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ERFINDUNGSGEBIET
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Die vorliegende Erfindung bezieht
sich auf ein Halbleiterbauelement mit einer ferroelektrischen oder
stark dielelektrischen Schicht als Kondensatordielektrikumsschicht.
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HINTERGRUND DER ERFINDUNG
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Entsprechend dem Trend zu einer höheren Geschwindigkeit
und einer geringeren Leistungsaufnahme von Halbleiterbauelementen,
wie zum Beispiel Mikrorechnern und digitalen Signalprozessoren, werden
seit kurzem elektronische Gebrauchsartikel in ihrer Leistung zunehmend
vervollkommnet, wobei jedoch eine elektromagnetische Störung, die
in einem von diesen elektronischen Geräten ausgehenden elektromagnetischen
Rauschen besteht, ein ernstes Problem verursacht. Demzufolge werden nicht
nur in den elektronischen Geräten,
sondern auch in den darin eingesetzten elektronischen Bauelementen
Maßnahmen
gegen die elektromagnetische Störung
gefordert. Die effektivste Maßnahme gegen
die elektromagnetische Störung
im Halbleiterbauelement ist der Einbau eines Kondensators mit einer
großen
Kapazität
zwischen der Vorspannungsleitung und der Masseleitung innerhalb
des Halbleiterbauelements; bislang wurde der Kondensator außerhalb
des Halbleiterbauelements angeordnet.
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Darüber hinaus sind vor kurzem
nichtflüchtige
Speicher mit wahlfreiem Zugriff in einer einfachen Konstruktion
mit Kondensator, in denen als Kondensatordielektrikumsschicht eine
ferroelektrische Schicht verwendet wird, und dynamische Speicher mit
wahlfreiem Zugriff mit Kondensator, in denen eine dielektrische
Schicht mit einer großen
Dielektrizitätskonstanten
als Speicherkondensator dient, entwickelt worden.
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Ein herkömmliches Halbleiterbauelement
mit Kondensator wird im Folgenden ausführlich beschrieben.
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1 ist
eine Teilquerschnittsansicht eines repräsentativen Halbleiterbauelements.
In 1 ist auf einem Siliziumsubstrat 1 in
einem Bereich, der durch ein Feldoxidgebiet 2 umschlossen
wird, ein integrierter Schaltkreis 6 angeordnet, der durch
aktive Source/Drain- Bereiche 3, ein Gateoxid 4 und
eine Gate-Elektrode 5 gegeben ist. Ferner wurde auf dem Siliziumsubstrat 1 eine
Isolationsschicht 7 hergestellt, und in einem bestimmten
Bereich wurde ein Kondensator 11 auf der Isolationsschicht 7 ausgebildet,
der aus einer unteren Elektrode 8, einer Kondensatordielektrikumsschicht 9 und
einer oberen Elektrode 10 besteht. Mindestens zum Abdecken
des Kondensators 11 wurde außerdem eine Isolationszwischenschicht 12 ausgebildet.
Angeordnet wurden auch Verbindungsleitungen 14a, die durch
ein erstes Kontaktloch 13a mit den aktiven Source/Drain-
Bereichen 3 verbunden sind, eine Verbindungsleitung 14b, die
durch ein zweites Kontaktloch 13b mit der unteren Elektrode 8 des
Kondensators 11 verbunden ist, und eine Verbindungsleitung 14c,
die durch ein drittes Kontaktloch 13c mit der oberen Elektrode 10 des Kondensators 11 verbunden
ist. Darüber
hinaus ist zum Schutz der Verbindungsleitungen 14a, 14b, 14c eine
Passivierungsschicht 15 vorgesehen.
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Ein Herstellungsverfahren des in 1 dargestellten herkömmlichen
Halbleiterbauelements mit Kondensator wird im Weiteren mit Bezug
auf den in 2 dargestellten
Ablaufplan des Herstellungsprozesses sowie mit Bezug auf 1 erläutert. Zunächst wird im Schritt (1) der
integrierte Schaltkreis 6 auf dem Siliziumsubstrat 1 hergestellt.
Im Schritt (2) wird eine Isolationsschicht 7 auf einem
Siliziumsubstrat 1 hergestellt. Im Schritt (3) wird ein
Kondensator 11 auf der Isolationsschicht 7 ausgebildet.
Dieser Kondensator 11 entsteht durch aufeinanderfolgendes Abscheiden
einer ersten leitfähigen
Schicht als unterer Elektrode 8, einer Kondensatordielektikumsschicht 9 und
einer zweiten leitfähigen
Schicht als oberer Elektrode 10 sowie durch die entsprechende Formgebung
mittels Ätzen.
Als Kondensatordielektrikumsschicht 9 dient eine ferroelektrische
Schicht oder eine stark dielektrische Schicht, als untere Elektrode 8 und
obere Elektrode 10 wird ein Zweischichtsystem bestehend
aus einer Platinschicht und einer Titanschicht verwendet, das die
Kondensatordielektrikumsschicht 9 sequentiell von der Seite
her kontaktiert. Im Schritt (4) wird eine Isolationszwischenschicht 12,
die aus PSG (Phosphosilikatglas) besteht, mittels CVD so ausgebildet,
dass zumindest der Kondensator 11 bedeckt ist. Im Schritt
(5) werden ein erstes Kontaktloch 13a, das zu den aktiven
Source/Drain-Gebieten 3 des integrierten Schaltkreises 6 führt, ein
zweites Kontaktloch 13b, das zu der unteren Elektrode 8 des
Kondensators 11 führt, und
ein drittes Kontaktloch 13c, das zu der oberen Elektrode 10 des
Kondensators 11 führt,
hergestellt. Nach der Herstellung der Verbindungsleitungen 14a, 14b, 14c im
Schritt (6) wird mittels Plasma-CVD im Schritt (7) eine Passivierungsschicht 15 ausgebildet,
die aus einer Siliziumnitridschicht oder einer Siliziumoxinitridschicht
mit einem hohen Feuchtewiderstand besteht.
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In einem derartigen herkömmlichen
Halbleiterbauelement mit Kondensator, in dem eine PSG-Schicht als
Isolationszwischenschicht 12 dient, wird das Ziel einer
Minderung der Beanspruchung des Kondensators 11 zwar erreicht,
die bei der Herstellung der PSG-Schicht mittels CVD erzeugte Feuchtigkeit
wird jedoch durch die PSG-Schicht absorbiert, und diese Feuchtigkeit
diffundiert in die ferroelektrische Schicht, welche die Kondensatordielektrikumsschicht
bildet, und setzt damit den elektrischen Widerstand herab. Dieses
Phänomen
führt zu einem
Ansteigen des Kriechstroms des Kondensators 11 oder zu
einer Abnahme der dielektrischen Durchschlagfestigkeit, was einen
dielektrischen Durchschlag der Kondensatordielektrikumsschicht 9 hervorrufen
kann. In einem solchen Halbleiterbauelement mit Kondensator wurde
als eine Passivierungsschicht 15 bisher eine durch Plasma-CVD
erzeugte Siliziumnitrid– oder
Siliziumoxinitridschicht verwendet, und obwohl ein Eindringen von
Feuchtigkeit von außen
in den Kondensator 11 verhindert werden kann, wird beim
Schichtherstellungsprozess mittels Plasma-CVD aktivierter Wasserstoff
erzeugt, und dieser aktivierte Wasserstoff kann in die ferroelektrische
oder stark dielektrische Schicht, welche die Kondensatordielektrikumsschicht 9 bildet,
diffundieren, was zu einem Anstieg des Kriechstroms des Kondensators 11 oder
zu einer Verschlechterung der elektrischen Charakteristik führen kann.
Im Allgemeinen liegt der Gehalt an Wasserstoffatomen in der durch
Plasma-CVD hergestellten Nitridschicht in einer Größenordnung
von 1022 Atomen/cm3,
und durch Wärmebehandlung
nach der Schichtherstellung wird die Diffusion von Wasserstoff in
die Kondensatordielektrikumsschicht 9 beschleunigt, und
die Charakteristik des Kondensators 11 wird weiter verschlechtert.
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Es kann auf EP-A-0514547 und auf EP-A-0513894
Bezug genommen werden.
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DARSTELLUNG DER ERFINDUNG
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Die vorliegende Erfindung wird durch
die Patentansprüche
definiert. Es ist ein Vorzug der vorliegenden Erfindung, dass sie
ein Halbleiterbauelement mit einem Kondensator hoher Zuverlässigkeit
bereitstellen kann.
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Im Halbleiterbauelement der vorliegenden Erfindung
wird auf der auf dem Kondensator aufgebrachten Isolationszwischenschicht
eine Titannitridschicht oder eine Titan-Wolfram-Schicht in einer Form
ausgebildet, dass sie den Kondensator bedeckt.
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In dieser Bauform haftet die Titannitrid-
oder Titan-Wolfram-Schicht gut an der Isolationszwischenschicht
und ist dicht, so dass das Eindringen von Wasser in den Kondensator
verhindert wird und eine Qualitätsminderung
des Kondensators nicht eintritt. Über diese Anordnung hinaus
kann durch Ausbilden einer Siliziumnitridschicht in einem anderen
Bereich als dem Kondensator ein Eindringen von Feuchtigkeit vermieden
werden, ohne den Kondensator zu beanspruchen, und die anderen Bereiche können vollständig durch
die Siliziumnitridschicht geschützt
werden.
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KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
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1 ist
eine Teilquerschnittsansicht, in der die Struktur der Hauptbestandteile
eines herkömmlichen
Halbleiterbauelements mit Kondensator dargestellt ist.
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2 ist
ein Ablaufplan zur Erläuterung
eines herkömmlichen
Herstellungsverfahrens eines Halbleiterbauelements mit Kondensator.
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3 ist
ein Teilquerschnittsansicht, in der die Struktur der Hauptbestandteile
eines Halbleiterbauelements mit Kondensator nach Beispiel 1 dargestellt
ist.
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4 ist
ein Ablaufplan zur Erläuterung
eines Herstellungsverfahrens eines Halbleiterbauelements mit Kondensator
in Beispiel 1.
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5 ist
ein Diagramm, das die Temperaturabhängigkeit des Freisetzens von
Feuchte durch einer PSG-Schicht darstellt.
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6 ist
ein Diagramm, das die elektrische Zuverlässigkeit des Halbleiterbauelements
mit Kondensator in Beispiel 1 darstellt.
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7 ist
eine Teilquerschnittsansicht, in der die Struktur der Hauptbestandteile
eines Halbleiterbauelements mit Kondensator in Beispiel 2 dargestellt
ist.
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8, 9 und 10 sind Teilquerschnittsansichten, in
denen ein Herstellungsverfahren eines Halbleiterbauelements mit
Kondensator in Beispiel 2 dargestellt ist, wobei 8 eine schematische. Darstellung ist,
das den Zustand bei der Ausbildung der Verbindungsleitungen zeigt,
indem ein Kondensator auf einer Isolationsschicht eines Halbleitersubstrats
mit darin ausgebildetem integrierten Schaltkreis erzeugt wird, eine
Isolationszwischenschicht auf dem Kondensator hergestellt wird und
die Kontaktlöcher
ausgebildet werden, 9 ist
eine schematische Darstellung, das den Zustand bei der Ausbildung
einer Passivierungsschicht zum Schutz der Verbindungsleitungen darstellt,
und 10 ist eine schematische
Darstellung, das den Zustand bei der Ausbildung einer zweiten Passivierungsschicht zusätzlich auf
der Passivierungsschicht von 9 darstellt.
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11 ist
ein Messdiagramm des Kondensatorkriechstroms bei jedem Schritt nach
der Herstellung der Verbindungsleitungen des Halbleiterbauelements
mit Kondensator in Beispiel 2.
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12 ist
eine schematische Darstellung der Beziehung zwischen der an den
Kondensator angelegten Spannung und der Zeit bis zum Durchschlag
bei jedem Schritt nach der Herstellung der Verbindungsleitungen
des Halbleiterbauelements mit Kondensator in Beispiel 2.
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13 ist
eine Teilquerschnittsansicht zur Darstellung der Struktur der Hauptbestandteile
in einem Halbleiterbauelement mit Kondensator in der Ausführungsform
1 der Erfindung.
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14 ist
eine Teilquerschnittsansicht zur Darstellung der Struktur eines
Kondensators in einem Halbleiterbauelement in der Ausführungsform
2 der Erfindung.
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BESCHREIBUNG
DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
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Vor der Beschreibung der zwei Ausführungsformen
des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements
werden wir zwei Beispiele von Halbleitern beschreiben, die in 3 und 7 dargestellt sind. Beispiel 1 In einem
in 3 dargestellten Halbleiterbauelement
ist eine isolierende Oxidschicht 32 auf einem Siliziumsubstrat 31 ausgebildet,
und in einem Bereich, der von der isolierenden Oxidschicht 32 umfasst
wird, ist ein integrierter Schaltkreis 36 ausgebildet,
der durch einen Transistor verkörpert
wird, welcher aus einer Diffusionszone 33, einer Gate-Isolationsschicht 34 und
einer Gate-Elektrode 35 besteht.
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Auf dem Siliziumsubstrat 31 ist
eine aus einer Siliziumoxidschicht bestehende Isolationsschicht 37 ausgebildet,
und auf der Isolationsschicht 37 ist ein Kondensator 41 ausgebildet,
der eine untere Elektrode 38 aus einer Platin- und einer
Titanschicht, eine aus einer ferroelektrischen oder stark dielektrischen
Schicht bestehende Kondensatordielektrikumsschicht 39 und
eine aus einer Platin- und einer Titanschicht zusammengesetzte obere
Elektrode 40 umfasst. Zum Abdecken dieses Kondensators 41 ist eine
Isolationszwischenschicht 42 ausgebildet, die aus einer
PSG – Schicht
mit einem Feuchtegehalt von 0,5 g pro 1 cm3 oder
darunter gebildet wird. In dem herkömmlichen Halbleiterbauelement
mit Kondensator lag der Feuchtegehalt der Isolationszwischenschicht
bei 0,9 g pro 1 cm3 oder darüber.
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Über
dem integrierten Schaltkreis 36 ist in der Isolationsschicht 37 und
der Isolationszwischenschicht 42 ein erstes Kontaktloch 43a angeordnet, das
zu einer Diffusionszone 33 führt, und über dem Kondensator 41 sind
in der Isolationszwischenschicht 42 ein zur unteren Elektrode 38 führendes Kontaktloch
43b sowie ein zur oberen Elektrode 40 führendes drittes Kontaktloch 43c angeordnet.
Durch das erste Kontaktloch 43a ist eine mit der Diffusionsregion 33 verbundene
Verbindungsleitung 44a, die aus einer Aluminium- oder Aluminiumlegierungsschicht
gebildet wird, vorgesehen, und durch das zweite und dritte Kontaktloch 43b, 43c sind
mit der unteren Elektrode 38 und der oberen Elektrode 40 verbundene
Verbindungsleitungen 44b, 44c, die aus einer Aluminiumoder
einer Aluminiumlegierungsschicht gebildet werden, vorgesehen. Zum
Schutz dieser Verbindungsleitungen 44a, 44b, 44c ist.
eine Passivierungsschicht 45 ausgebildet, die aus einer Siliziumnitrid-
oder Siliziumoxinitridschicht besteht.
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Bei einer derartigen Anordnung nach
Beispiel 1 wird der Feuchtegehalt in der Isolationszwischenschicht 42 unter
0,5 g pro 1 cm3 gehalten, und bei einem
Aufheizen in den nachfolgenden Schritten kann die Diffusion von
Feuchte in die Kondensatordielektrikumsschicht 39 verhindert
werden, wodurch ein Ansteigen des Kriechstromes und eine Abnahme der
dielektrischen Durchschlagfestigkeit des Kondensators 41 vermieden
werden kann, so dass ein Halbleiterbauelement mit dem Kondensator 41 realisiert
werden kann, der hinsichtlich des elektrischen Durchschlages im
Vergleich zum Stand der Technik kaum zu Problemen führt.
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Ein Herstellungsverfahren eines solchen Halbleiterbauelements
wird im Weiteren mit Bezug auf den in 4 im
Zusammenhang mit 3 dargestellten
Ablaufplan des Herstellungsverfahrens erläutert. Zunächst werden in einem Schritt
(1) ein integrierter Schaltkreis 36 und anderes auf einem
Siliziumsubstrat 31 erzeugt. Im Schritt (2) wird eine Isolationsschicht 37 auf
dem Siliziumsubstrat 31 abgeschieden. Im Schritt (3) wird
ein Kondensator 41 auf der Isolationsschicht 37 ausgebildet.
Dieser Kondensator 41 wird durch aufeinanderfolgendes Abscheiden
einer ersten leitfähigen
Schicht als unterer Elektrode 38, einer Kondensatordielektrikumsschicht 39 und
einer zweiten leitfähigen
Schicht als oberer Elektrode 40 sowie durch die entsprechende
Formgebung mittels Ätzen
erzeugt. Als Kondensatordielektrikumsschicht 39 dient eine
ferroelektrische oder eine stark dielektrische Schicht, als untere
Elektrode 38 und als obere Elektrode 40 wird ein
Zweischichtsystem bestehend aus einer Platinschicht und einer Titanschicht
verwendet, das die Kondensatordielektrikumsschicht 39 sequentiell
von der Seite her kontaktiert. Im Schritt (4) wird der Kondensator 41 erhitzt, um
die Charakteristik der Kondensatordielektrikumsschicht 39 zu
erhöhen
und zu stabilisieren. Im Schritt (5) wird mittels CVD oder dergleichen
eine aus einer PSG-Schicht ((Phosphorsilikatglas) bestehende Isolationszwischenschicht 42 zumindest
zum Abdecken des Kondensators 41 aufgebracht, und im Schritt
(6) wird die Isolationszwischenschicht 42 in einer Stickstoffatmosphäre erhitzt,
und die in der Isolationszwischenschicht 42 enthaltene
Feuchte wird auf einen Wert von nicht mehr als 0,5 g pro 1 cm3 der Isolationszwischenschicht 42 herabgesetzt.
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Im Schritt (7) werden ein erstes
Kontaktloch 43a, das zur Diffusionszone 33 des
integrierten Schaltkreises 36 führt, sowie ein zweites und
ein drittes Kontaktloch 43b und 43c, die zu der
unteren Elektrode 38 bzw. der oberen Elektrode 40 des
Kondensators 41 führen,
hergestellt. Im Schritt (8) werden die Verbindungsleitungen 44a, 44b, 44c ausgebildet,
und im Schritt (9) wird mittels Plasma-CVD eine Passivierungsschicht 45 abgeschieden,
die aus einer Siliziumnitridschicht oder einer Siliziumoxinitridschicht
mit einem hohen Feuchtewiderstand besteht.
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In der obigen Anordnung und dem obigen Herstellungsverfahren
wird die PSG -Schicht mittels CVD als Isolationszwischenschicht 42 ausgebildet, und
die Feuchte wird aus der PSG-Schicht in einem nachfolgenden Wärmebehandlungsprozess
beseitigt, aber es gibt in dieser Hinsicht keine Einschränkung, und
z. B. kann eine Siliziumoxidschicht auch bei hoher Temperatur und
verringertem Druck ausgebildet und die Wärmebehandlung weggelassen werden.
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Im oben beschriebenen Herstellungsverfahren
wird die Wärmebehandlung
der Isolationszwischenschicht 42 bei Schritt (6) in 4 in Stickstoffgas ausgeführt, sie
kann jedoch auch in einem Inertgas, wie z. B. Helium oder Argon
oder im Vakuum ausgeführt
werden.
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Messergebnisse der Feuchteadsorption
einer mittels CVD hergestellten PSG-Schicht werden im Folgenden mit Bezug
auf 5 erläutert. Auf
der Abszisse in 5 ist
die Temperatur und auf der Ordinate die bei der entsprechenden Temperatur
freigesetzte Feuchtemenge aufgetragen; das Verhältnis dieser Größen entspricht
der Intensität
der Feuchteadsorption. Wie in 5 dargestellt
ist, liegt die erste Temperatur, bei der es zu einer maximalen Freisetzung
von adsorbierter Feuchte durch die PSG-Schicht kommt, zwischen 300
und 350°C,
ein zweites Maximum liegt zwischen 450 und 530°C. Die zum zweiten Maximum gehörende Feuchte
ist an der PSG-Schicht mit einer ausreichenden Adsorptionsstärke adsorbiert
und scheint die Zuverlässigkeit
bei Normalbetrieb kaum zu beeinflussen. Im Gegensatz dazu reicht
die Flanke des ersten Maximums bis zu niedrigen Temperaturen, und
Wasser wird in einem Zustand relativ nahe der Betriebstemperatur
freigesetzt, so dass es eine Verschlechterung der Kondensatordielektrikumsschicht 39 hervorzurufen
scheint.
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Eine Aufheizung auf 350°C oder mehr
ist vorzuziehen, um das zum ersten Maximum in 4 gehörende
adsorbierte Wasser unmittelbar nach dem Abscheiden der Schicht mittels
CVD freizusetzen. Außerdem
hat sich gezeigt, dass für
die Isolationszwischenschicht 42 eine Wärmebehandlung der Siliziumoxidschicht
mit weniger als 6 Gew.% Phosphor auch hinsichtlich einer Verringerung
der Beanspruchung des Kondensators 41 vorzuziehen ist.
Außerdem
wird die obige Wärmebehandlung
bei keiner höheren
als der Temperatur ausgeführt,
die eine Verschlechterung der Charakteristik des integrierten Schaltkreises
zur Folge hat. Eine Verschlechterung tritt im Allgemeinen bei etwa
900°C ein.
Es ist vorzuziehen, auf etwa 850°C
oder weniger aufzuheizen.
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Das Ergebnis einer Zuverlässigkeitsuntersuchung
des in diesem Beispiel 1 hergestellten Kondensators 41 ist
in 6 dargestellt. Als
Kondensatordielektrikumsschicht 39 wurde Barium-Strontium-Titanat
verwendet. Auf der Abszisse ist der Reziprokwert des auf den Kondensator 41 wirkenden elektrischen
Feldes dargestellt, und die Ordinate stellt die Zeit dar, bei welcher
der Kriechstrom einen spezifischen Wert erreicht. Die Gerade (a)
zeigt den Kriechstrom beim Anlegen einer Spannung an den nach dem
herkömmlichen
Verfahren hergestellten Kondensator 41, und der Feuchtegehalt
der als Isolationszwischenschicht 42 verwendeten PSG-Schicht war
0,93 g/cm3. Die Gerade (b) bezieht sich
auf das Ergebnis für
den in der Ausführungsform
hergestellten Kondensator 41, und der Feuchtegehalt der
als Isolationszwischenschicht 42 dienenden PSG-Schicht
war 0,45 g/cm3. Durch einen Vergleich dieser
Geraden ist bewiesen, dass der Kondensator 41 von Beispiel 1 mit
dem geringeren Feuchtegehalt der Isolationszwischenschicht 42 dem
herkömmlichen
Muster weit überlegen
ist. Gelegentlich kann der Feuchtegehalt in der PSG-Schicht 0,5
g/cm3 oder geringer sein.
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Im Beispiel 1 werden nach dem Abscheiden und
dem Erhitzen der Isolationszwischenschicht 42 die Kontaktlöcher 43a, 43b, 43c hergestellt,
die Einordnung der Wärmebehandlung
in den Ablauf – Abscheiden
der Isolationszwischenschicht 42, Herstellen von Kontaktlöchern 43a, 43b, 43c und
Wärmebehandlung – kann jedoch
abgeändert
werden. In einem solchen Fall dienen die Kontaktlöcher 43a, 43b, 43c als
Lüftungslöcher, und
die am Kondensator 41 adsorbierte Feuchte ist leicht freizusetzen.
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In diesem Beispiel wird die Isolationszwischenschicht 42 einmalig
erhitzt, die Wärmebehandlung
kann jedoch in mehrere Schritte unterteilt werden. Zum Beispiel
kann eine erste Wärmebehandlung
nach dem Abscheiden der Isolationszwischenschicht 42 und
eine zweite Wärmebehandlung
nach der Herstellung der Kontaktlöcher 43a, 43b, 43c erfolgen.
In diesem Fall können
die Wärmebehandlungsbedingungen
zwischen dem ersten und dem zweiten Wärmebehandlungsprozess verändert werden.
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Beispiel 2
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Ein in 7 dargestelltes
Halbleiterbauelement ist ein modifiziertes Beispiel von dem in 3 dargestellten Beispiel
1. Der Unterschied zwischen diesem Beispiel und Beispiel 1 liegt
darin, dass auf einem Kondensator 41 eine aus einer Siliziumoxidschicht
bestehende Isolationszwischenschicht 46 erzeugt wird und
dass eine Passivierungsschicht 47 ausgebildet wird, die
aus einer Siliziumnitridschicht mit einem Wasserstoffatomgehalt
von 1021 Atomen/cm3 oder
weniger in der Schicht besteht, um die Verbindungsleitungen 44a, 44b, 44c aus
einer Aluminium- oder Aluminiumlegierungsschicht zu schützen.
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Entsprechend dem Aufbau eines solchen Beispiels
2, bei dem für
die den Kondensator 41 direkt kontaktierende Isolationszwischenschicht 46 eine
Siliziumoxidschicht mit einem geringen Wasserstoffgehalt und für die Passivierungsschicht 47 eine Siliziumnitridschicht
mit einem Wasserstoffatomgehalt von 1021 Atomen/cm3 oder weniger verwendet wird, weshalb Wasserstoff
die Kondensatordielektrikumsschicht 39 nicht durchdringt,
kann das Eindringen von Wasser von außen in die als Passivierungsschicht 47 verwendete
Siliziumnitridschicht verhindert werden, so dass ein Halbleiterbauelement
mit einer hervorragenden Stabilität erreicht wird.
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In diesem Beispiel ist die Passivierungsschicht 47 eine
einzige Schicht aus einer Siliziumnitridschicht mit einem Wasserstoffgehalt
von 1021 Atomen/cm3 oder
weniger, die gleichen Effekte können jedoch
durch Einstellen der Dicke der Passivierungsschicht 47 auf
etwa 100 nm erreicht werden, wenn als Passivierungsschicht eine
Schichtfolge aus einer Siliziumoxidschicht mit daran anschließender Siliziumnitrid-
oder Siliziumoxinitridschicht verwendet wird.
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Außerdem kann durch Ausbilden
einer Siliziumoxidschicht unter der Passivierungsschicht 47 die auf
den Kondensator 41 wirkende Beanspruchung verringert werden.
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Ein Herstellungsverfahren dieses
Halbleiterbauelements wird im Folgenden mit Bezug auf 8, 9 und 10 beschrieben.
In 8 werden ein integrierter
Schaltkreis 36 und anderes auf einem Siliziumsubstrat 31 erzeugt,
eine Isolationsschicht 37 wird darauf hergestellt, ein
Kondensator 41 wird auf der Isolationsschicht 37 ausgebildet,
eine lsolationszwischenschicht 46 wird zum Abdecken des
Kondensators 41 erzeugt, ein erstes Kontaktloch 43a,
ein zweites sowie ein drittes Kontaktloch 43b bzw. 43c und
Verbindungsleitungen 44a, 44b, 44c werden
hergestellt, was das gleiche sein kann wie in einem herkömmlichen
Herstellungsverfahren. Wie in 9 dargestellt
ist, wird als nächstes
durch Sputtern eine Siliziumnitridschicht hergestellt, die als eine
Passivierungsschicht 47 dient.
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Auf diese Weise kann bei einer Verwendung des
Sputterns als Herstellungsverfahren der Passivierungsschicht 47 eine
dichte Si3N4 – Schicht
stöchiometrischer
Zusammensetzung relativ leicht bei niedrigen Temperaturen von der
Raumtemperatur bis zu 200°C
hergestellt werden, und die aus einer Aluminiumoder Aluminiumlegierungsschicht
bestehenden Verbindungsleitungen 44a, 44b, 44c werden nicht
beschädigt.
Da Target und Gas keine Wasserstoffatome enthalten, wird darüber hinaus
beim Sputtern in der Schicht kein aktivierter Wasserstoff erzeugt.
Die Konzentration der Wasserstoffatome in der erzeugten Siliziumnitridschicht
ist sehr gering, unter 1021 Atome/cm3, und bei einem Erhitzen nach der Herstellung
der Schicht bis zu Temperaturen unter 400°C diffundiert kaum Wasserstoff
in die Kondensatordielektrikumsschicht 39, und die Kenngrößen des
Kondensators 41 werden nicht verschlechtert.
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Es sind mehrere Sputterverfahren
bekannt. Zum Beispiel ist es beim lonenstrahlsputtern des reaktiven
Sputterns mit Stickstoffionen unter Verwendung eines Siliziumtargets
möglich,
eine Schicht bei Raumtemperatur herzustellen. In der durch lonenstrahlsputtern
erzeugten Siliziumnitridschicht ist die Wasserstoffatomkonzentration
sehr gering, unter 1021 Atome/cm3, was übereinstimmt
mit der Siliziumnitridschicht, die durch eine Hochtemperatur – CVD bei
800°C erzeugt
wurde. Ähnliche
Effekte werden beim HF – Sputtern
unter Verwendung von Siliziumnitrid, einem Keramik – Target
oder einem Siliziumnitrid – Pulvertarget
oder beim HF – Planar – Magnetronsputtern
erreicht.
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Wie in 10 dargestellt
ist, kann darüber hinaus
durch Ausbilden einer zweiten, aus einer Siliziumnitridschicht bestehenden
Passivierungsschicht 48 mittels Plasma – CVD auf der Passivierungsschicht 47,
die mit dem in 9 dargestellten
Schritt erzeugt wurde, die Dicke der gesputterten Siliziumnitridschicht
klein sein, so dass die Beanspruchung des Kondensator 41 verringert
werden kann.
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Bei der Passivierungsschicht 47 kann,
wenn eine gesputterte Siliziumnitridschicht verwendet wird, durch
Herstellen einer Siliziumnitridschicht unter der Passivierungsschicht 47 die
auf den Kondensator 41 wirkende Beanspruchung weiter herabgesetzt
werden.
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Die charakteristischen Veränderungen
des Kondensators 41 bei Verwendung einer Bariumtitanatschicht
als Kondensatordielektrikumsschicht 39 werden mit Bezug
auf 11 und 12 beschrieben. In diesen
Diagrammen zeigt die Abszisse jeden Schritt nach der Herstellung
der Verbindungsleitungen 44a, 44b, 44c an,
wobei A der Wert nach der Herstellung der Verbindungsleitungen 44a, 44b, 44c, B
der Wert nach der Herstellung der Passivierungsschicht 47 und
C der Wert nach dem Erhitzen auf 380°C für 7 Minuten in einer Mischgasatmosphäre aus Stickstoff
und Wasserstoff nach Herstellung der Passivierungsschicht 47 ist.
Der schwarze Kreis bezieht sich auf eine Passivierungsschicht 47,
die aus einer mittels Plasma -CVD hergestellten Siliziumnitridschicht
besteht, der weiße
Kreis bezieht sich auf eine Passivierungsschicht 47, die
aus einer mittels lonenstrahlsputtern hergestellten Siliziumnitridschicht besteht. 11 zeigt den Kriechstrom,
wenn eine Spannung von 1,5 Volt an den Kondensator 41 angelegt
wird, und 12 stellt
die Zeit zwischen dem Anlegen einer Spannung von 1 MV/cm an die
Kondensatordielektrikumsschicht 39 bei 125°C bis zum Durchbruch
dar.
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Natürlich liegt, wie in 11 dargestellt ist, im Fall
A nach der Herstellung der Verbindungsleitungen 44a, 44b, 44c der
Kriechstrom unverändert
bei 10–8 A/cm2 unabhängig
vom Herstellungsverfahren der Siliziumnitridschicht, wohingegen
im Fall B nach der Herstellung der Siliziumnitridschicht auf den
Verbindungsleitungen 44a, 44b, 44c der
Kriechstrom in derjenigen Probe anwächst, in welcher die Siliziumnitridschicht
durch Plasma – CVD
erzeugt wurde. Dies scheint dadurch verursacht zu sein, dass viel
aktivierter Wasserstoff im Plasma der Plasma – CVD vorliegt und während des
Schichtentstehungsprozesses in die Kondensatordielektrikumsschicht 39 eindringt, wodurch
die ferroelektrische oder stark dielektrische Schicht, welche die
Kondensatordielektrikumsschicht 39 bildet, verschlechtert
wird. Ferner nimmt im Fall C nach der Wärmebehandlung der Kriechstrom
in derjenigen Probe weiter zu, in der eine Siliziumnitridschicht
durch Plasma – CVD
hergestellt wird. Im Gegensatz dazu gibt es in den durch lonenstrahlsputtern erzeugten
Proben keinen Unterschied im Kriechstrom zwischen den Proben nach
den Schritten A, B und C.
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Übrigens
wird, wie in 12 dargestellt
ist, die Zeit bis zum dielektrischen Durchbruch in der Probe, in
der eine Siliziumnitridschicht durch Plasma – CVD erzeugt wird, nach jedem
Schritt kürzer,
was dadurch verursacht sein könnte,
dass die Wasserstoffatome in der Passivierungsschicht 47 in
die Kondensatordielektrikumsschicht 39 eindringen und die
ferroelektrische oder stark dieelektrische Schicht beeinträchtigen,
aus der die Kondensatordielektrikumsschicht 39 besteht.
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Im Gegensatz dazu gibt es in den
durch lonenstrahlsputtern erzeugten Proben keinen Unterschied in
der Zeit bis zum dielektrischen Durchbruch zwischen den Proben nach
den Schritten A, B und C.
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In diesem Beispiel werden die Verbindungsleitungen 44a, 44b, 44c durch
eine einzige, aus einer Aluminium- oder einer Aluminiumlegierungsschicht bestehende
Schicht gebildet, und durch Ausbilden einer Titan-Wolfram-Schicht
unter diesen Schichten wird die Adhäsion verbessert, wenn eine
Platinschicht als eine Elektrode des Kondensators 41 verwendet
wird, so dass der Kontaktwiderstand herabgesetzt werden kann.
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der Wasserstoff in der Kondensatordielektrikumsschicht 39 wird
in der ersten Wärmebehandlung freigesetzt,
und Sauerstoff wird bei der zweiten Wärmebehandlung hinzugefügt, wodurch
die Charakteristik der Kondensatordielektrikumsschicht 39 wieder hergestellt
wird.
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In dieser Ausführungsform wird in der zweiten
Isolationszwischenschicht 51 die zum Kondensator 41 korrespondierende Öffnung 52 hergestellt,
die Öffnung 52 kann
jedoch auch so vorgesehen werden, dass sie zur oberen Elektrode 40 und
nicht zum gesamten Kondensator 41 korrespondiert, und der Wasserstoff
in der . Kondensatordielektrikumsschicht 39 kann bei der
Wärmebehandlung
in ähnlicher
Weise freigesetzt werden.
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Ausführungsform 1 der Erfindung
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Eine in 13 dargestelltes erfindungsgemäßes Halbleiterbauelement
ist ein modifiziertes Beispiel zu dem in 7 dargestellten Beispiel 2. Diese Ausführungsform
unterscheidet sich vom Beispiel 2 darin, dass aus einer Titanschicht
bestehende erste leitfähige
Schichten 53a, 53b, 53c und aus einer
Titannitridschicht bestehende zweite leitfähige Schichten 54a, 54b, 54c unter
den Verbindungsleitungen 44a, 44b, 44c einschließlich des
ersten Kontaktlochs 43a, des zweiten Kontaktlochs 43b sowie des
dritten Kontaktlochs 43c ausgebildet werden und dass die
Oberseite des Kondensators 41 bedeckt ist mit der ersten
leitfähigen
Schicht 53c, der zweiten leitfähigen Schicht 54c und
der Verbindungsleitung 44c durch eine Isolationszwischenschicht 46,
welche eine Passivierungsschicht 55 ausbildet, die aus
einer die Verbindungsleitungen 44a, 44b, 44c abdeckenden
Siliziumnitrid- oder Siliziumoxinitridschicht besteht.
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Bei einer derartigen Anordnung gemäß Ausführungsform
1 kann dann, wenn als zweite leitfähige Schicht 54c eine
für Wasserstoff
undurchlässige Schicht
gewählt
wird, eine Einschränkung
der Kondensatordielektrikumsschicht 39 durch Wasserstoffatome,
Radikale oder Ionen im Plasma verhindert werden, wenn eine Siliziumnitridschicht
oder eine Siliziumoxinitridschicht als Passivierungsschicht 55 mittels
Plasma – CVD
hergestellt wird.
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Für
die ersten leitfähigen
Schichten 53a, 53b, 53c sind Titanschichten
oder Titan-Wolfram-Schichten vorzuziehen und als zweite leitfähige Schichten 54a, 54b, 54c sind
Titannitridschichten vorzuziehen. Oder es kann durch Verwendung
einer Kombination von erster leitfähiger Schicht 53c und Verbindungsleitung 44c in
der den Kondensator 41 oben bedeckenden Schicht sowie durch
Weglassen der zweiten leitfähigen
Schicht 54c eine Verschlechterung der Kondensatordielektrikumsschicht 39 beim Herstellungsprozess
der Passivierungsschicht 55 im Vergleich mit dem Stand
der Technik vermieden werden.
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Ausführungsform 2 der Erfindung
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14 ist
ein modifiziertes Beispiel von Ausführungsform 1, und der integrierte
Schaltkreis sowie anderes, was keinen unmittelbaren Bezug zur Ausführungsform
hat, ist in der Zeichnung weggelassen. Diese Ausführungsform
unterscheidet sich von der Ausführungsform
1 darin, dass die Oberseite des Kondensators 41 mit einer
ersten leitfähigen
Schicht 56a und einer Verbindungsleitung 44c durch
eine Zwischenisolationsschicht 46 bedeckt ist und dass sich
die erste leitfähige
Schicht 56a und die Verbindungsleitung 44c im
peripheren Teil des Kondensators 41 teilweise überlappen
und auch dadurch, dass eine zweite, aus einer Siliziumnitridschicht
bestehende Isolationszwischenschicht 57 vorgesehen ist,
die eine zur oberen Elektrode 40 des Kondensators 41 korrespondierende Öffnung 58 aufweist.
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In einem solchen Aufbau wird das
Eindringen von Wasser von der Oberseite des Kondensators 41 her
durch die erste leitfähige
Schicht 56a, die aus einer Titan-Wolfram-Schicht oder ähnlichem
besteht, verhindert, während
die anderen Bereiche durch die zweite Isolationszwischenschicht 57,
die aus einer Siliziumnitridschicht oder dergleichen besteht, abgesperrt
werden, so dass die Zuverlässigkeit
mit Bezug auf Feuchtigkeits- und Wasserresistenz wirkungsvoller
erhöht
werden kann.