DE69226139D1 - Musterprojektionsgerät und Belichtungsverfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung - Google Patents

Musterprojektionsgerät und Belichtungsverfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung

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Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3480721D1 (de) * 1984-08-31 1990-01-18 Gakei Denki Seisakusho Verfahren und vorrichtung zur herstellung von einkristallen.
US5978071A (en) * 1993-01-07 1999-11-02 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and method in which mask stage is moved to provide alignment with a moving wafer stage
JP3291818B2 (ja) * 1993-03-16 2002-06-17 株式会社ニコン 投影露光装置、及び該装置を用いる半導体集積回路製造方法
JP3301153B2 (ja) * 1993-04-06 2002-07-15 株式会社ニコン 投影露光装置、露光方法、及び素子製造方法
US5659384A (en) * 1993-04-09 1997-08-19 Canon Kabushiki Kaisha Position detection apparatus and method
US6753948B2 (en) 1993-04-27 2004-06-22 Nikon Corporation Scanning exposure method and apparatus
US5581324A (en) * 1993-06-10 1996-12-03 Nikon Corporation Thermal distortion compensated projection exposure method and apparatus for manufacturing semiconductors
US5729331A (en) * 1993-06-30 1998-03-17 Nikon Corporation Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus
KR0139039B1 (ko) * 1993-06-30 1998-06-01 미타라이 하지메 노광장치와 이것을 이용한 디바이스 제조방법
DE59406961D1 (de) * 1993-07-20 1998-10-29 Raff Helmut Dipl Betriebsw Messeinrichtung
JP3308063B2 (ja) * 1993-09-21 2002-07-29 株式会社ニコン 投影露光方法及び装置
JP2915265B2 (ja) * 1993-11-02 1999-07-05 キヤノン株式会社 光学装置
JP3209641B2 (ja) * 1994-06-02 2001-09-17 三菱電機株式会社 光加工装置及び方法
JPH07335524A (ja) * 1994-06-06 1995-12-22 Canon Inc 位置合わせ方法
JP3185908B2 (ja) * 1994-06-14 2001-07-11 ノーリツ鋼機株式会社 写真焼付装置
JPH0817719A (ja) * 1994-06-30 1996-01-19 Nikon Corp 投影露光装置
JPH08293453A (ja) * 1995-04-25 1996-11-05 Canon Inc 走査型露光装置及び該装置を用いた露光方法
JPH0936033A (ja) * 1995-07-24 1997-02-07 Sony Corp 半導体露光装置
US5883704A (en) * 1995-08-07 1999-03-16 Nikon Corporation Projection exposure apparatus wherein focusing of the apparatus is changed by controlling the temperature of a lens element of the projection optical system
DE69601763T2 (de) * 1995-09-04 1999-09-09 Canon Kk Einrichtung zur Antriebsregelung
US5877843A (en) * 1995-09-12 1999-03-02 Nikon Corporation Exposure apparatus
JPH09102454A (ja) * 1995-10-03 1997-04-15 Nikon Corp 投影露光装置
WO1997014077A1 (en) * 1995-10-12 1997-04-17 Megapanel Corporation Magnification control and thermal substrate chuck for photolithography
JP3335845B2 (ja) * 1996-08-26 2002-10-21 株式会社東芝 荷電ビーム描画装置及び描画方法
JPH10193618A (ja) * 1996-11-13 1998-07-28 Canon Inc 液体噴射記録ヘッドおよびその製造方法
JP2910716B2 (ja) * 1997-01-16 1999-06-23 日本電気株式会社 光強度計算のパラメトリック解析方法
US6198576B1 (en) 1998-07-16 2001-03-06 Nikon Corporation Projection optical system and exposure apparatus
JP3796368B2 (ja) 1999-03-24 2006-07-12 キヤノン株式会社 投影露光装置
US6160628A (en) * 1999-06-29 2000-12-12 Nikon Corporation Interferometer system and method for lens column alignment
JP3387861B2 (ja) * 1999-09-09 2003-03-17 キヤノン株式会社 露光装置、およびデバイス製造方法
JP2004281697A (ja) * 2003-03-14 2004-10-07 Canon Inc 露光装置及び収差補正方法
JP4315420B2 (ja) * 2003-04-18 2009-08-19 キヤノン株式会社 露光装置及び露光方法
JP4464166B2 (ja) * 2004-02-27 2010-05-19 キヤノン株式会社 測定装置を搭載した露光装置
WO2006030727A1 (ja) * 2004-09-14 2006-03-23 Nikon Corporation 補正方法及び露光装置
US7271917B2 (en) * 2005-05-03 2007-09-18 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, position quantity detection system and method
JP4756984B2 (ja) * 2005-10-07 2011-08-24 キヤノン株式会社 露光装置、露光装置の制御方法およびデバイスの製造方法
JP2008221299A (ja) * 2007-03-14 2008-09-25 Hitachi Via Mechanics Ltd レーザ加工装置
EP2172766A1 (de) * 2008-10-03 2010-04-07 ASML Netherlands B.V. Lithografische Vorrichtung und Feuchtigkeitsmesssystem
JP5404216B2 (ja) * 2009-07-02 2014-01-29 キヤノン株式会社 露光方法、露光装置及びデバイス製造方法
US10288409B2 (en) * 2015-04-01 2019-05-14 Applied Materials Israel Ltd. Temperature sensitive location error compensation
CN113405683A (zh) * 2021-05-20 2021-09-17 长江存储科技有限责任公司 晶片温度测量方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58116735A (ja) * 1981-12-29 1983-07-12 Canon Inc 投影焼付方法
JPS59150424A (ja) * 1983-02-14 1984-08-28 Toshiba Corp 半導体装置の製造装置および方法
US4666273A (en) * 1983-10-05 1987-05-19 Nippon Kogaku K. K. Automatic magnification correcting system in a projection optical apparatus
JPS60168149A (ja) * 1984-02-13 1985-08-31 Canon Inc 位置合わせ信号処理装置
JP2516194B2 (ja) * 1984-06-11 1996-07-10 株式会社日立製作所 投影露光方法
JPS6119129A (ja) * 1984-07-05 1986-01-28 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 投影光学装置
JPS61136227A (ja) * 1984-12-07 1986-06-24 Canon Inc 投影装置
JPS61160934A (ja) * 1985-01-10 1986-07-21 Canon Inc 投影光学装置
JPS6232613A (ja) * 1985-08-05 1987-02-12 Canon Inc 投影露光装置
JPH0782981B2 (ja) * 1986-02-07 1995-09-06 株式会社ニコン 投影露光方法及び装置
US4870288A (en) * 1986-04-01 1989-09-26 Canon Kabushiki Kaisha Alignment method
JPS6370420A (ja) * 1986-09-11 1988-03-30 Canon Inc 半導体焼付装置
US4825247A (en) * 1987-02-16 1989-04-25 Canon Kabushiki Kaisha Projection exposure apparatus
US4765741A (en) * 1987-03-20 1988-08-23 Hewlett-Packard Company Wavelength tracking compensator for an interferometer
JPH01152639A (ja) * 1987-12-10 1989-06-15 Canon Inc 吸着保持装置
JP2550658B2 (ja) * 1988-05-13 1996-11-06 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光方法
JP2696984B2 (ja) * 1988-09-09 1998-01-14 株式会社ニコン 投影光学装置
US5105075A (en) * 1988-09-19 1992-04-14 Canon Kabushiki Kaisha Projection exposure apparatus
JPH03198320A (ja) * 1989-12-27 1991-08-29 Nikon Corp 投影光学装置

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JPH0562880A (ja) 1993-03-12
DE69226139T2 (de) 1998-11-26
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JP2864060B2 (ja) 1999-03-03
EP0531102A1 (de) 1993-03-10
US5270771A (en) 1993-12-14

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