DE60217627T2 - Laservorrichtung zum Pumpen eines Festkörperlasermediums - Google Patents

Laservorrichtung zum Pumpen eines Festkörperlasermediums Download PDF

Info

Publication number
DE60217627T2
DE60217627T2 DE60217627T DE60217627T DE60217627T2 DE 60217627 T2 DE60217627 T2 DE 60217627T2 DE 60217627 T DE60217627 T DE 60217627T DE 60217627 T DE60217627 T DE 60217627T DE 60217627 T2 DE60217627 T2 DE 60217627T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
laser
optical element
sub
pumping device
lens
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE60217627T
Other languages
English (en)
Other versions
DE60217627D1 (de
Inventor
Dr. Daniel Kopf
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kopf Daniel Dr Rothis At
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Application granted granted Critical
Publication of DE60217627D1 publication Critical patent/DE60217627D1/de
Publication of DE60217627T2 publication Critical patent/DE60217627T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/11Mode locking; Q-switching; Other giant-pulse techniques, e.g. cavity dumping
    • H01S3/1106Mode locking
    • H01S3/1112Passive mode locking
    • H01S3/1115Passive mode locking using intracavity saturable absorbers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/09Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
    • H01S3/091Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
    • H01S3/094Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
    • H01S3/0941Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a laser diode
    • H01S3/09415Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a laser diode the pumping beam being parallel to the lasing mode of the pumped medium, e.g. end-pumping
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/11Mode locking; Q-switching; Other giant-pulse techniques, e.g. cavity dumping
    • H01S3/1106Mode locking
    • H01S3/1112Passive mode locking
    • H01S3/1115Passive mode locking using intracavity saturable absorbers
    • H01S3/1118Semiconductor saturable absorbers, e.g. semiconductor saturable absorber mirrors [SESAMs]; Solid-state saturable absorbers, e.g. carbon nanotube [CNT] based
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S2301/00Functional characteristics
    • H01S2301/20Lasers with a special output beam profile or cross-section, e.g. non-Gaussian
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/02Constructional details
    • H01S3/025Constructional details of solid state lasers, e.g. housings or mountings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/06Construction or shape of active medium
    • H01S3/0602Crystal lasers or glass lasers
    • H01S3/0604Crystal lasers or glass lasers in the form of a plate or disc
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/08Construction or shape of optical resonators or components thereof
    • H01S3/081Construction or shape of optical resonators or components thereof comprising three or more reflectors
    • H01S3/0813Configuration of resonator
    • H01S3/0817Configuration of resonator having 5 reflectors, e.g. W-shaped resonators
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/106Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/106Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity
    • H01S3/107Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity using electro-optic devices, e.g. exhibiting Pockels or Kerr effect
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/106Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity
    • H01S3/107Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity using electro-optic devices, e.g. exhibiting Pockels or Kerr effect
    • H01S3/1075Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity using electro-optic devices, e.g. exhibiting Pockels or Kerr effect for optical deflection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/106Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity
    • H01S3/108Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity using non-linear optical devices, e.g. exhibiting Brillouin or Raman scattering
    • H01S3/109Frequency multiplication, e.g. harmonic generation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/11Mode locking; Q-switching; Other giant-pulse techniques, e.g. cavity dumping
    • H01S3/1103Cavity dumping
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/11Mode locking; Q-switching; Other giant-pulse techniques, e.g. cavity dumping
    • H01S3/1123Q-switching
    • H01S3/115Q-switching using intracavity electro-optic devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/16Solid materials
    • H01S3/1601Solid materials characterised by an active (lasing) ion
    • H01S3/1603Solid materials characterised by an active (lasing) ion rare earth
    • H01S3/1611Solid materials characterised by an active (lasing) ion rare earth neodymium
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/16Solid materials
    • H01S3/163Solid materials characterised by a crystal matrix
    • H01S3/1671Solid materials characterised by a crystal matrix vanadate, niobate, tantalate
    • H01S3/1673YVO4 [YVO]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/23Arrangements of two or more lasers not provided for in groups H01S3/02 - H01S3/22, e.g. tandem arrangements of separate active media
    • H01S3/2308Amplifier arrangements, e.g. MOPA
    • H01S3/2325Multi-pass amplifiers, e.g. regenerative amplifiers
    • H01S3/235Regenerative amplifiers

Description

  • Gebiet der Erfindung
  • Die Erfindung bezieht sich auf das Gebiet kompakter, laserdioden-gepumpter Festkörper-Laserquellen. Insbesondere bezieht sich die Erfindung auf das Gebiet des Pumpens einer Laserquelle, die bevorzugt einen regenerativen Verstärker oder andere Singlepass- oder Multipass-Verstärkeranordnungen enthält.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Bei Laserquellen mit einem regenerativen Verstärker oder mit anderen Singlepass- oder Multipass-Verstärkeranordnungen führt ein kleiner und fokussierter Pumplaserfleck zu Problemen, die zum Beispiel durch einen Apertureffekt innerhalb des Verstärkermediums verursacht sein können. Diese Probleme können zu optischen Schäden, Strahlverzerrung und Beugungsverlusten führen, da eine hohe Verstärkung innerhalb eines begrenzten Volumens des Lasermediums auftreten kann. Eine Pumpvorrichtung, die einen Pumpfleck genügender Intensität ohne Muster erzeugt, erfüllt die speziellen Erfordernisse dieser Anordnung. Geeignete Pumpflecke haben einen Querschnitt mit einem im Wesentlichen niedrigen Seitenverhältnis, das durch den Brechungsindex n als 1:n definiert werden kann (z.B. mit n = 2,16 für Nd:Vanadat) oder zum Beispiel 1:1 beträgt. Ein geeigneter, im Wesentlichen glatter Laserdiodenpumpfleck wird von einer Laserdiodenanordnungsquelle oder von Mehrfachanordnungen erhalten, indem jeder einzelne Emitter der Anordnung bzw. der Anordnungen ohne Fokussierung auf im Wesentlichen den gleichen Fleck am Lasermedium abgebildet wird. Die Erfindung wird in Anspruch 1 definiert.
  • Beschreibung der bevorzugten Ausführungsform der Erfindung
  • Das Arbeitsprinzip eines regenerativen Verstärkers ist seit Jahren bekannt. Ein regenerativer Verstärker ist im Wesentlichen ein Laserresonator, der einen Seedpuls einfängt und ihn zu einem viel höheren Energieniveau verstärkt. Diese Laseranordnung verwendet einen extern erzeugten Laserpuls, der durch einen geeigneten Schalter, zum Bei spiel eine Pockels-Zelle, in den Resonator eingekoppelt wird. Durch eine Änderung des Polarisationszustands wird der Laserpuls im Resonator eingefangen und während darauf folgender Hin- und Herläufe im Resonator verstärkt. Bei seinem Energiemaximum wird der Puls gezwungen, den Resonator zu verlassen, indem er durch den Schalter hindurchgeht, dessen Polarisationszustand sich wiederum verändert hat.
  • Zur Verwendung in einer regenerativen Verstärkeranordnung werden Laserpumpanordnungen mit einer Kleinsignalverstärkung im Lasermedium benötigt, die im Vergleich zu einer Anordnung mit einem grossen Seitenverhältnis oder einem stark asymmetrischen Pumpfleck verhältnismässig gering ist. Die entsprechende, minimale Verstärkung von wenigen Prozent bis zu einem Faktor, der für einen Hin- und Herlauf nicht viel mehr als vier (d.h. 400 %) beträgt, genügt für eine Anordnung dieses Typs. Dies ist eine grössenordnungsmässig etwa zehnmal geringere Kleinsignalverstärkung als die in einer Anordnung mit einem stark asymmetrischen Pumpfleck erreichte Verstärkung. Eine Ausführung einer solchen Anordnung mit asymmetrischem Fleck wird in der PCT-Patentanmeldung PCT/EP 00/05336 offenbart.
  • Bei dieser An von Anordnung führen die üblicherweise verwendeten kleinen, fokussierten Pumplaserflecken zu Problemen wie optischen Schäden durch hohe Verstärkung innerhalb eines begrenzten Volumens des Lasermediums und Strahlverzerrung sowie Beugungsverluste. Eine Pumpvorrichtung, die ein Profil verringerter Intensität ohne Muster erzeugt, kann die speziellen Erfordernisse dieser Anordnung erfüllen. Statt eines stark asymmetrischen Pumpflecks wird ein im Wesentlichen runder oder elliptischer Fleck bevorzugt.
  • In der PCT-Patentanmeldung PCT/EP 00/05336 wird eine Laserdiodenabbildungsanordnung offenbart, die das Diodenstrahlbündel von einer Diodenanordnung auf einen im Wesentlichen glatten Fleck abbildet, und zwar in dem Sinne, dass das horizontale Intensitätsmuster des Flecks selbst dann im Wesentlichen unverändert bleibt, wenn einige der Emitter der Diodenanordnung versagen oder schlechter werden, weil alle Emitter horizontal auf den gleichen Fleck abgebildet werden.
  • Weitere Anordnungen für LD-Pumpen von Festkörperlasern sind aus US-A-S 541 951 und WO-A-01/81955 bekannt.
  • 1 zeigt diese Anordnung von oben und von der Seite. Eine zylindrische Mikrolinse 2 von kurzer Brennweite wird in einem Abstand, der der Brennweite entspricht, vor der Diodenanordnung 1 positioniert und kollimiert die vertikale Achse (siehe die Seitenansicht) des Diodenlichts 5a (Fast-Axis-Kollimation). Eine Linse 3 mit einer Brennweite f wird dann etwa eine Brennweite f von der Diodenlaseranordnung 1 entfernt platziert. Die Linse 3 kollimiert dann alle Strahlen 5b in der horizontalen Ebene (siehe die Draufsicht) und lenkt sie zu im Wesentlichen dem gleichen Fleck 4, und sie fokussiert die Strahlen 5b in der vertikalen Ebene (Seitenansicht). Wegen der Fokussierung in der vertikalen Ebene (Seitenansicht) führt diese Anordnung zu einem Pumpfleck hoher Intensität. Daher hat diese Anordnung, wenn sie zum Pumpen eines regenerativen Verstärkers verwendet wird, wegen Strahlverzerrung und Beugungsverlusten typischerweise Probleme durch optische wie auch thermische Schäden oder einen schlechten inneren Wirkungsgrad.
  • Im US-Patent 5 541 951 wird eine weitere Vorrichtung und Methode zum Hochleistungs-Endpumpen einer regenerativen Verstärkeranordnung offenbart. Die mit dem Fleck hoher Intensität verbundenen Probleme werden durch eine Pumpvorrichtung verringert, die während jeder Millisekunde ihres Betriebs nur für ungefähr vierhundert Mikrosekunden puls-aktiviert wird. Ein Nachteil dieser Lösung liegt in der komplizierten Pulserzeugung und der immer noch hohen Intensität innerhalb des Pumpflecks, wobei nur die thermische Belastung verringert wird, indem die Intensität nur eine kurze Zeit dauert.
  • In der Erfindung wird ein anderes, auf unterschiedlicher Pumpoptik beruhendes Konzept verwendet. Statt den Pumpstrahl vertikal und/oder horizontal in den Fleck zu fokussieren, wie es im Stande der Technik offenbart wird, werden die Teilstrahlen, die diesen Fleck bilden, dieser Erfindung zufolge nicht in diesen Fleck fokussiert.
  • Dieser Erfindung zufolge wird die Bedeutung von „kollimiert" nicht auf ein Strahlenbündel beschränkt, das aus verschiedenen Strahlen besteht und in dem diese Strahlen genau parallel sind. Daher umfasst „kollimiert" auch Strahlenbündel mit einer Divergenz oder Konvergenz, die im Vergleich zu den Abmessungen der Anordnung klein ist. Die Elemente der Anordnung müssen so ausgelegt und justiert werden, dass die Intensität des Pumpflecks unterhalb einer Schwelle bleibt.
  • 2 zeigt – nur als ein Beispiel – eine Anordnung zum Pumpen einer Laserquelle, die insbesondere einen Singlepass- oder Multipass-Verstärker enthält, zum Beispiel einen regenerativen Verstärker. Ein Unterschied gegenüber der Anordnung von 1, wie sie in der PCT-Patentanmeldung PCT/EP 00/05336 beschrieben wird, ist das Fehlen jeder Fokussierung der von jedem der Emitter emittierten Teilstrahlen in den Pumpfleck.
  • 2 zeigt von oben (oben) und von der Seite (unten) eine Laserdiodenabbildungsanordnung, durch die das Diodenstrahlbündel 9a von einer Diodenanordnung 1 in einen im Wesentlichen glatten Fleck 8 abgebildet wird, der auf die Oberfläche eines Lasermediums abgebildet wird. Wenn ein solches Lasermedium bei oder nahe dem glatten Fleck positioniert wird, der durch ein solches Abbildungsgerät erhalten wird, dann ist das Temperaturprofil, das sich aus der absorbierten Leistung ergibt, ebenfalls glatt, was den Betrieb im Grundmodus leichter und wirkungsvoller macht.
  • Das von jedem Emitter emittierte Strahlenbündel (Teilstrahl 9a) besteht aus einer Vielzahl von Lichtstrahlen und kann daher durch diese Strahlen beschrieben werden, die von einer entsprechenden Vielzahl von emittierenden Punkten emittiert werden, die auf der emittierenden Oberfläche des Diodenlasers liegen.
  • Die Diodenlaseranordnung 1 nach 2 kann eine 5 mm breite Anordnung von 13 Emittern sein, die auf einen einzigen Chip aufgesetzt sind, aller 400 μm ein Diodenemitter von 200 μm Breite. In der vertikalen Achse hat die emittierende Fläche eine Höhe von etwa 1 μm. Die vertikale Position jedes Diodenemitters weicht um nicht mehr als ± 0,5 μm von der waagerechten Ebene ab, was einer „Smile"-Verzerrung der Diodenanordnung von weniger als ± 0,5 μm entspricht. Das Diodenlicht mit diesem hohen Seitenverhältnis pflanzt sich fort, wie in 2 gezeigt.
  • In der waagerechten Ebene (siehe die Draufsicht) pflanzt sich das Diodenlicht (der Teilstrahl 9a) jedes Emitters mit einer Divergenz von etwa ± 5° fort. In der senkrechten Ebene (siehe die Seitenansicht) kann die Divergenz +45° erreichen. Daher wird eine zylindrische Mikrolinse 6 mit einer kurzen Brennweite von etwa 0,2 bis 1 mm in einem der Brennweite entsprechenden Abstand vor der Diodenanordnung 1 positioniert und kollimiert die stark divergente Emission des Emitters in der vertikalen Achse des Diodenlichts (des Teilstrahls 9a).
  • Eine Zylinderlinse 7 mit einer Brennweite f wird dann etwa eine Brennweite f von der Diodenlaseranordnung 1 entfernt platziert. Die Linse 7 kollimiert dann alle Teilstrahlen 9b in der waagerechten Ebene und lenkt sie zu im Wesentlichen dem gleichen Fleck (Draufsicht), ohne das Diodenlicht in der senkrechten Ebene zu fokussieren (Seitenansicht). Wegen fehlender Fokussierung führt dies zu einem Diodenlaserstrahl mit einem verhältnismässig niedrigen Seitenverhältnis und verhältnismässig niedriger Intensität im Fleck 8, was thermischen Schäden und anderen Problemen zuvorkommt, die durch die höheren Intensitäten in der regenerativen Verstärkeranordnung verursacht werden. Der Fleck 8 ist glatt in dem Sinne, dass sich sein horizontales und vertikales Intensitätsmuster selbst dann nicht wesentlich verändern, wenn einige der Emitter der Diodenanordnung 1 ausfallen oder schlechter werden, weil alle Emitter in den gleichen Fleck 8 abgebildet werden.
  • Wechselweise kollimiert die Zylinderlinse 7 nicht alle Teilstrahlen 9b in der waagerechten Ebene, sondern formt die von jedem Emitter emittierten Teilstrahlen allgemein so, dass die von einer Vielzahl emittierender Punkte auf der Oberfläche jedes Emitters emittierten Lichtstrahlen nebeneinander liegen, sich nicht kreuzen und nicht im Fleck 8 fokussiert sind, so dass der Teilstrahl 9c in der waagerechten Ebene divergent oder konvergent ist. Man bemerke, dass im Falle eines konvergenten Strahls der Brennpunkt nicht in der Ebene des Flecks 8 liegen sollte, sondern wesentlich vor oder hinter dieser Ebene. Ein Brennpunkt nahe beim Fleck 8 würde nicht zu einem Laserstrahl mit einem vergleichsweise kleineren Seitenverhältnis und daher einer verhältnismässig niedrigen Intensität im Fleck 8 führen.
  • Wechselweise können die zylindrische Mikrolinse 6 und die Zylinderlinse 7 durch ein optisches Element ersetzt werden, das im Wesentlichen die gleiche Funktion wie diese Linsen hat, zum Beispiel reflektierende Elemente oder Beugungsstrukturen wie ein holographisches Element oder eine Fresnel-Linse.
  • Die Begriffe von „horizontal" und „vertikal" werden durch die konkrete Aufstellung der Diodenanordnung definiert. In diesen Beispielen sind die Diodenemitter waagerecht in einer linearen Anordnung positioniert. Daher hat der sich ergebende Strahl einen Querschnitt mit einer im Wesentlichen waagerechten Ausdehnung. Die Beispiele beschränken die Positionierung der Emitter oder den Querschnitt der Strahlen nicht auf eine waagerechte Anordnung. Bei einer anderen Ausrichtung der Emitter z.B. in einer senkrechten linearen Anordnung müssen die Ausdrücke geeignet angepasst werden.
  • Die entsprechende minimale Verstärkung von einigen Prozent bis zu einem das Vierfache nicht stark überschreitenden Wert (d.h. 400 %) für einen Hin- und Herlauf genügt für eine Anordnung dieses Typs. Das kennzeichnende Merkmal ist das Produkt aus dem Emissionsquerschnit ,sigma' und der Lebensdauer des oberen Niveaus ,tau'. Dieses Produkt ist dem Kleinsignalverstärkungskoeffizienten gleichwertig. Geeignete Werte sind 8·10-24 sec·cm2 für Nd:YLF oder 6 10-23 sec·cm2 für Nd:YAG als Lasermedien, wobei der Wert für Nd:Vanadat ungefähr viermal höher ist. Diese Kleinsignalverstärkungskoeffizienten führen zu einer Kleinsignalverstärkung im Bereich von wenigen Prozent bis zu einem Faktor von etwa vier pro Hin- und Herlauf wenn das Pumpschema von 2 verwendet wird.
  • 3a bis c zeigen lediglich beispielhaft alternative Ausführungsformen von optischen Elementen und die entsprechende Veränderung der Gestalt des Strahls in der senkrechten Ebene (Seitenansicht).
  • In 3a wird die Strahldivergenz durch das optische Element 7', z.B. ein Hologramm, vergrössert, daher ist Fleck 8' in der senkrechten Ebene grösser als Fleck 8 in 2.
  • In 3b fokussiert das optische Element 7'', z.B. eine Fresnel-Linse, den Strahl in einen Brennpunkt in einem wesentlich kleineren Abstand als dem Abstand zwischen dem optischen Element 7'' und dem Fleck 8''. In diesem Beispiel beträgt der Abstand zwischen dem optischen Element 7'' und dem Fleck 8'' das Doppelte der Brennweite des optischen Elements 7'' in der senkrechten Ebene. Dieser konkreten Anordnung zufolge hat der Fleck 8'' in der senkrechten Ebene den gleichen Durchmesser wie der Fleck 8 in 2.
  • In 3c fokussiert das optische Element 7''', z.B eine astigmatische Linse mit unterschiedlichen Brennweiten in der senkrechten und waagerechten Ebene, den Strahl in einen Brennpunkt in einem wesentlich grösseren Abstand als dem zwischen dem optischen Element 7'' und dem Fleck 8''. Dieser Anordnung zufolge hat der Fleck 8'' einen kleineren Durchmesser in der senkrechten Ebene als der Fleck 8 in 2.
  • 4 zeigt die schematische Anordnung eines regenerativen Verstärkers, der mit Lasermitteln zur Erzeugung eines geeigneten Pumplichtstrahls verwendet wird. Ein polarisierter Laserpuls von einer Seedlaserquelle wird durch einen Polarisator 13 in die Anordnung eingekoppelt und wird nach seinem Durchgang durch eine Pockels-Zelle 10 und eine Viertelwellenplatte 14 durch einen Spiegel 11' reflektiert. Je nach der an die Pockels-Zelle 10 angelegten Spannung wird die Polarisation des Laserstrahls so gedreht, dass er den Polarisator 13 passiert und in den Hohlraum eintritt oder die Anordnung verlässt. Wenn der Puls im Resonator eingefangen ist, wird der Laserstrahl bei jedem Hin- und Herlauf nach mehrfacher Reflexion durch vier Spiegel 11 im Lasermedium 12 verstärkt. Nach weiteren Hin- und Herläufen, die erforderlich sind, um maximale Energie zu erreichen, wird der Laserstrahl nach einer weiteren Drehung der Polarisation durch die Pockels-Zelle 10 durch den Polarisator 13 aus der Anordnung ausgekoppelt.

Claims (10)

  1. Laserpumpvorrichtung zum Pumpen eines Festkörperlasermediums, beispielsweise in einem Single-Pass- oder Multipass-Verstärkeraufbau und bevorzugt in einem regenerativen Verstärkeraufbau, umfassend – eine Mehrzahl von Laserdioden-Emittern und – optische Mittel zur Erzeugung eines Pumpstrahls durch Abbildung jedes einzelnen Emitters in einen im Wesentlichen runden oder elliptischen Fleck (8, 8', 8'', 8'''), – wobei zumindest zwei der Emitter in einer Anordnung (1) montiert sind, • jeder der Emitter eine Vielzahl von emittierenden Punkten auf seiner Oberfläche besitzt, • jeder der Punkte einen Lichtstrahl emittiert, • die Lichtstrahlen jedes Emitters einen divergenten Teilstrahl (9a) bilden; wobei die optischen Mittel umfassen: • ein erstes optisches Element (6), um jeden Teilstrahl (9a), der in einer ersten Ebene divergent ist, in diese erste Ebene zu kollimieren; dadurch gekennzeichnet, dass die optischen Mittel weiter umfassen: • ein zweites optisches Element (7, 7', 7'', 7''), um die Divergenz jedes Teilstrahls (9b), der in einer zweiten Ebene divergent ist, in dieser zweiten Ebene abzuwandeln und um jeden Teilstrahl (9a) in der Weise zu dem Fleck (8) zu lenken, dass – die einen Teilstrahl (9c) definierenden Lichtstrahlen sich in dem Fleck (8, 8', 8'', 8'') nebeneinander befinden und – die Mehrzahl von Teilstrahlen (9c) sich in dem Fleck (8, 8', 8'', 8'') überlappen.
  2. Laserpumpvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das erste optische Element (6) eine erste Linse, bevorzugt eine erste zylindrische Linse, ist, die in einem der Brennweite der ersten Linse entsprechenden Abstand nahe der Diodenanordnung (1) platziert ist.
  3. Laserpumpvorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Ebene im Wesentlichen senkrecht zur ersten Ebene ist.
  4. Laserpumpvorrichtung nach einem der Ansprüche 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass das zweite optische Element (7) geeignet ist, die Divergenz jedes Teilstrahls (9b) in der Weise abzuwandeln, dass jeder Teilstrahl (4c) in die zweite Ebene kollimiert wird.
  5. Laserpumpvorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass das zweite optische Element (7) eine zweite Linse, bevorzugt eine zweite zylindrische Linse, ist, die in einem im Wesentlichen der Brennweite (f) der zweiten Linse entsprechenden Abstand von der Diodenpumpanordnung (1) platziert ist.
  6. Laserpumpvorrichtung nach einem der Ansprüche 2, 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, dass das zweite optische Element (7') geeignet ist, die Divergenz jedes Teilstrahls (9b) in der Weise abzuwandeln, dass jeder Teilstrahl (9c) in der zweiten Ebene divergent ist.
  7. Laserpumpvorrichtung nach einem der Ansprüche 2, 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, dass • das zweite optische Element (7'', 7''') geeignet ist, die Divergenz jedes Teilstrahls (9b) in der Weise abzuwandeln, dass jeder Teilstrahl (9c) in der zweiten Ebene konvergent ist; • jeder Teilstrahl (9c) in der Weise divergent ist, dass der Abstand zwischen seinem Brennpunkt und dem zweiten optischen Element (7'', 7'') wesentlich kleiner oder grösser als der Abstand zwischen dem zweiten optischen Element (7'', 7''') und dem Fleck (8'', 8''') ist.
  8. Laserpumpvorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass eines der folgenden Elemente: • ein reflektierendes Element, • eine astigmatische Linse (7'''), • ein Hologramm (7') oder • eine Fresnel-Linse (7'') das erste optische Element und das zweite optische Element funktionell ersetzt.
  9. Single-Pass- oder Multipass-Verstärkeraufbau, gekennzeichnet durch eine Laserpumpvorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche.
  10. Single-Pass- oder Multipass-Verstärkeraufbau nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass der Aufbau ein regenerativer Verstärkeraufbau ist, der umfasst: • einen Polarisator (13), um einen polarisierten Laserpuls vorzugsweise von einer Seed-Laserquelle in den Aufbau einzukoppeln, • eine Pockels-Zelle (10), um den Laserpuls in den Verstärker-Laserresonator hineinzuschalten und ihn, nachdem er verstärkt worden ist, herauszuschalten; • zumindest einen Spiegel (11, 11'), um den Laserpuls zu reflektieren; • ein Lasermedium (12), um den Laserpuls zu verstärken, • bevorzugt mit dem Punpfleck, der einen Querschnitt mit einem Seitenverhältnis besitzt, das durch den Brechungsindex n des Lasermediums als 1:n definiert ist.
DE60217627T 2001-12-10 2002-12-03 Laservorrichtung zum Pumpen eines Festkörperlasermediums Expired - Lifetime DE60217627T2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/006,396 US7046711B2 (en) 1999-06-11 2001-12-10 High power and high gain saturation diode pumped laser means and diode array pumping device
US6396 2001-12-10

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE60217627D1 DE60217627D1 (de) 2007-03-08
DE60217627T2 true DE60217627T2 (de) 2007-11-08

Family

ID=21720656

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE60217627T Expired - Lifetime DE60217627T2 (de) 2001-12-10 2002-12-03 Laservorrichtung zum Pumpen eines Festkörperlasermediums

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7046711B2 (de)
EP (1) EP1318578B8 (de)
JP (1) JP4053871B2 (de)
DE (1) DE60217627T2 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011051636A1 (de) * 2011-07-07 2013-01-10 Jenoptik Automatisierungstechnik Gmbh Vorrichtung zum Fügen von Werkstücken

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT408589B (de) * 1999-07-07 2002-01-25 Femtolasers Produktions Gmbh Laservorrichtung
ATE553520T1 (de) * 2003-02-14 2012-04-15 Univ Heidelberg Verfahren zur erzeugung von mindestens ein puls und/oder einer pulssequenz mit kontrollierbaren parametern
US20060165141A1 (en) * 2003-05-30 2006-07-27 High Q Laser Production Gmbh Method and device for pumping a laser
WO2004107513A2 (de) * 2003-05-30 2004-12-09 High Q Laser Production Gmbh Verfahren und vorrichtungen zum unterdrücken von effekten nichtlinearer dynamik in einem laser
EP1711987A2 (de) * 2004-01-07 2006-10-18 Spectra-Physics, Inc. Industrielles direkt diodengepumptes ultraschnelles verstärkersystem
US7016107B2 (en) * 2004-01-20 2006-03-21 Spectra Physics, Inc. Low-gain regenerative amplifier system
US20050157382A1 (en) * 2004-01-07 2005-07-21 Kafka James D. Industrial directly diode-pumped ultrafast amplifier system
US7103077B2 (en) * 2004-04-29 2006-09-05 20/10 Perfect Vision Optische Geraete Gmbh System and method for measuring and controlling an energy of an ultra-short pulse of a laser beam
US7820936B2 (en) * 2004-07-02 2010-10-26 Boston Scientific Scimed, Inc. Method and apparatus for controlling and adjusting the intensity profile of a laser beam employed in a laser welder for welding polymeric and metallic components
US7590160B2 (en) * 2004-11-26 2009-09-15 Manni Jeffrey G High-gain diode-pumped laser amplifier
US7519253B2 (en) 2005-11-18 2009-04-14 Omni Sciences, Inc. Broadband or mid-infrared fiber light sources
US7813404B2 (en) * 2007-03-15 2010-10-12 Keyence Corporation Laser processing apparatus and solid laser resonator
JP2008277705A (ja) * 2007-05-07 2008-11-13 Megaopto Co Ltd 再生増幅器及び超短パルスレーザ
EP2184818A1 (de) 2008-11-10 2010-05-12 High Q Technologies GmbH Laserpumpanordnung und Laserpumpverfahren mit Strahlhomogenisierung
EP2359593B1 (de) * 2008-11-25 2018-06-06 Tetravue, Inc. Systeme und verfahren für dreidimensionale bildgebung mit hoher auflösung
US8330074B2 (en) * 2009-07-16 2012-12-11 Bridgestone America Tire Operations, LLC Method and apparatus for verifying a laser etch
DE102012000510A1 (de) * 2012-01-13 2013-07-18 Neolase Gmbh Nichtregenerativer optischer Verstärker
GB2500676B (en) 2012-03-29 2015-12-16 Solus Technologies Ltd Self mode-locking semiconductor disk laser (SDL)
GB2519773C (en) * 2013-10-29 2018-01-03 Solus Tech Limited Mode-locking semiconductor disk laser (SDL)
GB2521140B (en) 2013-12-10 2018-05-09 Solus Tech Limited Improved self mode-locking semiconductor disk laser (SDL)
KR20170009882A (ko) 2014-04-26 2017-01-25 테트라뷰 인코포레이티드 3d 이미징의 심도감지용의 강력하고 확대된 광조사 파형을 위한 방법 및 시스템
GB2518794B (en) 2015-01-23 2016-01-13 Rofin Sinar Uk Ltd Laser beam amplification by homogenous pumping of an amplification medium
GB2534598B (en) * 2015-01-29 2019-02-20 Laser Quantum Ltd Laser
CN104716556B (zh) * 2015-03-11 2017-12-05 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 一种双路共用多程主放大系统
US10218144B2 (en) * 2015-04-06 2019-02-26 LadarSystems Solid state laser system
US11209664B2 (en) 2016-02-29 2021-12-28 Nlight, Inc. 3D imaging system and method
US9851571B1 (en) 2016-07-28 2017-12-26 Coherent, Inc. Apparatus for generating a line-beam from a diode-laser array
WO2018208688A1 (en) * 2017-05-08 2018-11-15 Lawrence Livermore National Security, Llc Scaling high-energy pulsed solid-state lasers to high average power
US11212512B2 (en) 2017-12-28 2021-12-28 Nlight, Inc. System and method of imaging using multiple illumination pulses
US11133639B2 (en) 2018-07-24 2021-09-28 Raytheon Company Fast axis thermal lens compensation for a planar amplifier structure
CN113064136A (zh) 2020-01-02 2021-07-02 隆达电子股份有限公司 发光元件与发光模块
CN115347449B (zh) * 2022-10-18 2022-12-30 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 薄片再生放大器及放大方法

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3866141A (en) * 1973-12-21 1975-02-11 Us Air Force Bandwidth-limited, cavity-dumped, laser system
US4088964A (en) * 1975-01-22 1978-05-09 Clow Richard G Multi-mode threshold laser
US4185891A (en) * 1977-11-30 1980-01-29 Grumman Aerospace Corporation Laser diode collimation optics
IT1170643B (it) * 1981-01-22 1987-06-03 Selenia Ind Elettroniche Dispositivo perfezionato per l'accoppiamento di un fascio laser ad una fibra ottica
US5103457A (en) * 1990-02-07 1992-04-07 Lightwave Electronics Corporation Elliptical mode cavities for solid-state lasers pumped by laser diodes
JPH07112084B2 (ja) * 1990-07-20 1995-11-29 新日本製鐵株式会社 アレイ半導体レーザ励起固体レーザ装置
US5317447A (en) * 1992-04-24 1994-05-31 Electro Scientific Industries, Inc. High-power, compact, diode-pumped, tunable laser
US5745153A (en) * 1992-12-07 1998-04-28 Eastman Kodak Company Optical means for using diode laser arrays in laser multibeam printers and recorders
US5513201A (en) * 1993-04-30 1996-04-30 Nippon Steel Corporation Optical path rotating device used with linear array laser diode and laser apparatus applied therewith
JP3071360B2 (ja) * 1993-04-30 2000-07-31 新日本製鐵株式会社 リニアアレイレーザダイオードに用いる光路変換器及びそれを用いたレーザ装置及びその製造方法
US5541951A (en) * 1994-11-14 1996-07-30 Intelligent Surgical Lasers, Inc. Device and method for high-power end pumping
SE510442C2 (sv) * 1996-09-05 1999-05-25 Fredrik Laurell Mikrochipslaser
US6212216B1 (en) * 1996-12-17 2001-04-03 Ramadas M. R. Pillai External cavity micro laser apparatus
US5936984A (en) * 1997-05-21 1999-08-10 Onxy Optics, Inc. Laser rods with undoped, flanged end-caps for end-pumped laser applications
SE9702175D0 (sv) * 1997-06-06 1997-06-06 Geotronics Ab A laser
JPH1117255A (ja) * 1997-06-25 1999-01-22 Nikon Corp 半導体レーザ励起固体レーザ装置および該装置を用いた紫外レーザ装置
JPH1168197A (ja) * 1997-08-08 1999-03-09 Nec Corp 半導体レーザ励起固体レーザ装置
US6240116B1 (en) * 1997-08-14 2001-05-29 Sdl, Inc. Laser diode array assemblies with optimized brightness conservation
US6044096A (en) * 1997-11-03 2000-03-28 Sdl, Inc. Packaged laser diode array system and method with reduced asymmetry
US6230690B1 (en) * 1998-03-19 2001-05-15 Denso Corporation Fuel supply apparatus for vehicle
US6122097A (en) * 1998-04-16 2000-09-19 Positive Light, Inc. System and method for amplifying an optical pulse using a diode-pumped, Q-switched, extracavity frequency-doubled laser to pump an optical amplifier
DE19838518A1 (de) 1998-08-25 2000-03-02 Bosch Gmbh Robert Anordnung
US6347109B1 (en) * 1999-01-25 2002-02-12 The Regents Of The University Of California High average power scaleable thin-disk laser
US6393035B1 (en) * 1999-02-01 2002-05-21 Gigatera Ag High-repetition rate passively mode-locked solid-state laser
EP1181754B1 (de) * 1999-06-01 2003-03-19 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Förderung Der Angewandten Forschung E.V. Optische verstärker-anordnung für festkörperlaser
ATE277439T1 (de) * 1999-06-11 2004-10-15 Daniel Dr Kopf Diodenlasergepumpter festkörperlaser
US6462891B1 (en) * 2000-04-20 2002-10-08 Raytheon Company Shaping optic for diode light sheets
JP4359806B2 (ja) * 2001-06-29 2009-11-11 株式会社デンソー 燃料供給装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011051636A1 (de) * 2011-07-07 2013-01-10 Jenoptik Automatisierungstechnik Gmbh Vorrichtung zum Fügen von Werkstücken

Also Published As

Publication number Publication date
EP1318578A3 (de) 2005-08-17
JP4053871B2 (ja) 2008-02-27
US7046711B2 (en) 2006-05-16
EP1318578B1 (de) 2007-01-17
DE60217627D1 (de) 2007-03-08
US20020085608A1 (en) 2002-07-04
EP1318578A2 (de) 2003-06-11
JP2003198017A (ja) 2003-07-11
EP1318578B8 (de) 2007-04-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE60217627T2 (de) Laservorrichtung zum Pumpen eines Festkörperlasermediums
DE69736133T2 (de) Direktes hochleistungslaserdiodensystem mit hoher effizienz und zugehörende verfahren
DE4234342C2 (de) Verfahren zur Materialbearbeitung mit Laserstrahlung
DE102004045912B4 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Überlagerung von Strahlenbündeln
DE19725262C2 (de) Optische Strahltransformationsvorrichtung
EP0984312B1 (de) Laserdiodenanordnung
DE19939750C2 (de) Optische Anordnung zur Verwendung bei einer Laserdiodenanordnung sowie Laserdiodenanordnung mit einer solchen optischen Anordnung
DE19780124B4 (de) Anordnung zur Formung des geometrischen Querschnitts mehrerer Festkörper- und/oder Halbleiterlaser
DE102013018496B4 (de) Massenspektrometer mit Laserspotmuster für MALDI
EP1145390B1 (de) Laserverstärkersystem
DE10220378B4 (de) Laserlichtquellenvorrichtung mit optischen Elementen zur Strahlkorrektur
WO2006045303A2 (de) Multispektraler laser mit mehreren gainelementen
EP1896893A1 (de) Vorrichtung zur strahlformung
DE19846532C1 (de) Einrichtung zur Strahlformung eines Laserstrahls und Hochleistungs-Diodenlaser mit einer solchen Einrichtung
WO2005085934A1 (de) Vorrichtung zur erzeugung eines linearen fokusbereichs einer laserlichtquelle
DE19841040A1 (de) Vorrichtung zum Markieren einer Oberfläche mittels Laserstrahlen
EP2880723B1 (de) Pumpeinrichtung zum pumpen eines verstarkenden lasermediums
DE102012022068A1 (de) Optisch endgepumpter Slab-Verstärker mit verteilt angeordneten Pumpmodulen
DE19838518A1 (de) Anordnung
EP0961152A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Formung eines kollimierten Lichtstrahls aus den Emissionen mehrerer Lichtquellen
DE4208147A1 (de) Endgepumpter hochleistungsfestkoerperlaser
WO2002082164A2 (de) Anordnung für die korrektur von von einer laserlichtquelle ausgehender laserstrahlung sowie verfahren zur herstellung der anordnung
DE102008027229A1 (de) Vorrichtung zur Strahlformung
EP1637919A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Überlagerung von Strahlenbündeln
DD299574A5 (de) Anordnung zum transversalen pumpen von festkoerperlasern

Legal Events

Date Code Title Description
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: KOPF, DANIEL, DR., RöTHIS, AT

8328 Change in the person/name/address of the agent

Representative=s name: DERZEIT KEIN VERTRETER BESTELLT

8381 Inventor (new situation)

Inventor name: KOPF, DR., DANIEL, RöTHIS, AT

8364 No opposition during term of opposition
R082 Change of representative

Ref document number: 1318578

Country of ref document: EP

Representative=s name: BECKER, KURIG, STRAUS, DE