DE69232759T2 - Strömungsüberwachung eines Prozessgases für eine Halbleiterscheibenbehandlungsanlage, Vorrichtung und Verfahren dafür - Google Patents

Strömungsüberwachung eines Prozessgases für eine Halbleiterscheibenbehandlungsanlage, Vorrichtung und Verfahren dafür

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Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2714460B1 (fr) * 1993-12-24 1996-02-02 Seva Procédé et dispositif de fourniture de gaz sous pression.
US5520969A (en) * 1994-02-04 1996-05-28 Applied Materials, Inc. Method for in-situ liquid flow rate estimation and verification
US5763010A (en) * 1996-05-08 1998-06-09 Applied Materials, Inc. Thermal post-deposition treatment of halogen-doped films to improve film stability and reduce halogen migration to interconnect layers
US6207027B1 (en) 1997-05-07 2001-03-27 Applied Materials, Inc. Method to reduce overhead time in an ion metal plasma process
US6074691A (en) * 1997-06-24 2000-06-13 Balzers Aktiengesellschaft Method for monitoring the flow of a gas into a vacuum reactor
JP2005510690A (ja) * 2001-04-27 2005-04-21 マイクロリス コーポレイション マスフローコントローラおよびマスフローメータにおける出力をフィルタリングするためのシステムおよび方法
JP3985899B2 (ja) * 2002-03-28 2007-10-03 株式会社日立国際電気 基板処理装置
US20070021935A1 (en) 2005-07-12 2007-01-25 Larson Dean J Methods for verifying gas flow rates from a gas supply system into a plasma processing chamber
KR101501426B1 (ko) * 2006-06-02 2015-03-11 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 차압 측정들에 의한 가스 유동 제어
JP4806598B2 (ja) * 2006-07-18 2011-11-02 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置
US8986253B2 (en) 2008-01-25 2015-03-24 Tandem Diabetes Care, Inc. Two chamber pumps and related methods
US20100036327A1 (en) * 2008-08-08 2010-02-11 Tandem Diabetes Care, Inc. Flow prevention, regulation, and safety devices and related methods
US8408421B2 (en) 2008-09-16 2013-04-02 Tandem Diabetes Care, Inc. Flow regulating stopcocks and related methods
AU2009293019A1 (en) 2008-09-19 2010-03-25 Tandem Diabetes Care Inc. Solute concentration measurement device and related methods
EP3284494A1 (de) 2009-07-30 2018-02-21 Tandem Diabetes Care, Inc. Tragbares infusionspumpensystem
US9180242B2 (en) 2012-05-17 2015-11-10 Tandem Diabetes Care, Inc. Methods and devices for multiple fluid transfer
JP6017396B2 (ja) * 2012-12-18 2016-11-02 東京エレクトロン株式会社 薄膜形成方法および薄膜形成装置
US9173998B2 (en) 2013-03-14 2015-11-03 Tandem Diabetes Care, Inc. System and method for detecting occlusions in an infusion pump
DE102013109210A1 (de) * 2013-08-20 2015-02-26 Aixtron Se Evakuierbare Kammer, insbesondere mit einem Spülgas spülbare Beladeschleuse
US10957561B2 (en) * 2015-07-30 2021-03-23 Lam Research Corporation Gas delivery system
US10651015B2 (en) 2016-02-12 2020-05-12 Lam Research Corporation Variable depth edge ring for etch uniformity control
KR102162046B1 (ko) * 2017-02-10 2020-10-06 가부시키가이샤 후지킨 유량 측정 방법 및 유량 측정 장치
KR101994419B1 (ko) * 2017-04-28 2019-07-01 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 모니터링 방법

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5934420B2 (ja) * 1980-05-20 1984-08-22 ジエイ・シ−・シユ−マ−カ−・カンパニ− 化学蒸気分配システム
US4364413A (en) * 1981-01-07 1982-12-21 The Perkin-Elmer Corporation Molar gas-flow controller
JPS62105997A (ja) * 1985-11-01 1987-05-16 Sumitomo Electric Ind Ltd 気相成長装置
JPS62204528A (ja) * 1986-03-05 1987-09-09 Hitachi Ltd ドライプロセス処理装置
US4974544A (en) * 1986-10-07 1990-12-04 Ricoh Company, Co. Vapor deposition apparatus
US4801352A (en) * 1986-12-30 1989-01-31 Image Micro Systems, Inc. Flowing gas seal enclosure for processing workpiece surface with controlled gas environment and intense laser irradiation
US4980204A (en) * 1987-11-27 1990-12-25 Fujitsu Limited Metal organic chemical vapor deposition method with controlled gas flow rate
JP2545897B2 (ja) * 1987-12-11 1996-10-23 日本電気株式会社 光cvd装置
US4989160A (en) * 1988-05-17 1991-01-29 Sci Systems, Inc. Apparatus and method for controlling functions of automated gas cabinets
US4949669A (en) * 1988-12-20 1990-08-21 Texas Instruments Incorporated Gas flow systems in CCVD reactors
JPH02196423A (ja) * 1989-01-25 1990-08-03 Fujitsu Ltd 半導体製造装置
JP2542695B2 (ja) * 1989-04-17 1996-10-09 九州日本電気株式会社 プラズマエッチング装置

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Publication number Publication date
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KR100248367B1 (ko) 2000-03-15
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US5220515A (en) 1993-06-15
KR920020668A (ko) 1992-11-21
JP2500890B2 (ja) 1996-05-29
EP0510791B1 (de) 2002-09-04
EP0510791A2 (de) 1992-10-28

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