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Patentes

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Número de publicaciónDE60335301 D1
Tipo de publicaciónConcesión
Número de solicitudDE2003635301
Fecha de publicación20 Ene 2011
Fecha de presentación15 Dic 2003
Fecha de prioridad27 Jun 2003
También publicado comoCN1577850A, CN100541797C, EP1639649A1, EP1639649B1, EP2270868A1, EP2270868B1, US7456476, US7820513, US8273626, US20060172497, US20090061572, US20110020987, WO2005010994A1
Número de publicación03635301, 2003635301, DE 60335301 D1, DE 60335301D1, DE-D1-60335301, DE03635301, DE2003635301, DE60335301 D1, DE60335301D1
InventoresScott Hareland, Robert Chau, Brian Doyle, Rafael Rios, Tom Linton Jr, Suman Datta
SolicitanteIntel Corp
Exportar citaBiBTeX, EndNote, RefMan
Teilweise oder vollständig mit einer gateelektrode umwickeltes nicht ebenes halbleiterbauelement und herstellungsverfahren
DE 60335301 D1
Resumen  disponible en
Descripción  disponible en
Reclamaciones  disponible en
Clasificaciones
Clasificación internacionalH01L21/336, H01L29/786, H01L29/423
Clasificación cooperativaH01L29/42384, H01L29/785, H01L29/66545, H01L29/66795, H01L29/66772, H01L29/42392
Clasificación europeaH01L29/423D2B8, H01L29/78S, H01L29/66M6T6F15C, H01L29/66M6T6F8, H01L29/66M6T6F16F, H01L29/423D2B8G