maskless lithography system
US5982553A (en) 1997-03-20 1999-11-09 Silicon Light Machines Display device incorporating one-dimensional grating light-valve array
EP0881542A1 (de) 1997-05-26 1998-12-02 Nederlandse Organisatie Voor Toegepast-Natuurwetenschappelijk Onderzoek Tno Lithographisches System
US6214633B1 (en) 1997-08-28 2001-04-10 Mems Optical Inc. System for controlling light including a micromachined foucault shutter array and a method of manufacturing the same
SE9800665D0 (sv) 1998-03-02 1998-03-02 Micronic Laser Systems Ab Improved method for projection printing using a micromirror SLM
US6271957B1 (en) 1998-05-29 2001-08-07 Affymetrix, Inc. Methods involving direct write optical lithography
US6424404B1 (en) 1999-01-11 2002-07-23 Kenneth C. Johnson Multi-stage microlens array
KR100827874B1 (ko) 2000-05-22 2008-05-07 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 장치의 제조 방법, 노광 방법, 마이크로 장치의 제조 방법, 및 디바이스의 제조 방법
DE20122371U1 (de) * 2000-08-03 2005-05-19 Reflectivity Inc., Sunnyvale Projektionsanzeigeeinrichtung
DE20017320U1 (de) 2000-10-06 2001-01-18 Paul Voss Gmbh & Co Kg Markise mit Neigungsverstellung
US6430328B1 (en) 2000-10-13 2002-08-06 William H. Culver Optical switch
US6775048B1 (en) * 2000-10-31 2004-08-10 Microsoft Corporation Microelectrical mechanical structure (MEMS) optical modulator and optical display system
US6473237B2 (en) 2000-11-14 2002-10-29 Ball Semiconductor, Inc. Point array maskless lithography
WO2003040830A2 (en) 2001-11-07 2003-05-15 Applied Materials, Inc. Optical spot grid array printer
JP3563384B2 (ja) 2001-11-08 2004-09-08 大日本スクリーン製造株式会社 画像記録装置
JP4338434B2 (ja) * 2002-06-07 2009-10-07 富士フイルム株式会社 透過型2次元光変調素子及びそれを用いた露光装置
SG130007A1 (en) * 2002-06-12 2007-03-20 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6870554B2 (en) 2003-01-07 2005-03-22 Anvik Corporation Maskless lithography with multiplexed spatial light modulators
EP1480080A1 (de) * 2003-05-22 2004-11-24 ASML Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
EP1482375B1 (de) 2003-05-30 2014-09-17 ASML Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels
US6995830B2 (en) 2003-12-22 2006-02-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and device manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
KR20050063738A (ko) 2005-06-28
SG112970A1 (en) 2005-07-28
US20060072093A1 (en) 2006-04-06
US7081944B2 (en) 2006-07-25
JP4246692B2 (ja) 2009-04-02
TWI269124B (en) 2006-12-21
EP1548505A1 (de) 2005-06-29
CN100468197C (zh) 2009-03-11
US6995830B2 (en) 2006-02-07
US20050134819A1 (en) 2005-06-23
KR100747783B1 (ko) 2007-08-08
CN1637605A (zh) 2005-07-13
JP2005183998A (ja) 2005-07-07
EP1548505B1 (de) 2007-07-18
DE602004007608D1 (de) 2007-08-30
TW200525310A (en) 2005-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE602004007608T2 (de) Lithographischer Projektionsapparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
DE602005004949T2 (de) Lithographischer Apparat und Methode zur Herstellung einer Vorrichtung
DE60120282T2 (de) Lithographischer Apparat, Verfahren zur Herstellung eines Artikels und damit hergestellter Artikel
DE60308161T2 (de) Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels
DE69531568T2 (de) Apparat zur Projektionsbelichtung und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung unter Verwendung desselben
DE60309238T2 (de) Lithographische Maske, lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
DE60223630T2 (de) Lithographisches Gerät und zugehöriges Herstellungsverfahren
DE60209652T2 (de) Verfahren zur Messung der Aberration eines lithographischen Projektionssystems
DE60221180T2 (de) Lithographischer Apparat
DE60035567T2 (de) Lithographischer Projektionsapparat mit System zur Positionierung eines Reflektors
DE69433142T2 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Projektionsbelichtung
DE60033775T2 (de) Lithographischer Apparat mit einem System zur Positionsdetektion
DE60131203T2 (de) Lithographischer Apparat
DE60119421T2 (de) Lithographisches Gerät und Maskenträger
DE602004011458T2 (de) Substratverarbeitungsverfahren
DE60310498T2 (de) Verfahren zur Reinigung durch Entfernung von Teilchen von Oberflächen, Reinigungsvorrichtung und lithographischer Projektionsapparat
EP0527166A1 (de) Belichtungsvorrichtung.
DE60128975T2 (de) Mikrolithographischer Projektionsapparat
DE60130348T2 (de) Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer integrierten Schaltungsanordnung
DE60120825T2 (de) Lithographischer Apparat, Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung, sowie durch dieses Verfahren hergestellte Vorrichtung
DE102011113521A1 (de) Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
DE60320202T2 (de) Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
DE60319635T2 (de) Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
DE102011077223A1 (de) Messsystem
DE60218414T2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Artikels, dabei hergestellter Artikel und lithographischer Apparat dafür

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee